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MATERIALES DE
INGENIERIA
UNIVERSIDAD NACIONAL DE
TRUJILLO
CONTENIDO:
Introduccin
Organizacin atmica
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Estructura de los slidos cristalinos
Celda unitaria.
Estructura cristalina cbica centrada en
las caras.
Estructura cristalina cbica centrada en el
cuerpo.
Estructura cristalina hexagonal compacta.
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INTRODUCCION
A. CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES: implica
investigar la relacin entre estructura y las
propiedades de los materiales.
B. Ingenieria de los materiales: se fundamenta en
las relaciones propiedades estructura y disea o
proyecta la estructura de un material para obtener
un conjunto predeterminado de propiedades.
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Estructura subatmica: implica a
los electrones dentro de los tomos
individuales y a las interacciones
en su ncleo.
A nivel atmico, la estructura se refiere a la
organizacin de los tomos o molculas entre
s.
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PROPIEDADES IMPORTANTES DE
LOS MATERIALES SOLIDOS
1. Propiedades mecnicas ( F --> e)
2. Propiedades elctricas (Conduct., cte elctrica).
3. Propiedades magnticas (respuesta frente a un
campo magntico).
4. Propiedades trmicas (capacidad calorfica y
conductividad)
5. Propiedades pticas ( el estimulo
de la radiacin electromagntica)
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6. Propiedades qumicas (reactividad qumica
de un material).
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CLASIFICACION DE LOS
MATERIALES
METALES:
Tienen un gran nmero de electrones deslocalizados
que no pertenecen a ningn tomo.

Conducen el calor y la electricidad y son opacos a la
luz visible.
POLIMEROS:
Van desde los plsticos al caucho
Se trata de compuestos orgnicos basados en el C,
H y otros elementos no metlicos, gran longitud de
estructuras moleculares (EM.)
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CERAMICOS: constituidos por metales y no
metales (xidos nitruros y carburos), incluyen
minerales de arcilla, cemento y vidrio.
Son aislantes elctricos y trmicos, a elevada T y
en ambientes agresivos son ms resistentes que los
metales y los polmeros.
Son duros y ms frgiles.
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Tienen propiedades elctricas intermedias entre
los conductores y los aislantes elctricos.
Los semiconductores posibilitan la fabricacin
de los circuitos integrados que han revolucionado
las industrias elctricas y de los ordenadores.
SEMICONDUCTORES
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ORGANIZACIN ATOMICA
El arreglo atmico juega un papel importante en la
determinacin de la microestructura y en el
comportamiento de un material slido. En el Al el
arreglo atmico proporciona buena ductilidad (grado
de deformacin plstica), en el Fe es la cusa de una
buena resistencia
Los transductores cermicos, capaces de detectar
tumores en el cuerpo humano se basan en un arreglo
atmico que produce un desplazamiento de cargas
elctricas permanente dentro del material.
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Comprender como las imperfecciones en el
arreglo atmico permiten entender tanto la
DEFORMACION como el
ENDURECIMIENTO de muchos materiales
slidos.
OBJETIVO
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ORDEN DE CORTO ALCANCE
COMPARADO CON EL DE LARGO
ALCANCE
A) SIN ORDEN
Ejm. Ar
B) ORDEN DE CORTO ALCANCE
SI EL ARREGLO
ESPECIAL DE LOS
ATOMOS SE EXTIENDE
SOLO A LOS VECINOS
MAS CERCANOS DE
DICHO ATOMO.
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Cada molcula de agua en fase vapor
tiene un orden de corto alcance debido
a los enlaces covalentes entre los
tomos de hidrgeno y oxgeno
(forman ngulo de 104,5 entre los
enlaces). Sin embargo, las molculas de
agua no tienen una organizacin
especial entre si.
EL SILICIO FORMA 4
ENLACES COVALENTES.
COMO RESULTADO SE TIENE
UN ORDEN DE CORTO
ALCANCE. LAS UNIDADES
TETRAEDRICASS SIN
EMBARGO, PUEDEN ESTAR
UNIDAS ENTRE SI DE UNA
MANERA ALEATORIA.
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QUIMICAMENTE EL SILICATO MAS
SENCILLO ES EL SiO
2
. Estructuralemnte es
una red tridimensional que se genera cuando
todos los tomos de oxigeno del tetraedro son
compartidos con tetraedros adyacentes. Por
tanto el material es electricamente neutro.
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Los polmeros tambin despliegan
arreglos atmicos de corto alcance que
se parecen mucho a la estructura del
vidrio de slice.
El polietileno est compuesto por cadena de tomos de
carbono, con 2 tomos de H unidos a cada carbono
dado que el carbono tiene una valencia de 4 y que los
tomos de C e H tienen enlaces covalentes, de nuevo
se produce una estructura tetradrica. Las estructuras
tetradricas pueden unirse de manera aleatoria patra
producir cadenas polimricas.
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CERAMICOS Y POLIMEROS
ORDEN DE CORTO ALCANCE
MATERIALES AMORFOS
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ORDEN DE LARGO ALCANCE
METALES, SEMICONDUCTORES MUCHOS
MATERIALES CERAMICOS Y ALGUNOS
POLIMEROS
TIENEN
ESTRUCTURA CRISTALINA
(tomos muestran orden de corto y
largo alcance)
Forman un patron en forma de rejilla o red cristalina (conjunto de
puntos, localizados en las esquinas, centro, o caras de la celda
unitaria)
Conocido como
PUNTOS DE RED (difiere de un material a otro, depende del
tamao de los tomos y del tipo de enlace entre ellos.
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CELDA UNITARIA
(Al apilar celdas unitarias identicas se puede
construir la red)
SUB DIVISION DE LA RED
SE IDENTIFICAN 14 TIPOS DE CELDAS UNITARIAS O
REDES DE BRAVAIS, AGRUPADAS EN 7 SISTEMAS
CRISTALINOS
a) ESTRUCTURA CRISTALINA CUBICA
CENTRADA EN LAS CARAS(FCC)
ESTRUCTURAS CRISTALINAS DE LOS
METALES
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Metal Estructura
cristalina
Radio
atmico
(nm)
Aluminio
Cadmio
Cromo
Cobalto
Cobre
Oro
Hierro (a)
Plomo
Molibdeno
Niquel
Platino
Plata
Tntalo
Titanio (a)
Tungsteno
Zinc
FCC
HC
BCC
HC
FCC
FCC
BCC
FCC
BCC
FCC
FCC
FCC
BCC
HC
BCC
HC
0,1431
0,1490
0,1249
0,1253
0,1278
0,1442
0,1241
0,1750
0,1363
0,1246
0,1387
0,1445
0,1430
0,1445
0,1371
0,1332
Tabla 3-1: Radios
atmicos y
estructuras cristalinas
de 16 metales
FCC: Los tomos
localizados en los
vrtices del cubo y
en los centros de
todas las caras del
cubo
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La estructura cbica centrada en las caras
(FCC): cristalizan en esta estructura el
Cobre, aluminio, plata y oro.
Las esferas o cationes estn en contacto entre s a lo largo de la
diagonal. La longitud de la arista del cubo a y el radio atmico
R se relacionan mediante :
2 2 a R
CARACTERISTICAS DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA:
1. NMERO DE COORDINACIN (NC)
2. FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO ATMICO (FEA)
Ejemplo 3.1: Calcular el Vc unitaria FCC en funcin del R atmico
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MODELO DE ESFERAS RIGIDAS
CADA ATOMO DEL VERTICE ES
COMPARTIDO CON 8 CELDAS
UNITARIAS, MIENTRAS QUE LOS
ATOMOS CENTRADOS EN LAS
CARAS SOLO SON COMOPARTIDOS
CON DOS CELDAS.
CENTROS DE LOS ATOMOS
MEDIANTE PEQUEOS
CIRCULOS
SECCION DEL
CRISTAL
FORMADA POR
MUCHAS CELDAS
UNITARIAS FCC
NC = 12
NMERODE
COORDINACIO
N
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EN LA ESTRUCTURA (FCC) EL NUMERO DE
COORDINACION ES 12, EL ATOMO CENTRADO EN
LA CARA FRONTAL TIENE 4 ATOMOS VECINOS
CORRESPONDIENTES A LOS VRTICES, 4 ATOMOS
VECINOS CORRESPONDIENTES A LOS ATOMOS
CENTRADOS EN LAS CARAS Y QUE ESTAN EN
CONTACTO CON EL POR DETRS, Y 4 TOMOS
VECINOS EQUIVALENTES A ESTOS LTIMOS PERO
QUE PERTENECEN A LA SIGUIENTE CELDA
UNITARIA.
El factor de empaquetamiento atmico (FEA), para la
estructura FCC es 0,74, mximo empaq. Posible para esferas
rigidas del mismo tamao.
de tomos en una celda unitaria
Volumen total de la celda unitaria
Volumen
FEA
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b) ESTRUCTURA CRISTALINA CUBICA
CENTRADA EN EL CUERPO (BCC)
Ejemplo 3-2: Demostrar que el FEA para la estructura
cristalina FCC es 0,74.
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Los tomos del centro y de los vrtices se tocan
mutuamente a lo largo de las diagonales del cubo y la
longitud a de la arista de la celda y el radio
atmico R se relacionan mediante:
4
3
R
a
El nmero de coordinacin (NC) de la estructura BCC es 8,
cada tomo situado en el centro de la celda est rodeada por 8
tomos situados en los vrtices.
El FEA es 0,68.
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c) ESTRUCTURA CRISTALINA
HEXAGONAL COMPACTA (HC)
LAS BASES SON HEXAGONOS REGULARES
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CADA CELDA UNITARIA EQUIVALE A 6
TOMOS, CADA ATOMO SITUADO EN LOS 12
VERTICES SUPERIORES E INFERIORES
CONTRIBUYE CON 1 6 PARTE, LOS 2 ATOMOS
DEL CENTRO DE LOS HEXGONOS
CONTRIBUYEN CON 1 2 Y LOS 3 ATOMOS
DEL PLANO CENTRAL CONTRIBUYEN
TOTALMENTE.
El NC y el FEA son los mismos que la para la estructura FCC, es decir
12 y 0,74, respectivamente.
1 at C 1
12 Vrt( ) 2 (1 1 )( ) 3( . ) 6
6 Vert 2
tm BS BI tm centro
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Clculo de la densidad en funcin del
volumen de la celda unitaria
El conocimiento de la estructura cristalina de un slido metlico
permite el clculo de su densidad ( r ) mediante la siguiente ecuacin:
c A
nA
V N
r
Donde:
N: nmero de tomos asociados a cada celda unitaria; A: peso
atmico;Vc: volumen de la celda unitaria;N
A
: nmero de avogadro
(6,023E23 tomos/mol)
Ejemplo 3-3: Calcular la densidad del cobre y compararla con la
densidad experimental, sabiendo que tiene un radio atmico de 0,128
nm (1,28A), estructura FCC y un peso atmico de 63,5 g/mol.
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Polimorfismo y alotropa
Algunos metales y no metales pueden tener ms de una estructura
cristalina, fenmeno conocido como POLIMORFISMO, si este
fenmeno ocurre en un slido elemental se denomina ALOTROPIA.
La existencia de una estructura cristalina depende de la P y T.
El Fe tiene estructura BCC a temperatura ambiente y a 912 C tiene
estructura FCC.
La transformacin polimrfica a menudo va acompaada de
modificaciones de la r y de otras propiedades fsicas.
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La geometria de la celda unitaria se define en
funcin de 6 parmetros: la longitud de 3
aristas a,b y c y los tres ngulos interaxiales a,
b, g .Estos ngulos se denominan
PARAMETROS DE RED de una estructura
cristalina.
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Una direccin cristalogrfica se define por una
lnea entre dos puntos o por un vector.
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ETAPAS PARA DETERMINAR LOS
INDICES DE LAS TRES DIRECCIONES
1. En el origen de coordenadas del sistema se traza un
vector de longitud conveniente. Todo vector se puede
trasladar a travs de la red cristalina sin alterarse, si se
mantiene el paralelismo.
2. Se determina la longitud del vector proyeccin en
cada uno de los tres ejes, en funcin de las dimensiones
a,b y c de la celda unitaria.
3. Estos 3 nmeros se multiplican o se dividen por un
factor comn para reducirlos al vector entero menor.
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4. Los 3 ndices, sin separacin, se encierran
en corchetes [u v w].
* Los nmeros enteros u, v y w corresponden a las
proyecciones reducidas a los largo de los ejes x, y y z,
respectivamente.
*Para c u de los 3 ejes existen coordenadas positivas y
negativas.
*Los ndices negativos tambin son posibles y se
representan mediante una lnea sobre el ndice.
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Ejemplo 3-4:
1. Determinar los ndices de la direccin
mostrada en la Fig. adjunta.
[ ] x
[ ] y
[ ] z
[ ] a
[ ] b
[ ] c
DIRECCION: [1 2 0]
Proyeccin en el
eje x (a/2)
Proyeccin en el
eje y (o sea b)
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Ejemplo 3- 5: Dibujar una direccin [1 0]
dentro de una celda unitaria cbica.
1
Solucion:
1. SE DIBUJA UNA
CELDA UNITARIA
ADECUADA. EL
PUNTO O ESTA
LOCALIZADO EN UN
VERTICE DEL CUBO.
2.LAS PROYECCIONES DE LA DIRECCIN [1 0] A LO
LARGO DE LOS EJES x, y, z SON a, -a y 0(a),
RESPECTIVAMENTE.
1
[ ] a
[ ] a
[ ] a [ ] a
[110] Direccin
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EQUIVALENCIA
En algunas estructuras cristalinas, varias
direcciones no paralelas con diferentes indices
son equivalentes; esto significa que el espaciado
atmico a lo largo de cada direccin es el
mismo.
Por ejemplo, en cristales cbicos todas las direcciones
representadas por los siguientes ndices son
equivalentes.
[100],[100],[010],[010],[001] y [001]
En los cristales cbicos todas las direcciones que tienen los
mismos ndices, sin tener en cuenta orden o signo, son
equivalentes; por ejem.
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[123] [213] y
Generalmente esta condicin no se cumple en otros
sistemas cristalinos.
Por ejm., para cristales con simetria tetragonal las
direcciones [100] y [010] son equivalentes; mientras que
no lo son las [100] y [001].
Por conveniencia, las direcciones equivalentes se
agrupan en FAMILIAS que se denotan.
< 1 0 0>
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CRISTALES HEXAGONALES
* Algunas direcciones cristalogrficas
equivalentes de los cristales de simetria
hexagonal no tienen el mismo conjunto de
ndices.
* Este problema se resuelve usando el sistema de
coordenadas de 4 ejes o de MILLER BRAVAIS.
3
[ ] a
1
[ ] a
2
[ ] a
[120 ]
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* Los 3 ejes a
1
, a
2
y a
3
estn situados en un
plano, llamado plano basal, y forman ngulos
de 120 entre si. El otro eje z, es perpendicular
al plano basal.
* Los ndices de una direccin, obtenidos de este modo, se
anotan mediante cuatro dgitos:
[u v t w]
* Corresponden a las proyecciones a lo largo de los ejes
del plano basal a
1
, a
2
y a
3
.
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La conversin del sistema de 3 ndices al
sistema de 4 ndices.
[ ' ' '] [ ] u v w uvtw
Se consigue aplicando las siguientes frmulas.
[2 ' ']
3
[2 ' ']
3
( )
'
n
u u v
n
v v u
t u v
w nw


* Donde los ndices sealados con


apstrofos estn asociados con el sistema
de 3 ndices y los que no con el nuevo
sistema de MILLER-BRAVAIS de 4
ndices, n es el factor requerido para
resucir u, v, t y w a los enteros ms
pequeos.
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DIRECCIONES
PLANOS
* Utilizando esta conversin la direccin [010] se
convierte en la
[1210]
* En la sgte figura estn indicadas varias direcciones para una
celda unitaria hexagonal (a).
[0001]
[1100]
[1120]
3
[ ] a
2
[ ] a
1
[ ] a
[1011]
[0001]
[1010]
3
[ ] a
1
[ ] a
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PLANOS CRISTALOGRAFICOS
x=0, y=0, z=1
(001)
x=1, y=1, z=0
(110)
x=1, y=1, z=1
(111)
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* Los planos cristalogrficos del sistema
HEXAGONAL se especifican mediante
los 3 ndices de MILLER (h k l). Dos
planos paralelos son equivalentes y tienen
ndices idnticos.
Procedimiento para determinar valores de los indices.
1. Si el plano pasa por el origen, se traza otro plano paraleklo con
una adecuada traslacin dentro de la celda unitaria o se escoge un
nuevo origen en el vrtice de otra celda unitaria.
2. El plano cristalogrfico o bien corta, o bien es paralelo a cada uno
de los 3 ejes: la longitud de los segmentos de los ejes se determina en
funcin de los parmetros de red h, k y l.
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3. Se escriben los nmeros recprocos de estos
valores. Un plano paralelo a un eje se considera
que lo corta en el infinito y, por lo tanto, el ndice
es cero.
4. Estos 3 nmeros se multiplican o dividen por un factor comn.
5. Finalmente, se escriben juntos los ndices enteros dentro de un
parntesis (hkl).
6. Una interseccin en el sentido negativo del origen se indica mediante
una barra o un signo menos sobre el ndice. Cambiando el signo de todos
los ndices se obtienen un plano paralelo opuesto a una distancia
equivalente del origen.
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* Una caracterstica de los cristales cbicos es que
los planos y las direcciones que tienen los mismos
ndices son perpendiculares entre s. Sin embargo,
esta relacin geomtrica entre planos y direcciones
que tienen los mismos ndices no existe en otros
sistemas cristalinos.
Ejemplo3-6: Determinar los ndices de Miller del plano de la Fig (a):
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SOLUCION:
* Ya que el plano pasa por el origen O, se debe
escoger un nuevo origen en el vrtice de la celda
unitaria adjunta, llamado O y mostrado en la Fig. b.
* Este plano es paralelo al eje x y su interseccin tiene lugar en
a. Las intersecciones de los ejes y i z respecto al nuevo origen O
son b y c 2, respectivamente. En trminos de los parmetros de
red a,b y c, estas intersecciones valen , -1 y 1 2.
* Los recprocos de estos nmeros son 0, -1 y 2. Ya que todos
son enteros no requieren ninguna reduccin finalmente se
escriben entre parntesis.
(012)
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EJEMPLO 3-7: Dibujar un plano Dentro de
una celda unitaria cbica.
Solucion:
(011)
* Se elimina el parntesis de los nmeros y se escriben los recprocos:
, -1 y 1. Esto significa que el plano es paralelo al eje x, mientras que
corta a los ejes y y z en b y c, respectivamente, como se indica en la
Fig.(b)
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Ejem. 3-2: Determine la relacin entre el radio
atmico y el parmetro de red en estructuras CS,CC y
CCC cuando existe un tomo en cada punto de la red
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Nmero de coordinacin (NC)
El (NC) es el
nmero de tomos
vecinos ms
prximos
El (FEA) es la
fraccin de
volumen de esfera
rgida en la celda
unitaria
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Ejemplo: 3-6 Determine los
ndices de Miller de las
direcciones A,B y C de la
Fig. 3-11
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1
2
2
3
4
3
4
1
2
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a
b
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61
<=== Direccin
Plano
SOLUCION EJEMPLO 3 -9
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1
2
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INDICES
MILLER-
BRAVAIS
CELDAS HC
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