Instructivo de laboratorio de SENSORES Y ACTUADORES 103-259

Cuerpo Acadmico de Mecatrnica

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Prctica # 4
SENSORES FOTOELCTRICOS.

Introduccin.

Una fotorresistencia es un componente
electrnico en el cual su resistencia es
disminuida al aumentar la intensidad de luz
incidente en este componente. Tambin es
llamado fotorresistor, fotoconductor, clula
fotoelctrica o resistor dependiente de la luz
(LDR por sus siglas en ingls).

Figura 4.1.- Ejemplo de
una fotorresistencia.

Existen diversos tipos de fotorresistores en el mercado. Pueden ser encontrados en
muchos artculos electrnicos por ejemplo cmara fotogrfica, medidores de luz, los relojes
con radio, las alarmas de seguridad y en los sistemas de encendido y apagado del
alumbrado de calles segn la luz ambiental.

Objetivo.

Conocer el comportamiento del fotorresistor, sus principales caractersticas, tipos y
aplicaciones. Adems se construir un dispositivo que regule la luz incidente sobre una
fotorresistencia.

Marco terico.

Las fotorresistencias (en ingls Light Dependent Resistors LDR) son dispositivos
basados en la variacin de resistencia elctrica de un semiconductor al incidir en l
radiacin de luz en el rango ptico (10 nm< l< 1mm).

La conductividad elctrica de un material depende del nmero de portadores en la banda
de conduccin. En un semiconductor es, normalmente, la agitacin trmica la causa de que
parte de sus electrones salten de la banda de valencia a la de conduccin, siendo por lo
tanto la temperatura el parmetro que determina, junto a sus caractersticas intrnsecas, la
conductividad del material.

Sin embargo, la energa necesaria para el salto puede proceder de otro tipo de fuentes,
como por ejemplo radiacin ptica. En este caso es la energa de los fotones que colisionan
con el material, la fuente para este salto. Si esta energa, determinada por la frecuencia de la
radiacin, es lo suficientemente alta para permitir el salto, sin exceder el umbral para que se
desprendan del material, tendremos el denominado efecto fotoelctrico interno. En este
caso a mayor iluminacin mayor conductividad. Este efecto es aprovechado para la
construccin de resistencias variables con la luz (LDR). Dependiendo del material con el
que se construyan, y por tanto del ancho de la banda prohibida, se obtienen diferentes
respuestas espectrales (relacin entre la sensibilidad del dispositivo y la frecuencia de la
radiacin incidente).
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En general la relacin entre la resistencia del elemento y la iluminacin incidente E
(densidad superficial de energa recibida expresada en lux) es fuertemente no lineal. Esta
relacin se suele modelar mediante la expresin:

R (ohm) = A * E-a

Donde A y a dependen del material y condiciones de fabricacin.
Otra manera de expresar esta relacin es tomando logaritmos:

Log (R) = A - a Log (E)

Como puede comprobarse existe una relacin lineal entre los logaritmos de la resistencia
y nivel de iluminacin. Estos dispositivos son baratos, disponen de un tiempo de respuesta
relativamente grande (son lentos) y su respuesta espectral es fcilmente adaptable a la del
ojo humano.

Si se construye un divisor de voltaje con la fotorresistencia y una segunda resistencia, se
tendr un voltaje proporcional al valor de la resistencia por lo tanto a la intensidad de la luz.

Un LED, o un diodo emisor de luz por sus siglas en ingles, es un dispositivo
semiconductor (diodo) que cuando se polariza en directa y es atravesado por la corriente
elctrica emite luz policromtica, es decir, con diferentes longitudes de onda,. El color
depende del material semiconductor empleado en la construccin del diodo, pudiendo
variar desde el ultravioleta, pasando por el espectro de luz visible, hasta el infrarrojo,
recibiendo stos ltimos la denominacin de IRED (Infra-Red Emitting Diode).

Listado de Material.

Tarjeta de la practica (1 Fotorresistencia y 1 Resistencia 1 K ohm).
Caja con tapa deslizadora.
Fuente de voltaje.
Fuente de luz.


Figura 4.2.- Tarjeta Utilizada.
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Figura 4.3.- Diagrama de conexin.

Desarrollo:

2. Calibrar el multimetro virtual del NI ELVIS, para lo cual haremos lo siguiente;
a. Desconectar cualquier cosa que este sobre el protoboard del NI ELVIS.
b. Unir con un cable los puertos Voltage HI y Voltage LOW del DMM
ubicados en la parte inferior izquierda del protoboard del NI ELVIS.
c. Encender el NI ELVIS e inicializar el programa de National Intruments para
el NI ELVIS.
d. Seleccionar el modulo de Digital Multimeter.
e. Presionar el botn de NULL.
f. Retirar el cableado de los puertos Voltage HI y Voltage LOW.
g. Apagar el NI ELVIS.

3. Colocar la tarjeta de la prctica dentro de la caja y conectar al NI ELVIS como se
muestra en la figura.


Figura 4.4 Tarjeta dentro de la caja de la prctica.

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Figura 4.5.- Diagrama de conexin al NI ELVIS.

4. Una vez conectado correctamente, encender el NI ELVIS.

5. Inicializar el programa de National Intruments para el NI ELVIS y seleccionar el
modulo de DMM.

6. Medir el voltaje Vo con la tapa cerrada y en intervalos de 1 cm, para que junto con el
ancho de la tapa, se pueda calcular el valor del rea que permite la entrada de luz
proveniente de la fuente de luz.


7. Efectuar las mediciones necesarias y graficar los valores para hacer una grafica del rea
contra el voltaje. Se recomienda realizar las mediciones cada centmetro de
desplazamiento.

8. Determinar el tipo de comportamiento de la grfica y comentar a cerca de este.

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Figura 4.5.- Ejemplo de la prctica.

9. Nombrar algunas aplicaciones de las fotorresistencias e implementar mnimo una de
ellas.


Grfica 4.1.- Ejemplo de la grfica de la prctica.