DIODO DE

SEMICONDUCCION
Jorge Meza Collado
Edgar Barajas Carneiro
Juan Manuel Bustamante Alarcn
Jorge Alberto Reyes Frias
DIODO DE SEMICONDUCCION
Se forma con solo juntar estos materiales (ge o si)
En el momento que son unidos los dos materiales, los electrones y los huecos en la regin de la
unin se combinan, dando por resultado una falta de portadores en la regin cercana a la unin.
A esta region de iones positivos y negativos descubiertos se le llama regin de agotamiento.
(debido al agotamiento de portadores)
Como el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicacin de un voltaje a travs de sus
terminales permite tres posibilidades: sin polarizacin (vd= 0 v), polarizacin directa (vd >0 v) y
polarizacin inversa (vd <0 v).
C/u es una condicin que dar resultado para que el dispositivo se aplique en forma efectiva.
SIMBOLOGIA
Constitucin interna
Necesita un alto nivel de pureza (1 parte por 10 billones)
Las caractersticas de los diodos se alteran mediante la aplicacin de luz y calor
Estructura atmica:
Definida
Peridica
Cristalina
Red
Mono cristalina
Materiales tipo n y tipo p
Adicin de impurezas (1 parte en 10 millones)
Tipo n 5 electrones (electrn libre)
Antimonio
Arsnico
Fsforo
Tipo p 3 electrones (vaco)
Boro
Galio
Indio
Manufactura
Obtener material con nivel de pureza deseada, impurezas menores a la
parte por billn
Refinamiento de zonas
Tecnica Czochralski
Zona Flotante
Germanio Silicio
Refinamiento de Zonas
Tecnica Czochralski
Zona Flotante
Crecimiento de la union
Aleacion
Difusin
Crecimiento epitaxial
Punto de Contacto
Polarizacin Inversa
Si un potencial externo V se aplica a travs de la unin p-n de manera que la
terminal (+) se conecte al material n y la terminal (-) al material tipo p.
A la corriente que existe en P.I. se le denomina
Corriente de saturacin inversa . Is
El termino
saturacin
proviene del
hecho de que
alcanza su
mximo nivel y no
cambia de manera
significativa con el
incremento de
potencial . VD<0 V
Polarizacin Directa
Se da cuando se aplica el potencial positivo al material tipo p y el potencial
negativo al material tipo n
Caractersticas de un Diodo
I

= I
s
(c
kv
D
T
K
1)
Donde I
s
= Corriente de saturacin
k =
11600
q
p=1 para Ge y p=2 para Si
I
K
=I
C
+273
OPERACIN DE DIVERSOS DIODOS
Diodo de Silicio
Diodo de Silicio: Suelen tener un tamao milimtrico y, alineados,
constituyen detectores multicanal que permiten obtener espectros en
milisegundos. Es un semiconductor de tipo p (con huecos) en
contacto con un semiconductor de tipo n (electrones). La radiacin
comunica la energa para liberar los electrones que se desplazan hacia
los huecos, estableciendo una corriente elctrica proporcional a la
potencia radiante.
En general, el silicio ha reemplazado al
germanio en los diodos debido a su
mayor barrera de energa que permiten la
operacin a temperaturas ms altas, y los
costos de material son mucho menores.
Diodo de Germanio
El diodo de germanio (Ge) fue el primero que se utiliz ampliamente como
detector de radiofrecuencia en los circuitos electrnicos de los receptores de radio
a partir de la primera mitad del siglo pasado. En la actualidad este tipo de diodo ha
sido sustituido casi por completo por otros de seal, fabricados con silicio,
concebidos para trabajar tambin con corrientes de altas frecuencias o
radiofrecuencia.
Diodo Tunel
Los diodos de efecto tnel. Son
dispositivos muy verstiles que
pueden operar como detectores,
amplificadores y osciladores. Poseen
una regin de juntura
extremadamente delgada que
permite a los portadores cruzar con
muy bajos voltajes de polarizacin
directa y tienen una resistencia
negativa, esto es, la corriente
disminuye a medida que aumenta el
voltaje aplicado.Los diodos tnel son
muy rpidos, pueden usarse en
temperaturas muy bajas, campos
magnticos de gran magnitud y en
entornos con radiacin alta.