SANTIAGO VARGAS RESTREPO ELECTRNICA DE POTENCIA

SEMICONDUCTORES
DIODOS DE POTENCIA
Este documento presenta las caractersticas de los diodos de potencia de estado
slido, y los parmetros que se deben considerar para su seleccin.

ndice
Funcionamiento
Encapsulado
Caractersticas
Estticas
Dinmicas
Trmicas
Mecnicas
Funcionamiento
Los diodos de potencia se aplican principalmente en los sistemas de conersin
de corriente alterna en corriente continua !conersores "C#DC o $ecti%icadores&, y
en el bloqueo de tensiones inersas. En ambas se aproec'a la caracterstica
unidireccional de circulacin de corriente, deriada de dos estados opuestos de
operacin. (n estado de conduccin que permite la circulacin de altas
corrientes con una peque)a cada de tensin y un estado de bloqueo, donde
soporta altas tensiones inersas con muy peque)as corrientes de %u*a. Estos
dos estados son impuestos e+ternamente por las tensiones que alimentan a la
car*a y#o por la car*a misma, como se er en el estudio de las aplicaciones.
La cura caracterstica de un diodo muestra la relacin tensin corriente en los
dos estados y a una temperatura dada. De ella se deduce el comportamiento de
diodo en sus circuitos de aplicacin. (na ecuacin que modela matemticamente
el comportamiento del diodo se muestra deba,o de la %i*ura -

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I = Is [ e ^(V/VT) 1] = Is [ e ^(qV/KT) 1]
Fi*ura -. Cura caracterstica y ecuacin de un diodo
Encasulado
Los diodos de potencia se caracteri.an por las *randes capacidades de olta,e y
corriente que soportan y que requieren un tipo especial de encapsulado.

El encapsulado de los diodos, permite/
1 "islar los semiconductores de la atms%era para eitar su deterioro qumico,
2 Conectar los dispositios a los circuitos.
3 E+traer el calor *enerado por las prdidas elctricas en el interior del mismo.
Los %abricantes utili.an di%erentes encapsulados para los diodos, dependiendo
de la corriente nominal, de las tcnicas de monta,e y del ensamble de los
circuitos.
Fi*ura 0. Tipos de encapsulado para diodos de potencia
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Ca!acte!"sticas
Los %abricantes de semiconductores proeen in%ormacin de las propiedades
in'erentes y medibles del dispositio o dan un con,unto de alores relacionados,
que *eneralmente representan en %orma *r%ica. Todas estas caractersticas las
utili.an los dise)adores y ensambladores para obtener el m+imo proec'o de
las capacidades de los dispositio y se clasi%ican en Caractersticas estticas,
Dinmicas y Mecnicas.
Ca!acte!"sticas est#ticas.
1 1armetros de conduccin ! polari.acin directa&
Los diodos en el estado de conduccin, no limitan la corriente del circuito. De ello
se encar*an los componentes pasios del mismo 2 $esistencia de car*a 3 1or lo
tanto, al diodo se le impone e+ternamente una corriente y el dise)ador deber
conocerla para ele*ir correctamente el diodo que la soporte
1ara que el diodo condu.ca la corriente nominal con polari.acin directa, se debe
superar un umbral de olta,e. Este parmetro denominado caida de voltaje
directo se abreia como $F% y en los diodos de potencia este alor est entre 4.5
y 0 oltios.
Los parmetros de corriente a considerar en el estado de conduccin, son los
si*uientes.
Co!!iente nominal & IF
A$
'. Es el alor medio de la m+ima intensidad de
impulsos senoidales de -647 que el diodo puede soportar con el encapsulado
mantenido a una temperatura dada. ! --47 C&. "l*unos %abricantes dan sta
ma*nitud en alor e%ica. &IF
RMS
' en lu*ar de alor medio.

Intensidad de ico !eetiti(o &IFRM&/ es aquella que puede ser soportada cada
04 mse*, con una duracin de pico a - mse*, a una determinada temperatura de
la cpsula !normalmente 08 7C&.
Intensidad di!ecta de ico no !eetiti(a &IFSM'/ es el m+imo pico de intensidad
aplicable, una e. cada -4 minutos, con una duracin de -4 mse*. 9u alor es
importante en el caso de corrientes de cone+in, por e,emplo debidas a la
maniobra de car*as capacitias.
Intensidad di!ecta &IF&/ es la corriente que circula por el diodo cuando se
encuentra en el estado de conduccin. !"plicable a circuitos de continua&
2 Pa!#met!os de bloqueo & ola!i)acin in(e!sa'
Cuando se aplica tensin inersa a un diodo %luye una corriente inersa a tras
del mismo !corriente de %u*a&. " medida que se a incrementando la tensin
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tambin lo 'ace lentamente la corriente de %u*a, 'asta que en un determinado
alor de tensin se produce un aumento muy brusco de la corriente que en los
diodos de potencia puede lle*ar a destruirlo. " esta tensin se le denomina tensin
de ruptura, de aalanc'a o de :ener.
Esta tensin inersa puede tomar los di%erentes alores que se e+plican a
continuacin/

Tensin in(e!sa de ico de t!aba*o &$R+M'/ es la que puede ser soportada por
el dispositio de %orma continuada, sin peli*ro de entrar en ruptura por aalanc'a.
Tensin in(e!sa de ico !eetiti(o &$RRM&/ es la que puede ser soportada en
picos de - mse*, repetidos cada -4 mse* de %orma continuada.
Tensin in(e!sa de ico no !eetiti(a &$RSM&/ es aquella que puede ser
soportada una sola e. durante -4 mse* cada -4 minutos o ms.

Tensin de !utu!a &$,R'- si se alcan.a, aunque sea una sola e., durante -4
mse* el diodo puede destruirse o de*radar las caractersticas del mismo.
Tensin in(e!sa continua &$R'- es la tensin continua que soporta el diodo en
estado de bloqueo.
Fi*ura ;. <alores lmites de olta,e en un diodo con polari.acin inersa
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Modelos est#ticos del diodo.
Los modelos de los dispositios en electrnica son representaciones que
describen de modo simpli%icado o comple,o el comportamiento elctrico de los
mismos. Los distintos modelos del diodo son/
Modelo ideal/ asi*na al diodo resistencia cero en el sentido directo e in%inito en
el sentido inerso !diodo ideal&.9e utili.a este modelo para simpli%icar el anlisis
de los circuitos.
Modelo ideal con /uente de tensin/ establece un diodo ideal en serie con una
%uente de tensin de alor i*ual a la tensin $F. !E&.
Modelo ideal con /uente de tensin 0 !esistencia/ %i,a un diodo ideal en serie
con una %uente de tensin de alor i*ual a la tensin $F. !E& y con una resistencia
i*ual a la del diodo en conduccin.
Estos modelos se suelen emplear para clculos simples, reserando modelos ms
comple,os para pro*ramas de simulacin como 191=CE y similares que iene en
las libreras del pro*rama.
Fi*ura >. Modelos estticos del diodo
Ca!acte!"sticas din#micas
Tiemo de !ecue!acin in(e!so.
El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se e%ect?a
instantneamente. 9i un diodo se encuentra conduciendo una corriente directa,
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la .ona central de la unin 12@ est saturada de portadores mayoritarios con
tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea dic'a corriente.
9i se aplica una tensin inersa al diodo, se %or.ar la anulacin de la
corriente con cierta elocidad di/dt, lo que 'ar que el diodo condu.ca en
sentido contrario durante un instante llamado el tiempo de recuperacin
inerso t
!!
, dando lu*ar a una peque)a corriente inersa de recuperacin I!.


Fi*ura 8. E%ectos del paso del estado de conduccin al de bloqueo en un
diodo de potencia.
La corriente y del tiempo de recuperacin tiene los si*uientes e%ectos/
9e limita la %recuencia de %uncionamiento, pues a altas %recuencias
disminuye abruptamente el rendimiento de la recti%icacin. Esta situacin
se presenta en las %uentes de alimentacin conmutadas que traba,an a alta
%recuencia y con ondas que no son propiamente senoidales.
E+iste una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin
inersa, que puede lle*ar a producir sobrecalentamiento y destruccin del
diodo.
La corriente y el tiempo de recuperacin inersa dependen de/
La corriente que conduca el diodo antes de la recuperacin
&IF1IT'
La di/dt en el diodo durante la inersin y
La tensin inersa aplicada.

El tiemo de !ecue!acin di!ecto &t/!'

Es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensin nodo2ctodo se
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'ace positia y el instante en que dic'a tensin se estabili.a en el alor <F.
Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inersa y no suele
producir prdidas de potencia apreciables.
Con base en estas caractersticas los %abricantes 'an dise)ado diodos/
De uso 2ene!al. &Recti/icado!es indust!iales'.
Tienen tiempos de recuperacin inersa del orden de -44 a 044 As. 9e utili.an
en procesos de recti%icacin de ba,a %recuencia !%recuencia de $ed 84#B4 C.&.
9on los diodos que se emplean en los sistemas de muy alta potencia.
De !ecue!acin !#ida 0 ult!a!!#ida. Con tiempos de 044ns para los primeros
y menos de -44ns para los ?ltimos. Los ba,os tiempos de recuperacin se lo*ran
sacri%icando la capacidad de corriente de los diodos. Estos diodos por supuesto
son ms costosos. <er/ tablas caractersticas
Sc3ott40.
9e %orma colocando una pelcula metlica en contacto
directo con un semiconductor tipo @ de ba,a densidad de
dopantes. El contacto tiene un e%ecto recti%icador con el
metal, siendo el nodo el metal y el semiconductor tipo @ el
ctodo. La conmutacin de estos diodos es muc'o ms rpida que la de los
diodos bipolares anali.ados anteriormente. La barrera de potencia es tpicamente
de 4.; oltios. La m+ima tensin que soportan es de -44 <oltios
Potencias
Potencia m#5ima disiable &Pm#5'. Es un alor de potencia que el dispositio
puede disipar.
Potencia media disiada &PA$'. Es la disipacin de potencia resultante cuando el
dispositio se encuentra en estado de conduccin, si se desprecia la potencia
disipada debida a la corriente de %u*as.
Deneralmente el %abricante incluye tablas en las 'o,as de caractersticas, que
indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida.
Etro dato que puede dar el %abricante son las curas que relacionan la potencia
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media con la intensidad media y el %actor de %orma !el %actor de %orma es la
intensidad e%ica. diidida entre la intensidad media&.
Potencia in(e!sa de ico !eetiti(o &PRRM'. Es la m+ima potencia que puede
disipar el dispositio en estado de bloqueo.
Potencia in(e!sa de ico no !eetiti(o &PRSM'. 9imilar a la anterior, pero dada
para un pulso ?nico.

Ca!acte!"sticas t6!micas.
Estas caractersticas aportan in%ormacin a los dise)adores, para el clculo de
los disipadores de calor.
Teme!atu!a de la unin &T*m#5'. Es el lmite superior de temperatura que
nunca debemos 'acer sobrepasar a la unin o ,untura del dispositio si queremos
eitar su inmediata destruccin.
En ocasiones, en lu*ar de la temperatura de la unin el %abricante da el mar*en de
temperatura de %uncionamiento !operatin* temperature ran*e&, que si*ni%ica que el
dispositio se 'a %abricado para %uncionar en un interalo de temperaturas
comprendidas entre dos alores.
Teme!atu!a de almacenamiento &Tst2'. Es la temperatura a la que se
encuentra el dispositio cuando no se le aplica nin*una potencia. El %abricante
suele dar un mar*en de alores para esta temperatura.
Resistencia t6!mica unin7contenedo! &Rt3*c'. Es la resistencia al %lu,o de calor
entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositio. En caso de no
dar este dato el %abricante, se puede calcular mediante la %rmula/
Rthjc = (Tjmx - Tc) / Pmx. Donde Tc es la temperatura del contenedor y Pmx
la potencia m+ima disipable. 9e da en 7C#F
Resistencia t6!mica contenedo!7disiado! &Rt3cd'. Es la resistencia e+istente
entre el contenedor del dispositio y el disipador !aleta re%ri*erante&. 9e supone
que la propa*acin se e%ect?a directamente sin pasar por otro medio !como mica
aislante, etc.&.

Ca!acte!"sticas mec#nicas.
Las mismas comprenden diersas instrucciones particulares de instalacin, entre
las que por e,emplo, se puede citar %uer.a de de monta,e de las tuercas de
%i,acin, el tipo de encapsulado, la %orma de cone+in, la posicin de monta,e, la
ibracin que soporta, entre otras.
P!oteccin cont!a sob!eintensidades.
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La causa principal de sobreintensidad en un circuito es, naturalmente, la presencia
de un cortocircuito en la car*a, debido a diersas causas. 9in embar*o, tambin
pueden aparecer picos de corriente en el caso de arranque de motores, cone+in
de condensadores, utili.acin en r*imen de soldadura, etc.
Las sobrecar*as elean considerablemente la temperatura en la unin, y si no se
eacua el calor *enerado, pasa de %orma casi instantnea al estado de
cortocircuito !aalanc'a trmica&.
1or ello los diodos presentan un lmite de la sobrecar*a que pueden soportar,
e+presado como un alor I
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t !"
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s& que pueden admitir, e+presado 'abitualmente
para una duracin de -4 mse*.
La proteccin contra la sobreintensidad se reali.a por medio de un %usible del tipo
GultrarrpidoG que se monta directamente en serie con cada elemento recti%icador
para proeer un seccionamiento selectio y *aranti.ar la continuidad del sericio
citada anteriormente.
Los %usibles act?an por la %usin del metal que lo compone y tienen sus
caractersticas indicadas en %uncin de la potencia que pueden mane,arH por esto
el %usible no slo se especi%ica por su alor e%ica. de corriente, sino tambin con
su I
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t y su tensin.
El parmetro I
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t de un %usible depende de la caracterstica de %usin del cartuc'o.
9e debe esco*er un %usible de alor =
0
t in%erior al del diodo, para que se destruya
el %usible y no el diodo. Es necesario que e+ista una coordinacin total entre la
caracterstica de corte del %usible y la caracterstica lmite del recti%icador,
considerando la dispersin de esta ?ltima.
Estos %usibles deben operar en tiempos muy in%eriores a los de los %usibles de uso
normal, de manera de la corriente de cortocircuito se interrumpa en su %ase inicial
para no sobrepasar la limitada car*a trmica que el semiconductor soporta.
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