SEMICONDUCTORES

EXPRESIONES DE LAS CONCENTRACIONES DE LOS PORTADORES EN FUNCIN DE LA

ENERGA DE FERMI
1
2
3
4
5
La estructura de banda ms simple de un semiconductor
Energa en la banda de conduccin (b.c.)
: ector de onda

= : masa e!ectia del electrn
: Energa del anc"o de banda pro"ibida (gap de energa)
#

Energa en la banda de alencia (b..)

( ) = : masa e!ectia del "ueco

Los electrones $ "uecos son usualmente llamados portadores libres o portadores (responsables de
la corriente el%ctrica)
Densidad de estads !a"a e#e$t"nes % &'e$s


Fa$t"es de Fe"(i
&ara los electrones &ara los "uecos
F'n$i)n de Fe"(i * Di"a$
&ara los Electrones: &ara los 'uecos:
(i (E)E*) ++ ,-. (i (E* )E) ++ ,-.
Las concentraciones n $ p de electrones $ "uecos en las bandas de conduccin $ de alencia
/


0epresentacin de la ariacin de portadores de carga en las bandas de alencia $ de conduccin.

1l aumentar la temperatura .2 ms electrones son capaces de saltar a la banda de conduccin2 de3ando estados
acos o 4"uecos4 en la banda de alencia. Los electrones $ "uecos act5an en !orma similar en el proceso de
conduccin.

6aractersticas de portadores de carga interna
El electrn El 'ueco
6arga: )e
masa en el cristal : masa e!ectia m7e
6arga: 8e
masa en el cristal: masa e!ectia m7p
9asas e!ectias
La masa e!ectia da una medida cuntica de la !acilidad en la cual puede acelerar una !uer:a e;terior a los
electrones $ "uecos del slido a tra%s de las allas peridicas creadas por potenciales atmicos internos.
El electrn de conduccin como el "ueco son partculas !enomenolgicas <ue no e;isten !uera del slido.
La idea de los "uecos re!le3a el carcter del moimiento de todo el sistema poli electrnico en el semiconductor.
6on!iguraciones electrnicas2 enlace coalente $ la estructura de bandas de energa del (ilicio $ del =ermanio
(>
(14)
? 1s
2
2s
2
2p
#
3s
2
3p
2
4 electrones e;ternos (electrones tetraalentes)
=e
(32)
? ls
2
2s
2
2p
#
3s
2
3p
#
3d
1@
4s
2
4p
2

A
.odos los nieles de la
banda de alencia estn
ocupados. En la banda
de conduccin no "a$
electrones.
&arte de los electrones de
los nieles superiores de la
banda de alencia transitan
a los nieles in!eriores de
la banda de conduccin
como resultado de la
e;citacin t%rmica.
B &ara el (ilicio ((i)
m7e ? 1.@Am C m7p ? @.3/m
B&ara el =ermano (=c):
m7e ? @25#m C m7p ? @25Dm
Las bandas s $ p se superponen o solapan mutuamente !ormando una banda com5n con AE estados.
1l disminuir la distancia interatmica r %sta banda se descompone en dos bandas de 4E estados cada una. 1 @F2
la banda in!erior contiene 4E estados llenos de electrones (es la b..)2 en tanto <ue en la banda superior todos los
estados 4E cunticos estn libres2 (es la b.c.).
1l aumentar la temperatura2 se produce rompimiento de enlaces2 <uedando electrones 4libres4 <ue contribuirn
al proceso de conduccin el%ctrica es decir se produce saltos de electrones de la banda de alencia a la banda de
conduccin.
PROCESO DE CONDUCCIN EN LOS SEMI CONDUCTORES
0epresentacin de la ariacin de la conductiidad el%ctrica con la temperatura de un metal $ de un semiconductor

CONDUCCIN EL+CTRICA USANDO EL MODELO DE ENLACE CO,ALENTE
. ? @ F .odos los enlaces completos
. + @ F 1lgunos de estos enlaces se rompen2 1 electrn genera cierta energa de3ando al tomo una
acancia o "ueco2 se !orma un enlace no saturado2 $ a" se concentra una carga positia. Gn tomo puede tomar
un electrn de uno de sus ecinos (para completar a 4 su electrn de alencia) trans!iriendo en esta !orma el
"ueco al ecino2 moi%ndose de esta manera los "uecos.
El semiconductor permanece neutro2 en este caso cuando a causa de la ruptura de enlaces coalentes se !orma
una cantidad igual de electrones libres este semiconductor se llama. HE.0IE(E6J.
n ? & ? n
i
Enlace roto: aparicin de un electrn $ un "ueco miles
D
0epresentacin de bandas de
energa de un semiconductor
0epresentacin en dos dimensiones de
la estructura cristalina del silicio
mostrando los enlaces coalentes
CONDUCCIN EN SEMICONDUCTORES USANDO EL MODELO DE -ANDAS DE ENERGA
(i se aplica un campo el%ctrico al cristal2 los electrones $ "uecos2 ambos cargados negatia $ positiamente se
moern desordenamente en sentidos opuestos al campo .

9oilidades de los electrones "uecos
Kensidades de corriente de los electrones $ "uecos
6onductiidad el%ctrica
La conductiidad de un semiconductor puede ariar rpidamente al agregar impure:as adecuadas ( dopadas o
EL.0IE(E6J().
1@
&osicin de los nieles de energa de
los tomos de la impure:a coneniente.
( n M p )2 los alores de n $ p contribu$en2 la agitacin t%rmica $ la aplicacin de un campo el%ctrico a la
muestra semiconductora.
CONDUCCIN EXTRNSECA
Si#i$i $n i(!'"e.a de# /"'! , (0t(s de As)1
La capa e;terna de los tomos de 1s2 tienen 5 electrones de alencia2 al reempla:ar una cierta cantidad de 1s por
otros de (i2 4 de los 5 electrones son utili:ados para completar los enlaces coalentes2 el 5to. electrn se
encontrar solicitado por los tomos de (ilicio de la ecindad2 esto reduce su energa de enlace con el tomo de
arsenio en una proporcin apro;imadamente igual a N
2
(para el (ilicio la permitiidad el%ctrica
N ? 12).
Esto acompaOa a la aparicin de un aumento de electrones libres. Los tomos de impure:as <ue 4dan4 electrones
libres se llaman tomos donadores.
&aralelamente al proceso de ioni:acin de los tomos de las impure:as2 los tomos de (i se ioni:an entre ellos2
contribu$endo en pe<ueOa cantidad a aumentar el n5mero de electrones libres $ "uecos.


Eiel de tomos donadores
1 temperatura . + @ F 2 6omo n ++ p P Q
n
Q
p

Si#i$i $n i(!'"e.as de# /"'! III (Indi)
Hndio: posee 3 electrones de alencia
6uando un tomo de Hndio sustitu$e a un tomo de (ilicio2 l% R!altara un electrn para saturar los enlaces
coalentes con los otros tomos de (ilicio.
&ara saturar este enlace acante2 el 4to. electrn <ue !alta2 se tomado de un tomo de (ilicio.
6omo p ++ n P Q
&
++ Q
n
11
) .ransicin de electrones de los nieles donadores
n la b.c
) .ransicin de electrones por agitacin t%rmica de
la b.. a la b.c.

n ? portadores ma$oritarios
p ? portadores minoritarios
p ? portadores ma$oritarios
n ? portadores minoritarios
LE2 DE NEUTRALIDAD EL+CTRICA
La posicin de E
!
depende adems de la temperatura $ de la concentracin de los portadores de carga.
6uando se crean nieles discretos en la banda pro"ibida correspondiente a los tomos de impure:as. la nuea
reparticin de los electrones <ue se establece se traduce por una ariacin de la posicin de E
!
.
(i el semiconductor "a sido dopado con elementos donadores $ aceptadores en concentraciones atmicas Ed $
Ea2 los portadores de carga libre <ue aparecen proienen adems de la ioni:acin de las impure:as2 de la
contribucin debido a la e;citacin t%rmica de los tomos del semiconductor puro. 1l !inal. este posee iones $
portadores de carga libre.
La carga total de todas las partculas cargadas contenidas en el cristal entero2 as como en cada una de sus partes
de un ol5men ms pe<ueOo debe ser nula.
(e obsera <ue:
a. Los electrones libres $ los iones aceptadores "acen aparecer una carga negatia igual a:
(n 8 E
)
a
) e
)
b. Los "uecos $ los iones donadores crean una carga positia igual a:
( p 8 E
d

8
) e
8
&or la le$ de neutralidad de carga el%ctrica se cumple:
( p 8 E
d
8
) e
8
8 (n 8 E
)
a
) e
)
? @
(i e
8
? e
)
(n 8 E
)
a
)? p 8 E
d
8

12
(i
(i todos los tomos de impure:as estn ioni:ados2 entonces n
d
? @ C p
a
? @
EXPRESIONES DE LA ENERGA DE FERMI
Cas 3: (emiconductor intrnseco
( n ? p)
Cas 4: (emiconductor
e;trnseco tipo n (E
a
? @)
Cas 5: (emiconductor tipo p
(E
d
? @)

MASA EFECTI,A
Estas !uer:as generalmente en !orma de campos el%ctricos o magn%ticos (o ambos a la e:) aplicados surgen en
relacin con el estudio de la conductiidad el%ctrica (campo el%ctrico aplicado) o del e!ecto 'all (campos
el%ctrico $ magn%tico aplicados).
El potencial de las !uer:as aplicadas no debe ariar muc"o a lo largo de longitudes de pocas distancias
interatmicas de la estructura cristalina. (e puede representar el e!ecto de todas las !uer:as peridicas en el
cristal mediante el parmetro llamado masa e!ica: o e!ectia2 representado por el smbolo m7
&
.
Ecuacin del moimiento de un "ueco2 en lo <ue respecta a !uer:as aplicadas d%biles
Ecuacin del moimiento para los electrones2 deber de!inirse con masa e!ica: m7
e

13
MASA EFICA6 2 LA CUR,ATURA DE LAS SUPERFICIES ISOENERG+TICAS
El moimiento de un pa<uete de ondas en un cristal lineal debido al e!ecto de un campo el%ctrico aplicado2
podemos de!inir la elocidad de grupo . .
La !recuencia asociada a una !uncin de onda de energa E est dado por:
En un campo peridico la energa E est dado por:
Dis$'si)n:
6erca del !ondo de la :ona (puntos 1 $ 1
l
de la !igura) la !orma de la cura E(,) di!iere poco de la cura para
los electrones libres. En con!ormidad m7? m.
14
En el punto de in!le;in (punto - de la !igura) d
2
ES d,
2
es igual a cero. &or consiguiente m7 se conierte en
in!inito. Esto signi!ica <ue el campo e;terior no puede e3ercer ninguna in!luencia sobre la elocidad del electrn
<ue se encuentra en el estado de energa E
-
.
6erca de la :ona del punto 6 la deriada d
2
ES d,
2
T @ (dESd, disminu$e al crecer ,). En con!ormidad con esto2 la
masa e!ectia m7 de los electrones2 <ue ocupan los nieles pr;imos al tec"o de la :ona2 resulta ser negatia.
Esto signi!ica <ue ba3o la accin con3unta de las !uer:as eN $ *
crist.
el electrn <ue se encuentra en el estado con
energa E
c
ad<uiere una aceleracin contraria por su sentido a la !uer:a e;terna eN aplicada (este portador
llamado "ueco se comporta como una partcula de carga positia2 tiene masa positia).

CONTACTO DE SEMICONDUCTORES DEL TIPO N 2 DEL TIPO P
(i la regin aceptadora (o p) del semiconductor es como aparece en el gr!ico. 6on una concentracin de tomos
aceptadores ma$or <ue la de tomos donadores (E
a
+ E
d
).
1l originarse el contacto entre las regiones del semiconductor comien:a la di!usin mutua de portadores de
cargas ma$oritarios: los electrones transmitirn de la regin n a la regin p $ la di!usin de los "uecos ser en
sentido inerso. Kebido a %stas di!usiones los electrones $ "uecos ma$oritarios se recombinan en el lado
opuesto2 originando una regin de carga espacial en las pro;imidades de la unin (positio en el lado n $
negatio en el lado p).
La regin de carga espacial est asociada a la carga de las impure:as ioni:adas <ue <uedan sin compensar a cada
lado de la unin. En esta regin prcticamente no e;iste carga libre (regin de agotamiento).
(urge un campo el%ctrico dirigido de la regin n a p.
En este campo se origina la deria de "uecos de la regin n a la regin p $ los electrones de la regin p a la
regin n. El intercambio de portadores entre las regiones n $ p continuarn "asta <ue la corriente de deria de
portadores minoritarios se iguale en magnitud con la corriente de di!usin de portadores ma$oritarios. 6omo
resultado comien:a el estado de e<uilibrio2 para el cual la corriente total por la unin p)n es igual a cero. El
estado de e<uilibrio se caracteri:a por la id%ntica posicin del niel de *ermi en todo el sistema2 en tanto <ue los
nieles de energa en la regin de contacto2 donde e;iste un campo el%ctrico2 se cura. El encoramiento de las
bandas de energa prooca la
redistribucin de las concentraciones
de electrones $ de "uecos.
15
POTENCIAL DE CONTACTO INTERNO DE E7UILI-RIO
=ran parte de la carga contenida en la regin de carga espacial en !orma de carga doble (positia $ negatia) es
carga !i3a procedente de las impure:as ioni:adas sin compensar. (e puede decir <ue el origen de esta
descompensacin es doble: por un lado est la disminucin de los portadores ma$oritarios en las regiones p $ n
como consecuencia del trasase de "uecos $ electrones a uno $a otro lado de la unin. &or otro lado los
portadores ma$oritarios cuando pasan al lado opuesto se recombinan en una distancia igual a su longitud de
dispersin. La recombinacin produce una disminucin adicional de los portadores en esta :ona $ "ace <ue la
regin de carga espacial est% prcticamente aca de portadores libres. Esta carga !i3a es responsable de la
presencia del campo el%ctrico $ del potencial de contacto cuando la unin se encuentra en e<uilibrio
t%rmico2
sin potencial
e;terno.


La magnitud de la barrera de potencial es:

EL DIODO RECTIFICADOR
Gn recti!icador es un dispositio electrnico <ue permite el !lu3o de corriente en una sola direccin.
6uando se aplica un olta3e e;terno Uo2 la situacin de e<uilibrio en la unin p ) n <ueda modi!icada. La regin
de agotamiento2 debido a la ausencia de portadores en ella2 o!rece una resistencia mu$ eleada !rente a las
regiones neutras de tipo p n. &or esta ra:n2 todo el potencial Uo cae prcticamente en la regin de
agotamiento dando lugar con ello a un despla:amiento de las energas de bandas igual a eUo.
En estas circunstancias2 la corriente de di!usin de los portadores ma$oritarios H
d
. aumenta en relacin a la
corriente de arrastre H
a
de los portadores minoritarios.
1#
6oncentracin de electrones en la regin n 6oncentracin de electrones en la regin p
(e obtiene as una corriente grande de electrones "aca el electrodo positio $ de "uecos "acia el electrodo
negatio.
&olaridad directa &olaridad inersa
(1) (-)
(i la tensin Uo2 tiene signo opuesto2 es decir el lado n positio !rente al lado p (polari:acin inersa)2 ocurre un
!enmeno similar. aun<ue en este caso se produce un despla:amiento de las bandas de energa en sentido opuesto
al anterior.
SM-OLO DE UN DIODO SEMICONDUCTOR
El pe<ueOo tringulo en !orma de !lec"a indica el sentido conencional de la corriente.
PROCESO DE RECTIFICACIN DE LA UNIN P8N
Vng : *lu3o de electrones en proceso de generacin mediante el cual se crean electrones $ "uecos.
Vnr : *lu3o de electrones en proceso de recombinacin2 mediante el cual los electrones son ani<uilados.
1nlogamente las de!iniciones para Vpg $ Vpr.
.anto la generacin o recombinacin son procesos colectios.
1/
&ara los electrones:
Kespu%s de un tiempo corto los electrones <ue se "an di!undido desaparecen por recombinacin con "uecos.
&aralelamente se produce la generacin de pares e
)
) e
8
(electrn)"ueco) en lado p.
1A
En e<uilibrio Vng ? Vnr
Lo mismo es para los "uecos
Vpr2 Vpg en e<uilibrio Vpr ? Vpg
GEHWE & ) E 6J9J 0E6.H*H61KJ0
6aso 1:
La altura de la barrera se reduce un potencial positio disminu$e la energa de los electrones.
Es !cil <ue los electrones ma$oritarios en la regin n $ "uecos en la regin p se di!unden en lados opuestos:
Vnr2 Vpr pueden "acerse grandes en comparacin con sus alores de e<uilibrioC Vng2 Vpg permanecen
inalterables. El resultado es un gran !lu3o en %ste caso de corriente el%ctrica $ una resistencia ba3a.
6aso -:
&ara la polaridad inersa2 tanto los "uecos como los electrones2 como transportadores ma$oritarios2 son
rpidamente despla:ados le3os de la unin2 esta separacin de cargas positias $ negatias (o polari:acin)
de3a la regin de la unin relatiamente libre de transportadores de la recombinacin no tendr lugar en
ninguna e;tensin apreciable. de manera <ue la unin es a"ora altamente aisladora.
1ltura de la barrera aumenta en U
@
Es di!cil <ue los portadores puedan encer la barrera de di!usin:
Vnr $ Vpr son pe<ueOos
Vng2 Vpg : dependen de la elocidad de generacin de pares e
)
2 e
8

La densidad de corriente en la unin tiende a un alor pe<ueOo constante:
)e(Vpg ) Vng) %sta corriente depende de parmetros del material $ de la temperatura . sin importar el
alor U
@
.
1D

para U
@
? @ : Vpr ? Vpg2 Vnr ? Vng

El !lu3o producido por los "uecos $ electrones

6orriente el%ctrica atra%s de una seccin 1

En cual<uier
punto de la cura caracterstica H ) U del diodo
se puede calcular la resistencia 0.
ALGUNAS APLICACIONES DE LOS DIODOS DE UNIN
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

En el circuito2 el diodo es un interruptor. 6uando el diodo <ueda polari:ado en sentido directo de3a pasar la
corriente como si !uera un interruptor cerrado2 si se polari:a en sentido inerso se interrumpe la corriente como
un interruptor abierto.
RECTIFI CADOR DE ONDA COMPLETA
2@
H
@
? corriente de saturacin corriente creada por agitacin
t%rmica
(entido de la corriente cuando el punto 1 es positio
(entido de la corriente cuando - es positio
En este caso es necesario pasar primero la tensin a recti!icar U
i
a tra%s de un trans!ormador. El trans!ormador
tiene en el arrollamiento del secundario una toma intermedia conectada en el punto medio de la bobina. Ke esta
!orma2 la di!erencia de potencial en cual<uier instante entre este terminal $ uno cual<uier de los e;tremos del
trans!ormador debe ser la mitad de la tensin entre los e;tremos. La resistencia de carga 0
L
se conecta entre el
terminal intermedio punto 12 (conectado a tierra2 U ? @)2 X el punto - com5n a los dos diodos2 los cuales a su
e: estn unidos por el otro e;tremo a cada uno de los terminales de salida del trans!ormador.
El olta3e m;imo entre los puntos 1 $ 1 (tierra) ser 8 U
m
S22 mientras <ue entre 2 $ 1 el olta3e m;imo ser de
)U
m
S2. Ke este modo2 la di!erencia de potencial U
12
? U
l1
) U
21
coincide con el alor U
m
por tantoC durante el
semiciclo positio el diodo K
1
<ueda polari:ado en directo $ transmite la seOal positia entre los terminales 1 $
-2 mientras <ue el diodo K
2
permanece polari:ado en inerso2 4blo<ueando4 la seOal negatia. 6omo
consecuencia de esto2 entre los puntos 1 $ - donde est conectada la carga 0
L
2 aparece una onda o seOal de
amplitud 8U
m
S2. Kurante el periodo negatio de la onda de entrada ocurre una situacin similar2 aun<ue a"ora
tendremos una seOal alterna de alor m;imo 8U
m
S2 entre los puntos 2 $ 1 (tierra) $ )U
m
S2 entre los puntos 1 $
1. .enemos pues <ue en este semiperiodo el diodo K
1
4blo<uea4 la seOal2 mientras <ue el diodo K
2
transmite la
seOal positia "asta el punto -.
Jtro circuito recti!icador de onda completa2 !ormado por un puente de cuatro diodos


La corriente pasa en un slo sentido por la cargaC es unidireccional.
TRANSISTORES -IPOLARES
21
El transistor bipolar de unin (transitor) esta constituido por la unin de tres semiconductores2 de carcter p $ n
alternatiamente. El semiconductor del centro suele ser mu$ estrec"o $ se denomina base. Los otros dos
semiconductores2 de signo opuesto a la base se denominan2 de acuerdo con las !unciones <ue e3ecutan2 emisor $
colector. El transistor es un dispositio de tres terminales.

&olari:acin de un transistor npn
En la estructura del transistor n p n mostrado en la !igura
ad3unta2 las tensiones U
E-
$ U
-6
polari:an las dos barreras internas de
potencial2 U
E-
neutrali:a la unin emisor)base2 es decir2 su barrera
interna de potencial. La bateria con U
-6
<ueda conectada en serie
con la polaridad de la unin colector)base. La unin emisor)base
<ueda polari:ada en sentido directo2 mientras <ue la unin colector)
base <ueda polari:ada en sentido inerso.
&ortadores ma$oritarios $ minoritarios en un transistor npn
6uando el polo negatio de U
E-
de la !igura2 se aplica al emisor2 los electrones son repelidos "acia la unin. (i la
tensin es su!iciente para neutrali:ar la barrera interna de potencial2 pasan a la regin de la base $2 como es mu$
delgada2 (digamos 15 Ym) caen rpidamente ba3o la accin de la polari:acin inersa de la unin colector)base.
Kebido a la polari:acin inersa de esta unin2 los portadores ma$oritarios de la base ("uecos) estan blo<ueados2
pero la ma$ora de los electrones procedentes del emisor se di!unden a tra%s de la base $ entran en el colector
para caer ba3o la atraccin del terminal positio de U
-6
.
INTENSIDADES 2 SENTIDOS DE LA CORRIENTE EN UN TRANSITOR n ! n1 AMPLIFICACIN
.H&J( .ransistor tipo npn

.ransistor tipo pnp
SIM-OLO
ESTRUCTURA
DIFERENCIA
Los electrones son los portadores
principales de la carga.
Los "uecos son los portadores
principales de la carga.
22
El n5mero de portadores en una regin n p se mantiene constante. El e<uilibrio se establece seg5n el
mecanismo siguiente: &or cada electrn <ue desde el emisor se in$ecta a la base2 la batera le 4suministra4 otro
de su polo negatio de N
l
. El !lu3o de estos electrones constitu$e la corriente de emisor H
E
$ su intensidad depende
de la tensin de la batera N
l.
&or cada "ueco <ue se pierde en la regin de la base por recombinacin se origina
otro cuando un electrn abandona la base $ se dirige al polo positio de N
l
. Estos electrones !orman la corriente
de base H
-
. La corriente de colector le esta !ormada por los electrones <ue desde el emisor son captados por el
polo positio de N
2.



0ecorrido de corriente en un transistor n p n
La polari:acin directa de c.c. da lugar a una corriente de
emisor H
E
de colector H
6
$ de base como Z tiene un alor
pr;imo a la unidad2 prcticamente H
E
? H
6
2 pero las
resistencias de entrada $ salida del transitor son mu$
distintas debido a las di!erentes condiciones de polari:acin
(la unin emisor)base se polari:an en sentido directo
presentando una resistencia ba3a $ la unin colector)base se
polari:a en sentido inerso $ presenta una resistencia
eleada).
=anancia de tensin
23
.ransistor polari:ado en 6. 6.