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....
Electrnica
fsica

Principios fisicos, materiales y dispositivos.
Rafael Quintero Torres
R AFAEL QUI NTERO TORRES es egresado de la Uni-
versidad Autnoma Metropolitana, Unidad Azca-
potzalco. Estudi la maestra en ingeniera elctrica
en el Centro de Investigacin y Estudios Avanzados
dellrN y el doctorado en ciencias de la ingeniera en
Auburn University, Estados Unidos. Ha trabajado
en Motorola de Mxico como ingeniero de desarro-
llo en el rea de obleas (fabricacin de dispositivos
semiconductores de potencia). Actualmente es pro-
fesor-i nvestigador de la uAM-Azcapotzalco, en el
Departamento de Elect rnica.
En los centros educativos en que se form, el
autor trabaj en las propiedades pti cas no lineales
y elctricas de materiales orgnicos. Ha publicado
varios trabajos cientficos y presentado conferen-
cias en congresos internacionales, los ms recientes
en el rea de optoelectrni ca. Su inters cientfico
actual se centra en las propiedades pti cas y elctri -
cas de los materiales que pueden ser empleados en
electrnica.

ELECTRNICA FSICA
SERIE
Material de apoyo a la docencia
(Teora y prcticas de laboratorio; problemarios)
Electrnica
f
'/ .# 1:St3
lSlca (' , 6 7.893J.'I-'
Principios fsicos, materiales Y dispositivos
Torres
AZCAPorZAU"
"'-"'-1!l'Q
289324 /
UNIVERSIDAD AUTNOMA METROPOLITANA
Rec tor Gene ral
Dr. Julio Rubio Oca
Secreta rio Gene ral
M. en C. Magdalena Fres n Orozco
UNIDAD AZCAPOTZALCO
Rector
Lic. Edmundo Jacobo Malina
Secreta rio
Mtro. Adrin de Caril)' Snchcz
Coordinador de Extensin Universitaria
Lic. Albert o Dogart Murrieta
Jefe de la Seccin Editorial
Lic. Valentn Almaraz Moreno
Portada:
Adriana Espinosa/Sa ns Serif Editores
Composicin tipogrfica, diseo, produccin y cuidado editorial:
Sans Serif Editores, te!fax 674 60 91
Primera edicin 1996
ISBN: 970-620-732-5
Universidad Autnoma Metropoli tana
Unidad Azcapotza1co
Av. $.ln Pabl o nm. 180
Mxico, 02200, D.F.
Impreso en Mxico
Prillted illMexico
i.I 7}
T A' i n i
pcf.51
AGRADECIMIENTOS
M
[ AGRADECIMIENTO A LOS PROFESORES
Jaime Grabinsky y Alex Polo Velz-
quez por sus mltiples correcciones
ysugerendas a lo largadel trabajo, especialmen-
te por el maraln en que consisti la revisin fi nal,
as como al profesor Juan Va rgas Rubio por sus
valiosos comentari os.
La inspiracin para la realizacin del trabajo
surgi de los estudiantes de electrnica fsica,
adems de que su colaboracin fue muy impor-
tante. Particularmente agradezco la ayuda de la
generacin de 1995, invierno.
La mayor parle de este trabajo fue realizada
a expensas de mi ti empo famil iar, as que debo
reconocer la comprensin, paciencia y estmulo
de mi familia: Rosa Mara, y Rafael, quien me
permiti "j ugar a la computadora" innumera-
bles fines de semana.
R. Q. T.
7
Nomenclatura
de ta Ilslca modoma
Cuantlzacln de la energfa
Conceptos preliminares

Contactos hmicos
V rectlllcantes
Estructuras electrnicas
Uninp-JI
Transistor bipolar
8JT
EL MAPA
Bandas de energra
Tecnologla
de matariales
Matales,
semiconductores
yalslanles
Materiales de la electrnica
LEO,lasar
y lotodetectores
Capacitor MOS
Translslor unlpolar
MOSFET
PRESENTACIN
E
L PROPSITO PRINCIPAL DE ESTE TRABAJO es
ayudar en el aprendizaje de la electrnica
fsica, evitando las dis tracciones que son
consecuencia de tener que tomar notas en clase, y
dando a los estudiantes el material necesario con
anticipacin, para que estn preparados antes de
presentarse a clase. De esta manera, el aprendi-
zaje y la enseanza se facil itan en gran medida.
Esta obra se propone cubrir con amplitud su
tema, y abarca poco ms de lo que se estudia en un
trimestre, con el fin de encauzar el inters estudian-
til, que con ayuda de investigacin bibliogrfica
permitir ampliar la informacin presentada.
La redaccin se realiz de manera cuidadosa,
a fin de exponer las ideas claramente. Si algo no
resulta claro, vuelva al punto e intente de nuevo:
puede ser un concepto clave.
Es importante tener en cuenta, para aprove-
char mejor el presente texto, lo siguiente:
a) El material de las unidades uno y dos no es
exclusivo de nuestra Unidad de Enseanza-
Aprendizaje (UEA); es malerial bsico y comn l
las reas de qumica y fsic.
b) Si quiere conocer algo acerca de los disposi-
tivos de estado sl ido, el origen de los parme-
tros que aparecen en las hojas de ingeniera, el
funcionamiento y las limitaciones de los disposi-
ti vos bsicos con la menor densidad de mi lagros,
no tiene ms remedio que estudiar con deteni-
miento el texto.
c) Quiz haya otra manera mils fcil de estu-
diar lo mismo, pero no tan divertida. Este asunto
debe tomarse con mucha calma, para conocerlo
por aproximaciones sucesivas, sacrificando la
formalidad en aras de formar idei1s claras. Re-
cuerden que, antes que futuros ingenieros, son
estudiantes, y es importante que disfruten del
placer de aprender, cualquiera que sea el tema.
9
INTRODUCCIN
L
OS OBIETIVOSQUE SE INTENTAR ALCANZAR con
este texto son:
Entender cmo se emplean las propie-
dades de los materiales en dispositivos elec-
trnicos tiles y cmo stos transfieren sus
limitaciones.
Explicar el comportamiento elctrico de los
materiales, en particular el de los semicon-
ductores homogneos.
Conocer cmo surgi el concepto de bandas
de energa y manejarlo en el estudio de los
semiconductores homogneos y disposi-
tivos.
Entender el principio fsico del funciona-
miento de las estructuras simples (unin
pon, estructura MOS, transistor, etctera).
Dar cauce a inquietudes relacionadas con
la comprensin de nuevos "disposi tivos"
electrnicos, como los obtenidos de la inte-
raccin de la luz y los materiales, entre los
cuales se encuentran las memorias magne-
topticas o los lseres.
Probablemente piense usted que este panora-
ma es muy amplio, adems de que el desarrollo
se da a gran velocidad, y que por lo tanto le ser
difcil abarcar el material en 12 semanas, pero no
se desanime.
La electrnica fsica se puede entender como
el conocimiento que ha permitido el desarrollo
de la electrnica hasta los niveles de compleji-
dad que son comunes hoy da. La electrnica
fsica permite explicar el funcionamiento de los
sistemas simples, desde la conduccin en un
metal hasta el desarrollo de tecnologas, como
la que hace posible la fabricacin de los moder-
nos circuitos integrados (VLSI) o los cada vez
ms eficientes diodos lser.
Entre sus campos se pueden mencionar los
siguientes:
Fsica de semiconductores: Explicacin y
prediccin de las caractersticas de los semi-
cond uctores.
Fsica de d isposi ti vos: Diseo de dispositi-
vos de estado slido.
Tecnologa de los semiconductores: Fabri-
cacin ptima de disposit ivos.
Microelect rnica: Diseo de circuitos inte-
grados.
11
CAPTULO 1
CONCEPTOS PRELIMINARES
L
A ELECTRNICA FlslCA que aqu estudiare-
mos se basa en la fsica moderna. Por ello
es necesario partir de conceptos un tanto
alejados de lo cotidiano. La primera parte tiene
como propsi to introducir algunas de las ideas
que fonnan parte de la fsica moderna. Es claro que
entender estos conceptos en una primera presen-
tacin es difcil, pero la segunda vez que se escu-
chan saenan familiares. La segunda parte inclu-
ye conceptos relacionados con los dispositivos
pticos, los emisores de luz y los cambios que
presenta la luz al interactuar con los materiales.
Esto abrir la puerta al estudio de dispositivos
optoelectrnicos. Finalmente se presentan dos
de los resultados de la mecnica cuntica que
ms ayudan en el entendimiento de los materia-
les, la cuantizacin de la energa y el efecto tnel.
FSICA SUBMICROSCOPICA
Siempre que hemos emprendido el estudio de
un nuevo tema, ha sido necesario recurrir a una
Un comentario sobre esta nueva mecnica:
terminologa bsica que nos permita manejar y
entender conceptos e ideas ms elaborados.
Este curso no es la excepcin, y menos ahora
que tratamos aspectos tan distantes de nuestro
sentido comn, lo que no suceda con la me-c-
nka clsica, por ejemplo. En particular, la es-
tructura interna de los tomos no sigue las leyes
clsicas y nuestra intuicin no nos ayuda a pre-
decirla.
Los sistemas que se tratarn en adelante, como
los electrones, tienen una masa y un tamao tan
pequeo que no siguen las reglas de los cuerpos
de gran masa, gran tamao y pequeas velocida-
des, como los autos, las personas, etctera.
As, despus de un gran esfuerzo intelectual,
de muchos aos de trabajo y muchas contradic-
ciones y controversias, se propuso una mecnica
para los cuerpos del mundo submicroscpico.
Nuestro objetivo ahora no es presentar una
introduccin de esta mecnica, sino saber de su
existencia y conocer algunos de sus conceptos y
resultados ms elementales, los cuales empleare-
mos en el transcurso del texto.
Su utilidad es ampliafr.ente reconocida, ya que gracias a ella se predijo la existencia
de dos efectos de particular importancia en electrnica, a saber: el efecto tnel y el efecto
lser.
Es muy diferente de la mecnica clsica en su concepcin y terminologa, pero no en
sus resultados, en el dominio de las grandes masas y las pequeas velocidades, donde
las dos mecnicas son esencialmente la misma.
La ventaja deesta nueva mecnica no radica en que nos permite encontrar la solucin
13
Electrllica fsica
analtica a cualquier problema (lo que, estrictamente hablando, no sucede), sino que
nos proporciona otra manera de ver los mismos problemas y por lo tanto entender su
comportamiento.
Pril1cipio de incertidumbre
Este principio no tiene an logo en la mecnica
clsica y es uno de los conceptos principales de
la nueva mecnica. Una desus representaciones
ms frecuentes es:
(1.1)
donde /, es la constante universal de Planck, que
tieneel valorde6.626 x 1(}-34 U s), y tU representa
la incertidumbre en la medicin de la posicin,
mientras que o.p representa la incertidumbre en
la medicin de la cantidad de movimiento lineal
(p = IIIV).
En mecnica clsica no existe (y no tiene por
qu existi r) ninguna restr iccin respecto a la
exactitud del conocimiento de la posicin y la ve-
locidad de un cuerpo. Intuimos que la exactitud
depender de nuestra capacidad para disear el
experimento y de la resolucin de los instrumen-
tos utilizados en la medicin.
Si estudiamos una partcula puntual que tiene
movimiento slo en la direccin cartesiana x,
t'stara totalmente caracterizada con el conoci-
miento de la posicin y la velocidad o cantidad
de movimiento, como se ve en la figura 1.1 .
y como dijimos antes, no pensamos que .6.x o
.v tengan ningn lmite predeterminado.
(1.2)
Para el sentido comn, no hay razn por la
cual .ir, .6.v o ambas no puedan ser cero, pero
para el mundo submi croscpico existe un com-
promi so. No es posible disminuir 105 errores
arbitrariamente, se debe respetar el principio de
incertidumbre, en el cual:
(1.3)
14
Cmo creer lo increble?
La medicin de cualquier sistema incluye in-
herentemente su perturbacin, esto es, para me-
di rlo hay que interactuar con l, de tal manera
que despus de medirlo por primera vez, el sis-
tema cambia. Es deci r, no se pueden realizar dos
mediciones (x, p) a un mismo sistema.
Hasta dnde es esto verdadero?
Medir la temperatura con un termmetro es
alterar el sistema, ya que se necesita energa del
sistema (interna o suministrada desde el exte-
rior) para obtener la lectura de la temperatura,
de tal manera que despus de medir el sistema
ste tiene una temperatura diferente. Si estamos
midiendo la temperatura de un litro de agua
podramos no preocuparnos por el cambio que
causamos. Pero si estamos interesados en cono-
cer la posicin de un electrn en el espacio y para
esto hacemos incidir otra partcula que nos d
indicio de su posicin, definitivamente el elec-
trn cambi de posicin despus de la interac-
cin (y quiz tambin sus otros parmetros), as
que el cambio en este caso s es importante.
Dicho de otra manera, la incertidumbre en la
medida de la posicin de una masa de 1 kg, cuya
velocidad tiene una incertidumbre de 1 mis, es
del orden de 10-
34
m(1) (d istancia que es 10-
19
"
V"il --------------- ..
Figura 1.1 . Velocidad y posicin de un cuerpo
definido en una dimensin.
Conceptos preliminares
veces ms pequea que el radio del electrn). Sin
embargo, para un electrn energtico en un to--
mo de hidrgeno, la incertidumbre es del orden
/
(1) III = - = U-"m
mt.v
de 10-9 m(2), es decir, 10 veces el tamao adscrito
normalmente a los tomos.
h ~ f2E
(2) III = - = U-'; donde t.v = v = '1 = Y E = 13 eVo; ni = 0.91 x 1 O - ~ [kg]
m.v f1l
El manejo operacional de este principio puede
ayudar a estimar la energa de un electrn confi-
nado a moverse en una dimensin. Este resulta-
do ser til cuando se estudie la distribucin de
los electrones en un slido.
Qu energa podr tener un electrn confina-
do a moverse en una barra unidimensional de
longitud L?
Si suponemos que el electrn est en algn
lugar de la barra, entonces .x = L.
Empleando el principio de incertidumbre, el
error en la medicin de la cantidad de movimien-
h h
to ser p ~ I ' En el mejor de los casos Llp "" I'
Es posible suponer que el error en la medicin
es menor que la medicin en s, por lo que es
h
posible escri bir: p "" I '
Finalmente, con la expresin para la energa
cintica se puede escribir la energa que tendra
un electrn.
(1.4)
Hiptesis de De Broglie
Esta afirmacin surgi com9 un modelo para
ajustar algunas suposiciones de la mecni ca
cuntica, cuenta con una amplia justificacin ex-
perimental. Su representacin habitual es:
P""i=1ik; f...= 2; (1.5)
----
1 eV" 1.60218)( 1O-!4 J.
donde A. es la longitud de onda que caracteriza
a un proceso ondulatorio, p es la cantidad de
movimiento lineal y kes proporcional a la cantidad
de movimiento (tambin es un vector). Al mismo
ti empo k es una base vectorial muy usada al estu-
diar los slidos, por ejemplo en microscopa elec-
trnica, en propiedades de transporte, etctera.
Esta hiptesis trata de interrelacionar las carac-
tersticas intrnsecas de dos fenmenos que son
sustancialmente distintos, esto es, relaciona las ca-
ractersticas de fenmenos ondulatorios (A) con las
caractersticas de fenmenos corpusculares (P).
Con esta hiptesis es posible asociar un compor-
tamiento ondulatorio a las partculas y viceversa.
Esta suposicin permite manejar con mayor
confianza la mecnica cuntica, ya que se baSe") en
asociar a cualquier cuerpo un comportamiento
ondulatorio. De ah el nombre de mecnica ondu-
latoria,
Bueno, y si esto es cierto, cul es la longitud
de onda de una persona?
Si imaginamos una masa de 75 kg Y una velo-
cidad de 10 m/s:
6.6 x 1 O ~ [ Js 1 ~
--- - 1 m
(75)(10) kgm s-' -
Se podra afirmar que sta es una explicacin
de por qu no vemos que las personas se despla-
cen como ondas, como cuando se perturba la
superficie del agua, ya que no se perciben dimen-
siones fsicas tan pequeas.
Ahora que se ha mencionado la palabra "ver",
una pregunta obligada sera: Qu podemos ver?
Pues bien, en nuestro organismo tenemos di-
ferentes transductores y cada uno permite tener
15
E/eel rnica Jfsicn
acceso a algunos fenmenos que suceden a nues-
tro alrededor. Por ejemplo:
Las vibr<lciones mecnicas de baja frecuen-
cia las detect.:- tnos con el (<lcto.
Las vibraciones mecnicas de mayor fre-
cuencia las detectamos con el odo.
La piel nos permite detectar algunas oscila-
ciones electromagntic<ls que corresponden
al infrarrojo (calor).
La vista nos permite discernir entre diferen-
tes oscilaciones de las ondas electromagn-
ticas, pero en un interva lo muy corto que se
denomina "visible".
As, para detectar el resto del amplio espectro
electromagnti co es necesario recurrir a un
transductor adicional que transforme la seal
que deseamos conocer en <lIgo que podamos
detectar. Por ejemplo, un radio, un televisor, un
detector de centelleo, etctera.
Cul ser la cantidad de movimiento d e la luz roja de un lser de He-Ne?
La longitud de onda de este lser es: A. = 632.8nm (un nm es 1 x 10-9m).
p
_ lO-V[k ms-' )
632.8 x 10-' - g
En esencia, qu origin que el comporta-
miento dual onda-partcula pasara inadvertido
durante tanto tiempo?
Claro est, la magnitud de It. Podra usted
imaginar al mundo con una / diferente, digamos
lo-
1lJ
, 10-10, o l[Js]?
Hipt esis de Mnx Plnllck
Sin temor a equivocarnos, podemos afirmar que
con el trabajo de Max Pl anck (1900) dio principio
el vertiginoso desarrollo de la fsica moderna.
Su hiptesis afirma que, dado que los procesos
ondulatorios se pueden comportar como partculas,
la luz, al ser una onda electromagntica, tambin se
puede estudiar como un fenmeno corpuscular, y
los corpsculos de luz se denominan fotones.
Como veremos con ms detalle en la siguiente sec-
cin, una fuente de radiacin se caracteriza prin-
cipalmente por su espectro (longitudes de onda que
radia) y por la radiancia a cada una de esas longi-
tudes de onda. Esa hiptesis relaciona expresamen-
te la energa de los fotones (E) con la frecuencia (v)
o la longi tud de onda ()..), ya que la frecuencia y la
longitud de onda se relacionan con la velocidad de
la luz ().. v = c, c = 2.9979 X 10
10
cm/s).
E= /IV =1W (1.6)
Esta hi ptesis se emple para explicar los re-
sultados de la radiacin del cuerpo negro y del
efecto fotoelctrico.
Si se piensa en un conjunto de osciladores
acoplados, entonces la emisin o absorcin de
energa E es una cantidad proporcional a la fre-
cuencia v. As, cuando un oscilador absorbe o
emite radiacin electromagntica, su energa au-
menta o d isminuye slo en una cantidad IIv; para
cualquier osci lador con frecuencia v existe ni-
camente una constante de proporcionalidad.
Qu energa tiene asociada la luz roja del lser de He-Ne, A. = 632.8 nm?
}e
E =}v = - = 3.W"[J) , = 1.96[eV)
lo
16
Conceptos prelimitlares
En este curso es mejor usar electrn volt (eV)
como unidad de energa en lugar de joule, ya que
proporciona nmeros ms razonables. Un eV
equivale a la energa que adquiere un electrn
despus de ser acelerado por una diferencia de
potencial de un volt.
1 eV = 1.60218 x 10'"19 J
NOMENCLATURA PTICA
El ojo humano, en buenas condiciones de ilumi-
nacin, es capaz de detectar un pequeo inter-
valo del espectro electromagntico. En la figura
1.2 se muestra la respuesta relativa de acuerdo
con la Commission Internationale de 1' t:c1airage
en 1924 (CiE). Esto es lo que da origen a dos
conjuntos de unidades para el estudio de la
radiacin electromagntica: las radiomtricas,
donde la unidad fundamenta l del flujo radiante
es el watt y donde no se consideran algunas
longitudes de onda como "especiales", y las fo-
tomtricas, donde el flujo luminoso equivalente
Trminos de radiomelra y fotometra
Ultidad SI Trmino y unidad radiomtrica
Q Energa radiante [J]
<p Flujo o potencia radiante (WJ
1 Irradiancia [Wm-
2
]
9\ Intensidad radiante
L Radiancia (Wm-
2
s r-
l
j
W Emitancia radiante [Wm-
2
]
Las primeras dos unidades radiomtricas no
requieren aclaracin adiciona!. La irradiancia es
una medida de la cantidad de radiacin (poten-
cia radiante) por unidad de rea; a menudo el
detector no define el rea iluminada, as que
debe corregirse proporcionalmente. La intensi-
dad radiante es medida en fuentes divergentes
y mide la potencia radiada por una fuente pun-
1.0
0.8
o.,
v,
o .
0.2
0.0
---
/
400
(
\
1/
\
/ \

r-
soo 600
Long!lud de onda (nm)
FIgura 1.2. Curva de respuesta ptica de la CIE.
700
tiene al lumen como unidad y estn determina-
das por la visin.
(Flujo luminoso en 1m) = 683 x
(flujo radiante en W) x (1.7)
es la respuesta relativa del ojo que tiene el
valor de 1 a la longitud de onda de 555 nm que
corresponde al color verde. Un watt de energa
radiante a 555 nm equivale a 683 lumen.
Trmino y ullidad fotomtrica
Energa luminosa [talbot = 1m sI
Flujo o potencia radiante (W]
lI uminancia (1m = lux)
Intensidad luminosa !1m sr-
1
= candela]
Luminancia o brill antez [m-
2
5r-
1
= nit]
tunl como funcin del ngulo slido. La radian-
da es una propiedad de superficies que emiten
o reflejan la radiacin y mide la potencia radia-
da por unidad de rea y ngulo slido definido
entre el detector puntual y el rea emisora o
reflectora. La emitancia radi ante mide la poten-
cia total radiilda en todas direcciones a partir de
un rea unitaria .
17
Elecfr"ica fsica
Cul es la brillantez de un diodo emisor de luz (LEO)?
Empezamos por suponer un LEO fabricado con un rea activa de 0.2 mm de dimetro
y que es visto a un metro de di stancia. El LEO emite a una longitud de onda de 550 nm
(verde) y tiene una eficiencia cuntica externa (1''J) de 0.1 % (este nmero mide la razn
de electrones que son convertidos a fotones; los LED amarillos tienen un peor nmero
mientras que los infrarrojos alcanzan eficiencias del 15%). Adems, supongamos que
emite de manera isotrpica y que el diodo es operado a 2 V Y 50 mA.
En estas condiciones el LEO se puede trabajar como una fuente puntual, ya que el
ngul o creado por el rea del LEO a un metro de distancia es menor a un minuto de
arco.
La potencia radiante total est definida por la energa proporcionada por cada fotn
emitido (funcin de A, y que posteriormente se ver que depende de la estructura de
bandas), por los electrones disponibles para producir fotones (funci n de la corriente
elctrica) y por la efici encia de conversin electrn-fotn (11).
De la tabla e lE a esta longitud de onda, un watt es igual a 679 1m, por lo que el LEO
produce una potencia luminosa de 7.7 x lO-
2
1m. Como el flujo luminoso es isotrpico
sobre el ngulo slido 21t la intensidad luminosa a incidencia normal es 1.2 x 10-
2
candela.
La definici n del ngulo slido es simi lar a la
definicin del radin; el radin es el cociente de
la longitud del arco de un crculo entre el radio
del crculo. El estereoradin (sr) es el cociente del
rea de una seccin de la esfera entre el radio de
la esfera al cuadrado. El ngulo slido total
de una esfera es 4][. Una abertura rectangular
a x b, a una distancia 11, forma un ngulo slido
(Q) de la siguiente forma:
polarizacin de la luz que se refleja del materi al,
ya que cambios en el material magntico produ-
cen cambios en la polarizacin de la luz (efecto
Kerr magntico).
La radiacin electromagn(ica se caracteriza,
adems de lo mencionado en la seccin anterior,
por la del frente de onda y el estado
de polarizacin. La propagacin del frente de
onda puede ser plana, como la luz del sol vista
en una pequea rea en la tierra. Otro caso de
propagacin puede ser esfrica, como las fuentes
puntuales, y finalmente las fuentes gaussianas,
como la radiacin de los lseres de buena cali-
dad, donde la intensidad se distribuye en el es-
pacio como una campana de Gauss.
PolarizacilI de la luz
El concepto de polarizacin de la luz es muy
importante, ya que muchos dispositivos pticos
controlan y miden la polari zacin de la luz ms
que la intensidad. Las memorias magnetopti-
cas, por ejemplo, se basan en la identifi cacin de
pequeos dominios magnticos analizando la
18
La polarizacin de la radiacin puede ser
plana, en la cual el vector del campo elctrico
vibra paralelo a un plano que incluye la direc-
cin de propagacin. La polarizacin circular se
produce cuando en la radiacin que se propaga
en la direccin cartesiana Z, la vibracin del
Conceptos prelimilwres
campo elctrico a lo largo del eje cartesiano x
est un cuarto de la longitud de onda fuera de
fase respecto a la vibracin del campo elctrico
a lo largo del eje cartesiano y, y el campo elc-
trico resultante describe un crculo. Si la dife-
rencia en fase es O o la mitad de la longitud de
onda, se tiene polarizacin plana. Cualquier
diferencia de fase diferente de las anteriores se
conoce como polarizacin elptica. La reflexin
de la radiacin de cualquier material mod ifica
la polarizacin de la radiacin. La transmisin
de la radiacin en un materia l cristalino altera
su polari zacin por birrefringencia o por di-
crosmo, como en los polaroid.
MECNICA CUNTICA
La mecnica cuntica es la descripcin del com-
portamiento de la materia en todos sus detalles,
en particular lo que sucede a escala atmica. A
longitudes muy pequeas las cosas se compor-
tan de manera muy diferente de cualquiera que
ustedes hayan visto. No se comportan como
ondas ni como partculas ni como nubes ni nada
parecido.
Cmo sabemos que la mecnica cuntica dice
la "verdad"? Recordemos un comentario toma-
Rad iacin del cuerpo negro
Efecto fotoelctrico
Espectros atmicos
Di spersin de fotones por electrones
Principio de exclusin
La materia como onda
Ecuacin de onda
Principio de incertidumbre
Propiedades ondulatorias del. electrn
Interpretacin fsica de la funcin de onda
ECII17cin de Sc1/rOdillgcr
Explicar los principios de la mecnica cuntica
va mucho ms all de lo que se requiere en este
do de una idea del profesor Carl Sagan. Los
filsofos jnicos, Platn, Demcrito y otros, te-
nan conceptos cientficos similares a los acepta-
dos actualmente como verdaderos. La Edad Me-
dia se encarg de destruir ese conocimiento y el
Renacimiento de redescubrirlo; desde el punto
de vista cientfico, continuamos en el Renaci-
miento por sus puntos de vista antidogmticos.
Los jnicos nunca pudieron probar realmente
sus afirmaciones acerca de la existencia del to-
mo, que era un concepto muy revolucionario,
pero desde el punto de vista de la verdad, es tan
disparatado como suponer que todo est forma-
do por tierra-aire-fuego-agua. Esto fue as por-
que los jnicos pensaban que el trabajo experi-
mental era trabajo manual, slo apto para los
esclavos. Hoy da muchas sociedades han supe-
rado esa etapa. Entonces, las verdades cientfi-
cas actuales estn en peligro de ser superadas y
olvidadas? No, al menos desde el punto de vista
numrico. Desde el punto de vista filosfico, se
espera que la interpretacin actual est incom-
pleta, pero no equivocada. Esta afirmacin s u ~
gi de la verificacin experimental que se hace
de sus verdades.
Algunos de los acontecimientos ms sobresa-
lientes en el desarrollo de la mecnica cuntica
son:
1901 Planck
1905 Einstein
1913 Bohr
1922 Compton
1924 Pauli
1925 De Broglie
1926 Schr6dinger
1927 Heisenberg
1927 Davisson y Germer
1927 Born
curso, pero sus ideas son tan completas que es
imposible resistirse a presentarlas.
CD A toda pilrtcula se le asocia una funcin de
onda compleja:
19
E/rctrnica fsica
o/ex, y, z, t) (1.8)
La expresin clsiCa de la energa total, el
Va riable di"mica
Posicin: x, y, z
Cantidad de movimiento lineal : p
Energa: E
Ecuacin de movimiento:
.L
E= 2111 + V(x,y,z)
Donde V(x, y, z) es la energa potencial y '\72
representa al operador de Laplace.
@ Las cantidades 'V y '\7W deben ser finitas,
univaluadas y continuas, para cualquier x, y, z y
t , adems de tender a cero en oo,
@) 'V*'V es siempre real y se interpreta como la
densidad de probabil idad ('V* es el complejo
conj ugado de 'V). Por loqueal integrar sobre todo
el espacio debe ser igual a uno:
(1.9)
'V*'V es la probilbi lidad de que la partcula se
encuentre dentro del elemento de volumen d V
hamiltoniano (energa cintica + energa poten-
cial) se transforma en la ecuacin bsica por
medio de los siguientes operadores:
x, y, z
!! '1
i
t, a
i al
Operador asociado
f a'l' f 2 2
--,--=--'1 o/ +V(X,Y,Z) o/
I at 2/11
en el instante t. sta es toda la informacin que
se puede obtener de 'V.
(5) El valor promedio <P> (a lo ms que se
aspi ra en la nueva mecnica) de cualquier varia-
ble dinmica P se calcula de la siguiente forma:
(1.10)
Es posible veri ficar que, al menos en los valores esperados o valo res promedio, la
mecnica ondulato ria concuerda con las ecuaciones de la mecnica clsica. Resuelva
uno de los ejercicios del final del captulo, para mostrar que la segunda ley de Newton
se escribe de la s ig ui ente manera:

(1.11)
A continuacin se presenta una justificacin
de la ecuacin de Schrodinger como una ecua-
cin de conservacin de la energa.
20
Si se parte de la suposicin de que cualquier
partcula puede ser tratada como una onda, en-
tonces es posible tener una funcin ondulatoria
COllceptos prelimillares
que vara en el tiempo y en la posicin de la
siguiente manera:
\ji = Ae (1.12)
Si se sustituyen los valores de k y de ro con las
relaciones de Planck y de De Broglie, se obtendr:
(1.13)
En un sistema clsico la energa total es la
suma de la energa cintica y potencial, expresa-
da de la siguiente manera:
,
E=L+V(x,y,z)
2m
Obteniendo la expresin para p2 y E a partir de
la ecuacin 1.13, derivando la ecuacin dos veces
respecto a la posicin para obtener p2 y derivan-
do respecto al tiempo para obtener E, finalmente
se obtiene la ecuacin de movimiento (sta no es
una deduccin).
Ii ch" t/
2
2
'II+V(x,y,z)'II (1.14)
I at 2m
Cllantizacin de la energa
Ahora estamos en condiciones de iniciar nues-
tras experiencias con esta "mquina de procesar
informacin". De inmediato, al analizar la ecua-
v
o
cin de Schrodinger, nos encontramos con que
para resolverla es indispensable conocer la de-
pendencia que tiene la energa potencial V de
la posicin. Este probl ema es muy fcil de resol-
ver cuando el potencia l Ves independiente del
tiempo. Al emplea r la separacin de variables
para obtener dos nuevas ecuaciones diferencia-
les, una de ellas se conoce como ecuacin de
Schrodinger independiente del tiempo, donde
ahora E es una constante del sistema. En una
dimensin, la ecuacin de Schrodinger inde-
pendiente del tiempo se escribe de la siguiente
manera:
La solucin de esta ecuacin para una partcula
restringida a moverse en un sistema con energa
potencial V que adopta la forma que se observa
en la figura 1.3, dar origen a la cuantizacin de
la energa.
Si introducimos una partcula en esa "caja"
restringiremos su movimiento entre x = O Y
x = L, ya que el potencial es tan alto que se com-
porta como un muro impenetrable. La energa
potencial del muro tiende a infinito y la partcula
no puede alcanzar la energa suficiente como
para poder sa ltarlo. Es como estudiar el movi-
miento de una canica dentro de un popote de
longitud L con los extremos sellados, de tal ma-
L
V(x < O) -+ _
V{OS x S L)",O
V(x>L)-+ _
Figura 1.3. Particula confinada en una caja unidimensional de longitud L.
21
Electrnica fsica
nera que la canica s6lo puedeestaren algn lugar
desde cero hasta L.
Con los comentarios que hicimos podemos
fijar las condiciones para la frontera.
",(0)=0
",(L) =0
Como a la partcula le asociamos una '11, pode-
mos resolver la ecuacin de Schrdinger entre
x = O Y x = L, donde la energa potencial V es
igual a cero.
Solucionando esta ecuacin por los mtodos
clsicos se obtiene:
(
2mE)l (2mE)l
W(X)=ACOSy x+Bseny x
Haciendo que cumpla las condiciones para la
fron tera se obtiene:
A=O
[
n,)' ro'
E= T 2m; conl1= 1,2,3, ..
(1.1 6)
Los nmeros 11 negativos no son solucin por-
que la c ~ n t i d d de movimiento k es positiva. El
nmero" no es cero, porque de ser as no habra
partcula.
La otra constante B se encuentra a partir de la
condicin de normalizacin, esto es:
y se obtiene que:
22
Aqu tenemos pues dos resultados muy inte-
resantes:
1) La energa de la partcula no forma un espec-
tro continuo, sino que es un conjunto discreto.
Un valor diferente para cada valor del numero
cuntico n. A esto se le llama cuantiwcin de la
energa. La partcula s610 puede tener algunos
"estados de energa".
2) La funcin de distribucin nos indica que
existe preferencia por encontrar la partcula en
algn lugar de la caja.
Estos dos resultados contradicen nuestro sen-
tido comn. Sera de esperar que la partcula
tuviera cualquier valor de energa y que existiera
la misma probabilidad para hallar la partcula en
cualquier lugar de la caja.
Si 11 = 1, es ms probable que la partcula est
en el centro de la caja que en las orillas.
Si 11 = 2, es ms probable encontrar la partcula
en LI 4 oen 3L14.
Cunto debe valer n para que la energa de la
partcula sea del orden de las energas macrosc-
picas?
Las energas macroscpicas se obtienen si
L = 1 m,'" = 1 kgy E = 1 J, lo queda lugara tener
" - 1Q3".
En tales condiciones, es igualmente probable
que la partcula est en cualquier lugar x entre O
y L. Adems, la diferencia en energa entre dos
estados contiguos permitidos sera tan pequea
que prcticamente se comporta como un conti-
nuo de estados. Esto es lo que se espera en el
dominio macroscpico.
Conceptos preliminares
Por qu una partcula libre no tiene su energa cuan tiza da?
Una partcula libre, de acuerdo con el ejemplo anterior, no estara confinada, es decir,
la caja tendra una dimensin que tiende a infinito. Conforme L aumenta, la diferencia
entre dos estados de energa tiende a cero, as es que los estados de energa son un
continuo.
Existe un sistema anlogo a la caja de potencial
infinito, el tomo de hidrgeno, donde el electrn E(+)
seencuentra confinado en una determinada regin
Rampa lisa. no hay preferencia
para nlngun valor de energla.
por la a traccin que el ncleo (positivo) ejerce sobre
el electrn (negativo). Evidentemente, la energa
que confina al electrn no es infinita, as que el
electrn s podr salir de la atraccin del ncleo y E(-)
Los escalones se
convierten en estados
permitidos, slo 8e
puede estar en esos
en ese momento se dice que el tomo est ionizado.
El sistema ncleo-electrn existe slo cuando
se cumple su regla de cuantizacin:
E-- q
4
m _ R
-
(1.17)
donde R = 13.6 eV, y se conoce como constante
de Rydberg.
Adems, se puede decir que en el sistema
atmico real la energa est cuantizada, como en
la caja de potencial. Cuando el nmero cuntico
11 aumenta, la energa de enlace tiende a cero.
Para cada valor de energa permitido,el sistema
se encuentra en un "estado estacionario", esto es,
una de las configuraciones posibles del tomo.
Un anlogo gravitacional en donde se pueden
representar los estados ligados y libres es el si-
guiente:
E(+)
o
EI-I
p'
E= -
2m
En estos valores de energla
el electrn es libre. Puede tener
cualquier valor de energla
cintica.
Energfa de estados ligados.
El electrn est. ligado al ncleo
y la energra est. cuantlzada.
Figura 1.4. Espectro de energla para un atomo simple.
Figura 1.5. Analogla gravllaclonal de eslados Ubres
y ligados.
Efecto lIJlel
Para encontrar otros resultados elementales de
la mecnica cuntica, basta con resolver la ecua-
cin de Schrodinger para cada sistema particu-
lar. Por ejemplo, veamos el siguiente sistema,
donde la diferencia del problema anterior radica
en tener una altura de potencial finita, digamos
V = a (vase la figura 1.6).
La solucin para la funcin de onda 'P ahora
se extiende ms all de x = O Y L:
v
Figura 1.6. Potencial de una caja con muros
de potenclalllnUos.
En este caso existe una regin dentro del muro
(x < O Y l' > L) donde la funci n de onda 't' no
23
Electrnica fisiea
desapiHece. Aqu, adems de ser sorprendente,
es increble. Pero qu pasa si hacemos delgados
los muros?
Figura 1.7. Tuneleo cuantico de una partlcula.
Entonces nos encontramos con que existe la
probabilidad de que una partcula atraviese la pa-
red (y decimos que la atraviese porque es igual de
vli do si la energa de la partcula es menor a
V = a, as que no puede brincar la pilred). Es posible
encontrilr la pilrtcula en algunas de lils tres cajas.
A esto se le conoce como efecto tnel. Se pueden
atravesar los muros (de potencial) por efecto tnel
cuntico y la probabilidad aumenta conforme el
muro es ms biljo y su espesor menor.
CONCLUSIONES
El mundo submicroscpico est regido por una
nueva teora fsica, conocida como la ecuacin
de Schrdinger (anloga a la segunda ley de
Newton).
Una serie de conceptos fundamentales en la
mecnica cuj ntica permite expl icar la cuan tiza-
cin de la energa para las partculas ligadas.
Los res ultados de la mecnica clsica se pue-
den obtener a partir de la mecnica cuntica.
El tuneleo cuntico es resultado de la exten-
sin de la funcin de onda ms all de los lmites
clsicos de los cuerpos.
Hasta el momento se hil pensado en proble-
mas muy simples, propios de una partcula, pero
nosotros queremos estudiar sistemas complejos,
muchos electrones, electrones movindose por
una diferencia de potencial, etc. As que la fsica
tiene que modelar estos problemas complejos,
resolver sistemas ms o menos simples y, a partir
de esto, obtener informacin sobre problemas
complejos.
Ejercicios
1.1." Explique si un "cuerpo negro" siempre se ve negro.
Yo s entend la teora,
s610 que no puedo resolver los problemas.
ANNI MO
1.2. Explique por qu un pedazo de metal se pone incandescente con un color rojo brillante a 1 100 K; sin
embargo, a esta misma temperatura, un pedazo de cuarzo simplemente no brilla. (Sugerencia: relacione este
problema con la radiacin del cuerpo negro.)
1.3. Explique si un tubo de televisin emite rayos X.
1 4 ~ Usando el modelo del tomo de hidrgeno, diga: Cul es la frecuencia y energa de luz requerida
para ionizar al electrn desde el estado base? Cul sera la frecuencia y energa de la luz para mover el
electrn del estado ti = 2 al siguiente ni vel de energa (11 = 3)? En cada caso, d iga el color de la luz.
1. 5. De una onda que viaja en el agua, si nadie piensa en ella ni nadie la ve, podra decirse que la onda
existe? Qu respuesta dara para una funci n de onda en mecnica cuntica?
1. 6. Cul de las siguientes afi rmaciones describe mejor la esencia fsica del principio de incertidumbre?
Q) Todas las mediciones de x o p son inexactas.
b) Es imposi ble medir con un error a rbit rari o simultneamente dos va riables conjugadas como x y p .
Los ejercicios m.,rc..,dos con .,slerisco est.ln resueltos al fin.,l del libro.
24
COllceptos prelimillares
c) Es imposible medir correctamente x y p.
d) Los incrementos de x y p son mayores o iguales que h.
e) El error en la medicin de x, al igual que en la medicin de p, siempre es diferente de cero.
l.7." Obtenga la ecuacin 1.11 .
1.8." Cul de las siguientes restricciones hara vlida a 't' como una 't' asociada a un sistema fsico?, donde
't' =ael':
a)a= l ,b=O,x>O.
b) a = O, b = 1, <><> > x > - <><> .
c)b=-x
2
,<><x>-<><>.
d)b = x,x>O.
e) a = sen x, b = 1, <><> > x > - <><>.
1.9." Cul es la mnima frecuencia de la luz que causara foloemisin de un metal con funcin trabajo de
2.4 eV? Cul es la mxima energa cintica de un electrn fotoexitado con luz de 300 nm de longitud deonda?
1.1 0. Un electrn en un microscopio electrnico se acelera por un voltaje de 25 kV. Cul es la longitud de
onda de De Broglie?
1. 11 . Cul de las siguientes afirmaciones da cuenta de la explicacin para la cuantizacin de energa?
a) Si las masas son muy pequeas, la energa est cuantizada.
b) Si el sistema est li gado, la energa est cuanti zada.
c) La period icidad de la funcin seno.
d) El valor de h.
1.12. Cul de las siguientes afi rmaciones da cuenta del efecto tnel?
a) Es resultado de que la partcula est confinada.
b) Si se tiene un potencial sufi cientemente pequeo y una x suficientemente pequea, entonces existe el
efecto tnel.
c) Todas las part culas confinadas pueden tunela r su confinamiento.
d) Toda partcula puede atravesar barreras de potencial siempre y cuando su energa sea una fraccin
del potencial de la barrera.
e) El valor de la densidad de probabilidad ",,,, ...
1.13.* Se tiene un arreglo simila r al de un cine: fuente de luz, pantalla, espectador. Compare una fuente
incandescente isotrpica y un lser que recorre peri dicamente toda la pantalla rectangula r de 4 x 8 metros.
Qu relacin de potencia rad iante deben tener las fu entes para que produzcan la misma irradiancia sobre
la pantalla? Qu relacin existe entre la potencia radiante de una fuente isotrpica y el flujo radiante que
recibe un espectador, si la pantalla est a 40 metros de la fuente y el espectador est a 20 metros de la pantalla?
Suponga que se refleja 25% en la pantalla y que la fuente y el espectador estn en la direccin de la lnea
normal al plano de la pantall a.
25
CAPiTULO II
MATERIALES PARA LA ELECTRNICA
E
S INTERESANTE NOTAR LA RELACiN que guar-
da la ciencia, entendida como la explica-
cin de un fenmeno, con la tecnologa,
como el proceso que permite transformar el co-
loga se ha ido desvaneciendo hasta contar con
ejemplos donde el control actual de los procesos
de fabricacin ha permitido obtener materiales
con propiedades an no entendidas del todo.
Esta tendencia de aplicar rpidamente el cono-
cimiento puede explicarse, en parte, porque la
electrnica est conducida por innovaciones;
como un buen ejemplo estn los productos elec-
trnicos actuales. A continuacin se presenta
una lista incompleta de algunos hechos sobresa-
lientes en la historia de la electrnica.
nocimientoen alguna aplicacin. Normalmente,
la ciencia surga y mucho tiempo despus lo
haca la tecnologa: por ejemplo, la teora del
transistor MOSFET se propuso en 1930, mientras
que el primer transistor con buenas caractersti-
cas funciona les se obtuvo apenas en 1960. Con
el paso del tiempo el lapso entre ciencia y tecno-
1874
1879
1881
1904
1907
1908
1911
1926
1931
1938
1947
1948
F. Braun
E.H. Hall
Stoney
Bose
Round
K. Baedeker
Kanigsberg y Weiss
l.E. Ulienfeld
Wilson
w. Schottky
John Bardeen y
Walter Brattain
Inicia la investigilcin de rectificadores
metal-semiconductor.
Demuestra experimentalmente que los portadores de carga
en los metales son negativos, con algunas excepciones.
Llama "electrones" a los portadores negativos.
Rectifica el contacto puntual.
Descubre la electroluminiscencia.
Modifica la conductividad de un material
(yoduro de cobre) al impurificarlo (con yodo).
Introducen el concepto de semiconductor.
Teora del transistor MOSFET.
Teora del transporte para semiconductores segn la teora
de bandas.
Teora de la unin m-s (barrera de Schottky).
Antes de este ao los semiconductores slo se usaban
como termistores, (otodiodos y recti fi cadores.
Desarrollan el primer transistor de contacto puntual.
27
1949
1950
1950
1951
1951
1952
1952
1952
1954
1956
1956
1956
1957
1958
1958
William Shock ley
Hall y Duncap
W.sbockl q
H. Welker
Teal, sparks
y Buelhor
W.C. Pfann
W.shockley
SIEMENS
Chapin, Fuller
y Pearson
J.L. MolI y M.
Tanenbaum
M. Tanenbaum
y Thomas
Premio Nobel
SI EMENS
sah, Noyce, Shockley
yMolI
Esaki
Electrllica fsica
Teora del transistor bipolar de unin (BJT).
Obtencin de uniones p-II por aleacin.
Teora bsica de la unin p-II (f versus V).
Propone que los materiales compuestos con los grupos III
y V de la tabla peri dica sean candidatos
a semiconductores.
Crecimiento de buenos semiconductores.
Purificacin de semiconductores por el principio
de refinacin por zonas.
Anlisis de la resistencia controlada por vol taje FET.
Mtodo industrial para producir cristales.
Desarrollo de la primera celda solar.
Construccin y modelo del primer tirislor.
Difusin en estado slido.
shockley, Bardeen, Brattain, por su trabajo con transistores.
Produccin en serie de transistores de germanio.
Teora de la unin P-II (l versus V).
Diodo Esaki (tnel).
1959 Moll, Pfann y Carnett Proponen la estructura MOS como un capacitor controlado
1960
1960
1960
1962
1963
1964
1965
1966
1967
1970
1970-1979
28
Kilby (Texas Ins) y
Noyce (Fairchild)
Kahng y Atalla
Theverer y Kleihack
Hall y Cenner
Gunn
Premio Nobel
Merd
Lehrer y Hooper
Boylesmith
por vol taje.
Invencin de los circuitos integrados.
Fabricacin de un transistor MOSFET.
Dispositivos por tcnicas epitaxiales.
Lser de semiconductores que opera a muy bajas
temperaturas.
Oscilador de microondas.
Townes, Basov, Prokhorov, por el trabajo con mser y lser.
Antes de esta fecha los CI estn dominados por bipolares,
a partir de este momento salen del laboratorio los CI MOS.
Teora de MESFET.
Fabricacin de MESFET de Ca As.
Fabricacin de los CCD (disposi tivos de acoplamiento de
carga).
En esta dcada empieza el gran avance de los sistemas MOS;
surgen los microprocesadores y las DRAM (dynamic random
access memories).
Materiales para la electrnica
1972 Premio Nobel Bardeen, Cooper, Schieffer, por el trabajo
de superconductividad.
1972 Premio Nobel Esaki, Giaver, Josephson, por el trabajo de tune leo
de semiconductores y superconductores.
1974 INTEL Desarrollo del primer microprocesador en un el.
1975 Pickard Fabricacin de uniones P-II por implantacin de iones.
1977 Wilmsen Transistor MOS de GaAs.
1980 V.L.5.1. Hace posible un milln de dispositivos en un chip
de aproximadamente 4 mm.
1982 Bean Dispositivos por epi taxi a de haces moleculares.
1985 IBM Memoria de computadora de un milln de bi ts en un trozo
de silicio de 5.5 mm por 10.5 mm.
1988 Premio Nobe1 Muller, Bednorz, por su trabajo en superconductores de alta
temperatura crtica.
1992 18M, SIEMENs y TOSHIBA Inicio del programa hacia la memoria DRAM de 256 Megabits.
1995 18M, slEMENS y TOSHIBA Presentan el primer chip de 256 Mb: 286 mm
2
y 26 ns.
BANDAS DE ENERCIA
Antes de discutir un modelo analtico para pre-
decir la existencia de las bandas de energa,
detengmonos en algunos de los aspectos cuali-
tativos.
El concepto de bandas de energa es primor-
dial para explicar y entender el comportamiento
de todos los fenmenos que estn determinados
por los electrones. Las propiedades elctricas,
trmicas, pticas y magnticas de los materiales
estn determinadas en gran medida por los elec-
trones. Expondremos dos ideas que explican la
formacin de las bandas: la teora del enlace
molecular ampliamente empleada por los estu-
diosos de la qumica, y el modelo de Kronig-Pen-
ney que permite obtener aspectos cuantitativos.
Cmo esperamos que se modifique el diagra-
ma de niveles permitidos (energas para las cua-
les el sistema puede existir) ~ un tomo de
sil icio aislado, respecto a un slido de silicio
(muchos tomos interactuando)?
Paul propuso un principio en 1925 que ayuda
a dar respuesta a esta pregunta: "En un momento
dado, nicamente un electrn puede estar en un
estado cuntico particular".
Este enunciado de la fsica puede, por coinci-
dencia, compararse con un aspecto que resulta
cotidiano para los estudiantes.
Imaginen un saln de clases en la UAl\.l donde
se impartir una asignatura del primer trimestre.
La primera persona en llegar al saln escoge un
lugar de su preferencia. La segunda persona en
llegar, si es conocida de la anterior, procurar
tomar asiento cerca de ella; de no ser as, es
probable que busque un lugar de su preferencia,
pero alejado una cierta distancia. Al ocupar el
saln por completo, se podra identificar a gru-
pos de conocidos o simpatizantes.
Qu pas3 cuando todos 105 asientos estn
ocupados y llega tAro alumno? Por qu prefiere
quedarse de pie o traer otra silla en vez de sen-
tarse en las piernas de alguien que est sentado?
Tal vez, al igual que los alumnos, los electrones
tienen ms reglas que las impuestas por el espa-
cio fsico que ocupan.
Regresemos ahora a los sistemas atmicos.
Imagi nen que se quiere solucionar un sistema
de muchos tomos. Si se pudiera pensar que la
solucin se obtiene al considerar cada tomo
como algo aislado, al resolver cada uno de ellos
independientemente se tendra que todos esta-
ran en su estado base y al formar la solucin
del sistema total, todos los electrones estaran
29
ElectrlliCQ fsica
en el mismo estado, con la misma energa, lo que
no es posible.
En el caso de un tomo de silicio, es bien
sabido que mientras est aislado tiene una serie
de estados discretos permitidos que se conocen
como, 15, 2s, 2p, 35, 3p, 3d, 45, 4p, 4d, 4j, 55, 5p, 5d,
5j, 6s, 6p, 6d, etc., y tiene nicamente 14 electro
nes, que en su estado base (mnima energa)
ocupan hasta el nive13s, 3p.
Despus de exponer esto, quiz quede claro
que el pril1cipiodeexclusinde Pauli no es ms que
unil regla que observa la naturaleza cuando in
tcrilctiln muchos cuerpos. sta es una manera
muy particular de expresar el comportamiento
de la naturaleza.
Cabe aclarar en este punto que un tomo se caracteriza por cuatro nmeros cunticos,
tres relacionados con las coordenadas espaciales y uno con el "espn", coordenada
interna del electrn. La energa de los electrones se define por esos nmeros cunticos.
Cada orbital atmico (15, por ejemplo) se define por dos nmeros cunticos. Dentro de
cada orbital existen los electrones equivalentes y su nmero est definido por los otros
dos nmeros cunticos (2 en el s, 6 en el p, ete.). En los problemas del captulo anterior
slo apareca un nmero cuntico n, porque se estudiaron sistemas de una dimensin
y de una partcula.
Una de las ideas ms simples de la teora del
enlace molecular ser empleada para demostrar
la existencia de las bandas de energa. De acuer-
do con sta, es posible entender el comporta-
miento energtico de cualquier sistema atmico
o molecular independientemente de su estado de
agregacin, nmero de constituyentes o condi-
ciones de presin o temperatura.
En el d iagrama que se presenta a continuacin
se esquematiza la transicin de un tomo aislado
30
E
4)( N estados, banda de conduccin
I 6 x: N estados I
~ - - - - - ~ ~ - - - P
2)( N estados
4)( N estados, banda de valencia
"
Distancia Interatmica d
Figura 11 . 1. Diagrama de transicin de un material (silicio). Cuando la distancia Interatmlca es muy grande
el material es un gas de poca densidad con diagramas atmicos independientes Iguales.
Cuando la distancia interatmica es Xo el slido est en equilibrio y los niveles ~ y 3p se hibrldi zan,
dando lugar a las bandas de energa (spJ) .
Materiales para la electrllica
(la separacin entre tomo y tomo, d, es muy
grande) a un slido (la separacin atmica
d = x
o
, es pequea).
En el diagrama se seala el punto en que la
distancia interatmica es x
o
, la posicin atmica
de equilibrio para el slido de silicio a la tempe-
ratura y presin ambientes. El sistema es ms
estable cuando la d istancia interatmica es X
o
(es
decir. cuando tiene una energa total mnima).
Para modificar esta posicin habr que agregar
energa al sistema oext rarsela, en forma de calor
o de presin.
Las ideas esenciales de las que se parte para
construir el diagrama anterior son ms o menos
simples. Imagine que tenemos tres tomos
idnticos aislados uno del otro (d es muy gran-
de). Los diagramas de energa de estos tres
tomos seran idnticos. Sin prdida de genera-
lidad podramos suponer que estos espectros
surgen del estudio de una partcula en una caja
de potencial infinito.
Al disminuir la separacin entre los tomos
(d tiende a x
o
), los ponemos a interactuar. El prin-
cipio de Pauli establece que dos niveles de un
sistema (sea ste un tomo o 10
n
tomos) no
pueden tener la misma energa, as que un nivel
atmico se "desdobla" en tantos niveles co-
mo tomos formen al slido.
Esto explica parcialmente el diagrama de la
figura n.l . Algunos detalles no estn explicados,
como por ejemplo, las condiciones requeridas
para la formacin del sistema ms estable con
energa total mnima. Los detalles se pueden
aclarar consultando las referencias.
El modelo de Kronig-Penney estud ia la din-
mica de un electrn en un potencial peridico.
ste ser nuestro primer intento formal por co-
nocer las caractersticas de los electrones en un
slido; has ta ahora conocemos las caractersticas
de los electrones libres y ligados a un tomo
aislado, pero no sabemos qu pasa con ellos al
"meterlos" en un sl ido.
Un elect rn libre se describe por la siguiente
func in de onda:
(11.1)
r
NIveles de energfa para
tres tomos si d -'Jo'"
Niveles de energla para
los mIsmos tres tomos
51 rI = r o
Figura 11 .2. Formacin de las b n d s de energia
para un slido de tres tomos.
T
- - E fl
2
e L
lene una energla = - -o o que se repre-
2/11
senta en un diagrama de energa contra cantidad
de movimiento (E versll S k), como una parbola.
Al confinar a la partcula dentro de un slido,
la energa E y la cantidad de movimiento k deben
satisfacer alguna regla de cuantizacin.
Para la solucin de este problema, partamos
de la hiptesis de que se cumple la ecuacin de
Schr6dinger.
- - r _ 1i
Ho/ = Eo/; H = 2,; + V(X, y, z); p::; V (11.2)
La solucin implica el conocimiento de la
energa potencial V(x, y, z), q ue vera un electrn
al moverse dentro del sl ido, adems de las con-
diciones de la frontera necesarias para resolver
la ecuacin diferencial.
Las simplifi caciones que se emplearn para
resolver el problema son:
Consideraremos una red perfectamente peri-
dica unidimensional, sin interrupciones ni fron-
teras y con periodicidad a. (Los cristales perfectos
slo pueden obtenerse en los libros de texto.)
Se estudiar lo que pasa con un solo electrn
en el potencial producido por todos los iones y
por el resto de los electrones que no se tengan en
cuenta (un electrn en un potencial peridico).
Existe una funcin simple que mantiene la
calidad de periodicidad y todas las propiedades
esencia les que hemos comentado, la cual se co-
noce como potencial de Kronig-Penney.
La periodicidad del potencial se traduce en
periodicidad de la funcin de onda, por medio
del teorema de Oloch.
31
Electrnica jfsiea
V(x)
v.

E
,
,il
---
"
;-
o b
Figura 11.3. Potencial de Kronig-Penney.
o/ex) ::: e'""'l/(x); donde I/(x) "'- I/ (X + a)
Si \V se conoce sobre cualquier celda de la red
peridica (ms generalmente, sobre cualquier
regin de longitud n), entonces se pueden cono-
cer los valores de \V en todas las dems celdas.
o/(X):::
Para conocer la distribucin de los estados de
energa de los electrones se aplican las condicio-
nes de periodicidad conti nua. La manera de eli-
minar los problemas de las fronteras es suponer
que nuestro crista l unidimensiona l forma unani-
110, de radio muy grande, de tal manera que en
la fron tera se cumpla que:
\V(X)::: o/(x + Na)
V(r)
v,
.,
o
Donde N es el nmero de iones que forman el
anillo y es del orden del nmero de Avogrado.
Aplicando la condicin anterior, se tiene que:
1 ::: cos(kNa) + isen(kNa)
Esta condicin se satisface nicamente si
21t11
k::: Na con 11::: 1,2,3, ... f:sta es la condicin para
que el sistema exista e indica que la distancia en-
tre dos estados de energa es muy pequea.
Para conocer la energa (E verslls k) que puede
tener el electrn en el sistema, debemos resolver
la ecuacin de Schrodinger con el potencial de
Kronig-Penney, en las condiciones de frontera
adecuadas. La solucin de este problema es sim-
ple aunque un poco laboriosa; para las personas
interesadas en resolver los detalles, se presentan
a continuacin algunos resultados parciales que
les ayudarn en su desarroll o.
.,
b
Figura 11.4. Condiciones a la frontera para el potencial de Kronig-Penney.
32
Materiales para la electrnica
Respetando las condiciones de frontera en b,
para la funcin de onda 'V y su deri vada l.l, se
tiene continuidad desde cero hasta a.
Para tener continuidad entre una celda y otra
necesitamos que se cumpla la continuidad en la
funci n u(x) y sus deri vadas.
= ,<" ,b)
,!",(b) = ,!",Ib)
11.(0) = I/_(a)
1/.(0) = I(a)
Explcitamente, la funcin de onda \11 tiene la
forma siguiente:
'V ,(x) = Aeik,x + Be- ik,X(O < x < b);
E'"
2m
La solucin simultnea de las cuatro ecuacio-
nes donde se han susti tuido las condiciones de
frontera produce un sistema de cuatro ecuacio-
nes homogneas. Un sistema de ecuaciones ho-
mogneas tiene solucin no tri vial para A, B, e
y D, slo si el determinante de la matriz es cero.
C06lk(b-a)1
- 1
El sistema de ecuaciones es el siguiente:
Con las siguientes ecuaciones como solucin:
(11. 4)
donde:
y
(1 1.5)
Para encontrar las soluciones de las ecuacio-
nes trascendentes anteriores que satisfacen E y k
se necesitan las grficas de las partes izquierda y
derecha en un mismo sistema coordenado. Los
valores de energa E que hagan vlida la igual-
28 9321.7
"Figura U.5. Solucin grallca del sistema de ecuaciones de Kronlg-Penney.
33
Elecfrllim fsica
EN

\
J
\ J \ J
j
\
j
\
j
\
./ "\ ./ ./
kd
-"
- 2., o
Figura 11.6. Estr uctura de bandas en un sOlido.
d"d sern los nicos con los que el electrn se
podr mover en el potencial de Kronig-Penney.
A partir de la fig ura 11.5 es posible obtener la
relacin entre la energa de los electrones E y su
vector de onda k (recuerde que es proporcional
a a cantidad de movimiento).
De esta manera, no todos los valores de ener-
ga corresponden a estados permitidos del siste-
ma; existen regiones de energa prohibida para
el electrn. Al rea li za r la grfica de E versus k
tenemos que dentro de una banda permisible la
relacin es oscilatoria y no parablica, como la re-
lacin para el electrn libre. El ancho de la banda
aumenta con el incremento de la energa. En el
extremo superior de la banda permitida la rela-
cin de E versus k es cncava hacia abajo, mien-
tras que en el mnimo de la banda la relacin es
cncava hacia arriba. Dentro de una banda per-
mitida existe un gran nmero de estados que
pueden ser ocupados por los electrones.
Veamos ahora cmo se ocupa ran las bandas
de energa cuya existencia hemos predicho.
Si como ya se mencion, el pri ncipio de Pauli
se cumple, y si adems se supone que el slido
est en su estado base, el cual se obtiene al tener
un mnimo en la energa tota l del sistema, esto
es, teniendo al material en el cero absoluto de
temperatura (O K), entonces, como todos los elec-
34
trones no pueden estar en un mismo nivel de
energa (a cada nivel de energa se le asocia un
solo nmero de onda del electrn en el cristal, k).
Adems, no existe un continuo de estados per-
mitidos en el slido (k), sino que es un nmero
discreto. Con todo lo anteri or, se concluye que
los electrones ocupan parcialmente los estados
disponibles, el estado de mayor energa ocupado
con un electrn en el estado base se llama "k de
Fermi" y la energa asociada con ese estado se
ll ama energa de Fermi (E
F
) .
Volviendo a las teoras anteriores, vemos que
cada banda de energa es resultado del "amon-
tonamiento" de niveles iguales de los tomos;
este amontonamiento formar la densidad de
estados en la banda (niveles por unidad dE;: vol u-
Estados
per misibles
f ,
Niveles vacfos
en el estado b ase
Niveles ocupados
en el estado base
Estados Electrones
Figura 11 .7. Energfa de Fermi. Ep
Materiales para la electrnica
Metal "normal"
Figura 11.8. Bandas de energra en los materiales.
men y por unidad de energa), que se discutir
en la seccin de semiconductores. En este mo-
mento, lo ms importante es encontrar una manera
de agrupar y caracter izar los materiales deacuer-
do con las diferencias en las bandas de energa.
Se sabe que los electrones no se acomodan en
las bandas de manera arbitraria (de esto hablare-
mos despus): al acomoda rse los electrones en
las bandas del sl ido, primero se ocupan los
niveles de menor energa y despus los de mayor
energa (al menos en el estado base). Pero como
hay ms lugares que electrones, no se ocupan
todos los lugares disponibles.
En funcin de sus bandas de energa y de la
manera en que se ocupan las bandas permitidas
por los electrones, los materiales se clasifican en
metales y aislantes.
En el segundo caso, se ocup por completo
una banda y la inmediata superior est comple-
tamente vaca. En estos casos la definicin preci-
sa del nivel de Fermi estar determinada por la
facilidad para mover un electrn de la banda
llena a la vaca, como veremos al estud iar los
semiconductores.
La separacin entre la banda ocupada (que en
adelante llamaremos de valencia) y la banda
desocupada (que llamaremos de conduccin)
ser denominada Eg. Y dependiendo de este va-
lor y de las cond iciones de uso del material, el
material se comporta como aislante o como se-
miconductor.
Una banda llena de electrones no conduce
corriente, ya que no existen estados continuos
vacos que puedan permitir el movimiento de los
electrones. Si un electrn quiere cambiar de lugar
dentro de la banda, lo har slo intercambiando
posicin con otro electrn.
Semiconductor a bajas
temperaturas o aislantes
Una banda vaca de electrones no conduce
corriente, ya que no tiene portadores de carga.
Es posible establecer conduccin de corriente
en una banda llena de electrones quitando algu-
nos de ellos, ya que los electrones que queden
podrn moverse entre estos pocos lugares libres.
De la misma manera, se puede establecer co-
rriente elctrica en una banda vaca si se introdu-
cen algunos elect rones.
Es el comportamiento de los electrones en
una banda casi vaca el mismo que el producido
en una banda casi llena?
La respuesta es no, ya que fsicamente se mue-
ven de forma distinta, y por ellose les conoce con
diferentes nombres. Los electrones que se mue-
ven en una banda casi vaca se llaman electrones;
espacialmente se mueven en trayectorias gran-
des y por lo general estn asociados con una
energa mayor. Los electrones que se mueven en
una banda casi llena se llaman hllecos; espacial-
mente se mueven en trayector ias muy cortas y
estn asociados con una energa menor. El nom-
bre de hueco no se refiere a una partcula sino a
un estado dinmico de los electrones.
Empleando la estructura de bandas que se
obtuvo del modelo de Kronig-Penney, es posible
describir con ms detalle los huecos y los elec-
trones en un material. La relacin que controla
el movi miento de las partcula s en un slido
(E versll s k) ya no es una parbola como en los
electrones libres. En los extremos de las bandas
la funcin osci latoria se puede aproximar a una
parbola.
, 'k'
E=-'-
2111-
(11.6)
35
Electrnica fsica
Para ajustarse a las caracterst icas de las ban-
das, la masa no puede ser una constante, y se
llama masa efectiva /11". En el caso de los huecos,
que se mueven en la parte alta de la banda, la
masa efectiva debe ser un nmero negativo, ya
que la relacin dinmica (E versus k) es cncava
hacia abajo. Para continuar usando masas posi-
tivas, se redefine el electrn que se mueve en la
parte alta de la banda de valencia como una
partcula con masa posi ti va pero que tiene carga
positiva, ya que lo que importa en el transporte
es la relacin carga-masa.
En la mayora de los materiales, la masa efec-
tiva 111" se puede considerar como una constante
diferente de la masa del electrn libre. La masa
del electrn libre es 111 = 0.91095 X 10-30 kg.
Al "meter" un electrn en un slido, el elec-
trn es el mismo, pero su movimiento es diferen-
te del de un electrn en el espacio libre. El elec-
trn dentro de un slido est expuesto a la
interaccin con los ncleos y con los dems elec-
trones; podra ser menor si los campos elctricos
que forman el slido facilitan su movimiento,
pues parecera que se hubiera disminuido la
masa del electrn, cosa que evidentemente no
sucede. En general, m" ~ 111. Si se piensa en ambas
como la masa de un electrn, /11" corresponde a
un electrn en un sl ido y m corresponde a un
electrn libre. Esta diferencia slo es vlida cuan-
do intentamos moverlos. Es como intentar mo-
ver un objeto arrastrndolo en una superficie de
hielo o de tierra; parece mucho ms pesado en el
segundo caso.
En la descripcin anterior se considera que no
todos los electrones del sistema son igualmente
activos para definir las propiedades de los ma-
teriales; en efecto, slo una pequea regin de
energa, en la cual se da la transicin entre esta-
dos vacos y ocupados, definir a los electrones
que determinarn las propiedades de los ma-
teriales.
Demos fin a esta seccin con una analoga que
permite ilustrar la diferencia entre huecos y elec-
trones. Supongamos que existe un cine como el
de la figura 11.9.
Las personas de la zona A no pasan a la zona
B, ni viceversa.
36
p
(
A
~
N
_ L L L L L L L J ~
Zona A
T
A
,(V'('('('('('('
L
. J ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~
Zona B
L
"
\
- - - - - -- -
A
Figura 11.9. Cine -con bandas".
Al iniciar la pelcula, en la zona A slo hay una
persona al final de la fila y en la zona B la fila est
completamente ocupada, excepto el lugar ms
cercano a la pantalla.
En ese momento las personas se dan cuenta de
que es mejor acercarse a la pantalla, entonces el
cinfilo de la zona A avanza siguiendo la trayec-
toria indicada por la flecha continua, mientras
queen la zona B los cinfilos son muy ordenados:
cada uno avanza un asiento.
Despus de los movimientos y si no se puede
distinguir a un cinfilo de otro, la suma de cada
uno de los movimientos se puede representar
con la flecha discontinua. El movimiento en la
zona B es similar al de la zona A, aunque sucedi
de diferente manera. La zona A representa a los
electrones en la banda de conduccin, la zona B
representa a los electrones en la banda de valen-
cia, es decir, a los huecos.
METALES
Los materiales metlicos comparten varias ca-
ractersticas comunes: El diagrama de bandas de
energa es similar, el nivel de Fermi est dentro
de la banda de conduccin. El enlace qumico es
similar, los electrones libres se comparten en el
material formando una red de iones y una nube
electrnica. Las propiedades pticas y elctricas
son parecidas, son buenos conductores del calor
y la electricidad, y la penetracin de las ondas
electromagnticas es mnima. En esta seccin se
presentarn varios conceptos macroscpicos,
como la ley de Ohm y la de Joule desde un punto
Materiales para la electrnica
de vista microscpico. Todos los conceptos que
se vern en esta seccin pueden extenderse a los
otros materiales.
Ley de 0/1111 y de Joule
Una de las relaciones ms conocidas en el mun-
do es la ley de Ohm, que en su forma ms simple
muestra la proporcionalidad entre la densidad
de corriente m y la intensidad del campo elc-
trico (E), a travs de la conductividad (a).
vidad en relacin con la estructura microscpica
puede obtenerse con el modelo de Drude.
Podemos imaginar que el material est forma-
do por un ocano de electrones en condiciones
casi de electrones libres. Esta nube de electrones
evita que los iones formados de ncleo y los
electrones no libres se repelan y permanezcan
como un sistema. Este ocano de electrones se
encuentra en movimiento catico debido a la
energa proporcionada por la temperatura, pero
no produce una corriente elctrica neta porque
no es direccionaL
Al aplicar un campo elctrico constante, ste
(11.7) ejerce una fuerza sobre los electrones que tiende
a alinear su movimiento, llamada fuerza de Lo-
Esta relacin nicamente es vlida para mate-
riales homogneos con condiciones uniformes
de temperatura, sin iluminacin y con campos
elctricos y magnticos sin cambio en el tiempo
y pequeos.
No todos los materiales o dispositivos son
igualmente sensibles a todas las restricciones
mencionadas. Un alambre metlico en forma de
bobina no cumple esta relacin si hay cambios en
la corriente elctrica. El diodo tampoco cumple
esta relacin, ya que es un dispositivo inhomo-
gneo, etctera.
Esta relacin, dependiente de la geometra,
toma la forma:
v= RI (11 .8)
donde V es la diferencia de potencial, R es la
resistencia elctrica e 1 es la corriente elctrica.
Las ecuaciones anteriores se pueden relacionar
usando una geometra simple, como la de un
alambre de longitud L y seccin transversal de
rea uniforme A. Ut il izando la definicin de la
densidad de corriente fJda = 1 Y del campo elc-
trico, VV = - E.
p es la resistividad [O. cm} que es el inverso de
la conducti vidad o. La dependencia de la resisti-
renlz.
F = q(E+ v x B) (11.9)
Esta fuerza constante produce una aceleracin
constante sobre el electrn, como lo predice la
segunda ley de Newton.
F =m"a
Si la fuerza del campo elctrico fuera la nica
que existe sobre los electrones, entonces se origi-
naran corrientes arbitrariamente grandes, ya
que la velocidad aumentara linealmente. Esto se
desprende de la definicin de densidad de co-
rriente elctrica, donde 11 es la densidad de por-
tadores de carga [cm-3J, q es la carga del portador,
por ejemplo, electrones, y <v> es la velocidad
vectorial promedio de los electrones [cm/s].
J = Ilq<v> (11.10)
Sin embargo, debe existir un factor que limite
la velocidad de los portadores y, por lo tanto, la
corriente. Este factor surge naturalmente cuando
consideramos el efecto de la interaccin de los
electrones y los iones fi jos, o sea, si suponemos
que un electrn tpico adquiere una velocidad
promedio <v> en un tiempo promedio"! (tiempo
de relajacin). Los electrones chocan con un ion
y transfieren su energa de exceso a la red de
iones.
37
Elecfrllim fsica
v,+<v>
Figura 11.10. Modelo de Drude de transferencia de
energla por colisiones.
Aplicando este modelo y las leyes anteriores
obtenemos una expresin para la velocidad pro-
med io <v> que alcanzan los electrones en el s-
lido. Esto es vlido cuando imaginamos un con-
junto muy grande de electrones en movimiento.
(11.11)
de donde se obtiene una expresin propia para
la velocidad promedio producida por el campo
elctrico:
(111 2)
Al sustituir en la densidad de corriente y com-
parar con la ley de Ohm se obtiene:
nqlt
a =--
//l'
(11.13)
Las colisiones entre los electrones y la red son
favorecidas por:
1. Vibraciones trmicas: a mayor temperatura,
mayor resist ividad.
2. Defectos puntuales: a mayor nmero de
ellos, mayor resistividad:
a) Vacantes: ausencia de tomos producidos a
altas temperaturas.
bJ Intersticiales: tomos que estn en posicio-
nes incorrectas en la red.
e) Impurezas aisladas (cargadas o neutras).
3. Defectos lineales: dislocaciones, grupos de
tomos desplazados desu posicin de equilibrio.
38
4. Defectos superficiales.
a) Superficies externas de los slidos.
b) Superficies internas: lmite del grano, etc-
tera.
Definamos otra relacin de inters, quiz ms
importante: la movilidad '.1.. La movilidad es la
relacin entre la velocidad media que adquiere
un portador en presencia de un campo elctrico:
(11.14)
Con esta expresin, la conductividad <T se es-
cribira de la siguiente manera:
(J = IIq)l (11.15)
Cuando pasa corriente por un alambre au-
menta su temperatura. La energa trmica que
as se obtiene es producida indirectamente por
la fuente del campo, a travs de los electrones
y la red.
De la hiptesis de Drude, que supone que el
electrn disminuye su velocidad de U
r
+ <v> a
U
r
a travs de colisiones con la red, se espera que
la red se caliente. Este aumento de temperatura
es el efecto Joule.
La energa que transfiere un electrn a la red
por una colisin es igual a la energa cintica
perdida:
La energa que transfieren todos los electrones
a la red es por unidad de volumen y por unidad
de tiempo, es la potenCia total por unidad de
volumenP:
(11.16)
Para una geometra si mple como la empleada
anteriormente, se obtiene la forma habitual de la
ley de Joule (P = IV).
Materiales para la electrnica
Efecto Hall
Las mediciones de conductividad son insufi-
cientes para conocer el nmero de portadores
por unidad de volumen (11). la movilidad de los
portadores (Il) o para conocer la carga del por-
tador que se mueve. Las mediciones de Hall y
las de conductividad permiten conocer estas va-
riables.
En este experimento se tiene presente un cam-
po elctrico que produce una corriente en el ma-
terial que quiere medirse. Adicionalmente, se
aplica un campo magntico transversal a la co-
rriente, como se ve en la siguiente figura:
.,
---+E
,/B
Figura 11 .11 . Geometrra para la medicin del voltaje
de Hall.
Los electrones que se desplazan a travs de la
muestra por el campo elctrico E, sienten la pre-
sencia del campo magntico B. En la geometra
de la figura anterior, la fuerza tendra la siguiente
expresin:
k
F =qvx B=qv
r
V
y
v, =q(vyB,l -vrB, J}
O O B,
La componente de la fuerza que producir el
voltaje de Hall es la que mueve lb .. electrones en
la direccin de la "y".
F = -qv,B, = qEy
Con la expresin misma de la conductividad
elctrica, el campo elctrico de Hall toma la si-
guiente forma:
-BJ
E = --'
y Ilq
(11.17)
Midiendo el campo magntico aplicado (B,),
la densidad de corriente que pasa por el material
U,) y el campo elctrico de Hall (E
y
), es posible
obtener la densidad de los portadores de carga
(11). Por medio del signo del voltaje de Hall po-
demos conocer qu se mueve, si una partcula
positi va o una negativa. Mid iendo la conductivi-
dad es posible calcular la movilidad.
La anterior descripcin puede ilustrarse con
las siguientes afirmaciones. La formaci n de un
voltaje de Hall es diferente para cargas de dife-
rente signo. Supongamos que aplicamos un po-
tencial positivo en x = O Y uno negativo en
x = L:
Si la corriente elctrica est formada por
electrones, el campo elctrico de la batera
tender a moverlos hacia x = O, mientras
que el ca mpo magntico los mueve hacia
y=o.
Si la corriente elctrica est formada por
cargas positivas, el campo elctrico de la
batera tender a moverlos hacia x = L,
mientras que el campo magntico los mue-
ve hacia y = Q.
Estas cargas acumuladas en ambos casos in-
ducen cargas en la otra superficie; esto es, el
campo magntico produce una diferencia de po-
tencial a travs del material y nicamente con
medir su polaridad sabremos si se mueve una
carga positiva o negativa.
Para finalizar esta seccin, se puede mencio-
nar un estado de conduccin poco usual llamado
estado superconductor. La mayora de los mate-
riales presentan a temperatura ambiente un cier-
to grado de resistencia al paso de la corriente
elctrica. En unos cuantos materiales, y usual-
mente a tempernturas bajas, se presenta una pr-
dida total de la resistencia elctrica. Es altamente
deseable contar con este tipo de materiales, pero
en la actualidad no se cuenta con materiales que
sean buenos candidatos para aplicaciones comu-
nes. La invest igacin en estos mater iales es muy
activa en la actualidad.
Algunas de las propiedades de estos materia-
39
f.lectrniCII fisica
les son las siguientes: La resistividad elctrica cae
a cero a la temperatura Te, y no se disipa calor.
Como tienen resistencia cero, es posible obte
ner solenoides con campo magntico elevado y
gran densidad de corriente. Con un solenoide de
hilo de ciertas aleaciones superconductoras pue
den obtenerse campos magnticos superiores a
10 webers/m
2
sin disipar potencia, en contraste
con los solenoides convencionales de Cu o Ag,
que operan a temperatura ambiente y que disi
pan una cantidad enorme de calor al producir un
campo de 10 webers/m
2
. Esto significara, ade
ms, obtener un gran ahorro en las lneas de
transmisin de potencia elctrica.
Los superconductores son materiales diamag
nticos perfectos (vase al respecto la seccin
Propiedades pticas y magnticas), pues no son
penetrados por los campos magnticos. El eleva
do d iamagnetismo de los superconductores
ofrece la posibilidad de soportar cargas median
te un campo magntico. De este modo se pueden
conseguir cojinetes sin friccin para equipos ro
tatorios.
La superconductividad puede eliminarse a
temperaturas menores de Te, por medio de un
campo magntico intenso.
AISLANTES
Los aislantes usualmente se caracterizan por
tomos unidos con enlaces inicos, como la sal
de mesa, o por enlace covalente, como los pol
meros o el xido de silicio. Sus propiedades
mecnicas se caracterizan por una gran fragili
dad y gran resistencia a la compresin. Usual
mente son malos conductores de la electricidad
excepto a muy altas temperaturas o en solucin,
donde los materiales inicos se disocian dando
lugar a eleetrolitos. Tambin son, por lo general,
malos conductores del calor, excepcin hecha de
ciertos aislantes que conducen el calor sin em
plear electrones sino vibraciones atmicas,
como el diamante (mejor conductor trmico que
los metales a ciertas temperaturas) o algunos
xidos metlicos.
El estudio de los slidos inicos no tiene gran
importancia en este curso, pero nos permite un
40
buen acceso a las estadsticas de procesos colec
tivos, o mejor dicho, al estudio de los slidos por
medio de funciones de distribucin estadstica.
Estadstica de Boltzmann
Para calcular la forma de la curva de conducti
vidad versus temperatura de un aislante, es ne
cesado entender cmo se realiza la transferencia
de carga elctrica a travs del material.
La corriente elctrica es el movimiento colee
tivo de portadores de carga; en un metal usual
mente se trata de los electrones, aunque en algu
nos metales lo realizan las partculas positivas.
Qu portador de carga elctrica se mueve en un
material jnico?
Recordemos por un momento las soluciones
de electrolitos (sa l en agua), un tipo especial de
material inico. De hecho, la nica diferencia
entre un slido inico y un electrolito es que en
el electrolito los iones no guardan distancias de
finidas y tienen una mayor movilidad. Si ntro
ducimos en esta solucin dos electrodos conee
tados a una batera, fluir una corriente que
estar determinada por el movimiento de los
iones en la solucin (incluso ste es un mtodo
para obtener algunos materiales; en nuestro
ejemplo, cloro e hidrxido de sodio). As que, en
la mayora de los aislantes, se mueven los iones
y no los electrones. En casos muy especiales
podran moverse los electrones, pero no hablare
mos aqu de ellos.
Para responder a la pregunta de cmo vara la
conductividad cr versus la temperatura T, debe
mos reconocer la var iacin de cada uno de los
trminos que definen la conductividad. Como
sabemos, la conducti vidad est determinada por
cr = NQ}l, donde N ser la densidad de iones que
participen en la corriente elctrica, Q la carga de
los iones, y }lla movilidad de los iones. Si consi
deramos a N y Q como constantes (esto es una
buena aproximacin), la nica fuente de varia
cin estar en la movilidad }l .
Es posible que un ion se mueva en un cristal?
Se puede hablar de movilidad?
La respuesta es s; aunque, por supuesto, son
magnitudes muy diferentes de las que se obtie
Materia/es para /a electr"ico
nen para los electrones en un metal, que son
usualmente de muchos rdenes de magnitud
menores.
La movilidad en los slidos inicos depender.
de la facilidad de cambiar de posicin: si todas
las posiciones de la red cristalina del material
estn ocupadas, como sucede a muy baja tempe-
ratura, muy difcilmente se mover algn ion. La
conductividad tiende a cero a medida que la tem-
peratura tiende a cero.
La movilidad aumentar cuando se aumenten
los espacios, que se llaman vacantes. Al respon-
der a la pregunta de cmo vara la cantidad de
vacantes con la temperatura, sabremos cmo
cambia la conductividad con la temperatura.
Cmo se forma una vacante?
En la figura 11.12 aparece el proceso de movi-
miento de un tomo desde el interior de una red
cristalina hacia la superficie. La posicin final de
la red sin un ion es una vacante.
Para calcular la energa de formacin de una
vacante, veamos cunta energa tiene el sistema
antes y despus de su formacin.
Para formar la vacante se rompen cuatro enla-
ces y se reconst ruyen solamente dos enlaces, as
que hay dos enlaces rotos de diferencia. Si supo-
nemos que la energa de enlace es del orden de
0.5 e V, tend remos que es necesario proporcionar
aproximadamente 1 eV para formar una vacante
(aqu se calcul para dos dimensiones; para tres
dimensiones el procedimiento es parecido).
Cundo tendr el tomo energa suficiente
para formar una vacante?
Cmo obti ene energa el tomo?
En este caso nos interesa n los cambios de
conductividad producidos por la temperatura.
La energa del tomo est dada por la tempera-
tura, y aproximadamente cada tomo tendr
una energa promedio igual a kT, donde k es la
constante de Boltzmann (k = 8.6174 x 10..5 eV / K),
y T representa la temperatura medida en Kelvin
(T[K) = 273.15 + T[ e.
Entonces, aproximadamente a 15 000 K se
tendra la energa necesaria para formar una va-
cante?
Esto sera verdad si cada tomo fuera inde-
pendiente de los dems, pero en realidad no es
o O
0;:-:
O O O o- o
I
O O
7 O O
O O O O O
O
0-7-
0 O O O O O
O O O O O O O O O O
O O O O O O O O O O
Figura 11 . 12. Formaci6n de una vacanl e .
as: los tomos se comportan como un sistema
acoplado. La figura JI .13 presenta la diferencia en
la distribucin de la energa cuando tenemos
tomos aislados y cuando estn acoplados.
As, no es necesario que cada tomo tenga la
energa necesaria pa ra formar una vacante. Aun
cuando todos los tomos tienen una energa pro-
medio mucho menor, algunos tomos, tomando
energa de los dems tomos que forman el sis-
tema, pueden ll egar a tener la energa suficiente
para formar una vacante.
La ecuacin de Bol tzmann presenta esta infor-
macin. Por ser una ecuacin bsica de todos los
procesos activados trmicamente, tiene diferen-
tes nombres en diversas reas de estudio. Para
nosotros ser la expresin para la estadstica de
Boltzmann.
N = N,ex
p
(- ;;)
(11.18)
No es el nmero total de vacantes que puede
lener un sistema por unidad de volumen, y es del
orden de lon cm-3. Eo es la energa necesaria para
formar una vacante, mientras que kT es la energa
promedio que cada tomo tiene, proporcionada
por la temperatura. Finalmente, N es el nmero
de vacantes que tiene el sistema por unidad de
volumen.
En conclusin, podemos decir que si bien no
conocemos los detalles de la curva de conducti-
vidad como funcin de la temperatura en los
materiales aislantes, s podemos decir que su
conductividad aumenta exponencialmente con
la temperatura.
De manera similar, la estads tica de Boltz-
mann describe la di stribucin de las partculas
en la escala de energa, si a todas ellas se les
41
Electrnica fsica
A B e o
Amplitud de A
Ampllludde e
Amplitud de B Amplitud de O
Figura 11 , 13. Un sistema aislado esta formado por dos pndulos independientes, la energla total promedio de
cada oscilador es la misma. En un sistema acopl ado, como el formado por los pndulos compuestos. la energla
total del sistema se conserva, pero la energra de cada partlcula puede ser mayor o menor que la promedio.
proporciona una energa kT en promedio. De
aqu se obtiene que muchas partculas tienen
menos energa que kT y unas cuantas tienen ener-
Ina
42
Figura n,1 4, Variacin de la conductividad como
funcin de la temperatura en un malerial aislante.
Estadistica de Boltzmann.
I /T
gas mayores que kT. N partculas de No tienen
una energa Eo si en promedio a todas ellas se les
da kT.
SEMICONDUCTORES
Son los materiales que al cero absoluto de tem-
peratura tienen la banda de conduccin vaca
de electrones y la banda de valencia llena de
electrones. Para las aplicaciones en electrnica
a temperatura ambiente, el ancho de energa
prohibido E, es aproximadamente de 1.5 eVo
Algunas de las propiedades de los semicon-
ductores son las siguientes:
Se puede escoger el tipo de carga que trans-
porta la corriente elctrica, electrones o
huecos.
Se puede modular la concentracin de hue-
cos y electrones de tal manera que se pue-
dan obtener propiedades de metal o de ais-
lante, 10-' :5 P :5 lOS Ocm.
Materiales para la electrnica
Acepta perturbaciones temporales y locales
en la concentracin de portadores de carga
libre (fotorresistencias) y adems es posible
controlar el tiempo de la perturbacin (de
fotodiodo a memorias) .
El semiconductor que se ha ganado la
mada en la electrnica moderna de muy alto
grado de integracin VLSI es el silicio. Algunas
propiedades notables que lo han hecho
dor de esta distincin son:
Pueden practicarse en l una gran variedad
de procesos tecnolgicos sin el problema de
la descomposicin, como sucede con otros
semiconductores como el compuesto GaAs
(arseniuro de galio).
Es uno de los semiconductores mejor
cido en cuanto el la preparacin y
des de los monocristales puros.
Como su ancho de banda prohibida, E$' es
mayor que el del germanio, pueden fabri-
carse microcircuitos que trabajan hasta
175C, temperatura aceptable incluso para
aplicaciones militares.
Su xido Si0
2
le proporciona una serie de
ventajas adicionales:
a) Propiedades pasivadoras: proteccin en los
costados de las uniones.
b) Propiedades dielctricas: las caractersticas
conductoras entre el Si puro y su xido son muy
diferentes, ya que ste es un aislante bastante
bueno con el que se pueden crear dispositivos
con dielctri cos muy fcilmente, como los dispo-
sitivos MOS.
c) Facilidad tecnolgica: las propiedades in-
trnsecas del xido son muy diferentes de las del
silicio puro y permiten emplearlo en el proceso
fotolitogrfico (obtencin selectiva de regiones
con diferentes cantidades de impurezas),
dad que desplaza defini ti vamente al germanio
(su xido tiene muy malas propiedades mecni -
cas, pues es un polvo sin adherencia).
El silici o, sin embargo, no es ptimo en otros
aspectos:
La movilidad de los portadores es mayor en
GaAs y otros compuestos V), lo que
permite fabricar dispositivos con
las a mayores frecuencias.
El s ilicio tiene una transicin indirecta entre
bandas (vase ms adelante), lo que limita
sus aplicaciones electropticas.
Algunos dispositivos no se pueden hacer de
silicio, como el LED (diodo emi sor de luz) y
el lser.
El material mejor preparado para suplir al
silici o en sus deficiencias es el GaAs que, tec-
nolgicamente hablando, tiene un nivel de
desarrollo muy alto. Esto ha permitido que co-
mercialmente se encuentren dispositivos ms
rpidos que los tradicionales de alta veloci dad
de sili cio, como SGFET (Schottky-Gate-Field-
Transistor).
Estmct ll m de bandas
Cuando se estudi el modelo de
se encontr la estructura de bandas (E versus k)
para un material genri co. Los materiales reales
difieren de esta estructura. Hay dos casos que
tienen un inters especial para nosotros: 1) La
transicin directa de bandas, como en el GaAs,
donde el mnimo de la banda de conduccin
tiene el mismo va lor de cantidad de movimiento
que el mximo de la banda de valencia . Un
elect rn que pasa de la banda de conduccin a
la de valencia lo hace sin cambio en la cantidad
de movimiento, lo que favorece la generacin de
fotones (partculas luminosas con cantidad
de movimiento despreciable) . 2) Los materiales
con transicin indirecta de bandas, como el
cio o germanio, donde el mnimo de la banda de
conduccin tiene un valor de k diferente del mxi-
mo de la banda de valencia. Una transicin elec-
trnica incluye un gran cambio en la cantidad de
movimiento y favorece la produccin de fonones
(partcula asociada a la conduccin del calor con
gran cantidad de movimiento).
En la fi gura 11.1 5 se presenta la estructura de
bandas para dos semiconductores tpicos. Se in-
cluyen nicamente la banda de conduccin y de
valencia.
Como sealamos al estudiar la teora del enla-
ce mol ecular, el ancho de banda prohibido El
vara con la temperatura. De acuerdo con la
guiente relacin empri ca, la temperatura est en
Kelvin y en eV:
43
E/eel rnica fsica
E
E
Si GaA,
Figura U. l 5. Estructura de bandas. Transicin directa
como en GaAs y transicin indirec ta como en SI.
Material
GaAs
Si
Ge
aY'
E,(T) = E,(O) - (T + )
ES(O) leVI
a x 10-1
p
1.519 5. 405 204
1.170 4.73 636
0.744 4.77 235
Densidad de portadores libres
Eg(300) l eV]
1.424
1.12
0. 66
Despus de la descripcin de los semi conducto-
res, nos interesa entender el comportamiento de
sus propiedades elctricas. Para ello es necesario
saber cules electrones definen las propiedades
de los semicond uctores y cmo se calculan stas.
Para alcanzar este objetivo es necesario conocer
la densidad de los estados electrnicos D(E),
cmo se d istribuyen los estados que pueden
ocupar los electrones y la funcin de d istribu-
ci n f(E), de qu manera se acomodan estadsti-
camente los electrones en estos estados. Al tener
ambas expresiones se puede saber cuntos elec-
trones y cuntos huecos definirn las propieda-
des elect rnicas.
Para calcular la expresin de la densidad de
es tados procederemos como sigue:
Situamos los estados del electrn en un espa-
cio de nmeros de onda k, en donde la energa
44
de Fermi es el mximo nivel de energa ocupado,
tomando como vlida la relacin de energa ci-
ntica de un electrn li bre con masa efectiva ",.:
k,
k,
,, 2(k; + k; +k;)
2m'
,
k
F
=(k;+k;+k;)2
~ - - - + - - '
(11.19)
Figura U. 16. Estados ocupados por los electr ones
en el estado base.
Nmero de es tados =
Volumen de todos los estados
Volumende un estado
donde el vol umen de todos los estados es el
volumen encerrado por k
r
en la fi gura anterior,
en tanto que el volumen de un estado se obtuvo
en el desarrollo para que diera como resultado
E 1-4, donde L es una dimensin del material con
volumen U.
Para estimar la densidad de estados D(E), de-
finamos sta como el cambio en el nmero de
estados en relacin con la energa.
(11.20)
Esta ecuacin muestra una dependencia con
la energa que crece como la raz cuadrada de la
energa. Esta expresin es muy simple por su
origen, pero es bastante til porque predice ana-
lticamente la distribucin de los estados en las
bandas. As podemos al menos suponer que es
Maleriales para la electr6/1ica
vlida en la parte alta y baja de las bandas, donde
las propiedades electrnicas de los semiconduc-
tores se definen.
La densidad de estados en la banda de con-
duccin y de valencia tendra expresamente la
siguiente forma, donde las constantes Dc Y Dv
seran distitintas en virtud de que las masas efec-
tivas para los huecos y para los electrones son
diferentes. Adems hay que incluir la informa-
cin relacionada con la posicin de la banda: Ec
es el mnimo de la banda de conduccin y Ev es
el mximo de banda de valencia.
,
D ( E ) ~ = De(E - Ed
2
; E Ec
,
D(E)h ....... = Dv(Ev - E)2; E S Ev (11.21)
Conforme aumenta el nmero de partculas
en un sistema, el tratamiento estadstico se vuel-
ve obligatorio. Esto nos lleva a obtener resulta-
dos sobre el sistema en general y no slo sobre el
movimient o de cada partcula.
La funci n de distribucinf(E) da la probabi-
lidad de que determinado nmero de partculas
ocupen un determinado estado de energa. Exis-
ten diferentes estadsticas de distribuci n de
acuerdo con las caractersticas de las partculas
que describen. La que describe correctamente el
comportamiento de los electrones es la estadsti-
ca de Fermi-Dirac, que supone partculas indis-
tinguibles e igua les adems de cumplir el princi-
pio de excl usin de Pauli .
I,(E) = (E _ E,)
1 + exp---:r-
(11.22)
Esta funcin describe la estadst;ca de ocupa-
cin de los estados en un slido como funcin de
la temperatura, endonde E,es la energa de Fermi
cuando sta se aproxima a cero, ya que todos los
niveles con energa menor a Er tienen una proba-
bilidad de ocupacin igual a l , lf(E) = 1 J y todos los
ni veles con energa mayor a Er estn vacos,
lf(E) = Ol La estadstica de Boltzmann que se es-
tud i anteriormente puede usarse para aproxi-
mar la funcin de Fermi-Dirac, pero slo en el
caso en que E > E, o E < Er para el caso l-f(E).
j{EI
1\ 0
L-__________ -LI __ ' ~ __ E
FIg ura 11.17. Funcin de d ist ribucin de Fermi-Dirac.
De manera s imil ar, la funcin de distribucin
para los huecos es:
I,(E) = 1 - f,(E)
(E, - El
l +exp---;y-
(11.23)
En el caso de temperaturas diferentes de cero,
la probabilidad de que un nivel con energa O
mayor a E, est ocupado es igual a la probabili-
dad de que un estado con energa O menor a Er
est vaco.
Ahora que sabemos cmo se distribuyen los
niveles de los electrones D(E) y cmo se acomo-
dan los electrones en los estados f(E), estamos en
condiciones de ca lcular el nmero de electrones
y de huecos por unidad de volumen. Para reali-
zar el c lcul o de los electrones, se cuentan nica-
mente los que se pueden mover en la banda de
conduccin, es decir, los electrones que tienen
una energa mayor a Ee. Para calcular la cantidad
de huecos es necesari o contar los electrones que
se pueden mover en la banda de valencia, los
electrones con energa menor a Ev. En lugar de
contar lodos los elect rones se tienen en cuenta los
espacios por donde los electrones se pueden mo-
ver .(E).
45
Electrnica fsica
Electrones Huecos
Pa rt culas mviles por unidad
de volumen
" . = r-O,(E)J:(E)dE
JE,
Po = f> . (E)!. (E)dE
O,(E) O, (E)
,
J'i(m' l' ( )!
2 J Ev - E 2
n T,
Densidad de estados
Funcin de distribucin 1
(E - E,)
l e x p ~
j.(E) - (E, _ E)
l e x p ~
En ambos casos es necesari o resolver una
ecuacin del siguiente tipo:
r- xi dx'
Jo exp(x a)+ 1 '
E-E
e
Er- Ec
donde para los electrones x :;;: ----a:-; a := ----;;::-
Esta ecuacin slo se puede resolver en forma
numrica, o encontrando algunas soluciones
aproximadas vlidas en ciertas regiones de ener+
ga. Suponiendo queel nivel de Fermiest dentro
de la regin de energa prohibida, cuando el
argumento de la exponencial es posit ivo, en el
numerador puede despreciarse el uno.
Si empleamos esta aproximacin para calcular
el nmero de electrones y de huecos, correspon+
der a materiales que se llaman semiconductores
no degenerados. Los que no cumplen esta condi+
cin se llaman semiconductores degenerados,
como por ejemplo, los metales donde el nivel de
Fermi est dentro de las bandas permitIdas. La
solucin de esta integral es analtica y se conoce
como integral de Fermi de un med io o funcin
gama.
46
1
- , Jit
Xl cxp(-x)dx = -
o 2
(11 .24)
Lo que produce las siguientes expresiones
para los electrones /lo Y para los huecos Po:
(
E, -E,) (2,,,,; kT )l
110 = N
c
exp - -rr ; N
c
= 2 - ,-,,- (11.25)
,
(
E, -E,) (2''''. kT)'
Po = N"exp - ~ ; N
v
=2 - ,-,,- (11.26)
Semiconductores intrnsecos
Definimos un semiconductor intrnseco como
aquel en que la agitacin trmica transporta un
electrn de la banda de valencia a la banda de
conduccin, quedando as un hueco en la banda
de va lencia.
En todos estos materiales se cumple la siguien-
te relacin:
lI
o
=PO= lIi
(11.27)
donde J1 , es la concentracin de los electrones
que pueden pasar de la banda de valencia a la
de conduccin en equilibrio en un material in-
trnseco.
Materiales para la electrnica
En un material intrnseco, usando las expresiones para la densidad de portadores se
puede demostrar que la posicin de nivel de Fermi est aproximadamente a la mitad
del intervalo de energa prohibido y que la densidad de electrones intrnsecos se define
nicamente por la mitad del ancho de energa prohibido y la temperatura.
En cualquier semiconductor no degenerado en
equil ibrio termodinmico, la densidad de
trones y de huecos no puede fijarse
mente, ya que las dos estn relacionadas
te la ley de accin de masas (lloPO = Esto
resulta de reconocer que la densidad de
nes es proporcional a la distancia entre el ni vel
de Fermi E
f
y el mnimo de la banda de conduc-
cin Ee. mientras que la densidad de huecos es
proporciona l a la distancia entre el mximo de la
banda de valencia Ev y el nivel de Fermi E
r
, y la
suma de estas dos distancias es constante e igual
al intervalo de energa prohibido Eg en ecuilibrio.
11 11 11 11
(11.28)
(1l.29)
Antes de describir el proceso mediante el cual
las impurezas aportan a los materiales semicon-
ductores propiedades interesantes, describamos
el proceso de conduccin y de generacin de por-
tadores en un semiconductor intrnseco. Para ell o
imaginemos un modelo cuasiqumico donde el
sili cio es un materia l plano. Considrese slo el
efecto de la temperatura T y del campo elctrico
E (figura 11.18).
Pero qu se puede hacer para lograr que la
concentracin de portadores en equi librio se mo-
difique, ms all del control definido por la tem-
peratura?
-=@=@=@=@=
11 11 11 11
=@=@=@=@=
11 11 11 11
=@=@=@=@=
11 11 11 11
=@==@=@=
11 11 11 11
No 0!I)(j5te un 5010 electrn o hueco
para la conduccin. Es el aislante
perfecto.
Figura 11 . 1 B. Modelo de silicio a bajas temperaturas y sin campo aplicado.
47
Elect rnicn fsica
11 11 11 11
=@=@=@=@=
11 e lile 11
=@-@=@=@=
11 11 e 11 11
=@=@-@=@=
1 11 11 e 11
=@=@=@=@=
11 11 11 11
T ~ O E=O
Existen n. elect rones libres de mover
y p enlaces covalenles Incompletos
por donde se pueden mover los electrones
de la banda de valencia, huecos.
Figura 11. 19. Modelo de silicio a temperatura diferente de cer o y sin campo aplicado.
11 11 11 11
=@=@=@=@=
11 e-+t--o- __ 1 e-t+--
,@-@:@=@=
'tt-- 11 e -ft------.. 11
=@, @-@=@=
,- -1 ',jl-' 11 e-t+--
, @=@=@=@=
11 11 11 11
+---E
El campo elct rico produce
el movimiento de los electrones
libres en la banda de conduccin
y de los electrones de los enlac es
covalentes en la banda
de valencia
Figura 11.20. Modelo de s ilicio a temperatura diferente de c ero y con campo aplicado E.
Semiconductores extrnsecos
La introduccin de impurezas en el semicon-
ductor tiene una enorme importancia en electr-
nica. Aqu la palabra impureza tiene el sentido
de tomos d iferentes al que forma la red del
semiconductor; por simplicidad supondremos
que todas las impurezas son de un solo tipo de
tomo. Su importancia en la electrnica radica
en que gracias a stas podemos obtener las gran-
Dell sidnd de ntomos de illlpl/rezns ell e/silicio, NB
Esta densidad de
impurezas es tan pequena
que no existe la tecnologa
para su control, as que se
acepta cualquier tipo de
impureza.
48
En este intervalo se encuent ran Jos
semiconductores de la industria
electrnica, siempre y cuando la
cantidad de impurezas est bajo
control. Depend iendo del di spositivo,
es necesari o obtener cierta
concentracin en particular.
Estas densidades de
impurezas son tan grandes
que se trabajan como si
fueran aleaciones y no se
emplean como material
activo.
Materiales para la electrnica
des ventajas de los semiconductores: vari acin
de conductividad, eleccin del tipo de portador,
etctera.
Esto se logra gracias a que ciertas impurezas,
a l entrar en el material, son capaces de p ropor-
cionar electrones a la banda de conduccin o de
aceptar electrones de la banda de valencia y per-
mitir el movimiento de los electrones que que-
dan en la banda de valencia.
Es rela ti vamente fcil impurificar de manera
controlada los semiconductores, si introducimos
tomos del grupo V (de la tabla peridica de los
elementos), que tienen cinco electrones de valen-
cia, en un slido de silicio. Cuatro de los electro-
nes de la impureza son empleados en los enlaces
covalentes y el quinto electrn se mantiene liga-
do a la impureza por la fuerza de atraccin cou-
lombiana. Esta fuerza es muy dbil y a l aumentar
la temperatura se desprende de la impureza y
queda li bre, aumentando el nmero d e electro-
nes de conduccin. As, la impureza queda ioni-
zada con una carga positiva, pero es fija y no se
puede mover; un semiconductor con este tipo de
impureza se llama semiconductor tipo IT y la im-
pureza se llama donadora.
11 11 11 11
=@=@=@=@=
11 .11. 11 11
No exi ste un solo electrn o hueco
para la conduccin. Los electrones
estn ligados a las impure:l8.9.
11 11 11 11
=@=@=@=@=
I
=@--':0=@=@=
11 11
8
11 11
11 11 11 e 11
=@=0=@=@=
11 e 11 11 11
=@=@=@=@=
I
=@=@=@=@=
11 1IIIe 11
Loa electrones libres se deben
11 11 11 e 11
=@=@--':0=@=
bsicamente a Impure:las
=@-@=0=@=
11 1111 11
y slo hay algunos elec trones
Intrlnsecos.
11 11 11 11
T =O, E= O T .. O, E= O
Figura 11. 21. Modelo d e silicio extrinseco (Iipo 11).
Si en lugar de tomos del grupo V de la tabla
peridica se introducen en la red del silicio to-
mos de impurezas del grupo m, se observa un
efect o muy distinto, ya que estos tomos tienen
slo tres electrones de valencia, que se emplean
para formar tres enlaces cava lentes y el cuarto
enlace carecede un e lectrn. nicamente cuando
T = O. Cuando la temperatura aumenta, fcil-
mente captura los electrones que se estn for-
mando trmicamente en el silicio, dando lugar a
la formacin de enlaces incompletos en el silicio
que pueden ser empleados para el movimiento
de los electrones y que corresponden al movi-
miento de electrones en la banda de valencia. Las
impurezas se lla man aceptores.
La energa para desplazar lugares que sirvan
para el movimiento de los electrones de la banda
de valencia es mucho menor que la energa nece-
saria para formar pares electrn hueco e-h en un
material intrnseco. Esto se debe a la energa de
a traccin coulombiana entre la impureza y los
electrones.
De acuerdo con lo anterior, las impurezas es-
tarn ionizadas y sern inmviles, favo reciendo
as la for macin de electrones si las impurezas
son donadoras y formando semiconductores
tipo /l. Las impurezas favorecen la formacin de
huecos si son aceptoras y se forman semiconduc-
tores tipo p.
ste es un buen punto para recordar que el
intervalo de energa prohibida en un semicon-
d uctor resulta prohibida para los n iveles de los
tomos que lo forman, pero no para los tomos
de impureza. Por consiguiente, se puede conside-
rar que los electrones cedidos por los tomos
donadores se originan en estados donadores lo-
calizados entre Ee Y Eva pocas centsimas de eV
abajo de Ee. y los huecos cedidos por los tomos
49
Electrnica fsica
11 11 11 11
=@=@=@=@=
11 11. 11 11
No existe un solo electrn o hueco
para la conduccin. Los huecos estn
ligados a las Impure:laS (virtual).
11 11 11 11
=@-@=@=@=
11 11 lIell

11 TI ti) 11 11
I
=@==@=@=
11 11 11 11
=@=@=@=@= =@=@=@-@=
11 1lII:EI) 11


Los huecos existen bsicamente
por las Imp urs:las y slo algunos
son intrlnsecos.
11 11 11 11
-17\ S 17\S -fs\ -17\ S -

11 1111 11 11 11 11 11
r", o, 10",0 r .. o, 10 ", 0
Figur a 11.22. Modelo de silicio extrlnseco (tipo p).
aceptores se crean cuando los electrones, que
normalmente deberan ocupar los estados cerca-
nos a la parte superior de la banda de valencia,
se desplazan a niveles aceptores que estaban
Sb
p
A,
Ce
B
Al
Ga
vacos en el principio y cuya energa se localiza
a unas cuantas centsi mas de eV por encima de
Ev. El siguiente diagrama representa los niveles
de las impurezas ms representati vas del si licio:
fe
I Niveles donador es I
Au
I Niveles profundos]
E,
I Niveles aceptor es I
Figura 11.23. Niveles de impure:la del silicio.
Antes de situar el nivel de Fermi en los semi-
conductores extrnsecos, veamos cmo repre-
sentar la condicin de neutralidad elctrica. Si al
semiconductor no le hemos agregado carga elc-
trica (las impurezas son agregadas como tomos
neutros) debe conservarse la condicin de que la
suma de la carga positiva es igual a la suma de
la carga negativa.
En el caso ms general, las cargas elctricas en
el semiconductor pueden surgir de los electrones
li bres 111)1 los huecos po, las impurezas donadoras
y las aceptadoras ionizadas Po Y 11" . Conforme la
temperatura cambia, la distribucin de la carga
50
elctrica entre las diferentes fuentes cambia. Las
impurezas totales donadoras No pueden estar
ionizadas Po o no 110. Las impurezas totales acep-
tadoras N" pueden estar ionizadas 11" o no p".
Esto da origen a la siguiente expresin para la
ecuacin de neutralidad elctrica:
"0 + n" = Po + Po
N" =p,, +/1"
(11.30)
Materiales para la electr/lica
electrones
Ee
Impurezas donadoras
8
",
---w :1 =,m==pu=,=.=,.=s=.=c=.=p=,o=,=es::::
huecos
+ + + + Po
Figura 11.24. Diagrama de las diferentes cargas elctricas en el semiconductor.
Veamos la utilidad de la ecuacin de neutralidad elctrica analizando la cantidad
de portadores, huecos y electrones que se tienen en un semiconductor tipo n
(N .... = 11 .... = P .... = O), a una temperatura lo suficientemente alta para que las impurezas
estn ionizadas, y suficientemente baja para que la cantidad de portadores intrnsecos
no sea muy elevada. El silicio a la temperatura ambiente corresponde a este caso.
Si todas las impurezas estn ionizadas:
1/
0
= O
Si slo tenemos impurezas donadoras:
N, = O
La ecuacin de neutralidad elctrica en este caso es:
Con la ecuacin de la ley de accin de masas se obtiene:

1/
0
= 2 -No
(11.31)
La posicin del nivel de Fermi es una funci n
del contenido de impureza en el material y de la
temperatura. En un semiconductor intrnseco
encontramos que el nivel de Fermi permanece
aproximadamente en el centro de la banda pro-
hibida de energa para cualquier temperatura,
mientras que en un semiconductor extrnseco la
posicin del nivel de Fermi depende del estado
de ionizacin de las impurezas.
Si estudiamos un semiconductor tipo /1 , en-
contramos que en el cero absoluto de tempera-
tura no hay electrones ni huecos para la condllC-
cin. Conforme la temperatura aumenta, la
formacin de electrones es favorecida por la io-
51
Electrnica fsica
N
p
f
f o
--- - --." EF
f,
~ E o
- - --- ----
D(E)
f
f
p,
p,
f(E) dn,dp
Figura 11.25. Variacin de los diagramas de energla E. densidad de estados D(E), lunci6n de distribucinf(Ej
V densidad de electrones " 0 y huecos Po-
nizacin de las impurezas, con una energa de
activacin (fe - E
D
) . Si la energa necesaria para
formar un electrn es sta, ello indicara que el
nivel de Fermi Er estara muy cerca del mnimo
de la banda de conduccin Ee. ya que, como
indicamos anteriormente, la distancia entre Er y
f e es proporcional al nmero de electrones.
A una temperatura lo suficientemente alta
es factible la trans icin de electrones de la banda
de valencia a la de conduccin. Incluso a una
temperatura determinada, puede suceder que
n, > N
D
Y entonces no sea igual a POI por lo que Er
estara al centro de la banda prohibida.
La regin de ionizacin de impurezas se ex-
tiende hasta la temperatura de saturacin r .. Esta
52
temperatura se puede calcular suponiendo que
en ella la cantidad de electrones es casi igual a la
cantidad de impurezas donadoras.
(11.32)
La regin de conductividad intrnseca se ob-
tiene para temperaturas ms altas que T y puede
definirse de una manera similar a la anterior:
T,
E,
{
NON,)
kl --
N'
o
(11.33)
Materiales para la electrnica
La figura [1.25 presenta un resumen de lo visto
hasta este momento: 1, N, Y P representan a un
semiconductor intrnseco, un extrnseco tipo n y
otro tipo p, respectivamente. D(E) es la densidad
de estados di sponibles para los electrones y es la
misma funcin para los tres casos. nicamente
difiere para los extrnsecos porque se agregan los
niveles de impureza;f(E) es la funcin de distri-
bucin, y es la misma para los tres casos, slo
que el nivel de Fermi que define la probabilidad
de ocupacin de un medio est en el centro de la
banda prohibida en los intrnsecos, cerca del m-
nimo en la banda de conduccin en los semicon-
ductores tipo n y cerca del mximo en la banda
de valencia en los ti po p. Los semiconductores
intrnsecos tienen la misma cantidad de huecos
y electrones, slo existen ms electrones en el
semiconductor tipo 11 y ms huecos en un semi-
conductor tipo p.
Conductividad
Con la informacin acumulada hasta este mo-
mento sabemos que la conductividad en un se-
miconductor puede cambiar sensiblemente con
la temperatura, y esta dependencia se expresa
de la siguiente manera:
.,(T) = + I (11.34)
La movi lidad de los portadores de carga ..t,
como hemos mencionado anteriormente, depen-
de de las imperfecciones del cristal. En este caso,
la perturbacin ms importante en el movimien-
to de los electrones son las vibraciones trmicas
de la red cristalina. La siguiente es una expresin
que muestra la dependencia de la movilidad que
surge por las vibraciones trmicas; ya que su
deduccin est fuera de los objehvos del curso,
bien puede considerarse emprica.
(11.35)
A es una constante determinada por parme-
tros elsticos del material.
En un semiconductor intrnseco es fcil plan-
tear una ecuacin que m uestre la dependencia de
la conductividad respecto a la temperatura. Em-
pleando la conocida expresin sobre la densidad
de los portadores, y suponiendo que las masas
efectivas de los huecos y electrones no son muy
diferentes, se obtiene:
cr .. 2qn exr(-.ftr)
(11.36)
Esta ecuacin muestra una vez ms la depen-
dencia general de un proceso activado por tem-
peratura. Al compararla con la ecuacin de
Boltzmann, se reconoce que la energa de activa-
cin es la mitad del ancho de la energa prohibi-
da, ya que, al pasar un electrn de la banda de
valencia a la de conduccin, se generan dos por-
tadores de carga, un electrn y un hueco.
Ino
",,,, !L
-2k
L ____________ -;"" I / T
Figur a 11.26. Vari acin de la cond uctividad como
funcin de la temperatura en un semiconductor
Inlrlnseco.
La conducti vidad en un semiconductor intrn-
seco aumenta exponencialmente con la tempera-
tura, a diferencia de los metales, en los que la
conducti vidad disminuye debido a que la movi
lidad d isminuye y la densidad de portadores de
carga es una constante.
Para un semiconductor extrnseco tipo 11, ve-
mos que la dependencia de la conduct ividad
respecto a la temperatura tiene la siguiente forma
(para un semicond uctor tipo p el comportamien-
to es en esencia el mismo):
.,(T) " qn
(11.37)
53
Electrnica fsica
En este tipo de materiales, el comportamiento
est dominado por los portadores mviles. La
densidad de portadores mviles en los semicon-
ductores extrnsecos no tiene una forma simple,
sino que es una funcin del estado de ionizacin
de las impurezas y de la formacin de pares
electrn-hueco.
In",
InN
D
Regln 111 Regln 11 Regln I
l/Ti l /T, l/T
Figura 11.27. Variacin de densidad de portadores
libres por la temperatura en un semiconductor t ipo n.
En cualquier regin de temperatura, la canti-
dad total de portadores es la suma de los porta-
dores intrnsecos y los portadores proporciona-
dos por las impurezas.
En la regin Ila temperatura es tan baja que la
energa promedio no es suficiente para crear una
cantidad significativa de pares electrn-hueco
(energa de activacin = Egl2 - 0.5 eV), mien-
tras que las impurezas requieren una energa
de activacin mucho menor para producir elec-
trones por ioni zacin (energa de activacin
= Ee - Eo - 0.05 eV, la energa de activacin es
sta y no la mitad, ya que no hay conduccin a
travs de los niveles de las impurezas). Cuando
!3. temperatura en el semiconductor es igual a la
temperatura de saturacin T" todas las impure-
zas han sido ionizadas. La conductividad en esta
regin tendra la siguiente expresin, donde A,
es independiente de la temperatura:
(11.38)
En la regin 11, que comprende desde la tem-
peratura de saturacin T, hasta la temperatura
intrnseca T" la densidad de portadores libres se
mantiene constante, ya que las impurezas estn
todas ionizadas y an no existe suficiente energa
trmica promedio para que la generacin de pa-
54
res electrn-hueco sea comparable a la densidad
de impurezas ionizadas. sta es la regin donde
los semiconductores son empleados en electr-
nica para las aplicaciones en dispositivosactivos.
Aqu la densidad de portadores es una constante,
No, mientras que la movilidad hace disminuir la
conductividad. La expresin de conductividad
tiene la siguiente forma, donde An es otra cons-
tante independiente de la temperatura:
(11.39)
En la regin m, cuando la temperatura es
mayor que Ti, la energa trmica promedio es su-
fi cientemente alta como para que la densidad de
pares electrn-hueco sea an mayor que la den-
sidad de portadores proporcionados por las im-
purezas, as que la cantidad de portadores au-
menta una vez ms, pero ahora se debe a los
pares electrn-hueco. El comportamiento de
cualquier semiconductor en esta regin es muy
parecido al de los semiconductores intrnsecos.
La expresin de conducti vidad tiene la misma
forma que en los semiconductores intrnsecos,
donde AIII es independiente de la temperatura:
(11.40)
111
L------------------------.l / T
Figura 11 .28. Variacin de la conductividad con la
temperatura en un semiconductor extrlnseco.
De acuerdo con la figura anterior es posible
identificar las regiones 1 y 111, donde la conducti-
vidad aumenta con la temperatura debido al
aumento en la densidad de portadores, y la re-
gin JI, donde la conductividad disminuye con
la temperatura a causa de la variacin en la mo-
vilidad de los portadores.
Materiales para la electr6nica
ECllacill de continuidad: generaci61l
y recombillnci6/t
Esta seccin trata de las ecuaciones que descri
ben el comportamiento de semiconductores fue
ra del equilibrio. Hasta este punto las caracters
ticas principales de los semiconductores estaban
determinadas al conocerse /to. Algunos factores
externos ocasionan que el semiconductor est
fuera de equilibrio trmico, como los gradientes
de temperatura, los campos elctricos y magn-
ticos estticos y variables, la radiacin luminosa,
etc. Estas variaciones pueden ser locales, como
las causadas al iluminar una parte de un semi
conductor, o temporales, como las perturba
ciones que persisten en un intervalo de tiempo.
Al apartarse el semiconductor del equilibrio, el
comportamiento dinmico y esttico de la den-
sidad de portadores debe ser descrito por un
nuevo conjunto de ecuaciones. Las ecuaciones
bsicas de los semiconductores que describen la
operacin dinmica de los portadores bajo la
influenci a de campos externos que ocasionan
que el semiconductor pierda el equilibrio trmi
ca pueden clasificarse en los siguientes tres
grupos:
Ecuaciones de Maxwell
Ecuaciones de densidad de corriente
Ecuacin de continuidad
Para materiales isotrpicos y homogneos,
una de las ecuaciones de Maxwel
1
toma la si-
guiente forma:
V . E = p(x, y, z)
..
(11.41 )
donde E es el vector del campo elctrico, p es la
densidad de carga elctrica total y E. es la permi-
sividad del semiconductor
En los semiconductores es posible que agen-
tes externos modifiquen la concentracin de
portadores de su valor de equilibrio en su posi-
cin o en el tiempo, por lo que la concentracin
de portadores libres es, en general, una fun-
cin de las coordenadas espaciales y del ti empo,
es decir:
,,(x, y, z, t) = "o + dtl(X, y, z, t)
p(x, y, z, t) = Po + dP(X, y, z, 1) (11.42)
Las variaciones en la concentracin de porta
dores se deben a cualquiera de los siguientes
fenmenos:
Generacin
Recombinacin
Difusin
Deriva
Por generacin se entienden los procesos que
permiten pasar electrones de la banda de valen-
cia a la de conduccin o de los niveles de impu
reza a la banda de cond uccin. La generacin
tiene dos componentes: la generacin trmica GOl
que impone la densidad de portadores en equi-
librio, y la generacin fuera del equilibrio dG,
que puede ser causada por luz, partculas nuclea-
res, impacto ionizante (avalancha), etctera.
Por recombinacin entendemos el proceso
que modifica la cantidad de portadores, aniqui
landa los pares electrn-hueco. Es el proceso
inverso de la generacin, y si se tiene una condi-
cin de bajo nivel de inyeccin, es decir, si la
cantidad de portadores generados es mucho me-
nor que la de los port adores mayoritarios
(dlt < It
o
, por ejemplo), la recombinacin de los
electrones puede ser aproximada por 6.1l/ t , don-
de t es el tiempo de vida de los portadores mino-
ritarios y representa el tiempo promedio en que
los electrones fuera del equilibrio tienden a per-
manecer en la banda de conduccin. En equili-
brio trmico, la generacin es idntica a la recom
binacin.
(11. 43)
Los procesos de difusin y de deriva tambin
ocasionan una variacin de la cantidad de porta-
dores en el semiconductor. Ll difusin es el mo-
vi miento de los portadores de las regiones de
mayor concentracin de portadores a las regio
55
Electrnica fsica
ti
"o
1)
"


. ... )
G
l0 : 01 R
I
o o
I
Po
EQuilibrio Fuera del eQuilibrio
Figura 11.29. Generacin y recomblnacln en semiconductores.
nes de menor cantidad de portadores. La fuerza
impulsora del movimiento es el gradiente de la
concentracin.
La deriva es el movimiento de los portadores
por la presencia de un campo elctrico, y la fuer-
za impulsora es el gradiente de potencial elctri-
co, el potencial.
La corriente de deriva fue mencionada al ana-
lizar los metales, pero la corriente de difusin no;
examinemos un semiconductor heterogneo en
el cual la concentracin de electrones (y huecos)
cambia de punto a punto. Imaginemos que esto
se obtiene contaminando al semiconductor de
manera no uniforme.
ND
l.
+--
x-dx x x+dx
Figura 11.30. Movimiento de carga por difusin
en un semiconductor inhomogneo.
,
Al analizar el movimiento de los portadores
de carga de las capas de espesor dx (1 y 2),
encontramos que debe existir una corriente de
electrones que va de la capa 2 a la capa 1. Para
explicar esta corriente, recordemos que el movi-
56
miento de los electrones es en principio aleatorio
y, por lo mismo, puede suceder que de los elec-
trones de la capa 1 la mitad se muevan hacia la
izquierda y la otra mitad hacia la derecha, as que
la mitad va de la capa 1 a la capa 2. Pero lo mismo
es vlido para la capa 2 y, corno en la capa 2 hay
ms electrones, es posible que la corriente de
electrones se comporte como se seala en la figu-
ra. Analticamente, este proceso se expresa de la
siguiente manera:
dn
= qD"dx
(11.44)
dI! . .
donde dx es el gradiente de la cantidad de elec-
trones y D. es la constante de difusin para los
electrones (cm
2
Sl ]. Esta corriente de difusin,
que existe nicamente en los semiconductores,
origina una separacin espacial de las cargas por
un lado, los iones que estn fijos en el material,
y por el otro, los electrones que se desplazan por
difusin, lo que genera un campo elctrico est-
tico entre las cargas. El campo elctrico produ-
cido origina corrientes de deriva: en equilibrio
termodinmico ambas corrientes se anulan, pro-
duciendo yna corriente neta igual a cero.
En equilibrio termodinmico es posible rela-
cionar las constantes que aparecen en la corriente
de difusin y en la corriente de deriva. Esta
relacin se conoce como la relacin de Einstein,
y relaciona la movilidad de los portadores con
la constante de difusin D a una temperatura T.
Materiales para la electrnica

D. - kT
(11.45)
Existe una relacin similar para los huecos.
La densidad de corriente en los semiconduc-
tores puede, en general, tener componentes de
huecos y de electrones y provenir de una corrien-
te de difusin y de una corriente de deriva. As,
en general, las ecuaciones de densidad de co-
rriente son:

(11.46)
El ltimo grupo de ecuaciones que permiten
estudiar los semiconductores fuera del equilibrio
son las ecuaciones que expresan las relaciones de
continuidad de la cantidad de portadores en el
semiconductor con respecto al tiempo y a la po-
sicin.
Estas relaciones permiten determinar n(x, y, z,
t) y p(x, y, z, t), ya que tienen todas las posibles
causas de su variacin: generacin, recombina-
cin, campos elctricos alternos, campos elctri-
cos estticos y difusin.
ht n - 110 aE 011 alll
""3"""" = tJ.G" - --+ + + D,,-:;-
ot "t" oX oX OXl
op P-Po oE op 02p
-=G E- +D-
at P 't
p
P ox P (;:: "ox2
La siguiente figura trata de proporcionar una
imagen hidrulica de los procesos que se han men-
cionado, en particular la generacin que agrega
portadores, la recombinacin que los desaparece
y la difusin y deriva que los mueve de lugar.
,, R
Figura 11.31. Imag en que tral a de representar
los procesos que modifican la densidad
de p ortadores en un semiconduc t o r.
Al conocer la densidad de portadores fuera
del equilibrio, se reconoce que los mtodos usa-
dos en las secciones anteriores no son apl icables
en este caso, en el cual parmetros tan importan-
tes como el nivel de fermi o la ley de accin de
masas son inoperantes. Afortunadamente existe
un recurso para reunir la informacin de equili-
brio con los conceptos aprendidos al estudiar el
estado fuera de equilibrio. Al introducirse el con-
cepto del seudonivel de Fermi, la densidad de
electrones en equilibrio o fuera de l se calcula
midiendo la distancia entre el seudonivel de Fer-
mi de los electrones Er. Y el mnimo de la banda
de conduccin Ec. La densidad de huecos en
equilibrio o fuera de l se calcula midiendo la
distancia entre el seudonivel de Fermi de los
huecos E
r
,. Y el mximo de la banda de valencia
Ev. En el equilibrio, los dos seudoniveles de Fer-
mi convergen en el nivel de Fermi. A continua-
cin se presentan las ecuaciones en equilibrio y
fuera de l, para calcular la densidad de electro-
nes, la densidad de huecos y la ley de accin de
masas.
57
E.lectrnica fsica


,-------, E,
EF -------- - -- -
E, ,-___ ---,
I
Equilibrio
"o = N
c
ex
p
( -
110110 = n;
Fuera de equilibrio
N
(
E,-E,.)
11 = c exp - -y:--
Figura 11.32. Diagrama de energla para un semi conductor en equilibrio y fuera de l , seudoniveles de Ferml.
PROPI EDADES PTICAS y MAGNTICAS
Esta seccin tiene un inters informativo, as que
su contenido es un tanto superficia l. Al hablar
de propiedades pticas, el objetivo principal es
comentar cmo se realiza el proceso de las sea-
les pticas controlando la velocidad de la luz. En
relacin con los materiales magnticos, intenta-
remos proporcionar las ideas esenciales sobre
las memorias magnticas.
Propiedades pticas
Describir las propiedades pticas a un estudian-
te de ingeniera es bastante fci l, ya que est
familiarizado con seales que cambian peridi-
camente en el tiempo, e incluso ha visto en el
osci loscopio el efecto de la diferencia de fase de
dos seales de voltaje. Las seales pticas son
idnticas a una seal cosenoidal de voltaje, sio
que de mayor frecuencia, - 5 x 10
14
Hz. En la sec-
cin de nomenclat ura ptica se habl de la po-
larizacin de la luz y se describi como el ngul o
de fase entre las vibraciones del campo elctrico
ortogonal es a la direccin de propagacin. Si la
luz se propaga en la direccin cartesiana z, en-
tonces, en general, el ngulo de fase entre las
58
vibraciones del campo elctrico en la direccin
x y y definir la polarizacin.
La velocidad de propagacin de la luz cambia
en los diferente med ios. En el vaco se propaga a
su velocidad mxima y en los medios transpa-
rentes la propagacin es siempre menor: v =.E..,
11
donde IJ es el ndice de refraccin del medio. En
el aire 11 es casi uno, en el vidrio de ventana es
1.4, etc. El nd ice de refraccin cambia en las
diferentes longitudes de onda, lo que da origen
al arco iris. En general, en un material, n aumen-
ta al dismi nuir la longitud de onda (por cierto,
saben por qu el cielo es azul de da y negro de
noche?).
De la misma manera en que el ngulo de fase
en un ci rcuito elctrico se modifica al cambiar la
impedancia (frecuencia o elemento fsico), as
tambin la polarizacin de la luz puede cambiar
al pasar por un material adecuado. Imaginen un
haz de luz monocromti co (una longitud de
onda) y polarizado linealmente (ngulo de fase
cero). Cuando la luz incide en un material ade-
cuado, uno que tenga dos di ferentes valores de
It en diferentes direcciones, 11 , y lIy (o sea, un
material anisotrpico; muchos cristales en la na-
turaleza tienen esta propiedad, a diferencia de
los vidrios, que son materiales no cristalinos que
Maferiales para la elecfr6nica
tienen propiedades pticas isotrpicas), al salir
el haz de luz del material, la componente x del
campo elctrico que viaj a una velocidad defi-
nida por llXf estar adelante o atrs de la compo-
nente y del campo elctrico que viaj a una velo-
cidad diferente definida por l1y. El ngulo de fase
(IP) entre los dos componentes del campo elctri -
co se puede escribir de la siguiente manera:
donde t es el espesor del material y A es la
longitud de onda de la luz. Existen dispositivos
pticos que modifican las propiedades de la luz.
Un polarizador es un material que cambia el
ngulo de fase a cero despus de pasar por
el material; una placa )12 rota el campo elctrico
de la luz polarizada linealmente en un ngulo
que depende de la orientacin inicial del campo
elctrico y de la placa. Una placa 'r4 cambia la
polarizacin de lineal a elptica o circular. Estos
dispositivos y algunos otros son empleados en
las cabezas de deteccin de los discos compactos
o en las memorias magnetopticas. En el ltimo
caso son esenciales para converti r la informa-
cin del ngulo de polarizacin de la luz causa-
da por la reflexin en el material magntico en
intensidad, que es lo nico que miden los foto-
di odos.
Existen tambin dispositivos pticos de con-
mutacin que emplean estas propiedades para
provocar interferencia constructiva o destructiva
del campo elctrico de la luz, y muchos otros
fenmenos que tratan de imitar lo que se puede
hacer con las seales elctr icas, con la ventaja de
que trabajan a mayor frecuencia
Propiedades magnticas
Todos los campos magnticos surgen a partir de
circuitos de corri ente. La relacin fundamental
ent re dos de las variables de Maxwell : H, inten-
sidad del campo magntico y B, induccin mag-
ntica, es la siguiente:
donde es la permeabilidad, la cual tiene para el
vaco un valor de 41t x 1O-7_WbA-
1
m-
1
[0 henry /
metroJ.
+
Ferromagnticos
I
Antiferromagnticos
{
Ferromagnticos
'-______ --' Ferrimagnticos
J I '-A_n_ti_fe_'_';_m_B_O_n__ti_CO_'----'
....----1 Paramagnticos .
Diamagnticos I
I Superconductores I
Figura 11.33. Clasificacin de los materiales magnticos.
Los materiales magnticos se clasifican en:
a) Dialllagnticos. Donde es una constante
independiente del campo y de valor negati vo
muy pequeo. Este efecto se origina por los elec-
trones que giran al rededor del ncleo y no tiene
aplicacin prctica excepto en los superconduc-
tores, que son diamagnticos perfectos donde la
constante .t negativa es muy grande. Esta cons-
tante se tiene en cuenta cuando se buscan aplica-
ciones, como la sustentacin magntica.
59
Efectr,,;ca fsica
b) Paramagnticos. Algunos tomos o iones
presentan momentos magnticos permanentes,
que en ausencia de campos magnticos se orien
tan aleatoriamente de manera independiente.
es positiva pero muy pequea. El paramagne-
tismo tiene su origen en el espn electrnico y
compite con el diamagnetismo que est presente
en todos los materiales.
c) Ferromagnticos. Son los materiales que pre
sen tan magnetismo en ausencia de campos mag
nticos. Entender su origen es un poco ms com
plicado; se basan en la formacin de dominios
magnticos, donde los espines atmicos se ali-
nean en la misma direccin, lo que indica un
proceso colectivo, a diferencia de los dos proce
sos anteriores. Varios nuevos conceptos surgen
al estudiar estos materiales; entre ellos estn el
anli ferromagnetismo, que presenta dominios
magnticos pero con los espines en direccin
contraria, los ferrimagnticos, un grupo especial
de materiales; las ferritas, cuyas propiedades fe-
rromagnticas son intermedias de las dos ante-
riores, pero muestran una Jl positiva y muy gran
de, adems de depender del campo magntico.
8
8,

Figura 11 .34. Ciclo de hlstresls magntica
La diferencia en el comportamiento magnti
co entre diamagnticos y paramagnticos, por
un lado, y ferromagnticos por el otro alcanza la
magnitud de l OS. Los ferromagnticos se carac
ter izan por su dependencia de con el campo
magntico, llamada ciclo de histresis. El origen
de este ciclo de histresis magntica es la energa
necesaria para modificar la orientacin de los
dominios magnticos. En este punto podemos
aclarar que las propiedades magnticas colecti
vas (como sta) desaparecen a determinadas
temperaturas que comnmente se llaman tem
60
peraturas de Curie. Una curva de H versus B
nos permite visualizar el ciclo de histresis mag-
ntica.
Se parte de un material vi rgen sin induccin
magntica presente; es decir, en el origen de las
coordenadas. Un aumento en la intensidad del
campo magntico H producir un aumento en la
induccin magntica hasta que se satura B"'I y no
aumenta ms. Aunque se contine aumentando
el campo magntico, los dominios magnticos
del material estn ordenados en forma paralela
al campo externo. Si se disminuye el campo mag
ntico H la induccin magntica no desaparece
y se ti ene una induccin magntica remanente B,.
El ciclo de histresis magntica indica la energa
necesaria para cambiar la orientacin de los do-
minios magnticos de manera cclica.
Las di ferencias en el ciclo de histresis indican
las diferentes aplicaciones. Los ncleos de los
transformadores causan las prdidas al transfor-
mar la energa. Entre mayor sea el ciclo de hist-
resis (rea incluida en el ciclo), mayores son las
prdidas y, conforme menor sea su resistividad,
mayores corrientes elctricas se inducirn, des
perdiciando potencia. Los ncleos de los trans
formadores requieren materiales magnticos
suaves y de gran resistividad, como Jos que se
obtienen al laminar aleaciones de hierro silicio
para aplicaciones a bajas frecuencias, as como
ferritas para aplicaciones a al tas frecuencias.
Por otro lado, los requisitos en las memorias
magnticas son diferentes para Josdistintos tipos
de presentaciones, desde cintas magnticas de
audio, hasta discos magnticos de alta densidad.
Los parmetros, como distancia entre cabeza
grabadora/lectora y material magntico, son im-
portantes, ya que la transferencia de la informa-
cin dis minuye exponencialmente con la distan-
cia. El tamao de la zona con informacin y la
facilidad para grabar y borrar depender de
la Valores de Jl pequeos defi-
nirn una baja densidad de informacin y alta
sensibilidad a campos extraos; valores grandes
de definirn materiales de alta densidad y casi
insensibles a campos externos, ya que se requiere
un campo magntico mayor para definir las zo
nas magnticas que forman la informacin.
Materiales para la electr6nica
TECNOLOGfA
En las pasadas dos dcadas la industria electr-
nica se ha caracterizado por una evolucin en la
tecnologa de los semiconductores que, entre
otras cosas, ha reflejado una tendencia opuesta
al proceso inflacionario (desde el punto de vista
de una economa como la de Estados Unidos).
Este comportamiento se debe en parte a la posi-
bilidad sostenida de fabricar ms y ms elemen-
tos del circuito en un pequeo pedazo de silicio.
El aumento en la complejidad de los procesos se
ha llamado "very large scale i"tegration" (VLSI).
Las compaas de semiconductores son capaces
de manufacturar ms de un milln de compo-
nentes por circuito gracias a la tecnologa y al
diseo de componentes. El15 de febrero de 1985
IBM anunci la fabricaci n de la memoria para
computadora DRAM de un milln de bits con
dimensin de 5.5 mm x 10.5 mm. En su momen-
to fue la ms rpida y densa jams imaginada.
Hoy da, en 1995, se fabrican en serie memorias
de 64 megabits y tiene dos aos el proyecto de
la memoria de 256 mega bits entre 18M, Siemens
y Toshiba.
La estructura de un circuito irrt.egrado es com-
pleja, tanto en la topografa superficial como en
su composicin interna. De hecho, cada compo-
nente tiene una arquitectura tridimensional que
deber ser la misma para cada circuito. La estruc-
tura del circuito se logra por medio de muchas
capas. Cada una forma parte de un patrn deta-
llado; algunas se forman en el silicio, mientras
que otras 10 hacen en su superficie. Las operacio-
nes del proceso de la oblea se pueden clasificar
como aditivas (epitaxia, oxidacin, contamina-
cin y metalizado), selectivas (litogrficas) y sus-
tractivas (ataque qumico o fsico). El nmero de
repeticiones de cada proceso depende de la tec-
nologa y del grado de complejidad del circuito.
El punto de partida en la tecnologa del silicio
es contar con obleas de silicio monocristalino de
gran pureza, o "grado electrnico" . Este material
se obt iene a partir del xido de silicio SiO

por
una reaccin de xido-reduccin se obtiene el
silicio metalrgico (98% de pureza). La purifica-
cin se completa al formar un compuesto gaseo-
so de silicio que se purifica para despus obtener
el silicio slido policristalino. Es comn que al
crecer el lingote se modifiquen las caractersticas
elctricas, agregando impurezas que transfieren
propiedades elctricas del tipo 11 o p. El lingote se
obtiene por tcnica Czochralski, en la cual el
s ilicio fundido es solidificado al jal ar un trozo de
cristal perfecto mientras se gira. De ah se obtie-
nen obleas de sil icio con orientacin cristalina
definida y con un dimetro desde 5 hasta 30 cm.
La oblea debe ser monocristalina y no tener im-
perfecciones mecnicas o cristalogrficas que de-
graden las propiedades elctricas.
La microelectrnica, que ha permitido el
enorme desarrollo de la electrnica, puede ilus-
trarse a travs de dos de sus estructuras bsicas:
un transistor de efecto de campo con compuerta
formada por un capacitor MOSFET, y un transis-
tor de unin BJT. El MOSFET de canal 11 parte de
un sustrato formado por una oblea de silicio
tipo p. Las regiones de fuente y de drenaje se
forman mediante la creacin de una zona su-
perficial tipo IJ . El xido de silicio delgado y de
alta calidad se emplea para formar la compuer-
ta, mientras que el xido grueso se emplea para
aislar di spositi vos. La zona de silicio policrista-
lino permite tener acceso a la compuerta, en
tanto que el aluminio se emplea para conectar
la fuente y el drenaje. El BJT se construye alter-
nando regiones de conductividad tipo H y P,
parti endo de un semiconductor tipo p. El xido
se emplea para aislar las diferentes zonas y se
emplea un metal para for mar los contactos en
el emisor, la base y el colector.
Para cualquier desarrollo es necesario em-
plear vari os procesos:
Oxidacin: el xido de silicio se forma al
exponer el s ili cio a altas temperaturas
(1 100C) en presencia de oxgeno. Se reali-
zan as varias funciones: enmascara r y limi-
tar la difusin en reas especficas, pasivar
y proteger la superficie del silicio, aislar un
dispositi vo elctrico de otro, y fabricar die-
lctricos para las compuertas MOS.
Fotolitografa: es el proceso que permite
seleccionar diferentes reas que se emplea-
rn en los dispositivos, transfiri endo patro-
nes definidosen el diseo. El xido de silicio
puede detener la penetracin de impurezas,
61
Elect rnica fsica
por lo que en su fabr icacin se emplea un
polmero fot osensi ble que permit e, con
ayuda de exposicin selecti va y del ataque
qumico, definir las estructuras sobre el xi-
do de silicio para despus transferirlas en
estructuras de concentracin de impurezas.
Ataque qumico o fsico: es el proceso me-
diante el cual los materia les se remueven
selecti vamente. En un pri ncipi o, el ataque
en fase lquida fue sufici ente, pero delinear
estructuras de un micrmetro o menores
slo es posible por medio del ataque qumi-
co por plasmas.
Difusin: es el proceso mediante el cual se
introducen las impurezas qumicas. A me-
nudo se realiza a muy altas temperaturas en
presencia de las especies contaminantes en
fase de vapor y tiene el props ito de modi-
ficar las caractersticas elctricas y el tipo de
portadores de carga y densidad.
Evaporacin: es la manera de depositar me-
tales. El metal se evapora y se transporta
hasta el silicio con el propsito de formar
lneas de interconexin.
Depsi to de sl idos a partir de fases gaseo-
sas (evo): sta es la tcnica para depositar
xi dos o silicio pol icristalino a bajas tempe-
raturas (500C).
Implantacin de iones: se emplea para in-
troducir impurezas a l semiconductor a
temperaturas relativamente bajas. Su prin-
cipal ventaja radica en el control que se tiene
sobre la cantidad y el perfil de las impu-
rezas.
Epitaxia: es la tcnica que permi te crecer
sil icio sobre si licio conservando las propie-
dades de cristalinidad. Usualmente se em-
plea para mejorar las propiedades del sus-
trato, ya que sobre esta capa se construir el
circuito.
Al terminar la oblea, se monta en una compu-
tadora que reali za la veri ficacin de cada dado:
las que no pasan las pruebas elctricas son mar-
cadas y posteriormente desechadas. Las obleas
son montadas en un bastidor de maylar y se
cortan para separar los dados. Los dados acepta-
bles se montan en un soporte que contiene las
conexiones externas (pins) y, por medio de alam-
62
bre de oro, se conecta el dado al soporte y se sella
e identifica el circuito integrado.
Los procesos tecnolgicos ms importantes
son:
NMOS (ll-chnnnel devices) : tecnologa que em-
plea como d ispositi vo activo el MOSFET de
canal de electrones.
CMOS (complell1cntary MOS): tecnologa don-
de un transistor NMOS y otro PMOS traba-
jan simultneamente como dispositivos ac-
tivos.
Bipolar
El proceso NMOS empieza con la formacin de
un xido delgado sobre la oblea de silicio tipo p,
y sobre ste se deposita una pelcula de nitruro
de silicio a baja temperatura. Empleando la mas-
carilla 1 se define el rea activa del transistor
removiendo el nitruro y el xido excepto donde
se formar el transistor. El implante de boro
permitir aislar los diferentes transistores; poste-
riormente se oxida toda la oblea. Hasta este mo-
mento el nitruro protege la zona que formar el
transistor; se remueve entonces el nitruro y se
crece el xido de alta cali dad que consti tuir la
compuerta del transistor. El ajuste del vol taje de
encendido puede realizarse en este momento.
El silicio policri stalino se deposita sobre la
oblea por medio de evo y la mascarilla 2 se
emplea para definir las regiones que formarn
la compuerta del transistor y su conexin. Des-
pus de remover el silicio policristalino no de-
seado se procede a formar las regiones de fuen-
te y de drenaje por implante de iones, y despus
se aplicar un proceso a alta temperatura que
redistribuye las impurezas y crece un xido. La
masca rilla 3 se emplea para remover el xido
sobre las regiones donde se conectar elctrica-
mente el transistor. El depsito del aluminio
cubre la oblea por completo, as que la mascari-
ll a 4 se empl ea para definir las regiones donde
debe removerse el metal para formar as las
pistas metlicas. Finalmente, se recubre la oblea
de nuevo con algn vidrio protector y la mas-
carilla 5 se emplea para descubrir las regiones
metlicas donde se interconecta rn los alam-
bres externos.
El proceso CMOS se emplea para formar dos
transistores adyacentes, un NMOS y un PMOS que
Materiales para la electr"ica


Silicio tipo P
~ l l J
l U ~
SlIIclo t lpop
~ f-
--
--

--
Silicio tipo p
Nltruro de silicio
xido de silicio
Oblea de silicio cubierta con nltruro da silicio
sobre una capa delgada de xido de silicio.
La Implantacin de Iones de boro garantiza
q ue los transistores estn aislados.
Oblea atacada Qulmlcamente despus
de la primera mascara. Deja protegida la zona
activa del transistor.
Silicio pol icristalino
xido de silicio
Zonap'
Estructura Que Queda despus de crecer el xido
de silicio, r emover el nitruro de silicio y deposilar
el silicio policrlstalino.
Figur a 11.35. Primeras secuencias en el proceso NM OS.
llamaremos gemeio. Aqu se necesi ta una masca*
rilla adicional que dar origen a la regin que
formar el transistor gemelo, y otra para la (or*
macin de la fuente y el drenaje del transistor
gemelo.
11 ' cercana al colector. Adems, los procesos de
cambio de conductividad 11 a p (base)y P a 11
(emisor) se realizan a altas temperaturas sobre
sustratos epitaxiales. El nmero de mascarillas es
el mi smo que en el CMOS.
El proceso bipolar es un poco ms complejo y
su control es ms difcil. La intencin es tener
verticalmente tres regiones de diferente conduc*
ti vidad para formar un transistor IIPII , pero la
conexin ser horizontal y los accesos elctri cos
estn uno despus de otro en la superficie. Para
disminuir la resistencia del colector (la capa ms
profunda y por lo tanto con menor densidad de
impurezas) es necesario enter rar una regin de
El primer paso en el desarrollo de un circuito
microelectrnico son las especi ficaciones y carac*
tersticas funcionales. Despus de este paso em*
pieza el diseo propiamente dicho. El diseo
asistido por compu tadora CAD es el ms comn,
ya que adems de permitir la construccin del
circuito, hace posible simular sus caractersticas,
disear el proceso tecnolgico y construir las
masca rillas. La importancia de la simulacin en
63
Electrnica fsica
db
Oblea despus de la segunda
mascarilla y de la remocin
del silicio pollcrlstallno.
La Implantac in de lonas
defi nir la zona de fuente
y drenaJe.
Masc arilla 2
I Fsforo I

I

I SIlicio tipo p I

Oblea despus de la tercera
mascarilla Algunas zonas
del silicio y del silicio
O O
pollcrl stallno quedan expuestas
para permiti r los contactos
elctricos.
Silicio tipo p
Mascarilla 3
mi
Oblea despus de la cuarta
mascarilla Las zonas metlicas
han sido delineadas hasta
=-El
o 0
la periferia, donde
se conec tar al exterior.
Mascarilla 4
Fi g ura 11. 36. Secuencias finales en el proceso NMOS.
todos los detalles es primordial. Baste recordar
que un lote virgen de obleas (que incluye 20)
puede costar 20.00 dlares y despus de proce-
sado (con las semanas o meses de esfuerzo que
ell o implica) llega a costar 10 000.
A continuacin presentamos tres ilustraciones
sobre el proceso de diseo asistido por compu-
tadora. La primera ilustracin (figura 11.37)
muestra el diagrama de una compuerta NANO
usando la tecnologa NMOS (dos transistores y un
resistor) por medio de la herramienta MAGIC. Este
programa contiene las reglas de diseo y permite
la construccin de las mascarillas; en este caso la
distancia mnima es de cinco micrmetros. En el
diagrama aparecen, adems, cinco transistores
con diferente geometra. En este diagrama es
64
posible diferenciar las regiones como las de me-
tal, de silici o policristalino en la compuerta,
etctera.
La simulacin del proceso tecnolgico se reali-
za por medio de SUPREM m, que determina los
parmetros elctricos a partir de la simulacin de
los procesos tecnolgicos. En la fi gura aparece la
simulacin de la fabricacin de la compuerta del
transi stor NMOS, el programa que describe el pro-
ceso y las condiciones de fabricacin y los resul-
tados de la distribucin de impurezas obtenidas
por la simulacin con la grfica del perfil de
impurezas. Finalmente se presenta el anlisis de
los parmetros de uno de los transistores MOSFIT,
el ms grande, usando el analizador de parme-
tros HP4145oc.
Materiales para la electrnica
MICROELECTRONICS DESIGN
Auburn Oni v ers i ty
DATE : Jun 7 , 1991 I Sea1. : 14 0 mi erona/ineh
ril.n e ; %qtcell . c i f lo ... : rtor%
,---
-
-
,-
j
h
I
I
1 r
n
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I
In
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1
61
lOJ ~
~ I
I I
~
1
l
- -
Figur a 11.37. Gr afica o btenid a d el simulador "'AaIC. En la parte superior hay una compuerta NA""O
y en la parte infer ior c i nco tr ansist ores con dife rente geomelrla en el c anal .
65
TITLE
COMMENT
INITIALlZE
COMMENT
DIFFUSION
COMMENT
DEPOSIT
COMMENT
DIFFUSION
COMMENT
ETCH
ETCH
ETCH
COMMENT
IMPLANT
COMMENT
DIFFUSION
COMMENT
DEPOSIT
DIFFUSION
COMMENT
PLOT
STOP
66
Electrnica fsica
PROGRAMA PARA EL SIMULADOR SUPREM 111
Electrnica Flsica NMOS GATE
Oblea para e l sustrato
<100> SILICON, BORON CONCENTRATION'" lE15
THICKNESS- 3.0 XDX- l .0 DX- .005 SPACES- 150
Crecimiento de xido de 400 A
TEMP- 1 000 TIME- 40 DRY02
Depsito de nltruro de silicio por CVD
NITRIDE THICKNESS- .OB SPACES- 15
Creci miento de xido de campo
TEMP- 1 000 TIME- 1BO WET02
Remover e l xido hasta el silicio
OXIDEALL
NITRIDEALL
OXIDEALL
Implante de Iones para ajustar e l voltaje de encendido del transistor
Boron DOSE"' 4E11 ENERGY- 50
Crecimiento de xido de l a compuerta
TEMP- ' 100 TIME- 300 DRY02 HCL%- 3
DepsIto de silicio policristalino que hace las veces de metal
POLY THICKNESS-o.5 TEMO- 600
TEMP- 1 000 TIME- 30 PHOSPHORUS SOLl DSOLUBILlTY
Grfica de l a distribuci6n de materiales, normal a l a compuerta
CHEMICAL NET LP.PLOT
Sustrato silicio tipo p
Implante de Iones 8ceptores,
que forma una pellcula superficial
xido de compuerta (0.05 }.1m)
SiliCio poli cristalino (0.05 }.1m)
xido
I
(J)
324.7
32.47
Idiv
I(
l
'/
/'
.0000
.0000
L

VDS
GRAPHICS PLOT
.3000/div (V) 3.000
Variable 1:
Vos -Ch2
Linear sweep
Start
Stop
Step
Variable 2:
V
s
-Ch3
Start
Stop
Step
Constante:
V
s
-Chl
Figura 11.36. Mediciones elctricas de un transistor MOSfET, corriente de drenaje / D versus voltaJe de drenaje VDS
teniendo al voltaje de compuerta Ve como parametro desde 2.5 v hasta 4.5 V.
.OOOOV
3.0000V
.0500V
2.5000V
4.5000V
.2500V
.OOOOV
Electrnica fsica
CONCLUSIONES
En este capt ulo se present el panorama general
de los materiales y las propiedades que son ms
importantes en el estudio de la electrnica, cul
minando con una introduccin a la tecnologa
empleada en la manufactura de los circuitos
integrados.
El concepto de bandas de energa es esencial
para entender las propiedades electrnicas de la
materia. Se emplea tambin para dividir el estu
dio de los materiales en metales y aislantes. Entre
los aislantes, los que tienen el intervalo de ener-
ga prohibida cercano a 1.5 eV se llaman semi-
conductores. Empleando a los metales como
ejemplo, se pueden entender conceptos como el
de la movilidad de los electrones; los aislantes,
por su parte, nos permiten comprender la impor.
tancia de la temperatura en los procesos electr--
rucos, adems de ilustrar la mecnica de los pro
cesas colectivos.
Los semiconductores se presentaron con ms
detalle, ya que son empleados intensivamente
en el resto del curso. Los semiconductores intrn
secos, en los cuales la cantidad de huecos yelec
trones es la misma, as como el efecto de las
impurezas sobre el nmero de portadores y la
conducti vidad, se presentaron con el propsito
de entender la dinmica y el control de la conta
minacin para modificar las propiedades elec
trnicas.
Se proporcion asimismo una pequea intro--
duccin a las propiedades pticas y magnticas,
donde se coment el control de la polarizacin
de la luz y la clasificacin de los materiales mag
nticos, identificando las propiedades prcticas
de los materiales ferromagnticos. La introduc
cin a la tecnologa permite integrar los concep
tos anteriores y permite poner en perspectiva las
ideas cientficas al reconocer lo que se puede
lograr con la tecnologa, a fin de producir dispo
sitivos electrnicos.
Ejercicios
II.1. Con qu objetivo, en el modelo de Kroni g-Penney, surge la necesidad de la periodicidad de la red?
a) Para simplificar el potencial de la red..
b) Para resolver la ecuacin H\fI = E\fI.
c) Porque se estudia un cristal.
d) Para verificar que la energa est cuanti zada.
e) Para aplicar las condiciones de frontera a 'V.
11.2. Explique el comportamiento de un semiconductor en el cual la cantidad de impurezas donadoras No es
igual a la cantidad de impurezas aceptadoras NA. Realice la grfica de la conductividad versus temperatura.
II .3. Explique el efecto que la luz con energa de 2 eV tiene sobre la conductividad en el aluminio, el silicio
intrnseco y el cuarzo.
HA .... Cul es la temperatura de saturacin y la temperatura intrnseca para silicio con 10
18
cm-) impurezas
de fsforo si Ec - Eo = 0.012 eV?
liS Es posible que electrones energticos sean emitidos por los materi ales. Puede un hueco ser emitido
por un material?
11.6.- Es comn que los elementos que tienen un nmero impar de electrones en sus ni veles, al formar un
slido, sean buenos conductores, por ejemplo, los metales Na, Al, Au, Ag, etc. Sucede lo mismo con el
hidrgeno?
..J3kT
11.7. Qu diferencia existe entre la velocidad trmica de los electrones v
r
= m- y la velocidad de deriva
qEt ?
vo=-;-
Los ejercicios marcados con asterisco estn resueltos al finill del libro
68
Materiales para la electrnica
U.s. Cuntos ni veles de energa hay en la banda de conduccin en un gramo de silicio?
11.9. Explique la ley de accin de masas.
n .l0. Un semiconductor intrnseco de silicio a temperatura ambiente tiene aproximadamente 10
10
elect ro-
nes /cm) y 10
10
huecos/cm
3
, mientras que un semiconductor tipo p con NA = 10
18
tiene aproximadamente 10\8
huecos/cm
J
y 100 electrones/cm). Cmo se explica esta diferencia entre los huecos?
I I 1 1 ~ Dibuje la densidad de portadores como funci n de la posicin en un trozo de silicio en forma de
cubo, cuando est siendo iluminado por una de sus caras con luz de energa de 1.]2 eVo Algo cambia si la
radiacin tiene una energa de 3 eV?
n .12. Qu diferencia existe entre el material empleado para un imn y para un ncleo de transformador,
y qu diferencia existe entre el material en un disco flexible de computadora de baja densidad y de alta
densidad?
n .13. Qu elementos pasivos podra integrar en el proceso NMOS? Cul sera la mejor manera de tener
un resislor de 10 kQ?
1I .14. Si se tienen dos haces de luz polarizados en la misma direccin e interfieren, qu di ferencia de fase
es necesari a para que no exista luz a la salida? A dnde fue la energa de los haces incidentes?
rus. Explique por qu el siguiente circuito, al mostrar en el osciloscopio V
v
(en el canal y) y V
H
(en el
canal x) muestra un ciclo parecido a la histresis magntica? En qu condiciones las relaciones de voltaje y
caractersticas magnticas son vlidas?
p
470 '"
L - longitud media del nc leo
A - rea del ncleo
69
cAPtruLO III
ESTRUCTURAS ELECTRNICAS BSICAS
E
STA SECCIN TRATA DEL FUNCIONAMIENTO de
algunas estructuras electrnicas bsicas,
los semiconductores heterogneos, que
forman los dispositivos elementales de la elec
trnica moderna. Nuestro objetivo es obtener
modelos que permitan entender y describir su
funci onamiento; por ejemplo, la unin entre un
metal y un semiconductor permite entender el
mecanismo que explica los contactos elctricos
a los semiconductores. La unin entre un semi-
conductor tipo 11 y otro tipo p permite explorar
la rectificacin de las seales, mientras que el
capacitar formado por un metal. un xido y un
semiconductor (MOS) permite el estudio del efec-
to del campo elctrico interno en un semicon-
ductor.
Adicionalmente se describe el funcionamiento
de otros dispositivos un poco ms complejos,
como los transistores BJT y MOSFET, as como el de
disposi tivos optoelectrnicos, LEO, lser y foto-
detectores.
Inici emos el estudio para entender los proce-
sos que permiten formar una unin entre dos
materiales. Dos sistemas en contacto alcanzan el
equilibrio cuando:
I1T = O (al tener la misma tc>nperatura, se
alcanza el equilibrio trmico).
6P = O (al tener la misma presin, se alcanza
el equilibrio mecnico) .
I1E, = O (al tener un nivel de Fermi consta n-
te, se alcanza el equilibrio qumico).
Las dos primeras condiciones anteriores son
muy general es. Para explicar la tercera, imagi ne
dos semiconductores aislados iguales que slo
se di ferencien por la cantidad de portadores
libres que ti enen, la cantidad de electrones en el
semiconductor A (11 ,,), mayor que la cantidad de
electrones en el semiconductor B (tl
s
) y, por con-
siguiente, la cantidad de huecos tiene la rela-
cin, PA < PB'
Esquemt icamente esto se representa as:
Semiconductor A
Semiconductor B
Ec
ErA ----------.
------EFi
---------_ .
E ~
Figura 111.1. Diagrama de bandas para dos
semiconductores Igual es. pero con diferente
cantidad de Impureas que camb ian
la conductividad.
En este caso, un sistema formado por los dos
semiconductores en contacto, se sabe que llega al
equilibrio cuando el flujo de electrones del semi-
conductor A al B sea igual al flujo de electrones
del semiconductor B al A.
Es importante subrayar que los semiconduc-
tores son iguales, es deci r, que el mnimo de la
banda de conduccin en los dos semiconducto-
res es E
eA
= E
ClI
; al igual que el mximo de la
banda de valencia E l lA = E
V8
' cuando los semicon-
ductores estn aislados el uno del otro. Al formar
71
Elecfr"ica fsica
el contacto metalrgico, como existen ms elec-
trones en el semiconductor A que en el B, debe
existir un flujo de electrones de A haci a B. Pero
por cada electrn que pasa del semiconductor A
al B aumenta la energa potencial electrosttica
del semiconductor B (porque se ha aumentado el
nmero de electrones) y disminuye la energa
potencial electrosttica del semiconductor A
(porque se ha disminuido el numero de electro-
nes).
~
Semiconductor A ~ Semiconduc tor B
( . ------Ec
E,. --------- l------- l ~ H L H :
Figura 111.2. Diagrama de bandas de energla en un
estado intermedio anles de alcanzar el equilibrio.
En todo momento el flujo de electrones de
A ---+ B ser:
(lIU)
Esta ecuacin indica que, de la cantidad total
de electrones nrv solamente participan en la co-
rriente elctrica aquellos que tienen una energa
mayor a Eo (donde Eo = Ecs - E
c
" y representa la
energa que deben tener los electrones para pasar
del semiconductor A al B). El flujo total de elec-
trones que va del semiconductor B al A ser:
(1II.2)
Como los electrones del semiconductor B no
tienen ninguna barrera que subir, todos los elec-
trones pueden pasar de B a A. En el equilibrio,
las densidades de corriente son iguales. Como las
constantes de proporcionalidad son las mismas
para el clculo de no, la densidad de estados
efectiva No. es idntica a N
cs
, lo que permite
concl uir que:
Dos materiales A y B alcanzan el equilibrio cuando los niveles de Fermi se igualan.
Er" = Er8
(lID)
Semiconductor B
------Ec,
Semiconductor A
En
E"" _____ _
EF" - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - .EF8
E"
E" ______ _
Figura 111.3. Bandas de energla al alcanzar
el equilibrio.
En el caso de que uno de los materiales sea un
metal, es necesario introduci r dos constantes que
permitan definir los cambios del sistema de una
manera tan precisa como antes. La funcin tra-
72
bajo en los metales '9 .. tiene esa propiedad, donde
q ~ .. es la energa necesaria para mover un elec-
trn que est en el metal en el nivel de Fermi
fuera de l, hacia el nivel de vaco del metal
(prxima al metal), con energa cintica cero. sta
es una constante en los metales y no tiene signi-
ficado fsico en los semiconductores, ya que en
su nivel de Fermi no hay electrones.
La afinidad electrnica es igual a X, donde qx
es la energa necesaria para mover un electrn
desde el mnimo de la banda de conduccin Ec y
llevarla al nivel de vaco con energa cintica
cero. sta es una constante en los semiconducto-
res y no tiene sentido fsico en los metales.
Con estas nuevas definiciones/la condicin de
equilibrio tiene la siguiente expresin:
Estructuras electrnicas bsicas
Al unir dos materiales cualesquiera, existe un fluj o de portadores. Este fluj o se puede
caracterizar de las siguientes dos maneras:
Los electrones fluyen del material que tiene mayor nivel de Fermi al que tiene
menor nivel de Ferml.
Los electrones fluyen del material que tiene menor funcin de trabajo al materi al
que tiene mayor funcin de trabajo.
Nivel de vaclo Nivel de vaclo
E
,l.
,l.
qx
E,
Ee
E,
fiEl E,
Metal Semiconductor
"" - Fur.c16n t rabajo en el metal
+oc Funci n trabajo en el semiconduct or
Figura 111.4. Definicin de funcin trabajo y afinidad electrnica.
DIODO DE UNiN
Uno de los dispositivos bsicos en la electrnica
es el que se forma al unir dos semiconductores,
uno tipo p y el otro ti po n (unin p-n) . El anlisis
de la unin p-n incluir un estudio fenomenol-
gico; despus se presentar un anlisis electros-
ttico y finalmente un modelo de transporte.
Cada uno de stos se realiza con detalle por dos
razones: es la primera vez que se presentan en
este trabajo y el tratamiento es si milar en todos
los otros dispositivos.
El anlisis fenomenolgico requiere estudiar
paso a paso lo que sucede con los electrones en
los semiconductores tipo n y p al hacer la unin
y llegar al equilibrio. Con objeto de que se logre
la unin entre los semiconductores, es suficiente
tomar dos trozos de semiconductor diferentes y
juntarlos o pegarlos con "Kola Loca"?
Veamos las diversas posibilidades. Si junta-
mos dos trozos de semiconductor nunca podre-
mos lograr el contacto por varias razones: no
podemos garantizar que las superficies sean per-
fectamente lisas, adems de que el silicio, por
ejemplo, est cubierto por una pelcula de xido
que hace que 105 dos trozos estn aislados. Ahora
bien, si optamos por pegarlos, a los inconvenien-
tes anteriores hay que agregar la interfaz con el
adhesivo. As que la nica posible respuesta es
emplear las tcnicas de la microelectrnica, la
difusin de impurezas, por ejemplo, y transfor-
mar un semiconductor tipo n en p y formar la
unin en el proceso.
El equi librio de la unin de los semiconducto-
res se obtiene siguiendo el procedimiento que a
cont inuacin se descri be:
Al hacer la unin metalrgica existe un flujo
de electrones del semiconductor tipo 11 al p
(y un flujo de huecos del semiconductor
tipo p al n).
Esto ocasiona que se rompa la neutralidad
elctrica de cada material y se tenga una
carga neta positiva en el lado 11 y una carga
neta negativa en el tipo p.
73
Electrnica fsica
Esto origina una variacin de la energa
potencial electrosttica del semiconductor
tipo p y del tipo '1.
Aumenta la energa potencial electrosttica
del semiconductor tipo p y disminuye la
energa potencial electrosttica del semi-
conductor tipo H. Esto sucede por la entra-
da de electrones al semiconductor tipo p y
la salida de electrones del semiconductor
tipo 11 .
Aparece una diferencia de potencial entre
los dos materiales.
Aparece un campo elctrico entre los dos
materi ales que se opone al movimiento de
los portadores de carga.
Se detiene el fluj o neto de las partculas
cuando se igualan los dos niveles de Fermi .
La fuerza que mueve a los electrones del ma-
terialll al p se iguala a la fuerza del campo
elctrico interno que se produce por el mo-
vimiento de las ca rgas.
En adelante, por cada electrn que va del
semi conductor tipo 11 al tipo p hay otro elec-
trn que va del tipo p al tipo n.
El diagrama de energa que se obtiene es el
de la figura IJI.3, donde nos fa lta aclarar vari as
dudas:
Cmo cambia el mnimo de la banda de
conduccin del semiconductor tipo 11 al tipo
p y como cambi a el mximo de la banda de
valencia?
El diagrama anterior es de energa potencial
electrosttica E, contra posicin x. Qu or-
den de magnitud en xcubre la transicin del
semiconductor tipo 11 al tipo p?
Cul regin es la que produce el efecto
rectificante y cul es slo accesoria?
El anlisis electrosttico dar respuestas a es-
tas preguntas. Empecemos por calcular una ex-
presin para la diferencia entre los mnimos de
la banda de conduccin de los ma teriales,
Ecr - E
e
" = EN' Esta expresin se obtiene de las
expresiones para la cantidad de electrones en
equili brio en los materiales, l1o.}
n.o NoN,.,
E,; = kT In _ ln __
n
rO

(1l\.4)
Es necesario determinar varios parmetros
que caracterizan a la unin p-n y por aadidura
todos los dispositi vos, adems de terminar el
diagrama de energa potencial electrosttica con-
tra posicin.
Para simplificar el problema: suponga una
unin p-n abrupta, esto es, cuando la concentra-
cin de impurezas es uniforme en los semicon-
ductores y sbitamente cambia de ser tipo n a
tipo p.
p
Unin metalrgica
Figura 111 .5. Unin p-n abrupta.
"
x
Adems, emplearemos la aproximacin de la
"zona desrtica". Esto es, imaginaremos que los
electrones, al pasar del semiconductor tipo n al
ti po p, salen ordenadamente en forma de "placas
de carga (p) negativa" que al llegar al semicon-
ductor tipo p ocupan los enlaces covalentes no
saturados tambin de manera ordenada.
Carga elctrica
,No
p=qN
o
> 1:>0
p=-qN,., o>:r>-:r
p
Fi gura 111.6 Aproximacin de la desrtica
en la unin p-n.
I Los subndices empezarn a aparecer cada vez con mayor frecuencia. O siempre indica r una propiedad de equilibrio. los subndices
p y n se refieren al semiconductor tipo p y tipo u respeclivamente; el subndi ce bi indica el potencial inlemo o de contacto (lmilf.in) . De
aqu en adelante ser necesario agregar el subnd ice u o p (de la regin), puesto que podemos tener electrones en el semiconductor tipo
ti (u,,) o p (npl.
74
Estructuras electrnicas bsicas
La regin 1 en el semiconductor tipo p no es
elctricamente neutra: tiene carga negativa por
los electrones que emigraron del semiconductor
tipo n, para igualar los niveles de Fermi.
La regin n en el semiconductor tipo 11 no es
elctricamente neutra: tiene carga positiva ya
que los electrones que la hacan neutra se fueron
al semiconductor tipo p.
En esta aproximacin, la carga de las dos re-
giones es igual y se puede escribir de la siguiente
manera:
-x,
x,
(lII.5)
Por la poca cantidad de los portadores mviles
que existen entre -xl' Y se le llama "zona de-
srtica" .
Al hacer el anlisis electrosttico del efecto de
esta distribucin de carga interna con la ecuacin
de Poisson se encuentran expresiones para el
campo elctrico en la unin p-n, el potencial elc
trico y la energa potencial electrosttica.
x
aE = 2'-. E = _ av
dX Ero' dX
E(X) = qND(x_x
n
) XII >x>O
....
E(x) = qNA, (-x-xl' ) o>x>-x
p
....
Figura 111.7. Campo elctrico Interno en una unin p-n .
El campo elctrico E es cero fuera de la zona
desrtica y tiene un valor mximo en la unin
metalrgica E mh'
El potencial elctrico siempre es relativo a un
_ qN"x;
,o
-x,
V(x)
x,
,
,
punto. Por comodidad, se puede hacer que el
potencial sea cero en el origen V(x = O) = O. Los
resultados son idnticos con cualquier otro pun-
to de referencia.
x
qN [x' 1
_ _ , - XlIX
o
x" > x > O
V(x )= +-'- -+Xp X
qN [ " 1
o ,
Figura 111.6. Variacin de potencial en las bandas por la fo rmacin de la unin p-u.
Para encontrar la grfica de la energa poten-
cial electrosttica slo tenemos que multiplicar
por el negativo de la carga elctrica, lo que invier-
te la figura anterior, E(x) = -q V(x). La energa del
potencial interno es igual a la diferencia de ener-
ga potencial fuera de la zona desrtica. Esta
identificacin permite relacionar el potencial in-
terno V", con el ancho de la zona desrtica
W(W = X
w
+ XI.). Esto da como resultado una serie
de relaciones para los parmetros electrostticos
con las caractersticas de fabricacin.
En equilibrio, el ancho de la zona desrtica W
75
Electr" ica fsica
y el campo elct rico interno mximo Emh tienen
las siguientes expresiones:
(111. 6)
De esta manera, el diagrama de energa poten-
cial electrosttica E contra posicin x, de la unin
P-II ser:
E(x)
Ee,
- - ----- - .
--F
E,
E"
~
'"
1'----
-' ,
'.
Figura 111.9. Olagr ama de la ener gla potencial
electrosttica de la unin p_lI.
Ec,
,
E
v
"
yeamos con detalle el efecto de la polariza-
cin:
El acceso elctrico a cualquier material se rea-
li za a travs del nivel de Fermi, ya que todo
sistema alcanza el equili brio cuando tiene el mis-
mo nivel. Las di ferencias de potencial elctrico
____ E
I
v =o I
----- E,

son proporcionales a la diferencia de los niveles
de Fermi .
Un semiconductor tipo n homogneo como el
que forma un resistor normal puede repre-
sentarse con los diagramas de energa de la fi gu-
ra 111.1 0.
En ella se representa una variacin lineal del
potencial aplicado a lo largo del resistor, ya que
el campo elctrico es uniforme. Es importante
observar la relacin que guarda el potencial elc-
trico V con la energa potencial electrosttica E.
Si la energa est en eV, ambos son numrica-
mente iguales pero de signo contrario. La dife-
rencia de potencial aplicado es idntica a la di-
ferencia de los niveles de Fermi.
Cmo cambia el diagrama de energa potencial
electrosttica de una unin p-n cuando se aplica
una diferencia de potencial en sus extremos?
En la figura m.11 se observa que:
El ancho de la zona desrtica (W) cambia,
en polarizacin directa disminuye y en po-
larizacin inversa aumenta.
El nivel de Fermi es una constante y es
horizontal cuando V
o
= O. Adems, es con-
tinuo.
El nivel de Fermi es discontinuo al polarizar
la unin con V
o
diferente de cero.
El nivel de Fermi fuera de W (aproximada-
mente) sigue siendo continuo y horizontal.
En W (aproximadamente) no se dibuj el
nivel de Fermi, porque ste es un concepto
de sistemas en equilibrio y al pasar corrien-
______ E,

V(+)
Figura 111. 10. Cambios en el diagrama d e ener gla p o r efect o de la polari zacin.
76
Estructuras electrnicas bsicas
E(x)

-x, x"
E(x)
E(x)
Ec, ---'--,
fe, --'-<. f -



I Ev,

I V" O I
Rgura 11 1. 11. Diagrama de energfa potencial electrosttica contra posicin de una unin p-II.
En equilibrio (V = 0), en directa (Vo > O) V en inversa (Yo < O).
te por la unin el sistema est fuera de
equi librio.
Todo el potencial aplicado aparece en W.
Por qu "cae" todo el potencial en W?
De manera preliminar, se puede decir que la
zona desrtica es mucho ms resistiva que las zo-
nas neutras. Es como tener tres resistoresen serie,
y uno de ellos de muchos rdenes de magnitud
ms resistivo. Para todos los fines prcticos, el
potencial aplicado aparecer en . el resistor de
mayor resistencia. Por eso los niveles de Fermi se
separan en W y no se modifican o inclinan en las
regiones neutras.
Esta afirmacin tiene una validez li mitada si
se polariza la unin en polarizacin directa. Con
un voltaje suficientemente grande, la resistivi-
dad de la zona desrtica disminuye a tal grado
que en algn momento la suposicion deja de ser
vlida. Para entender sus limitaciones, es necesa-
rio analiza r el mecanismo de conduccin en la
unin al ser polarizada.
El concepto de seudoniveles de Fermi es par-
ticularmente til al analizar la unin p-II fuera de
equilibrio. El diagrama de la figura 111.12 repre-
senta una unin J1-I1 polarizada en inversa, donde
se emplea el concepto de seudonive1es de Fermi.
Al dividir al semiconductor en cinco regiones
como aparece en la figura, podemos hacer las
siguientes observaciones:
La regin l es la regin neutra del semiconduc-
tor tipo p. Esta regin se llama as porque no
siente la presencia de la unin p-n. De hecho, es
una zona parsita porque no es elctricamente
activa. En esta zona se cumplen todas las propie-
dades de los semiconductores homogneos en
equilibrio.
77
Electrnica fsica
E(x)

111
, ,
,+ + + + + + ++,+++++++
Er :<:

,
,
,
,
+ -+ -+ Seudonlvel de Ferml para huecos
- - - Seudonivel de Ferml para electrones:
IV
.
, .
,
v
x
, .
, .

"

__ -------------- E,
Figura 111.12. Unin >-n en p olarizaCin Inversa con los seudonlveles de Fermi para los huecos ( +) y los electrones (-).
La regin JI es la regin de semiconductor tipo
p, que ve perturbada su concentracin de electro-
nes por la polarizacin de la unin p-1I. En pola-
rizacin inversa pasan electrones del semicon-
ductor p al n y los huecos del semiconductorp no
sienten el efecto de la polarizacin, porque los
huecos que pasan del lado 11 son insignificantes
comparados con los que aqu existen en equili -
bri o. En la polarizacin d irecta esta regin es
perturbada por los electrones que llegan del se-
miconductor tipo 11. As que todos los cambios
suceden por la variacin de los portadores mino-
ritar ios, los electrones, y slo existen cuando se
polariza la unin P- Il.
La regin III es la regin que corresponde a la
zona desrtica, que por efecto de la polarizacin
tiene una cantidad de portadores diferente. El
clculo de la densidad de portadores se debe
reali zar empleando los dos seudoniveles de Fer-
mi, como en las regiones n y IV.
La regin IV es la regin del semiconductor
tipo 11. Si bien es cierto que es similar a la regin
78
lI, en esta regin todos los cambios suceden en
los huecos.
La regin V es la regin neutra del semicon-
ductor tipo 11 y es similar a la regin I. Las regio-
nes 11, III Y IV estn fuera de equi librio, mientras
que las regiones 1 y V estn en equilibrio.
El anlisis para entender el transporte se pue-
de realizar despus de identificar cuntos porta-
dores existen en las fronteras de las zonas ante-
riores, como se muestra en el cuadro (p. 79).
En este cuadro se han empleado dos condicio-
nes. Una de ellas es la condicin de equilibrio, en
donde por cada electrn que pasa la zona desr-
tica en una direccin existe otro que viaja en
direccin contraria.
(JII.7)
Estructuras electr6nicas bsicas
Zona 1
x $; - L ~
Densidad de electrones

~ J
n"o= Nc exp - kT
Densidad de huecos
x=-x,.
(
q(V., -V,) JqV'J
11 = 11..0 exp - kT = n ~ eXr(kT
Zona V
x L,.
11 =Il..o
(
q(V"-V"J [q V,)
p=p", exp - kT = P,. exp kT
Este cuadro incluye las condiciones de frontera generales para ambas polarizaciones. Vo es positivo para polariza-
cin en di recta y negativo para polarizacin en inversa.
Donde Ebi es la barrera de potencial que ven los
electrones que estn en el semiconductor tipo 11
y quieren pasar al semiconductor tipo p. La otra
condicin se refiere a la convencin usada para
indicar polarizacin inversa y directa, donde V
o
es negativa en el primer caso y positiva en el
segundo, el cual seguiremos usando a lo largo
del captulo.
En polarizacin directa existe un flujo de elec-
trones en exceso del material 11 al p y un flujo de
huecos en exceso del material p al 11. La corriente
aumenta rpidamente al aumentar el voltaje.
En polarizacin inversa existe un flujo de elec-
trones en exceso del material p al n y un flujo de
huecos en exceso del material n al p. La corriente
casi no aumenta al aumentar el voltaje, siempre
que no existan procesos de ruptura.
Modelo de SllOckley
Este modelo describe analticamente el trans-
porte de carga a travs de la unill p-n fuera de
equilibrio, y se basa en la hiptesis de que las
ecuaciones de transporte son vlidas.
(111.8)
Como se recordar, estas ecuaciones fueron
introducidas al final del captulo anterior.
La solucin de estas ecuaciones se simplifica
en gran medida con las siguientes aproxima-
ciones:
Todo el potencial aplicado aparece en la
zona desrtica (W). El campo elctrico es
cero fuera de ella.
Las regiones " y p son infinitas; en general,
es suficiente con que sean algunas veces
mayores que la longitud de difusin de los
portadores minoritarios (L" y L, ).
Es importante tener un bajo nivel de inyec-
cin; que la cantidad de portadores minori-
tarios en exceso sea mucho menor que la de
los portadores mayoritarios en equilibrio.
Tambin se puede decir que en directa
V
o
< V
b
, y que en inversa no exista ruptura.
Que los semiconductores sean no degene-
rados.
Que no exista recombinacin en w.
Si no existe campo elctrico en las zonas cua-
sineutras, cmo se produce entonces la corrien-
le elctrica?
Para dar respuesta a esta pregunta, veamos
con detenimiento la distribucin de los portado-
res y la resistividad a Jo largo de la unin p-Il.
Cualitativamente, con ayuda del diagrama de
la figura JII .13 se puede ver ']ue la densidad
de portadores minoritarios cambia cerca de la
79
Electrnica fsica
E(x)
E{x)
E(x)
-x, ~
-1.
-', '.
L,
-L" -x,
'.
L,
,
,
Ee fe
fe
,
fe
,
E,
L...-+ ,
,
E,
E,
E,
, ,
Ev
Ev
,
, ,
,
,
fe
, , ,
"
Ev
,
Ev
E,
Ev
Ev
-- Densidad de huecos
_ Densidad de electrones
><r----
,
p(x)
p('j
, ,
J\:
1 1 1 1
1 1 (\ 1 1
\
~ ~
Figura 111.13. Diagrama de la densidad de porladores en l a unin pn al polarizar.
zona desrtica cuando se polariza la unin: los
portadores minoritarios aumentan en directa y
disminuyen en inversa. Tambin es claro que la
corriente es constante a lo largo del dispositivo y
que no existen campos elctricos fuera de la zona
desrtica, de donde se concluye que la corriente
es controlada nicamente por los portadores mi-
noritarios.
Los portadores mayoritarios no contribuyen a
la corriente elctrica porque son muchos, no se
cambia su nmero localmente (no existe difusin
de mayoritarios) y no existe campo elctrico que
los acelere (no existe deriva). Los portadores mi-
noritarios tampoco son acelerados por el campo
elctrico, pero al presentar una variacin local en
80
su nmero cerca de la zona desrtica provocan di-
fusin y controlan la corriente del dispositivo.
Cuanto mayor sea el gradiente de concentracin
de portadores minoritarios, mayor ser la corriente
elctrica que pasa por el dispositivo. El gradiente
se puede controlar mediante dos parmetros:
El gradiente de concentracin es mayor cuan-
to mayor sea la densidad de portadores en la
frontera de la zona desrtica, controlado nica-
mente por la polarizacin. El gradiente de con-
centracin aumenta de acuerdo con la rapidez de
recuperacin de la concentracin de portadores
de equil ibrio, lo que est determinado por el
proceso de generacin y recombinacin de por-
tadores minoritarios.
Esfrucflras electrnicas bsicas
Ahora plantearemos todo lo anterior cuantita-
tivamente.
Considere inicialmente slo al semiconductor
tipo 11, en donde los huecos son minoritarios. La
zona desrtica no contribuye a la corriente exter-
na, ya que la corriente producida por el campo
elctrico interno es contrarrestada por la corrien-
te de difusin. En la regin cuasineutra del semi-
conductor (x x
n
), la ecuacin de continuidad
toma la siguiente forma:
O a'(p,,-p..,) P,, - P,. O
F ar t"
(111.9)
Dado que el campo elctrico, E, es cero, y la
generacin, G, es cero, se impone una condicin

de estado estable al = o y adems no existen
cambios locales del campo elctrico.
La solucin general de esta ecuacin diferen-
cial tiene la forma tpica siguiente:
p" - P,. = A ex
p
( t)+ B exr(- t) (1L1 0)
donde la longitud de difusin de los portadores
minoritarios, en este caso huecos, L,., tiene la
expresin ..JDpt p.
La solucin particular se obtiene al aplicar las
condiciones a la frontera, en x = x"; y cuando
x 4 00, la densidad de portadores minoritarios
en esos puntos est indicada en la tabla anterior
y se obtiene:
jX,,-X)[ qV. 1
Pn(X) - P,.o = P..o eXPTT - 1 (111.11)
La densidad de corriente de huecos en el lado
n se obtiene por medio de la ecuacin de densi-
dad de corriente adecuada, donde slo existe
corriente de difusin ya que el campo elctrico es
cero. Esta corriente de difusin depende de la
posicin, ya que la recombinacin o generacin
tratan de producir el equilibrio en la densidad de
portadores. La contribucin de la corriente reali-
zada por los huecos se calcula en el punto en el
que adquiere el mximo valor, esto es en x = x".
As, tenemos que:
I
- _'I!} [ (QV,, ) 1
J,,(x) L" PIlO exp kT -1 (111.12)
Con el resultado anlogo para los electrones en el
lado p, se obtiene la densidad de corriente total:
_l
D
"n: M][ ]
(V.) -"l L"N, + L,Nu exp kT - 1
(IlI.13)
En la figura 1II."14 se visualiza la contribucin
de la corriente elctrica realizada por los porta-
dores minoritarios en inversa y directa; trate de
relacionarlo con la ecuacin anterior.
Existe una serie de factores que modifican el
comportamiento ideal de la unin P- II. Algunos
son geomtricos, como el que se ptduce al tener
la superficie del materia l muy cerca de la zona
desrtica, que modifica la recombinacin de los
portadores minoritarios, como es el caso de las
celdas solares. Otros factores son tecnolgicos,
como los que resultan en un resistor parsito en
paralelo con la unin P-IZ, debido a la imposibili-
dad de eliminar los efectos superficiales de la
unin (por pasivarl a), o en el resistor en serie por
la unin que se produce de las zonas que no
forman el dispositi vo propiamente dicho (las
regiones cuasineutras y los contactos hmicos
semiconductor-metal). Un ltimo factor que mo-
difica el comportamiento ideal es la suposicin
de la ausencia de recombinacin en la zona de-
srtica de la unin: en al gunos casos existe re-
combinaci n accidental o intencional, que au-
menta la corr iente que circula por el dispositivo
a un voltaje dado. Este comportamiento es no
lineal y se parece al del modelo anterior.
Los efectos reales modifican la caracterstica
ideal de la unin P-IZ de la siguiente manera:
81
Electrnica fisica
Directa inversa
-L" -x,
'.
p
N
p
N
.-.- --+ .-
\\ \ + \ ~ -
- ~
\ + ,'--------'- .-
Figura 111.14. Representacin de la corriente electrlca en una unin p-n polarizada. en directa est dominada
por la recomblnacln de los electrones y en inversa por la generacin de los electrones.
Aumento en la corriente a bajos niveles de
voltaje en directa por la corriente de recom-
binacin y la resistencia en paralelo.
Disminucin en la corriente a altos niveles
de voltaje en directa por el alto nivel de
inyeccin.
Disminucin en la corriente a altos niveles
de voltaje en directa por la resistencia en
serie.
Aumento en la corriente a bajos niveles de
voltaje en inversa por la recombinacin y
los efectos de superficie.
Aumento en la corriente a variados niveles
de voltaje en inversa debido a la ruptura de
la unin.
Capacitancia de la zona desrtica
Esta ecuacin cuantifica el cambio de la carga
en la zona desrtica por unidad de rea (Q) con-
forme cambia el voltaje aplicado (V).
Para una unin p-n, bajo la suposicin de una
unin abrupta, se tiene:
e _ --:d;>e( ,C'-N--:W l",
d[</NW
2
)
2ao
(IIl.15)
La capacitancia por unidad de rea se define
como:
Esta ecuacin presenta dos resultados intere-
santes: primero, la capacitancia de una unin p-n
no es constante y disminuye conforme la polari-
zacin de la unin en inversa aumenta y, segun-
do, permite contar con un modo experimental de
medir la diferencia de las funciones de trabajo de
la unin (V , midiendo la capacitancia de la
unin p-n como funcin del voltaje inverso. En
directa no es usual, ya que la corriente que circula
por la unin la puede destruir.
82
C,dQ
dV
(1II.14)
Estructuras electrnicas bsicas
1/C2
Inversa
Figura In.1 5. Curva de capacitancia de la unin p-n
como funcin de la polarizacin.
Ruptura de la unin p-n
v
Los principales mecanismos de ruptura en la
unin p-n son los siguientes:
a) Ruptura trmica (inestabilidad trmica).
bJ Ruptura tnel (Zenner).
e) Ruptura por avalancha.
a) En semiconductores con ancho de banda
pequeo, como el germanio, la corriente inversa
puede llegar a calentar la unin. Esto ocasiona
que la corriente de equilibrio sea mayor, lo que
produce un posterior calentamiento de la unin
y as sucesivamente. De tal manera que se forma
un ciclo, aumento de la temperatura = aumento
de la corriente. Si no se controla la temperatura,
este proceso puede ser destructivo. La corriente
en directa o inversa puede destruir a la unin por
el efecto trmico de Joule.
b) En uniones p-n altamente impurificadas
puede presentarse este mecanismo, que no es
destructivo, al menos no en la unit-n, ya que las
transiciones son a energa constante. Los electro-
nes del semiconductor tipo p por efecto tnel
pasan a la zona desrtica y aparecen en el semi-
conductor tipo n.
Una imagen anloga se obtiene al pensar en
un sistema formado por dos cajas de potencial
separadas por un barrera de ancho W y altura H;
el proceso es ms probable cuando W y H son
pequeos. Como W es funcin de la cantidad de
portadores, si esta cantidad aumenta W se hace
ms pequea y es probable el efecto tnel. La
muestra no se calienta y puede suceder en directa
yen inversa.
Si el voltaje de ruptura en inversa es menor a
4E
t
/ q, entonces el proceso de ruptura es por
tnel.
c) Este proceso se debe a la generacin de pares
electrn-hueco por impacto ionizante. Los par-
metros necesarios para que ocurra son un alto
campo elctrico interno y una pequea energa
de ionizacin de los tomos para obtener pares
electrn-hueco.
De tal manera, el primer electrn se multiplica
y esto produce un aumento abrupto en la co-
rriente elctrica.
,V
o
.. ........... C/.. p
-.
I / 0_
+- .
0-+
"
Figura 111.16. Proceso de multiplicacin
de portadores por avalancha.
Transitorios en la unin p-n
Veamos qu sucede con la concentracin de por-
tadores al conmutar rpidamente la conduccin
en directa a la conduccin en inversa. Este co-
mentario cualitativo se sustenta en la solucin
de la ecuacin de continuidad sin ignorar la
dependencia en relacin con el tiempo, como se
hizo en el anlisis del estado estable.
Se obtendra la siguiente grfica si se dibuja la
corriente elctrica contra el tiempo, al cambiar
rpidamente la polarizacin de directa a inversa.
Cabe notar que todo sistema capacitivo tiene
almacenamiento de carga y, de acuerdo con la
resistividad del circuito, presenta transitorios. Lo
83
Electrllica fsica
Electrones
inyect edos
en directa
\
;/ e e : e e e
e e e
-------
E"
e e e
e
,
r- - -----Er"
E,
,
Ef _______
La densidad de elec trones
Impuesta por la pOI8/"I:I:acion
se alcanza con ayuda de la
corriente del transitorio

888
888
'-j-_ ___ E,
e e e
---"-----'-----'+---i 'r:: \ Huecos
Cofrlente del transi torio
E,
Directa
Inyectados
en directa
_ ___ ___ EF
Inversa
Figura 111.17. El transitorio se forma al conmutar de directa a inversa por los minoritarios
que antes de recombinar prefieren regresar al semiconduct or de donde p r ovenlan.
que planteamos aqu es adicional y nico en los
dispositivos semiconductores, que basan su fun-
cionamiento en la difusin de los portadores
minoritarios.
_ (Directa)
Figura 111.18. El aumento de corriente en Inversa se
debe en g ran parte a los portador es minoritarios.
Este transitorio se debe a que algunos de los
portadores minoritarios que se inyectaron y que
.se encuentran cerca de la zona desrtica tienden
a regresar al lugar de donde partieron (regin n),
por el enorme gradiente que tienen ahora (este
gradiente se tiene por la nueva polarizacin), y
la corriente transitoria dura todo el tiempo que
tarden en desaparecer estos portadores.
Si en el semiconductor existe una gran canti-
dad de trampas (niveles que favorezcan el des-
84
censo de los portadores), como las que provocan
la corriente de recombinacin en la zona desrti-
ca, entonces los transitorios sern menos impor-
tantes.
Si tenemos en cuenta este parmetro, se puede
hacer la siguiente clasificacin:
Los diodos de Si normales pueden conmutar
de directa a inversa en 50 ns.
Los diodos rpidos de Si (con centros de re-
combinacin) pueden conmutar de directa a in-
versa de 1 a 5 ns.
Los diodos GaAs (por tener tiempo de vida
muy corto) pueden conmutar de di recta a inver-
sa en 0. 1 ns o menos.
Las uniones metal-semiconductor (cuando
conducen por mayoritarios) pueden conmutar
en tiempos aun menores.
CONTACTOS HMICOS y RECrrFICANTES
Esta seccin trata de la formacin de efectos
hmicos (comportamiento lineal entre voltaje y
corriente) y rectificantes (comportamiento no
lineal entre voltaje y corriente), al unir un metal
y un semiconductor. Es claro que la unin dedos
metales usualmente no causa problemas elctri-
cos especiales, en los casos de formaci n
Estructuras electr6nicas bsicas
Nivel de vaclo Nivel de vaclo
'l.
'l.
'"
'l.
,;.
E, _+ ___ ..1_
" -t-----L--
E,
Er __
E, ______ _ E, ___ ___ _
Metal Semiconductor Metal Semiconductor
,-
- -- ----- --------- -- -- Er
--------E,
Metal Semiconductor Metal Semiconductor
p
p
x
Figura 111.19. Diagramas de energra potencial e lectrost tica antes y despus de la formacin
de la uni n y diag rama de resistividad a lo largo de la unin . Primeros dos casos.
de termopares o cuando se intentan medir sea-
les extremadamente dbiles, donde la conexin
entre los alambres se vuelve un asunto de espe-
cial cuidado. El caso de la unin de dos semicon-
ductores fue descrito en la seccin anterior. El
estudio de la unin entre un metal y un semicon-
ductor es de gran importancia, ya que permite
entender cmo se realizan los accesos elctricos
a 105 semi conductores, adems de ser la parte
esencial en los dispositivos ultrarrpidos ll ama-
dos MESFET (transistor de efecto de campo por
medio de la estructura metal-semiconductor).
Los metales se caracterizan de manera energ-
tica con el conocimiento de la funcin trabajo
q l ~ . sta es una constante y difcilmente se modi-
fi ca en virt ud de la gran cantidad de electrones
85
Eleelrf/iea fsica
que tienen los metales, mientras que lossemicon-
ductores se caracterizan por la afinidad electr-
nica X, una constante que no se modifica ya que
est definida por distancias entre las bandas de
energa. En los semiconductores es posible vi-
sualizar la (uncin trabajo 'P ... , pero es una varia-
ble, ya que la cantidad de electrones puede variar
localmente.
Al hacer la unin metal-semiconductor se pro-
ducen los mismos fenmenos que durante la
unin P-I1, slo que aqu, para identificar de qu
material fluyen los electrones, necesitamoscono-
cer la relacin entre las funciones de trabajoantes
de hacer la unin, si recordamos en la unin P-1I
dio origen a V ..
El sistema de la unin entre un metal y un
semiconductor puede formarse mediante la si-
guiente combinacin de materiales:
a) ({:I", > <p", (semiconductor tipo 11): dar lugar a
una unin rectifican te.
b) 'P ... < 'P", (semiconductor tipo p): dar lugar a
una unin rectificante.
c) <p", < ({:I ... (semiconductor tipo n): dar lugar a
una unin hmica.
d) <p", > ({:loe (semiconductor tipo p): dar lugar a
una unin hmica.
Los valores de la funcin trabajo para algunos
materiales metlicos son: platino q<p", = 5.8 eV,
oro qq>", = 5.2 eV, cromo q<p", = 4.6 eV, aluminio
q<p", = 4.1 eVo La afinidad electrnica para el si li-
cio qX = 4.05 eV; por 10 tanto, puede producir,
con el cambio en la cantidad de impurezas, valo-
res de la funcin trabajo en el siguiente intervalo
q ~ . = 4.05 eV (Si n') hasta 5.20 eV (Si p').
Diagramas de energa en los eOlllactos
rectificalltes
De los diagramas de la figura 1ll.19 es posible
concluir que las estructuras presentan un efecto
no lineal entre el voltaje y la corriente, ya que las
curvas de resistividad se parecen a las de la
unin P- /1. Las simili tudes con la unin p-11 son
limitadas. El anlisis electrosttico es vlido, su-
poniendo solamente que el metal es un semicon-
86
ductor muy impurificado, de tal manera que la
zona desrtica existe slo en el semiconductor,
al igual que la densidad de carga, el campo
elctrico y la energa potencial electrosttica. Y
ms an, las expresiones son iguales eliminando
las impurezas que corresponden al metal; por
ejemplo:
x
2
(m _ se) '" lm W
2
(p - 11) (111.1 6)
N . ... M
La estructura rectificante formada por un me-
tal y un semiconductor con las caractersticas
({:1m> <Po< (semiconductor tipo 11), al hacer el anli-
sis electrosttico, dara:
2 V ~ 2a;,
x ~ m - se) '" - N--
q D
(111.1 7)
La diferencia esencial entre la unin p-" y la
unin metal-semiconductor es que la conduc-
cin se lleva a cabo por portadores mayoritarios
(a diferencia de la unin p-n, en que la conduc-
cin es por minoritarios). Veamos cual itativa-
mente el mecanismo de transporte en una unin
rectificante de este tipo:
Nivel de
1"'-______ _
Metal Semiconductor
Figura 111.20. Diagrama de energla potenc ial
electrosttica de una unin metal-semiconductor
rectlficante.
"
Al polarizar el sistema, la gran resistividad de
la unin provoca que toda la cada de potencial
sea en la unin; esto no modifica el valor de ({:lB"'
que est definido por dos constantes, la funcin
trabajo del metal y la afinidad electrnica del
semiconductor {:lB" = <l", - X) Al no cambiar esta
Estructllras electrnicas bdsicas
barrera de potencial, los electrones que van del
metal al semiconductor no cambian con la pola-
rizacin. La barrera de energa que perciben los
electrones del semiconductor y quieren pasar al
metal en equilibrio es E, (E, = qq>", - q<p.,,), que
E, -qv
o
,v,
aumenta al polarizar la unin en inversa (voltaje
negativo en el metal respecto al semiconductor)
y disminuye al polarizar la unin en directa,
E", -qV
o
.
E,-qV
o
r,
--...'--------
Figura 111.21. Efecto de la polarizacin sobre la unin metal-semiconductor rectificante.
Con la ayuda de los diagramas anteriores es
posible concluir que, en equilibrio, la corriente
que circula del metal al semiconductor (que no
se ha dicho cmo calcular, pero se ver que no es
importante) es igual a la corriente que circula del
semiconductor al metal y es proporcional a:
[
fo)
l(Vo = O) 0011"0 exp - kT
(111.18)
Al polarizar en directa, la cantidad de electro-
nes que pasan del metal al semiconductor no se
modifica ya que <Ps" no cambia, y la cantidad de
electrones que pasan del semiconductor al metal
aumenta conforme se aumenta el voltaje.
(
fo) (qV,)
l(Vo) 00 " ..0 exp - kT exp kT
(111.1 9)
Al polarizar en inversa, la corriente del metal
al semiconductor contina siendo una constante,
mientras que la del semiconductor al meta l ha
disminuido con el potencial. De tal manera que,
al menos cualitativamente, la relacin V versus 1
se comporta como en la unin p-II.
(111.20)
La densidad de corriente de saturacin Jo de
pende de parmetros como la corriente que cir-
cula del metal al semiconductor, que en general
es mucho mayor que la corriente de saturaci n
de la unin p-n, llamada corri ente termoinica.
Este parmetro es conocido a partir del estudio
de las vlvulas termoinicas, ya que el proce-
so de pasar un electrn del metal al vaco es si-
milar al paso hacia un semiconductor:
- o , ( q<p.,,). 0 _ 4rrq",Ok'
101"' ) - A T exp - kT , A - __ ",_(111. 21)
donde A'+ es la constante efectiva de Richardson
(el trmino se refiere a la masa efectiva de los
electrones en el slido), h es la constante de
Planck y k es la constante de Boltzmann.
87
Electr6nica fsica
Nivel de vaclo
Nivel de v8clo
...
, ..
, ..
Ec -+-----'--
E,--- -------------
E,-------
E, Ey --------
Metal SemlconductOl' Metal SemlconductOl'
,-
,-
.;.----- Ec
--------- - - - - - -- E,
-----------------
"------- E,
___ ------ E,
Metal Semiconductor Metal Semiconductor
p p
x x
Figura 111. 22. Diagramas de energla potencial electrosttica antes y despus de f o rmar la unin
entre el metal y el semiconduct or Que establecen contactos 6hmi cos de acuerdo con el diagrama
de resistividad contra posicin. stos son los ltimos dos casos.
En este dispositivo tambin existe la capaci-
tancia de unin, procesos de ruptura, efectos
de componentes parsitos, etc. La diferencia ms
interesante consiste en que los transitorios en
esta estructura disminuyen en forma conside-
rable, puesto que al conducir por portadores
mayoritarios no existe difusin (caso ideal) y por
lo tanto al conmutar rpidamente de directa a
inversa no existen portadores que puedan regre-
sar y formar el transitorio. Una vez que todos los
electrones llegan al metal ya no pueden regresar
por difusin: por el abismo qq>B" nicamente pue-
88
den pasar del metal al semiconductor por emi-
sin termoinica.
Diagramas de energa en los cOll tactos lmlicos
La figura IU.22 ilustra la formaci n de contactos
hmicos al unir un metal y un semiconductor.
La diferencia de funciones trabajo desplaza elec-
trones de tal manera que destruye la barrera de
energa y los electrones o huecos pueden pasar
libremente por la unin.
Estructuras electrnicas bsicas
CAPACITOR METAL-XIOO-SEMICONDUCTOR quiz valga la pena resumir en un cuadro las
principales divisiones en los dispositivos elec-
Si bien este tema tiene como nica finalidad dar trnicos.
una introduccin a la fsica de la estructura MOS,
Bipolares
{
Diodo de unin (Yaristor, Varactor, rectificador, etctera)
Transistor bipolar (PNP, NPN, Transistor de electrones energticos, etctera)
Trristor (SCAR, OIAC, TRlAC, UJT, SUS, PLIT, SBS, etctera)
Unipolares
Contactos
metal-semiconductor
Capacitar MIS Y CCO
Familias FET
Algunos de los acrnimos y nombres emplea-
dos se describen a continuacin:
Varistor (Variable-resistor) . Dispositi vo de
dos terminales con comportamiento no h-
mico.
Varactor (Variable-renctor). Dispositivo de
dos terminales en el que la r ~ c t n c i puede
ser controlada por el voltaje. Es el caso de la
variacin de la capacitancia con el voltaje.
Transistor de electrones energticos (Hot-
Electron Transistor). Se llama electrn ca-
liente al electrn que tiene una energa kT
mayor que el ni vel de Fermi. Los primeros
transistores que funcionaron con estos elec-
trones que no estn en equilibrio con la red
)FET
{
Si-) FET
GaAs-)FET
NMOS
MESFET
{
Si- MESFET
GaAs-MESFET
Heteroestructuras
PMOS
MOSFET
{
Si-MOSFET
GaAs-MOSFET
CMOS
HMOS
DMOS
VMOS
sos
SOl
son los MIMIM (Metal-Insulator-Metal-Insu-
Jator- Metal) y los ms recientes son los lla-
mados transistores ba lsticos.
Tiristor. Es el nombre genrico que se da a
los dispositivos de ms de tres capas (los
transistores bipolares slo tienen tres).
SCR (Semiconductor-Controlled-Rectifier).
DIAC (Diode AC switch). Es un SCR bidirec-
cional.
TRIAC (Triode AC switch). Es un SCR bidirec-
cional.
UJT (UniJunction-Transistor). Es un dispo-
sitivo que puede conmu tar un estado de
alta impedancia OFF, a otro de baja impedan-
ciaoN.
89
90
Elecfrllicn fsica
PlJI" (Programable- Unijunction-Transistor).
Ms verstil que el Uff, pero estructural-
mente s imi lar al SCR, slo cambiando la co-
nexin de compuerta.
sus (Silicon-Unilateral-Switch). Funcin simi-
lar al PUT, pero estructuralmente diferente.
SBS (Silicon-Bi lateral-Switch). Corresponde a
dos sus conectados y funciona como un TRlAC.
MIS (Metal-Insulated-Semiconductor). Si-
glas generales de todos los dispositivos que
emplean aislantes. MOS es un caso particular
donde el aislante es un xido. En general,
las famil ias unipolares en Europa se llaman
de efecto de campo y poco a poco ha ido
predominando ese nombre.
JFET Ounction Field Effect Transistor). Bsi-
camente consiste en una resistencia contro-
lada por voltaje y equivale a controlar la
cant idad de portadores por medio de una
zona desrtica.
MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect
Transistor). Bsicamente es igual al ante-
rior, slo que ahora la zona desrtica se
forma con una unin metal-semiconductor.
En el caso anterior es por la unin P- Il.
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor- Field-
Effect-Transistor). Hay quien le llama err-
neamente IGFET (Insulated-Gate Field Effect
Transistor) O MOST (Metal-Oxide-Semicon-
ductor Transis tor). El principio fsico es la
variacin de la cantidad de portadores su-
perficiales por el efecto del campo elctrico.
Hoy por hoyes el dispositivo ms impor-
tante en V1SL
N-Moses un MosFET de canal tipo 11. Se refiere
al tipo de portadores que forman el canal
para conectar la conductividad entre S
(Source) y O (Drain). El sustrato es tipo p.
poMOS es un MOSFET de canal tipo P y el sus-
trato es tipo H.
C- MOS (MOS complementario). Es una tecno-
loga en la que dos transistores, uno de
canal n y otro de canal p, se acoplan en un
dispositivo.
t-IMOS (High-perfomance-Mos). Es un tran-
sistor en el que, por medio de la tecnologa,
se logra controlar el voltaje de encendido,
impurificando desigualmente el sustra to.
DMOS (Double-difussed-Mos). Por medio de
la tecnol oga se controla la longitud del
canal; pueden alcanzarse longitudes muy
cortas.
vMos(Vertical o V-shaped-groved-Mos). Es-
tructura geomtrica del transistor que pue-
de manejar alta corriente.
SOl (Silicon-On-Insulated). Tecnologa que
reduce capacitancias parsitas.
SOS (Silicon-On-Shapphire). Tecnologa que
reduce capacitancias parsitas.
FAMOS (Floating-gate-A valanche-Injection-
MOS). Disposit ivo empleado en la construc-
cin de memor ias electrnicas ROM que se
graban empleando un voltaje relativamente
alto, para forza r el efecto tnel de los elec-
trones sobre el xido de sili cio; se pueden
borrar con luz ul travioleta, ya que sta per-
mite relajar la carga acumulada durante el
grabado al aumentar la conducti vidad del
xido de silicio.
Diagrnma de energa del cnpacitor MOS
Las caracters ti cas elctricas del grupo de di spo-
sitivos que ms importancia comercial tiene en-
tre los dispositivos electrnicos se pueden enten-
der a travs del estudio del capacitor MOS ideal.
La estructura fsica del dispositivo se muestra en
la figura I1L23 y consta de un metal y un semi-
conductor separados por un aislante. Si la dis-
tancia entre el semiconductor y el metal es del
orden de 500 A, las propiedades de la interfaz
entre el semiconductor y el metal son de muy
alta ca lidad, si n imperfecciones o impurezas, y
el semiconductor tiene una pequea densidad
de impurezas del orden de 10
14
a 10
18
cm-3. En-
tonces, por efecto de la polarizacin entre el
metal y el semi conductor, se puede modificar la
conductividad cerca de la superficie del semi-
conductor con el aislante, dando lugar al lIama-
do efecto de campo. Este efecto tiene una gran
cantidad de aplicaciones en la actualidad, como
los capacitares, que cambian su capacitancia con
la polari zacin y la frecuencia. Varios de estos
elementos puestos en paralelo, muy cerca uno
de otro, forman un dispositivo que transfiere
Es/rile/liras electrnicas bsicas
carga (cco, Charge-Coupled Devices) y se em-
plea como sensor de imgenes, procesos de se-
ales y operaciones lgicas. El efecto es tambi n
empleado en el funcionamiento del MOSI'ET, don-
de el capacitar MOS forma la compuerta del tran-
sistor que controla la conducti vidad entre los
electrodos de fuente y drenaje.
Metal
A islante
.... ----',---- Semiconductor
Figura 111.23. Estructura I lslca d el capaci t or MOS.
El capaci torMos tiene varias diferencias respec-
to a las estructuras tratadas hasta este momento:
por un lado no existe transporte de carga elctrica
en el capaci ta r y, por lo tanto, no hay necesidad de
considerar seudoniveles de Fermi. Adems, todo
el potencial aplicado aparece entre las superficies
del xido. Si el campo elctrico en el xido es muy
elevado, 7 x 10
6
Ycm-
I
, el dielctri co conduce des-
truyendoal dispositivo. El transporte de carga para
alcanzar el equilibrio termodinmico (al eli minar
la diferencia de la funcin trabajo del metal y el
semiconductor I <pI - <p,..1 ), se alcanza nicamente
por medio de alguna conexin externa entre el me-
tal y el semiconductor, que fcilmente se consigue
mientras se estn fabricando losd ispositi - vos. Des-
de el punto de vista de la descripcin del funci o-
namiento del capacitar, es indiferente cul es el
origen de la diferencia de potencial entre el metal
y el semiconductor, puede ser un potencial exter-
no, la diferencia de fu ncin trabajo re los materia-
les o cargas internas en el ais lante. De hecho,
al calcular el voltaje de encendido del transis-
tor MOSFET todas estas contr ibuciones estn in-
cluidas.
El parmetro que ahora detennina el funciona-
miento del dispositivo es el efecto de campo que
se caracteri za por 'V; q'V es la energa que sepa ra el
mnimo de la banda de conduccin en equilibrio
(sin efecto de campo) y el mnimo de la banda de
conduccin cuando existe efecto de campo. El va-
lor mxi mo es q'V. y mide la diferencia de energa
entre el mnimo de la banda de conduccin lejos
de la interfaz con el aislante y el mnimo de la ban-
da de conduccin en la interfaz (como las bandas
son paralelas, es igualmente correcto usar como
referencia el mximo de la banda de valencia o el
centro del intervalo de energa prohibida, el nivel
de Fermi int rnseco E
r
,).
En general, el voltaje aplicado a la compuerta
sumado o restado al potencia l interno del capa-
cita r de las funciones trabajo, ca rgas
internas, etc.), se muestra en pa rte en el xido
(defin ido por su capacitanci<1); el resto se emplea
en el semiconducto r para el efeclo de campo \V,.
Ms adel<1 nte se expresar explcitamente la re-
lacin entre el voltaje aplicado y 'V .
Existen vari as condiciones impuestas por el
campo elctrico interno que definen las caracte-
rsticas de la superfici e del semiconductor en el
capacitor:
1) Lil (/CI/l l llllaciII de portadores mayor itilfios
en la superficie del semiconductor y del aislante.
El voltaje aplicildo, la diferencia de funciones
trabajo y las cargas internas son ta les que \ji , es
menor que Den un semiconductor tipo p, y es ma-
yor que O en un semiconductor tipo 11.
91
Electrnica fsica
_,,_ - - - - - - - En
MOS con semiconductor tipo 11
en acumulacin, q \ji <: O
y por lo tanto \ji > O.
f,
MOS con semiconductor tipo p
en acumulaclOn, /f \ji > O
Y por lo tanto ... <: O.
EF
f,
f,
Figura 111.24. Representacl6n graflca de la condlcl6n de acumulacin de portadores.
2) La condicin de banda plana es aquella en la
que no existe campo elctrico interno; el voltaje
'--------fc
f---------- f,
- --- - - - - - - - - ---- EF
f----------f,
aplicado y las otras condiciones son tales que
",, =0.
1---------- fe
---------------- EF
f---------- f,
1--________ f,
La condicin de banda plana en un capacltor M06
presenta las bandas de energfa sin cambios.
No existe efecto de campo.
Figura 111.25. Representacl6n grafica de la condicin de banda plana.
3) La condicin de formacin de ZOlla desrtica
se consigue cuando el campo elctrico interno
producido por el voltaje aplicado y las otras
condiciones disminuyen la conductividad del
semiconductor a niveles cercanos a la del semi-
conductor intrnseco, 'V'. es mayor que O pero me-
nor que 'V' B para un semiconductor tipo p, y 'V. es
menor que O pero mayor que - 'IIB para un semi-
conductor tipo 11.
4) La condicin de inversin de la poblacin se
tiene cuando el campo elctrico interno modifica
la poblacin de portadores de carga de tal mane-
ra que existen ms portadores minoritarios que
la densidad de portadores intrnsecos en la su-
perficie, esto se consigue cuando 'V. es igual a
92
'IIB en un semiconductor tipo p y 'V'. es igual a
- 'V' B en un semiconductor tipo n (figura 111.26)
5) La condicin de fuerte nivel de inversin se
consigue cuando el campo elctrico interno es tal
que la densidad de portadores minoritarios es
mayor o igual que la densidad de portadores
mayoritarios. sta es la condicin necesaria para
el inicio de la conduccin en un transistor MOSFET.
Al voltaje necesario para tener esta condicin se
le llama de encendido V T (tIlfesllOld). Se consigue
cuando 'V'. es mayor o igual que 2'11s en un semi-
conductor tipo p y 'V. menor o igual que - 2'Vs en
un semiconductor tipo 11.
En las definiciones anteriores se emple la
constante 'V6 para identificar el estado de carga
Estmcturfls electrnicas bsicas
superficial. Esto es posible porque ql.l s es la ener-
ga entre el nivel de Fenni y el nivel de Fermi
intr[nseco. Analticamente, con la ecuacin para
el clculo de la densidad de portadores se obtiene
la ecuacin:
1
(111.22)
donde N
s
es la densidad de impurezas donado-
ras No en un semiconductor tipo 11, o la densidad
de impurezas aceptadoras NA en un semicon
ductor tipo p.
q

----------------- Er
MQS con semiconductor tipo n
en fuerte Inversin, CN< > O
Y por lo tanto \11 <: O.
f,
I \liS I > 2 \liS 1

MQS con semiconductor tipo p
en fuerte Inversin, <NI <: O
y por lo tanlo \11 ,. O.
Figura 111 .26 . Diagrama de energla polenclal electrosttica en el semiconductor
de un MOS en condicin de fuerte Inversin.
f,
f,
Nivel de vado
Metal
Carga superficial
q / ------
fe
fe
q -_ 1_ ----
- f,
__ --------- f,
E,
Er _______ _ __ __
f, _____ _
'5emiconductor
Aislante
Aislante
Figura 111.27. Diagrama de energla potencial electrosttica
para un capacitor MOS antes y despuS de la uniOn.
Semiconductor
93
Electrnica fsica
En el diagrama de la figura I1I .27 se puede ver
que los electrones pasan del metal al semicon-
ductor para llegar al equilibrio (por alguna tra-
yectoria externa), y como 'VI es positivo y mayor
que 'Vs, la superficie se encuentra en inversin de
poblacin.
La identificacin del origen de la carga super-
ficial es muy importante, ya que no cualquier
tipo de carga es igualmente til en los dispositi-
vos. De hecho, el control de la diferente carga
superficial a travs del campo elctrico es lo que
f--------- Ec
-- ------t -----
E,
....... __ .... __
I V,H I
-
Metal
i
Aislante
Sin carga
elctrica
SemlconductOf
Sin carga
elctrica
Condicin de banda plena
determina el funcionamiento de los diferentes
dispositivos.
Los siguientes diagramas de energa y diagra-
mas de carga para un capacitar Mas formado con un
semiconductor tipo p como el de la figura anterior
pueden ayudar a su visualizacin. Ntese que la va-
riacin del estado de carga se consigue con la pola-
rizacin externa, pero tambin es funcin de la dife-
rencia de funciones de trabajo entre el metal y el
semiconductor yotros parmetros no considerados,
como las cargas internas en el xido.
_ ____
,-'. . ..
q\jl. -------- -- ------
< ________ E,
I V,(--- ) I
Metal
i
Alalante
Electrones
en el metal
SemlconductOf
Huecos
acumulados
Acumulacin
Figura 111.26. Diagrama de energla y dlstribuclOn de carga en condiclOn de banda plana (es necesario
aplicar un potencial externo negativo) y acumulacin (es necesariO un potencial externo an ms negativo,
ya que es un semiconductor tipo p y It' .. <
Un resumen de las condiciones que se produ-
cen por el campo elctrico y la carga superficial
asociada se puede ilustrar en el siguiente diagra-
ma que muestra la carga superficial I Q, I en
94
relacin con el potencial superficial 'V . El dispo-
sitivo tiene caractersticas similares al que se ha
estado analizando; silicio tipo p con 4 x 10
15
im-
purezas aceptoras a 300 K (figura III.30l_

fe
I , ..... EF
f, *--=f:::::J.----f: -------j - - -
f,
-- ----f ---. f,

I V,H I
Metal
Carga posltlv.
Inducida
en al metal

A1arante
Semiconductor
Ion
negativos
Condicin de zona desrtica
Carga positiva
Inducida
en el metal
t
Alarante
Semiconductor
lon8s
negativos
/
"'-------
Electrones
Fuerte Inversin
f,
Figura 111.29. Diagrama de energl. y distribucin de carga en condicin de fo rmacin de zona desrtica
(es necesario aplicar un p otencial externo negativo) y luerte Invarsln (es necesario un potencial externo
positivo. El dispositivo 8S el mi smo que el de la Ilgura anterior).
O
+--+

Acumulocl"" J
Banda plana
Electrones
lon.a negatIvos
--'r-- ""-- -- --- ---

2
02 O., O., 0.8 1.0
\jI. IV]
4----+

Fuer te InverslOn
D'blllnversl6n
Zona desertica
Figura 111.30. Carga superf icial
en un capacltor MOS como funcin
del potencial superllclalw ..
95
Electrnica fs ica
Esta variacin de la carga elctrica en la zona
del semiconductor cercana al aislante, por el
efecto de campo que se produce al polarizar la
estructura, es lo que produce un comportamien-
to de capacitor modulado por voltaje, donde la
estructura MOS puede modelarse de la siguiente
manera:
Metal
""

'>.
Semiconductor
Figur a 111.3 1. Modelo capacitivo de un MaS.
El capacitor del xido es una constante y depen-
de nicamente del espesor del xido. El capacitor
del semiconductor puede calcularse con base en
la pendiente de la grfica de la carga superficial
I Q, I versus el potencial superficial 'V,.
-<lA
c/c; Bajas frecuencias ( 10 Hll: )
o 0.4 0.8
Frecuencias
elevadas ( 1000Hz)
Inver sin pro funda
\V, [V)
Figura 111.32. Variacin de la capaci lancia en un MaS
como funcin de la polarizacin y de la frecuencia
Explicar el comportamiento de la curva ante-
ri or es relativamente fci l: en la regin deacumu-
lacin (voltajes superficiales nega ti vos, \lis < O), al
cambiar el potencial cambia la canlidad de por-
ladores tan rpidamente como el potencial, ya
que slo cambia la cantidad de portadores ma-
yoritari os que se pueden agrupar fcilmente en
su superficie. La capacitancia total es nicamente
la del xido.
Para voltajes superficiales positi vos, lo que se
96
tiene en la superficie del semiconductor son io-
nes, y si se da suficiente tiempo al semiconductor
se pueden generar los portadores minoritarios.
La capacitancia mide la rapidez de cambio en la
carga elctrica, los portadores minoritarios pue-
den variar por recombinacin y generacin, as
que la capacitancia en esta zona depende de la
frecuencia. Los portadores deben ser generados
o recombinados para aumentar o disminuir. A
baja frecuencia, los portadores pueden seguir la
variacin del potencial y la capacitancia es nue-
vamente la del xido. Si la frecuencia es mayor,
los portadores minoritarios no pueden cambiar
tan rpidamente y la capacitancia estar deter-
minada por los dos capacitores en serie. El capa-
citor del semiconductor medir la modulacin
de la zona desrtica. La zona indicada como
inversin profunda se produce cuando el voltaje
de polarizacin (no el que mide la capacitancia,
que es muy pequeo) cambia rpidamente pro-
duci endo una zona desrti ca especialmente
grande, ya que es ms fcil descubrir ms iones
que generar portadores minoritarios. Esta zona
es inestable y la capacitancia rpidamente toma
el valor de la capacitancia a la frecuencia de
medicin.
La relacin entre el voltaje aplicado V y el vol-
taje superficial \li s es la siguiente:
donde <P" .. es la diferencia de funci ones-t rabajo
entre el metal y el semiconductor. Si este nmero
es positi vo, provoca un corrimiento de la curva
de capacitancia hacia la derecha. Para un semi-
conductor tipo p se usa el signo posit ivo, para
un tipo JI el negativo. V, es la cada de potencia l
en el xido y depende de la capacitancia en el
xido C. y de la carga superfi cial Qs. Qa son las
cargas positivas fijas del xido.
La cantidad de carga en el xido es un par-
metro difcil de conocer para cualquier condi-
cin de polarizacin. En fuert e inversin, la que
indi ca el voltaje de encendido de un MOSFET, se
Estructuras electrnicas bsicas
tienen las siguientes expresiones para 'Vs, Y para
VIOQS:
o/s = 2Ws
V _ v2f.sEoN ... (2We)
- el
(1II .24)
donde se supone que la carga en el semiconduc-
tor est formada por los iones de zona desr-
tica. Adems, se han empleado las ecuaciones
de la zona desrtica obtenidas al estudiar la
unin p-n.
TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN (BJn
El transistor (transfer resistor) bipolar de unin
es un dispositivo construido al unir en serie
tres semiconductores de diferente conductividad
n-p-n o p-n-p, que toman el nombre de emisor,
base y colector. Por condiciones tecnolgicas de
fabricacin, el dispositivo no es simtrico y no
puede intercambiarse el emisor por el colector,
ya que las caractersticas de funcionamiento son
diferentes. La operacin normal del dispositivo
se consigue al polarizar la unin emisor-base en
directa y la unin base-colector en inversa. La
estructura de un transistor p-n-p ideal se presen-
ta en la figura 1Il.33:
No -N ...
p
N P
-z, z,
o
w
w, Colector
Base
Emisor
Figura 111.33. Estructura simplifi cada
de un transistor P'"-P'
.
Ecuaciones de transporte
Las relaciones de transporte en este dispositivo
se pueden obtener, de manera similar a la unin
p-n, con base en la hiptesis de que las ecuacio-
nes de continuidad son vlidas.
all,. 11, - "ra aE all, iJ'l1l,
- = GH - --+ + .. E-a + D"- a 2 (I1I .25)
a, 't" x X x
Al igual que las ecuaciones de la densidad de
corriente:
JI' = qll,.pE - qD, Vp
(111.26)
Las simplificaciones son las mismas que en la
unin p-n. Las dos uniones son uniones p-n idea-
les: se evita la recombinacin superficia l. no exis-
te resistencia en serie y se impone un bajo nivel
de inyeccin. El diagrama de energa de la estruc-
tura se muestra en la figura 11134.
En este dispositivo, la densidad de portadores
mayoritarios no cambia. El control del transporte
es real izado por los portadores minoritarios y las
condiciones de frontera para los portadores mino-
ritarios en el transistor p-n-p son las siguientes:
Para el emisor, definido para toda x desde
-- hasta
n( __ ) =
[
qV,,)
,, (-xC> = exp IT
(111.27)
Para la base definida desde x = O hasta x = IV,
se tiene:
[
qV,,)
p{O)= p,exp U
97
Electrnica fsica
E
(
P
l'
\
,
/
,
,
,
,
,
,
E
,
,
,
)
N
\
p
\ J p
-Xf o
'"
E,
1\
N
!
TL' Xc
Figura 111.34. Diagrama de energra potencial para un transistor p-"-p e n equilibr io y polari:o:ado.
V[8 es el voltaje de la unin del emisor en directa y Vcs es el voltaje de l a unin del colector e n Inversa.
(
QV,, )
p(w) = Ps exp kr
(111. 28)
Para el colector, definido para toda x mayor
La obtencin de estas ecuaciones es bastante
fcil, como se puede observar en la segunda ecua-
cin para el emisor. Basta con aplicar la ley de
accin de masas empleando los seudoniveles
de Fermi.
que Xc:
Al resolver las ecuaciones de continuidad em-
pleando las condici ones de frontera correspon-
dientes y usando la notacin p(O) == pg{O) - P8
para los minoritarios en x = O Y de manera simi-
11(00) = /le (111.29) lar para los otros casos, se obtiene:
(
(x + Xd)
/l cCx) = "r + 811(-X[) exp - L-,- para
(lIl.30)
_ ["P(w)-"p(Olexp(-f,)] (x) ["P(Wl-"p(Ol eX
P
(f,)1 (x)
p,(xl-p,+ () exp-- () exp --
w L8 IV L8
2 senh - 2 senh -
LB LB
(lIl .31)
paraw>x>O
(
(X-Xel)
Ir C<x) = /l e + II (xcl exp -----;- para
(lIl.32)
Las densidades de corriente se obtienen de
manera similar a la unin p-n. La siguiente des-
cripcin se puede visualizar con la ayuda de las
fi guras 111. 35 y 111.36. Para la corriente del emisor
se tiene: Ir = I[(BASE) + l r(EMlSOR), donde el primer
trmino representa la inyeccin de huecos del
emisor a la base (que se obtiene derivando la
densidad de portadores en la base en el punto
x = O) Y la segunda es la inyeccin de electrones
de la base al emiS0r (se obtiene deri vando la
densidad de portadores en el emisor en el punto
x = -xc) .
98
Estructuras electrnicas bsicas
[,(BASE) = COlhU:) [exp(q:;, )-1 )-1)]
(1ll .33)
lE (EMISOR) '" "E (ex
p
)- 1 )
(IH.34)
Para la corriente del colector se tiene que:
le = IC<BASE) + I c(COLECTOR), donde el primer tr-
mino representa la inyeccin de huecos de la
base al colector (se obtiene derivando la densi-
dad de portadores en la base en el punto x = w)
y la segunda es la inyeccin de electrones del
colector a la base (se obtiene derivando la densi-
dad de portadores en el colector en el punto
x = Xe) .
[ , (BASE) = senh I( t) (ex
p
( q:;, )- I-COSh exp )- 1))
(111.35)
Aq D, H, ( [qv,") )
Ie(COLECfOR)=- --L-,- exp kT""" -1 (111.36)
Finalmente, la corriente de base se obtiene de
la diferencia entre la corriente del emisor y la
corriente del colector.
gen cualitativa que ayuda a tener una mejor
comprensin del dispositivo.
(111.37) Gnnal1cia en corriente
Como el inters en esta seccin es solamente En el anlisis anterior se identificaron las contri-
presentar una introduccin general, la parte res- buciones a la densidad de corriente en el transis-
tante de este captulo tratar de la ganancia en toro A continuacin, presentamos un resumen.
corriente del transistor y finalmente de una ima-
Emisor(P) Base (N) Colector (P)

h+ Inyectados

del emisor
-Inyectados de la baS9
lE (BASE)

h-Inyectados de la bas
. /
...
lE. (EMISOR)
---- V
'-::::
' e (BASE)

mayoritarios
Te (COLECTOR)
t- Inyectados
minoritarios
del colector
Figura 111.35. En la unin E-B la corriente de huecos es muchos rdenes de magnitud mayo r que la corr iente
de electrones, si se disef'ia el transistor correctamente. La corriente de electrones en la uni n B-e se debe
a la corriente de saturacin de la uni n en Inversa. La corriente de base debe ser tan pequef'i a
como sea posible en un buen transistor. Aqul se ha supuesto que no existe recomblnacin en las zo nas
desrticas (reas sombreadas). La unin BE esta en directa y la unin B-e esta en Inversa.
99
Electrnica fsica
La ganancia en corriente a base comn (X,:, se
define de la siguiente manera:
alE (BASE) ale (BASE) a l e
a I r aI[ (BASE) ale (BASE)
= yo.,M (1lI.3B)
Base ancha (dos diodos encontrados)
donde res la eficiencia de emisin, aTes el factor
de transporte en la base y M es el factor de mul-
tiplicacin en la unin base-colector.
De manera similar, la ganancia en corriente a
emisor comn es:
(IlI.39)
Base angosta (transist ores)


+ 1,
Figura 111.36. Las curvas super iores represenlan la densidad de portadores minoritarios y las curvas Inferiores
la corriente elctrica. Los diagramas de la Izquierda corresponden a dos diodos encontrados
donde la corriente de emisor es muy parecida a la de base. Los diagramas de la derecha corresponden
a un transistor, donde la corriente de emisor es muy parecida a la corriente de colector, al estar la unin E-B
en directa y la unin B-e en inversa.
En condiciones normales de operacin, es po-
sible obtener una expresin simplificada para la
ganancia de un transistor, ya que M es aproxima-
damente igual a uno cuando el voltaje en inversa
de la unin base-colector es menor al voltaje de
ruptura, lo que significa que por cada portador
que se presenta en x = w, el campo elctrico lo
traslada a x = x
e
. ar tambin se aproxima a la
unidad, siempre y cuando el ancho de la base (w)
sea ms pequeo que la longitud de difusin de
los portadores minoritarios, lo que significa
que los portadores no desaparecen en la base:
por cada portador que es inyectado en x = O,
todos llegan hasta x = w. sta es la esencia del
transistor: las dos uniones p-n deben estar lo
suficientemente cerca para que exista el efecto
transistor. Con estas condiciones, la ganancia en
corriente a base comn es aproximadamente
igual a la eficiencia de emisin, que despus de
algunas simplificaciones se puede escribir de la
siguiente manera:
100
a = y
aAJ,(BASE)
aAJ,(BASE)
""-
ae tT
(111.40)
La P es mayor conforme mayor es la cantidad
de impurezas en el emisor No menor la canti-
dad de impurezas en la base N
s
Y menor el ancho
de la base. Queda como ejercicio trabajar las
expresiones para justificar este resultado.
Otro resultado interesante se obtiene cuando
se averigua si la ganancia en corriente es una
constante para cualquier valor de corriente de
colector. A bajos niveles de corriente de colector,
la ganancia en corriente aumenta con la corriente
de colector. Este comportamiento se debe a que
pequeas corrientes de colector son ineficientes
para lograr la inyeccin de portadores, y una
Estructuras electrnicas bsicas
gran parte no produce inyeccin debido a la
recombinacin en la zona desrtica de la unin
base-emisor y a las corrientes de fuga
les. Con altos niveles de corrientes de colector, la
Esta disminuc in
en la ganancia, se debe
a la baj a eficiencia
de Inyecc in a bajos
niveles de polarizac in
de la unin E-a.
ln$o)
ganancia disminuye conforme aumenta la co-
rriente, debido al aumento en la recombinacin
a altos niveles de inyeccin.
Esta dismi nucin en la
ganancia se debe al efec to
/
de alto nivel de i nyeccin
e n la corriente de colector.
1110< - 1
Figura 111.37. Oismlnucin de la ganancia en un SJT a bajo nivel de corriente de colec to r por la corri e nte de fuga,
ya alto nivel de corriente de colector por el allo nivel de inyeccin.
En resumen, un anlisis cualitativo de las
ecuaciones presentadas es el siguiente:
El voltaje aplicado controla la densidad de
portadores en la frontera, a travs de los
trminos exp (Vn/ kD y exp (Vcs/kI) .
Las corrientes de emisor y colector estn
Po rtado res en la frontera de la
l':o na desrtica de la unin
BASE-COLECTOR. Es mayor que poO
dadas por los gradientes en las densidades
de los portadores minoritarios en las
teras de la base, esto es en x = O Y x = w.
La corriente de base es la diferencia entre las
corrientes de emisor y colector.
disminuye
cuando V CI aumenta
en la inver sa.

si la unin es polarizada en directa.
y es menor q ue p"" 51 la unin
Base
es polarll':ada en inversa. --+t---l
p"" densidad de
portado res minoritarios --+
en equilibrio en la base.
%= 0
Portadores en la frontera de la
zona desrti ca de la unin
BASEEMISOR. Es mayor que p...,
si la unin es polarll':ada en directa.
y es menor que p"" si la unin
es polarizada en inversa.
Figur a 111.38. El efecto transisto r se obt iene al modificar la concentracin de portadores mi noritarios en la base.
Los puntos representativos de polarizacin,
como los representados en las curvas de emisor
comn de un BIT, modifican la concentracin de
portadores en la base. En la fi gura I1I. 39 se repre-
sentan la saturacin, activa directa y el corte o
apagado.
MOSFET
El transistor de efecto de campo controlado por
un capacita r MOS, MOSFET
dl/ clor es el transistor de
mayor importancia en la fabri caci n de circui tos
integrados y reci entemente en apli caciones de
potencia. Este d ispositi vo presenta conduccin
101
Electr6nica fs ica
Saturacin
(ambas uniones en directa)
x=o
Activa directa
(V[8 en directa
y VeB en inversa)
Apagado
(ambas uniones en Inversa)
Figura 111.39. Cambio en la concentracin
de portadores minor itarios en la base
por las diferentes condiciones de polarizacin.
por portadores de un solo tipo, por lo que los
dispositivos son llamados unipolares. La cons-
truccin fsica de este transistor se muestra en la
figura lIlAO. Un capacitar MOS forma la com-
puerta G y en el semiconductor se difunden dos
y
L
,
zonas de conductividad diferentes a la del sus-
trato a cada lado del capaci tar MOS. Una se llama
fuente 5 y la otra se llama drenaje D. Usualmen-
te, el sustrato y la fuente se conectan elctrica-
mente, lo que forma un disposi tivo de tres ter-
minales que no es simtrico en relacin con el
intercambio de los electrodos de fuente y de
drenaje. Si el semiconductor es de tipo p y no
existe condicin de inversin de la poblacin en
la compuerta cuando no est polarizado, se co-
noce como MOSFET de canal n normalmente apa-
gado, ya que las zonas tipo n (5 y D) estn
aisladas elctricamente por las dos zonas desr-
ticas que se forman y no existe conduccin entre
5 y D. Cuando se polariza la compuerta hasta
conseguir un fuerte nivel de inversin, se forma
un canal de electrones que pone en contacto la
fuente y el drenaje, permitiendo el paso de la co-
rriente elctrica.
"
p
,
Fgura lil AO. Diagrama flsico de un MOSFET de canal.!.
Para entender los diagramas de energa poten-
cial electrosttica contra posicin es necesario
hacer algunos comentarios, ya que se obtendran
diagramas en cuatro dimensiones: x, y, z Y E.
Como esto es imposible de presentar en una
grfica y adems poco til, intentaremos visua-
lizar las diferentes condiciones por separado.
Si en el transistor se polariza la compuerta de
tal manera que se obtiene la condicin de banda
102
plana y no existe voltaje en el drenaje, entonces
el diagrama de energa potencial es idntico a un
transistor BJT en equilibrio, donde el emisor hace
las bases de la fuente, el colector es el drenaje y
la base es el sustrato.
Cuando el voltaje del drenaje es cero, la com-
puerta se polariza hasta llegar a una fuerte inver-
sin V
T
El diagrama de energa en la superficie
con el aislante es semejante a un semiconductor
Estructuras elecfr611icas bsicos
tipo 11 desde el electrodo de fuente hasta el elec-
trodo de drenaje. Alejndose de la superficie con
el aislante el diagrama de energa se parece ms
y ms al caso anterior.
trato est en directa y la unin sustrato-drenaje
est en inversa, as que la corriente de drenaje es
igual a la corriente de saturacin de un diodo en
inversa.
Cuando la compuerta est en condicin de
banda plana y el drenaje se polariza con un vol-
taje positivo respecto a la fuente, entonces se
tienen dos uniones p-n: la unin de fuente-sus-
El diagrama de energa potencial electrostti-
ca que se presenta en la siguiente figura es para
el caso en que Ve es mayor que V
T
y VD es mayor
que cero.
El semiconductor bajo la compuerta
,-parece tIpO 11 debido a la fuerte
! : I I Inversin de la poblacin
q
-=- -=- xq:-f-F4--.,
- , -'--
7' VD
,
Desaparece la Inversin
l - .. de la pobl acin
por la polarizacin
de drenaje.
Figura 111.4 1. Diagrama de energla potencial electrosttica para la superficie del semiconductor
en un transistor MOSFET, cuando Ve es mayor que Vr Y VD es positivo.
El semiconductor que est frente a la com-
puerta es diferente del diagrama clsico del ca-
pacitor MOS, ya que existe una corriente circulan-
do entre el drenaje y la fuente.
Ee
.... _ ______ E
Fi
E,
E,
.____---fe
.... ------ -Er;
ff--':'-.--- E"
./"+ ____ E,
VD
Figura 111.42. Diagrama de energla en el semiconductor si tuado frente a la compuerta;
fuerte inverSin de la poblacin en equilibrio y fuera de equilibrio.
En la construccin del diagrama anterior se
hacen las siguientes suposiciones:
El seudonivel de Fermi de los mayoritarios no
vara del volumen a la interfaz con el xido.
El seudonivel de Fermi de los minoritarios
est separado del seudonivel de Fermi de los
mayoritarios por el voltaje aplicado VD'
ECl/nciolles de transporte
Las ecuaciones de transporte de un MOSFET se
pueden obtener haciendo algunas simplificacio-
nes adicionales:
La estructura de la compuerta corresponde
a una estructura MOS ideal.
103
Electr/l ica fsica
Slo se considera la corriente de deriva en
la estructura.
La movilidad de los portadores en la zona
de inversin es constante.
La contaminacin en el semiconductor es
uniforme.
La corriente en inversa en las uniones es
muy pequea.
El campo elctrico transversal es mucho
mayor que el campo elctrico longitudinal
(E,).
La corriente de drenaje ID como funcin de los
voltajes de compuerta Ve y de drenaje VD se
puede encontrar al aplicar la ley de Ohm a la
carga superfici al formada por la compuerta,
donde x es la coordenada que se interna en el
semiconductor alejndose de la compuerta y la
superficie del semiconductor es en x = O. y es la
coordenada que va de la fuente al drenaje, donde
y = O es el electrodo de la fuente. L es la longitud
del canal y xj es el grosor de la zona de inversin.
La conductancia del canal formado por la
compuerta es:
2J" I Q.I (11141)
g ;; -L cr(x) dx = - L- t/(x) dx L .
, ,
donde Z, el ancho de canal, es uniforme para
cualquier z. La cantidad de carga mvil encerra-
da desde x = O hasta x = Xi es I l. La cada
de voltaje en un tramo del canal de ancho dy al
pasar una corriente ID es:
d
v - I dR _ I <!.!!. _ l"dy
- p - P L - 2 IQ (y) I
g
(111.42)
Por supuesto, loes independiente de y, ya que
es una constante.
La carga a lo largo del canal 1 1 cambia de
acuerdo con los voltajes aplicados. Una manera
ms sencilla de expresarlo es con la ayuda de las
simplificaciones de la compuerta MOS ideal, sin
trampas interfaciales ni cargas elctricas en el xi-
do y sin diferencias de funciones trabajo.
104
Esta carga en el semiconductor tipo p est
formada por los iones de la zona desrtica Q8(Y)
y por los electrones de acumulacin
Q, (y) = Q.(Y) + Q. (y)
El voltaje superficial en el semiconductor en
condicin de fuerte inversin es:
donde V(y) es el voltaje entre un punto y y el
electrodo de fu ente (tierra) . Combinando las
ecuaciones anteriores se obtiene la carga a lo
largo del canal:
Q,,(y) =-(V,- V(y)-2'l'.)C,+
.J2E
s
qN,,(V(Y) + 20/8]
(111.43)
donde o/a est definido en la seccin del capacitor
MOS y es funcin nicamente del semiconductor
empleado en el sustrato, e es la capacitancia del
xido y Es es la permisividad del semiconductor.
Al integrar desde y = O hasta y = L con V = O
hasta V = VD.


3C,
(( V P + 2'l',)l- (2'l'.)l))
(111.44)
Para un valor dado de Ve, la corriente de
drenaje aumenta linealmente con el voltaje de dre-
naje (rgimen lineal u hmico) y paulatinamente
deja de aumentar hasta que alcanza un valor de
saturacin (regin de saturacin) idntico a la
curva experimental del transistor MOSFET presen
tado en la seccin de tecnologa.
Cuando los voltajes de polarizacin del d rena
je son pequeos, la ecuacin anterior se puede
escribir de la siguiente forma:
Vr)Vo - y\fb)
2

Estruct uras electrnicas bsicas
(1l1.45)
y con una corriente de saturacin:
Z ,
IO "'''''2L .LnC(Vc -Vr)
(1l1.46)
Funcionamiento
A continuacin presentamos un resumen cuali-
tativo del funcionamiento del MOSFET, usando
una analoga hidrulica.
---+
- - - - - --- -- --- -- - --
La regin lineal del MOSFET se consigue con un
voltaje de compuerta mayor que el voltaje de
encendido y voltajes de drenaje pequeos. Pode-
mos imaginar dos depsitos con agua, uno fij o
-el depsito de fuente- y el otro mvil -el de
drenaje-. Si el voltaje de drenaje es positivo, el
depsitobajacomo la energa potencial. Los dos de-
psitos estn comunicados por un conducto que
tiene una articulacin en la unin con el depsito
de fuente y est sostenido sobre el depsito de
drenaje con una particularidad: existe un pi-
vote que impedir que el conducto baje aun des-
pus de que el depsito de drenaje contine
bajando.
r_v_o>_o-,
N
1
~
--- - ----- -f>
Figura 111.43. Regln lineal en un MOSFET e Imagen hidrulica.
En la regin de saluracin el voltaje de drenaje
ha aumentado y es aproximadi"mente igual al
voltaje de la compuerta menos el voltaje de en-
cendido (V
D
= V
e
- Vr). En estas condiciones, la
imagen hidrulica muestra el depsito de drena-
je en un nivel inferior respecto al depsito de
fuente, y el conducto que los une ha tocado el
pivote que impide que contine tocando el de-
psito de drenaje (figura IlL44).
Mas all de la saturacin, el voltaje de drenaje
contina aumentando pero no la corriente de
drenaje. En la imagen hidrulica no aumenta el
flujo de agua porque la inclinacin del conduelo
es constante. La expl icacin elctrica es que la
diferencia de potencial desde la fuente hasta el
final de la zona de inversin es una constante y
es el potencial que acelera los electrones. Los
electrones que han llegado a este punto se des-
plazan por la unin en inversa, como en la zona
base colector de un BJT (figura 111.45).
105
Electrnica fsica
fl
N
Figura 111.44. ReglOn de saturacin en un MOSF!ET e Imagen hldrul1ca.
VD >0
N
'---
- --- -- -----r-- ------.:..:..:.:
B:, __ ____ _
Figura 111.45. Regln posterior a saturacin en un MOSFET e imagen hidrulica.
LEO, LSER Y FOTODETECTORES
Esta seccin se ocupa de la descripcin de los
dispositivos optoelectrnicos que basan su fun-
cionamiento en los semiconductores y en los
dispositivos semiconductores. Estos dispositi-
vos deben llamarse en realidad dispositivos fo-
tnicos, ya que en ellos la partcula que desem-
106
pea el papel ms importante es el fotn, es
decir, la luz.
Empecemos diferenciando dos conceptos re-
lacionados con los dispositivos electropticos: la
incandescencia y la luminiscencia. La primera es
la radiacin que resulta solamente de la tempe-
ratura del material, mientras que la luminiscen-
cia es la emisin de radiacin (ultravioleta, visi-
tstructllras electrnicas bsicas
ble O infrarroja) como resultado de la excitacin
electrnica. Ciertas formas de energa permi ten
que electrones se desplacen a niveles de mayor
energa y, en consecuencia, emitan radiacin al
regresar a su estado base. Al suspender la forma
de energa, se espera que la luminiscencia desa-
parezca; s i es as. se ll ama fluorescencia. Si por
alguna razn la luminiscencia persiste, se llama
fosforescencia (usualmente sta se debe a esta-
dos metaestables que atrapan electrones y los
liberan lentamente).
Existen varios dispositivos exhibidores elec-
trnicos que no basan su funcionamient o en los
dispositivos semiconductores. Algunos emplean
materiales que permiten emi tir radiacin, mien-
tras que otros slo modulan la radiacin que incide
en ellos. As. por ejemplo, los tubos de televisin
de color emplean la ctodoluminiscencia, donde
Cercano UV I Violeta I Azul I
[ ~ m J
0.30 0.39 0.455 0.492
Energa leV] 4.1 3.19 2.73 2.52
Los exhibidores de cristal lquido no emiten
luz, nicamente la modulan. Un material capaz
de modificar el ngulo de polarizacin de luz
cuando es energizado (cristal lquido) se coloca
entre dos polarizadores a 90 con un espejo al
final. Cuando no est energizado el sistema, la
luz incidente no es reflejada debido al arreglo de
los polarizadores, y se ve negro. Cuando se ener-
giza el sistema, el cristal lquido modifica el n-
gulo de polarizacin 90 y entonces la luz se
refl eja y se ve br ill ante.
Los materiales optoelectrnicos que basan su
funcionamiento en los semiconductores se pue-
den dividir en tres grupos:
1. Dispositivos que convierten energa elctri-
ca en rad acin.
LED (Light-Emitt ing Diode).
Diodo lser (Light amplificatioll by sti1J/u/nted
el1lissiol l of radintiol1).
2. Dispositivos que detectan seales pt icas a
travs de procesos electrnicos.
tres caones de electrones ligeramente inclina-
dos el uno hacia el otro coinciden al pasar por
una mscara y golpear en tres diferentes regiones
el material, que emite luz al ser golpeado por los
electrones. Cada regin emite luz en un color pri-
mario,azul (ZnS:Ag), verde (Zn,Cd_,S:Cu) y rojo
(Y20 zS:Eu, lb) y constituye un punto de color de
la imagen.
Otro ejemplo son los disposi tivos electrolumi-
niscentes clsicos, donde a un mater ial (ZnS:Cu)
en polvo o en pelcula se le apl ica una gran
diferencia de potencial DC o AC y emite luz con
eficiencia cercana a 1 por ciento.
En los exhibidores de plasma, la emisin de
luz se produce por la neutrali zacin atmica
despus de ser ionizados al pasar una corriente
elctrica.
Verde I Amari/lo lAnaranjado jRojo j CercO/lO IR
0.577 0.597 0.622 0.77 1.50
2.15 2.08 2.00 1.61 0.83
Fotodetectores.
3. Dispositivos que convierten radiacin pti-
ca en energa elctrica.
Celdas solares (dispositi vos fotovoltaicos) .
Para mostrar an ms la diferencia entre los
d isposit ivos, se puede ver la grfica de la inten-
sidad de radiacin como funci n de la energa de
un material incandescente, un LEO y un lser
(figura rn.46).
Los LEDson unionesp-Il polari zadas en directa
que emiten espontneamente luz por la recom-
binacin de los portadores cerca de la uni n
metalrgica, siempre y cuando la transicin de
los electrones de la banda de conduccin a la de
valencia sea directa, por ejemplo en semiconduc-
tores, como el GaAs .
Si bien los LED para el visible son en genera l de
a le<lciones de arseni uro de ga li o y fs foro
(GaAs
1
_,P, con O < x < 0.45 molar), en este semi -
conductor el ancho de banda (E
g
) para la recom-
binacin directa vara de 1.424 eV (x = O) hasta
107
Electrnica fsica
1 [fotones/cm2 s eV]
1 [fotonaafcm2 s eV]
1 [fOlonestcm2 s eV]
4 0.1 E [eV] 1.34 14
E [eV] 1.9 :1: 0.00:11 E [eVJ
Lmpara incandascente IR LEO
LAsar rojo
Figura 111.46. Espectros de emisin para varias fuentes lumi nosas.
1.977 eV(x = 0.45). Cuando la cantidad molar de
fsforo es superior a 45% no existe emisin de
luz, porque la recombinacin es indirecta. Los
LEO ms eficientes se construyen en el infrarrojo,
alrededor de 1.5 m
En la actualidad existe una intensa bsqueda
de materiales que permitan la emisin en el azul.
Existen LED azules comerciales, pero an no hay
lseres azules de semiconductores.
Lente epxlco
R&sistOf
Ctodo
nodo
Figur a 111.47. Estructura de un LEO.
El lser semiconductor de estado slido es un
caso muy especial de LEO, donde el principio
electroluminiscente es el mismo, slo que la
construccin del dispositivo suele ser ms com-
pleja para reunir las caractersticas que definen a
los lseres.
Las principales caractersticas de un rayo lser
comparadas con las de un rayo luminoso ordina-
rio son las siguientes:
o Mucha mayor coherencia espacial y tempo-
ral, las ondas conservan la misma fase.
108
Mucha mayor direccionalidad: la luz no
diverge.
En general es monocromtico o tiende a
serlo. En los slidos es difcil que sea perfec-
tamente monocromtico.
Una gran concentracin de la intensidad: en
un rea menor a un micrmetro cuadrado
puede concentrar toda su potencia.
El fenmeno lser se basa en la emisin estimu-
lada de la radiacin. En los procesos luminiscen-
tes podemos tener dos situaciones al emitir luz:
la emisin espontnea, como en el LEO, donde no
existe relacin entre la luz producida por la re-
combinacin de dos electrones, y la emisin es-
timulada, como en los lseres, donde los fotones
tienen una relacin muy particular, pues son una
copia idntica uno del otro. La figura 111.48 trata
de ilustrar estos casos.
Para que exista la emisin estimulada es nece-
sario tener una inversin de poblacin, esto es,
tener ms electrones en los niveles de la handa
de conduccin que en los niveles de la banda de
valencia. Para obtener esta situacin se bombean
electrones de la banda de valencia a la banda de
conduccin.
En los semiconductores es posible obtener la
inversin de poblacin por medio de una unin
P-II polarizada en directa. La nica diferencia con
un LEO es que aqu los semiconductores 11 y P
estn mucho ms impurificados y las uniones
deben hacerse con mucho cuidado, ya que las
dimensiones del dispositivo son muy pequeas.
Adems, es comn emplear una caja de resonan-
e Ec
----1---
-----'---- Ev
Emisin espontnea
Estructllras electrnicas bsicas
Canal de electrones
eeeee
EC
Emisin estimulada Ev
Figura 111.48. Olagrama de la emisin espontnea y estimulada.
cia para fomentar la produccin con una sola
longitud de onda. En una caja de resonancia slo
sobrevivirn los fotones que tengan una longitud
de onda que sea un mltiplo de la longitud de la
caja de resonancia, la longitud del dispositivo.
Para que sirva como caja de resonancia debe
tener una geometra perfecta y se debe tener un
control muy especial sobre los ndices de refrac-
cin, para que los fotones se renejen como si
existieran espejos (los fotones deben ver la caja).
enormes. Entre las ms interesantes por ahora se
encuentran las comunicaciones pticas y los in-
numerables productos de consumo, mquinas
lectoras de discos compactos, impresoras, scan-
I/ ers, etc. Muchas de sus aplicaciones se deben a
la alta eficiencia, bajo consumo de potencia y
escaso peso comparados con los equivalentes de
gas como los de helio-nen.
Las aplicaciones del lser semiconductor son
A continuacin presentamos una lista incom-
pleta de familias de dispositivos usados como
fotodetectores:
Fotodetector
Fotoconductor
Di odo p-i-n
Diodo de avalancha
Transistores
Fotomultiplicadores
de estado slido
Proceso fsico
Cambio en la conductividad.
Cambio de la concentracin de
portadores. Gran polarizacin en
inversa, que reduce la capaci tancia yel
tiempo de transporte.
Similar a la unin P-I1, con la ventaja de
tener el ancho de la zona desrtica fija .
Multiplica los fotones por ionizacin de
electrones, multiplica el ruido porque
amplifica igual a los electrones y a los
huecos.
Cambi o de la densidad de portadores en
la base.
Como los diodos de avalancha, pero
multiplican slo un portador .
Tiempo de
Ganancia respuesta (s)
1 a 10
6
10
3
a 10-8
10-
11
1
10-
8
10
2
a 10
4
10- 10
lO'
10-
7
10
5
10-10
En general, cualquier dispositivo con base en
semiconductores es un candidato a fotodetector.
Algunos de los parmetros que determinan la
capacidad de un dispositivo en particular son:
Sensibilidad a diferentes longi tudes de
onda.
Ganancia electrnica: cuntos electrones se
producen por cada 100 fotones (eficiencia
cuntica).
109
Electr6nica fsica
Ruido: a una temperatura dada, siempre
existen electrones y huecos generados. Este
parmetro indica cuntos fotones son indis-
pensables para ser detectados.
Velocidad de respuesta: indica qu tan r-
pido puede cambiar un evento ptico que
cambia las caractersticas elctricas.
Tamao.
Requerimientos de potencia.
Confiabilidad.
CONCLUSIONES
En este captulo presentamos una introduccin
al funcionamiento de los dispositivos a base de
semiconductores ms comunes. Iniciamos con
la unin de dos materiales arbitrarios que alcan-
zan el equilibrio al ;gualar sus niveles de Fermi;
el control de la corriente elctrica en los disposi-
tivos bipolares como la unin p-n, con efectos
como rectificador o capacitor controlado por
voltaje, hasta llegar al transistor de unin, que
funciona como un resistor de resistencia varia-
ble por la inyeccin de portadores en la base.
Tambin vimos los dispositivos unipolares que
basan su funcionamiento en el movimiento de
la carga elctrica, como el capacitor MOS, que se
puede emplear para mover carga elctrica o
como sensor de imgenes, o el MOSFET, que con-
trola la conductividad entre fuente y drenaje con
el voltaje de compuerta.
Finalmente, se present una breve descripcin
de los dispositivos optoelectrnicos de semicon-
ductores, los de generacin de luz como en los
LEO, o lseres, o deteccin de luz como es el caso
de los fotodetectores.
Ejercicios
Seccin 1
1I1.1.1! Demuestre la validez de la ecuacin II I.3.
III.1.2. Demuestre la validez de la ecuacin m.6.
m.I .3. Demuestre la validez de las ecuaciones de la figura 111.8.
IlI.1.4. Demuestre la validez de la ecuacin 111.13.
Seccin 11
Mencione si las siguientes afirmaciones son falsas (F) o verdaderas (V):
111. 2.1. Siempre que se unen dos semiconductores, para llegar al equilibrio, fluyen electrones del semicon-
ductor que tiene ms electrones al que tiene menos. ( )
111.2.2. Existe potencial de contaclo en las uniones p-n de un mismo semiconductor. (
m.2.3. Al aumentar el potencial aplicado en una unin p-n en inversa, aumenta el ancho de la zona desrtica.
1II.2.4. Los electrones fluyen del material que tiene menor funcin trabajo a I material que tiene mayor funcin
trabajo para llegar al equilibrio. ( )
III.2.5. Fluye carga elctrica a travs de la estructura MOS ideal.
Responda las siguientes preguntas:
111.3.1. Qu es un seudoni vel de Fermi?
Seccin JII
111.3.2. Qu es ti empo de vida de los portadores y cmo se modifica?
III.3.r Cmo puede medirse el potencial de contaclo de una unin p-n y por qu?
Los t"jt'rdcios marcados con asterisco \:'Sitio resurltos al final del libro.
110
Estructuras electrnicas bsicas
111.3.4. Qu relacin existe entre el voltaje de encendido de una unin P-/I y el potencial de contacto?
III.3.5. Cmo puede realizarse un acceso elctrico en un semiconductor tipo Il?
Seccin IV
Ill.4. Resuelva el siguiente crucigrama. Cuando la respuesta es una palabra o smbolo compuesto, omita los
espacios. El smbolo t- indica que debe escribirse primero la ltima letra y terminar con la primera.
Horizontales
1. Proceso fsico en los semiconductores, que en ciertas aproximaciones se escribe fuera del equilibrio como /l / t.
2. Intervalo de tiempo que permanece un electrn en la banda de conduccin, entre la generacin y la
recombinacin.
3. Estructura bsica de los semiconductores heterogneos.
4. Distancia energtica entre el nivel de Fermi y el nivel de vaco 19. t-
5. Semiconductor tal que en el equilibrio 110 > > po. t-
6. Semicond uctor que supera al Si en las aplicaciones de alta frecuencia yelectropticas.
7. Valor mnimo de energa en'!.! banda de conduccin.
8. Diferencia de potencial entre los mnimos de las bandas de conduccin de una unin P-f en equilibrio.
9. Semiconductor en que las propiedades elctricas pueden cambiar de regin en regin.
10. Zona de transicin que se forma al unir los semiconductores 11 y p.
11 . Semicond uctor ms importante en la elect rnica moderna. t-
12. Smbolo del nivel de Fermi.
13. Energa que limita los estados vacos y ocupados a bajas temperaturas.
14. Fuente de radiacin monocromtica, coherente y direccional.
15. Nombre de la primera letra del alfabeto griego.
111
Electrnica fsica
Verticales
Magnitud energtica esencial en el estudio de los semiconductores. Entre otras cosas, permite determinar
no y po.
2. Corriente que se obtiene slo en los semiconductores cuando existe un gradiente en su concentracin
de portadores.
3. Caracterstica distintiva de las uniones p-n y MOS, dQ/d V.
4. Nombre comn de los dispositivos que presentan efecto rectificante.
5. Nombre del efecto que se tiene cuando la relacin entre corriente y voltaje es muy asimtrica. t-
Nombre genrico de los semiconductores en los que el nivel de Fermi est dentro de la banda prohibida.
7. Portadores que existen en menor cantidad en un semiconductor en equilibrio.
8. Siglas de los dispositivos ms comunes que controlan las propiedades elctricas del semiconductor
a travs del efecto del campo elctrico E.
9. Porlador de carga que se mueve en la banda de valencia.
10. Material magntico con induccin magntica remanente muy elevada.
Seccin V
111.5. Relacione las dos columnas.
1. Unin p-n real. )( )(
ilE
f
= O
2. MOS. )( )(
19 .. > !Psc(p)
3. Unin MS rectifican te. )( )( nl t
4. Unin MS hmica. )( )(
X
5. Equilibrio. )( )(
n = Nc explE
r
- E,lkT]
6. Metal. )( )(
7. Semiconductor. )( )(
/. = q(D" " ", / L. + D, / Lp)
8. Unin p-n ideal . )( )(
IV.
9. Recombinacin. )( )(
/0"
qcrv,N,I1W
2
)( )(
!P., > !JIsc (n)
)( )(
'98"
)( )( V.
)( )(
!p", < 'Psc (n)
)( )( Inversin de poblacin
)( )(
IV,
)( )(
!JI ... <!JIsc (p)
Seccin VI
1II.6! Estudio de la unin p-n.
Una unin p-n puede ser empleada para detectar luz. Considere los siguientes dos dispositivos:
112
EG&G V ACrEC, VrS3028
Celda solar
V
oc
= 0.57 V @100
lse = 86 mA @100
rea = 392 mm
2
Estrrtctllras electrnicas bsicas
EG&G VACTEC, VTP100
V
8R
=30V
lse = 70
lo= 30 nA
C,=50pF@3V
rea = 7.45 mm
2
Fotodiodo
Responsitividad = 0.05 A cm
2
@940 nm
R SH = 0.25 CO:
a) Seale las diferencias entre una celda solar y un fotodiodo.
b) Para la celda solar, indique la carga en la cual se obtendra la mxima potencia. Suponga una curva
corriente versus voltaje de forma parablica.
c) Explique qu parmetros determi nan la rapidez de respuesta de un fotodiodo.
d) Para el fotodiodo, disee un circuito elctrico que permita detectar un tren de pulsos en un osciloscopio
con un Mn de resistencia de entrada y una seal ptica de 100 de luz verde y 50% Out y CycJe seal
cuadrada con un periodo de 1
e) Qu le pasar a la curva corriente versus vol taje de un diodo normal, si se aumenta la temperatura? Si se
supone vlido el modelo de Schocklcy, demuestre que al aumentar 5C se duplica la corriente en inversa.
Secci n VII
1II .7" Estudio de la estructura MOS.
Con los siguientes materiales se construye un sistema MOS ideal.
Metal
Silicio tipo 11
qx = 4.15 eV
qql=4. 15eV
xido
Eg - 8 eV
SCllliC011ductor
Silicio tipo P
qx = 4.15 eV
qql = 5. 0 eV
Eg == 1.12 eV
Suponga que V
R
y VOl se miden respecto al metal y que en el equilibrio VOl == 0.4 V
a) Construya el diagrama de energa potencial electrosttica en el equilibrio.
b) Explique cmo alcanzara la condicin de fuerte inversin de poblacin.
111.8. Dibuje el diagrama del campo elctrico para la siguiente distribucin de carga el ctrica.
''''.
N
N,
O
"
- N.
i--
113
Electrnica fsica
RESPUESTAS A LOS EJERCICIOS SELECCIONADOS
1.1. Una gran cantidad de fuentes de radiacin pert enecen al grupo de fuentes trmicas, que radian energa
electromagntica en proporcin directa a su temperatura. Las fuentes que presentan radiacin de cuerpo negro
pertenecen a este grupo y tienen las siguientes propiedades:
Cumplen la ecuacin de Stefan-Boltzmann:
donde Wes la irradiancia o potencia total radiada por unidad de rea, (J representa la constante de Stefan
(o = 5.67 x l O-SWm-2K-<4), T es la temperatura absoluta y E es la emisividad. La emisividad tiene valores de cero
a uno, el valor de uno corresponde al emisor ms eficiente de radiacin trmica, y se conoce como cuerpo negro.
Cumplen la ley de desplazamiento de Wien:
I-"T = 2
donde 1..", es la longitud de onda a la cual !a potencia radiada es mxima a una temperatura dada, lo que indica
un corrimi'nlodel mximo de radiacin hacia menores longitudes de onda cuando se aumenta la temperatura.
Empleando esta ecuacin y el hecho de que el mximo de la radiacin solar se encuentra a 0.47 }lm, podemos
decir que el Sol radia como si fuera un cuerpo negro a 6 000 K aproximadamente.
Las dos ecuaciones anteriores fueron explicadas correctamente por Planck y estn contenidas en su
ecuacin fundamental para la radiacin del cuerpo negro:
w 1 ) [-"'--]
- )..5 l exp(hc/UT) - 1 m
2
m
donde WJ.. es la polencia radiada por unidad de rea para una longitud de onda dada.
As, ur ,: uerpo negro cambia su color con la temperatura. Un cuerpo negro a 7C tiene su mximo de
radiacin a una longitud de onda de 10.24 }lm; a 47C tiene su mximo de radiacin a 9.06 }lm; 727C a
2.9 }lm; 3 22:r'C a 724 nm (color rojo) y 5727C a 483 nm (color azul).
1.4. Para el modelo del tomo de hidrgeno se cumple que la energa permiti da toma la siguiente forma:
La frecuencia se puede calcular de la ecuacin 1. 6.
a) Para ionizar un tomo de hidrgeno se requiere apli car una energa suficiente para mover el electrn del
ni vel n = 1 hasta n --+ oo. Esto es, E = 13.6 cV y a esta energa le corresponde una frecuencia
v 13.6 -3.29 x 10
15
Hz
Iz 4.14xlO-\5
que en el espectro electromagntico corresponde a radiacin ultravioleta y no es visible.
b) Para desplazar el electrn del nivel n = 2 al ni vel n = 3 se necesita aplicar una energa
114
Respuestas a los ejercicios seleccionados
A esta energa le corresponde una frecuencia n = 4.57 x 10
14
Hz, que en el espectro electromagntico corres-
ponde al rojo.
1.7. Para obtener esta relacin, se puede iniciar expresando el valor promedio de la cantidad movimiento
lineal:
J
o [" a lo
(p, ) = - o t) i ax r(x, t)dx
Obteniendo la derivada respecto al tiempo se obtiene:
a(p, )
at i __ al dX i _ dx at
Sustituyendo la expresin para la derivada de <p en el tiempo, obtenida de la ecuacin de Schrodinger, se
tiene:
Pasando a una de las integrales los trminos que incluyen la dependencia en la energa potencial V y
realizando el lgebra inmediata, se tiene:
a(p, ) h' So a . So av
---at:'- 2; -- ox oX -ax- -q dX
l
dx - _! ax-<pdx
La primera es una integral exacta que al evaluaren "" desaparece y la segunda integral es el valor promedio
de la fuerza, que es 10 que se quera demostrar.
a(p,)=(. aV )=(F)
iJt dX
1.8
a) \V = 1 para tejo x > O. No es una \V asociada a un sistema fsicC" ya que no cumple el tercer principio de la
mecnica cuntica --+ 00) = O.
b) '1' = O. es una \V asociada a un sistema fsico, ya que no representa ninguna partcula.
e) '1' = ae-
r
a deber definirse de la condicin de normalizacin, pero sta s satisface las propiedades de la
funcin de onda para un sistema fsico.
d) '1' = ne' para todo x > O. No es una \V asociada a un sistema fsico, ya que no cumple el tercer principio de
la mecnica cuntica 'I'(x --+ 00) = O, entre otros.
e) '1' = sen x para todo x. No es una \V asociada a un sistema fsico, ya que no cumple vari os de los principios
de la mecnica cuntica, el nmero tres en particular.
1.9
o) Empleando la misma ecuacin que en el ejercicio 1.4, con E = 2.4 eV, ya que por definicin de funci n
trabajo define la energa de ionizacin en un slido, se obtiene v = 5.8 X 10
14
Hz.
he 4.14 x 10-
15
3 x 10
g
b) La energa asociada a esli1. longitud de onda es: E = -:;- 4.13 eV, donde se ha
fI. 300 x 10-9
empleado la relacin de la velocidad de la luz e = AV. Esta energa de la onda electromagntica al incidir en el
slido, 2.4 eV, se emplea para sacar al electrn del materiill, lo que produce una energa cintica resultantp de
1.73 eVo
UD. Un electrn acelerado por una diferencia de potencial de 25 kV adquiere una energa de 25 keV. La
longitud de onda de De Broglie se obtiene con la ecuacin del ejerci cio anterior, y es:
115
Electrnica fsica
'=.!!.:.= 4.14. x 10-
15
3 x 10
8
- 496
fI. E 25000 . x u m
1.13
a) La irradiancia del lser (ll.I .... ) como slo incide en la pantalla del cine por un sistema de desviacin, es
igual a la potendadel lser (P1.he.) sobre el rea de la pantalla. La irradiancia de la fuente isotpica incandescente
(I lm.pm), radia su potencia (Pl.Imp.,.) en un ngulo slido de 4 'P de la que se emplea slo la potencia que incide
en la pantalla, que se extiende en un ngulo slido ni' En realidad, el sistema de proyeccin aumenta en gran
medida la eficiencia.
1 =. pu .... .
l.I"". 4.8'
I Um!'"f. =.
Pum!'" n
4.1[ 1
48
b) De acuerdo con el resultado del inciso anterior, la pantalla tiene una radiancia L...n .. h:
donde k es la eficiencia de renexin de la pantalla. La pantalla radia con un ngulo slido igual a 27t, ya que
slo radia hacia el frente. La cantidad de potencia que puede recibir un observador ('PobR<vod"") depender del
rea de radiacin y del ngulo slido (0
2
) que forman el observador y la pantalla.
11. 4. Para determinar las temperaturas crticas, es necesario contar con expresiones que muestren su
dependencia con la temperatura.
donde es posible suponer que E
c
-E
o
= 0.012eV y, adems, que es independiente de la temperatura,
k = 8.614 x lO...,o eVK-L, mientras que N
c
Y N
v
muestran una dependencia de la temperatura (ecuaciones n.25 y
11 .26) de la forma oc: 71. Con los valores para estas funciones a temperatura ambiente, es posible obtener una
funcin con la temperatura de la siguiente forma :
,
N
c
= 5.39 x
116
Respuestas a los ejercicios seleccionados
E = 1.17 _ 4.75 x 10"""'y2
I T+636
Con estas ecuaciones se obtienen las siguientes relaciones que se pueden resolver mediante algn mtodo
numrico:
Ts(ln T/
11
- 5.223) = 139.3, T
s
=90.6K
Ti (In T; - 11.44) = 11 609 1.17 ,T
I
= 1 054.4 K
, (4,75 x 1 0 ~ ~ l
T+ 636
11.6. S, ya que al formar el slido de hidrgeno es posi ble esperar que se forme una banda s que estara
ocupada a la mitad, ya que existe un elect rn por tomo y en los niveles s pueden estar dos electrones. Lo difcil
es formar el hidrgeno slido.
Los metales monovalentes, lit io, sodio, potasio, etc., son los ms simples de estudiar y su estructura de
bandas, de una manera simplista, se puede ver como una banda de conduccin que se forma del amontona-
miento de los niveles s.
Los elementos, cobreeu (NA = 29), plata Ag (NA = 47) Y oro Au (NA = 79) en su estado base tambin tienen
un electrn por tomo en una banda medio ll ena, obtenida de los niveles 4s, 5s y 6s respectivamente, lo que ios
caracteriza como buenos conductores de la electricidad, de manera similar al caso anterior.
Un grupo de metales ms complicado son los metales de transicin, hierro, cobalto y nquel, donde existe
una superposicin de niveles s y d al formar la banda de conduccin, que les transfiere menor conducti vidad
elctrica y propiedades magnticas interesantes.
11.11 Cualitativamente, si el cubo de silicio est siendo iluminado por una de sus caras, se espera que la
generacin sea mayor en la superficie expuesta y cada vez menor dentro del materi al, ya que la absorcin del
malerial (generacin de pares electrn-hueco) hace disminuir la intensidad. Si la energa de la radiacin
aumenta, la absorcin es mucho mayor, lo que evitara que la radiacin penetre en el semiconductor. El
gradiente de concentracin estara determinado por la densidad de portadores en la superficie del material y
en la difusin de los portadores.
'.
'.
'. '
...
to
Radiacin . -to
,
to :-
...
'------===----7'.
y
y
"
x
117
Electrnica fsica
11.15. Ciclo de histresis magntica.
El rea del ciclo de histresis magntica es proporcional al trabajo por unidad de volumen necesario para
cambiar el material ferromagntico alrededor de un ciclo y es disipada en forma de calor.
En el secundario y de acuerdo con las propiedades del transformador, se tiene que:
donde N, es el nmero de vueltas en el secundario, A es el rea del ncleo, y $ es el flujo magntico a travs
del secundario.
En la malla del secundario se tiene, al aplicar la ley de Kirchhoff de voltajes:
Si se cuenta con un capacitar suficientemente grande, e igualando las dos ecuaciones anteriores, se tiene:
Re
B=--V,
N, A
Para el primario, aplicando la ley de Ampere, se tiene:
donde N
p
es el nmero de vueltas en el primario, ~ es la corriente del primario y L es la circunferencia del
nclco. Empleando la ley de Ohm al resistor del primario, se tiene:
m.l.l . El equilibrio se alcanza cuando no existe corriente neta en el dispositivo:
Con las ecuaciones 111 .1 y 111.2, Y 111.25 se obtiene el resultado esperado:
de donde se puede obtener:
que produce finalmente E
u
, ::: E
rs
'
111. 3.3. El potencial de contacto no se puede medir con un multmetro, ya que el multmetro s6lo mide
diferencias de niveles de Fermi y los sistemas en equilibrio no tienen diferencia de niveles de Fermi. ste
desaparece al desplazar carga elct rica para alcanzar el equilibrio. Existen mtodos indirectos que miden el
potencial de contacto; particularmente, la capacitancia en inversa es til para medi r y caracterizar el contacto
entre los semiconductores, como se seala en la figura III.1S.
118
Respuestas a los ejercicios seleccionados
Las curvas reales de capacitancia versus voltaje en inversa son un tanto diferentes de la figura 1t1.1S, en virt ud
de que la aproximacin de uni n abrupta no se cumple en realidad, y la capacitancia disminuye al aumentar
el voltaje en inversa pero de una manera diferente.
La capacitancia a voltaje cero es del orden de 5 pF/ mm
2
en los dispositivos rpidos en rea pequea, a
500 pF/mm! en dispositivos de potencia de rea grande.
III.6. Unin p-n.
a) Los fotodiodos y las celdas solares son que por efecto de la luz modifican la curva de corri ente
versus voltaje. Los fotones de la luz generan pares electrn-hueco que por efecto del campo elctrico interno de
la unin pon separan a los portadores. Los electrones se desplazan al semiconductor tipo n y los huecos al
semiconductor tipo p.
Si las terminales de la unin p-n estn desconectadas se genera una autopolarizacin conocida como voltaje
de circuito abierto V
oc
' Si existe un alambre entre las terminales de la unin p-n pasa una corriente de cort o-
circuito IN' Estos parmetros son funcin de la irradiancia y se caracterizan por su responsitividad.
Curva para la unin
pon en l a oscuridad.
Fotodlodo. /
Habitualmente se polariza.
1",
\ Celda solar.
Habitualmente se
autopolarlza.
b) En la celda solar, se ti ene que V
oc
=0.57 Vy 1", =86 mA @loomW/cm-
2
en unreade92mm
2
, loque
produce en la aproximacin de una funcin parabli ca la curva siguiente. Se puede ignorar el signo si se
reconoce que la celda solar aporta potencia al circuito:
1 = 86 - 264.7 V' (mAl
La potencia mxima se calcula de la manera habitual, ya que en la corriente de cortoci rcuito y en el voltaje
de circuito abierto es cero.
La potencia mxima se obtiene cuando V = 0.3291 V, que se alcanza con un resistor de 5.74 O.
e) El tiempo de respuesta de un fotodiodo se defi ne como el tiempo que toma a los portadores generados
por la luz alcanzar la unin p-I/.
Bsicamente, existen tres componentes que determi nan esta cantidad:
Tiempo de coleccin: tiempo que les toma a los portadores desplazarse en la zona desrtica. Este nmero
es muy pequeo y por lo comn es del orden de un nanosegundo.
Tiempo carga: es el tiempo necesario para cargar o descargar el capacita r de la zona desrtica, y es
proporcional a la multiplicacin de la capacitancia de la unin y la resistencia de carga. Si e -= 100 pF
Y R =SO O t = Sns, si R :0 2 O,entonces t = 200 ns.
Tiempo de difusin: es el tiempo necesari o para que los portadores generados fuera de la zona desrtica
alca ncen la zona desrtica. Si la radiacin se ,l bsorbe poco, como en el infrarrojo, este tiempo llega a ser
de 2 Il s; si se tiene gran absorcin, como en el color rojo, se puede ll egar a tener una respuesta de 50 ns.
La velocidad de respuesta se incrementa si se emplea un dispositivo de rea pequea, una. pequea.
capacitancia de uni n, un voltaje en inversa grande, radiacin visible y una pequea resistencia de carga.
d) En estado estable la corriente del fotodiodo en la. oscuridad es de 30 nA. Al ilumi narlo con 200 11 W de radiacin
visible (ya que en promedio recibe l OOmW), probablemente mande la corri ente del fotodiodo a saturacin, ya que
119
Electrnica sica
al multiplicar la !"f>5ponsitividad por la potencia luminosa y dividir entre el rea se obtienen 134 ~ A La
velocidad para cambiar de 30 nA a 100 ~ A est limitada nicamente por el tiempo de carga; ste se minimiza al
polarizar la unin en inversa, cerca de V
BR
y poniendo una carga de . / C - 500 ns/SO pF - 10 kO o menor en
paralelo con el (otodiodo. En un osciloscopio podra medirse la cada de potencial en un resistor de 1 kn debido a
la fotocorriente, sin cambiar el tiempo de respuesta. Esto producira cambios de 100 mV a 30 ~ V Una alternativa
ms verstil se consigue con un amplificador de corriente a voltaje, como se ilustra en la siguiente figura:
v,
;>--'----.v,
+
Convertidor de corriente a voltaje
Amplificador de corriente a voltaje
e) El coeficiente de temperatura de un dispositivo se define como:
1 dX
TCr=X dT
donde X puede ser resistencia, capacitancia u otra variable.
Una unin ~ n en inversa tiene una corriente con la siguiente expresin:
(
Don; D,n;) qADn; ( E )
15 = qA LnNII + L,.ND ~ = Br exp -#
donde B es una constante independiente de la temperatura. La dependencia con la temperatura es un recuento
de la densidad de portadores intrnsecos.
donde se ha puesto T = 300 K, E = 1.12 eV y kT = 0.0259 eV. La corriente en inversa se duplica cuando TC
r
toma
el valor de uno, o sea, cada 6.5C.
Una unin ~ n en directa tiene una corriente con la siguiente expresin:
donde se ha puesto T= 300 K, E, = 1.12 eV, kT = 0.0259 eV y V
o
= 0.6 V. La corriente en directa se duplica
cuando TC
r
toma el valor de uno, O sea, cada 13C.
120
Respuestas a los ejercicios seleccionados
111.7. MOS
a)
'11.
q ------- - --- - --
Ev--------------4
Ee
__ --------------Ev
b) Se alcanza una fuerte inversin cuando 1'9.1 = 219B- En este caso
V ... _O.4V
'9, = $ ... -41 .. - Yo. =
5- 4.15- 0.4 = 0.45 V
~ . = ~ . x. - Eg/2q = 5 - 4.15 - 1.12/ 2 =0.29 v.
Para tener una fuerte inversin es neccsarioaplic,1[ un voltaje positivo al metal respecto al semiconductor, para
lograr que las bandas del semiconductor se doblen 0. 13 V mas.
121
Electrnica fsica
Constal/tes
Nombre Smbolo Valor
Constante de Avogadro
N.,,,, 6.022 x 10
23
mol-
1
Constante de Boltzmann k 1.38 x 10-
ZJ
J/K
Carga elemental
q
1.602 x 10-
19
C
Masa del elect rn
111 0.911 x I D-" Kg
Electrn-volt
eV 1 eY = 1.60218 x 10-
19
J
Permeabilidad en el vaco
J,
1.2566 x ~ H/ cm
Permisividad del vaco
"
8.854 x 10-
14
F / cm
Constante de Planck f
6.626 x 1()-l-f Js
Yelocidad de la luz en el vaco
e 2.99792 x 10
1O
cm/s
Yoltaje trmico (300 K)
kTlq
0.0259 V
Propiedades de Ge, Si y GaAs a 300 K
Propiedad Ge
S; GaAs
tomos/cm
J
4.42 x 10
u
5 x 10
22
4.42 X 10
22
Densidad (g/cm
J
) 5.3267 2.328 S.32
Constante dialctica 16 11 .9 13.1
Nc (cm-J)
1.04 x 10
19
2.8 X 10
19
4.7 X 10
11
Nv (cm-J)
6.0 x IO
l8
1.04 X 10
19
7 X 10
18
Masa efectiva electrones m" / 1110 1.64 0.98 0.067
Masa efectiva huecos I l ~ / mo 0.044 0. 16 0.082
Afinidad electrnica xlY)
4 4.05 4.07
Ancho de banda Eg leY] 0.66 1.12 1.424
Portadores intrnsecos (n; cm-J)
2.4 x 10
13
1.45 X 10
10
1.79 x 1()6
Resistividad intrnseca p (Q cm) 47 2.3 x 10
5
lO'
Tiempo de vida minoritario (s) Itr' 2.5 x lQ-3 lo-'
Movilidad (cm
2
/Ys), e y / 3900y 1 900 1 500 Y 450 8500 Y 400
122
BIBLIOGRAFA
DeWitt, G. Ong, Modem MOS teclmology: Proces-
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Prentice Hall , 1989.
Yang, ES, Microelectronics devices, McGraw-HiIJ,
1988.
123
Agradecimientos.
Prese"tacin .
Jntroduccin .
Captulo J. Conceptos preliminares
Fsica submicroscpica
Principio de incertidumbre
Hiptesis de De Broglie
Hiptesis de Max Planck
Nomenclatura ptica
Polarizacin de la luz
Mecnica cuntica
Ecuacin de Schrodinger
Cuantizacin de la energa
Efecto tnel
Conclusiones .
Ejercicios . .
Captulo JI. Materiales para la electrnica
Bandas de energa
Metales
Efecto Hall .
Aislantes
Estadstica de Boltzmann
Semiconductores
Estructura de bandas.
Densidad de portadores libres
Conducti vidad
NDICE
Ecuacin de continuidad: generacin y recombinacin
Propiedades pticas y magnticas.
Propiedades pticas
Propiedades magnticas
.7
.9
11
13
13
14
15
16
17
18
19
19
21
23
24
24
27
29
36
39
40
40
42
43
44
53
55
58
58
59
125
Tecnologa
Conclusiones.
Ejercicios .
Captulo JI . Estructuras electrnicas bsicas
Diodo de unin
Modelo de Shockley
Capaci tancia de la zona desrtica .
Ruptura de la unin p-n
Transitorios de la unin p-n
Contactos hmicos y rectificantes
lndice
Diagramas de energa en los contactos rectifican tes
Diagramas de energa en los contactos hmicos
Capacitor metal-xido-semiconductor
Diagrama de energa del capacitor M05
Transistor bipolar de unin (BJT)
Ecuaciones de transporte
Ganancia en corriente
M05FET ....... ........ ..
Ecuaciones de transporte
Funcionamiento
LEO, lser y fotodetectores .
Concl usiones.
Ejercicios
Respllestas a ejercicios seleccionados
Constantes.
Bibliografa
126

6
7
7
7
8
8
8
8
8
8
8'
9'
9'
9'
9'
.. .. 10
10:
O ~
l O<
1H
11(
114
122
Elect rn ica fs ica
se termin de imprimir en febrero de 1996
en los talleres de Editoria l Ducere,
S.A. de C.V., Rosa Es merald a 3 bis,
col. Molino d e Rosas, 01470 Mxico, D.F.
El tiro consta d e 1 000 ejemplares ms sobra ntes
para reposicin.
La composicin ti pogrfica, la formacin y el cuidad o
editoria l estuvieron a cargo d e Sans Serif Editores,
S.A. de C.V., telfax 674 60 91.
UNIVERSIDAD eA\.
AUTONOMA
METROPOUTANA
CM.l """""" JJA lIonllo AmpoualCO
(+)
mEEI
Formato de Pape/sta ds VencimIento
El usuario 58 obliga 8 devolver BSte libro en la fecha
"aj",. M el ""lo 'J'S.3:2'i":l
Cdigo de barras. .28 _ .... --'-" '=c.:.....:_.l-,-__
FECHA DE DEVOLUClON
Ofdenal las lechas di! vencimiento de maflala vertical .
Ca.r.ooIlf oon ei sello de "DEVUELTO' la IfICha de vencimiento a la
ontleg& delllbfo
1IIIIIIml
2893247
UAM
TK7871
QS.57
2893247
Quintero Torres, Rafael
Electronica fisica : prin
Olros ttulos en esta coleccin
Ma rgarita Alegra, Crlrso de leC/lira y redaccill
Vctor Cuevas Ahumada, Mico: rt!1lOllIcin
de las pol/icas di' es/abilizaci"
Adolfo Jimnez Ota mendi, A/OIIIOS, enlaces
y reacciones.
Abelardo Maria Flores, InSII/llO-prodllcto
Sal Holgun el al., Qllmica inorg/rica /l
Patrick Staelens, El trabajo de los ml'/lOres
Luis Rod rguez, El diseiio prelldllst rial
Jos Dolores Ju.'ircz Cervantes, Sistemas
de distribucin de I'IIl'rga elctrica
Textos de prxima aparicin
MMicm Hcnainc-Abcd, Pla/ll'aci/I y cO/I/rol
de la prodllccilI
Jos Vega Luna y Gera rdo Salgado Guzmn,
Practicas de laboratorio de sistemas digi/ales
Ana Lilia Laure3no, ProgramacilI oril'u/ada
a objetos: 1111 enfoque con ti/lOS abstractos
Juan Gonzlez Mrquez, II//roducciII al dl'm:110
bancario mt'xica/lo
Violeta Mgica y Jos de Jess Fi gucroa,
Contaminacin a/llbiell/a/, cal lSllS y con/rol
Adalberto Ca nt Chapa, Elec/r"ica 11. Anlisis
de dise,lo COII diodos y tra/lsistores
Este libro se elabor para los estudiantes de ingeniena electrnica, con el prop-
sito de facilitar el proceso de ensenanza-aprendizaje de los principios fsicos, los
materiales y los dispositivos semiconductores bsicos empleados en electrnica.
Partiendo de ideas simples de la fsica moderna, se explica la formacin de
las bandas de energa, lo que permite describir los materiales y sus propiedades
(particularmente de los semiconductores). Se presentan algunos dispositivos
semiconductores como el transistor bipolar (BJT) y el transistor de efecto de campo
(MOSFET). A lo largo del texto se ofrecen numerosas analogfas con el fin de formar
ideas claras.
El material est asociado normalmente con una introduccin al diseflo y la
fabricacin de circuitos integrados, lo que en ciertos paises es una eleccin
natural. Aqu se ha preferido presentar el material como sustento de los conoci-
mientos bsicos de la electrnica; se busca con ello una aplicacin m juiciosa
de los dispositivos electrnicos y hacer ms eficiente su uso. Desde esta perspec-
tiva, se espera que el libro sea una buena alternativa a los textos COInIlnmenIe
utilizados en los Estados Unidos o sus traducciones.
Finalmente, como el tema aquf tratado forma parte de 1u cienciu de la
ingeniera ms que de la ingeniera aplicada, y es material bico en el que te
sustenta una parte del desarrollo de la electrnica, con toda seguridad esta obra
ayudar a la comprensin de algunos de los vertiginosos avancetquete han dado
Y de los que se darn en el futuro.