MODELADO DE LA EFICIENCIA CUNTICA DE CELDAS SOLARES DE Cu(In,Ga)Se2 DE ALTA

EFICIENCIA
M. Troviano, K. Tareo.
Consejo Nacional de Investigaciones Cientficas y Tcnicas (CONICET)
Fundamentos de Electrnica !e"artamento de Electrotecnia #niversidad Nacional del Coma$ue
%uenos &ires '()) C*+* ,-)) Neu.un
Tel/Fa0* )122 ((,,-)3 e4mail5 troviano6uncoma*edu*ar
RESUMEN
Este tra7ajo "resenta un modelo "ara la eficiencia cu8ntica interna I9E de celdas solares de Cu(In:;a)<e1 (CI;<)* Contando
con los "ar8metros de a7sorcin de cada ca"a de la celda: reali=amos muy 7uenos ajustes a curvas de I9E medidas:
utili=ando mtodos de ajuste de minimi=acin "or simulacin de tem"lado* >os "ar8metros e0trados son la longitud de
difusin Ln: la eficiencia de coleccin de la ca"a de sulfuro de cadmio fcCdS y la eficiencia de coleccin de la regin de carga
es"acial de la ca"a de CI;< fcSCR* >os "ar8metros $allados "ara las celdas de CI;< de alta eficiencia anali=adas son Ln entre
)*34'*' ?m: y fcCdS @ ): revelando .ue la ca"a de Cd< no contri7uye a la fotocorriente* >a regin de carga es"acial: "or el
contrario: arroja fcSCR A )*23: indicando la eficiente coleccin de "ortadores en esta regin*
!a"a#ra$ %"ave& energa fotovoltaica: eficiencia cu8ntica interna: longitud de difusin: CI;<: energa de #r7ac$*
INTRODUCCI'N
>as celdas solares tienen el "otencial "ara contri7uir significativamente a su"lir las demandas energticas de los "r0imos
aBos* El crecimiento sostenido del mercado mundial de "aneles fotovoltaicos y la necesidad de nuevas fuentes de energa
renova7le: $a im"ulsado la investigacin de diversas tecnologas y materiales* >as celdas solares de l8mina delgada: cuyo
es"esor ronda el micrmetro: "ueden ser "roducidas "or tcnicas de de"osicin econmicas y so7re sustratos de 7ajo costo
tanto rgidos como fle0i7les: lo cual "ermitira .ue se transformen en una fuente de energa econmicamente com"etitiva en
el futuro* >as celdas de Cu(In:;a)<e1 CI;<: $an alcan=ado las m8s altas eficiencias de todas las celdas de l8mina delgada:
llegando al '2*3 C (Contreras et al: 1))D)* Esta cifra es com"ara7le al rendimiento de las celdas de silicio "olicristalino:
mayormente utili=adas en la industria fotovoltaica con una "artici"acin de m8s del D) C en el mercado* & diferencia de las
celdas de silicio: no e0iste aEn un conocimiento "rofundo de ciertas "ro"iedades del dis"ositivo y algunos de los "rocesos
.ue tienen lugar en la celda de CI;< (Fau y <c$ocG: '222)* +or ello: un modelo .ue se 7ase so7re ra=ona7les su"osiciones
"uede ayudar sustancialmente a disminuir la distancia entre el estado del arte e0"erimental de estas celdas y la fsica del
dis"ositivo*
#no de los mtodos de caracteri=acin m8s utili=ados en celdas solares: es la medicin de la Eficiencia Cu8ntica Interna I9E*
>a I9E: "ara una determina longitud de onda: se define como el nEmero de "ares electrn4$ueco .ue contri7uyen a la
fotocorriente dividido el nEmero de fotones .ue ingresan a la celda* +oder descri7ir la I9E de la celda solar de CI;< a travs
de un modelo analtico: "ermitira conocer mejor cmo influyen varia7les tales como la longitud de difusin de "ortadores y
la eficiencia de coleccin de "ortadores de cada ca"a en el com"ortamiento es"ectral de la celda solar*
En este tra7ajo: se "ro"one un modelo de la eficiencia cu8ntica interna "ara una celda CI;< com"leta y se anali=a la
sensi7ilidad del mismo a distintos "ar8metros* >uego se toman datos e0"erimentales y mediante un algoritmo de simulacin
de tem"lado se o7tienen los valores de un conjunto de varia7les desconocidas* Estas varia7les son utili=adas en el modelo de
I9E y se contrastan las curvas resultantes con los datos e0"erimentales* Finalmente se discuten los resultados o7tenidos*
MODELO
>as celdas 7asadas en CI;< de alto rendimiento se com"onen de seis ca"as* <i 7ien el material a7sor7ente "ro"iamente dic$o
es el CI;<: las dem8s ca"as intervienen directamente en el com"ortamiento "tico de la celda: y "or ello resulta necesario
modelar la a7sorcin de fotones en las mismas* En la figura ' se muestra una seccin transversal de una celda mostrando las
ca"as y el material de cada una (a la i=.uierda): y el es"esor corres"ondiente wi (a la derec$a)* >a ca"a de HgF1 actEa como
antirreflejante: mientras .ue las ca"as de InO5&l y InO cum"len la funcin de contacto frontal trans"arente* +or claridad: en
este gr8fico no se $an res"etado las escalas: y de7e tenerse en cuenta .ue los es"esores de las "rimeras cuatro ca"as son
muc$o menores al es"esor de CI;< (ver ta7la '"ara es"esores t"icos)* >a $eterojuntura "n es formada "or las ca"as de Cd<
(ti"o n) y CI;< (ti"o ")* >a regin de CI;< fue dividida mediante una lnea "unteada en el lmite de la regin de carga
es"acial (denominada <CF) adyacente a la juntura: y la regin neutral: en la .ue el cam"o elctrico resulta des"recia7le*

ASADES
Avances en Energas Renovables y Medio Ambiente
Vol. 11, !!". #m$reso en la Argentina. #SS% !&'()1*+

)(*'J
>a figura ' muestra adem8s la magnitud del flujo de fotones incidente , y su decaimiento $acia el interior de la celda de7ido
a la a7sorcin de cada ca"a* Notamos .ue no e0iste a7sorcin en la ca"a de HgF1 de7ido a su anc$o de 7anda "ro$i7ida de
Eg @ ')*, eK: energa "ara la cual el es"ectro solar terrestre no contiene fotones* Considrese .ue el flujo de fotones se $alla
fuera de escala en esta figura: y: en realidad: la ca"a de CI;< a7sor7e m8s del 23 C del flujo de fotones .ue atraviesan la
"rimer ca"a de la celda*
-ig.ra 1/ Corte transversal de .na celda solar basada en C.0#n,1a2Se mostrando las ca$as de distintos materiales
0indicados a la i34.ierda2 y s. es$esor wi 0a la derec5a2. La lnea $.nteada en la ca$a de C.0#n,1a2Se se$ara la regi6n de
carga es$acial, denominada SCR, y la regi6n ne.tral.
&.u o7tendremos una e0"resin analtica "ara la eficiencia cu8ntica interna es"ectral I9E(L) de la celda de CI;< de acuerdo
a la configuracin mostrada en la figura '* !efinida como la fraccin de "ortadores de carga e0trados de la celda "or fotn
a7sor7ido en la misma: I9E(L) resulta5
#7E(\)=
8
total
(\) /4
1(\)
:
(')
donde 8total es la densidad de fotocorriente a"ortada "or la celda: la cual: dividida "or la carga 4 del electrn: arroja el flujo de
"ortadoresM y , es el flujo de fotones .ue atraviesa la su"erficie de la celda* Escri7imos 8total
8
total
( \)=8
CdS
(\)+8
SCR
( \)+8
ne.tral
( \)
:
(1)
donde se"aramos la fotocorriente en contri7uciones de7idas a la ca"a de sulfuro cadmio 8CdS: el a"orte 8SCR de la regin de
carga es"acial en la ca"a de CI;<: y el de la regin neutral: 8ne.tral. En esta e0"resin se $an des"reciado "osi7les a"ortes de
las ca"as de InO5&l y InO: .ue "oseen un anc$o de la 7anda "ro$i7ida de -*D eK y -*1 eK res"ectivamente* <e asume
entonces .ue todos los "ortadores de carga fotogenerados en estas ca"as no alcan=an la juntura* En adelante o7tendremos
e0"resiones de las com"onentes de la ec* ': .ue genricamente denominamos 8i(L): considerando las "ro"iedades "ticas y
electrnicas de cada ca"a* +ara el sistema de ca"as de la fig* ': si la ca"a i4sima "osee una transmitancia "tica 9i, entonces
el flujo de fotones ,: .ue ingresa en la ca"a : de la celda viene dado "or
1
:
( \)=1

i='
:'
9
i
( \)
*
(-)
!e acuerdo a la ley e0"onencial de %eer4>am7ert (Nelson: 1))-) la transmitancia de cada ca"a viene dada "or
9
i
( \)=e0"[o
i
( \) w
i
]
*
(()
En esta e0"resin: ;i es el coeficiente de a7sorcin y wi es el es"esor de la ca"a i4sima* El flujo a7sor7ido en la ca"a j4sima
se $alla integrando el flujo ,: en el es"esor de dic$a ca"a* !enominamos eficiencia de coleccin fc: a la fraccin del flujo
a7sor7ido en la ca"a j4sima .ue efectivamente constituye la fotocorriente a"ortada "or la misma* +or lo tanto: escri7imos las
com"onentes 8CdS y 8SCR segEn
8
CdS
=419
<n=/Al
9
<n=
fc
CdS
)
w
CdS
e0"(o
CdS
>) d>=419
<n=/ Al
9
<n=
fc
CdS
['e0"(o
CdS
w
CdS
)]
: y
(3)
8
SCR
=419
<n=/ Al
9
<n=
9
CdS
fc
SCR
)
w
SCR
e0" (o> ) d>=4 19
<n=/Al
9
<n=
9
CdS
fc
SCR
['e0"(ow
SCR
)]
:
(D)

)(*',
donde fcCdS: fcSCR: son las eficiencias de coleccin de las ca"as de Cd< y de la <CF: res"ectivamente* En la "r8ctica: el es"esor
wSCR de la regin de carga es"acial "uede $allarse indirectamente midiendo curvas de ca"acitancia vs* tensin en reversa
(<c$roder: '22)): o 7ien estimarse mediante la siguiente e0"resin (<=e: '2,')5
w
SCR
=
.
1 e
)
e
4
%
?
+%
A
%
?
%
A
V
bi
: (J)
donde @! es la constante dielctrica del vaco: @ es la constante dielctrica relativa del CI;<: 4 es la carga del electrn: %? es
la concentracin de 8tomos donadores y %A es la concentracin de 8tomos ace"tores* En esta e0"resin: la tensin interna Vbi
viene dada "or V
bi
=A 9 ln( %
A
%
?
/ n
i
1
) : siendo A la constante de %olt=mann, 9 la tem"eratura: y ni la concentracin
intrnseca de "ortadores de carga .ue calculamos segEn n
i
=
.
%
c
%
v
e0"
(
E
g
/ 1 A 9
)
* En esta e0"resin: %c ,%v son las
densidades efectivas de estados de la 7anda de conduccin y valencia res"ectivamente y Eg es el anc$o de la 7anda "ro$i7ida
del CI;<*
En forma an8loga a las e0"resiones de las ca"as de Cd< y la <CF: escri7imos la e0"resin de la fotocorriente de la regin
neutral de la ca"a de CI;< segEn
8
ne.tral
=419
<n=/ Al
9
<n=
9
CdS
9
SCR
fc
ne.tral
* (,)
E0"resaremos la eficiencia de coleccin fcne.tral de acuerdo a la e0"resin (&rora et al*: '2,))
fc
ne.tral
=
;L
n
;
1
L
n
1
'
(
;L
n

cos$ (l / L
n
)+( ?
n
/ S
n
L
n
)sen$ (l / L
n
)+[ ;L
n
( ?
n
/S
n
L
n
)'] e0"(;l )
sen$( l/ L
n
)+( ?
n
/S
n
L
n
) cos$( l / L
n
)
)
: (2)
ecuacin .ue incor"ora la longitud de difusin Ln de electrones en la regin ti"o $: el es"esor l de la regin neutral: ?n es la
constante de difusin de los electrones: y la velocidad de recom7inacin su"erficial Sn de electrones en la interfase entre el
contacto "osterior de Ho y el CI;<* En la ec* 2 interviene el coeficiente de a7sorcin ; "ara CI;<: modelado semi
em"ricamente "or Orgassa: 1))( y modificado "or Hatt$eis et al*: 1))J "ara considerar la a7sorcin de #r7ac$
(#r7ac$: '23-)* En CI;<: los estados de defectos dentro de la 7anda "ro$i7ida contri7uyen im"ortantemente a la a7sorcin:
dada "or una energa caracterstica denominada energa de #r7ac$ EB. +or lo tanto: el coeficiente de a7sorcin se desdo7la en
dos com"onentes: la "rimera es v8lida "ara la a7sorcin entre 7andas (cuando 5C D EgNA9): dada "or
o( 5+)O
5+>A 9 +E
g
=A
'
.
5+
E
g
A 9
+E
'
e0" [ E
1
( 5+E
1
)]
: ('))
y el coeficiente de a7sorcin "ara estados en la 7anda "ro$i7ida (5C F Eg N A9): el cual res"onde a la ecuacin
o( 5+)O
5+<A 9 +E
g
=A
'
e0"
(
5+E
g
A 9
E
B
)
+E
'
e0"
[
( )*D- E
1
'/ E
.
) E
g
+E
1
( A 9E
-
)+
5+A 9
E
B
]
* ('')
>os coeficientes A1: E1: E: E: E&: y la energa de la 7anda "ro$i7ida Eg de"enden a su ve= de la relacin ;a/(;aNIn) en el
CI;<: .ue a.u denominamos >* Orgassa "ermite "redecir el valor del coeficiente de a7sorcin "ara CI;< en todo el rango
) P > P ': al utili=ar A1: E1: E: E: E& y Eg: segEn las siguientes e0"resiones5
A
'
[cm
'
]=')
(
( 1*J( >
1
-*3J >+D*)J) .A 9 : ('1)
E
'
[cm
'
]=')
-
((*,D >
1
+1*(1 >+D*)() :
('-)
E
1
[eV
'
]='*(33 >
1
'*()' >+1*J(D :
('()
E
g
[ eV ]=)*1JD >
1
+)*(- >+'*)12 :
('3)
E
1
[ eV ]=)*()' >
1
)*1'( >+'*3J( : y
('D)
E
-
[ eV ]=E
1
)*-J E
g
*
('J)
>a fig* 1 muestra la de"endencia de ; en funcin de la energa del fotn* <e com"aran datos e0"erimentales (tri8ngulos) con
el modelo dado "or las ecs* ') y '' (lneas)* Con distintos ti"os de lneas se ejem"lifica la variacin de ; con distintos valores
de la Energa de #r7ac$ EB: la cual en este caso oscila entre ')4-) meK* >os datos e0"erimentales corres"onden a
mediciones en CI;< con una fraccin de ;a/(InN;a) de > @ )*1- (Orgassa: 1))()*

)(*'2
-ig.ra / 1rGfico semi logartmico del coeficiente de absorci6n en f.nci6n de la energa del fot6n. Se com$aran datos
e>$erimentales 0en triGng.lo2 con el modelo $ro$.esto 0en lneas2. Se m.estra con distintos ti$os de lneas, la variaci6n del
com$ortamiento del modelo a distintos valores de la Energa de Brbac5 EB.
>a energa de #r7ac$ EB es una incgnita en el modelo de ;: y en el a"ndice de este tra7ajo 7rindamos un mtodo sencillo
"ara su o7tencin a "artir de datos e0"erimentales de I9E* Hostramos .ue "ara longitudes de onda corres"ondientes a
energas tales .ue 5C F Eg NA9: el logaritmo natural de los "untos e0"erimentales de la eficiencia cu8ntica interna I9Ee0": en
funcin de la energa del fotn 5C: forma una recta cuya "endiente es la inversa de la energa de #r7ac$ EB
4'
: de acuerdo a
ln( #7E
C#1S
)ln [(9
'
fc
SCR
w
SCR
+9
1
H
'
L
n
) H
1
]+
5C
E
B
* (',)
Nos interesa e0"lorar la sensi7ilidad del modelo a la longitud de difusin Ln: la eficiencia de coleccin de la ca"a de sulfuro
de cadmio fcCdS y la eficiencia de coleccin de la regin de carga es"acial fcSCR* +or consiguiente: se calcularon curvas de I9E
mostradas en la fig - mediante las ecs* ': 3: D y ,: "ara las cuales se tomaron como 7ase los "ar8metros de la celda - (ta7la ')*
>a fig* -a asume fcCdS I ) y fcSCR I )*23: y muestra la influencia de la longitud de difusin Ln en la I9E: "ara una celda cuyo
es"esor de CI;< es de 1*, ?m* +or de7ajo de la longitud de onda corres"ondiente al anc$o de la 7anda "ro$i7ida del Cd<
Jg,CdS @ )*3' Qm: los "ortadores fotogenerados se a7sor7en en la ca"a de Cd< y dentro de la <CF en el CI;<: "or lo .ue el
tramo de las curvas $asta Jg,CdS no de"ende de Ln* +or encima de Jg,CdS : una "orcin creciente de los fotones "enetra dentro de
la regin neutral de CI;<: y la curva de"ende fuertemente de Ln. +ara Ln I ') ?m A l "r8cticamente todos los "ortadores
fotogenerados en la regin neutral y en la <CF son e0trados: "or lo .ue la forma de la I9E es determinada e0clusivamente
"or las caractersticas de a7sorcin del CI;<* En la figura -7: calculada con fcSCR I )*23 y Ln I )*,2 ?m: se o7serva la
de"endencia de I9E con la eficiencia de coleccin fcCdS en la ca"a de Cd<* +or de7ajo de Jg,CdS @ )*3' Qm: la curva de I9E
con fcCdS I ) refleja la e0traccin de "ortadores fotogenerados en la <CF* &l aumentar fcCdS: se agrega la fraccin fcCdS de los
"ortadores fotogenerados en la ca"a de Cd< .ue no $an sufrido recom7inacin* >a figura -c muestra la de"endencia de I9E
con la eficiencia de coleccin de la regin de carga es"acial fcSCR: asumiendo fcCdS I ) y Ln I )*,2 ?m* !e7ido a .ue el CI;<
es un semiconductor directo: su coeficiente de a7sorcin es elevado y a7sor7e la mayora de los fotones en las cercanas de su
su"erficie delantera: donde se $alla la <CF* +or lo tanto: una fraccin im"ortante de los fotones son a7sor7idos en esta
regin: incidiendo fuertemente en I9E*
-ig.ra &/ Sensibilidad del modelo de #7E a la variaci6n de la longit.d de dif.si6n a2, a la eficiencia de colecci6n de
$ortadores fotogenerados en la ca$a de s.lf.ro de cadmio b2 y la eficiencia de colecci6n de $ortadores de carga
fotogenerados de la regi6n de carga es$acial de la ca$a de C#1S c2.
E(!ERIMENTAL
En la figura ( se muestran las tres curvas de I9E $alladas e0"erimentalmente ("untos): las cuales anali=amos y simulamos
utili=ando las e0"resiones ': 3: D y , (lneas continuas en la figura ()* >as curvas e0"erimentales de la figura (a y (7 fueron
e0tradas de la literatura: denominadas Rcelda 'S (Orgassa: 1))() y Rcelda 1S (Famanat$an et al*: 1))3): mientras .ue la

)(*1)
curva mostrada en la figura (c fue medida en nuestro la7oratorio (Rcelda -S)* >a celda ' fue fa7ricada en el I+E (I+E Institut
fTr +$ysiGalisc$e EleGtroniG: #niv* de <tuttgart: &lemania): "osee una eficiencia de '-*3 C y su ca"a de CI;< tiene una
relacin ;a/(InN;a) de > @ )*1( (Orgassa: 1))()* >a celda 1: con un rendimiento del ',*( C: fue fa7ricada en el NFE>
(Famanat$an et al*: 1))3)* >a energa de la 7anda "ro$i7ida re"ortada "ara esta celda es de Eg @ '*1' eK: con un > @ )*-'*
&.u fue necesario utili=ar > @ )*-3 "ara esta celda: valor .ue de acuerdo al modelo de Orgassa arroja el valor de Eg
re"ortado* >a celda - nos fue cedida "or el I+E y "osee un rendimiento de 'J*- C: con > @ )*-3* !eterminamos la curva
I9Ee0" de la celda - a "artir de mediciones es"ectrales de la eficiencia cu8ntica e0terna E7E() y la reflectividad R()* >uego
se calcul la I9Ee0" "unto a "unto mediante la e0"resin #7E
e0"
( \)=E7E
e0"
(\)/['R( \)] * >as mediciones se reali=aron
midiendo la corriente de cortocircuito en funcin de la longitud de onda "roveniente de la salida de un monocromador <+EU
RHinimateS iluminado mediante una l8m"ara de Uenon de una "otencia de 13) V* El monocromador de grillas de difraccin
utili=ado "ermite una resolucin de ') nm en * >a corriente de cortocircuito fue medida utili=ando un am"lificador ti"o
locG4in E;W; 31') con interfa= a com"utadora* !escri"ciones detalladas del mtodo de medicin "ueden $allarse en
(<mestad: 1))1)*
-ig.ra +/ C.rvas de #7E en f.nci6n de la longit.d de onda de celdas C#1S. Las lneas de $.ntos corres$onden a mediciones
0a/0=rgassa, !!+2, b/ 0Ramanat5an et al., !!)2, c/ KLS(!+1L celda +L #ME 2, mientras 4.e las c.rvas de lneas contin.as
f.eron obtenidas $or a:.ste .tili3ando la ec. 01'2. Los $arGmetros de a:.ste res.ltantes se 5allan en la tabla .
En la figura (a a"reciamos .ue el modelo "resenta un com"ortamiento escalonado "ara longitudes de onda entre )*, Qm y
' Qm. Esto es consecuencia de los escalones .ue "resentan los datos del coeficiente de a7sorcin del InO5&l en este rango
del es"ectro* En esta celda: el es"esor re"ortado de InO5&l es casi tres veces mayor al de las celdas 1 (figura (7) y -
(figura (c): lo .ue $ace .ue este efecto sea m8s nota7le .ue en las otras celdas*
>a ta7la ' contiene los "ar8metros utili=ados en nuestro modelo de I9E "ara cada celda anali=ada* >os valores de >: w<n=/Al:
w<n= y wCdS son dato: al igual .ue ;<n=/Al: ;<n= y ;CdS* e0trados del tra7ajo de Orgassa (Orgassa: 1))()* El valor de ?nNSn I ')
4
J
cm es una estimacin considerando una constante de difusin de electrones de ?n @ ' cm
1
s
4'
y una velocidad de
recom7inacin en el contacto "osterior de Sn @ ')
J
cm s
4'
: ya .ue dic$a su"erficie no "osee tratamiento "asivante* >os valores
de wSCR de la ta7la ' fueron estimados usando la ec*J: considerando @ @ '): @! @ ,*,3 ')
4'1
C
1
N
4'
m
41
: %? @ '*' ')
',
cm
4-
:
%A @ 1 ')
'D
cm
4-
: %c @ 1*1 ')
',
cm
4-
: %v@'*, ')
'2
cm
4-
: A9 @ 13*,D meK* El es"esor de la regin neutral viene dado "or l @ wC#1S
( wSCR: donde wC#1S es el es"esor de la ca"a de CI;<* >os valores de EB se e0trajeron del an8lisis de las curvas I9Ee0"* >a
figura 3 muestra el ln(I9Ee0") en funcin de 5C de las celdas estudiadas en este tra7ajo ("untos)* >as lneas continuas
descri7en el resultado del ajuste lineal reali=ado: cuya "endiente es la inversa de la energa de #r7ac$ EB
4'
(ver ec* ',)*
EB
XmeKY
>
wMg-
XQmY
w<n=/Al
XQmY
w<n=
XQmY
wCdS
XQmY
wSCR
XQmY
l
XQmY
?nNSn
Xcm Y
celda ' 'J*DD )*1( 4 )*-) )*)3 )*)3 )*13 '*J3 ')
4J
celda 1 '2*,, )*-3 )*')) )*'1 )*)2 )*)3 )*13 1*13 ')
4J
celda - --*(2 )*-3 )*')3 )*') )*)3 )*)3 )*13 1*33 ')
4J
9abla 1/ MarGmetros .tili3ados en el modelo de la Eficiencia C.Gntica #nterna $ara cada celda anali3ada.
!eterminamos los "ar8metros Ln, fcSCR y fcCdS mediante el ajuste de las curvas medidas con las ecuaciones ': 3: D y ,:
utili=ando un algoritmo de ajuste "or simulacin de tem"lado (ZirG"atricG et al*: '2,-M Hetro"olis et al*: '23-M Heyer: '221)*
El algoritmo 7usca el conjunto de "ar8metros .ue minimi=an una funcin - .ue re"resenta la sumatoria del cuadrado de las
distancias entre todos los "untos e0"erimentales de I9Ee0" y la I9E modelada: o7edeciendo a la ecuacin

F( L
n
, fc
SCR
, fc
CdS
)=

l ='
[ #7E
e0"
(\
l
)#7E (\
l
, L
n
, fc
SCR
, fc
CdS
)]
1
* ('2)

)(*1'
-ig.ra )/ Logaritmo nat.ral de la eficiencia c.Gntica interna 0#7E2 en f.nci6n de la energa del fot6n $ara tres celdas
distintas. Las lneas contin.as, m.estran los res.ltados del a:.ste lineal reali3ado $ara cada celda, c.ya $endiente $ermite
e>traer el valor de la Energa de Brbac5 EB*
El algoritmo arroj como resultado los valores de los "ar8metros de ajuste volcados en la ta7la 1* Estos resultados indican
.ue el CI;< "osee longitudes de difusin de electrones del orden de su es"esor (ver ta7la '): y eficiencias de coleccin fcCdS
de la regin de carga es"acial cercanas a la unidad: lo cual es consistente con las eficiencias elevadas de estos dis"ositivos*
Contrariamente: los valores des"recia7les de fcCdS reflejan .ue la ca"a de Cd< slo cum"le la funcin de =ona n "ara generar
la juntura: "ero no constituye una ca"a fotovoltaicamente activa*
Notamos .ue la celda ' muestra la mayor longitud de difusin .ue la de las celdas 1 y -* <in em7argo: su eficiencia es de
'-*3 C: la menor de las - celdas anali=adas* Esto nos sugiere .ue la eficiencia relativamente 7aja de la celda ' no se $alla
limitada "or una coleccin deficiente de "ortadores sino "or otros factores* En efecto: la celda ' "resenta una mayor
resistencia serie de7ido al diseBo no o"timi=ado de su contacto frontal: el cual adem8s cu7re m8s del J C de la su"erficie de
la celda ([acGson et al*: 1))J)* &dicionalmente: esta celda carece de ca"a antirreflejante de HgF1: en detrimento de la E9E*
En conjunto: estos factores de diseBo limitan la eficiencia de la celda ' aEn con el valor relativamente elevado de Ln @ '*)2
Qm*
Ln
XQmY
fcSCR fcCdS
celda ' '*)2 )*22 )*)-2
celda 1 )*3- )*2( )
celda - )*,2 )*23 )
9abla / Valores de los $arGmetros obtenidos del a:.ste $or sim.laci6n de tem$lado $ara las celdas anali3adas.
Ntese .ue "ara longitudes de onda J A Jg N JA9 (siendo Jg la longitud de onda asociada al anc$o de la 7anda "ro$i7ida del
CI;< y JA9 la longitud de onda asociada a la energa trmica): entra en juego la a7sorcin "or estados de #r7ac$ descrita "or
la e0"resin ''* >os tres gr8ficos de la figura ( "resentan un muy 7uen ajuste del modelo a los datos e0"erimentales en este
rango: lo .ue ratifica la valide= del mtodo de o7tencin del valor de la Energa de #r7ac$ (ver figura 3)* En la figura D se
muestra nuevamente la I9E de la celda - (figura (c): agregando con lnea "unteada el ajuste del modelo sin considerar la
a7sorcin "or #r7ac$* Evidentemente: la incor"oracin de la a7sorcin de #r7ac$ y la determinacin de EB son
fundamentales "ara e0"licar curvas de I9E en celdas 7asadas en CI;<*
-ig.ra L/ Com$araci6n entre .na c.rva de #7E obtenida e>$erimentalmente 0crc.los2 y el modelo $ro$.esto 0Lnea
contin.a2. La lnea $.nteada m.estra c6mo a:.stara el modelo si no se considera en Oste la absorci6n $ara fotones con
energas menores a Eg.

)(*11
DISCUSI'N ) CONCLUSIONES
<e desarroll un modelo 7asado en las ecuaciones de la celda "n "ara descri7ir la eficiencia cu8ntica interna (I9E) de celdas
solares de alta eficiencia reali=adas con $eteroestructuras de HgF1/InO/Cd</Cu(In:;a)<e1* &l utili=arlo "ara ajustar curvas
de I9E o7tenidas e0"erimentalmente: o7servamos .ue este modelo re"roduce satisfactoriamente los datos e0"erimentales* >a
inclusin de la a7sorcin "or estados de #r7ac$ "ermite e0"licar la forma de la curva de I9E "ara longitudes de onda
corres"ondientes a energas menores al anc$o de la 7anda "ro$i7ida* &l anali=ar esta regin de las curvas: encontramos un
mtodo sim"le "ara la e0traccin de la energa de #r7ac$ EB*
+ara las tres celdas de alta eficiencia anali=adas: los ajustes reali=ados indican .ue los "ortadores de carga generados en la
regin de carga es"acial: son eficientemente colectados "or la misma con eficiencias de coleccin mayores al 23 C* +or el
contrario: la ca"a de sulfuro de cadmio no a"orta a la fotocorriente* Notamos .ue otros autores (Orgassa: 1))() $an re"ortado
.ue cerca del 1)C de los "ortadores de carga fotogenerados en esta ca"a contri7uyen a la fotocorriente* Igualmente: la 7aja
eficiencia de coleccin de "ortadores en la ca"a de Cd< justifica los estudios tendientes a reem"la=ar este material: o la
o"timi=acin del es"esor de esta ca"a (Orgassa: 1))(M +udov: 1))3M ;loecGler: 1))3)* +ara la regin neutral de CI;< en la
celda: el modelo "ermite e0traer la longitud de difusin de electrones Ln: o7tenindose valores entre )*3 ?m y '*' ?m: en
concordancia con valores estimados "or otros autores (Fau y <c$ocG: '222)*
<i 7ien las ecuaciones desarrolladas re"roducen adecuadamente las curvas medidas de I9E: en tra7ajos su7siguientes nuestro
modelo de7era ser contrastado $allando valores de Ln mediante otros mtodos e0"erimentales: tales como el an8lisis de la
corriente de saturacin de las curvas de tensin4corriente de las celdas o de la estimacin de la longitud a "artir de los
"ar8metros elctricos de salida (Taretto et al*: 1))-)* >a estimacin del es"esor de la regin de carga es"acial de7era ser
contrastada con mediciones de curvas de ca"acitancia4tensin*
AGRADECIMIENTOS
&gradecemos la cola7oracin de los doctores ;* Heyer (Centro &tmico %ariloc$e) y [* Hatt$eis del I+E 4 Institut fTr
+$ysiGalisc$e EleGtroniG (<tuttgart: &lemania)* Este tra7ajo es fruto de una coo"eracin con el I+E: a cargo del +rof* !r* [*\*
Verner* +arte de este tra7ajo fue financiada mediante el "royecto I'1) de la Fac* de Ing* de la #NCo*
A!*NDICE
+ara la ca"a de CI;< de la celda: descom"onemos I9ECI;< en dos sumandos: I9E<CF e I9Eneutral o7teniendo

#7E
C#1S
=#7E
SCR
+#7E
ne.tral
*
(&')
+or claridad: e0"resamos #7E
SCR
=9
'
fc
SCR
['e0"(ow
SCR
)] : donde 9' es el "roducto de las transmitancias
9
'
=9
<n=/Al
9
<n=
9
CdS * Notamos .ue en CI;<: "ara 5C F Eg: ; ] ' Qm
4'
: mientras .ue wSCR ^ )*13 Qm: "or lo .ue
; wSCR ] )*13 y vale la a"ro0imacin '4e0"(4; wSCR) ^ ; wSCR con un error menor al - C: "ermitiendo e0"resar
#7E
SCR
9
'
fc
SCR
w
SCR
o
*
(&1)
&nalicemos la I9Eneutral: "ara la cual consideramos
#7E
ne.tral
=9
<n=/ Al
9
<n=
9
CdS
9
SCR
fc
ne.tral
=9
1
fc
ne.tral donde 91 es el
"roducto de las transmitancias* &l reem"la=ar fcne.tral segEn la ec* 2 o7tenemos
#7E
ne.tral
=9
1
o L
n
[
'
o
1
L
n
1
'
(
o L
n

cos$(l / L
n
)+( ?
n
/ S
n
L
n
) sen$(l / L
n
)+[oL
n
( ?
n
/S
n
L
n
)'] e0"(ol)
sen$( l / L
n
)+( ?
n
/S
n
L
n
) cos$( l / L
n
)
)]
* (&-)
+ara a7sorcin "or estados de #r7ac$: con 5C F Eg: el coeficiente de a7sorcin ; cum"le o
'
L
n
y o
'
l y "odemos
formular el lmite "ara o L
n
-) y ol -) de la e0"resin entre corc$etes de la ec* (&-)
lim
o L
n
-)
lim
ol -) [
'
o
1
L
n
1
'
(
o L
n

cos$(l / L
n
)+( ?
n
/ S
n
L
n
) sen$(l / L
n
)+[o L
n
( ?
n
/S
n
L
n
)'] e0"(ol)
sen$( l / L
n
)+( ?
n
/S
n
L
n
) cos$( l / L
n
)
)]
@
@
cos$ (l / L
n
)+( ?
n
/ S
n
L
n
) sen5( l / L
n
)'
( ?
n
/ S
n
L
n
) cos$( l / L
n
)+sen$ (l / L
n
)
=H
'
:
siendo H1 un valor inde"endiente de ;* E0"resamos #7E
ne.tral
O
o
'
L
n
, l
9
1
H
'
L
n
o : lo cual arroja: siguiendo la e0"resin
(&'): la eficiencia cu8ntica de la ca"a de CI;<

)(*1-
#7E
C#1S
=#7E
SCR
+#7E
ne.tral
9
'
fc
SCR
ow
SCR
+9
1
H
'
L
n
o=o(9
'
fc
SCR
w
SCR
+9
1
H
'
L
n
) * (&()
!e acuerdo a la ec* '' "ara ; con 5C ] EgNA9: y agru"ando los factores de 5C o7tenemos .ue o( 5+)=H
1
e0"
(
5+/ E
B) donde

H
1
=A
'
e0"
(
E
g
A9
E
B
)
+E
'
e0"
[
( )*D- E
1
'/ E
B
) E
g
+E
1
( A9 E
-
)
A9
E
B
]
:
siendo A9 la energa trmica y A1, E1: E: Eg y E& resultan de las ecs* '14'J "ara una determinada relacin de ;a/(;aNIn)*
Feem"la=ando ; en la e0"resin (&() se o7tiene #7E
C#1S
( 9
'
fc
SCR
w
SCR
+9
1
H
'
L
n
) H
1
e0"
(
5+/ E
B)
: y al a"licar el
logaritmo natural a am7os miem7ros de la e0"resin: o7tenemos
ln ( #7E
C#1S
)ln[(9
'
fc
SCR
w
SCR
+9
1
H
'
L
n
) H
1
]+
5C
E
B
* (&3)
>a e0"resin (&3) es una relacin lineal entre el logaritmo natural de la eficiencia cu8ntica interna de una celda de CI;< y la
energa del fotn 5C: cuya "endiente corres"onde a la inversa de la energa de #r7ac$ EB
(1
*
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A+STRACT
T$is `orG "resents a model for t$e internal .uantum efficiency I9E of Cu(In:;a)<e1 (CI;<) solar cells* Considering t$e
"ro"er a7sor"tion coefficients of t$e layers in t$e cell: simulated annealing fit tec$ni.ues yield very good fits to e0"erimental
I9E curves* T$e "arameters e0tracted from t$ese fits are t$e carrier diffusion lengt$ Ln: t$e collection efficiency fcCdS in t$e
Cd< layer: and t$e collection efficiency fcSCR in t$e s"ace c$arge region <CF of t$e CI;< layer* From I9E4curves of $ig$
efficiency CI;< solar cells `e o7tain t$e "arameters Ln from )*3 ?m to '*' ?m and fcCdS @ ): s$o`ing t$at t$e Cd< layer does
not contri7ute to t$e "$otocurrent* T$e s"ace c$arge region: on t$e ot$er $and: carries out values fcSCR A )*23: `$ic$ indicate
t$e efficient c$arge collection in t$is region*
Ke,-or.$& diffusion lengt$: "$otovoltaic energy: CI;<: I9E: #r7arc$ Energy*

)(*1(