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Objetivo general

Disear un circuito prctico de amplificacin para aplicaciones de audio.



Objetivo especficos
Realizar el anlisis de polarizacin y de pequea seal en circuitos con
transistores.
Implementar un circuito amplificador en configuracin de emisor comn.
Verificar el funcionamiento del amplificador emisor comn, desde el
punto de vista de la ganancia y la resistencia de salida.
Realizar las simulaciones para comprobar el correcto funcionamiento del
circuito amplificador de audio.

Marco terico

Amplificador de audio
Un amplificador de sonido o de potencia. Son los nombres que se usan para
denominar a un amplificador de audio. La funcin del amplificador es
aumentar el nivel de una seal, incrementando, para ello, la amplitud de
la seal de entrada mediante corrientes de polarizacin (voltaje negativo,
voltaje positivo) en el transistor de salida.

Transistor BJT
El transistor de unin bipolar BJT (Bipolar Junction Transistor) es
un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones
PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a
travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la
conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de mucha
utilidad en un gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas
aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
El ms comn y utilizado es el transistor NPN, en los cuales las letras "N" y
"P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las
diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares
usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor
que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N.
Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn
es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y
apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo est en funcionamiento activo.

Figura 1. Transistor NPN
Estados de funcionamiento de un transistor






Tabla 1-estados de funcionamiento del transistor
Polarizacin de un transistor
La polarizacin de un transistor significa fijar las tensiones y las corrientes de
modo que tomen un determinado valor, al cual le corresponde en el plano de
las caractersticas un punto Q bien definido, denominado punto de reposo
o de trabajo del circuito.
Recta de carga del transistor:
Saturacin: es la mayor intensidad posible de la base, la intensidad mxima.

Punto de trabajo: es la intensidad donde mejor trabaja el transistor que es el
punto intermedio entre saturacin y corte.

Corte: es la intensidad de la base igual a cero (ib= 0) la corriente del colector
es casi nula.

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