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Repblica Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Defensa
UNEFA
Valera. Edo- Trujillo

INTEGRANTES:
MORENO B. Yamel S.
MORENO T. Daniel E.
PEA C. Ymalay K.

Ingeniera de Sistemas


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INDICE
Pg.
INTRODUCCIN... 3
SEMICONDUCTOR.. 4
TIPOS DE SEMICONDUCTORES. 4
MOS (Metal-Oxide-Semiconductor O Metal-xido-Semiconductor)..
5
Funcionamiento. 6
Etapas:
Acumulacin 7
Agotamiento 7
Inversin.. 8
Capacidad... 9
Cargas. 10
Variaciones. 10
Aplicaciones 11
CONCLUSIONES. 12


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INTRODUCCION
El Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o
como un aislante dependiendo de diversos factores, como el campo elctrico o
magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en
el que se encuentre.
Existen dos tipos de semiconductores como lo son los semiconductores
intrnsecos el cual es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura
tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos.
Y los semiconductores extrnsecos que a su vez se divide en semiconductor tipo N
que se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de
tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga
libres y un semiconductor tipo P que se obtiene aadiendo un cierto tipo de
tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga
libres.
El MOS o Metal Oxido Semiconductor al cual tambin se le denomina MIS
(Metal Insulator Semiconductor) es la base de los dispositivos semiconductores
ms modernos. Es un dispositivo electrnico formado por un substrato de silicio
dopado, sobre el cual se hace crecer una capa de xido (SiO
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). Los elementos se
contactan con dos terminales metlicas llamadas substrato y compuerta.


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SEMICONDUCTOR
Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como
un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo
elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del
ambiente en el que se encuentre.
El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio,
posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica
comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin
electrnica sp.
TIPOS DE SEMICONDUCTORES
Semiconductores intrnsecos
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica
similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, cuando el
cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber
la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a
temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los
electrones pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de
conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este
fenmeno se le denomina recombinacin.
Semiconductores extrnsecos
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).
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Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).

MOS (METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR O METAL-XIDO-
SEMICONDUCTOR)
Una estructura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor o Metal-xido-
semiconductor) es un dispositivo electrnico formado por un substrato de silicio
dopado, sobre el cual se hace crecer una capa de xido (SiO
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). Los elementos se
contactan con dos terminales metlicas llamadas sustrato y compuerta. La
estructura se compara con un condensador de placas paralelas, en donde se
reemplaza una de las placas por el silicio semiconductor del substrato, y la otra
por un metal, aunque en la prctica se usa polisilicio, es decir, un policristal de
silicio.
EL CAPACITADOR IDEAL MOS




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FUNCIONAMIENTO
La estructura NMOS est formada por un substrato de silicio dopado con
huecos. Al aplicar un potencial de compuerta positivo, los electrones presentes en
el substrato (portadores minoritarios) son atrados hacia la capa de xido de
compuerta. Al mismo tiempo, los huecos son repelidos de la capa de xido de
compuerta debido a que el potencial positivo los aleja. Esto ocasiona una
acumulacin de electrones en la cercana del xido, en donde el silicio presenta un
exceso de electrones y por lo tanto es de tipo N. La inversin del dopado en el
silicio (que antes era de tipo P) es lo que le da origen al nombre de esta regin.
Tambin se produce una regin de agotamiento de portadores en las cercanas
del xido, debido a que los huecos del sustrato se recombinan con los electrones
atrados.
La estructura PMOS est formada por un substrato de silicio dopado con
electrones. Al aplicar un potencial de compuerta negativo, los huecos presentes en
el sustrato o portadores minoritarios, son atrados hacia la capa de xido de
compuerta. Los electrones son repelidos del xido de compuerta debido a que el
potencial negativo los aleja. Los huecos se acumulan en la cercana del xido, en
donde el silicio acumula un exceso de huecos y por lo tanto se comporta como un
material de tipo p. La recombinacin de huecos y electrones produce una regin
de agotamiento.
La tensin positiva aplicada en la compuerta de una estructura PMOS se
distribuye a travs de las capas de materiales de acuerdo con la siguiente
ecuacin
1



En donde

Es la tensin de compuerta.
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Es la diferencia de las funciones de trabajo entre el metal y el
semiconductor: ,
Es la cada de tensin en el xido.
Es la cada de tensin en el semiconductor

ETAPAS DEL MOS
ACUMULACIN
En la etapa de acumulacin las cargas se almacenan en el xido por el
mismo principio de operacin de un condensador, en donde el dielctrico se
polariza de forma proporcional al campo elctrico aplicado.
Realmente lo que ocurre es lo siguiente:
Caso PMOS:
Aplicamos un potencial negativo en la compuerta. Esto induce electrones,
atrayendo huecos a la interface y creando un campo elctrico. De ah el nombre
de acumulacin.
Caso NMOS:
Aplicamos un potencial positivo en la compuerta. Esto induce huecos,
atrayendo electrones a la interface y creando un campo elctrico.

AGOTAMIENTO
Al incrementar el potencial de compuerta, los electrones y los huecos se
comienzan a recombinar en el semiconductor para formar la regin de
agotamiento.
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Caso PMOS:
Aplicamos potencial positivo a la puerta, con lo que se acumula carga
positiva en el metal. El Semiconductor es tipo N, con lo que se atraen electrones a
la interface y se apartan los huecos que haba antes en la interface. Se produce un
campo elctrico en el sentido contrario al caso de Acumulacin, en este caso
desde el metal al semiconductor. Como consecuencia, hay una recombinacin de
electrones y huecos que produce el agotamiento del canal.
Caso NMOS:
Aplicamos potencial negativo a la puerta. Como consecuencia se atraen
huecos a la interface y se crea un campo elctrico. Del Semiconductor al metal.
Electrones y huecos se recombinan

INVERSIN
Si se contina aumentando la tensin de compuerta, se logra la inversin
del tipo de dopado del semiconductor.
Caso PMOS:
En este caso inducimos una tensin muy positiva, lo que induce muchos
huecos en el metal. Como el semiconductor es tipo N, lo que se consigue es un
campo elctrico grande que va del metal al semiconductor, y por tanto una
Intensidad grande, debido a que los electrones se acercan a la interface son
atrado por el exceso de huecos del metal.


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CASO NMOS:
Aplicamos una tensin muy negativa que hace que el metal se llene de
electrones. Como consecuencia, los huecos del semiconductor, se ven atrados
hacia la interface crendose un campo elctrico del semiconductor al metal.

CAPACIDAD MOS
En un condensador de capacidad C, aparece una carga Q, dada por la
expresin: Q=CV, donde V es la tensin entre armaduras. En el condensador
MOS, la tensin entre la puerta y el substrato hace que adquiera la carga Q, que
aparece a ambos lados del xido. Pero en el caso del semiconductor esto significa
que la concentracin de portadores bajo la puerta vara en funcin de la tensin
aplicada a sta.
Imaginemos que tenemos el substrato de silicio tipo p, es decir, conteniendo
un exceso de huecos. Lo conectamos a 0 V, y tenemos la puerta tambin
conectada a 0 V. En estas condiciones, no existe una variacin en la
concentracin de huecos. Cuando vamos aumentando la tensin de puerta, el
condensador se va cargando, con carga positiva en la parte de la puerta y
negativa en el sustrato que, en nuestro caso de semiconductor p, significa que el
nmero de huecos va disminuyendo hasta alcanzar la carga correspondiente a la
tensin de puerta. Este modo de funcionamiento se llama deplexin, vaciamiento o
empobrecimiento. Podemos continuar aumentando la tensin de puerta hasta que
ya no queden huecos en la banda de conduccin y el substrato bajo la puerta se
vuelve aislante.
Pero, si continuamos aumentando todava ms la tensin, el condensador
MOS necesita ms carga, que los huecos ya no pueden proporcionarle, por lo que
aparecen electrones en la banda de conduccin, a pesar de ser el sustrato tipo p.
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Este fenmeno se llama inversin y permite formar canales tipo n dentro de
semiconductores p. Cuanto ms aumentamos la tensin, mayor carga
introducimos y ms avanza la capa de inversin dentro del substrato, con lo que la
zona bajo la puerta se va haciendo cada vez ms conductora.
Volvamos a poner la puerta a 0 V y vayamos polarizndola con valores
negativos. Ahora la carga en el substrato es positiva y el nmero de huecos
aumenta, con lo que la conductividad, tambin. Este modo de funcionamiento se
llama de acumulacin o enriquecimiento, pues se aumenta el nmero de
portadores.
CARGAS EN EL XIDO
La descripcin anterior es terica y no se ajusta al caso real, debido a que
durante el proceso de fabricacin diversas cargas quedan atrapadas en el xido
que forma la estructura MOS. Esta carga es independiente de la tensin que se
aplique a la puerta, pero influye sobre el comportamiento de la estructura, ya que
se debe polarizar la puerta para compensar esta carga.
En circuitos digitales, se suaviza el problema usando tensiones de
alimentacin elevadas, que se han ido reduciendo al poder controlar mejor la
cantidad de carga atrapada. Modificando esta carga se vara la tensin a la que se
produce la inversin, de forma que se tiene estructuras que a cero voltios tienen
resistencia elevada, mientras que otras la tienen reducida.
VARIACIONES
Aunque el dixido de silicio es un buen dielctrico y se obtiene oxidando el
sustrato, existen otras estructuras similares con otros aislantes, constituyendo la
estructura MIS (Metal-Insulator-Semiconductor). Tambin puede haber varias
capas de dielctricos diferentes, como en el caso de las celdas MIOS.

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APLICACIONES
La estructura MOS es de gran importancia dentro de los dispositivos de
estado slido pues forma los transistores MOSFET los cuales son la base de la
electrnica digital actual. Pero, adems, es el pilar fundamental de los dispositivos
de carga acoplada, CCD, comunes en fotografa. As mismo, funcionando como
condensador es responsable de almacenar la carga correspondiente a los bits de
las memorias dinmicas. Tambin se utilizan como condensadores de precisin en
electrnica analgica y microondas.




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CONCLUSIONES.
La estructura MOS consiste en un metal, referido como compuerta, un oxido
(tpicamente oxido de silicio SiO2) y un semiconductor (tipo N o tipo P) llamado
substrato. El semiconductor ms usado es el silicio (Si). Esta estructura se
compara con un condensador de placas paralelas, en donde se reemplaza una de
las placas por el silicio semiconductor del substrato, y la otra por un metal.
En cuanto a su funcionamiento vara de acuerdo al polo en el q se aplique,
en el caso de los NMOS est formada por un substrato de silicio dopado con
huecos que al aplicar un potencial de compuerta positivo, los electrones presentes
en el sustrato (portadores minoritarios) son atrados hacia la capa de xido de
compuerta. Y en el caso de los PMOS est formada por un substrato de silicio
dopado con electrones, que al aplicar un potencial de compuerta negativo, los
huecos presentes en el sustrato o portadores minoritarios, son atrados hacia la
capa de xido de compuerta.
Este presenta varias etapas bien definidas: En la etapa de acumulacin las
cargas se almacenan en el xido por el mismo principio de operacin de un
condensador, en donde el dielctrico se polariza de forma proporcional al campo
elctrico aplicado. En la de agotamiento al incrementar el potencial de compuerta,
los electrones y los huecos se comienzan a recombinar en el semiconductor. Y en
la etapa de inversin se contina aumentando la tensin de compuerta.
La estructura MOS es de gran importancia dentro de los dispositivos de
estado slido ya que forma los transistores MOSFET, pero, adems, es el pilar
fundamental de los dispositivos de carga acoplada, CCD, tan comunes en
fotografa. Tambin se utilizan como condensadores de precisin en electrnica
analgica y microondas.