EJERCICIOS

TAREA 3
EJERCICIO 0
Hacer la grfica de la densidad de carga superficial en funcin del potencial de superficie, para la
estructura MOS.

Solucin
Tomamos como dato una concentracin

y utilizamos la ecuacin

Donde

Al introducir los datos en Matlab se obtuvo la siguiente grafica



La grafica fue hecha en escala semilogaritmica en la escala vertical

A continuacin se muestra el cdigo introducido en Matlab para la elaboracin de la grafica.




EJERCICIO 1
Un diodo de silicio p+ n se fabrica con una regin de base corta (la regin n), donde el ancho de la
base es d, y con regiones de carga espacial Xo- y Xo+, para los lados p y n, respectivamente.
Asumamos que d < Lp y consideremos la condicin de frontera pn = pno en x = d, donde Lp es la
longitud de difusin de los huecos y pno es la concentracin de minoritarios en equilibrio en el
lado n.

a) Calcule la expresin para la concentracin de huecos en exceso, pn pno, en el lado n.
b) Determine la ecuacin para la densidad de corriente en el diodo.

Solucin
Inciso a)



d

P N
x
0-
x
0+
Las soluciones de la ecuacin de continuidad son del tipo

Condiciones de frontera

Por lo tanto D=0

Sustituyendo C en 2 tenemos

Ahora resolvemos para la regin n, que es la regin corta

Donde

Por lo tanto la ecuacin 3 queda

Finalmente sustituyendo B en 4 tenemos

Inciso b)
En este inciso nos piden determinar la ecuacin para la densidad de corriente en el diodo.Para
esto partimos de la ecuacin general para la densidad de corriente que est dada por

Tomando en cuenta que

, la derivada es

Evaluando tenemos

Ahora realizamos el mismo procedimiento pero para el lado n

Teniendo en cuenta que

, la derivada es

Evaluando tenemos

EJERCICIO 2
Un transistor MOS se fabrica con un sustrato de silicio tipo p de concentracin N
a
= 2x10
15
cm
-3
. El
espesor del xido es d = 450 Angstroms y la carga fija equivalente que contiene el xido es Q
i
=
qx10
11
Coulombs.cm
-2
. Calcule el voltaje de umbral V
T
cuando la estructura emplea una compuerta
de aluminio. Recuerde que la carga en Coulomb/cm
2
se encuentra multiplicando Q
i
por la carga
electrnica q.
Solucin
Para calcular el voltaje de umbral V
T
necesitamos algunos clculos o datos que, aunque no los
tenemos explcitos en el enunciado, los podemos obtener o saber, por ejemplo, la diferencia de la
funcin de trabajo metal-semiconductor, la podemos calcular o tambin, obtener de una grfica
(ver Neaman fig. 11.5). En este caso, la obtendremos usando datos de un texto (ver Neaman
pgina 460).
Considerando T=300K tenemos que

As
obtenemos

Como:

; ahora, para una unin Al-SiO

2

y para una
unin Si- SiO
2
E
g
= 1.11eV para el silicio, as que:

El ancho mximo de la regin de carga espacial es:

La magnitud de la mxima densidad de carga espacial por unidad de rea en la regin de
agotamiento est dada por:

entonces

Como

Por ltimo tenemos que V
T
es:

EJERCICIO 3
Un transistor MOS con compuerta de poly-silicio n
+
canal n, se fabrica sobre un sustrato con N
a
=
5x10
15
cm
-3
. El espesor del dielctrico (SiO
2
) es de 100 Angstroms en la compuerta; la carga
efectiva Q
i
= qx4x10
10
Coulombs.cm
-2
. Calcule la capacitancia del xido y la capacitancia mnima
de la estructura MOS. Despus determine el ancho mximo de la regin de carga espacial, el
voltaje de banda plana y el voltaje de umbral V
T
del transistor.
Solucin:
Calculamos la capacitancia del oxido.

Ahora calculamos el potencial de superficie para obtener el ancho mximo.

Sabemos que la carga por unidad de rea en la regin de agotamiento es

Para obtener el voltaje de umbral de real utilizamos la siguiente expresin.

Donde

es el voltaje de banda plana dado por

Obtenemos la variacin de la funcin de trabajo del metal semiconductor de la grafica

Que es de

.
Entonces

Ahora para el voltaje de umbral tenemos:

Ahora para

La capacitancia mnima ser

EJERCICIO 4
Derive una expresin que proporcione el cambio en el voltaje de encendido (V
T
) de una estructura
MOS como funcin de la temperatura.

Solucin
El voltaje aplicado debe ser suficientemente grande para crear la carga por unidad de rea en la
regin de agotamiento (Q
d
) ms el potencial superficial

. El voltaje umbral requerido para

una inversin fuerte es:

Caso Ideal.-----------------------------------------------------------------------(6.33)

El voltaje requerido para lograr aplanar las bandas deber ser agregado a la ecuacin del voltaje
umbral (ec. 6.33) obtenida para una estructura ideal MOS (para la cual asumimos un voltaje de
banda plana de cero)

Sumando ecuacin 6.37 a 6.33

Si bien es cierto que la superficie esta invertida mientras que

, es necesario
un criterio practico que nos diga cuando es cierto que existe un canal conductor tipo n en la
superficie. El mejor criterio para una inversin fuerte es que la superficie debiera ser tan
fuertemente del tipo n como el sustrato es del tipo p. Esto es,

deber estar tan por debajo de

en la superficie, como este lo est lejos de la superficie, vea la sig. Figura:

Esta condicin ocurre cuando:

La carga por unidad de rea en la regin de agotamiento para una inversin fuerte depende del
ancho mximo de la regin de agotamiento sustituyendo ec. 6.31 en ec. 6.32 obtenemos:

Esta expresin nos da el cambio en el voltaje de encendido (V
T
) de una estructura MOS como
funcin de la temperatura

EJERCICIO 5
A) Obtenga una frmula matemtica que muestre la razn de la capacitancia mnima en alta
frecuencia de un capacitor MOS, C
min
, a la capacitancia del xido C
i
, como una funcin del espesor
del xido y la concentracin de impurezas en el sustrato. B) La concentracin de impurezas en el
silicio en una regin cercana a la interface xido-silicio, puede ser diferente de la concentracin en
regiones ms internas al volumen del semiconductor; por ejemplo, debido a la redistribucin de
impurezas durante el proceso de redistribucin. En tal caso, qu concentracin de impurezas es
la que se determina a partir de la razn C
min
/C
i
?

Solucin
Caractersticas capacitancia-voltaje
La capacitancia del dispositivo est definida como:

Donde es la magnitud del diferencial de cambio en la carga como una funcin del
diferencial de cambio en el voltaje a travs del capacitor.
Caractersticas ideales C-V
Inicialmente se asume que no hay carga atrapada en el oxido y que no hay carga atrapada
en la interface oxido-semiconductor.
Hay tres condiciones de operacin de inters en el capacitor MOS: acumulacin,
agotamiento, inversin. Para un capacitor MOS de sustrato tipo cuando un voltaje
negativo es aplicado a la compuerta, se induce una regin de acumulacin de huecos en el
semiconductor en la interface oxido semiconductor. Un pequeo cambio diferencial en el
voltaje a travs de la estructura MOS causa un cambio diferencial en la carga sobre la
compuerta del metal y tambin en la acumulacin de huecos. Los cambios diferenciales en
la densidad de carga ocurren en los bordes del oxido, como en un capacitor de placas
paralelas. La capacitancia C por unidad de rea del capacitor MOS para el modo de
acumulacin es justamente la capacitancia del oxido.

Cuando un voltaje positivo es aplicado a la compuerta, induciendo una regin de carga
espacial en el semiconductor; la capacitancia del xido y la capacitancia de la regin de
agotamiento estn en serie. Un pequeo cambio diferencial en el voltaje a travs del
capacitor puede causar un pequeo cambio diferencial en el ancho de la regin de carga
espacial. La capacitancia total de la combinacin en serie es

Donde

la ecuacin 2b se puede escribir como

Cuando el ancho de la regin de carga incrementa, la capacitancia total decrece.
Se defini el punto de umbral de inversin siendo la condicin cuando el mximo ancho
de agotamiento se alcanza pero hay una densidad de carga de inversin esencialmente es
cero. Esta condicin puede llevar a una capacitancia mnima Cmin la cual est dada por.

Para poder obtener

es necesario conocer algunos otros parmetros que se muestran

continuacin.
La figura 1 muestra la regin de carga espacial en un sustrato semiconductor tipo p. El
potencial

es la diferencia (en volts) entre

y esta dado por

Donde es la concentraion de aceptores y es la concentracin intrnseca.

Figura 1
El potencial

es llamado el potencial superficial; esta es la diferencia (en volts) entre

medido en el semiconductor en bulto y

medido en la superficie. El potencial superficial

es la diferencia de potencial a travs de la capa de carga espacial. El ancho de la carga
espacial puede ahora escribirse en forma similar a una unin de un solo lado pn.

Donde

es la permitividad del semiconductor. La ecuacin 5 asume que la aproximacin

de unin abrupta es vlida.

Figura 2
La figura 2 muestra las bandas de energa para el caso en la que

. El nivel de
Fermi en la superficie est muy por encima del nivel intrnseco como el nivel de fermi est
por debajo del nivel intrnseco en el semiconductor en bulto. La concentracin de
electrones en la superficie es la misma como la concentracin de huecos en el material en
bulto. Esta condicin es conocida como el punto de inversin de umbral. El voltaje
aplicado en la compuerta que crea esta condicin es llamado voltaje de umbral. Si el
voltaje aplicado en la compuerta incrementa por encima del valor de umbral, la banda de
conduccin puede curvarse ligeramente acercndose al nivel de fermi, pero el cambio en
la banda de conduccin en la superficie es ahora una funcin ligera del voltaje de
compuerta. La concentracin de electrones en la superficie, sin embargo, es una funcin
exponencial del potencial superficial. El potencial de superficie puede incrementarse por
unos pocos (kT/e) volts, con un cambio en la concentracin de electrones por rdenes de
magnitud, pero la regin de carga espacial cambia muy ligeramente. En este caso
entonces la regin de carga espacial esencialmente ha alcanzado su ancho mximo.
El mximo ancho de la regin de carga espacial

en este punto de transicin de

inversin puede ser calculado de la ecuacin 5 al ajustar

. Entonces

EJERCICIO 6
Los clculos exactos de la capacitancia C
FB
de un capacitor MOS, muestran que C
FB
es menor que la
capacitancia del xido C
i
. Explique la razn fsica de este hecho.

Solucin


En la grfica se puede ver claramente que la capacitancia de banda plana es menor que la
capacitancia del xido esto es debido a que la capacitancia de banda plana est en funcin del
espesor del xido, as como de los niveles de concentracin de dopaje en tanto que la capacitancia
del xido prcticamente es constante ya que solo depende del espesor del xido y de su
permitividad, ambos valores constantes. Partiendo de esto podemos considerar que la
capacitancia del xido es la mxima ya que no cambia al aplicarle voltaje, en cambio la
capacitancia de banda plana cambia al aplicar un voltaje y entre ms fuerte sea el voltaje el valor
de W crece lo que hace que la capacitancia del semiconductor disminuya, debido a que la
capacitancia de banda plana es la suma de dos capacitancias en serie que son la capacitancia del
xido y la del semiconductor, esto nos da como resultado que cuando disminuye la capacitancia
del semiconductor tambin disminuye la capacitancia de banda plana, adems sabemos que la
suma de dos capacitancias en serie siempre ser menor que cualquiera de las capacitancias
individuales, por tal motivo la capacitancia de banda plana nunca podr ser mayor que la
capacitancia del xido.

Una explicacin desde un punto de vista puramente fsico es que en la condicin de banda plana la
acumulacin de portadores mayoritarios se reduce debido a que el campo elctrico es menos
intenso, en esta condicin no hay flexin de las bandas de energa debido a que estamos
compensando el potencial interno de la unin, entonces al disminuir la carga que haba acumulada
en la interfaz entre el oxido y el semiconductor, nos traer como consecuencia una disminucin en
la capacitancia. Lo cual se refleja en la expresin ms general de capacitancia

EJERCICIO 7
Calcule el cambio en el voltaje de banda plana que corresponde a: A) una distribucin de carga
positiva uniforme en el xido; B) una distribucin triangular, la cual es grande cerca del metal y
cero cerca del semiconductor.

Solucin
Considerando

como la variacin del voltaje de banda plana ideal, esto es, considerando
solo la carga en la interfaz, con respecto del

considerando la carga mvil y la del xido:

Esto es, el cambio de voltaje de banda plana depende de la carga mvil y la del xido. Ahora,
despreciando el efecto de la carga mvil

podemos definir a

como:

Esto considerando que la carga atrapada dentro del xido

esta dada por la ley de Gauss como:

(Esta expresin se obtiene usando el desarrollo del apartado 4.3.3. del SZE,
Physics of semiconductors devices, 2ed; pg. 227).
Para el caso de nuestro ejercicio se tiene, por un lado, a) una carga distribuida uniformemente, y
b) una distribucin de carga triangular, como se muestra en la figura:

De tal forma que para el inciso a)

, de (1), tenemos

Y la integral de 0 a d nos da como resultado:

Para el caso del inciso b)

as que, utilizando (1) nuevamente, tenemos

Resolviendo la integral y evaluando de 0 a d

As tenemos que:

Lo cual concuerda con lo esperado, que al estar la carga concentrada cerca del metal,

EJERCICIO 8
Considere que en t = 0 un capacitor MOS con sustrato de silicio tipo-p (con concentracin N
a
) es
llevado a agotamiento profundo por la introduccin repentina de una carga total Q
G
en la
compuerta (es decir, un escaln de voltaje positivo, tal como lo vimos en clase). Como
consecuencia de esto, aparecer una generacin de portadores en la regin de carga espacial en el
silicio, lo cual dar lugar a la formacin de un canal con carga de electrones Q
n
, que se puede
expresar como

Donde W
d
es el ancho de la regin de carga espacial (dependiente del tiempo y t
o
es el tiempo de
vida de generacin de los electrones. W
df
es el ancho de la regin de carga espacial en equilibrio,
es decir, el ancho que corresponde a la capacitancia mnima en equilibrio (cuando la carga de
electrones en la RCE que est formando el canal-n se agota). A) Muestre que la ecuacin
diferencial para Q
n
est dada como

B) Resuelva esta ecuacin sujeta a la condicin Q
n
(t = 0) = 0 y muestre entonces que el tiempo
caracterstico para formar la regin de inversin es del orden de 2N
A
t
o
/n
i
.
Solucin
Si partimos de

Ahora despejamos

nos queda

Desarrollando y multiplicando por Na

Sumamos en ambos lados

Utilizando la condicin de la carga positiva

podemos sustituir

por

Finalmente obtenemos

Inciso b)
Resolvemos la ecuacin diferencial:

Que tiene la forma

Y la solucin general para este tipo de ecuacin diferencial es:

Ahora utilizamos las ecuaciones con el cambio de variable y encontramos

Ahora sustituimos en la solucin general:

EJERCICIO 9
Obtenga una expresin para el campo elctrico a lo largo del canal de un transistor de efecto de
campo de unin (JFET), as como la velocidad de los portadores en el canal. Examine la validez del
uso de una velocidad de portadores la cual es proporcional al campo elctrico.

Solucin
Una variedad de modificaciones a la teora bsica de la operacin de los dispositivos JFET debe
hacerse cuando la longitud del canal es pequea (tpicamente menos de una micra). En el pasado
estos efectos de canal corto se consideraron inusuales, sin embargo ahora es comn encontrar
dispositivos JFET en los cuales esos efectos dominan las caractersticas I-V. Por ejemplo efectos de
alto campo ocurren cuando 1 V aparece cruzando un canal de longitud de una micra, dando un
campo elctrico de 10 KV/cm.

Una aproximacin lineal simple para la curva velocidad-campo por tramos, considera una
dependencia (lineal) movilidad constante hasta un valor crtico del campo elctrico

y una
velocidad de saturacin constante

para altos campos elctricos. Para el silicio una mejor

aproximacin esta dada por la ec. 6.13

Donde es la movilidad para campos elctricos pequeos. Esas dos aproximaciones se muestran
en la figura 6.9 a


Haciendo algebra en ecuacin 6.13

Es la expresin solicitada.

Una aproximacin lineal simple para la curva velocidad-campo en dos partes, considera una
dependencia (lineal) movilidad constante hasta un valor crtico del campo elctrico

y una
velocidad de saturacin constante

para altos campos elctricos. Para el silicio una mejor

aproximacin est dada por la ecuacin 6.13









TAREA 4
EJERCICIO 1
Considere un transistor p
++
n
+
p, uniformemente dopado en cada regin. Dibuje un diagrama de
bandas de energa para el caso cuando el transistor est a) en equilibrio trmico, b) polarizado en
la regin activa.

Solucin
Inciso a)
Note que el nivel de Fermi en el equilibrio es constante a lo largo de toda la estructura. Adems,
de acuerdo el diseo, la curvatura de las bandas es ms abrupta, y la regin de carga espacial ms
estrecha en la unin de emisor que en la unin de colector.

Inciso b)
Cuando el transistor pnp se polariza en la regin activa, esto es

, la unin de
emisor queda polarizada en directo mientras que la unin de colector esta polarizada en inverso.
Recuerde que en polarizacin directa el voltaje

debe ser de unas decimas de voltios, esto es,

menor que el potencial de contacto asociado a la unin, mientras que en polarizacin inversa el
potencial

puede oscilar en varias decenas de voltios. Desde el punto de vista energtico la

aplicacin del voltaje

significa que la barrera emisor/base disminuye en una pequea

cantidad, dada por

, y la barrera base/colector aumenta en mayor proporcin, en la cantidad

, segn se muestra en la siguiente figura:

Ejercicio 2
Los parmetros en la regin de base de un transistor bipolar npn son D
n
= 20 cm
2
/s, n
B0
= 10
14
cm
-3
,
x
B
= 1 micra y A
BE
= 10
-4
cm
2
. Considere que el perfil de portadores minoritarios inyectados en la
base es lineal, lo cual significa que no hay recombinacin . (a) Calcule la magnitud de la corriente
de colector i
C
. (b) Determine la corriente de colector para (i) V
BE
= 0.5 V, (ii) V
BE
= 0.6 V y (iii) V
BE
=
0.7 V.

Solucin
Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operacin normal son determinadas con la
ayuda del Modelo para seales fuertes de Ebers-Moll:
Modelo Ebers-Moll para transistores npn

a) La distribucin de portadores minoritarios de un transistor npn operando en la regin
activa se muestra en la sig. fig.


Particularmente, en la regin base observamos la siguiente distribucin:


Si consideramos que no hay recombinacin, esto es, que
la concentracin de los portadores minoritarios no vara a
lo largo de la base, entonces la corriente del colector ser

En otro caso tendr un valor distinto de cero, como
veremos en el inciso b) en cuyo caso la corriente de
colector la calcularemos con la ecuacin 10.1 del
Neamen.

Sustituyendo v alores:
i)

ii)

iii)

El signo menos indica el sentido de la corriente del colector hacia la base.


Ejercicio 3
Un transistor bipolar npn uniformemente dopado se polariza en el modo de la regin activa con un
voltaje inverso de 3 voltios en la unin B-C. El ancho de la base metalrgica es de 1.10 micras. Las
concentraciones de los dopados son N
E
= 10
17
cm
-3
, N
B
= 10
16
cm
-3
y N
C
= 10
15
cm
-3
. a) Para T = 300
K, calcule el voltaje en la unin B-E para el cual la concentracin de electrones portadores
minoritarios en x = 0 (el borde derecho de la regin de carga espacial para la unin B-E) es 10 % de
la concentracin de portadores mayoritarios huecos. b) A esta polarizacin, determine la
concentracin de huecos minoritarios en x = 0 (el izquierdo de la regin de carga espacial para la
unin B-E). c) Determine el ancho de la base neutral para esta polarizacin.

Solucin

Inciso a)

Tambin sabemos que

Donde

entonces

sustituyendo

De la ecuacin 1 podemos despejar

y tenemos ll siguiente

Inciso b)

Inciso c)
Para hacer este clculo ser necesario calcular las regiones de carga espacial y restarlas al ancho
de la base metalrgica.

Calculamos para la regin de carga espacial en B-C.

Como se observa es necesario calcular

Ahora calculamos para la regin de carga espacial en B-E.

Ejercicio 4
Considere un transistor bipolar pnp. A partir del clculo (empleando las ecuaciones derivadas en
clase) de las corrientes de emisor I
E
(cuyas componentes son I
n
e I
p
) y de colector, I
C
, la cual est
compuesta por la corriente de huecos que logra llegar al colector desde el emisor, y la corriente de
electrones que inyecta el colector a la base, determine las siguientes expresiones, las cuales son
aplicables a todos los modos de operacin del transistor:

Los coeficientes de los factores de voltaje, son cantidades que dependen de parmetros
intrnsecos del transistor y parmetros geomtricos. Observe que para poder calcular la corriente
de colector, requiere conocer la distribucin de portadores minoritarios en el colector. Como
sugerencia, puede ver la seccin 5.2.2 del texto Semiconductor Devices (2 edicin) de S. M .Sze.

Solucin



Partimos de la ecuacin de continuidad

Aplicado a es decir al emisor

Aplicado a es decir a la base

Consideramos que la base es mucho ms corta que el emisor por lo tanto tratamos el problema
como si se tratara de un diodo de base corta. Por lo tanto las soluciones son:

Emisor (tipo p) Base (tipo n) Colector (tipo p)
x=0
x=d
Unin del
emisor
Unin del
colector
d
x
p
p0
, n
p0
, L
n
n
n0
, p
n0
, L
n
n
p
(x), p
p
(x)
p
n
(x), n
n
(x)

Establecemos las condiciones de frontera

1)

2)

3)

4)

Aplicamos las condiciones de frontera

Para que la condicin de la ecuacin anterior se cumpla B debe ser cero (B = 0).

Ahora calculamos el valor de la constante A, para esto usamos la condicin 3 en la ecuacin 3

Ahora calculamos el valor de la constante C aplicando la condicin 4 a la ecuacin 2

Finalmente calculamos la constante D usando la condicin 2 y sustituyendo el valor de C en la
ecuacin 2

Sustituyendo las constantes A, B, C y D en las ecuaciones 1 y 2, tenemos:

Para el emisor

Para la base

La corriente del emisor la podemos calcular como la corriente de electrones que fluye de la base al
emisor y la corriente de huecos que fluye del emisor a la base, que matemticamente se expresa
como

Primero desarrollamos la derivada de

Ahora desarrollamos la derivada para

Una vez que tenemos las dos derivadas podemos escribir la corriente de emisor como

La ecuacin anterior se puede reescribir como:

El modelo de Ebers-Moll para la corriente de emisor tomando en cuenta solo una parte de la unin
est dada por:

Comparando la ecuacin 4 con la ecuacin dada por el modelo de Ebers-Moll, podemos deducir
los valores de los coeficientes

Ejercicio 5
Resuelva el ejercicio 19 del captulo 5 del texto mencionado en el problema 4 anterior.

Solucin


De la grfica obtenemos estos datos:
V
CE
(V) I
B
I
C
(mA)
0
(ganancia de
corriente en emisor
comn)
5 0 0.22 ----
5 5 0.93 186
5 10 2.00 200
5 15 2.98 199
5 20 3.60 180
5 25 4.63 185

Sabemos que la ganancia de corriente en modo comn es:

As obtenemos la siguiente grfica:
5 10 15 20 25
150
155
160
165
170
175
180
185
190
195
200
205
210
|
0
I
b
(A)

Ganancia de corriente en emisor comn vs Corriente de base
Ahora las ganancias de corriente en emisor comn no son iguales, debido a que describen el valor
de la pendiente de la curva de corriente de base, vs corriente de colector para un voltaje de
colector emisor dado (en ste caso 5V).
0 5 10 15 20 25
0
1
2
3
4
5
I
C
(
m
A
)
I
B
(A)
Grfica de corriente de colector vs corriente de base a V
CE
=5V

Pendiente que claramente es diferente entre cada punto tomado de las curvas de la figura 10 b),
pero que se muestra ms claramente en la grfica de la pgina anterior.













EJERCICIOS RMS 1

EJERCICIO 1
Un transistor bipolar npn uniformemente dopado se polariza en el modo de la regin activa con un
voltaje inverso de 3 voltios en la unin B-C. El ancho de la base metalrgica es de 1.10 micras. Las
concentraciones de los dopados son N
E
= 10
17
cm
-3
, N
B
= 10
16
cm
-3
y N
C
= 10
15
cm
-3
. a) Para T = 300
K, calcule el voltaje en la unin B-E para el cual la concentracin de electrones portadores
minoritarios en x = 0 (el borde izquierdo de la regin de carga espacial para la unin B-E) es 10 %
de la concentracin de portadores mayoritarios huecos. b) A esta polarizacin, determine la
concentracin de huecos minoritarios en x = 0 (el borde derecho de la regin de carga espacial
para la unin B-E). c) Determine el ancho de la base neutral para esta polarizacin.

Solucin

Inciso a)

Tambin sabemos que

Donde

entonces

sustituyendo

De la ecuacin 1 podemos despejar

y tenemos ll siguiente

Inciso b)

Inciso c)
Para hacer este clculo ser necesario calcular las regiones de carga espacial y restarlas al ancho
de la base metalrgica.

Calculamos para la regin de carga espacial en B-C.

Como se observa es necesario calcular

Ahora calculamos para la regin de carga espacial en B-E.

EJERCICIO 2
Un transistor npn est uniformemente dopado y polarizado en la regin activa. El ancho de la base
neutra es de 0.8 micras. Las concentraciones de dopado son N
E
= 5x10
17
cm
-3
, N
B
= 10
16
cm
-3
y N
C
=
10
15
cm
-3
. a) Calcule los valores de p
E0
, n
B0
y p
C0
. b) Para una polarizacin V
BE
= 0.625 V, determine
n
B
en x = 0 y p
E
en x= 0. c) Dibuje las concentraciones de portadores minoritarios a travs del
dispositivo, as como los perfiles de los portadores en exceso.

Solucin
Inciso a)
Primero calculamos las concentraciones para el emisor la base y el colector

Inciso b)
Calculamos las concentraciones en de electrones y huecos en la base y el emisor respectivamente
en el punto solicitado .

Tambin

EJERCICIO 3
Para el caso de un diodo PIN, demuestre a) que en el caso especial para b = 1, la ecuacin para
u(,) se reduce a
u
1
(,) = ln{(1 + cosh 2,)/2 senh 2,) + (1/2)senh 2,(tan
-1
(senh ,)}
Siendo , = d/L
i


b) que para , >> 1, la expression para u(,) se puede aproximar por

b
b
b
b
b
e
b
b
b
ln
1
1
2
1
1
ln
1 2
) (
|
.
|

\
|
+

+
+
+
+
~ u
,
t
,



EJERCICIOS RMS 2
EJERCICIO 1
Un transistor bipolar npn uniformemente dopado se polariza en el modo de la regin activa con un
voltaje inverso de 3 voltios en la unin B-C. El ancho de la base metalrgica es de 1.10 micras. Las
concentraciones de los dopados son N
E
= 10
17
cm
-3
, N
B
= 10
16
cm
-3
y N
C
= 10
15
cm
-3
. a) Para T = 300
K, calcule el voltaje en la unin B-E para el cual la concentracin de electrones portadores
minoritarios en x = 0 (el borde derecho de la regin de carga espacial para la unin B-E) es 10 % de
la concentracin de portadores mayoritarios huecos. b) A esta polarizacin, determine la
concentracin de huecos minoritarios en x = 0 (el izquierdo de la regin de carga espacial para la
unin B-E). c) Determine el ancho de la base neutral para esta polarizacin.

Solucin


Inciso a)

Tambin sabemos que

Donde

entonces

sustituyendo

De la ecuacin 1 podemos despejar

y tenemos ll siguiente

Inciso b)

Inciso c)
Para hacer este clculo ser necesario calcular las regiones de carga espacial y restarlas al ancho
de la base metalrgica.

Calculamos para la regin de carga espacial en B-C.

Como se observa es necesario calcular

Ahora calculamos para la regin de carga espacial en B-E.

EJERCICIO 2
Considere un transistor p
++
n
+
p, uniformemente dopado en cada regin. Dibuje un diagrama de
bandas de energa para el caso cuando el transistor est a) en equilibrio trmico, b) polarizado en
la regin activa.

Solucin
Inciso a)
Note que el nivel de Fermi en el equilibrio es constante a lo largo de toda la estructura. Adems,
de acuerdo el diseo, la curvatura de las bandas es ms abrupta, y la regin de carga espacial ms
estrecha en la unin de emisor que en la unin de colector.


Inciso b)
Cuando el transistor pnp se polariza en la regin activa, esto es

, la unin de
emisor queda polarizada en directo mientras que la unin de colector esta polarizada en inverso.
Recuerde que en polarizacin directa el voltaje

debe ser de unas decimas de voltios, esto es,

menor que el potencial de contacto asociado a la unin, mientras que en polarizacin inversa el
potencial

puede oscilar en varias decenas de voltios. Desde el punto de vista energtico la

aplicacin del voltaje

significa que la barrera emisor/base disminuye en una pequea

cantidad, dada por

, y la barrera base/colector aumenta en mayor proporcin, en la cantidad

, segn se muestra en la siguiente figura:

EJERCICIO 3
A qu valor de voltaje de salida se obtiene la mxima salida de potencia de una celda fotovoltaica
de unin p-n? Cul es el valor de la resistencia del circuito que se requiere para obtener esta
mxima potencia de salida?

Solucin
Cuando el voltaje en la salida es cero la potencia es mxima


EJERCICIO 4
Un transistor MOS se fabrica con un sustrato de silicio tipo p de concentracin N
a
= 2x10
15
cm
-3
. El
espesor del xido es d = 450 Angstroms y la carga fija equivalente que contiene el xido es Q
i
=
qx10
11
coulomb x cm
-2
. Calcule el voltaje de umbral V
T
cuando la estructura emplea una compuerta
de aluminio. Recuerde que la carga en coulomb / cm
2
se encuentra multiplicando Q
i
por la carga
electrnica q.

Solucin

Encontramos

Tambin

Entonces

Para una compuerta de aluminio

Entonces

EJERCICIO 5
Un transistor MOS con compuerta de Poly-Silicio n
+
canal n, se fabrica sobre un sustrato con N
a
= 5
x 10
15
cm
-3
. El espesor del dielctrico (SiO2) es de 100 Angstroms en la compuerta; la carga
efectiva Q
i
= 4q X 10
10
coulomb x cm
-2
. Calcule la capacitancia del xido y la capacitancia mnima de
la estructura MOS. Despus determine el ancho mximo de la regin de carga espacial, el voltaje
de banda plana y el voltaje de umbral V
T
del transistor.

Solucin
Calculamos la capacitancia del xido.

Ahora calculamos el potencial de superficie para obtener el ancho mximo.

Sabemos que la carga por unidad de rea en la regin de agotamiento es

Para obtener el voltaje de umbral de real utilizamos la siguiente expresin.

Donde

es el voltaje de banda plana dado por

Obtenemos la variacin de la funcin de trabajo del metal semiconductor de la grafica

Que es de

.
Entonces

Ahora para el voltaje de umbral tenemos:

Ahora para

La capacitancia mnima ser