PROCEDIMENTO ESPERIMENTAL DE ELETRNICA PARA AUTOMAO
UBERABA 2011
INSTITUTO EDUCACIONAL GUILHERME DORA S/S LTDA. FACULDADE TALENTOS HUMANOS FACTHUS
RELATRIO DE PRATICAS DE LABORATRIO
Discentes: Jairo do Nascimento Barbosa 10800525 Flavio Henrique Vinaud 10800096
Uberaba MG 2011 Relatrio referente ao exerccio prtico apresentado como exigncia na no curso de graduao de Engenharia Mecnica da disciplina de Eletrnica para Automao Industrial do Prof Leandro Aureliano da Silva.
FIGURA 1 .............................................................................................9 FIGURA 2 .............................................................................................10 FIGURA3 ..............................................................................................11 FIGURA 4 .............................................................................................11 FIGURA 5 .............................................................................................11 FIGURA 6 .............................................................................................12 FIGURA 7 .............................................................................................12 FIGURA 8 .............................................................................................13 FIGURA 9 .............................................................................................13 FIGURA 10 ...........................................................................................13 FIGURA 11 ...........................................................................................14 FIGURA 12 ...........................................................................................14
Este relatrio tem por objetivo demonstrar de forma suscita os resultados obtidos em aula prtica de laboratrio, com recursos as montagens apresentadas nas figuras 2 e 3 respectivamente, atravs da montagem de um circuito de meia onda, com polarizao direta e polarizao reversa atravs do CIRCUIT MAKER, obtendo-se resultados medidos por voltmetros e ampermetros montados nos circuitos, alimentando-se com suas leituras obtidas a tabela de dados a qual vai gerar o grfico que demonstrar a curva de caractersticas do diodo aplicado ao circuito prtico, que foi proposto.
2 OBJETIVOS
Temos o objetivo de verificar atravs dos experimentos o efeito da polarizao direta e reversa coletando medidas mensurveis para montagem de planilhas de dados que permitam criar um grfico que demonstre a curva caracterstica do diodo averiguando a variao de corrente destes dispositivos perante aplicao de diferentes intensidades de tenso da fonte varivel, atravs de medidas de voltmetros e ampermetros que demonstrem a tenso e corrente, nos pontos em questo demonstrados nas figuras.
4 DESENVOLVIMENTO TERICO Deve-se mencionar que um diodo semicondutor pode ser descrito como um dispositivo ou componente eletrnico que composto de cristal semicondutor que pode ser de silcio ou germnio disposto em uma pelcula cristalina cujas faces opostas so dopadas por diferentes tipos de gases que so inseridos durante a sua constituio. Pode-se dizer que um dos tipos de componente eletrnicos mais simples, pois um semicondutor normalmente usado para retificar a corrente eltrica.
4.1 SEMICONDUTOR Como os tomos possuem a capacidade de se combinarem com outros tomos dependendo do nmero de eltrons que possuem em sua camada de valncia. Sendo possvel esta combinao quando este nmero for menor que oito. Os elementos que possuem oito eltrons na camada de Valencia no se combinam, pois so inertes e estveis. Considerando agora o silcio, que o semicondutor mais usado e tem 4 eltrons na camada de valncia.
Figura 1 Esquema das ligaes em um cristal de silcio
Em seu estado puro cada um de seus pares de eltrons de tomos distintos formam o que chamamos de ligao covalente, de forma que cada tomo fique em um estado mais estvel ou seja com 8 eltrons sua camada mais externa. Com isso resulta-se em uma estrutura cristalina homognea. O material continua um semicondutor. Porem quando certas substancias, chamadas impurezas so adicionadas, consegue-se alterar as suas propriedades eltricas que so modificadas totalmente. Se temos um elemento como o Antimnio, o qual temos 5 eltrons de Valencia, for adicionado e alguns tomos deste substituam o silcio na estrutura cristalina, 4 dos 5 eltrons comportam-se como se fossem os de valncia do silcio e o excedente ser liberado para o nvel de conduo.
Figura 02 - Cristal de silcio dopado com Antimnio
O cristal vai conduzir e em razo da carga negativa dos portadores (eltrons), denominado semicondutor tipo n. Mesmo assim o material continua eletricamente neutro, devido aos tomos possurem o mesmo numero de prtons e eltrons. Sendo que somente a distribuio de cargas se altera, de modo a permitir a conduo. E quando uma impureza com trs eltrons de valncia como o alumnio adicionada. Alguns tomos de silcio iro transferir um eltron de valncia para completar a falta no tomo da impureza, criando um buraco positivamente carregado no nvel de Valencia e o cristal ser um semicondutor tip P, em virtude da carga positiva dos portadores ou seja buracos
Figura 3 Cristal de silcio dopado com alumnio. Se um semicondutor tipo P colocado junto a um do tipo N, na regio de contato, chamada juno, haver a formao de uma barreira de potencial.
Figura 04: Juno Tipo PN. No estado normal, o semicondutor eletricamente neutro, pois os tomos tanto do semicondutor quanto da impureza tm iguais nmeros de eltrons e prtons. Na juno, os eltrons portadores da parte N tendem a ocupar buracos na parte P, deixando esta com um potencial negativo e a parte N com um potencial positivo e, assim, formando uma barreira potencial Vo. Assim, a polaridade da barreira de potencial mantm os eltrons na parte N e os buracos na parte P.
Figura 05: Polarizao Direta.
Se um potencial externo V > Vo for aplicado, o potencial de barreira ser quebrado e a corrente elevada, pois existem muitos eltrons em N. Diz-se ento que a juno est diretamente polarizada. No caso de inversamente polarizada, o potencial de barreira ser aumentado, impedindo ainda mais a passagem de eltrons e a corrente ser pequena.
Figura 06: Polarizao Invertida.
Este conjunto, chamado diodo de juno, funciona como um retificador. A curva abaixo tpica deste tipo de diodo. Acima de um pequeno valor de polarizao direta, a corrente aumenta exponencialmente.
Figura 07: Curva caracterstica do diodo de juno. A polarizao inversa tem um limite. Para a direta, acima de um determinado valor ocorre um efeito de ruptura, quebrando a barreira de potencial e a corrente sobe quase na vertical. A Barreira de potencial para o diodo de Si aproximadamente 0,7v, para o Ge aproxima-se de 0,3v.
Figura 08: esquerda um Diodo PN comercial comum, direita a representao do mesmo diodo.
5 - DESENVOLVIMENTO PRATICO
Circuitos
Figura 9: Resistncia direta do diodo 1N4007, obtida pelo Circuit Maker.
Figura 10: Resistncia reversa do diodo 1N4007 obtida pelo Circuit Maker.
OHMS 268.8k D1 1N4007 OHMS 8.367Me D1 1N4007
Figura 11: Montagens dos Circuitos realizadas no Experimento.
Figura 12: Montagem do Circuito com variao da Tenso.
6 - RESULTADOS E ANALISES DE RESULTADOS
Para obter os resultados, referentes aos procedimentos acima utilizou- se o software Circuit Maker, com o qual aplicou-se um resistor de 470 , um multmetro, uma fonte varivel e um diodo 1N4007. Em um primeiro momento obteve-se o valor da resistncia do diodo direta e reversamente encontrando-se os resultados conforme tabela 1, e tendo os procedimentos demonstrados nas figuras 09 a 10 para resistncia direta e reversa.
+ V2 12V R2 470 ohm D2 1N4007 D1 1N4007 R1 470 ohm + V1 12V DC A NO DATA DC V NO DATA + - Vs1 10V D1 1N4007 R1 470 ohm
Resistncia Direta Resistncia Reversa 268,8k 8.367M Tabela 1: Medidas das resistncias direta e reversa do diodo 1N4007. A partir da tabela 1, conseguiu-se verificar que o diodo dispunha de perfeitas condies para a execuo do experimento, devido a sua resistncia direta ser baixa e a resistncia reversa ser alta. Em um segundo teste, utilizou-se dos circuitos da figura 12, para obter os resultados que foram relacionados nas tabelas abaixo sendo uma tabela para polarizao direta e outra para polarizao reversa.
VD (V) ID (mA) 0 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 Tabela 2: Resultados para polarizao direta, tirados do Circuit Maker.
VD (V) ID (mA) 0 0 5 10 15 20 25 30 Tabela 3: Resultados para a polarizao reversa tirados pelo Circuit Maker. Com os valores obtidos, conforme tabelas acima, observou-se que o diodo quando polarizado diretamente, produz uma corrente alta limitada pelo seu resistor em srie conforme figura 11. Porem quando polarizado
reversamente, a corrente praticamente nula e a tenso reversa atravs dos terminais do diodo se torna quase que igual a da fonte. Atravs do Excel obteve-se a curva caracterstica do diodo tanto polarizado diretamente como quando polarizado reversamente.
7 - CLCULOS TERICOS Conforme figura 3 chegou-se aos clculos a seguir para o circuito serie, nos casos em que o diodo esta polarizado diretamente e no caso de diodo estar polarizado reversamente, utilizando-se a lei das tenses de Kirchoff obtm-se: Polarizado diretamente
Polarizado Reversamente
Com a analise dos resultados da tabela 2 o diodo polarizado diretamente com a variao de 0,1 V na sua respectiva tenso, notou-se que at o instante VD= 0,3 seu valor se aproxima de zero. Contudo na tabela 3 o diodo polarizado reversamente possui os valores de corrente muito baixos com isso o valor nos terminais do diodo se igualam a quase os valores da fonte.
8 CONCLUSO
Concluiu-se que podemos utilizar as caractersticas do diodo tipo PN em uma gama infinita de aplicaes prticas que envolvem desde o controle simples de modulaes at fontes chaveadas mais complexas, ou seja, possui imensa utilizao em diversos campos da eletrnica pela sua versatilidade. Com o experimento soube-se exatamente como ele funciona, deixando claro a sua importncia para o campo da eletrnica principalmente os ligados a manuteno, instalao e projetos de equipamentos eltricos e eletrnicos. Comprovou-se que o conjunto diodo de juno, conseguem funcionar como retificadores. A sua curva tpica o seu smbolo, a partir da compreenso de seu funcionamento podemos compreender toda lgica por traz dos circuitos montados com dispositivos destas naturezas. Notou-se que, acima de um pequeno valor de polarizao direta, a corrente aumenta bastante e em sua polarizao inversa tem limite. Acima de um determinado valor ocorre um efeito de ruptura, quebrando a barreira de potencial e a corrente cresce quase que verticalmente.
9 BIBLIOGRAFIA [1] - MALVINO, Albert P. Eletrnica . vol.1 e 2 . Pearson Education do Brasil Ltda., 1997. [2] Site da Datasheets for electronics components; www.datasheetcatalog.com; acessado em 03/05/2011. [3] Manual Zowie Technology Corporation; 1N4001 THRU 1N4007 - SILICON RECTIFIER [4] - BOYLESTAD, R. L.,NASCHELKY. L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos, 6 edio Prentice-Hall do Brasil, 1998. [5] CIPELLI, Antonio Marco V., Teoria de Projetos de Circuitos Eletrnicos, 23 edio So Paulo: rica, 2007.
[6] Fonte: http://www.webartigos.com/articles/14668/1/Polarizacao-Direta- Reversa-e-Curva-Caracteristica-do-Diodo- 1N4007/pagina1.html#ixzz1LF2C25Z6 [7] ARTIGO: UNIVERSIDADE de Coimbra, Departamento de Engenharia e Eletrtcnica e de Computadores, acesso em 03/05/2011.