PRCTICA DE LABORATORIO N 01

I. OBJETIVOS

- Verificar el funcionamiento de un JFET
- Experimentar circuitos de polarizacin del JFET


II. FUNDAMENTO TEORICO

En los transistores bipolares, una pequea corriente de entrada (corriente de base) controla la
corriente de salida (corriente de colector); en los casos de los FET, es un pequeo voltaje de entrada
que controla la corriente de salida.
La corriente que circula en la entrada es generalmente despreciable (menos de un pico amperio).
Esto es una gran ventaja, cuando la seal proviene de un dispositivo tal como un micrfono de
condensador o un transductor piezoelctrico, los cuales proporcionan corrientes insignificantes.

Los FETs, bsicamente son de dos tipos:

- El transistor de efecto de campo de Juntura o JFET.
- El transistor de efecto de campo con compuerta aislada o IGFET, tambin conocido como
semiconductor de xido de metal, MOS, o simplemente MOSFET.

EL JFET

El JFET est constituido por una barra de silicio tipo N o canal N, introducido en una barra o anillo
de silicio tipo P tal como se muestra en la Fig. A


Los terminales del canal N son denominados FUENTE (SOURCE) y DRENAJE (DRAIN). El
anillo forma el tercer terminal del JFET llamado COMPUERTA (GATE).
Inicialmente circula una corriente por la compuerta, pero posteriormente la corriente circula
nicamente desde el surtidor al drenador sin cruzar la juntura PN.

El control de esta corriente se efecta por medio de la aplicacin de un voltaje de polarizacin
inverso, aplicado entre la compuerta y la fuente (VGS), formando un campo elctrico el cual limita el
paso de la corriente a travs del canal N (Fig.B). Al aumentar el voltaje inverso, aplicado a la
compuerta, aumenta el campo elctrico, y la corriente de fuente a drenaje disminuye.



Tambin se construyen JFETs con barra de silicio tipo P y anillos de silicio tipo N, denominndose
JFET canal P.

El voltaje aplicado entre el drenaje y la fuente (VDS), no debe sobrepasar el voltaje de ruptura
(tpicamente 50V) porque destruira el dispositivo.

Si se aplica polarizacin directa a la compuerta, circular una alta corriente por la compuerta que
puede destruir el JFET si no est limitada por una resistencia en serie con la compuerta.

VALORES COMERCIALES PARA EL JFET
Voltaje VDS (V) 25,30,40,50
Potencia (W) 0.15,0.3,1.8,30

Para comprar un JFET se debe indicar su cdigo.


PRUEBA DEL JFET

Se comprueba con un ohmmetro en la escala de Rx1 o Rx10.

Entre compuerta y fuente o compuerta y drenaje debe marcar como si fuera un diodo de silicio; es
decir alta resistencia en un sentido y baja en el inverso.

Entre drenaje y fuente, el valor hmico exclusivamente del material del canal. Su valor vara entre
2K y 10K, siendo el mismo en ambos sentidos.


III. EQUIPO Y MATERIALES

Dos fuentes de voltaje ajustables de 0 a 15 V.
Un multmetro
Un JFET K373
Un LED de color (verde, rojo o amarillo)
Resistores W: de 270, 470, 33K, 4.7K, 100K, 1.8K, 2K, 1M.
Potencimetro de 10K.
IV. PROCEDIMIENTO


MEDICION DE IDSS y VP



1. Arme el circuito mostrado en la Fig. 1A, coloque un ampermetro entre el circuito y la fuente
de voltaje, encienda esta y observe tanto el ampermetro como el LED, si no pasa corriente
(LED apagado), apague la fuente e invierta las conexiones del LED. (Verifique la posicin
del LED).

2. Arme y conecte el divisor de voltaje de la Fig. 1B y conecte el terminal central a la
compuerta (retirarla previamente del nivel de referencia), gire el potencimetro y observe la
corriente, con el voltmetro mida la tensin VGS en el momento en que ID se hace cero.


Los resultados para la Fig. 1A, se muestran en la siguiente tabla:


MAGNITUD VALOR MEDIDO
VDS
VGS
VGD
IS
ID
IG






Los resultados para la Fig. 1B, se muestran en la siguiente tabla:

MAGNITUD VALOR MEDIDO
VDS
VGS
VGD
IS
ID
IG



POLARIZACION FIJA


Arme el siguiente circuito, ubique en forma adecuada los instrumentos tal que pueda medir ID y
VGS; encienda las fuentes y anote los valores de ID y VGS as tambin VDS. De ser posible cambie el
transistor con otra mesa y anote las nuevas medidas.

Los resultados se muestran en la siguiente tabla:

MAGNITUD VALOR MEDIDO VALOR CALCULADO
VDS
VGS
VGD
IS
ID
IG

AUTOPOLARIZACION

Arme el circuito mostrado. Conecte adecuadamente los instrumentos para medir ID y VGS, encienda
las fuente y anote los valores de ID, VGS y las dems tensiones del circuito.

Todo circuito debe ser armado con las fuentes apagadas previamente ajustadas al valor dado en el
diagrama.





Los resultados se muestran en la siguiente tabla:



MAGNITUD VALOR MEDIDO VALOR CALCULADO
VDS
VGS
VGD
IS
ID
IG










POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION

Arme el circuito mostrado y haga las medidas de ID as como las tensiones en los diferentes nudos
y puntos del circuito.





Los resultados se muestran en la siguiente tabla:

MAGNITUD VALOR MEDIDO VALOR CALCULADO
VDS
VGS
VGD
IS
ID
IG



V. CUESTIONARIO

1. Explicar con sus propias palabras como funciona un JFET?
2. Qu diferencia y similitudes existen entre el JFET y el BJT?
3. Investigue cuales son las ventajas y desventajas del FET.
4. Disee un circuito experimental donde intervenga un FET.
5. Justifique tericamente los voltajes y medidas experimentales. Considere IDSS =6mA y
VP=-2V
6. Analizar la grfica obtenida ID = f(VGS) y determine el valor de IDSS y VP