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UNION P-N

Ingresa a la siguiente pgina web y explora los applets mostrados, luego redacta en un
documento en MS Word explicando lo que muestra cada applet, dos pginas por cada uno.
Utiliza imgenes en tu explicacin.

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_PN_en_equili
brio_y_polarizada/Applet3.html

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley_de_Shockley/
Applet4.html

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/DiodoConmut
aApplet.html

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Los applets son animaciones interactivas, para que puedas
visualizar estas aplicaciones es necesario tener actualizada java
en tu computador, descrgalo gratis en www.java.com
DIODO DE UNIN PN POLARIZADO

La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le aplica un potencial
mayor que a la regin n. Para ello tal y como se ve, se debe conectar el polo positivo de la
batera al nodo del diodo (zona p) y el polo negativo al ctodo (zona n).



Y en stas condiciones podemos observar los siguientes efectos:

- Los huecos de la regin p los electrones de la regin n son empujados hacia la unin por
el campo elctrico Epol a que da lugar la polarizacin. Por lo tanto se reduce el ancho de
la zona de transicin.
- El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la unin Eu. As se reduce el
campo elctrico de la unin y consecuentemente la barrera de potencial. La barrera de
potencial p-n se reduce en la forma VJ=Vo. Con la polarizacin directa de la unin p-n se
reduce en la forma VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa aplicada a dicha unin.





-

LA LEY DE SHOCKLEY



Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF
o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de
barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n p, dispuestas alternadamente. Es
un tipo transistor.
La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia
(OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la
tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo
desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y
disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para
volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento.
Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo todava ms la corriente, mientras
aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo
equilibrio en la regin en la regin I (Punto A).



COMMUTACION DEL DIODO


- En este grfico se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin
aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del
esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un
conmutador, un circuito de polarizacin y un diodo de unin.
- ste esquema se sita en la parte superior derecha del grfico y se puede conmutar con
las indicaciones correspondientes. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y una
flecha que seala la mencionada zona sensible.
El usuario puede modificar todos los parmetros del circuito presionando el botn del panel
superior con el texto Parmetros circuito. Al presionarlo aparece una ventana con tres campos
editables donde se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF),
la tensin inversa (VR) y la resistencia de polarizacin (R.) tras introducir los nuevos valores es
necesario pulsar el botn Aceptar de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan
efecto los cambios.
Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde se representan los
parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del diodo.
La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito, la segunda la corriente que
circula por el diodo, la tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo y la ltima grfica
es la tensin que cae en bornas del diodo. Estas cuatro grficas se van actualizando en el tiempo y
se irn desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo.



En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen el
comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones
literales para la carga del diodo, la tensin en bornas del diodo y para los perfiles de los
minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de cada una de stas ecuaciones se
muestran las mismas pero sustituyendo cada variable por el valor actual que tiene en la
simulacin. Algunos de los parmetros son constantes en el tiempo (hasta que se
modifican por parte del usuario), pero otros se modifican instantneamente conforme
evoluciona el tiempo. Tambin a la derecha de las grficas se muestran los valores
instantneos para stas funciones temporales.

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