Laboratorio III 2013

FACULTAD DE INGENIERIA MECNICA UNI
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CURVAS CARACTERISTICAS
VOLTAJE CORRIENTE

OBJETIVO

Manejar el armado de un circuito elctrico y as obtener los diferentes datos del presente
laboratorio.

Obtener la relacin entre voltaje y la corriente elctrica en materiales conductores
lineales y no lineales, obtener sus grficas y estudiar sus caractersticas.

Distinguir entre materiales hmicos y no hmicos, y aplicar la ley de Ohm para obtener
valores de corrientes, resistencias y voltajes.

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EQUIPOS Y MATERIALES

Una fuente de corriente continua (6V).

Un restato para utilizarlo como potencimetro.

Un Milmetro para utilizarlo como ampermetro de 0 - 1A.

Un voltmetro con escalas de 0 - 1 V.

3

Una caja con cinco elementos para obtener caractersticas y dos resistencias de
valores datos.

Cables de Conexin para el circuito.

Un Osciloscopio de dos canales de 25 Mhz, Elenco S-1325.

Un transformador 220/6V, 60Hz.

4

FUNDAMENTO TERICO

La resistencia elctrica de un conductor puede calcularse como el cociente entre la
diferencia de potencial V entre sus extremos y la intensidad de corriente I que circula
por el conductor.

En este informe medimos la resistencia de dos Elementos resistivos, uno de ellos
tungsteno y otro de carbn, para diferentes voltajes. En los materiales denominados
hmicos la resistencia es independiente de la diferencia de potencial aplicada V y de la
intensidad I .

La Ley de Ohm nos relaciona la intensidad de corriente con la diferencia de potencial
que se aplica y su resistencia. Ms concretamente nos dice que la intensidad es
proporcional a la diferencia de potencial e inversamente proporcional a la resistencia.

Si estamos considerando que la corriente elctrica est circulando por un cable, cosa
completamente lgica, y que ste tiene una longitud l y una seccin de rea A podemos
fcilmente determinar la resistencia del mismo mediante la ecuacin:

Donde es la resistividad elctrica, caracterstica propia de cada material. La inversa de
la resistividad elctrica se conoce como conductividad elctrica y se denota por la letra
.
Se puede deducir la Ley de Ohm a partir de una magnitud conocida como densidad de
corriente. Se denota por J y es proporcional al campo elctrico. Esta ecuacin se conoce
como Ley de Ohm en forma local, mientras que la anterior es la Ley de Ohm en forma
general.

La intensidad por tanto nos queda como la densidad de corriente multiplicada por la
superficie, de modo que podemos deducir fcilmente la Ley de Ohm general.

El carcter conductor de una sustancia viene determinado fundamentalmente por la
densidad de portadores de carga. Para poner de manifiesto esta relacin vamos a
proponer un modelo fsico muy sencillo:

Dada una corriente elctrica en la que los portadores tienen carga q, densidad
volumtrica n, y se mueven con velocidad promedio v (tambin llamada velocidad de
arrastre), la densidad de corriente elctrica es el vector (definido en cada punto de la
corriente)
v qn j

=

5

1) Si no hay movimiento de electrones en ninguna direccin privilegiada (slo
movimiento trmico), 0 0 = = j v

(figura 1, izquierda).

2) Si los portadores tienen carga negativa, como ocurre en la conduccin en conductores
metlicos, j
tiene la misma direccin pero sentido contrario a v
(figura 1, derecha).

3) El mdulo de la densidad de corriente se interpreta como la carga que por unidad de
tiempo atraviesa la unidad de rea perpendicular a la direccin del movimiento de los
portadores.

El efecto de un campo de fuerzas por unidad de carga E sobre una partcula seria
incrementar su velocidad indefinidamente, pero esto no es lo que se observa en la
prctica en el seno de un conductor, sino que los portadores adquieren en promedio una
velocidad constante en la direccin del campo aplicado. Este hecho experimental se
explica por la interaccin de las cargas libres con otras partculas presentes en el
material. Si entendemos esta interaccin como un rozamiento (lo cual es simplemente
un modelo fsico propuesto), podremos escribir:
v E q
dt
v d
m
i i

' =
Donde m
i
es la masa de la partcula y
i
es el coeficiente de rozamiento con el medio.

La solucin a este problema dinmico es bien conocida y en efecto da lugar a una
relajacin exponencial a una velocidad lmite
, i
v .
E
q
v
m
e v t v
i
i
i
i
i
i
t
i i
i
' = = =

t
t
, ,
; ; ) 1 ( ) (

El tiempo que tarda la partcula en adquirir una velocidad constante viene estimado por
el tiempo de relajacin
i
t , que suele ser muy pequeo en comparacin con las escalas
tpicas de fenmenos macroscpicos. Pero no entraremos en un anlisis microscpico
riguroso.

Recordando la definicin de densidad de corriente dada, tenemos:
Figura 1. Dependencia de la densidad
de corriente con la velocidad de las
cargas al interior de un conductor.
6

= = =
' = ' = =
S
i
S
i
S
i i
i i i
i
i
i i i i i f
E
m
n q
E
q
n q v n q j
1 1 1
2
,

Donde el subndice f especifica que estamos considerando corrientes de carga libre
(existen corrientes asociadas a las cargas ligadas que se estudiarn ms adelante). Esta
ecuacin puede escribirse finalmente
=
= ' =
S
i i
i i i
f
m
n q
con E j
1
2
t
o o

Que recibe el nombre de ley de Ohm. A la constante de proporcionalidad se la
denomina conductividad del medio. La frmula que la define es una expresin
aproximada, vlida slo en ciertas circunstancias. La unidad en el sistema internacional
es el siemens/metro (S/m), siendo el siemens (A/V) la unidad de conductancia.

La ley de Ohm debe entenderse como un resultado fenmeno lgico que explica el
comportamiento de muchos materiales en relacin con el transporte de carga al ser
sometidos a un campo. En otras palabras, no tiene un carcter universal como el de las
ecuaciones de Maxwell en el vaco. Una ley de este tipo se denomina relacin
constitutiva. A los materiales que verifican esta ley, y para los que por tanto se puede
definir una conductividad, se les denomina medios hmicos.

La conductividad es el parmetro que determina el carcter conductor o aislante de una
gran cantidad de sustancias. Se trata de una cantidad siempre positiva y proporcional a
la densidad de portadores. Tambin es usual el manejo de la resistividad, o inverso de la
conductividad, medido en el SI. En V m/A.

En la tabla que sigue puede verse su enorme rango de variacin de unas sustancias a
otras:

En un conductor, con electrones como portadores, por el que circula una corriente
elctrica con densidad de corriente j
bajo la accin de un campo elctrico E, se

cumple (figura 2):
E
m
ne
E j
e

2
2
t
o = = 3.3.
Resistividad de diversos
materiales.
7
Donde es la conductividad, n es la densidad volumtrica de portadores, e es la carga
del electrn, es el tiempo de relajacin (tiempo medio entre colisiones) y e m
e
es la
masa del electrn.
1) Si la conductividad
e
m
ne
2
2
t
o = es independiente de E
, el conductor es hmico
(relacin lineal entre j y E).

2) Si la conductividad:
e
m
ne
2
2
t
o=

Es dependiente de E, el conductor es no hmico (relacin no lineal entre j y E).

Es conveniente insistir en que la existencia de corriente en el medio no implica que haya
carga neta en l. Por ejemplo, en metales que aportan un electrn por tomo a la banda
de conduccin, los portadores de carga son dichos electrones, con carga e, densidad
n y velocidad v, pero existe una red de partculas con carga positiva en posiciones
fijas, con carga e densidad n +, de tal manera que
0 ) ( 0 = = = =
+
n n e pero v n e j
.

En general la conductividad depende de la posicin dentro de un material ( ) (r
o o= )
puesto que puede haber in homogeneidad en su composicin qumica, densidad y/o
temperatura, lo cual afecta a los parmetros microscpicos que intervienen en la
frmula para .

En el modelo microscpico analizado anteriormente hemos considerado un campo de
fuerzas por unidad de carga de manera general. Esto incluye como caso particular,
aunque bastante habitual, los campos puramente elctricos, pero no deben excluirse
campos de otra naturaleza. De hecho veremos que para que se establezca un circuito de
corriente es necesario que en algn punto del mismo existan fuerzas de origen no
electrosttico que bombeen los portadores. En cambio debemos omitir el efecto eventual
del campo magntico sobre la dinmica de los portadores. Esto se justifica en la
mayora de los casos (pero no siempre) porque la velocidad media de los portadores
suele ser pequea, y la fuerza magntica se desprecia frente a la elctrica ( E B v

<<
).

Curvas I vs. E para conductores hmicos
y no hmicos
8
En caso contrario la resolucin dada no sera correcta por haber un trmino ms
dependiente de la velocidad.

Como hemos visto, la resistencia elctrica es una cantidad fsica que mide la oposicin
que encuentran los electrones al desplazarse por la red cristalina de un slido. En la
figura 4 se ilustra este hecho, indicando los electrones cuando se desplazan en el interior
de un slido, y chocan contra los iones que constituyen la red cristalina de dicho
material.

Como sabemos, esta resistencia est determinada por diversos factores determinados
por el propio conductor, como su longitud, rea transversal y material del que est
hecho. Pero tambin es una caracterstica de dicha resistencia la temperatura del
conductor.
Es un hecho experimental, conocido desde hace mucho tiempo, que si R
o
es la
resistencia de un conductor a una temperatura t
o
, su resistencia R, a una temperatura
cualquiera t, est dada, con una buena aproximacin por:
) 1 ( t R R
o
A + = o
Donde
o
t t t = A y es un coeficiente cuyo valor depende del material del cual est
hecho el conductor.

Por medio de estudios cientficos, se ha logrado determinar que para los metales >00,
lo que significa que su resistencia aumenta con la temperatura. De manera que el
filamento de tungsteno de una lmpara elctrica comn, que tiene una resistencia de
aproximadamente O 20 cuando est apagada, presentar una resistencia de O 250
cuando se encuentre encendida (temperatura de casi 2500 C).
Placa conductora por la cual fluye una
corriente I, podemos apreciar la interaccin de
una partcula cargada con los campos.
Electrones que se desplazan en
el interior de un slido cristalino
y chocan con los iones de la red.
9

Otras sustancias, tales como el silicio, germanio, carbono, etc., presentan valores
negativos del coeficiente . Por tanto la resistencia elctrica de estas sustancias
disminuye cuando se calienta. En las lmparas de filamentos de carbono, que se
empleaban hace aos, se observa el efecto inverso al que se produce en las lmparas de
tungsteno: al calentarse, tales fuentes de luz presentaban una resistencia elctrica menor
que cuando estaban apagadas.

Adems es interesante observar, que los cientficos lograron obtener ciertas aleaciones
metlicas, como la llamada constante, para las cuales el valor de es prcticamente
nulo. Esto significa que la resistencia interna de estas sustancias permanece
aproximadamente constante, aun cuando sus temperaturas sufran variaciones. Por este
motivo, tales aleaciones se emplean en la fabricacin de resistencias de alta precisin
(patrones de resistencia).

DIODO

Otro de los aparatos que tambin se usaron en el experimento son los diodos o lmpara
de electrodos. Es el dispositivo semiconductor ms sencillo. Son dispositivos
unidireccionales, por tanto por ellos no puede circular la corriente en sentido contrario
al de conduccin. La principal aplicacin del diodo es la obtencin de una tensin
continua a partir de una fuente de corriente alterna lo cual ocurre porque deja circular
corriente a travs suyo cuando se conecta el polo positivo de la fuente al nodo, y el
negativo al ctodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexin opuesta de
forma que realiza as la conversin de corriente alterna en continua al permitir solo el
paso de la alternancia positiva. A este proceso

Se le llama "rectificacin". El diodo semiconductor est formado bsicamente por una
unin P-N, con un terminal conectado a cada uno de los contactos metlicos de sus
extremos y con una cpsula capaz de alojar al conjunto, de la que salen los terminales
correspondientes al nodo "P" positivo y al ctodo "N" negativo.

Diodo P-N Unin P-N
Los diodos P-N son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y n,
por lo que tambin reciben la denominacin de unin P-N. Hay que destacar que
ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal, el
nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos
cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).Al unir ambos cristales,
se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (J
e
).

10
Representacin lgica de un diodo.

Formacin de la zona de carga espacial
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de
agotamiento, de deflexin, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura profundizando
En los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones
positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que
actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de
desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar
detenindolos. Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de
tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V
0
) es de 0,7 V en el caso del
silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del
orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el
otro, la zona de carga espacial es mucho mayor. Al dispositivo as obtenido se le
denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a
una diferencia de potencial externa, se dice que no est polarizado. Al extremo p, se le
denomina nodo, representndose por la letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se
representa por la letra C (o K).
A (p)

C K (n)

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Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo
est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.
Polarizacin directa

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,
permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo
polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo
de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones
podemos observar que:
- El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que
estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
- El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto
es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
- Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los
cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
- Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona
de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose
en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo
positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del
cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica
constante.

Polarizacin directa de un diodo
12
Polarizacin inversa
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la
zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta
que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen
del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la
batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos
pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital
de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver
semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en
iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona
p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una
vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente
7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es
que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro
de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en
su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones
negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial elctrico que la batera.

A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una
denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica,
conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los
tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro
enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la
superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de
valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante,
al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas es
despreciable.
Polarizacin inversa
de un diodo.
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Curva caracterstica del diodo

Tensin umbral, de codo o de partida (V
).
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa
coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al
polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo,
incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo,
cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece,
de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de
la intensidad.
Corriente mxima (I
max
).
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el
efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo,
depende sobre todo del diseo del mismo.
- Corriente inversa de saturacin (I
s
).
Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la
formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se
duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.
- Corriente superficial de fugas.
Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin
inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al
aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.

Grafica I vs. V para un diodo.
14
- Tensin de ruptura (V
r
).
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de
saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo
normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro
tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:
Efecto avalancha: (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares
electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al
chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin.
Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con
ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de
electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de
la tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener: (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la
anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como
cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por
tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3 10
5
V/cm. En estas
condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia
incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los
Zener, se puede producir por ambos efectos.
Modelos matemticos
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford
Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las
aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial
es:

Donde:
- I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y V
D
la diferencia de
tensin entre sus extremos.
- I
S
es la corriente de saturacin
- q es la carga del electrn
- T es la temperatura absoluta de la unin
- k es la constante de Boltzmann
- n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo
y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el
silicio).
- El trmino V
T
= kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del orden
de 26 m V a temperatura ambiente (300 K 27 C).
15
Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los modelos ms
sencillos), en ocasiones se emplean modelos ms simples an, que modelizan las zonas
de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua
o de Ram-seal que se muestran en la figura 10. El ms simple de todos (4) es el diodo
ideal.

De frecuencia de lnea: El voltaje de conduccin para el que se fabrica es aquel tan
pequeo como sea posible con un trr muy alto, para aplicaciones a la frecuencia de 60
Hz. Con especificaciones de voltaje de bloqueo de varios kilovoltios y corriente de
varios kiloamperios. Se conectan en serie o en paralelo.

De recuperacin rpida: Utilizados en circuitos de alta frecuencia combinados con
transistores. Soporta niveles de potencia de algunos cientos de voltios y de amperios.
Scottky: Utilizados en aplicaciones donde es necesario un voltaje de polarizacin
directa y pequeo. El voltaje de bloque se limita a 50 - 100 V., de bajo valor de
conduccin y con un solo tipo de semiconductor. Sus prdidas en conduccin son
menores que en un diodo de juntura. El almacenamiento de carga es despreciable. Son
utilizados en conmutacin de alta velocidad.
Pin: Diodo con aplicaciones en circuitos de frecuencias muy altas como VHF, UHF y
MW (microondas). Se comporta como un interruptor cerrado al aplicarle polarizacin
directa y a la inversa si le aplicamos polarizacin inversa, o sea, como un interruptor
abierto.
Figura 10. Modelo simplificado para
corriente continua en un diodo

16
Diodos zener: Aprovechan, para su funcionamiento, una propiedad muy interesante
que presenta la unin semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de
un determinado nivel. Un diodo que recibe polarizacin inversa (positivo en el ctodo y
negativo en el nodo), no permite el paso de corriente o deja pasar una intensidad
debilsima. Al alcanzar una determinada tensin, denominada tensin ZENER se
produce un aumento de la cantidad de corriente, de forma que esta diferencia de
potencial entre sus extremos se mantiene prcticamente constante, aunque se intente
aumentar o disminuir variando la intensidad que lo atraviesa. Regulan o estabilizan el
voltaje en un circuito.
Diodos LED (Emisores de Luz): Diodo que cuando se le aplica tensin, polarizado
directamente, emite luz. Se fabrica con un compuesto formado por Galio, Arsnico y
Fsforo. Empleado en aparatos electrnicos como indicador luminoso, prcticamente
est presente en televisores, equipos de msica etc., el color depender del material en
que se ha fabricado. El ctodo se conoce por ser la patilla que tiene una zona plana.
Fotodiodo: Diodo que se vuelve conductor si est polarizado directamente al recibir
luz, se utiliza como censor de mandos a distancia emisores de rayos infrarrojos, sera lo
contrario aun LED.

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PROCEDIMIENTO

Primera parte: determinacin de las curvas usando voltmetros y ampermetro:

1. Identifique en la caja de cinco elementos, incgnita cuyas caractersticas nos
proponemos investigar: E1, E2, E3. observemos tambin que hay una resistencia
de 1 y una de 100. En esta parte se usaran solo E1, E2, E3.
2. Arme el circuito como se muestra en la figura 1 y regule la fuente para que
entregue 6V.
3. Gire el cursor del potencimetro a fin de que la tensin de salida sea nula.
4. Conecte los puntos a y b a lmpara (E1), segn muestra la figura 11, a fin de
averiguar el comportamiento de la resistencia de su filamento.

5. Vari el cursor del restato para medir la intensidad de corriente que circula que
por el filamento del foco cuando la diferencia de potencial es de 1 voltio.
Sugerencia: Emplear en el voltmetro una escala de 5 o 6 V.
6. Mida el valor de la corriente cuando la diferencia de potencial es 2, ,3 ,4 ,5 y 6V.
7. Repetir los pasos 4, 5 y 6 para la resistencia de carbn (E2).
8. Repita los pasos 4, 5 y 6 para el diodo (E3) pero teniendo cuidado de no pasar de
0.9A (SE QUEMA). Obtenga los datos de voltaje para corrientes de 0.0; 0.1;
0.2;...........0.9 A.

Nota.- si no pasa corriente y slo puede medir voltaje, invierta la polaridad.

Segunda parte observacin de las curvas caractersticas I vs. V usando el
osciloscopio.

9. Usando el transformador 220/6V. Ensamble el circuito de la figura 12. En este
caso R es la resistencia conocida de 1. Coloque el control 21 del osciloscopio
en CHA, para la dependencia respecto del tiempo del voltaje del tiempo del
voltaje a travs del filamento del foco. Coloque el control 21 en CHB para
observar la dependencia (respecto del tiempo) de la corriente a travs del
filamento del foco.

Esquema de instalacin
del circuito.
18

10. Use el osciloscopio en el modo XY, es decir, control 30 en la posicin
adentro, 24 en CHA y 21 en CHB. El control 16 debe estar en posicin
afuera, observara la dependencia I vs. V para el filamento del foco.
11. Monte el circuito de la figura 13 para estudiar la curva caractersticas I vs. V de
la resistencia de carbn. En este circuito R es el elemento E2.
O

12. Establezca el circuito de la figura 14 para estudiar la curva caracterstica
I vs. V de un diodo de unin (E3).
O

Conectamos el circuito al osciloscopio
para determinar las curvas I vs. T y V
vs. T, en la lmpara.
Conectamos el circuito al osciloscopio para
determinar las curvas I vs. T y V vs. T, en la
resistencia.

Conectamos el circuito al osciloscopio
para determinar las curvas I vs. T y V vs.
T, en el diodo.

19
CLCULOS Y RESULTADOS

1. Grafique I =f (V), para cada elemento, con los valores obtenidos en los pasos
4, 5, 6 y 7.

Elemento: Foco de 12 V y 10w.

Voltaje (V) Corriente (A)
2.0 0.17
2.5 0.19
3.0 0.21
3.5 0.23
4.0 0.25

Grfica:

Elemento: Resistencia de 2.0 .

0.5 0.39
1 0.73
1.5 1.09
2 1.45
2.5 1.81
V
I
20

Grfica: V = 1.389 I

Elemento: Diodo de 3A
mx
.

0.0 0.00
0.1 0.60
0.2 0.65
0.3 0.70
0.4 0.70
0.5 0.70
0.6 0.70
0.7 0.70
0.8 0.70
0.9 0.70

I
V
21
Grfica:

2. En cul de los elementos se cumple la ley de Ohm y en cuales no? Explique
su respuesta.

Segn las grficas obtenidas, se puede determinar que la Resistencia de Carbn
de 2.0 cumple con la ley de Ohm, pues esta elemento tiene una dependencia
lineal del voltaje sobre la intensidad:

, R: Constante.

El foco viene a ser una bombilla de filamento en el cual al aumentar la corriente,
aumenta su temperatura y tambin su resistencia y voltaje de forma exponencial,
puesto que los filamentos usados en su composicin son ms delgados y tienden
a ser un tipo incandescente, obedeciendo el Efecto Joule. As lo demuestra la
grafica que hemos obtenido en la primera pregunta.

Para el Diodo, segn la grfica encontrada este no obedece la Ley de Ohm, pues
no lleva una dependencia lineal el voltaje con la intensidad, y si queremos hallar
la resistencia, solo se la podr medir en tiempos instantneos, para ello se debe
tomar la pendiente de la recta tangente (derivada de la funcin).

I
V
22
3. Para una diferencia de 0.8 voltios, halle las resistencias de los tres elementos.

Segn el grafico y por ajuste de mnimos cuadrados, como hay una dependencia
lineal del voltaje con la intensidad la resistencia es la misma para cualquier valor
dentro del lmite de voltaje del elemento:
Puesto que estos elementos cumplen la ley de OHM, calcularemos las
resistencias como la pendiente de la recta obtenida por el ajuste de curvas:

Para el Elemento 2 (Resistencia de Carbn de 2.0 ): R = 1.389

Para el Diodo: 0.8 voltios esta en nuestro caso experimental dentro de su voltaje
critico y su Resistencia toma un valor Infinito.

4. En los casos en que la curva I vs. V obtenida en el osciloscopio sea una recta,
determine la pendiente de la recta, y por tanto la resistencia del elemento.
Compare con los valores obtenidos manualmente usando el voltmetro y
ampermetro.

En el experimento se realiz las siguientes mediciones de V vs. I para los
conductores:

Para la Resistencia: (Resistencia de carbn de 2.0 )

Segn el grafico: V = 1.6 I

Entonces la Resistencia segn el grafico es: 1.6
Resistencia segn su valor nominal:

I
23

Para el Diodo:
0.0 0.00
0.1 0.60
0.2 0.65
0.3 0.70
0.4 0.70
0.5 0.70
0.6 0.70
0.7 0.70
0.8 0.70
0.9 0.70

V
I
24
Entonces el valor de la Resistencia segn el grafico de 0.0 Voltios a 6.0 V, es
aproximadamente infinita, luego tiende estabilizarse (Comienza a conducir
corriente elctrica).

5. En el caso del diodo se puede decir que hay un voltaje crtico, a partir del cual
comienza a conducir. Cul es el valor?

Se pudo apreciar que para un voltaje de 0 a 0.6 Voltios, la corriente que circula por el
diodo es aproximadamente nula, siendo este su valor de voltaje critico, pasado este
valor vemos que la grafica toma una tendencia de valores de corriente que en este caso
ya se observa que empieza a conducir corriente elctrica.

Que para nuestro caso experimental ya da un voltaje estable de 0.7 Voltios.

25

OBSERVACIONES

Debemos tener presente que tanto los datos experimentales como tericos de alguna
manera tienen que diferir, pues existen factores que se encargan de introducir ciertos
errores los clculos obtenidos, para disminuir estos porcentajes de incertidumbre
debemos de tener en cuenta ciertas consideraciones:

- El elemento de un circuito que presenta una resistencia elctrica especfica se
denomina resistor. Para un mejor clculo deberamos considerar tambin este
resistor del material empleado en dicho circuito.

- La resistencia de un material, experimentalmente, no solo depende de la
temperatura, sino que tambin de su longitud y seccin transversal, segn la
siguiente ecuacin experimental:
A
L
R =

Donde R es la resistencia del material, L su longitud y A su rea transversal, y
su resistividad (constante). Entonces tambin considerar estos factores con que
se mide los diferentes valores de los datos.

- Una aplicacin de la dependencia de la resistencia de un conductor con su
longitud es en la elaboracin de restatos. Con este instrumento es posible variar
la resistencia de un circuito, y de esta manera, es posible aumentar o disminuir,
segn se desee, la intensidad de la corriente en dicho circuito.

- Es claro que la expresin RxI V
AB
= es vlida para cualquier material que
obedezca la ley de Ohm. Si el conductor es hmico, el valor de R en esta
expresin siempre ser el mismo.

- En tanto que en el caso de un conductor no hmico, el valor de R (resistencia)
variar segn el voltaje V
AB
aplicado, como en el caso del Diodo y el foco o
bombilla.

- Al instalar el circuito, se debe tener en cuenta que el valor de la corriente que
indicara el ampermetro no solo ser la que pasa por la resistencia, sino que ser
la suma de esta ms la que pasa por el voltmetro; ya que los medidores son
reales.

26

CONCLUSIONES

- Gracias al experimento hemos aprendido y demostrado que existen materiales
hmicos, es decir; materiales que se rigen segn la ley V =R x I .

- Hemos demostrado que existen materiales los cuales su resistencia est dada en
funcin de la temperatura la cual con el tiempo, al irse calentando; har que
mejore la conduccin de la intensidad de corriente, esto se debe al Efecto Joule.
(Caso del foco o bombilla).

- El diodo puede comportarse como una resistencia pero slo en un breve instante
de tiempo mientras est cargado ya que al descargarse, no deja pasar la corriente
en el otro sentido, pero llegado a una intensidad critica, el Diodo se quema, y en
muchos casos comienza a conducir, es por esto que debemos siempre tener
cuidado al manipular circuitos electrnicos, pues podemos malograr aparatos al
cual va conectado.

- El diodo no es una resistencia por lo que no es material hmico, sin embargo;
mientras se encuentra cargado, se comporta como una resistencia dependiente de
la temperatura.

- El foco es un material no hmico que al irradiar calor parte de la energa se
pierde por el Efecto Joule, y se da siempre que una corriente elctrica circula por
un conductor ya que se genera energa disipada en forma de calor. Para medir la
cantidad de energa que se disipa se utiliza una magnitud conocida como
potencia que no es ms que la energa disipada (U) por unidad de tiempo.

27

BIBLIOGRAFA

es.wikipedia.org/wiki/diodo.
www.ifent.org/lecciones/ptc/ptc.asp.
webdiee.cem.itenm.mx.
www.fisicarecreativa.com/informes/infor_em/resistencia1.pdf
es.answers.yahoo.com
fc.uni.edu.pe/lfgeneral/pdf/fiii-02-ley%20de%20ohm.pdf
es.wikipedia.org/wiki/Ley_de_Ohm
http://www.monografias.com/trabajos12/label/label.shtml
http://fisica.laguia2000.com/fisica-del-estado-solido/electronica/ley-de-ohm-y-
efecto-joule
http://www.monografias.com/trabajos11/coele/coele.shtml
Fsica Universitaria. Sers Zemansky Tomo II.
Fsica Universitaria. Robert Resnick Tomo II.
Fsica General. Mximo Alvarenga.

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