Caracterisation Des Transistors

Rf: P 15 AU: 2010-2011
Universit de Sousse

Ecole Nationale dIngnieurs de Sousse
Mmoire de Projet de Fin d'tudes
Prsent en vue de lobtention du diplme d
Ingnieur en Gnie lectronique Industrielle
Option: Conception des systmes lectroniques
Caractrisation et modlisation
lectriques de transistors MOSFET
Ralis par:
Slim MIDANI
Soutenu le 12/07/2011 devant le jury
Prsident : Mme Faten BEN ABDALLAH, ENISO
Membre du jury : M. Khaled KANICHE, ENISO
Encadrant : M. Matteo VALENZA, U.M.2
Encadrant locale : M. Abdelaziz HAMDI, ENISO
MIDANI2011

Rf: P 15 AU: 2010-2011
Universit de Sousse

Ecole Nationale dIngnieurs de Sousse
Mmoire de Projet de Fin d'tudes
Prsent en vue de lobtention du diplme d
Ingnieur en Gnie lectronique Industrielle
Option: Conception des systmes lectroniques
Caractrisation et modlisation
lectriques de transistors MOSFET
Ralis par:
Slim MIDANI
Soutenu le 12/07/2011 devant le jury
Prsident : Mme Faten BEN ABDALLAH, ENISO
Membre du jury : M. Khaled KANICHE, ENISO
Encadrant : M. Matteo VALENZA, U.M.2
Encadrant locale : M. Abdelaziz HAMDI, ENISO
MIDANI-Slim-2011

Lorsque tout semble aller contre vous, souvenez-vous que les avions
dcollent toujours face au vent...
Henry Ford

Cest dans leffort que lon trouve la satisfaction et non dans la
russite. Un plein effort est une pleine victoire !
Mohandas Karamchand
Ddicace

i

Ddicace
Remerciement
ii

Remerciement

terme de ce travail, je tiens exprimer mes sincres remerciements et ma profonde
gratitude tout le Groupe BRUMI pour mavoir accueilli et pour mavoir si facilement
intgr dans leur quipe.

Je remercie plus particulirement, mon tuteur Monsieur Matteo VALENZA pour sa
disponibilit, ses conseils, et son aide tout au long du projet.

Je remercie galement Mlle EL HUSSEINI Johanna, pour son aide et ses conseils
judicieux, tout au long de ce travail.

Je remercie galement Monsieur HAMDI Abdelaziz pour son aide et ses conseils, tout
au long du projet.

Ainsi que tous mes nouveaux amis dont jai fait la connaissance pour lambiance et les
bons moments et leurs aides pour faire un stage dans les bonnes conditions.

Je remercie Madame Faten BEN ABDALLAH pour avoir prsid le jury de mon projet
fin dtudes, ainsi que Monsieur Khaled KANICHE pour avoir accept dexaminer mon
rapport.
Rsum
iii

Rsum

Le prsent travail effectu au sein du laboratoire capteur et systme microlectronique
dans l'institut lectronique du sud (IES) en France, sinscrit dans le cadre du projet de fin
dtudes lEcole Nationale dingnieurs de Sousse pour lobtention du Diplme dingnieur
en lectronique industrielle. Le but du projet est dtudier une solution propose face au
problme de l'utilisation de silicium dans les transistors actuels qui menace le progrs de la
technologie ainsi que la loi de Moore, par la pense au germanium. Cela est traduit, dans un
premier lieu par ltude exprimentale de la caractrisation et la modlisation en bruit des
transistors MOSFETs SiGe sur SOI, un projet pour le laboratoire CEA Leti Grenoble. La
seconde partie tudie les vieillissements des transistors MOS de puissance qui concerne la
socit Schlumberger France. Durant ce projet, nous avons pris en main la mthodologie
dextraction des paramtres de conduction et le bruit 1/f et ses origines dans les transistors
MOS, ainsi que lextraction et lanalyse des informations partir des courbes des expriences.
Aussi, nous avons maitris lutilisation des appareils professionnels qui sont trs demands
dans le domaine industriel.
Mots cls : Caractrisation, SiGe/SOI, Bruit en 1/f, paramtres de conduction, les bans de
mesure

Abstract
v

Abstract

This work done in the laboratory sensor and microelectronic system in the Institute's
electronic South (IES) in France, is part of the graduation project at the National School of
Engineers of Sousse for graduation in industrial electronics engineering. The project's goal is
to study a proposed solution to the problem of the use of silicon in current transistors which
threatens the progress of technology and Moore's Law, by the thought in germanium. This is
reflected in the first place by the experimental study of the characterization and modeling of
noise in SiGe transistors on SOI MOSFETs, a project for society CEA Leti Grenoble. The
second part examines the aging of MOS power transistors for Schlumberger France. During
this project we took over the methodology for extracting parameters of conduction and 1 / f
noise and its origins in the MOS transistors, and the mastering of extracting and analysis the
information from the curves of the experiments. Also we have mastered the use of
professional equipments which are currently in high demand in the industrial field.

Keywords: Characterization, SiG /SOI, noise 1/f, conduction parameters, the measure bans.

Sommaire
v

Sommaire
Introduction Gnrale ............................................................................................... 5
CHAPITRE I :
I.1. Le transistor MOSFET ......................................................................................3
I.2. Le principe de fonctionnement ..........................................................................3
I.2.1. Les diffrents rgimes de fonctionnement .......................................................................................................... 5
I.2.1.1. Conduction sous le seuil ........................................................................................................... 5
I.2.1.2. Conduction en forte inversion ................................................................................................... 6
I.3. Les limites du Silicium et lutilisation du Germanium .......................................7
I.3.1. Les technologies Semi-conducteur sur Isolant (SOI) ............................................................................................. 8
I.3.2. Le transistors Multi grille .................................................................................................................................. 10
II.1. Dfinition dun bruit lectrique .................................................................... 13
II.2. La densit spectrale de puissance du bruit .................................................... 14
II.3. Le bruit basse frquence .................................................................................... 14
II.3.1. Le bruit thermique : ........................................................................................................................................ 14
II.3.2. Le bruit de grenaille (shot noise) : ................................................................................................................... 15
II.3.3. Bruit de gnration recombinaison : ................................................................................................................ 15
II.3.4. Bruit en 1/f ...................................................................................................................................................... 16
II.3.4.1. La fluctuation de la mobilit (modle ) : .............................................................................. 18
II.3.4.2. La fluctuation de nombre de porteurs (modle n ) ................................................................. 19
II.3.4.3. Modle combinant les deux modles prcdents N- : ....................................................... 20
II.4. Influence des rsistances d'accs .................................................................. 23
III.1. Appareillage utilis ...................................................................................... 25
III.1.1. Dispositif exprimental de mesure : .......................................................................................................... 25
III.1.2. Dispositif exprimental de la caractrisation du bruit : .............................................................................. 26
III.1.3. Caractristiques et bruits propres de lamplificateur faible bruit : .............................................................. 28
II.1.4. Dispositif exprimental de mesure bruit : ......................................................................................................... 30
III.2. Mthodologie d'extraction des paramtres de conduction et du schma
quivalent 31
III.1.1. Extraction de la tension de seuil G
m
et V
T
: ................................................................................................. 32
III.1.2. Extraction de * et Racc ............................................................................................................................ 32
III.3. Extraction de 0 ........................................................................................... 33
III.4 Description des composants tudis : ........................................................... 33
III.4 .1 Les dispositifs sur wafer : ................................................................................................................................ 33
III.4.2. Transistor de puissance Cool MOS ................................................................................................................ 36
III.4.3. Symbole quivalent dun MOSFET de puissance ....................................................................... 37
III.4.3. La structure du transistor MOS : ................................................................................................. 37
Sommaire
vi

Conclusion ................................................................................................................................................................. 38
IV.1 Partie 1 les NMOS : ....................................................................................... 40
IV.1.1 Rsultats de la caractrisation statique : ........................................................................................................... 40
IV.1.1 Caractristique face avant : ............................................................................................................. 40
IV.1.1.2. Caractrisation face arrire .................................................................................................... 47
Conclusion de la caractrisation statique ..................................................................................................... 51
IV.1.2. Caractrisation en bruit : ................................................................................................................................. 51
IV.1.2.1.Caractrisation de linterface avant : .............................................................................................. 51
I.2.2.Caractrisation de linterface arrire :.................................................................................................. 56
Conclusion de la caractrisation en bruit : ................................................................................................... 61
IV.2 Partie 2 les rsultats des PMOS : .................................................................... 61
IV.2.1 Rsultats de la caractrisation statique : ........................................................................................................... 61
IV.2.1.1 caractristique face avant : ............................................................................................................ 61
IV.2.1.2 Caractrisation face arrire : .......................................................................................................... 66
Conclusion de la caractrisation statique : ................................................................................................... 70
IV.2.2 Caractrisation en bruit :.................................................................................................................................. 71
I.2.1caractrisation de linterface avant : ..................................................................................................... 71
IV.2.1caractrisation de linterface arrire :................................................................................................. 74
Conclusion de la caractrisation en bruit : .................................................................................................. 78
IV.3.Partie 3 : ............................................................................................................ 79
IV.3.1.Introduction : ................................................................................................................................................... 79
IV.3.2.avant veillissement :......................................................................................................................................... 79
IV.3.2.1.tude statique : ............................................................................................................................. 79
IV.3.3. Caractrisation en bruit: .................................................................................................................. 81
IV.3.2.aprs vieillissements : ...................................................................................................................................... 83
Conclusion gnrales ................................................................................................ 41
Bibliographie ............................................................................................................ 42
Liste des figures
ix

Liste des figures

Figure I. 1: Schma simplifi dun transistor MOS canal n ...4
Figure I.2 : reprsentation schmatique dun transistor MOSFET sur SOI ..9
Figure I.3 : les deux catgories de transistors SOI.9
Figure I.4 : Diffrentes architectures multi-grille 3. 11
Figure II.1.Reprsentation des piges dans loxyde de grille...15
Figure II.2.Densit spectrale de courant de type Lorentzien16
Figure II.3 : exemple du bruit 1/f dans le domaine temporel et dans le domaine
frquentiel 17
FigureII.4 : Bruit 1/f rsultant de la somme de spectres Lorentzien 17
Figure II.5 : Schma lectrique dun transistor MOS avec ses rsistances sries de source et
drain..23
Figure III.1: Photographie de la station Signatone (banc de mesure).. 26
Figure III.2 : source continue de test semi-conducteur HP 4156C...27
Figure III.3 : Lanalyseur de spectre numrique HP 49410 A..28
Figure III.4 : Photographie du banc de mesure en bruit29
Figure III.5 : Lamplificateur EG&G Brookdeal 5182.29
Figure III.6 : schma du montage de mesure dun amplificateur transimpdance...30
Figure III.7 : Bruit propre de lamplificateur....30
Figure III.8 : schma du montage de mesure avec un amplificateur transimpdance..31
Figure III. 9 : Schma quivalent en bruit du dispositif exprimental avec un Amplificateur
trans-impdance31
Figure III.10: Mthodologie dextraction des paramtres de conduction (Vt et Gm)..33
Figure III.11 : Mthodologie dextraction des paramtres de conduction ( et Racc).34
Figure III.12 : Mthodologie dextraction des paramtres de conduction (0 et L)..34
Figure III.13 : structure des transistors SiGe SOI.35
Figure III.14 : transistor cool MOS et ses paramtres lectriques37
Figure III.15 : Schma de la nomination du transistor Cool MOS...37
Figure III.16 : La structure quivalente dun MOSFET de puissance .........38
Figure III.17 : Schmas simplifies des transistors MOS.....39
Figure IV.1 : structure des transistors SiGe SOI...40
Liste des figures
ix

Figure IV.2:Caractristiques I
D
=f(V
G1
) V
DS
=50mV pour V
G2
=0 pour diffrentes
gomtries.41
Figure IV.3: Evolution de la transconductance en fonction de la tension de grille V
G1
pour
diffrentes gomtries pour les quatre plaques.....42
Figure IV.4 : Evolution de la tension de seuil en fonction de la longueur de la grille et en
fonction de la concentration du germanium......43
Figure IV.5 : dtermination de la dgradation de la mobilit des plaques SiGe 40% et 30% .44
Figure IV.6: dtermination de la dgradation de la mobilit et des rsistances sries de la
plaque SiGe 20% .44
Figure IV.7 : dtermination de la dgradation de la mobilit et des rsistances sries de la
plaque SiGe 40%......................................................................................................................45
Figure IV.8 : Dtermination de la dgradation de la mobilit et des rsistances sries de la
plaque rfrence45
Figure IV.9: Evolution de 1/Gm en fonction de la longueur de grille pour les deux plaques
SiGe 20 et 40%....................................................................................................................... ..46
Figure IV.10: Evolution de 1/Gm en fonction de la longueur de grille pour toutes les
plaques..............................................................................................................46
Figure IV.11 : Rseau de caractristiques I
D
=f(V
G2
) pour diffrentes gomtries pour les
plaques (SiGe
20%
) , (SiGe
40%
),(SiGe
40%
/sSOI) et la plaque rfrence.48
Figure IV.12 : Dtermination face arrire de la dgradation de la mobilit et des rsistances
sries des diffrentes plaques....49
Figure IV.13: Evolution de 1/Gm en fonction de la longueur de grille pour les quatre
plaques......50
Figure IV.14: Spectres de bruit linterface avant mesurs pour diffrentes
polarisations......52
Figure IV.15: Comparaison Sid/id en fonction de Id..53
Figure IV.16 : Evolution des niveaux de bruit en 1/f relevs 1 Hz en fonction de Id,
comparaison avec la quantit id pour la gomtrie W=10m et L=1m.54
Figure IV.17 : Evolution des niveaux de bruit 1/f f=1Hz pour les diffrentes plaque (15%-
20%-30%-40%).....55
Figure IV.18 : Comparaison Sid/id en fonction de Id..55
Figure IV.17 : Spectres de bruit arrire avant mesurs pour diffrentes polarisation....56
Figure IV.19 : Lvolution des niveaux de bruit en 1/f relevs f=1Hz en fonction de I
D
,
comparaison avec la quantit g
m
Sv
FB
pour la gomtrie w=10m

et L=1m57-58
Liste des figures
ix

Figure IV.20: Evolution de Sid/Id en fonction de Id pour les quatre plaques.....59
Figure IV.21 : Comparaison de Sid/Id en fonction de Id pour les quatre plaques...60
Figure IV.22: Caractristiques I
D
=f(V
G1
) V
DS
=50mV pour V
G2
=0 V pour diffrentes
gomtries ....62
Figure IV.23 : Evolution de la tension de seuil en fonction de la longueur de la grille et en
fonction de la concentration du germanium.....63
Figure IV.24 : dtermination de la dgradation de la mobilit et les rsistances sries des deux
plaques SiGe20% et SiGe40% .....63
Figure IV.25 : dtermination de la dgradation de la mobilit et les rsistances sries les deux
plaques SiGe40%/sSOI et plaque de rfrence...64
Figure IV.26: Evolution de 1/Gm en fonction de la longueur de grille pour toutes les
plaques......65
Figure IV.27: Evolution de 1/Gm en fonction de la longueur de grille pour les plaques 20% et
40%..........................................................................................................................................65
D
=f(V
G2
) pour diffrentes gomtrie pour les
plaques (SiGe
20%
) , (SiGe
40%
),(SiGe
40%
/sSOI) et la plaque rfrence.67
FigureIV.29 : dtermination de la dgradation de la mobilit et des rsistances sries de la
plaque SiGe 40% ....68
Figure IV.30 : Dtermination de la mobilit face arrire des transistors PMOS des quatre
plaques tudis.....69
D
=f(V
G1
) V
DS
=50mV pour V
G2
=0 V pour diffrentes
gomtries ....................................................................................................................71
Figure IV.32: Lvolution des niveaux de bruit en 1/f relevs f=1Hz en fonction de I
D
,
m
Sv
FB
,
L=1m72
Figure IV.33 : Lvolution la densit spectrale de courant de bruit norme au carr du courant
pour les quatre plaques..73
Figure IV.34 : Exemples des spectres de bruit arrire avant mesurs pour diffrentes
polarisations......74
D
,
m
Sv
FB

et L=1m75
Figure IV.36 : Caractristique I
D
-V
GS
du Cool MOS......79
Figure IV.37 :Caractristique G
M
-V
GS
du Cool MOS..79
D
-V
DS
du Cool MOS...80
Figure IV.39: spectre de bruit mesur V
GS
=2.88 V( gauche) et V
GS
=2.95 V( droite)....81
Liste des figures
ix

Figure IV.40 :spectre de bruit mesur V
GS
=3 V.82
Figure IV.41: caractristiques de transferts avant et aprs vieillissement pour Vd=50mV..83
Figure IV.42 : caractristiques de sortie aprs le premier et le deuxime chauffage83
Figure IV.43 : comparaison des caractristiques de sortie aprs chauffage.....84
Figure IV.44 :lvolution de SI
D
1Hz/Id, en fonction de I
D
avant et aprs les chauffage85

Liste des tableaux
x

Liste des tableaux

Tableau I.1 : Comparaison des proprits lectriques de Silicium et le germanium..8
Tableau III.1 : Caractristique de lamplificateur trans-impdance.........................................31
Tableau (III.2) : valeurs calcul des paramtres lectrique des transistors..............................38
Tableau IV.1 : Resistances Racc et la dgradation de la Mobilits extraites pour les quatre
plaques..46
Tableau IV.2 : Mobilits extraites pour les quatre plaques......................................................47
Tableau IV.3 : dgradation de la Mobilits extraites pour les quatre plaques..........................49
Tableau IV.4: Mobilits extraites pour les quatre plaques.......................................................50
Tableau IV.5 : les valeurs du paramtre de diffusion coulombienne et les Svfb pour les diffrentes
plaques ( face avant)..54
Tableau IV.6 : les valeurs du paramtre de diffusion coulombienne pour les diffrentes plaques
(face arrire)..58
Tableau IV.7: Densit de piges pour les diffrentes plaques..................................................60
Tableau IV.8 : dgradation de la Mobilits extraites pour les quatre plaques..........................64
Tableau IV.9 : Mobilits extraites pour les quatre plaques......................................................66
Tableau IV.10 : Dtermination de la dgradation de la mobilit et les rsistances sries des
dispositifs..68
Tableau IV.11 : Mobilits extraites pour les quatre plaques (face arrire)...............................70
plaques ( face avant)....72
(face arrire)...76
Tableau IV.14: calcul des densits de piges dans loxyde exprimes en cm-3ev-1................77
Tableau IV.15 : Paramtre des tensions et des courants du Cool MOS...................................82
Introduction gnrale
1

Introduction Gnrale

La technologie CMOS est situe au cur de llectronique actuelle. Les circuits
intgrs bass sur cette technologie consomment peu et sont relativement simples concevoir.
Ils sont largement utiliss dans les microprocesseurs, dans les mmoires vives, les
microprocesseurs spcialiss dans le traitement du signal. Compte tenu du dveloppement des
ordinateurs, de la tlphonie mobile, et des applications multimdia, la recherche dans ce
domaine est oblige davancer et se dvelopper, et le march ne cesse de demander du
progrs. Ce march de consommation qui demande des moyens de calcul de plus en plus
rapides, a entran un phnomne continu de miniaturisation des composants qui suivent la loi
de Moore depuis 40 ans. Cette miniaturisation a t possible pendant longtemps grce aux
progrs technologiques dintgration lis directement la matrise des matriaux et des
procds de fabrication. Cependant, de nouvelles formes de contraintes apparaissent et sont
directement lis aux limitations physiques nanomtriques (effet tunnel, dgradations dues aux
porteurs chauds, bruit BF, effets de canaux courts).
Pour pouvoir poursuivre la miniaturisation dans les prochaines annes et remplir les
critres de lITRS lInternational Technology Roadmap for Semiconductors , la mobilit
des porteurs dans les transistors devra tre gale deux fois celle du silicium. Il est donc
ncessaire dexplorer le potentiel dautres matriaux. Les meilleures proprits de transport
du germanium en font un matriau prometteur pour les applications lchelle nanomtrique.
De plus, lapparition darchitectures innovantes telles que le SOI (Semiconducteur sur Isolant)
offre de multiples avantages par rapport aux technologies bulk.
Lutilisation de ces transistors dans diverses applications ncessite une matrise de leur
comportement en conduction et en bruit de fond. Ainsi, nous disposons des transistors de tests
sur wafers pour les tudes menes. Les mesures de bruit sont un bon indicateur de la maturit
technologique et de la qualit des composants. Le type du bruit rencontr prsente du 1/f, de
la gnration recombinaison, du bruit thermique et du RTS. Le travail de ce stage sest orient
vers ltude dune part sur limpacte de pourcentage de germanium sur les performances des
transistors ainsi que ltude du bruit 1/f des transistors SiGe sur SOI.
Cest dans cette optique que CEA-LETI Grenoble concentre une partie de ses
recherches sur la technologie Germanium-On-Insulator (GOI). Ces efforts se portent, entre
autres, sur le dveloppement des substrats GOI, llaboration de lempilement de grille la
Introduction gnrale
2

caractrisation et la simulation de transistors GOI. Le LETI et lquipe BRUMI au sein du
laboratoire IES ( Institut dElectronique du Sud) ont tabli un partenariat dans le but
dtendre leffort de caractrisation de ces nouveaux composants.
Dautre part le travail de ce projet fin dtude est orient vers ltude de vieillissement
des transistors MOS de puissance. La famille rvolutionnaire Cool MOS puissance tablit
de nouveaux standards dans le domaine de l'efficacit nergtique. En tant que leader dans la
technologie MOSFET haute tension, Cool MOS offre une rduction significative de la
conduction et les pertes de commutation et permet une densit de puissance leve et une
efficacit suprieure pour les systmes de conversion de puissance. Les transistors effet de
champ base de silicium reprsentent aujourdhui prs de 80% du march des composants
semi-conducteurs, les composants lectroniques comme les transistors MOS de puissance sont
sensibles lenvironnement dans lequel ils voluent et de nombreux facteurs peuvent tre
lorigine de leur dysfonctionnement. Cest dans ce contexte que la socit Schlumberger
France sinvestit dans la recherche de vieillissement et en collaboration avec lquipe
BRUMI, notre travail consiste faire ltude de caractristique lectrique ainsi que ltude de
bruit avant et aprs le vieillissement.
Ce travail sinscrit dans le cadre dun projet de fin dtudes dingnierie lectronique
industrielle, il a t ralis au sein de lquipe de recherche BRUMI bruit en
microlectronique situ au campus IES Institut dElectronique du Sud dans les locaux de
lUniversit Montpellier2 Sciences et Techniques de Montpellier.
Le but du stage est deffectuer des mesures, de caractriser en conduction et en bruit
de fond des transistors de diffrentes pourcentage de germanium et de diffrente technologie
de conception avec des largeurs de grilles diffrentes situs sur des wafers fournis par CEA
LETI Grenoble, ainsi que ltude de vieillissement des transistor Cool MOS pour la socit
Schlumberger France.

Chapitre I :
Transistor MOSFET

Transistor MOSFET
3

Introduction
Le transistor est un composant fondamental en lectronique. En effet, il existe
plusieurs classes de transistors tels que les transistors bipolaires et les transistors effet de
champ. Dans ce chapitre on sintresse au transistor effet de champ du type MOSFET en
tudiant son principe de fonctionnement, sa structure et nous mettons en uvre les diffrentes
quations de fonctionnement en forte et en faible inversion. Dautre part, une partie du
chapitre est consacr pour tudier les limites de la technologie de fabrication en silicium ainsi
que le principe de SOI appliqu au Ge.
I.1. Le transistor MOSFET

Le MOSFET a t conu de faon thorique en 1920 par Julius Edgar Lilienfeld. Il
lintroduit comme tant un composant qui sert contrler le courant. Cependant, les
techniques de fabrication du MOSFET ntaient pas disponible jusqu 1950, et grce
lavnement des circuits intgrs on a pu raliser ce transistor. Ainsi, M.M Atalla et Dawon
Khang des laboratoires Bell construisirent le premier MOSFET en 1960 qui fera son
apparition dans les circuits intgrs en 1963. Peu aprs, l'laboration de la technologie CMOS
assura le futur commercial et technologique du MOSFET en lectronique intgre.[]
I.2. Le principe de fonctionnement

Le transistor MOS peut tre dcrit comme une rsistance commande en tension. Le
MOSFET se prsente sous la forme dun quadriple comme il est prsent dans la figure I.1.
Une tension applique au niveau de la grille contrle le flux de courant entre la source et le
drain, le substrat est gnralement mis la masse. Les rgions de la source et du drain sont
fortement dopes et de types opposs par rapport au substrat. Pour un MOSFET de type n, les
jonctions source-drain sont dopes de type n et le substrat de type p. Llectrode de grille est
gnralement en poly silicium ou bien en dautres mtaux tel TIN, et spare du substrat
silicium (Si) par une fine couche disolant appele oxyde de grille. Du SiO
2
est typiquement
utilis comme dilectrique de grille, mais dautres matriaux forte constante de permittivit
(High K) sont ltude pour remplacer probablement le SiO
2
dans le futur, le plus connu
tant le HfO
2
.
Transistor MOSFET
4

Idalement, le transistor MOS fonctionne comme un interrupteur. Effectivement, son
fonctionnement se base sur la modulation du transport dune densit de charges dans un film
semi-conducteur, appel canal de conduction, par le biais dun champ lectrique transversal.
La cration des porteurs de charges (lectrons pour NMOS et trous pour PMOS) par effet de
champ est commande par la tension applique sur llectrode de la grille travers une
couche isolante. Le transport dans le canal dpend aussi de la diffrence de potentiel entre le
drain et la source donne le courant de drain (Id).
Le transistor assure donc la transition dun tat bloqu (V
G
=0) pour lequel le courant
de drain est quivalent au courant de fuite I
off
, un tat passant permettant le passage au
courant I
on,
ce passage devient effectif lorsque le nombre de porteurs dans le canal devient
suffisant, c'est--dire quand la tension de polarisation de la grille devient suprieure la
tension de seuil V
T
.
Le fonctionnement du transistor MOS (Mtal-oxyde-semi-conducteur) repose sur
l'effet de champ, qui consiste moduler de faon lectrostatique une densit de charges
mobiles dans un semi-conducteur.
Cette modulation est provoque par un champ lectrique perpendiculaire la direction
de mouvement de ces charges, et agissant entre deux lectrodes spares par un dilectrique,
comme dans une capacit plane.
L'une des lectrodes (la grille) commande l'intensit du champ lectrique, et par
consquent la densit de charges lectriques mobiles.
L'autre (le canal) possde deux contacts (dits de source et de drain) ses extrmits,
entre lesquels est applique une diffrence de potentiel.
Le canal conduit plus ou moins de courant en fonction du niveau de remplissage en
charges mobiles. De ce fait le transistor MOS peut aussi tre considr comme une rsistance
modulable lectro statiquement et reliant deux contacts (source et drain).

Figure I. 1: Schma simplifi dun transistor MOS canal n

Source S Grille G
Drain D
Dielectrique
Substrat
L
n
+
n
+

p type Substrat
Transistor MOSFET
5

I.2.1. Les diffrents rgimes de fonctionnement
Leffet de champ consiste modifier la concentration des porteurs au voisinage de
linterface oxyde/Semi-conducteur par lapplication dun potentiel lectrique sur la grille qui
modifie les courbures de la bande dnergie du Semi-conducteur. Afin dvaluer cette
dernire, on dfinit le potentiel de surface
s
qui permet de distinguer les diffrents rgimes
du transistor.
En labsence du potentiel de surface (
s=0
), la courbure des bandes est nulles, on parle
donc dune conduction de bandes plates. Dans ce cas, la tension de grille V
GS
est gale
V
FB
appele tension de bande plate.
Lorsque la polarisation de grille est telle que V
GS
< V
FB
, la concentration des porteurs
majoritaires augmente en surface, cest le rgime daccumulation,
s
est ngatif.
Quand V
GS
> V
FB
et 0 <
s
<
F
o
F
est le potentiel de Fermi du substrat, une zone
dserte en porteurs proche de linterface apparait, cest le rgime de dpltion.
I.2.1.1. Conduction sous le seuil

Si V
GS
< V
T
, le systme est en rgime faible inversion car
s
< 2
F
. Lquation du
courant de drain scrit sous la forme suivante :

(I.1)
Avec
reprsente la valeur du courant de drain extrapole V

GS
= V
T
et pour
V
DS
<<kt/q.
En coordonnes semi logarithmiques, la caractristique I
D
(V
GS
) V
DS
=cste, fait
apparaitre une rgion linaire de pente
, dont linverse reprsente la variation de

la polarisation de grille pour faire varier le courant drain dune dcade. Le paramtre S
(Subthreshold swing), est considr comme paramtre de qualit pour la technologie, sa
valeur normale est de 60mV/dcade.

Tension de seuil
La tension de seuil est une notion trs importante dans un transistor MOS, elle
correspond la tension quil faut appliquer la grille pour inverser la charge linterface
Transistor MOSFET
6

oxyde-semi-conducteur. Cest la limite entre le rgime faible inversion (o le transistor ne
conduit pas) et la forte inversion o le transistor est ltat passant.
La tension de seuil scrit:
(I.2)
O
est le potentiel de Fermi du semiconducteur et
sappelle le coefficient
deffet substrat avec Cox est la capacit doxyde,
Si
est la permittivit dilectrique du semi-
conducteur.
I.2.1.2. Conduction en forte inversion
i. Rgime linaire
En rgime de forte inversion, V
D
tant trs faible (rgime ohmique ou linaire) s est
pratiquement constant tout le long du canal et demeure suprieure 2
F
(V
GS
> V
T
). La
charge dinversion est distribue de manire uniforme entre la source et le drain. Dans ce cas,
en prenant la conductance du canal de la forme :

(I.3)
En lintgrant le long du canal, on obtient la formule finale qui reprsente lquation
du transistor en fonctionnement statique :
(I.4)
La dgradation de la mobilit avec le champ transverse doit tre ici prise en compte.
La dpendance de la mobilit effective
eff
(E
eff
) passe par la thorie du transport des porteurs
dans le canal, o les diffrents mcanismes de collisions sont considrs. Lattnuation de la
mobilit scrit :
(I.5)
0
est la mobilit champ lectrique faible et tant sa dgradation.
Donc on peut crire Id sous la forme suivante :
(I.6)
Transistor MOSFET
7

Avec : W
eff
=W W et L
eff
=L L
O
*
= +
0
C
ox
R
acc
Weff/Leff [Nguyen-Duc86]
On remarque daprs la dernire quation du transistor I
D
=f(V
G
), il y a une linarit
entre les deux paramtres, do lappellation rgime linaire.
Le calcul de la transconductance gm est dfini par :
en rgime linaire donne :

(I.7)
ii. Rgime non linaire

Dans ce rgime la polarisation de drain V
DS
est importante, et la charge dinversion
nest plus uniforme le long du canal. Pour certaines valeurs de V
DS
, un effet dit de pincement
apparat prs du drain, et provoque ainsi une saturation du courant de drain soit V
Dsat
la
tension de drain pour laquelle elle apparat. Elle est peut tre calcule pour DI
D
/dV
DS
=0.
(I.8)
Le courant correspondant sexprime en premire approximation par :

(I.9)
La transconductance correspondante scrit :

(I.10)
I.3. Les limites du Silicium et lutilisation du Germanium

Dans la course la miniaturisation, le transistor MOS conventionnel se heurte des
limites physiques fondamentales. Les fondeurs doivent respecter des lois dchelle afin de
conserver les mmes champs lectriques internes et assurer le bon fonctionnement du
composant. Ce modle nest pas systmatiquement respect et donne naissance des effets
nuisibles comme leffet tunnel, la dgradation de la mobilit et dautres.

Transistor MOSFET
8

Pour pouvoir suivre la loi empirique de Moore pendant les prochaines annes, la
mobilit des porteurs dans les transistors devra tre 2 fois plus leve que dans le silicium. Le
germanium prsente cet avantage : les porteurs libres dans le germanium possdent une masse
effective infrieure celle du silicium, et par consquent possdent une mobilit plus
importante. Celle-ci est 2 fois plus leve pour les lectrons et 4 fois plus leve pour les
trous. De plus, le faible gap du Germanium permet de rduire la tension de seuil des
composants et par consquent engendre une rduction des tensions dalimentation, et donc de
la puissance consomme par le transistor.

Bien que la conductivit thermique du germanium soit infrieure celle du silicium
(pouvant entraner des chauffements nuisibles dans des structures o lvacuation de la
chaleur est problmatique), le fait que les puissances dalimentations des structures
Germanium sont infrieures celles du silicium fait que lintrt des structures Ge demeure
important.
I.3.1 Les technologies Semi-conducteur sur Isolant (SOI)
Actuellement les technologies des semi-conducteurs sur isolant sont considres
comme tant la meilleure solution pour la miniaturisation et lintgration pousses des
transistors MOS. Contrairement aux MOSFET bulk o les composants sont raliss sur un
substrat de silicium, le SOI est ralis sur un film de Silicium (ou un autre semi-conducteur)
pralablement pos sur une couche doxyde enterre ( BOX : Burried Oxyde).
Le BOX reprsente une barrire contre la diffusion des dopants, il rduit les courants
parasites de manire gnrale, et dans le cas des films minces, il rduit les effets de canaux
courts. Cette technologie prsente galement un moyen disolation lectrique totale des
transistors entre eux, vitant les effets de latch-up et permettant une plus grande intgration (le

Tableau I.1 : Comparaison des proprits lectriques de Silicium et le germanium
Transistor MOSFET
9

besoin de trench pour isoler devient redondant). De plus, les capacits parasites Drain-substrat
et Source-Substrat sont limites, a permet aussi limmunit contre les radiations.

La couche d'oxyde enterre permet de rduire la contribution de ces phnomnes sur le
fonctionnement des transistors. Il rsulte une plus grande intgrabilit de ces composants donc
la possibilit de diminuer la longueur de grille.
Selon lpaisseur du film de silicium tSi entre loxyde de grille et loxyde enterr, on peut
distinguer deux catgories de transistors SOI qui sont reprsent dans la figure (I.3) :
SOI partiellement dplt (PD)
SOI compltement dplt (FD)

Figure I.3 : Le transistor SOI : partiellement dsert (a) et compltement dsert (b)

Grille
Substrat
Box
Zone de
dpltion

a) b)

Figure I.2 : reprsentation schmatique dun transistor MOSFET sur SOI

Transistor MOSFET
10

Dans le cas du SOI PD, la zone de charge despace gnre par la tension de grille
natteint pas loxyde arrire tandis que pour le SOI FD, elle recouvre le film de silicium sur la
totalit du rgime de fonctionnement. Cette spcificit du SOI FD va entraner un couplage
entre les potentiels des deux interfaces oxyde/semi-conducteur. La polarisation du substrat
prsente lopportunit davoir une grille arrire supplmentaire, ceci renforce le courant
lectrique dans le film silicium.
La technologie SOI FD semble tre la mieux adapte face lintgration continue des
transistors, elle permet dapprocher une pente sous le seuil de 60 mV/dcade en utilisant un
film de Si infrieur la zone de charge despace du canal de conduction. Pour obtenir une
faible tension de seuil et un DIBL acceptable, une loi empirique est utilise : TSi<Lgrille/4
[Pelloie '99]. Le gain apport par la rduction de lpaisseur du film de silicium sur la
rduction des effets de canaux courts est lune des principales motivations pour le
dveloppement de transistors FD film ultrafin. En 2003, la fonctionnalit de transistors SOI
de longueur de grille ultracourt sur un film de Si a t dmontre.
Le SOI est utilis aujourdhui dans un nombre croissant dappareils lectroniques pour
une large varit dapplications, allant du monde de lautomobile jusqu des produits mobiles
grand public. Les puces lectroniques base de SOI sont conomiquement rentables
fabriquer en plus doffrir des gains en performance et en conomies dnergie. Dans le cadre
de notre projet on va travailler sur des dispositifs de la technologie SOI de type FD.
I.3.2. Le transistors Multi grille

Actuellement, lamlioration du contrle lectrostatique est lune des meilleures pistes
pour limiter les effets de canaux courts face lintgration des MOSFET [Dennard '07]. De
nouvelles architectures voient ainsi le jour comme les doubles grilles (DG), les triples-grilles
(TG) [Doyle '03]. Ces nouveaux composants multi grilles peuvent tre classs en deux
varits : les structures planaires et verticales.

Le premier groupe drive de la technologie SOI. Cette configuration permet de mieux
limiter les effets de canaux courts car le contrle de la grille sur le canal est accru. En
revanche le non-alignement des grilles avant et arrire peut gnrer une capacit de
recouvrement grille/source-drain et augmenter les rsistances daccs [Hon-Sum '94].

Transistor MOSFET
11

Ces derniers permettent daugmenter la surface du canal, qui se traduit par une
augmentation du courant. Linversion volumique devrait permettre daugmenter la proportion
des porteurs loin de linterface, avec sans doute une augmentation de la mobilit et de
meilleures conditions pour un transport balistique dans les transistors les plus courts.
Cependant la gomtrie 3D de ses nouvelles architectures ncessite un amnagement
spcifique au point de vue design .
Nanmoins de nouveaux inconvnients sont inhrents ces nouveaux dispositifs comme
par exemple la rsistance daccessit a peut entraner des rsistances des extensions source et
drain trs importantes. Le potentiel dintgration de ces structures semble tre trs prometteur
car les caractristiques lectriques sont bien meilleures que celles des transistors massifs.
Conclusion :
Dans ce chapitre nous avons dcrit le contexte du projet, les diffrentes technologie
et notre situation qui a vraiment besoin de trouvez des solution pour lvolution de la
technologie dintgration lectronique et Pour pouvoir suivre la loi de Moore.il faux donc
bien tudier les composant propos pour pouvoir rpondre ces questions cls.

Figure I.4 : Diffrentes architectures multi-grille : a) Finfet, b) Triple grille, c) Pi-gate MOSFET, e) Omga-gate
MOSFET, e) Surrounding gate, f) Gate All Around MOSFET (structure GAA).

Chapitre II
Le bruit bas frquence dans les
transistors MOS
Formulation du bruit dans les transistors MOS
13

Introduction
Le bruit dans les transistors MOS est lindice dune dgradation de la couche
isolante, proximit de linterface. Son amplitude est un indicateur dans les tudes de
fiabilit ou danalyse de dfaillance.
Dans ce chapitre nous commenons par faire une synthse des diffrents types de
bruits et de leurs caractristiques ainsi que de leurs origines. Ensuite nous nous intressons
au bruit basse frquence prsent au niveau du courant de drain des transistors MOS en
fonction de son origine. Nous abordons successivement les fluctuations de mobilit de
Hooge, le pigeage d pigeage des porteurs et le pigeage avec fluctuation de mobilit et
finalement le modle dinter corrlation que nous avons utilis pour traiter nos rsultat.
Nous terminons ce chapitre en expliquant une mthode de dtermination de la densit
volumique de piges Nt ainsi que linfluence de la rsistance daccs.
II.1. Dfinition dun bruit lectrique

Le bruit dsigne tous les signaux alatoires indsirables qui coexistent avec les
signaux dterministes dsirs.il est prsent dans tous les systmes lectriques (ou non
lectriques) et son tude a pour but la ralisation de composants faible bruit ncessaires
certaines applications [Gentil78] et dans les tudes de fiabilit ou danalyse de dfaillance.
Dans un dispositif semi-conducteur, tout bruit lectrique se manifeste sous forme de
fluctuations alatoires et spontanes de la tension et/ou du courant provoques par divers
processus physiques. Le formalisme mathmatique ncessaire pour dcrire ce bruit lectrique
est assez complexe et ne fera pas lobjet de notre travail.
On va utiliser une approche simplifie qui consiste reprsenter les fluctuations non
pas dans le domaine temporelle, mais dans le domaine frquentiel et a sera par leur densit
spectrale associe qui est quivalente la valeur quadratique moyenne ou puissance du signal
dans une bande de lordre de 1 Hz. Le bruit bas frquence est un facteur limitant pour un
grand nombre de circuits lectroniques. Le bruit BF constitue alors un seuil limite de
dtection du signal.

14

II.2. La densit spectrale de puissance du bruit

Lanalyse temporelle des fluctuations ne permet pas de sparer les diffrentes sources
de bruit. En effet, lamplitude des fluctuations se rpartit gnralement de manire gaussienne
autour de la valeur moyenne du signal. Ltude du bruit BF dans les transistors MOS est alors
ralise dans le domaine frquentiel, travers la notion de la densit spectrale de puissance
des fluctuations, c'est--dire la rpartition frquentielle de la puissance du signal du bruit.
Pour dfinir la Densit Spectrale de Puissance du bruit, considrons un signal x(t) qui
reprsente le courant drain source dun transistor MOS dans le cadre de notre tude.
Mathmatiquement, le bruit peut tre considr comme signal alatoire ergodique et
stationnaire du second degr. La valeur moyenne de x(t) tant considre nulle, la variance du
signal de bruit se confond avec sa puissance moyenne. La DSP S
x
(f) du signal est la
distribution frquentielle de la puissance moyenne de x(t). Elle sexprime donc :

(II.1)
II.3. Le bruit basse frquence

Il existe deux familles diffrentes de sources de bruit. Dune part, le bruit fondamental ou
le bruit blanc, intrinsque la structure et ne dpend pas de la frquence (bruit thermique et
bruit de grenaille), et dautre part, le bruit en excs, li la technologie qui dpend de la
frquence (gnration-recombinaison, bruit en 1/f et RTS).
II.3.1. Le bruit thermique
Ce bruit est rsultant de lagitation thermique des porteurs. Un lectron subit des
interactions avec le rseau cristallin o il se trouve. Ce qui donne naissance des petites
variations temporelles du courant. Le bruit thermique est toujours prsent dans les composants
semi-conducteurs et ne peut pas tre vit. Cependant, dans la rgion des basses frquences,
la densit spectrale du bruit thermique est souvent plus faible que les autres types de bruit, tel
que le bruit de gnration recombinaison et le bruit en 1/f.

15

Ce type de bruit est dit bruit blanc et sur une large bande de frquence, Pour une rsistance R,
son niveau est donn par :
S
V
(f) = 4kTR (II.2)
Avec : R la valeur de la rsistance, T la temprature et K est la constante de Boltzmann.
II.3.2. Le bruit de grenaille (shot noise)

Le bruit de grenaille est d une mission alatoire de porteurs travers une barrire
de potentiel, notamment dans les transistors MOS qui comporte plusieurs jonctions PN, sil y
a un courant de jonction, un bruit blanc sera cr et sera directement proportionnel au courant
de jonction. Quand la jonction est non polarise, ce bruit est confondu avec le bruit blanc, et
nest pas nul. Comme le bruit thermique, le bruit de grenaille prsente une indpendance par
rapport la frquence et sa densit spectrale (DSP) est donne par:
S
I
(f)=2qI (II.3)

II.3.3. Bruit de gnration recombinaison
Ce bruit provient de la fluctuation des charges piges dans la zone de charges du
transistor. Le bruit de gnration recombinaison est associ un processus de pigeage d
pigeage de charges dans le canal du transistor. La figure suivante prsente la rpartition des
piges dans loxyde de grille. On appelle tats rapides, les piges sollicits proches de
linterface Si/SiO2 et pour les lents, les piges sont situs une petites distance de linterface
Si/SiO2 cest--dire dans le volume.

Figure II.1.Reprsentation des piges dans loxyde de grille
16

La notion d'tats rapides ou lents est lie au temps de rponse des piges, ce bruit est
indpendant de la frquence pour les frquences infrieures la frquence de coupure f
c

(f
c
=(2)
-1
) et subit une dcroissance en 1/f pour les frquences suprieures f
c.

Pour que de telles fluctuations soient observables il faut que la dure de vie des
porteurs, v, soit trs infrieure au temps de transit (t) et de collisions (c). Lexpression de
la densit spectrale de courant scrit :

(III.4)
En effet il est typique dun spectre Lorentzien illustr la figure (II.2), I0 tant la
valeur moyenne du courant. Pour ce type de bruit, lhistogramme des amplitudes du courant
(fluctuations autour dI0), est de forme Gaussienne. La mesure de la frquence de coupure du
spectre SI(f) permet de dduire la dure de vie des porteurs.

II.3.4. Bruit en 1/f
Il est inversement proportionnelle la frquence danalyse do sa dnomination de
bruit en 1/f. Il est prsent dans tous les dispositifs conducteurs : des tubes vide aux
membranes nerveuses, en passant par les rsistances au carbone, les matriaux semi-
conducteurs et les transistors MOS. La figure (II.3) prsente la variation du courant dans le
domaine temporel et frquentiel, dans ce dernier il est clair que le spectre du courant est
proportionnel 1/f.

Figure II.2.Densit spectrale de courant de type Lorentzien
.
17

Lorigine de ces variations dans un semi-conducteur est attribue deux origines :
Modle de Hooge : le bruit 1/f est d un effet de volume qui entrane des variations
de mobilit des porteurs.
Modle de McWhorter : le bruit 1/f est d la capture de porteurs par des piges ayant
des constantes de temps rparties selon une certaine loi :
Ce type de bruit est alors la somme dune multitude de spectres Lorentzien, de type GR de
frquence de coupure variable comme lindique la figure (II.4).

Comme nous avons introduit prcdemment, le bruit 1/f ou bruit de scintillement dans les
transistors MOS est attribu deux phnomnes diffrents : les fluctuations de la mobilit des
porteurs dans le canal (modle de Hooge) ou le pigeage-dpigeage des porteurs dans les
tats lectriquement actifs localiss au niveau de la couche disolant et de linterface

Figure II.3 : exemple du bruit 1/f dans le domaine temporel, et dans le domaine frquentiel.

Figure II.4 : Bruit 1/f rsultant de la somme de spectres Lorentzien
.

18

isolant/semi-conducteur (modle de McWhorter). Nous dtaillons prsent les aspects
physiques du bruit en 1/f en sparant ces deux approches.
Modle corrl (N-) :
La fluctuation du nombre de porteurs induisant une fluctuation de la mobilit en surface,
ce modle prend en compte les deux effets. Une formulation du modle a t propose par
Hung [Hung 90] et Ghibaudo [Ghibaudo 91].
II.3.4.1. La fluctuation de la mobilit (modle ) :

Le modle associant le bruit en 1/f aux fluctuations de la mobilit est bas sur la loi
propose par Hooge [ Hooge 69]. Il considre que les fluctuations de la mobilit sont dues
la diffusion des porteurs par les impurets de rseau cristallin et par le rseau cristallin lui-
mme. Do il en rsulte un bruit en 1/f dont la densit spectrale est inversement
proportionnelle au nombre total de porteurs de charge.
En rgime ohmique (hypothse dun canal uniforme), la densit spectrale de puissance
de bruit de courant de drain normalise scrit :

(II.5)

O f est la frquence,
le paramtre de Hooge, il est constant pour un matriau, Qi

la charge dinversion. Le paramtre de Hooge prend des valeurs gnralement compris entre
10
-7
et 10
-3
selon le dispositif tudi. N reprsente le nombre total des porteurs libres. La
densit spectrale de la tension de grille associe est donne par :

(II.6)

En rgime forte inversion
Le nombre de porteurs moyen pour une longueur unit est donn dans le canal du
transistor est donn par :

(II.7)
19

(II.8)

Avec
.
En rgime faible inversion
Le nombre de porteurs sous la grille pour une longueur unit est donne par :

(II.9)
La densit spectrale de courant scrit :

(II.10)
II.3.4.2. La fluctuation de nombre de porteurs (modle n )
Cest un modle bas sur la fluctuation de nombre de porteurs a t propos par
McWhorter [MCW 57]. Ce modle a t dvelopp et adapt au cas particulier du transistor
MOS par Christensson [CHR 68]. Il est bas sur le principe que les changes de porteurs
entre le canal et des piges situs linterface ou prs de linterface SiO
2
font fluctuer la
densit de porteurs dans le canal.
Dans ce modle le bruit en courant de drain du transistor MOS provient des
fluctuations de la charge dinversion linterface Semi-conducteur/Oxyde de grille. Celles-ci
sont lies celles de la charge dans loxyde induites par le pigeage des porteurs libres dans
des piges localiss dans loxyde proximit de linterface.
Cette modification de la charge pige dans loxyde Qox peut tre modlise par une
fluctuation quivalente de la tension de bandes plates V
FB
selon [Ghibaudo 90] :

(II.11)
O C
ox
est la capacit de loxyde de grille par unit de surface.
Cette fluctuation donne comme consquence directe une modification de la charge
d'inversion en respectant la neutralit lectrique globale de la structure :

20

(II.12)

O C
ox
est la capacit de loxyde de grille, C
d
celle de la charge de dpltion, C
ss
celle
dtats dinterface et C
i
celle de la charge dinversion. Ce sont quatre capacits exprimes par
unit de surface.
Dans ce modle, il est possible de prendre en compte ou non les fluctuations de
mobilit corrles au pigeage dans loxyde. Pour obtenir un spectre en 1/f partir de ce
modle, il faut superposer un grand nombre de spectres de type lorentzien.
En rgime de forte inversion :
Dans ce rgime, un lectron de la couche dinversion vient occuper un pige de loxyde
proche de linterface.
Les fluctuations N(x) induisent des fluctuations de courant I
D
, dans le cas du rgime
ohmique, la densit spectrale scrit :

(II.13)

(II.14)
O S
VFB
est la densit spectrale de puissance de tension de bandes plates associe V
FB
.

Le but dtudier le bruit 1/f est de calculer une densit de piges existant dans loxyde,
pour pouvoir qualifier la technologie et de trouver des solutions.

(II.15)
Avec =1/, est la profondeur de pntration par effet tunnel des porteurs libres, Nt
est la densit de piges en cm-3ev-1.
II.3.4.3 Modle combinant les deux modles prcdents N-

La fluctuation du nombre de porteurs induisant une fluctuation de la mobilit en
surface, ce modle prend en compte les deux effets. Plusieurs auteurs ont dj essay de crer
21

et dvelopper des modle en considrant les travaux de hooge et de Mc whorter, une
formulation du modle a t propose par Hung [Hung 90] et Ghibaudo [Ghibaudo 91].
On a utilis une formulation qui se base sur ce modle pour traiter nos rsultats de
bruit. La mthode classique utilise pour caractriser le bruit est de modliser la fluctuation
du nombre de porteurs pigs dans l'oxyde par une fluctuation quivalente de la tension de
bande plate. Il est alors possible de travailler sur la densit spectrale de la fluctuation de la
tension bande plate. Une formulation amliore de la densit spectrale de la tension de bande
plate tenant compte de la fluctuation de la mobilit des porteurs, a t propos par Ghibaudo
[Ghibaudo 91].Cette formulation prend en compte la modulation de temps de la collision des
porteurs avec le rseau atomique du semi conducteur, la densit spectrale en bruit du courant
du drain normalise devient :

(II.16)
Pour la technologie SOI, limpact de l'interface arrire reste jusqu' prsent une
question cl dans la modlisation basse frquences.
Les travaux qui sont dj faits par plusieurs auteurs comme L.zafari, sont bass sur la
formulation classique pour extraire le retour et la densit de piges. En effet, ces auteurs ont
suppos que si un canal est activ, donc la source du bruit n'est que loxyde de ce canal activ
tout en ngligeant loxyde du deuxime canal. Par contre nous travaillerons avec le modle
corrl qui suppose que lorigine de bruit est due la fluctuation du nombre de porteurs (n)
et de la mobilit () qui est base sur la formulation Ghibaudo et qui prend en compte
limpacte de linterface du retour. Cette formulation faite par lquipe de recherche du
laboratoire dit que mme si un seul canal est activ, le bruit est d une fluctuation de la
tension de la bande avant et arrire. Le modle corrl t dfini ainsi :

(II.17)

Avec : gm1 et gm2 sont les transconductances de la face avant et la face arrire, Et

est la densit spectrale de puissance de tension de bandes plates et daprs la formulation de
Ghibaudo [Ghibaudo 91] est donne par :
22

(II.18)

O C
ox
est la capacit de loxyde de grille par unit de surface est =1/, est la
profondeur de pntration par effet tunnel des porteurs libres, K est la constante de
Boltzmann f reprsente la frquence, Nt est la densit de piges en cm
-3
ev
-1
et
est le
paramtre deffet de couplage avant (arrire) donne par :

(II.19)
et
sont respectivement la capacit du film de silicium, la capacit de

loxyde de grille par unit de surface et la capacit avant et l'arrire de ltat d'interface. Dans
ce cas la densit de puissance spectrale drain de courant est donne par :
(II.20)
Avec :
(II.21)

Quand le modle N est impliqu on aura :

(II.22)

On rsout le systme deux inconnus ci-dessus pour obtenir
et
. Ensuite
pour rcuprer la densit de pige avant et arrire on injecte les paramtres de la technologie
ainsi que les valeurs de
et
calcul dans lquation suivante :

23

(II.23)
II.4. Influence des rsistances d'accs

La figure II.5 prsente le schma lectrique dun transistor MOS avec ses rsistances
sries de source et drain. Dans les transistors MOS laccs au canal prsentent des rsistances
non nulles.

Comme dans le schma lectrique les rsistances parasites se composent
essentiellement des rsistances d'interconnexions et des rsistances de contact. Il faut donc en
tenir compte pour une bonne analyse du comportement statique des transistors.

Conclusion :

Les quations expliques dans ce chapitre nous serviront pour dduire lorigine du
bruit en 1/f. Dans la suite du rapport on sintresse la modlisation du bruit 1/f pour
conclure sur ces origines ainsi que limpact de pourcentage de germanium.

Figure II.5 : Schma lectrique dun transistor MOS avec ses rsistances sries de source et drain.

Chapitre III
Matrielles et mthodes

25

Introduction
Ce chapitre est consacr aux techniques de caractrisation adaptes pour cette tude. Nous
prsenterons donc, le banc de mesure, la mthodologie dextraction du schma quivalente des
paramtres de conduction, et ceux du bruit de fond. Nous prsentons galement la procdure
dextraction des paramtres de conduction. Nous terminons ce chapitre avec la prsentation des
composants tudis.
III.1. Appareillage utilis

Les composants tudis tant sur wafers , nous avons mis en place une chane de mesure
sous pointes compose dune station Signatone quipe dune binoculaire Nachet, quatre
micromanipulateurs Suss Microtech aiguilles (Figure III.1), elle est quipe galement dun
plateau levable avec rglage de prcision. Tout le systme est mis dans une bote servant la fois de
cage de Faraday et de bote noire car les dispositifs tudis sont sensibles la lumire.

III.1.1. Dispositif exprimental de mesure :

Avant ltude du bruit, les composants sont pralablement tests au niveau lectrique pour
une part, de sassurer du bon fonctionnement, et dautre part, pour extraire les paramtres de
conduction servant tablir le schma quivalent basse frquence. Pour cela, on utilise le matriel
reprsent sur la figure (III.2). Il est compos dune source continue de test semi-conducteur HP

Figure III.1: Photographie de la station Signatone (banc de mesure).
26

4156 contenant quatre sorties SMU1, SMU2, SMU3 et SMU4 modulables en courant et en tension,
et permettent dalimenter les dispositifs mais encore de rcuprer les signaux de sortie.
Cette source (HP 4156) permet dimporter les donnes sous format texte un ordinateur.
Enfin ces donnes sont traites grce au logiciel Sigmaplot.

III.1.2. Dispositif exprimental de la caractrisation du bruit :
Le banc de mesure de bruit est construit autour dun analyseur de spectre numrique de type
HP 49410 A. Il est prsent dans la figure (III.3) il permet la mesure de la densit spectrale de bruit
par transforme de Fourier rapide (FFT) dans la gamme 1Hz-1MHz. Les signaux mesurer sont
trs faibles, ils sont pralablement amplifis par des amplificateurs faible bruit. Pour minimiser les
perturbations lies au 50 Hz, les composants sont polariss par des batteries.

Figure III.2 : source continue de test semi-conducteur HP 4156C

Figure III.3 : Lanalyseur de spectre numrique HP 49410 A

27

Lensemble est situ dans la cage de Faraday, sauf lanalyseur de spectre, les batteries et les
multimtres sont lextrieur.

Les amplificateurs utiliss sont des transimpdance EGG, qui on t tests, auxquels on a
vrifi leurs niveaux de bruit et leurs bandes passantes. Lamplificateur transimpdance EG&G
Brookdeal 5182 prsent dans la figure (III.5) pour les mesures sous fortes impdances et faibles
courants. Lamplificateur est aliment directement par le rseau, le drain et la grille du MOSFET de
puissance sont aliments par des batteries.

Dautres appareils de mesure sont associs notre montage comme les trois Voltmtres
connects respectivement en parallle, afin de signaler les valeurs de la tension du drain V
D
, la
tension de la grille V
G
et tension de sortie continue de lamplificateur V
DC
.

Figure III.4 : Photographie du banc de mesure en bruit

Figure III.5 : Lamplificateur EG&G Brookdeal 5182
28

III.1.3. Caractristiques et bruits propres de lamplificateur faible bruit :

La figure (III.6) reprsente le schma quivalent en bruit du montage, o I(t) est le courant
dbit par la source, S(f) la sensibilit de lamplificateur et S
VS
(f) la densit spectrale de tension.
Notre but sur ce montage est de dterminer la densit spectrale de bruit de i(t). La densit spectrale
du courant scrit :

S
IA
(A/Hz) = [S
VS
( V/Hz)]*[S(A/V)] (III.1)

Les donns la sortie de lanalyseur sont directement importes par le rseau, pour les
traiter par un programme spcifis sur MATLAB2007, afin de les rendre sous format texte. Enfin
les rsultats sont traits laide du logiciel SIGMAT-PLOT.

Figure III.6 : schma du montage de mesure dun amplificateur transimpdance
.
29

Le tableau (III.1) reprsente les caractristiques de lamplificateur transimpdance [A. EYAA
MVONGBOTE03] :

Sensibilit en sortie
en alternatif (A/V).

S=1 10
5

S=1 10
6

S=1 10
7

S=1 10
8

Bande passante (Hz)

0.5-1M

0.5-800K

0.5-200K

0.5-10K

Courant DC
maximum en entre

9mA

0.9mA

9A

90nA

Courant quivalent
de bruit

172 A

6 .25 A

53.12 nA

5 nA

Impdance dentre
@1Khz

< 1

< 1

< 100

< 10K

Impdance de sortie

450

450

450

450
Tableau III.1 : Caractristique de lamplificateur trans-impdance.

Les figures (III.6) reprsentent le bruit propre de lamplificateur pour des sensibilits
diffrentes.

Figure III.7 : Bruit propre de lamplificateur trans-impdance sur la sensibilit 1
e6
et 1
e7
.
30

II.1.4. Dispositif exprimental de mesure bruit

Le but de notre tude consiste faire des mesures en bruit 1/f sur les MOSFET SiGe sur
SOI et les mesures de bruit de MOSFET de puissance COOL MOS.
Lamplificateur transimpdance est surtout utilis pour des mesures sous forte impdance.
Cette mthode est donc particulirement bien adapte pour la mesure du bruit associe au courant
drain en faible inversion. Lamplificateur EG&G 5182 ayant une entre la masse, il est donc
systmatiquement connect la source du transistor suivant le montage de la figure (III.8).

La figure (III.9) reprsente le schma quivalent en bruit du montage, o ich (t) est le
gnrateur de courant de bruit associ au canal, iA(t) le gnrateur de courant de bruit associ au
bruit propre de lamplificateur, Rc la rsistance du canal, et S(f ) la sensibilit de l'amplificateur.

Figure III.8 : schma du montage de mesure avec un amplificateur transimpdance.

Figure III. 9 : Schma quivalent en bruit du dispositif exprimental avec un Amplificateur trans-impdance.
31

En sortie de l'amplificateur la densit spectrale de courant de bruit associe au canal s'crit :
(III.2)
III.2. Mthodologie d'extraction des paramtres de conduction et du schma
quivalent

La mthodologie d'extraction des paramtres de conduction, dite mthode Y [Ghibaudo' 95], en
se basant sur les caractristiques courant-tension en rgime ohmique. Cette mthode Y nous permet
d'valuer plusieurs paramtres. Les paramtres de conduction qui nous intressent sont :
La tension de seuil VT
La mobilit faible champ 0
Le paramtre de dgradation de la mobilit *.
La somme des rsistances d'accs de source et de drain (Racc =RS+RD).
La mthode Y [Ghibaudo 95] utilise pour extraire ces paramtres, elle est base sur les
mesures du courant I
D
(V
GS
) en rgime linaire ainsi que la transconductance gm(V
GS
) effectues sur
un ensemble de transistors ayant une mme largeur de grille W ou une mme longueur de grille L.
les tensions de source et de drain sont donnes par:

(III.3)

(III.4)
Avec RS et RD sont respectivement les rsistances d'accs de source et de drain. Si l'on
prend en compte ces dernires expressions, le courant drain en rgime ohmique se met sous la
forme:
(III.5)
a nous permet de calculer :
(III.6)

32

III.1.1. Extraction de la tension de seuil G
m
et V
T

Il apparat que la courbe reprsentative de Id/sqrt(gm) en fonction VGS :

(III.7)
Le trac de la fonction ci- dessus permet par extrapolation V
GS
=0, dobtenir V
T
, et le
paramtre G
m
par la pente de la courbe.

III.1.2. Extraction de * et

De mme le trac de 1/ en fonction de (VGS VT) donne une droite :

(III.7)

Figure III.10: Mthodologie dextraction des paramtres de
conduction (Vt et Gm).

Figure III.11 : Mthodologie dextraction des paramtres de conduction ( et Racc).

33

La droite obtenue permet de confirmer la valeur de Gm par l'ordonne l'origine, et le
rapport entre la pente et l'ordonne l'origine donne la valeur de * pour une longueur de grille
donne. Le trac de * en fonction de Gm pour des gomtries diffrentes avec une mme largeur
de grille Wmask permet de dterminer et Racc.
III.3. Extraction de 0

Le trac de (1/Gm) en fonction de Lmask est une droite :

(III.8)
La droite obtenue permet de dterminer 0 laide de la pente.
III.4 Description des composants tudis :
III.4 .1 Les dispositifs sur wafer :
Les transistors tudis sont des transistors PMOSFETs SiGeOI, fabriqus et fournis par
CEA LETI Grenoble, nous avons reu six plaques avec des pourcentages de germanium diffrents,
les quatre plaques principales contient des dispositifs SiGe
15%
, SiGe
30%
. SiGe
20%
, SiGe
40%
, Pour les
deux plaques, lpaisseur de loxyde et les conditions dimplantations de source et drain sont
identiques. Les deux autres plaque contient des dispositifs SiGe
40%
/sSOI et une plaque de rfrence
Si SOI.

Figure III.12 : Mthodologie dextraction des paramtres de conduction (0 et
L).

34

Tous les transistors tudis ont la mme largeur W
mask
=10m, mais avec des longueurs de
grilles diffrentes: 0.35 - 0.5 0.75 1 -2- 5m
La figure III.10 prsente la structure des transistors utiliss pour ce stage.

Architecture des dispositifs
- Epaisseurs disolants :
TiN : 10nm
HfO2 : 3nm
SiO2 : 1nm
- SiGe : 20nm
- BOX (SiO2) : 145nm

Lempilement de la grille est constitu de deux couches de dilectriques (isolants), une
mince couche de 1nm de SiO
2
et une autre de HfO
2
de 3 nm, le matriau Hf02 est un matriau
haute constante dilectrique. Au dessus de loxyde, il y a une couche mtallique de TIN qui
remplace le polysilicium trs utilis pour assurer le contact de la grille. En dessous de loxyde, il y a
un film semiconducteur, o stablit le canal de conduction, lpaisseur du film SiGe est de 20 nm.
Puisquon travaille sur des dispositifs SiGe/SOI, une couche doxyde enterr (Burried
Oxide) qui spare le film et le mtal de la grille arrire (G2).

Figure III.13 : structure des transistors SiGe SOI

35

Calcul de la capacit doxyde
Il sagit de dterminer la capacit doxyde, cest--dire la capacit quivalente en
accumulation. En effet, en accumulation, la capacit MOS est quivalente un condensateur plan
dpaisseur gale lpaisseur de lisolant t
ox
et dont la capacit de la couche isolante vaut :

(III.9)

Avec
0
: permittivit lectrique du vide 8,85.10
-12
F/m

r :
permittivit relative du matriau utilis comme dilectrique.
Si02= 3.9
Hf02= 25 (matriau high-K)

Concernant les dispositifs high-k, nous dterminons lpaisseur quivalente EOT (quivalent
oxide thickness), nous calculons une paisseur quivalente au Si02. Nous considrons que ces deux
matriaux forment deux condensateurs en srie donc :

(III.10)

(III.11)

Donc la valeur de Cox calcule est C
ox
= 0.023 F/m.

Ces dispositifs sont des transistors SiGeOI, nous avons donc la possibilit de polariser la
deuxime grille appele grille arrire (G2 sur le schma ci-dessus). Il faudra donc calculer la
nouvelle capacit de grille en prenant cette fois-ci la couche BOX, nous lappelons C
box
ou

C
ox2 :

(III.12)

36

Les valeurs calcules sans dans le tableau suivant :
(F/m)
(F/m)
(F/m)

1.9 e-2 2.4 e-4 6.9 e-3 1.2 e-2 22.3
Tableau (III.2) : valeurs calcules des capacits des transistors

sont les paramtres deffet de couplage et leurs expressions sont prsentes au niveau du chapitre
II (quation II.21).
III.4.2. Transistor de puissance Cool MOS

Dans cette partie, nous effectuons une tude thorique sur le MOS de puissance Cool MOS
SPP02N80C3 et sa structure.la figure suivante schmatise le transistor Cool MOS et ses
caractristiques.

R
DSON
= .V
BR

2,6
(Sauf le composant Cool MOS : exposant 1), R
DSON
= .V
BR

Sa rfrence est un ensemble dabrviation, la signification de chaque lettre est la suivante :

Figure III.14 : transistor cool MOS et ses paramtres lectriques

Figure III.15 : Schma de la nomination du transistor Cool MOS.
37

III.4.3. Symbole quivalent dun MOSFET de puissance
La structure Cool MOS est base sur des milliers de MOSFET de puissance connects entre
eux en parallle. Dans un premier temps nous tudions la conception et le fonctionnent du
MOSFET de puissance. La fonction fondamentale des transistors de puissance : interrupteur
command.

III.4.3. La structure du transistor MOS
La structure de transistor MOS de puissance utilise dans ce projet est la structure VDMOS
Vertical Diffused MOS. Pour des applications Basse et Moyenne Tension (jusqu 1000 V et 100
A). Les transistors de puissance effet de champ MOS mettent en jeu les mmes principes
physiques que les composants MOS de la microlectronique. La structure est diffrente, pour
rpondre aux exigences de capacit en courant et de tenue en tension propres aux applications de
puissance, avec pour amnagements principaux:
- Lintgration en parallle, dans un cristal unique, dun nombre suffisant de cellules
lmentaires toutes identiques, connectes aux mmes contacts terminaux de source de grille et de
drain (meilleure capacit en courant).
- Lincorporation dans la jonction de drain dune rgion large et peu dope dans laquelle
peut se dvelopper la charge despace en situation de blocage (meilleure tenue en tension).
La figure suivante met en vidence la structure du transistor Cool MOS de puissance par rapport
celle dune cellule MOS.

Figure III.16 : La structure quivalente dun MOSFET de puissance.

Figure III.17 : Schmas simplifies des transistors MOS.
38

Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons prsent le matriel utilis pour les mesures statiques ainsi que
les mesures de bruit. Nous avons abord aussi la mthode dextraction des paramtres de
conduction pour faire la caractrisation statique des transistors. Nous avons aussi prsent les
dispositifs tudis le long de ce stage. Dans le chapitre suivant nous prsentons les rsultats
exprimentaux.

Chapitre IV
Rsultats exprimentaux
40

Introduction
Ce chapitre est consacr aux rsultats exprimentaux obtenus sur les transistors tudis.
Il comporte trois parties indpendantes :
La premire partie prsente les rsultats des transistors NMOS sur les plaques suivantes
SiGe
15%
. SiGe
30%
SiGe
20%
. SiGe
40%
. SiGe
40%
/sSOI, et la plaque rfrence nFET sur SOI.les
rsultats quon a bien concentr du ce sont les rsultats des 4 dernires plaques.
La seconde partie concerne les rsultats des transistors PMOS sur les plaques SiGe
20%
.
SiGe
40%
. SiGe
40%
/sSOI, et la plaque rfrence pFET sur SOI.
La dernire partie est consacre aux rsultats exprimentaux de caractrisation en bruit
1/f et ltude de vieillissement des transistors MOS de puissance COOLMOS.
Chaque partie se dcompose en deux sous parties : une tude statique o on prsente les
mesures statiques et lextraction des paramtres de conduction selon la mthode Y et une
tude de bruit o on prsente les rsultats de la caractrisation en bruit.
IV.1 Partie 1 les NMOS
IV.1.1. Rsultats de la caractrisation statique
IV.1.1. Caractristique face avant
Les dispositifs sur wafers sont mis dans la cage de Faraday, on fait le contacte avec trois
pointes qui sont bien places sur les contacts du transistor et lies lautre extrmit des
cbles tri-axiales eux-mmes lis aux sorties SMU de lappareil de test semi-conducteur HP
4156.Au dbut et avant de procder la caractrisation statique, une analyse de la conduction
a t faite travers une comparaison dun rseau de caractristiques I
D
V
G1
plusieurs
valeurs de V
G2
, Ceci montrera quelle valeur de V
G2
faut-il appliquer pour annuler une
conduction probable au niveau du canal arrire.

Figure IV.1 : structure des transistors SiGe SOI.

41

En appliquant une tension V
G2
(ou V
B
)

gale 0V, nous nobservons pas de
conduction face arrire, donc on est sr que la conduction se passe quau niveau de la face
avant du transistor.
La figure (IV.2) prsente les rseaux de Id (vg) pour les transistors des quatre plaques
pour des diffrentes gomtries.

On compare ces caractristiques pour des transistors de diffrentes longueurs de grille
avec la polarisation suivante :
V
DS
= 50mV.
V
G1
varie de 0 V 1.5V.
V
G2
=0V.

SiGe40%/sSOI
Vg
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
I
d
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
L=2m
L=1m
L=0.75m
L=0.5m
L=0.35m
rfrence
Vg
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
I
d
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
1e-2
L=5m
L=2m
L=1m
L=0.5m

D
=f(V
G1
) V
DS
=50mV pour V
G2
=0 V pour diffrentes gomtries.
SiGe(20%)
Vg(V)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
I
d
(
A
)
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
L=0,35m
L=0,75m
L=1m
L=2m
L=0.35m
SiGe(40%)
vg
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
i
d
1e-15
1e-14
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
1e-2
L=5m
L=2m
L=1m
L=0.75m
L=.5m
0.35m
42

Pour certaines gomtries on na pas pus rcuprer leur caractristique de transfert, vu
que le nombre limits des chantillons ainsi que les transistors SiGe sont trs dlicats et avec
la manipulation et la prise de contact des pointes nous avons eu des dgradations de
dispositifs.
On peut constater que les transistors ont un fonctionnement statique normal, les
courants de fuites sont de valeurs acceptables, et ne prsentent aucun effet nfaste sur le
fonctionnement des transistors.
A partir de ses caractristiques, on a extrait la transconductance en fonction de V
G1
qui est
prsente ci-dessous.

Plusieurs mesures ont t faites pour chaque plaque, afin de pouvoir vrifier
lexactitude des mesures et la fiabilit des dispositifs. La figure suivante prsente la variation
des tensions de seuil en fonction du pourcentage du germanium.

SiGe20%
Vg1(V)
SiGe20%
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
g
m
(
A
/
V
)
0.0000
0.0001
0.0002
0.0003
0.0004
0.0005
L=2m
L=1m
L=0.75m
L=0.5m
L=0.35m
Vg1(V)
SiGe40%
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
g
m
(
A
/
V
)
0.0000
0.0001
0.0002
0.0003
0.0004
0.0005
L=5m
L=2m
L=1m
L=0.75m
L=0.5m
L=0.35m
rfrence
vg(V)
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
g
m
(
A
/
V
)
0.0000
0.0001
0.0002
0.0003
0.0004
0.0005
L=5m
L=2m
L=1m
L=0.5m
SiGe40%/sSOI
Vg(V)
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
g
m
(
A
/
V
)
0.0000
0.0002
0.0004
0.0006
0.0008
0.0010
L=2m
L=1m
L=0.75m
L=0.5m
L=0.35

Figure IV.3: Evolution de la transconductance en fonction de la tension de grille V
G1
pour diffrentes gomtries
pour les quatre plaques.
43

On constate que laugmentation de la concentration de Germanium dans Si
1-x
Ge
x

rsulte une diminution de la tension de seuil. Ltape suivante est de dterminer la
dgradation de la mobilit et les rsistances daccs pour chaque plaque.
L(m)
0 1 2 3 4 5 6
V
t
(
V
)
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
SiGe( 20% )
SiGe( 40% )
L(m)
0 1 2 3 4 5 6
V
t
(
V
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
L(m) vs 15%
L(m) vs 20%
L(m) vs 40%
L(m) vs 30%
L(m)
0 1 2 3 4 5 6
V
t
(
V
)
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
SiGe( 20% )/SOI
SiGe( 40% )/SOI
SiGe(40%)/sSOI
plaque rference

Figure IV.4 : Evolution de la tension de seuil en fonction de la longueur de la grille et en fonction de la
concentration du germanium.
44

La mobilit est extraite partir de la mthode Y. Dabord on obtient le facteur de
transconductance Gm. Les figures suivantes prsentes lvolution de 1/Gm en fonction de la
longueur du masque (Lmask) pour les diffrentes plaques ce qui nous permettra dextraire la
mobilit.

Gm
0.000 0.002 0.004 0.006 0.008 0.010
t
t
h
a
*
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
40%
Gm
0.000 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007 0.008
t
t
h
a
*
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
SiGe30%

Figure IV.5 : dtermination de la dgradation de la mobilit des plaques SiGe 40% et 30%
Gm
0.000 0.002 0.004 0.006 0.008 0.010 0.012
t
h
t
a
*
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
20%
SiGe15%
Gm
0.000 0.002 0.004 0.006 0.008 0.010 0.012 0.014 0.016 0.018
t
t
h
a
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4

Figure IV.6: dtermination de la dgradation de la mobilit et des rsistances sries de la plaque SiGe 20%
45

/sSOI.

En thorie, et comme il est indiqu dans lexplication de la mthode Y, le trac de
*
(Gm) est exprim par une droite, donc nous avons approxim ces tracs par une droite qui
passe par le maximum des points. Les valeurs de la dgradation de la mobilit et des
rsistances sries extraites sont reportes sur les tableaux suivant :

SiGe40%/sSOI
Gm
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30
t
t
h
a
*
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
nouvo-Gm vs ID5

Figure IV.7 : dtermination de la dgradation de la mobilit et des rsistances sries de la plaque SiGe 40%
rfrence
Gm
0.000 0.002 0.004 0.006 0.008 0.010 0.012
t
t
h
a
*
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4

Figure IV.8 : Dtermination de la dgradation de la mobilit et des rsistances sries de la plaque rfrence
46

SiGe20%: SiGe40% SiGe40%/sSOI rference SiGe15% SiGe30%
Dgradation
de la mobilit
0.34 0.24 0.28 0.21 0.56 0.77
Resistance
Racc
17.83 60 30.16 49 18.9 65
Tableau IV.1 : Resistances Racc et la dgradation de la Mobilits extraites pour les quatre plaques.

Les courbes 1/Gm=f(L) correspondent exactement aux allures que nous avons dj
prsentes dans lexplication de la mthode Y. Daprs les droites obtenues on peut
facilement calculer les pentes et en extraire la mobilit, les pentes des droites sont diffrentes

Figure IV.9: Evolution de 1/Gm en fonction de la longueur de grille pour les deux plaques SiGe 20 et 40%
L(m)
0 1 2 3 4 5 6
1
/
G
m
(
V
/
A
)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
SiGe40%
SiGe20%
L(m)
0 1 2 3 4 5 6
1
/
G
m
(
V
/
A
)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
SiGe40%
SiGe20%
plaque rfrence
sSOI

Figure IV.10: Evolution de 1/Gm en fonction de la longueur de grille pour toutes les plaques.

47

ce qui montre limpact du pourcentage de germanium sur la mobilit. Avec les rsultats de
calcul on va voir plus clairement leffet du germanium sur ce paramtre.
Les valeurs calcules de linterface avant sont reprsentes sur le tableau suivant.
Gm(A/V) Mobilit (cm/V.s)
Longue
(m)
SiGe 20% SiGe 40% SiGe40%/sSO
I
rfrence SiGe 20% SiGe 40% SiGe40%
/sSOI
rfrence
5 ------- 7.4420e-
4

-------- 9.14e-4

450

190

480

238
2 0.00158 2.0000e-
3
6.48e-3 2e-3
1 0.00380 4.0300e-
3
0.015 3.92e-3
0.75 0.00492 4.8000e-
3
0.018 --------
0.5 0.00768 8.0000e-
3
0.028 0.01
0.35 0.01100 0.01250 0.042 --------
Tableau IV.2 : Mobilits extraites pour les quatre plaques.
Daprs les valeurs de la mobilit on confirme que laugmentation de la concentration
du germanium, donne comme rsultat direct une diminution de la mobilit.
IV.1.1.2. Caractrisation face arrire
La caractrisation de linterface arrire se fait en supprimant la conduction au niveau
du canal avant. Les rseaux de caractristique face arrire ID=f (V
G2
) pour les diffrentes
gomtries sont prsents dans la figure (V.10), parmi les contraintes rencontres au court des
expriences cest quon narrive pas rcuprer toutes les caractristiques pour la totalit des
gomtries des chantillons, les mmes soucis que la face avant toutefois le nombre de
transistors mesurs nous permet de faire lextraction des paramtres de conduction sans
difficults.
Les conditions de polarisations sont les suivantes :
V
DS
= 50mV
V
G2
varie de 0V +50V et V
G1
=0V.
48

Sur les caractristiques de transfert des transistors I
D
(V
G2
), on remarque que les
gomtries L=5m des la plaque SiGe 20%,40% et plaque de rfrence et L= 2m pour la
plaque SiGe40%/sSOI prsentent un courant de fuite important par rapport aux autres
gomtries, ce qui veut dire que la rduction de la taille a amlior le courant de fuite de
grille et que les transistors de longueur L<2m ont un meilleur comportement avec un courant
de fuite faible.
Ltape suivante est de dterminer la dgradation de la mobilit et les rsistances
daccs pour chaque plaque.

SiGe20%
Vb
0 10 20 30 40
I
D
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
L=5m
L=1m
L=0.75m
L=0.5m
L=2m
SiGe40%
Vb
0 10 20 30 40 50
I
d
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
L=5m
L=2m
L=1m
L=0.5m
SiGe40%/sSOI
Vb
0 10 20 30 40
I
d
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
L=2m
L=1m
L=0.75m
L=0.5m
L=0.35m
rfrence
Vb
-20 -10 0 10 20 30 40
I
d
1e-15
1e-14
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
L=5m
L=2m
L=1m
L=0.75m

D
=f(V
G2
) pour diffrentes gomtries pour les plaques (SiGe
20%
) ,
(SiGe
40%
),(SiGe
40%
/sSOI) et la plaque rfrence.

49

Les valeurs calcules des deux interfaces avant et arrire sont reprsentes sur le tableau
suivant.
Face arrire SiGe20% SiGe40% SiGe40%/sSOI rfrence
Dgradation de la
mobilit
0.006 0.005 0.002 0.008
Resistance Racc 26,66 6.05 15.2 15.3
Tableau IV.3 : dgradation de la Mobilits extraites pour les quatre plaques.

SiGe20%
Gm
0.00000 0.00005 0.00010 0.00015 0.00020 0.00025 0.00030
t
t
h
a
*
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
Gm vs Ttha*
SiGe(40%)
Gm
0.0000 0.0005 0.0010 0.0015 0.0020
t
t
h
a
*
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
Gm vs ttha*
rfrence
Gm
0.00000 0.00005 0.00010 0.00015 0.00020 0.00025 0.00030
t
t
h
a
*
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
plaque rfrence
SiGe40%/sSOI
Gm
0.0000 0.0001 0.0002 0.0003 0.0004 0.0005
t
t
h
a
*
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0.012
0.014
Gm vs ttha*

Figure IV.12 : Dtermination face arrire de la dgradation de la mobilit et des rsistances sries des diffrentes plaques.
50

Conformment la dmarche suivie pour la face avant, on dtermine la mobilit pour
la face arrire et on compare entre les rsultats des quatre plaques pour observer limpact du
pourcentage de germanium. Les valeurs extraites de la figure IV.12 sont dans le tableau IV.4.

Gm(A/V) Mobilit(cm/V.s)
L (m) SiGe 20% SiGe 40% SiGe40%/
sSOI
Plaque
rfrenc
e
SiGe
20%
SiGe
40%
SiGe40%
/sSOI
rfrence
5 1.510e-5 3.00e-4 ------ 2.12e-5

315

163

458

150 2 3.800e-5 7.442e-4 7.8e-5 6.48e-5

1 7.220e-5 4.400e-4 1.3e-4 1.16e-4

0.75 5.290e-3 ------------ 2.099e-4 1.52e-4
0.5 1.350e-4 1.00e-3 3.088e-4 ---------
0.35 ------------- ------------- 4.627e-4 ----------
Tableau IV.4: Mobilits extraites pour les quatre plaques

L(m)
0 1 2 3 4 5 6
1
/
G
m
0
5e+4
1e+5
2e+5
2e+5
3e+5
3e+5
SiGe20%
SiGe40%
L(m)
0 1 2 3 4 5 6
1
/
G
m
0
10000
20000
30000
40000
50000
SiGe40%/sSOI
plaques rfrence

Figure IV.13: Evolution de 1/Gm en fonction de la longueur de grille pour les quatre plaques.
51

On constate que laugmentation du pourcentage de germanium implique une
diminution de la mobilit.
Conclusion de la caractrisation statique
Les rsultats montrent une dispersion dans les valeurs extraites notamment pour les
transistors de taille infrieur 1m. dautre part le nombre des chantillons est limit pour la
plaque de rfrence et la plaque SiGe40%/sSOI de telle sorte quon a un seul transistor de
chaque taille ce qui ne nous donne pas loccasion de confirmer nos rsultats pour ces deux
plaques.
On peut conclure que lAugmentation de la concentration de Germanium dune part,
entraine une rduction de la tension de seuil des transistors, dautre part on constate que cette
augmentation entraine une diminution de la mobilit dans les deux faces avant et arrire, mais
cette diminution de mobilit est moins importante au niveau de la face arrire que la face
avant. Pour la plaque SiGe40%/sSOI on constate que la mobilit de la face avant est presque
similaire la mobilit de la face arrire contrairement au autres plaques. En plus en
augmentant la concentration x , on remarque une baisse des rsistances sries. La
caractrisation face arrire montre aussi quen appliquant une tension nulle au niveau de la
grille avant, on bloque le canal avant et vise versa.
IV.1.2. Caractrisation en bruit
IV.1.2.1.Caractrisation de linterface avant
Les spectres de bruit mesurs sont reprsents sur la figure suivante, pour V
G1
variant
de 0V 1.5V. Les tensions dalimentation de la grille et du drain sont assures par des
batteries parce quelles gnrent un signal propre et constant.
La sortie du transistor contient deux parties, la premire est constante (DC) et la
seconde est variable (AC), les grandeurs mesures (courant continu et fluctuations de courant)
sont trs faibles, on utilise donc un amplificateur transimpdance. En sortie de lampli, est
connect lanalyseur de spectre numrique, lui-mme connect un PC via une liaison GPIB,
pour transmettre les donnes. Un logiciel a t conu sous MATLAB pour lacquisition des
donnes et ltablissement des graphes reprsentant les spectres de bruit en courant du
transistor amplifis par lamplificateur. Les mesures pour la face avant et arrire ont t faites
pour la gomtrie choisie (L=1m).
Le traitement des graphes a t fait par le logiciel SigmaPlot-2010. La figure suivante
prsente quelques spectres de bruit pour les diffrentes plaques.

52

On constate que les courbes obtenues prsentent une pente (-1) ce qui correspond au
bruit 1/f. Ce qui explique que le bruit qui existe est du type 1/f, les pics visibles sur les
spectres sont dus aux effets externes comme par exemple le rseau 50 Hz (secteur), en hautes
frquences, cest le bruit blanc qui est visible. Daprs ces courbes, on peut conclure quil y a
une distribution uniforme des piges dans loxyde.
Les mesures de bruit pour les deux faces doivent tre faites pour la mme gomtrie.
Ces mesures sont trs dlicates et doivent tre faites avec le plus grand soin, car toute
dtrioration du transistor au court de lexprience soit dans la face avant ou arrire nous
oblige tout refaire ds le dpart.
La figure (IV.14) prsente les Id(Vg) mesurs lors de chaque mesure de bruit
(voltmtre la sortie de lamplificateur transimpdance) compar celui mesur lors des
caractrisations, Id=f(Vg) qui nous montre que les mesures sont bien prcises.

SiGe20%
Frequence(Hz)
1e+0 1e+1 1e+2 1e+3 1e+4 1e+5
S
i
d
(
A
/
H
z
)
1e-27
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
1e-15
1e-14
vg=0.5 v
vg= 0.8 v
vg= 1.2 v
vg= 0.25 v
SiGe40%
F(Hz)
1 10 100 1000
S
i
d
1e-27
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
vg=0.29v
vg= 0.4 v
vg= 0.6 v
vg=1.35 v
SiGe40%/sSOI
Freq(Hz)
1 10 100 1000 10000
S
I
d
(
A
/
H
z
)
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
1e-15
1e-14
vg=150mV
vg=300mv
vg=850mv
vg=1v
ref
F(Hz)
1e+0 1e+1 1e+2 1e+3 1e+4 1e+5
S
i
d
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
vg= 0.5v
vg=0.7 v
vg= 0.9 v
vg=1.25 v

Figure IV.14: Spectres de bruit linterface avant mesurs pour diffrentes polarisations.
53

Il est bien claire que les Id (vg) lors des mesure de bruit concide avec la caractristique de
transfert ce qui reflet implique que nos mesures sont bien faites et elles sont trs prcises
.daprs les spectres obtenus de ces mesures on compare lvolution de Sid prlev 1Hz
prsent dans la figure (IV.16).

SiGe20%
vg
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
I
d
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
vg vs id
vg vs id-mesur

sSOI
vg
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
I
d
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
ID4
Id-mesur

SiGe40%
vg(V)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
I
d
(
A
)
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
vg vs id
vg vs id-mesur
ref-t4
Vg
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
I
d
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
Col 2
Id-mesur

Figure IV.15: les Id(Vg) mesurs lors de chaque mesure de bruit compar celui mesur lors des
caractrisations.

54

Nous avons report lvolution de la valeur du bruit en 1/f 1Hz en fonction du
courant mesur en sortie du montage. En suite on les a compars avec le modle N- qui
est model par la formulation prsent dans le chapitre II quation (II.16).
En jouant sur le facteur on a pu fuit les courbe de modle et pour les valeurs de prsent
dans le tableau suivant, les courbes du modle concide avec le Sid 1Hz.les valeurs obtenus
de sont dans le tableau suivant :
Plaques SiGe20% SiGe40% SiGe40%/sSOI Plaque rfrence
3

e3 2 e3 1.5 e3 4e3
Svfb1 3 e-11 6 e-11 1.5 e-11 1 e-11
Svfb2 4.5 e-8 6.5 e-8 5 e-11 4 e-8
Tableau IV.5 : les valeurs du paramtre de diffusion coulombienne et Svfb pour les diffrentes plaques (face
avant).
SiGe20%
Id
1e-10 1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
S
I
d

1
h
z
1e-27
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
SiGe(40%)
Id
1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
S
I
d

1
h
z
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16

sSOI
frequence(Hz)
1e-7 1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
S
i
d

@
1
H
z
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
ID4 vs SId-@1Hz
modle corol
rfrence
id
1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
S
i
d

@
1
H
z
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
Sid @1Hz
modle corol

Figure IV.16 : Lvolution des niveaux de bruit en 1/f relevs f=1Hz en fonction de I
D
, comparaison
avec le modle corol pour la gomtrie w=10m
,
L=1m.

55

On constate quavec ces valeurs de les dispositifs suivent bien le modle dans la
zone faible et forte inversion. Donc on peut dire que le bruit dans ces transistors a comme
origine le modle N- .ce qui confirme que le modle utilis pour nos dispositif SOI est
valable sur les SiGeOI, donc lorigine du bruit 1/f est bien par la fluctuation du nombre de
porteurs et de la mobilit On peut comparer lvolution de bruit 1/f pour des diffrents
pourcentages qui va de 15% jusqu 40%.
Au niveau de la figure (IV.17) il est prsent une comparaison de cette volution pour des
diffrents pourcentages de germanium.

Figure IV.17 : Evolution des niveaux de bruit 1/f f=1Hz pour les diffrentes plaque (15%-20%-30%-40%).

Ensuite la figure qui prsente la comparaison de la densit spectrale de courant de bruit divis
par le courant Id au carr en fonction du courant Id pour les quartes plaques.
Id(A)
1e-10 1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
S
I
d
/
I
d
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
SID/id pour SiGe 20%
Sid/id pour SiGe 40%
Sid/id pour SiGe40%/sSOI
plaque de rfrence

Figure IV.18 : Comparaison Sid/id en fonction de Id.
Id
1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
S
i
d

@

1
H
z
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
SiGe(15%)
SiGe(20%)
SiGe(30%)
SiGe(40%)
56

Daprs cette courbe la diffrence entre les plaques est claire, on voit trs bien
limpacte de laugmentation du pourcentage de germanium.une diffrence claire mais le
comportement des quatre plaque est similaire, on voit un plateau puis une pente -1.
IV.1.2.2.Caractrisation de linterface arrire :
Pour effectuer ces mesures, on a appliqu une tension V
DS
=50mV, une tension
linterface avant pour bloquer le canal avant V
G1
=0V, et au niveau de la grille arrire V
G2

varie de 0V 37V.
Des exemples de spectres de bruit mesurs pour les trois plaques ainsi que la plaque
des rfrences sont reprsents sur la figure suivante.

Figure IV.17 : Spectres de bruit arrire avant mesurs pour diffrentes polarisations.

SiGe20%
Frq(Hz)
1e+0 1e+1 1e+2 1e+3 1e+4 1e+5
S
I
d
1e-27
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
Vb=8V
Vb= 15v
vb=22v
vb=30v
SiGe40%
freq(Hz)
1e+0 1e+1 1e+2 1e+3 1e+4 1e+5
S
i
d
1e-27
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
1e-15
vb= 12v
vb=18v
vb=26
SiGe40%/sSOI
Freq
1e+0 1e+1 1e+2 1e+3 1e+4 1e+5
S
I
d
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
vb=6V
vb=12.5v
vb=18
vb=26v
rfrence
Freq(Hz)
1 10 100 1000 10000
S
I
d
1e-27
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
vb=6v
vb=10v
vb= 12 v
vb=20 v
vb=28
57

Il est bien claire et comme au face avant, on peut constater que les courbes obtenues
prsentent une pente (-1) ce qui correspond au bruit 1/f. ce qui explique que le bruit qui existe
est du type 1/f.au court des mesure de bruit et on variant Vg les transistor risque de perdre
compltement leur fonctionnement normale ce qui nous oblige tout refaire puisque il faux
quon fasse les deux mesures face avant et arrire pour le mme transistor ce qui rend les
expriences un peut dlicates.
La figure (IV.19.a) prsente la caractristique de transfert des transistors de gomtrie
L=1m et W=10m et le courant mesur lors des mesures de bruit, dune part on constate que
les transistors choisis ont un bon fonctionnement dautre part le courant prlev au court des
mesure de bruit concide avec la caractristique de transfert prleve laide du HP 4156C,
du coup on peut pass la comparaison de lvolution de Sid 1hz avec le modle corole.

SiGe20%
Vb
0 10 20 30
I
d
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
Vg vs ID
Vg vs Id-mesure
SiGe40%/sSOI
vb
0 10 20 30 40
I
d
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
Col 2 vs ID4
Col 2 vs Col 3

rfrence
Vb
-20 -10 0 10 20 30 40
I
d
1e-17
1e-16
1e-15
1e-14
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
Col 2 vs ID4
Col 2 vs Id-mesurer
SiGe40%
Vb
0 10 20 30 40 50
I
d
1e-14
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
vb vs id
vb vs id-mesure

Figure IV.19.a : les Id(Vg) mesurs lors de chaque mesure de bruit compar celui mesur lors des
caractrisations.

58

On constate que les valeurs de Sid@1Hz suivent trs bien le modle corrl aprs
avoir bien fitter les courbe avec les valeur de tension de bande plates utilis pour la face
avant et en jouant sur les valeurs du paramtre de diffusion coulombienne , on arrive a
superpos le modle avec nos mesures.les valeurs des paramtres sont prsents dans le
tableau suivant :
0.5

e2 1.5 e2 1 e3 1 e2
Tableau IV.6 : les valeurs du paramtre de diffusion coulombienne pour les diffrentes plaques (face arrire).

SiGe(20%)
Id(A)
1e-10 1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
S
I
d

@
1
H
z
(
A
/
H
z
)
1e-28
1e-27
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
Sid=f(Id)
modle corrl
rfrence
id
1e-10 1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
S
i
d

@

1
H
z
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
modle corrl
ID4 vs SId@1hz
SiGe40%/sSOI
Id
1e-7 1e-6 1e-5 1e-4
S
i
d
@
1
H
z
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
Sid 1Hz=f(Id)
modle corrl
40%
Id
1e-11 1e-10 1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
S
I
s

@
1
H
z
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
id vs SId @ 1Hz
modle corrl

Figure IV.19.b : Lvolution des niveaux de bruit en 1/f relevs f=1Hz en fonction de I
D
, comparaison avec
modle corrl pour la gomtrie w=10m

et L=1m.

59

Do on peut conclure que lorigine de bruit 1/f est le modle N-.Pour mieux voir
cette volution on passe la courbe de Sid/Id=f(Id) et on compare avec les Sid mesur.
SiGe40%
Id(A)
1e-11 1e-10 1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4
S
i
d
/
i
d
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
Sid/id
SIdmesure/id
.
SiGe20%
Id
1e-10 1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
S
i
d
/
I
d
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
Sid/id
SIdmesure/id

SiGe40%/sSOI
Id
1e-7 1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
S
i
d
/
I
d
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
Sid/id
SIdmesure/id
plaque rfrence
Id(A)
1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
S
i
d
/
i
d
1e-15
1e-14
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
1e-2
1e-1
Sid/id
SIdmesure/id

Figure IV.20: Evolution de Sid/Id en fonction de Id pour les quatre plaques.

Lvolution de Sid mesur /Id suit trs bien le Sid/id ce qui confirme que le
fonctionnement en face arrire suit bien le modle N-.Dautre part, ci-dessous une
comparaison de lvolution de Sid/Id en fonction de Id pour les quatre plaques prouve que le
bruit en 1/f prsent dans les dispositifs provient de la fluctuation de la mobilit et du nombre
de porteurs (modle N-).
60

Id(A)
1e-11 1e-10 1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
S
i
d
/
I
d
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
SiGe20%
SiGe 40%
SiGe40%/sSOI
plaque rfrence

Figure IV.21 : Comparaison de Sid/Id en fonction de Id pour les quatre plaques

Calcule de la densit de pige Nt :
Conformment au dmarche explique au niveau du chapitre II(II.3.4.3) pour extraire
la densit de piges dans loxyde Nt On se base la formulation du modle corrl et laide
des valeurs calcul dans le tableau (III.2) a nous permet de calculer une densit de piges
dans loxyde Nt (quation IV.1), exprime en [cm
- 3
ev
-1
] :
(IV.1)
Avec : =1Hz,=4.2 e+9 m
-1
(face avant),=10 e+10 m
-1
(face arrire), K=1.3381 e-23
W=10m, L=1m, q=1.602 e-19 C, et T=300C.

Les valeurs calcules des deux interfaces avant et arrire sont reprsentes sur le tableau
suivant.
Plaque
SiGe20%
Plaque
SiGe40%
Plaque
SiGe40%/sSOI
Plaque rfrence
Bruit face avant[cm
-3
ev
-1
] 5.79 e+17 1.49 e+18 1.922 e+17 6.11 e+17
Bruit face arrire[cm
-3
ev
-1
] 1.181e+17 1.189 e+17 1.600 e+17 8.27 e+16
Tableau IV.7: Densit de piges pour les diffrentes plaques.

61

Conclusion de la caractrisation en bruit
On peut dire que les transistors SiGe sont trs sensibles ce qui nous a cr des
problmes au niveau des mesures car on peut perdre le transistor au court des mesures ce qui
nous oblige de tout refaire pour les deux faces. Dune manire gnrale, Les rsultats obtenus
sur la face avant et sur la face arrire ne sont pas similaires.
Les spectres mesurs dans les deux faces prsentent une pente (-1) signifiant quon a bien
du bruit en 1/f. En face arrire lvolution de Sid suit trs bien le modle gm*Svg juste au
niveau de faible inversion pour la plaque SiGe20% on remarque que la courbe scarte un
peu par rapport au modle.
Par contre pour la face avant et au niveau des quatre plaques on peut conclure que
lvolution de Sid scarte en forte inversion et ne suit pas le modle N-. On peut donc
conclure que lorigine du bruit 1/f dans ces dispositifs pour la face arrire est le modle
corrl. Par contre pour la face avant et au niveau de la forte inversion le bruit 1/f ne suit pas
le modle, donc son origine on ne peut pas lattribuer ce modle, et ses origines restent une
question ouverte pour nos recherches. Lextraction de Nt, la densit de piges dans loxyde,
montre quune augmentation de pourcentage de germanium implique une augmentation de Nt.
IV.2 Partie 2 les rsultats des PMOS
Dans cette partie nous prsentons les rsultats des transistors PMOS des plaques
SiGe20%, SiGe40%, SiGE40%/sSOI et la plaque rfrence. On commence par ltude
statique des deux interfaces ensuite la caractrisation en bruit pour la face avant ainsi que la
face arrire.
IV.2.1. Rsultats de la caractrisation statique
IV.2.1.1. Caractristique face avant
Plusieurs mesure en t faite sur les diffrentes plaques.les rseaux suivant dans la
figure(IV.21) prsente les caractristiques courant tension Id=f(Vg1) pour des diffrente
gomtrie W=10m et de longueur L=5m, L=2m, L=1m, L=0 .75m, L=0.5m et
L=0.35m. pour certaine plaque on a pas arriv a extraire les caractristiques pour quelques
gomtrie vu que les transistor sont trs sensible et on perd le transistor au court de mesure
soit que le transistor na pas le bon fonctionnement ce qui nous oblige lcart et utilis juste
les bon transistor pour avoir une meilleure extraction des paramtres.
62

Aprs plusieurs essaye on est bien sur que pour annuler la face arrire il faut appliquer
une tension V
G2
(ou V
B
)

gale 0V, nous supprimons la conduction face arrire, donc on est
sr que la conduction se passe quau niveau de la face avant du transistor.
Vg(V)
-1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0
I
d
(
A
)
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
L=5m
L=2m
L=1m
L=0.75m
L=0.5m
L=0.35m
rfrence
PMOS-SiGe(20%)
Vg(V)
-1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5
I
d
(
A
)
1e-15
1e-14
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
L=5m
L=2m
L=1m
L=0.75m
L=0.5m
L=0.35m
SiGe40%/sSOI
Vg
-1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0
I
d
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
L=5m
L=2m
L=1m
L=0.75m
L=0.5m
L=0.35m
sige40%
Vg
-1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0
I
d
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
L=5m
L=2m
L=1m
L=0.75m
L=0.5m
L=0.35m

D
=f(V
G1
) V
DS
=50mV pour V
G2
=0 V pour diffrentes gomtries.

Daprs la figure (IV.22) on peut dire que le fonctionnement des transistor est un
fonctionnement normale et les valeurs de courant de fuite sont des valeurs acceptable, aussi
on peut remarqu que au niveau de la plaque SiGe20% ainsi que les autre que le courant de
fuite est plus important pour les grand gomtrie c'est--dire des longueurs de canal suprieur
ou gale 1m. La figure (IV.23) dcrit lvolution de la tension de seuil en fonction de la
longueur de grille et en comparant les quatre plaques reprsentant une concentration
diffrentes du Germanium.
63

L(m)
0 1 2 3 4 5 6
I
V
t
I
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
SiGe 20%
SiGe 40%
plaque rfrence
SiGe40%/sSOI

Figure IV.23 : Evolution de la tension de seuil en fonction de la longueur de la grille et en fonction de la
concentration du germanium.
On constate dune part que laugmentation de la concentration de Germanium dans
Si
1-x
Ge
x
engendre une diminution de la tension de seuil en valeur absolue.
Dautre pars les valeurs de la tension seuil des diffrentes gomtries de la plaque de
rfrence (PFET SOI) sont suprieure par rapport aux celle des plaques qui contient du
germanium ce qui confirme notre premire constations que laugmentation du germanium
diminue la tension seuil en valeur absolue.
Ltape suivante cest dextraire le Gm ainsi que le * comme il est expliqu dans la
mthode Y pour faire le trac de *=f(Gm) les figure IV.23 et IV.24, ce qui nous permet
dextraire la dgradation de la mobilit ainsi que la rsistance daccs.
Gm
0.000 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007
t
t
h
a
*
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
SiGe40%
SiGe-20%

Figure IV.24 : dtermination de la dgradation de la mobilit et les rsistances sries des deux plaques
SiGe20% et SiGe40% .
64

Gm
0.000 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007
t
t
h
a
*
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
SiGe40%/sSOI

Gm
0.000 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007
t
t
h
a
*
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Gm-avant-P-ref- vs thta*-prf-avant

Figure IV.25 : dtermination de la dgradation de la mobilit et les rsistances sries les deux plaques
SiGe40%/sSOI et plaque de rfrence.

Les valeurs de la dgradation de la mobilit et les rsistances sries extraites sont
reportes sur les tableaux suivant :
SiGe20%: SiGe40% SiGe40%/sSOI rference
Dgradation de la
mobilit
0.33 0.47 0.56 0.43
Resistance Racc 90 60 62 112
Tableau IV.8 : dgradation de la Mobilits extraites pour les quatre plaques.
65

On constate quune augmentation de germanium implique une augmentation de la
dgradation de la mobilit. Afin dextraire la mobilit nous avons appliqu la mthode Y
(chapitre III).Daprs lextraction de Gm quon a dj fait lors de la dtermination de la
dgradation de mobilit (*). On aura la mobilit partir de lvolution de 1/Gm en fonction
de la longueur du masque (Lmask).
La figure si dessous (IV.25 et IV.26) prsente lvolution de 1/Gm en fonction de la
longueur du masque (Lmask), ce qui nous permettra dextraire la mobilit.
L(m)
0 1 2 3 4 5 6
1
/
G
m
0
500
1000
1500
2000
2500
SiGe20%
SiGe40%
SiGe/sSOI
plaque rfrence

Figure IV.26: Evolution de 1/Gm en fonction de la longueur de grille pour toutes les plaques.
L(m)
0 1 2 3 4 5 6
1
/
G
m
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
SiGe20%
SiGe40%

Figure IV.27: Evolution de 1/Gm en fonction de la longueur de grille pour les deux plaques SiGe 20 et 40%.

66

Les courbe 1/Gm=f(Lmask) correspond exactement lallure que nous avons dj
prsent dans lexplication de la mthode Y, a confirme lexactitude des mesure faite pour
les diffrentes plaques. laide du calcule de la pente de ces tracs on rcupr la mobilit,
les valeurs calculs sont reprsents dans le tableau suivant :
L
(m)
SiGe 20% SiGe 40% SiGe40%/sS
OI
rfrence SiGe
20%
SiGe
40%
SiGe40%/sSOI rfrence
5 6.5000e-4

5.9700e-4

6.3400e-4

5.0000e-4

184

254

169

209
2 1.4000e-3

1.3500e-3

1.5300e-3

9.4100e-4

1 2.4200e-3

2.0000e-3

2.5700e-3

2.0000e-3

0.75 2.8800e-3

3.5500e-3 ------------- 2.8300e-3

0.5 4.2000e-3 ------------ 4.7300e-3 4.6400e-3
0.35 6.5500e-3 ------------- -------------- -------------
Tableau IV.9 : Mobilits extraites pour les quatre plaques.
On constate quune augmentation de la concentration du germanium, donne comme
rsultat direct une augmentation de la mobilit.
IV.2.1.2 Caractrisation face arrire
La caractrisation de linterface arrire se fait en supprimant la conduction au niveau
du canal avant. Pour cela, nous avons analys le rseau de caractristique face arrire pour
diffrente valeur de Vg1 et nous pouvons conclure que le canal avant est bloqu pour une
tension vg1=0.

67

Comme au premire partie de ce chapitre, pour les PMOS aussi on a rencontr des
problmes aux niveaux de la rcupration des caractristiques de transfert pour tout les
gomtries, pour cela on a gard que les courbe ou le transistor garde sont bon
fonctionnement. Les conditions de polarisations sont les suivantes :
V
DS
= -50mV
V
G2
varie de -40V +40V
V
G1
=0
20%
vb
-40 -20 0 20 40
i
d
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
vb vs ID2
Col 4 vs ID3
Col 6 vs ID5
Col 6 vs ID6
Col 8 vs ID7

Vb
-40 -30 -20 -10 0 10 20
I
d
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
L=5m
L=2m
L=1m
L=0.75m
L=0.5m
40%
Vb
-40 -20 0 20 40
I
d
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
L=5m
L=2m
L=1m
L=0.75m
L=0.5m
L=0.35m
p18
vb
-40 -30 -20 -10 0 10 20
I
d
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
L=5m
L=2m
L=1m
L=0.75m
L=0.5m
L=0.35m
D
=f(V
G2
) pour diffrentes gomtrie pour les plaques (SiGe
20%
) ,
(SiGe
40%
),(SiGe
40%
/sSOI) et la plaque rfrence.
Sur les caractristiques de transferts des transistors I
D
(V
G2
), on remarque que les
gomtries L=1m de la plaque SiGe40% prsentent un courant de fuite anormal par rapport
aux autres gomtries, cette caractristique est la meilleure quon a pus extraire parmi les
chantillons des plaques SiGe40% et quant autres plaques rien danormal nest signal.
68

Ensuite en passe dtermin la dgradation de la mobilit et les rsistances daccs
pour chaque plaque. Les graphes de *=f(Gm) sont des droite une pente positive (figure
IV.28), on extrait la rsistance partir de la pente et la dgradation de la mobilit est gale
lintersection avec laxe dordonn. Les valeurs calcules de linterface arrire sont
reprsentes sur le tableau (4.7).
Gm
0.0 5.0e-6 1.0e-5 1.5e-5 2.0e-5 2.5e-5
t
t
h
a
*
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
plaque rfrence
p18
Gm
0.00000 0.00002 0.00004 0.00006 0.00008 0.00010 0.00012 0.00014 0.00016
t
t
h
a
*
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
SiGe40%/sSOI

SiGe20%
Gm
0.00000 0.00002 0.00004 0.00006 0.00008 0.00010 0.00012 0.00014 0.00016
t
t
h
a
*
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0.030
0.035
0.040
Gm
0.00000 0.00002 0.00004 0.00006 0.00008 0.00010 0.00012 0.00014 0.00016 0.00018
t
t
h
a
*
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
SiGe40%

Figure IV.29 : dtermination de la dgradation de la mobilit et des rsistances sries de la plaque SiGe 40%

69

Les valeurs calcules de linterface arrire sont reprsentes sur le tableau (4.7).
SiGe20%: SiGe40% SiGe40%/sSOI rference
Dgradation de la
mobilit
0.008 0.021 0.019 0.006
Resistance Racc 54.37 21.5 53.33 80
Tableau IV.10 : Dtermination de la dgradation de la mobilit et les rsistances sries des dispositifs.
Les mobilits sont extraites avec la mthode Y, comme pour ltude de linterface avant, en
traant la fonction 1/Gm=f(Lmask).

L(m)
0 1 2 3 4 5 6
1
/
G
m
0
10000
20000
30000
40000
50000
60000
70000
80000
SiGe40%
SiGe20%
L(m)
2 4 6 8 10
1
/
G
m
0.0
5.0e+4
1.0e+5
1.5e+5
2.0e+5
2.5e+5
SiGe40%/sSOI
plaque rfrence

Figure IV.30 : Dtermination de la mobilit face arrire des transistors PMOS des quatre plaques tudis.
Lmask (m)
0 1 2 3 4 5 6
1
/
G
m

(
V
/
A
)
0
20x10
3
40x10
3
60x10
3
80x10
3
100x10
3
120x10
3
140x10
3
160x10
3
SiGe15%
SiGe30%
P14
P22
70

Lvolution de 1/Gm en fonction de la longueur du masque (Lmask) pour les
diffrentes plaques nous permettra dextraire la mobilit. On peut constater linfluence du
germanium sur les pentes des courbe figure IV.29, ce qui nous donne une variation de la
mobilit d au diffrence de germanium entre les plaques.
Les valeurs calcules sont prsent dans le tableau 4.7.
Longue
(m)
SiGe 20% SiGe
40%
SiGe40%/sSOI rfrence SiGe 20% SiGe 40% SiGe40%
/sSOI
rfrence
5 1.38 e-5 1.59e-5

2.15 e-5 4.53e-6

289

339

496

109

2 1.55 e-5 3.699e-5 4.02e-5 1.16e-5
1 1.022 e-4 5.215e-5 5.71 e-5 2.19e-3
0.75 1.13 e-4 6.91e-5 -------- 2.92e-5
0.5 1.13 e-4 1.03e-4 1.36 e-4 ------
0.35 1.42 e-4 1.63e-4 1.43 e-4 --------
Tableau IV.11 : Mobilits extraites pour les quatre plaques (face arrire).
Les mobilits extraites augmentent dune plaque une autre avec laugmentation de la
concentration du germanium. Les valeurs obtenues face arrire sont suprieures aux valeurs
face avant.
Conclusion de la caractrisation statique
Daprs les contraintes rencontres pendant les mesures statiques on peut dire que les
transistors PMOS SiGe sont un peu dlicat au niveau de manipulation ce qui laisse les
expriences sensibles. La caractrisation face arrire montre quen appliquant une tension
nulle au niveau de la grille avant, on bloque le canal avant, et vice versa.
Deux mesures ont t ralises pour chaque plaque, lextraction des paramtres de
conduction a montr que la concentration du germanium (Si
1-x
Ge
x
) dans le film semi-
conducteur influence de faon relative sur lensemble de ces paramtres.
Le fonctionnement des transistors tudis est un fonctionnement normal et les courants
Ioff ont des valeurs acceptables. Daprs la caractrisation statique de ces transistors on
constate quen augmentant la concentration du germanium, la mobilit des trous est amliore
71

en gardant une dgradation de mobilit acceptable. On remarque aussi une augmentation plus
importante de la mobilit par rapport la face avant.
IV.2.2 Caractrisation en bruit :
Cette caractrisation prsente deux objectifs. Le premier est de comprendre lorigine
du bruit en 1/f et de localiser les sources de bruit dans le composant, le second est dextraire
Nt la densit de piges dinterface pour qualifier la technologie et le matriau car le bruit 1/f
est la somme des signatures de tous les piges prsents dans loxyde.
IV.2.2.1 Caractrisation de linterface avant
Les spectres de bruit mesurs sont reprsents sur la figure IV.30 ci-dessous, pour V
G1

variant de 1V -1.5V. Les tensions dalimentation de la grille et du drain sont assures par
des batteries parce quelles gnrent un signal propre et constant. Les mesures pour la face
avant et arrire ont t faites pour la gomtrie choisie (L=1m).
rfrence
X Data
1e+0 1e+1 1e+2 1e+3 1e+4 1e+5
Y

D
a
t
a
1e-27
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
vg=0,5
vg=0.6
vg=0.7
vg=0.9
vg=1v
SiGe40%/sSOI
Freq(Hz)
1 10 100 1000 10000
S
I
d
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
vb=0,6v
vg=0,7V
vg=1V
Col 10 vs vg=1.5
Col 13 vs vg=0.2

40%
Freq(Hz)
1e+0 1e+1 1e+2 1e+3 1e+4 1e+5
S
i
d

@

1
H
z
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
Col 1 vs 0.5
Col 4 vs 0.75
Col 7 vs 0.9
SiGe20%
Frequence(Hz)
1e+0 1e+1 1e+2 1e+3 1e+4 1e+5
S
i
d
(
A
/
H
z
)
1e-27
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
1e-15
1e-14
vg=-0.5 v
vg= -0.8 v
vg= -1.2 v
vg= -0.25 v

D
=f(V
G1
) V
DS
=50mV pour V
G2
=0 V pour diffrentes gomtries

72

On constate que les courbes obtenues prsentent une pente (-1) ce qui correspond au
bruit 1/f. Ce qui explique que le bruit qui existe est du type 1/f, les pics visibles sur les
spectres sont dus aux effets externes comme par exemple le rseau 50 Hz (secteur), en hautes
frquences, cest le bruit blanc qui est visible. Daprs ces courbes, on peut conclure quil y a
une distribution uniforme des piges dans loxyde.
Les mesures de bruit pour les deux faces doivent tre faites pour la mme gomtrie et
sur le mme transistor. Parmi les problmes quon a rencontr cest quon perd le transistor au
cours des mesures et ce qui rend ces mesures trs dlicates et doivent tre faites avec le plus
grand soin possible car toute dtrioration du transistor au court de lexprience soit dans la
face avant ou arrire nous oblige tout refaire ds le dpart. On a bien russi raliser les
mesures de bruit pour les quatre plaques et on a compar lvolution de Sid @1Hz par rapport
au modle.

SiGe(40%)
Id
1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
S
I
d

1
h
z
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
SiGe40%/sSOI
id
1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
Y

D
a
t
a
1e-28
1e-27
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
Id vs SId@1Hz
Id vs Col 6
rfrence
id
1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4
S
i
d
@
1
h
z
1e-27
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
0.5e-10
Col 2 vs Col 4
SiGe20%
id
1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4
S
i
d
@
1
H
z
1e-27
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
Id vs S Id @ 1Hz
Id vs Col 6

D
, comparaison avec le
modle corrl pour la gomtrie w=10m
,
L=1m.

73

Aprs avoir fitter les courbes de On remarque que pour les dispositifs (SiGe
20%
) et la
plaque de rfrence, les mesures scartent du modle en forte inversion (pour des forte
valeurs de courants), loppose de la plaque A (SiGe
40%
) et (SiGe
40%
/sSOI) qui suivent trs
bien le modle corrl dans la faible ainsi que la forte inversion.les valeur des paramtres du
modle sont dans le tableau suivant :
2

e2 4 .3e3 1.5 e3 1.2 e3
Svfb1 1.4

e-11 5 e-11 1.5

e-11 1 e-10
Svfb2 2 e-9 1

e-8 1.5 e-8 1 e-7
plaques (face avant).

Pour mieux voir cette volution on passe la courbe de Sid/Id=f(Id).
La figure IV.32 prsente la densit spectrale de courant de bruit norme au carr du courant
pour les quatre plaques, dans le but de prouver que le bruit en 1/f dans ces dispositifs trouve
bien son origine dans le modle corrl.

74

1
Id
1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4
S
i
d
/
i
d
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
SiGe20%
Sid/Id
2
Id
1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
S
i
d
/
I
d
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
SiGe40%/sSOI
Sid/Id=f(Id)

SiGe40%
id
1e-7 1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
S
i
d
/
i
d
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
rfrence
Id
1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4
S
i
d
/
i
d
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
Col 15 vs Col 16
Col 15 vs Col 17
Figure IV.33 : Lvolution la densit spectrale de courant de bruit norme au carr du courant pour les quatre
plaques.

Il est bien claire que pour les plaques SiGe 40% et SiGe40%/sSOI suivent
parfaitement le modle corrl et pour la plaque de rfrence on constate qua partir dune
certaine valeur en forte inversion les mesures scartent du modle. On peut dire quune
augmentation du pourcentage de germanium favorise que lvolution de bruit suit le modle
corrl.
IV.2.2.2 Caractrisation de linterface arrire
Pour effectuer ces mesures, on a appliqu une tension V
DS
=-50mV, une tension
linterface avant pour bloquer le canal avant V
G1
=0V, et au niveau de la grille arrire V
G2

varie de 0V 37V.Des exemples de spectres de bruit mesurs pour les trois plaques ainsi que
la plaque des rfrences sont reprsents sur la figure suivante.

75

plaque rfrence
Fr(Hz)
1 10 100 1000
S
i
d
1e-27
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
vb=16 v
vb=19 v
vb=22.5 v
vb=25v
vb=29v
vb=35v
SiGe40%/sSOI
Freq
1e+0 1e+1 1e+2 1e+3 1e+4 1e+5
S
I
d
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
vb=8V
vb=14v
vb=18
vb=28v

SiGe20%
Frq(Hz)
1e+0 1e+1 1e+2 1e+3 1e+4 1e+5
S
I
d
1e-27
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
Vb=8V
Vb= 15v
vb=22v
vb=30v

SiGe40%
freq(Hz)
1e+0 1e+1 1e+2 1e+3 1e+4 1e+5
S
i
d
1e-27
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
1e-16
1e-15
vb= 15v
vb=20v
vb=24

Figure IV.34 : Exemples des spectres de bruit arrire avant mesurs pour diffrentes polarisations.
On peut constater que les courbes obtenues prsentent une pente (-1) ce qui
correspond au bruit 1/f. ce qui explique que le bruit qui existe est du type 1/f. On a choisit de
ne pas aller jusqu' 40V car les transistors risque dtre dtriors et ce puisque ont a pas un
grand nombre dchantillons et ce qui nous limite ainsi comme il est indiqu au dpart les
mesure face avant et face arrire doivent tre faites pour le mme transistor.
76

SiGe40%
Id
1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4
S
I
d

@
1
H
z
1e-35
1e-34
1e-33
1e-32
1e-31
1e-30
1e-29
1e-28
1e-27
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17

SiGe40%/sSOI
Id
1e-7 1e-6 1e-5 1e-4
S
i
d
@
1
H
z
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
id4 vs Col 6
id4 vs Sid@1hz

plaque rfrence
Id
1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4
S
i
d
@
1
H
z
1e-27
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
modle
Sid @1hz mesure
SiGe(20%)
Id(A)
1e-10 1e-9 1e-8 1e-7 1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
S
I
d

@
1
H
z
(
A
/
H
z
)
1e-28
1e-27
1e-26
1e-25
1e-24
1e-23
1e-22
1e-21
1e-20
1e-19
1e-18
1e-17
Sid=f(Id)
le Modle

D
, comparaison avec la
quantit g
m
Sv
FB

et L=1m.

On constate que les valeurs de Sid@1Hz suivent trs bien la courbe du modle corrl
pour les diffrentes plaques, lallure coricide parfaitement avec le modle aprs avoir fitter les
courbe avec les paramtres prsent dans le tableau suivant do on peut conclure que
lorigine de ce bruit 1/f est le modle N- .

77

2

e2 4 e2 1.5 e3 3 e2
(face arrire).
Calcule de la densit de pige Nt :
Comme il est expliqu au niveau du chapitre II,le calcul de la densit de pige est
exprime en [cm
- 3
ev
-1
] et les valeurs calcul sont dans le tableau 4.8.
Grce lanalyseur de spectre, on rcupre la densit spectrale de bruit S
id
, on sait que
le modle dit comme cest expliqu dans le chapitre III :
(IV.2)

Avec :
(IV.3)

O S
VFB
est la densit spectrale de puissance de tension de bandes plates Et daprs la
formulation de Ghibaudo [Ghibaudo 91]
est donne par :

(IV.4)
Et on a le systme suivant :

(IV.5)

On prlve les valeurs de S
id
f= 1Hz et on a calcul les valeurs des constantes qui
sont prsent dans le chapitre 3 de cette faon on calcule la densit des piges.
A partir des relations prcdentes, on extrait Nt qui scrit de lexpression de Nt :

(IV.4)

78

Les valeurs calcules des deux interfaces avant et arrire sont reprsentes sur le
tableau suivant.
Plaque
SiGe20
%
Plaque
SiGe40%
Plaque
SiGe40%/sSOI
Plaque rfrence
Bruit face avant [cm
-3
ev
-1
] 1.5e+18 1.15 e+18 ------------ -------
Bruit face arrire [cm
-3
ev
-1
] 1.181e+1
7
3.46 e+17 ------------ -------
Tableau IV.14: calcul des densits de piges dans loxyde exprimes en cm
-3
ev
-1
.

Les rsultats sont ceux attendus, puisque dautres tudes ont prouv quil y a un facteur 10
entre les deux oxydes SiO
2
et le H
f
O
2
.
Conclusion de la caractrisation en bruit :
En gnral, les rsultats obtenus sur la face avant et sur la face arrire sont similaires.
Les spectres mesurs prsentent une pente (-1) signifiant quon a bien du bruit en 1/f.
Au niveau de la face avant lvolution de Sid suit bien le modle corrl pour les deux
plaque SiGe40%/SOI et SiGe40%/sSOI ce qui nest pas le cas pour les deux autre plaque
do on peut conclure quune augmentation de germanium dans les dispositifs SOI amliore
la mobilit dune part et dautre part le bruit trouve son origine dans le modle corll,
puisquon a encore la face arrire que tout ces mesure concide parfaitement avec le modle
corrl.
On peut dire que le bruit 1/f dans ces dispositifs (SiGe) trouve son origine dans le
modle corrl. Lextraction de Nt, la densit de piges dans loxyde en face avant, montre
quil y a priori une lgre diminution de Nt avec laugmentation de la concentration du
germanium. Quant la face arrire, on remarque une augmentation plus importante de Nt.

79

IV.3.Partie 3
IV.3.1.Introduction

Dans cette partie, nous menons une tude de la fiabilit des transistors de puissance
Cool MOS que nous avons reu par la socit Schlumberger France.
La famille rvolutionnaire Cool MOS puissance tablit de nouveaux standards dans
le domaine de l'efficacit nergtique. En tant que leader dans la technologie MOSFET haute
tension, Cool MOS offre une rduction significative de la conduction et les pertes de
commutation et permet une densit de puissance leve et une efficacit suprieure pour les
systmes de conversion de puissance. Les transistors effet de champ base de silicium
reprsentent aujourdhui prs de 80% du march des composants semi-conducteurs, les
composants lectroniques comme les transistors MOS de puissance sont sensibles
lenvironnement dans lequel ils voluent et de nombreux facteurs peuvent tre lorigine de
leur dysfonctionnement.
Ltude de la fiabilit dun composant consiste regarder la dgradation de ses
paramtres caractristiques au cours du temps. Rappelons que le seul composant susceptible
de vieillir dans un circuit, si les rgles dlectro-migration sur les interconnections mtalliques
sont respectes, est le composant actif, ce qui est le cas pour notre Cool MOS.
Dautre part, la dure de vie de ces composants devient un problme majeur pour les
technologies MOS. Les prvisions les plus pessimistes annoncent des dures de vie trs
infrieures 10 ans sur les futurs nuds technologiques. Les mcanismes de dgradation
apparaissent de plus en plus tt, entranant une drive des paramtres physiques dont certains
sont directement lis au comportement lectromagntique du circuit intgr.
Les mesures de bruit sont un bon indicateur de qualit technologique des composants.
Le bruit tudi est le bruit (1 /f).
Nous commenons cette partie par une tude statique, aprs nous passons aux
mesures de bruit, avant et aprs vieillissement.
IV.3.2.avant veillissement
IV.3.2.1.tude statique
La polarisation du Cool MOS avec une tension applique entre la source et la grille,
cre la courbe du courant du drain en fonction de la tension V
GS
, ce qui est montr par les
figures (IV.36).

80

La transconductance pour un transistor effet de champ, est le rapport entre la variation
du courant de sortie et la variation de la tension d'entre. Elle s'exprime en ampres/volt.elle
est prsent dans la figure suivante selon deux chelle linaire et semi-logarithmique.

Figure IV.37 : Caractristique G
M
-V
GS
du Cool MOS.

On constate que sur toutes les figures prcdentes, il existe un sommet de
transconductance, qui est d au rapport du courant I
D
par la tension V
G
.

D
-V
GS
du Cool MOS.
81

Par contre si on prend le cas de V
GS
< V
TH
, on remarque que la transconductance a une
valeur minimale, et elle augmente avec le courant I
D
ainsi que la tension V
GS
. La diminution
de la transconductance est lie lexistence des rsistances daccs.
Pour la caractristique de sortie on polarise positivement le transistor avec une tension
V
DS
> 0. La figure III.3 montre un rseau de caractristique avec diffrentes tensions de V
GS
,
tenant compte de cet effet.

D
-V
DS
du Cool MOS.

Aprs lapplication dune tension V
GS
suprieure la tension de seuil V
TH
, il y a la
cration dun canal N. Lapplication dune tension V
DS
> 0 acclre les lectrons, de la source
vers le drain travers le canal et du coup la cration dun courant I
D
dbit par la source.
IV.3.3. Caractrisation en bruit:
Pour cette tude le transistor Cool MOS a t polaris V
DS
=50 mV et avec un gain
damplificateur G
AC
=1e-6 A/V, en faisant varier la polarisation sur la grille de la faible la
forte inversion. Les figures suivantes reprsentent les variations des densits spectrales des
courants de drain en fonction de la frquence, pour diffrentes tensions V
GS
appliques.

82

Le bruit en 1/f est un bruit trs gnral qui dnote une augmentation de la densit
spectrale aux basses frquences. Il est observ dans beaucoup de situations exprimentales.
Ici, ce bruit est li aux fluctuations de conductance lies aux dfauts du conducteur, des
impurets, comme des dopants, qui sont capables de piger des lectrons. Cest un bruit hors-
quilibre, proportionnel I. Ainsi ce bruit en 1/f va devenir prpondrant devant le bruit
blanc, proportionnel I.

Figure IV.39: spectre de bruit mesur V
GS
=2.88 V ( gauche) et V
GS
=2.95 V( droite).

Figure IV.40 : spectre de bruit mesur V
GS
=3 V.

83

Daprs les diffrentes mesures on a construit le tableau III.11 suivant :
V
GS
(V) 2.44 2.55 2.66 2.77 2.88 2.95 3
V
DS
(mV) 50 50 50 50 50 50 50
V
CC
(V) 0.019 0.059 0.187 0.56 1.67 3.6 5.5
G
AC
(A/V) 1e-6 1e-6 1e-6 1e-6 1e-6 1e-6 1e-6
G
DC
(A/V) 1e-4 1e-4 1e-4 1e-4 1e-4 1e-4 1e-4
I
D
(A)=
G
DC
* V
CC

1.9 5.9 18 56 160 360 550
SIA/1Hz
(A/Hz)
2e-22 2e-21 2e-20 2e-19 2e-18 1e-17 3e-17
Tableau IV.15 : Paramtre des tensions et des courants du Cool MOS.
En se basant sur la dfinition de la conductance lectrique dtaille dans le deuxime
chapitre, nous notons la prsence de deux sources de bruit proposes pour expliquer lorigine
du bruit en 1/f. Qui est d soit la fluctuation du nombre de porteurs dans le canal, selon
McWhoter soit la fluctuation de la mobilit des porteurs (Modle de Hooge).
Ainsi pour analyser les rsultats des mesures du bruit not il est ncessaire de
reprsenter SI
D
1Hz, en fonction de I
D
ce qui est mont par la figure III.12 en mode
logarithmique. Des investigations complmentaires sont ncessaires pour dterminer lorigine
du bruit en 1/f.
IV.3.2 Aprs vieillissements
Pour faire vieillir notre transistor Cool MOS on a soumis ce dernier sous une
temprature T=250C pendant 1 heure et on a refait toutes les mesures, on na pas trouv un
grand changement dans les caractristique prsentes dans la partie avant vieillissement.
On a refait encore le chauffage du Cool MOS sous la mme temprature pendant une
heure, la pente auquel en augmente la chaleur est une pente normale de telle sorte la
temprature elle atteint les 250C au bout de 10 minutes.

84

Les courbes suivantes montrent une comparaison des caractristiques de transfert
avant et aprs le premier, ainsi que le deuxime chauffage.

Figure IV.41: caractristiques de transferts avant et aprs vieillissement pour Vd=50mV.

On constate que le chauffage quon a exerc sur le transistor na pas un grand effet sur
la caractristique de transfert du transistor ce qui nous a conduit un deuxime chauffage,
mais on a trouv presque la mme allure.il y a pas une grande diffrence ni sur le courant de
fuite ni sur la tension de seuil. Ltape suivante est de vrifier limpact du vieillissement sur la
caractristique de sortie du transistor, en comparant les deux caractristiques de sortie avant et
aprs vieillissement comme il est prsent dans la figure (IV.41).

Vg(V)
0 1 2 3 4 5
I
d
(
A
)
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
1e-7
1e-6
1e-5
1e-4
1e-3
1e-2
1e-1
avant chauffage
aprs 1er chauffage
aprs 2eme chauffage
85

sortie aprs 2eme chauffage
vd
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
i
d
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
vg=3
vg=3.2
vg=3.4
vd(1er-chauff) vs id(1er-chauff)

Figure IV.42 : caractristiques de sortie aprs le premier et le deuxime chauffage

Daprs la courbe IV.41 on peut constater aucune volution et que le transistor garde
le bon fonctionnement. On peut zoomer sur la courbe pour mieux voir leffet du chauffage sur
le courant Id.

La figure IV.42 prsente une comparaison entre les deux caractristiques pour les deux
chauffages.

chauffage.

On constate une faible diminution de courant Id a peu prs gale 0,5mA. En gnral
on peut dire que le transistor Cool MOS garder le bon fonctionnement aprs deux
chauffages successifs.
caractrestique de sortie
Vd
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
I
d
0.0000
0.0005
0.0010
0.0015
0.0020
1er chauffage
2me chauffage

Figure IV.43 : comparaison des caractristiques de sortie aprs le premier et le deuxime
86

Ltape suivante est de faire ltude de bruit aprs ces deux chauffages et faire des
mesures pour extraire limpact du vieillissement sur le bruit des Cool MOS ainsi pour
analyser les rsultats des mesures du bruit il est ncessaire de reprsenter SI
D
1Hz/Id, en
fonction de I
D
ce qui est montr par la figure (IV.43).

La figure montre une dispersion au niveau des valeurs de Sid/id et du coup on ne peut
pas dire quil y a une grande diffrence aprs les deux chauffages pour les deux polarisations
15mV et 50mV.
Cest un rsultat non attendu, on peut dire que les deux chauffages nont pas conduit
un grand changement ni au niveau de fonctionnement statique du transistor ni au niveau du
bruit de fond.
Conclusion partie 3
En gnral les rsultats obtenus aprs le vieillissement ne sont pas des rsultats
attendus, pas de grande diffrence ni dans ltude statique ni dans ltude de bruit, pour cela
on a pens dautres mthodes de vieillissement. Une mthode a t propose par la socit
cest la mise en circuit de notre transistor avec une polarisation importante, cest un circuit
spcifique ce qui conduit un vieillissement important du transistor. On a reu le composant
vieilli de la part de la socit mais le transistor tait hors service, ltude a t interrompue
puisque on a pas reu le bon transistor vieillis de la part de la socit.

SID/id en fonction de ID Vd=15mv
Id
1e-6 1e-5 1e-4 1e-3
S
i
d
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
aprs le 2eme chauffage
avant chauffage
aprs 1er chauffage
SID/id en fonction de ID Vd=50mv
ID
1e-6 1e-5 1e-4 1e-3 1e-2
S
I
D
/
I
D
1e-13
1e-12
1e-11
1e-10
1e-9
1e-8
aprs le 2eme chauffage
aprs 1er chauffage
avant chauffage

Figure IV.44 :lvolution de SI
D
1Hz/Id, en fonction dID avant et aprs les deux chauffages.
87

Conclusion du chapitre
Daprs les rsultats exprimentaux obtenus, on peut dire que les dispositifs SiGe sur
SOI garde un bon fonctionnement quelque soit le pourcentage de germanium.
Limpacte de germanium sur les SOI avec laugmentation de mobilit quon a tellement
besoin, dautre part le bruit dans ces dispositifs suit un modle corrl quon le maitrise.
Donc on peut conclure que les dispositifs SiGe sur SOI peuvent tre une parmi les
solutions pour les problmes de lavenir de llectronique.

Conclusion gnrales
88

Conclusion gnrales

Lobjectif principale de ce travail porte sur ltude exprimentales et la caractrisation
en bruit des transistors MOSFETs SiGe sur SOI, ainsi que faire une tude comparative entre
les dispositifs SiGe15
%,
SiGe
20% ,
SiGe3
0%
et SiGe
40%
et SiGe
40%
/sSOI qui ne sont pas encore
commercialiss et ne sont pas encore parfaitement matriss. Ainsi que ltude de
vieillissements des transistors MOS de puissance.
Nous avons prsent les diffrents rgimes de fonctionnement du transistor MOS, les
mthodes de caractrisation des transistors MOSFET en statique et en bruit, nous avons
montr le type et lorigine du bruit prsent dans les dispositifs qui ne sont pas encore
commercialiss.
Durant ce stage, jai pu madapter avec ce sujet, qui est aux dparts difficiles vu que
cest nouveau le sujet ainsi que les matriels ainsi que les soucis de la sensibilit des
dispositifs sur wafer en germanium ce qui a ralentie lavancement de travail, mais jai bien pu
madapter et jai eu loccasion de manipuler des appareils professionnels trs demands dans
le domaine industriel.
Le travail effectu nest pas termin, il manque la fin de ltude de vieillissements, car
on na pas reut les composants vieillis de la part de la socits.il manque encore quelque
interprtation de quelques phnomnes physique puisque il manque des caractrisations
physiques pour pouvoir s'assurer des phnomnes physiques obtenues au cours des
manipulations en plus ces rsultats vont tre dvelopp au cours dune thse donc ces rsultats
reste comme une tape prliminaire et comme un dbut pour ce projet.
Lavenir de llectronique est conditionn sur les solutions propos la question cl de
plusieurs recherches scientifiques, cest comment pouvoir poursuivre la miniaturisation dans
les prochaines annes et remplir les critres de lITRS. Dans ce stage on a pus faire ltude sur
des dispositifs qui ne sont pas encore commercialiss et que les chercheurs les voient
comment une solution et rponse a cette question cl dans lavenir.
Ce stage tait pour moi une initiation la miniaturisation comme perspective puisque
dans tout les domaines et surtout en lectronique on vise laborer des systmes miniaturiss
mais qui des critres qui rpondent aux objectifs de l'industriels qui sont dans la plus part des
cas : peu couteuse, rentable, reproductible, rapide, et performant.
Bibliographie
88

Bibliographie

[ITRSOS] Internatioanal technology Roadmap for Semiconductors
http://www.itrs.net/Links/2O05ITRS/Home2005.htm, 09/11/2006
J.Colinge, Silicon on Insulator Technology; Materials to VLSI ISBN 1-4020-77734, Kluer
Academic Publishers, 3rs edition 1995

[szelag99] Bertrand Szelag, Etude des proprits Physiques et Electriques des transistors MOS
fortement submicroniques , these institut national Polytechnique de Grenoble

[Nguyen-Duc86] C.Nguyen-Duc, Low temperature mobility behavior in submicron MOSFETs
and related determination of channel length and series resistances.

[Chovet '78] A. Chovet, P. Viktorovitch, Le Bruit Electrique : Reprsentation
Symbolique et Mthodes De Mesure, L'Onde Electrique, vol. 58, p. 69, 1978

[Hooge'94] F.N. Hooge, 1/f Noise Sources, IEEE Transactions On Electron Devices, vol. 41,n. 11,
November 1994.

[McWhorter'57] A.L. Mac Whorter, 1/f Noise And Germanium Surface Properties,
Semiconductor Surface Physics, University of Pennsylvania Press, Philadelphia, p.
207, 1957.

[Ghibaudo 91]. G. Ghibaudo and al, Improved Analysis of Low Frequency Noise
in Field-Effect MOS transistors, phys. Stat Sol (a) 124, 571
(1991).

Bibliographie
88

[CHR 68]. S.Christensson, I.Lundstrom, and C.Svensson, Low noise in
MOS transistor- I Theory, Solid-State Electron, Vol.11,
p.797,1968

[A. Eyaa Mvongbote03] Arsne Eyaa Mvongbote, 26 May 2003, Thse de Doctorat
Caractrisation et modlisation du bruit en 1/f de transistor MOS
issus de technologie CMOS 0.25 m et 0.18 m p.186.

[M. Henry 01]. Henry Mathieu. Physique des semi-conducteurs et des
composants lectroniques 5
e
ditions mars 2001.

[Hung 90]. Kwok K. Hung, Ping K.KO, Chenming Hu and Yiu C. Cheng,
APhysics- Based Mosfet Noise Model for Circuit Simulation
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 37, No.5, May 1990
[Ghibaudo 91]. G. Ghibaudo and al, Improved Analysis of Low Frequency Noise
in Field-Effect MOS transistors, phys. Stat Sol (a) 124, 571
(1991).

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Rf: P 15 AU: 2010-2011

reprsente la valeur du courant de drain extrapole V

, dont linverse reprsente la variation de

est le potentiel de Fermi du semiconducteur et

en rgime linaire donne :

le paramtre de Hooge, il est constant pour un matriau, Qi

sont respectivement la capacit du film de silicium, la capacit de

calcul dans lquation suivante :

est donne par :

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