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Contenido:

EXPERIMENTO N1
El Diodo Rectificador .....................................................................................................................................2

EXPERIMENTO N2
El Diodo Emisor de Luz o LED ..................................................................................................................... 11

EXPERIMENTO N3
El Diodo Zener ........................................................................................................................................... 15

EXPERIENCIA N 4
Fuente de alimentacion no regulada ......................................................................................................... 20

EXPERIMENTO N 5
Fuente de Alimentacin Regulada con Zener ............................................................................................ 26

LABORATORIO N6
Polarizacin del Transistor BJT ................................................................................................................... 31

LABORATORIO N 7
DIAC ............................................................................................................................................................ 48

LABORATORIO N8
Oscilador Practico con UJT ......................................................................................................................... 53

LABORATORIO N9
Oscilador Practico con PUT ........................................................................................................................ 58

LABORATORIO N 10
El Dimmer ................................................................................................................................................... 62





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EXPERIMENTO N1
El Diodo Rectificador

I. OBJETIVOS

Utilizar caractersticas de operacin de los diodos semiconductores.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

Una fuente de corriente continua variable.
Un Multmetro.
Un Miliampermetro y un Microampermetro.
Un diodo semiconductor de SI y GE.
Un Voltmetro de C.C.
Resistencia de 100
Cables y conectores.

III. FUNDAMENTO TERICO
Un diodo es un elemento de dos terminales cuya caracterstica tensin-corriente no es
lineal. Est formado por un cristal semiconductor dopado de tal manera que una mitad es tipo
"p" y la otra "n", constituyendo una unin p - n. La terminal que corresponde con la parte "p"
se llama nodo y el que coincide con la "n" es el ctodo. Este diodo est compuesto por un
cristal de silicio o de germanio dopado, es decir, al que se le han incluido impurezas. El dopado
del silicio (o del germanio) se realiza para variar sus propiedades de semiconductor.
El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el polo positivo de la
batera al nodo, y el negativo al ctodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la
conexin opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversin de
corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificacin.
En resumen, son aplicables las condiciones que se describen en la figura 1.2.


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El diodo semiconductor est constituido fundamentalmente
por una unin P-N, aadindole un terminal de conexin a
cada uno de los contactos metlicos de sus extremos y una
cpsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los
terminales que corresponden al nodo (zona P) y al ctodo
(Zona N)

PRUEBA ESTTICA PARA UN DIODO SEMICONDUCTOR
La resistencia del diodo en polarizacin directa
debe ser muy baja comprada con el nivel de polarizacin
inversa. Mientras ms alta sea la corriente, menor ser el
nivel de resistencia. Para la situacin de polarizacin inversa
la lectura debe ser bastante alta.
NOTA:
Una alta lectura en la resistencia en ambas direcciones
indica con claridad una condicin abierta (dispositivo
defectuoso), mientras que una lectura muy baja de la
resistencia en ambas direcciones quiz indique un dispositivo
en corto.



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REGIN ZENER

Existe un punto en el cual la aplicacin de un voltaje demasiado negativo dar por
resultado un agudo cambio en las caractersticas, como lo muestra la figura 1.22. La corriente
se incrementa a una velocidad muy rpida en una direccin opuesta a aquella de la regin de
voltaje positivo.

El potencial de polarizacin inversa que da como resultado este cambio muy drstico
de las caractersticas se le llama potencial Zener y se le da el smbolo Vz.
La regin de avalancha (Vz) se puede acercar al eje vertical al incrementar los niveles
de: dopado en los
materiales tipo p y tipo
n. Sin embargo, mientras
Vz disminuye a niveles
muy bajos, como -5 V,
otro mecanismo llamado
ruptura Zener contribuir
con un cambio agudo en
la caracterstica. Este
cambio rpido en la
caracterstica a cualquier
nivel se denomina regin
Zener, y los diodos que
utilizan esta porcin
nica de la caracterstica
de una unin p-n son los
diodos Zener. La regin Zener del diodo semiconductor descrito se debe evitar si la respuesta
de un sistema no debe ser alterada completamente por el severo cambio en las caractersticas
de esta regin de voltaje inverso.
El mximo potencial de polarizacin inversa que puede ser aplicado antes de entrar a
la regin Zener se conoce como voltaje pico inverso (referido simplemente como el valor PIV,
por las iniciales en ingls de: Peak Inverse Voltage) o PRV, por las iniciales en ingls de: Peak
Reverse Voltage).





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IV. PROCEDIMIENTO:

1. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directas en inversas del diodo de silicio.
Registrar los datos en la tabla 1.
2. Armar el circuito de la figura 1.
a. Ajustando el voltaje con el potencimetro, observar y medir la corriente y el voltaje
directo de diodo, registrar sus datos en la tabla 2.
b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos como
en (a), registrando los datos en la tabla 3.





TABLA 1. (SI)



Vcc(v) 0.50 0.54 0.59 0.66 0.79 0.90 1.22 1.79 2.30 2.83
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
Vd(v) 0.48 0.51 0.54 0.58 0.61 0.64 0.67 0.69 0.72 0.73
TABLA2

Vcc(v) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v) 0 1.99 3.99 6 8 10 11.99 14.99 19.99
Id(A) 0 0 0 0 0 0 0 0 0
TABLA3
R. Directa R. Inversa
2.44 M

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3. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo de germanio.
Registrar los datos en la tabla 4.

R. Directa R. Indirecta
7.55 K
TABLA 4

4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio de manera similar al paso 2;
proceder a llenar la tabla 5 y 6.


Vcc(v) 0 0.18 0.25 0.31 0.44 0.56 0.88 1.25 1.48 1.66 2.03 2.61
Id(mA) 0.0 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v) 0 0.17 0.20 0.23 0.26 0.29 0.33 0.37 0.38 0.40 0.42 0.45
TABLA 5

Vcc(v) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Vd(v) 0 0.99 1.99 3.99 5.99 7.98 9.97 11.97 14.85 17.94 19.92
Id(A) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
TABLA 6
















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V. CUESTIONARIO FINAL:
1. Construir el grfico Id=F(V
d
) con los datos de la tabla 2 y 3 (SI) calcular la resistencia
dinmica del diodo.


Debido a que la intensidad de corriente (Id) en la zona de crecimiento vertical es 20 mA,
entonces podemos remplazarla en la siguiente frmula (forma diferencial de la resistencia
dinmica):








0
5
10
15
20
25
0 0.2 0.4 0.6 0.8
Corriente
(mA)
Voltaje (V)
Id vs Vd (polarizacin directa)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0 5 10 15 20 25
Corriente (A)
Voltaje (V)
Id vs Vd (polarizacin inversa)

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2. Construir el grfico Id=F(V
d
) con los datos 5 y 6 (Ge) resistencia dinmica del diodo.




En este caso la resistencia dinmica se hallar con la siguiente frmula:







0
5
10
15
20
25
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
Corriente
(mA)
Voltaje (V)
Id vs Vd (polarizacin directa)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0 5 10 15 20 25
Corriente
(A)
Voltaje (V)
Id vs Vd (polarizacin inversa)

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3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.

En el grfico de la curva caracterstica correspondiente a la TABLA 2 podemos
notar que a medida que se incrementa la intensidad de corriente se llega a un
donde el voltaje del diodo es casi estable. Este resultado es de esperarse ya que el
diodo de silicio tiene un voltaje en polarizacin directa aproximadamente de 0.7
voltios (comercialmente).

El grfico de la curva caracterstica correspondiente a la TABLA 3 observamos que
pesar de incrementar el voltaje del diodo (Vd) la corriente a travs de este no
aumenta. Esto se debe a que la resistencia del diodo en polarizacin inversa es
muy grande.

Anlogamente en el grfico de la curva caracterstica correspondiente a la TABLA 4
se dan las mismas observaciones solo que para el caso del Germanio (Ge) el
voltaje en polarizacin directa es aproximadamente de 0.3 voltios
(comercialmente).

Finalmente en la grfica correspondiente la TABLA 5 no hay se da el paso de
corriente a travs del diodo, debido a que este se encuentra polarizado
inversamente.
















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4. Exponer sus conclusiones en el experimento.

Lo primero que podemos concluir acerca del diodo semiconductor es que este
dispositivo en de tipo unidireccional, debido a que la corriente circulara a travs
de l si es que esta en polarizacin directa, mientras que estando en polarizacin
inversa la corriente no lo har (idealmente).

Sobre la corriente de polarizacin inversa o de fuga se puede decir que idealmente
es nula, pero en casos reales se ha comprobado que esta corriente es del orden de
los microamperios (A) o nanoamperios (nA).

Se puede notar del contrastes entre las curvas caractersticas del diodo hecho del
silicio contra el diodo hecho de germanio, que el primero alcanza ms
rpidamente la regin de condicin en comparacin con el segundo.



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EXPERIMENTO N2
El Diodo Emisor de Luz o LED

I. OBJETIVOS

Proporcionar los conocimientos necesarios a fin de comprender correctamente la prctica de
los LEDS.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

Un LED tipo TIL 203.
Un Multmetro a pilas.
Un Miliampermetro de 10mA.
Un voltmetro de 5v.

III. FUNDAMENTO TERICO
Un led es un diodo que trabaja en polarizacin directa, el cual en lugar de disipar la
energa en forma de calor, lo hace en forma de luz. Estos tipos de diodos estn fabricados de
galio, arsnico o fsforo y la cada de tensin en polarizacin directa suele ser de unos 2 V.
Los led
pueden radiar luz roja,
verde, amarilla, naranja
o infrarroja (invisible).
Los led que producen
una radiacin visible se
utilizan en los
instrumentos, mientras
que los de radiacin
invisible encuentran su
aplicacin en los
sistemas de alarma
antirrobos
principalmente.


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Como se muestra en la figura 1.54 con su smbolo grfico, la superficie conductora
conectada al material p es mucho ms pequea, con objeto de permitir la emisin de un
nmero mximo de fotones de energa lumnica. Observe en la figura que la recombinacin de
los portadores inyectados debido a la unin con polarizacin directa genera luz, que se emite
en el lugar en que se da la recombinacin. Puede haber, desde luego, alguna absorcin de los
paquetes de energa de los fotones en la superficie misma, pero un gran porcentaje se
encuentra disponible para salir, segn se muestra en la figura.

IV. PROCEDIMIENTO:

1. Realizar el siguiente circuito:





2. Variando el voltaje de alimentacin, obtenga el voltaje Vd de acuerdo con los valores
del cuadro N 1; mida y anote el valor de la corriente de diodo (Id.)

Cuadro N 1
Vd(v) 0.5 1 1.4 1.5 1.6 1.7
1.8
Id(A) 0 0 14.5 22 35 47
60


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3. Con los datos obtenidos en el cuadro N 1, trazar la curva correspondiente
considerando Id=f(Vd).




4. Disminuya el voltaje de alimentacin a 0v. luego invierta el LED y repita las medidas
anteriores de acuerdo con el cuadro N 2.

+Vd(v) 0.5 1 1.4 1.5 1.6 1.7
1.8
Id(mA) 0 0 0 0 0 0
0

NOTA: No sobrepase la tensin de Vd de 1.7v
5. Qu nota en el LED? Se ilumina?

S, este se ilumina cuando sobrepasa aproximadamente los 13.9 v en polarizacin
directa (observado en el laboratorio).

6. Cundo trabaja correctamente el LED?

Despus de haber colocado tanto en directa como en inversa las polaridades del LED, se
puede notar que este trabaja solo en polarizacin directa.

0
10
20
30
40
50
60
70
0 0.5 1 1.5 2
Corriente
(A)
Voltaje (V)
Id vs Vd

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V. CONCLUSIN FINAL

Concluido este Experimento se obtienen las siguientes conclusiones:

El LED es un componente que conduce en una sola direccin y emite luz de intensidad
luminosa creciente en cuanto sobrepasa el umbral de conduccin (1.4v).

El motivo por el cual no se recomienda sobrepasar el valor de 1.7 v, es que, a este valor
el LED no trabaja eficientemente, ms an, se corre el peligro de una ruptura en el
instrumento.

En el silicio y el germanio el mayor porcentaje de energa se genera en forma de calor y
la luz emitida es insignificante. Mientras que en otros materiales, como el fosfuro
arseniuro de galio (GaAsP) o fosfuro de galio (GaP), el nmero de fotones de energa de
luz emitida es suficiente para crear una fuente de luz muy visible.


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EXPERIMENTO N3
El Diodo Zener

I. OBJETIVOS

Dar los conocimientos necesarios para la comprensin prctica del funcionamiento del diodo
Zener.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

Un diodo Zener para 12 v.
Un Multmetro a pilas.
Un Miliampermetro de 50mA.
Un voltmetro de 20v.
Una resistencia de 1 K.

III. FUNDAMENTO TERICO

El diodo zener es un tipo especial de
diodo, que siempre se utiliza polarizado
inversamente. En este caso la corriente circula en
contra de la flecha que representa el diodo. Si el
diodo zener se polariza en sentido directo se
comporta como un diodo rectificador comn.
Cuando el diodo zener funciona polarizado
inversamente mantiene entre sus terminales un
voltaje constante.
Se analizar el diodo Zener, no como un
elemento ideal, si no como un elemento real y se
debe tomar en cuenta que cuando ste se polariza
en modo inverso si existe una corriente que
circula en sentido contrario a la flecha del diodo,
pero de muy poco valor.

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La regin Zener de la figura 1.47 se analiz con cierto nivel de detalle en la parte terica
concerniente al Experimento 1. La caracterstica cae de manera casi vertical en un potencial de
polarizacin inversa denotado como Vz. El hecho de que la curva caiga abajo y lejos del eje
horizontal, en vez de arriba y lejos para la regin positiva VD. revela que la corriente en la
regin Zener tiene una direccin opuesta a aquella de un diodo con polarizacin directa.

Esta regin de caractersticas nicas se
utiliza en el diseo de los diodos Zener, los cuales
tienen el smbolo grfico que aparece en la figura
1.48a. Tanto el diodo semiconductor como el diodo
Zener se presentan uno al lado de otro en la figura
1.48 con objeto de asegurar que la direccin de la
conduccin se comprenda con todo detalle junto con
la polarizacin requerida del voltaje aplicado. El
diodo semiconductor, en el estado "encendido",
soportar una corriente en la direccin de la flecha
en el smbolo. Para el diodo Zener la direccin de la
conduccin es opuesta a la de la flecha sobre el
smbolo, de acuerdo con el comentario en la
introduccin de esta seccin. Observe, a su vez, que
la polarizacin de VD y de Vz es igual, como si se
hubieran obtenido en caso de que cada uno hubiera
sido un elemento resistivo.
















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IV. PROCEDIMIENTO:

NOTA: El procedimiento a describirse, puede emplearse para cualquier diodo zener, pero, se
tendr cuidado con el voltaje de dicho diodo.

7. Realizar el siguiente circuito de la figura A:




8. Variando el voltaje de alimentacin, complementar los datos solicitados en la Tabla
N1.

Val.(v) 5 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
28
Iz
(mA)
0 0 0 1.5m 550m 1.2 1.6 2.4 3 3.5 4.1
4.8
Vz (V) 4.9 7.9 10 11.5 12 11.99 11.9 12 11.9 12 11.9
12

9. Qu comportamiento tiene el diodo Zener para el circuito N 1 A?

En un principio el diodo Zener no conduce ninguna corriente, pero a medida que se la va
aumentando en voltaje de alimentacin (Val.) entonces el voltaje del Zener (Vz)
aumenta hasta que en cierto punto queda prcticamente estable.


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10. Invierta la posicin del diodo Zener de acuerdo la figura 1B y completar la Tabla N 2
variando los valores del voltaje de alimentacin.

Val.(v) 5 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
28
Iz (mA) 1.2 2.1 2.8 3.3 3.9 4.6 5.1 5.8 6.3 6.9 7.5
8.1
Vz (V) 0.7 0.7 07 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8
0.8

11. Qu comportamiento tiene el diodo Zener para el circuito de la figura N 1B??

En este caso, a pesar de que se le est aumentando el Val. al diodo y que por
consiguiente aumenta tambin la corriente Iz, el Vz no vara, mantenindose estable.

12. Con los datos obtenidos en las Tablas N1 y 2, trazar la grfica correspondiente para el
comportamiento del diodo zener experimentado.
Grfico N1:





0
1
2
3
4
5
6
0 5 10 15
Corriente
(A)
Voltaje (V)
Iz vs Vz

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Grfico N2:



V. CONCLUSIN FINAL

El diodo Zener es un componente, que polarizado inversamente, puede utilizarse como
un estabilizador de tensin (voltaje).


0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Corriente
(mA)
Voltaje (V)
Iz vs Vz

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EXPERIENCIA N 4
FUENTE DE ALIMENTACION NO REGULADA

I. OBJETIVOS

Observar y analizar experimentalmente el voltaje de salida de una fuente de alimentacin
simple.

II. MATERIALES Y/O INSTRUMENTOS

Multmetro
Miliampermetro
Microampermetro
Resistencia de 1K
Capacitores
Transformador
Puente rectificador o 4 diodos rectificadores en conexin tipo puente.
Osciloscopio

III. FUNDAMENTO TERICO
Las fuentes de alimentacin son equipos electrnicos cuya funcin en convertir el
voltaje de la red, la cual es de tipo alterno (sin polaridad) a un voltaje en continua, para luego
alimentar los circuitos que deseamos analizar. En este caso, nuestra fuente ser la fuente de
alimentacin bsica. Conformada por un transformador cuya funcin es reducir la amplitud de
la seal de entrada de la red, as como de proporcionar un aislamiento elctrico entre la etapa
de potencia conectada a la red, y la de salida. Luego, los 4 diodos rectificadores en puente se
encargar de dejar pasar solo uno de los ciclos de la alterna. Se dice entonces que los diodos
rectificaron al voltaje de entrada. Lo simple de esta fuente radica en el hecho de que emplea un
capacitor como filtro. El capacitor se carga y descarga, tratando de linealizar la salida, hecho
que como veremos, no se logra de manera eficaz.

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IV. PROCEDIMIENTO
Implementar el circuito de la figura.
Donde C1 se ir cambiando a distintos valores (ver la tabla).
Llenar la tabla.













CONDENSADORES (F)
47 100 470 1000 2200
V
in
18.50V 18.50V 18.50V 18.50V 18.50V
V
inPP
37.00V 37.00V 37.00V 37.00V 37.00V
V
inEF
13.08V 13.08V 13.08V 13.08V 13.08V
V
inDC
0 0 0 0 0
V
inRMS
13.08V 13.08V 13.08V 13.08V 13.08V
V
0
16.43V 15.30V 16.53V 16.68V 16.77V
V
DC
0 0 0 0 0
I
L
0.75mA 0.72mA 0.74mA 0.74mA 0.74mA
V
r
0.25V 0.08V 0.15V 5mV 4mV
V
rEF
0.07V 0.02V 0.04V 1.44mV 1.15mV
BR1
2W04G
C1
100u
RL
20k
220VAC-60HZ
+88.8
AC Volts
TR1
TRAN-2P2S
Vo
IL
Vin

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Dibujar V
0

Etapa de entrada.-








Etapa de rectificacin.-













220VAC-60HZ
TR1
TRAN-2P2S
Vin
BR1
2W04G
C1
100u
RL
20k
220VAC-60HZ
TR1
TRAN-2P2S
Vin

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Etapa de filtro.-







Para:
C1=47F C1=100F






BR1
2W04G
C1
100u
RL
20k
220VAC-60HZ
TR1
TRAN-2P2S
Vin

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C1=470F C1=1000F


C1=2200F










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V. CONCLUSIONES

El voltaje de rizo son las fluctuaciones de alterna que se mantienen tras el proceso de
rectificacin y filtro. Una fuente de alimentacin eficiente debe reducir este rizo al
mnimo.
La capacitancia del condensador electroltico determina la amplitud del voltaje de rizo.
A mayor capacitancia, menor rizo, y a menor capacitancia, mayor rizo.
La resistencia de carga tambin influye en el rizo.




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EXPERIMENTO N 5
Fuente de Alimentacin Regulada con Zener

I. OBJETIVOS

Analizar el voltaje de salida de una fuente de alimentacin regulada con diodo zener.

II. MATERIALES Y/O INSTRUMENTOS

Multmetro
Miliampermetro
Microampermetro
Osciloscopio
Trasformador
4 Diodos rectificadores en conexin puente
Condensador electroltico
Diodo Zener
Resistencia (carga)







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III. PROCEDIMIENTO
Implementar el circuito de la figura.
Llenar la tabla

CONDENSADORES (F)
50 100 470 1000 2200
V
in
12.73V 12.73V 12.73V 12.73V 12.73V
Vi
nPP
25.46V 25.46V 25.46V 25.46V 25.46V
V
inEF
9.00V 9.00V 9.00V 9.00V 9.00V
V
inDC
0.00 0.00 0.00 0.00 0.00
V
inRMS
9.00V 9.00V 9.00V 9.00V 9.00V
V
0
9.39V 9.38V 9.38V 9.39V 9.38V
V
RZ
1.99V 1.99V 1.99V 1.93V 2.01V
V
Z
9.39V 9.39V 9.39V 9.39V 9.39V
V
DC
9.39V 9.39V 9.39V 9.39V 9.39V
I
L
0.10mA 0.10mA 0.10mA 0.10mA 0.10mA
V
r
0.00 0.00 0.00 0.00 0.00
V
rEF
0.00 0.00 0.00 0.00 0.00
BR1
2W04G
C1
2200u
RL
100k
220VAC-60HZ
+88.8
AC Volts
Vo IL
Vin
TR1
TRAN-2P2S
R1
100
D1
1N4728A

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 28

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BR1
2W04G
C1
2200u
RL
100k
220VAC-60HZ
TR1
TRAN-2P2S
D1
1N4728A

Etapa de entrada.-





Etapa de rectificacin.-





BR1
2W04G
C1
2200u
220VAC-60HZ
TR1
TRAN-2P2S

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 29

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Etapa de filtro.-






















BR1
2W04G
C1
2200u
220VAC-60HZ
TR1
TRAN-2P2S

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 30

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Etapa de regulacin.-












IV. CONCLUSIONES
Observamos que el voltaje de salida en la carga es constante. Lo cual indica que el
diodo zener elimina el rizado y regula el voltaje mantenindolo constante sin importar la carga.

BR1
2W04G
C1
2200u
RL
100k
220VAC-60HZ
TR1
TRAN-2P2S
R1
100
D1
1N4728A

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 31

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LABORATORIO N6
Polarizacin del Transistor BJT

I. OBJETIVOS

Conocer la polarizacin por corriente de base de base y tipo H, calcular el punto Q y ver la
respuesta en Ac de dicho transistor NPN.

II. MATERIALES E INSTRUMENTOS

Transistor BC548
Resistencias (1K, 3K, 10K, 100K)
Capacitores (10 uF, 100 uF)
Generador de seales

III. FUNDAMENTO TERICO
El transistor BJT (Bilpolar Junction Transistor en ingls) o transistor de juntura bilateral,
es un dispositivo electrnicos de tres capas, de las cuales derivan sus dos tipos: PNP o NPN.
Acta bsicamente como una fuente de voltaje o corriente controlada por corriente de base,
ello debido a la juntura PN base emisor, que se polariza en directa, lo cual permite controlar
el flujo de corriente a travs de la juntura de colector emisor mediante el ensanchamiento o
alargamiento del campo elctrico entre las juntura PN.




Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 32

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Transistor tipo NPN




Transistor tipo PNP



Su curva caracterstica se hace en funcin de todas las corrientes de base posibles para
el transistor sin que este sufra daos. Dicha curva presenta tres zonas, la zona de corte,
saturacin y la zona activa o de amplificacin.

Curvas caractersticas del transistor BJT y las zonas de corte y saturacin indicadas




Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 33

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VCC
12v
RC
3k
RB
100k
Q1
BC548

IV. PRIMERA PARTE: POLARIZACIN POR CORRIENTE DE BASE
Implementar el siguiente circuito:


Fig 1
Llenar la siguiente tabla

















I
C
(mA) 3.94
I
E
(mA) 4.05
I
B
(mA) 0.11
I
RC
(mA) 3.94
I
RB
(mA) 0.11
VCC 12
V
RC
11.8
V
RB
11.3
V
CE
0.2
V
BE
0.7
V
CB
-0.52
V
C
0.19
V
B
0.72
V
E
0.00

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 34

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Invertir la fuente y llenar tabla nuevamente.
I
C
(uA) -0.24
I
E
(uA) -0.24
I
B
(uA) -0.24
I
RC
(mA) -0.24
I
RB
(mA) -0.24
VCC -12
V
RC
(uV) -720
V
RB
-0.01
V
CE
-12
V
BE
-12
V
CB
-0.01
V
C
-12
V
B
-12
V
E
0.00








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Cambiar Rb=1M, llenar tabla.
I
C
(mA) 2.84
I
E
(mA) 2.85
I
B
(mA) 0.01
I
RC
(mA) 2.84
I
RB
(mA) 0.01
VCC 12
V
RC
8.85
V
RB
11.3
V
CE
3.42
V
BE
0.7
V
CB
2.74
V
C
3.50
V
B
0.7
V
E
0.00








Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 36

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VCC
12v
RC
3k
R1
100K
Q1
BC548
RE
1k
R2
10k

V. SEGUNDA PARTE: POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE O TIPO H
Implementar el siguiente circuito:

Fig 2
Llenar la siguiente tabla.
I
C
(mA) 0.43
I
E
(mA) 0.43
I
B
(uA) 1.41
I
R1
(mA) 0.11
I
R2
(mA) 0.11
I
RE
(mA) 0.43
VCC 12
V
R1
10.9
V
R2
1.08
V
RE
0.43
V
RC
1.29
V
E
0.43
V
C
10.7
V
B
1.08
V
CE
10.3
V
BE
0.65
V
CB
9.63

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Cambiar R1 por R2 y llenar tabla.
I
C
(mA) 2.79
I
E
(mA) 3.52
I
B
(mA) 0.73
I
R1
(mA) 0.77
I
R2
(mA) 0.04
I
RE
(mA) 3.52
VCC 12
V
R1
7.7
V
R2
4.2
V
RE
3.52
V
RC
8.37
V
E
3.52
V
C
3.63
V
B
4.3
V
CE
0.78
V
BE
0.11
V
CB
-0.67





Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 38

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Ubicar el punto Q en la recta de Carga para cada figura
Para la figura 1:
Para la malla 1:


Para la malla 2:


Pero sabemos que:


Y que:


En 1:



Luego, como I
CQ
=4.05 mA



Lo cual concuerda con la hoja de datos.
As, solo nos falta obtener Vce en el punto de trabajo.
De 2:


As, ya tenemos nuestro punto Q = (0.2V,4.05mA)

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 39

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Ahora, hallamos la I
E
MX, de 2:


Ubicando el punto en la recta de carga:

El transistor est en la zona de saturacin.










Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 40

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Para el voltaje negativo, las junturas Base Emisor y Colector-Emisor se polariza en inversa, por
lo que solo tenemos all la corriente de fuga de 0.24 uA. El transistor est en la zona de
saturacin, por lo que el voltaje V
CE
es igual al voltaje de la fuente.
Luego, el punto de trabajo Q sera: Q(12,-0.24)

El transistor est en corte.

Para RB=1M, el tipo de configracin vara el hfe, por lo que esta debe reemplazarse por el
descrito en el manual. Al reemplazar los datos se obtiene:
Reemplazando los datos en las ecuaciones dadas tenemos:
I
CQ
=2.84mA
V
CEQ
=3.4 V
Entonces, nuestro nuevo punto Q de trabajo es Q=(3.4V, 2.84mA)


Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 41

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VCC
12v
RC
3k
R1
100K
Q1
BC548
RE
1k
R2
10k


El transistor est en la zona activa.

Para la figura 2:
Primero, hallemos el equivalente de Thevenin del
divisor de voltaje:


Luego, el V
CAB
, por divisor de voltaje:






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Reemplazando estos datos en el circuito original:

En 1:


Para este caso V
BE
=0.7V,


De esta ecuacin obtenemos el h
fe

del transistor:



De 2:


Pero I
C
=I
E
para este caso:


De donde obtenemos I
C mx
:



Por ltimo, calculemos los valores de Ic y Vce en el punto de trabajo:
De 1:




Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 43

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Para calcular V
CEQ
, de 2:

)
Por lo tanto, el punto Q ser: Q= (10.32v; 0.42mA)

Vemos que el punto Q de trabajo est cercano a la zona de corte, aunque bsicamente est en
la zona de amplificacin o activa.

Cambiemos ahora R1 por R2, y reemplacemos estos valores en las ecuaciones descritas
anteriormente:
Ahora tenemos VBB=10.91v
Reemplazando en las ecuaciones 1 y 2 obtenemos nuestro nuevo punto Q de trabajo.
I
CQ
=2.7mA
V
CEQ
=0.1v
Ubicando este punto en la caracterstica del transistor tenemos:


Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 44

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Ahora vemos que el transistor no trabaja, pues su punto Q est fuera de su recta de carga.












Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 45

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Implementar el siguiente circuito.

Fig 3










RC
3k
R1
100K
Q1
BC548
RE
1k
R2
10k
C1
10uF
C2
10uF
C3
100uF
Vo
V1
12V

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 46

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Llenar la siguiente tabla:
I
C
(mA) 0.42
I
E
(mA) 0.43
I
B
(uA) 1.45
I
R1
(mA) 0.10
I
R2
(mA) 0.11
I
RE
(mA) 0.42
VCC 12
V
R1
10.8
V
R2
1.07
V
RE
0.43
V
RC
1.29
V
E
0.43
V
C
10.6
V
B
1.08
V
CE
10.3
V
BE
0.65
V
CB
9.62

Vemos que los datos son idnticos a los obtenidos con el circuito sin las fuentes sinodales, lo
cual nos dice que la recta de carga de DC del transistor BJT es la misma.
VI. CONCLUSIONES


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El transistor BJT sirve como amplificador electrnico, pues presenta una ganancia de
voltaje en el emisor.
Existen diversos circuitos de polarizacin para los BJT, en funcin de la manera en que
se quiere que trabaje.
La recta de carga ubica todos los puntos de trabajo posibles del transistor para
diferentes corrientes de base. Un transistor trabajando en algn punto fuera de esta
recta est siendo utilizado de manera incorrecta.
Al invertir el voltaje de alimentacin en el primer circuito, llevamos al transistor a la
zona de corte, pues la juntura base emisor se polariz en inversa, provocando un
campo muy fuerte entre colector y emisor, dejndolo abierto.
Al cambiar la resistencia por una de 1M, se llev finalmente al transistor a la zona activa.
En el segundo caso, al invertir las resistencias de base, solo se alter la corriente de la
base, llevando el punto de trabajo fuera de la recta de carga.


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LABORATORIO N 7
DIAC

I. OBJETIVOS
Proporcionar experimentalmente las caractersticas del DIAC.

II. MATERIALES Y EQUIPOS

DIAC DB3
Multmetro a pilas.
Miliampermetro de 20 mA
Voltmetro para 100v.
Resistencia de 4.7K

III. FUNDAMENTO TERICO
El DIAC es un dispositivo de potencia bidireccional, formada por 4 junturas PNPN, con
dos terminales llamados simplemente nodo 1 o nodo 2. Bsicamente es un diodo de disparo
bidireccional para los tiristores, en especial para el TRIAC.
Se comporta como dos diodos en oposicin, que se disparan cuando la tensin entre
sus nodos llega o supera a la tensin de disparo proporcionada por el fabricante.





Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 49

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Curva caracterstica del DIAC. Vemos como
a partir de cierto V, el DIAC comienza a conducir.




IV. PROCEDIMIENTO

1. Realizar el siguiente circuito:

2. Variando la tensin de la alimentacin, partiendo de cero, determinar los valores de V
2

e I con cada valor de V
1
.
3. En correspondencia de largas variaciones de la intensidad I, variar esmeradamente el
voltaje V1. Anotar los valores obtenidos en la tabla correspondiente.
D1
DIAC
R1
4.7k
+88.8
Volts
+88.8
Amps
+88.8
Volts
O A 60v

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4. Invierta las conexiones del DIAC y repetir las mediciones llevando los valores a la parte
correspondiente de la misma tabla.
5. Trazar la grfica I= f(v) y observe el comportamiento general de la curva.



A partir del grfico, vemos que el voltaje de activacin del DIAC es 40 v voltios. Ello,
pues antes de que el voltaje llegue a ese valor, la corriente a travs del DIAC es muy pequea
(tiende a cero), mientras que pasado ese voltaje, el DIAC entra en conduccin.




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U.N.M.S.M.
6. Tomando en consideracin los valores de la tabla y la curva obtenida con estos valores,
determine el comportamiento del DIAC.
V1(v)
V2(v) I(mA)
DIRECTA INVERSA DIRECTA INVERSA
0 0 0 0 0
15 15.16 -15.06 0 0
30 30.18 -30.17 0 0
32 30.54 -29.89 0.350 -0.5
34 29.33 -28.89 1.050 -1.1
36 28.68 -28.18 1.6 -1.65
38 28.17 -26.78 2.150 -2.4
39 27.94 -26.52 2.4 -2.6
40 26.68 -26.23 2.8 -2.9
42 26.3 -25.8 3.4 -3.45
44 25.9 -25.41 3.85 -4
46 25.59 -25.2 4.4 -4.45
48 25.3 -24.85 4.8 -5
50 25.06 -24.55 5.15 -5.4







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V. CONCLUSIONES

El DIAC es un dispositivo bidireccional, cuyo equivalente son dos diodos en oposicin.
El DIAC es un tipo de tiristor controlado por el voltaje entre sus nodos. Mientras el
voltaje entre sus terminales sea menor que este voltaje, el DIAC no conduce. Una vez
que lo hace, el voltaje a travs de l disminuye para luego incrementarse, ello quiere
decir que el DIAC entr en conduccin.
El DIAC se usa generalmente como elemento de disparo de los TRIACs, as como para el
control de sistemas de potencia, como en los Dimmers.
El DIAC utilizado es el DB3, cuyo voltaje de activacin es 40 voltios en ambos sentidos
(bidireccional).



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LABORATORIO N8
Oscilador Practico con UJT
(Transistor de Unin nica)

I. OBJETIVOS:

Proporcionar todo lo necesario a fin de lograr los conocimientos a prcticos sobre el UJT.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

Un UJT tipo 2N2646
Resistencias (15K, 470 ohm, 22 ohm)
Potencimetro de 20K.
Capacitor de 100 F 16v.
Osciloscopio.
Una fuente de alimentacin.

III. CARACRTERSTICAS DEL UJT:


El transistor mono unin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo
en los SCR. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre
B1 y B2 la mono unin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria.

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 54

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U.N.M.S.M.

a) Estructura fsica, b) modelo equivalente, c) circuito equivalente y d) smbolo.

IV. PROCEDIMIENTO

1. Implementamos el siguiente circuito.


R1
2k
RV1
10K
2N2646
UJT
C1
100uF
R2
470
VCC
R3
22
Vout

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 55

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U.N.M.S.M.

2. Ajustamos el amplificador vertical del osciloscopio para operar en modo cd.
Conectamos las puntas de entrada vertical entre la Base 1 y tierra. Y as obtenemos
la siguiente curva en el osciloscopio.
















3. Ahora conectamos las puntas de entrada vertical entre la Base 2 y tierra. Y as
obtenemos la siguiente curva en el osciloscopio.









Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 56

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U.N.M.S.M.

4. Ahora conectamos las puntas de entrada vertical entre el emisor y tierra. Y as
obtenemos la siguiente curva en el osciloscopio.











V. CIRCUITO CON UJT:

















Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 57

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VI. CONCLUSIONES:


El circuito con UJT sirve para generar seales para dispositivos de control como
Tiristores o Triac.


Observamos que el capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del
transistor UJT, cuando esto sucede este se descarga a travs de la unin Emisor-
B1.


Luego el capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje (aprox. 2.5v), con este
voltaje el transistor UJT se apaga (es decir deja de conducir entre E-B1); y el
capacitor inicia su carga otra vez.






Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 58

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LABORATORIO N9
Oscilador Practico con PUT
(Transistor de Unin Programable)

I. OBJETIVOS:

Proporcionar las caractersticas y la prueba de los PUT para poder emplear correctamente.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

Un PUT tipo 2N6027.
Una fuente de alimentacin.
Resistencias de 180K, 16K y 56 ohm.
Un potencimetro de 20K.
Osciloscopio.
Un condensador de 2200nF

III. CARACTERISTICAS DE UN PUT:
El PUT (Transistor Uniunin programable) es un dispositivo que, a diferencia del
transistor bipolar comn que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas.
El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son:
ctodo K, nodo A, puerta G.
A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de
R
BB
y V
P
que en el UJT son fijos. Los parmetros de conduccin del PUT son controlados por la
terminal G

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 59

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Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (hay corriente entre A y K y la
cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muy pequea.
Este transistor se polariza de la siguiente manera:
Cuando I
G
= 0,
V
G
= V
BB
* [ R
B2
/ (R
B1
+R
B2
) ]
V
G
= n x V
BB

donde: n = R
B2
/ (R
B1
+R
B2
)
La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que
las resistencias: R
B1
+ R
B2
son resistencias internas en el UJT, mientras
que el PUT estas resistencias estn en el exterior y pueden
modificarse.
Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT y la tensin
mnima de funcionamiento es menor en el PUT.

IV. PROCEDIMIENTOS:

1. Implementamos el siguiente circuito:

R1
180k
VCC
C1
220nF
PUT
2N6028
R2
56
R3
10k
RV1
47K

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 60

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U.N.M.S.M.
2. Ajustando el amplificador vertical del osciloscopio para operar en modo cd, tambin
ajustamos la deflexin vertical y el barrido horizontal segn sea necesario. Conectamos
las puntas de entrada vertical entre el nodo y ctodo del PUT.










3. Ahora conectamos las puntas de entrada vertical entre












Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 61

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U.N.M.S.M.

V. CONCLUSIONES:


Observamos que el condensador se carga a travs de la R=180K ohm hasta alcanzar
un voltaje de pico (V
p
). Al alcanzar V
p
, el PUT dispara y fluye la corriente de nodo.
Entonces el condensador se descarga a travs del circuito de baja impedancia de
nodo-ctodo. Cuando el condensador se descarga en forma suficiente, la corriente
de nodo cae por debajo del valor necesario para mantenerla en conduccin, lo que
hace que el PUT se apague y la accin se repita continuamente.


Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 62

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LABORATORIO N 10
El Dimmer
I. OBJETIVOS:

Dara los conocimientos necesarios para el funcionamiento de un Dimmer.

II. MATERIALES:

1 Triac BT 138
1 Diac
1 Led
2 condensadores de 100nF y 56nF.
1 resistencia de 56K

III. MARCO TERICO:
Los dimmer o dmer son dispositivos usados para regular la energa en una o varias
lmparas, con el fin de variar la intensidad de la luz que emiten (siempre y cuando las
propiedades de la luminaria lo permitan).
Actualmente los circuitos ms empleados incluyen la funcin de encendido al "paso
por cero" de la tensin. La disminucin del valor eficaz en la bombilla se logra recortando la
seal en el momento de subida en el punto que se elija (si cortamos la seal cuando la onda
llega a 60 V p.e. se encender muy poco, mientras que si la cortamos al llegar a 200 V se
encender casi al mximo).
Existen sistemas ms complejos capaces de regular el flujo de iluminacin para otro
tipo de luminarias (fluorescentes, de bajo consumo, etc.) pero son ms complicados.
Algunos dimmer pueden ser controlados remotamente a travs de controladores y
protocolos especiales. En el caso de la iluminacin para escenarios uno de los protocolos ms

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utilizados es DMX (Digital MultipleX), que es un protocolo de comunicaciones usado para
controlar la iluminacin de escenarios, o DMX512, el cual permite que la intensidad de las luces
convencionales pueda ser sincronizada con las luces de efectos especiales, mquinas de humo,
etc.
Son dispositivos que permiten reducir la intensidad de luz de lmparas
incandescentes o halgenas con transformador o balastos electrnicos Nuestros
Reguladores nicamente funcionan con balastos electrnicos Dimmable a Triac por corte en
inicio de fase.

Como funciona:

El principio de funcionamiento, se basa en el control de potencia que se logra variando el
ngulo de conduccin de un Triac, de 30 a 160.

Mtodos de Regulacin

TRIAC. Concientes de los habituales problemas de presupuesto, la tecnologa triac es la ms
simple y econmica de todas las presentadas.
La tcnica simple de variar el punto de encendido de la lmpara a lo largo de la mitad del ciclo,
est tradicionalmente establecido.
Los inconvenientes de esta tcnica son la aparicin de ruidos en el filamento de la lmpara, los
cuales producen un zumbido audible, y la posible aparicin de interferencias en la red.

TIRISTOR. La tecnologa a base de Tiristores da un paso adelante en la tecnologa convencional
con el decrecimiento del ruido.
Proteccin electrnica y una medida completa de las funciones del dimmer.
An siendo una tecnologa similar a la del Triac, la avanzada tecnologa del Tiristor combina la
solidez y la calidad del control de alta resolucin que le da el filtraje anti parasitario para reducir
el ruido del filamento de las lmparas disminuyendo el rise time de la curva.

IGBT Regulacin por fase inversa.
Esta tecnologa en los dimmers son silenciosos y utilizan IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistors), Transistor bipolar de puertas aisladas para variar gradualmente la curva de la
corriente frente a la curva de carga, en contraste con el resultado obtenido mediante la
tecnologa Triac y Tiristor de control directo de fase.
Los dimmers IGBT desconectan en la segunda mitad del ciclo de la senoide.
El IGBT, al igual que el tiristor, recorta la forma de la senoide, pero debido a las condiciones de
desconexin y el hecho de que el IGBT sea un transistor, es posible controlar de forma muy

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precisa el tiempo de cada y la forma de la curva, as como optimizar el rendimiento del
dimmer.

PWM. Regulacin sinusoidal por amplitud.
Los dimmers PWM (Pulse With Modulation, Modulacin por anchura de Pulso), ofrecen una
eficacia energtica, un completo silencio y representan el sistema de regulacin del futuro, esta
tcnica es empleada en los dimmers para controlar la amplitud de la onda que alimenta la
lmpara.
En trminos bsicos, la alimentacin de entrada se hace con un muestreo a altas frecuencias
(40kHz) y los equipos IGBT son controlados durante cada perodo de muestreo mediante la
variacin del ratio de tiempo On/Off.

El perodo de encendido es proporcional a la potencia requerida para coincidir con la forma
sinusoidal en cada punto del ciclo.

La forma de la senoide de la corriente de salida es suavizada usando conexiones pasivas para
producir una onda de salida exacta a la onda de entrada.

Los procesadores PWM aaden menos de un 1% de distorsin a la alimentacin principal, lo
que hace que estos dimmers sean completamente silenciosos y con una completa facilidad a la
hora de regular cualquier tipo de carga.
La ausencia de corrientes armnicas implica un descenso del costo energtico (no hay potencia
reactiva), aumento de la vida de las lmparas y transformadores y la infraestructura de
cableado, normalmente sobredimensionada un 40% para instalaciones de regulacin estndar,
es ms sencilla y barata.

Ventajas de los Dimmers:

Principalmente, ahorro de luz y aumento de la vida til de las lmparas y en caso de los Dimmer
ahorro en la instalacin cuando se desea conmutada o cruzamiento, porque solo se necesita un
dimmer y x cantidad de pulsadores el precio de un pulsador es inferior al de un interruptor
conmutado y la mitad de un cruzamiento y un cable menos en la instalacin.




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Tipos de Reguladores:

Silix dispone de dos familias de reguladores.

Reguladores Analgicos: Son aquellos que utilizan un potencimetro para el ajuste del nivel.

Dimmer: Son aquellos que utilizan un pulsador de mecanismo para el ajuste del nivel y adems
hace las funciones de Telerruptor encendido o apagado. Tambin hay versiones para sistemas
demticos.


Donde se puede instalar:

--En cuadros elctricos: Carril Din
--Dentro de los mecanismos de pulsadores o en cajas de registros: De pastilla
--En pared, armarios, muebles, debajo de mostradores: De superficie
--Enchufables: En caja con enchufe macho y hembra tipo Schuko






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DIMMER como Regulador de Voltaje:
En pocas palabras un Dimmer la idea de este circuito es poder regular el voltaje, podemos
variar la intensidad lumnica de una foco incandescente (especifico que en un foco ahorrativo
no podemos utilizar el dimmer porque el foco ahorrativo ya incluye un circuito interno al cual
no se le puede regular el voltaje), el circuito es simple el potencimetro vara el voltaje, el diac
permite la oscilacin de la onda de 60Hz o 50 Hz con el triac, dependiendo del triac y del diac
ser la potencia que podemos regular en el datasheet encontraremos la cantidad de corriente
que soportan, si el circuito lo utilizamos por largo tiempo es ideal colocar un disipador de calor
al triac. Conecte un Three Way el cual me permite seleccionar entre el foco y un tomacorriente
con el cual podemos variar algn otro aparato.
Lista de materiales utilizados para el circuito:

1 Triac BT136.
1 Diac DB3.
1 resistencia de 1k ohm 1/4 watt.
1 potencimetro de 250k ohm.
1 capacitor de polister de 100n / 400V.

Elementos aadidos:

1 Dado Tomacorriente.
1 Interruptor Three Way.
1 Plafonera.
1 Foco Incandescente.
El Dimmer nos proporciona ahorro de energa elctrica y aumento de la vida til del Foco o
lmpara.
Nota: Mucha precaucin al momento de montar los componentes ya que trabajamos
directamente con la energa elctrica y podemos recibir una descarga.






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Control de Iluminacin con LDR


Se trata de un DIMMER, pero actuando como interruptor crepuscular. La diferencia
ms apreciable que existe es la adicin de un LDR en paralelo con C1. Este condensador se
carga a travs de R1 hasta la tensin de conduccin del DIAC,

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Que origina el disparo del TRIAC; la lmpara se encender siempre que exista un nivel
bajo de iluminacin. Por tanto un valor hmico elevado del LDR permite a C1 alcanzar y
mantener la tensin de ruptura del DIAC.




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Cuando la cantidad de luz que incide sobre la LDR es importante el valor hmico de
este decrece considerablemente, impidiendo la carga de C
1
.En este estado la lmpara
permanecer apagada al no conseguir suficiente tensin de cebado en extremos del citado
condensador.
Entre los lmites descritos, el conjunto permite un grado de iluminacin de la lmpara
inversamente proporcional a la luz incidente sobre la LDR.

IV. PROCEDIMIENTO

A partir de la explicacin anterior pasaremos a poner en prctica lo expuesto siguiendo
el procedimiento que se detalla a continuacin:
Efectuar el montaje del circuito de la figura analizando su comportamiento con la
variacin de iluminacin ambiente.
Se propone observar el efecto destellante que se produce en la lmpara cuando la
aproximamos a la LDR: la luz de la lmpara origina la disminucin de la resistencia LDR,
con lo que el TRIAC queda bloqueado y la lmpara se apaga.






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V. CONCLUSIONES

El experimento demostr que el potencimetro controlaba la cantidad de energa
proporcionada al led, el cual simula a la lmpara de potencia conectada en alterna.
Se vio la bidireccionalidad del DIAC y del TRIAC.


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RECURSOS INFORMTICOS Y BIBLIOGRFICOS
Durante la realizacin de este trabajo, se acudi a los siguientes recursos intelectuales:

FUENTES BIBLIOGRFICAS

Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos,8va Edicin Robert L. Boylestad Louis
Nashelsky,

Dispositivos Electrnicos, 4ta Edicin, Thomas Floyd.

Dispositivos Electrnicos, 2da Edicin, Rodolfo N. Selva.

FUENTES INFORMTICAS

Diodo Rectificador:
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
http://www.unicrom.com/Tut_diodo.asp
http://www.electronica2000.com/temas/diodostipos.htm

Diodo LED:
http://es.wikipedia.org/wiki/Led
http://www.unicrom.com/Tut_diodo_led.asp
http://www.iearobotics.com/personal/ricardo/articulos/diodos_led/index.html

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Diodo Zener:
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Zener
http://www.unicrom.com/Tut_diodozener_.asp

Fuentes de Alimentacin
http://es.wikipedia.org/wiki/Fuente_de_alimentaci%C3%B3n
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Fuentes-alimentacion.php
http://www.electronica-basica.com/fuente-de-alimentacion.html
http://www.unicrom.com/Tut_rectificador_onda_completa_puente.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Rectificador_de_onda_completa
http://www.electronica-electronics.com/fuentes/Fuentes-de-alimentacion-no-reguladas.html
http://www.hispavila.com/3ds/lecciones/lecc3.htm
http://www.ucontrol.com.ar/forosmf/explicaciones-y-consultas-tecnicas/regulacion-con-diodo-
zener-problemas/

DIAC
http://es.wikipedia.org/wiki/Diac
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_diac/diac.htm
http://www.unicrom.com/Tut_DIAC.asp

UJT y PUT
http://www.unicrom.com/Tut_transistor_ujt.asp
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http://www.angelfire.com/electronic2/electronicaanalogica/ujt.html


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http://konnan2001.galeon.com/OSCILADOR.HTML
http://www.electronicafacil.net/circuitos/Oscilador-relajacion.html
http://www.unicrom.com/Tut_put.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/PUT
http://www.unicrom.com/Tut_put_funcionamiento.asp
http://es.scribd.com/doc/52035204/10/DISPARO-POR-PUT

SCR y TRIAC
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_scr/pag_scr.htm
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Dimmer
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