TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO (FET)

DEFINICION
Es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal
semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la
corriente.

COMPOCISION
El transistor FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le
adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que
estn unidas entre s.
Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente
(source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce.
La regin que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de
los electrones se llama canal. La corriente circula de drenaje (d) a fuente (S)

FUNCIONAMIENTO
Se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje se
polariza positivamente con respecto al terminal de fuente () y la compuerta
(gate) se polariza negativamente con respecto a la fuente ().
A mayor voltaje ms angosto es el canal y ms difcil es para la corriente
pasar del terminal drenador (drain) a la terminal fuente (source). La tensin
para la que el canal queda cerrado se llama punch-off y es diferente para cada
FET.

El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requiere
que haya cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de
colector. El transistor FET es controlado por tensin y los cambios en tensin de la
compuerta (gate) a fuente () modifican la regin de rarefaccin y causan que
vare el ancho del canal.
Curva caracterstica de transferencia de un transistor FET de canal tipo P en el
grfico inferior derecha. La frmula es: ( *

()
+).

Dnde:
es el valor de corriente cuando la .
es el voltaje entre la compuerta y al fuente para la que se desea saber
.

Resistencia del canal RDS
Como es el voltaje que controla el paso de la corriente (regula el ancho del
canal), se puede comparar este compartimiento como un resistor cuyo calor
depende del voltaje . Esto es solo vlido para menor que el voltaje de
estriccin.
Entonces si se tiene la curva caracterstica de un transistor FET, se puede
encontrar la resistencia RDS con la siguiente frmula:

Los FETS pueden ser de dos tipos:
1. Transistor de efecto de campo de unin (JFET): Elemento tridimensional
cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta
(gate). Los JFETS de canal n estan constituidos por una barra de silicio de
material semiconductor de tipo n con dos regiones (Islas) de material tipo p
situadas a ambos lados.

2. Transistor de efector de campo metal-xido (MOSFET): Son dispositivos
ms importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos
integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS; Estos dispositivos
utilizan un campo elctrico para crear un canal de conduccin.

2.1. Los hay de dos tipos: De canal n (NMOSFET) y de canal p (PMOSFET),
y pueden ser de acumulacin (o enriquecimiento, actualmente en uso) o
deplexin (actualmente en desuso).

2.2. Su funcionamiento: Al aplicar una tensin positiva en la puerta se induce
cargas negativas (capa de inversin) en la superficie del substrato y se
crea un camino de conduccin entre los terminales drenador y fuente. La
tensin mnima para crear esa capa de inversin se denomina tensin
umbral o tensin de threshold () y es un parmetro caracterstico del
transistor. Si la

, la corriente de drenador-fuente es nula; valores tpicos

de esta tensin son de a .

2.3. Regiones de operacin:

2.3.1. De corte: Se verifica que

y la corriente ID es nula.

2.3.2. Lineal: El transistor se comporta como un elemento resistivo no
lineal controlado por tensin.

[( )

]


Siendo esta un parametro caracteristico del MOS que depende de la
tecnologia a traves de la constante k y el tamao de la puerta del transistor
(W la anchura y L la longitud).
Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y anlogos como amplificador
o conmutador. Sus caractersticas internas son similares aunque su tecnologa y
estructura fsica son totalmente diferentes.
VENTAJAS DE FETS
1. Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada
muy elevada (10^7 a 10^12 Ohmios).
2. Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. Ms estables con la temperatura que los BJT.
4. Son ms fciles de fabricar que los BJT, pues precisan menos pasos y
permiten integrar ms dispositivos en un CI.
5. Se comportan como resistencias controlados por tensin para valores
pequeos de tensin drenaje-fuente.
6. La alta impedancia de entrada permite retener carga el tiempo suficiente
para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
7. Los FETS de potencia pueden disparar una potencia mayor y conmutar
corrientes grandes.
DESVENTAJAS DE LOS FETS
1. Presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de
entrada.
2. Presentan una linealidad muy pobre y en general son menos lineales que
los BJT.
3. Se pueden daar debido a la electricidad esttica.