Analógica Collins

MANUAL DE: ELECTRONICA ANALGICA.
201
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CONALEP PLANTEL FRANCISCO MEDINA
ASCENCIO
CEMIC
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
ING. VCTOR MANUEL GALLEGOS PUGA
MANUAL DE:
ELECTRONICA
ANALGICA
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MANUAL DE: ELECTRONICA ANALGICA. 201

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INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA ANALGICA.

La Electrnica se encuentra en el campo de la ingeniera y de la fsica aplicada relativo al diseo y
aplicacin de dispositivos de estado slido que controlan su flujo de corriente elctrica, estos materiales son
fabricados a partir de materiales semiconductores. que han sido modificados en su estructura y procesados
qumicamente; por lo general circuitos electrnicos; cuyo funcionamiento depende del flujo de electrones para
la generacin, transmisin, recepcin, almacenamiento de informacin, entre otros. Esta informacin puede
consistir en voz o msica como en un receptor de radio, en una imagen en una pantalla de televisin, o en
nmeros u otros datos en un ordenador o computadora.
La Electrnica Analgica utiliza una gran variedad de conceptos, materiales y dispositivos que
incluye desde semiconductores hasta las vlvulas termoinicas. Interviene en el diseo y construccin de
circuitos electrnicos para resolver problemas prcticos y en el estudio de nuevos dispositivos
semiconductores y su tecnologa.
En concreto podemos definir a la Electrnica de la siguiente forma:
La electrnica es la rama de la fsica y especializacin de la ingeniera, que estudia y emplea sistemas cuyo
funcionamiento se basa en la conduccin y el control microscpico del flujo de electrones u otras partculas
cargadas elctricamente, con el fin de recibir, transmitir y procesar la informacin.
La definicin anterior deriva a decir que la finalidad de la electrnica es la COMUNICACIN, dado
que el emitir, recibir y procesar informacin se dan en un sistema de comunicacin, pero esta sera slo una
de las aplicaciones de la Electrnica hoy en da.
Sistemas electrnicos.
Un sistema electrnico es un conjunto de circuitos que interactan entre s para obtener un resultado.
Una forma de entender los sistemas electrnicos consiste en dividirlos en las siguientes partes:
Entradas (Inputs). Sensores (o transductores) electrnicos o mecnicos que toman las seales (en
forma de temperatura, presin, etc.) del mundo fsico y las convierten en seales de corriente o voltaje.
Ejemplo: El termopar, la foto resistencia para medir la intensidad de la luz, etc.
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Circuitos de procesamiento de seales. Consisten en piezas electrnicas conectadas juntas para
manipular, interpretar y transformar las seales de voltaje y corriente provenientes de los transductores.
Salidas (Outputs). Actuadores u otros dispositivos (tambin transductores) que convierten las seales de
corriente o voltaje en seales fsicamente tiles. Por ejemplo: un display que nos registre la temperatura,
un foco o sistema de luces que se encienda automticamente cuando este obscureciendo.
Circuitos electrnicos.
Los circuitos electrnicos ofrecen diferentes funciones para procesar esta informacin, incluyendo la
amplificacin de seales dbiles hasta un nivel que se pueda utilizar; el generar ondas de radio; la extraccin
de informacin, como por ejemplo la recuperacin de la seal de sonido de una onda de radio
(demodulacin); el control, como en el caso de introducir una seal de sonido a ondas de radio (modulacin),
y operaciones lgicas, como los procesos electrnicos que tienen lugar en las computadoras.
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SEMICONDUCTORES.
ESTRUCTURA DE LA MATERIA.
La Teora atmica parte de la idea de la existencia de partculas elementales a raz de las
cuales se forma toda la materia del Universo. Esta idea proviene de los griegos, que dieron el
nombre de tomos (indivisibles) a dichas partculas. (Demcrito y Laucipo).
A lo largo de la historia, y segn ha ido evolucionando la tecnologa, hemos avanzando con
nuevos descubrimientos en el campo de la fsica. (Teoras atmicas de Dalton, Thomson,
Rutherford y Bohr)
Hoy da sabemos que el tomo es divisible, ya que conocemos la existencia de partculas
llamadas subatmicas, tales como los protones, neutrones y electrones.
Los tomos poseen un ncleo en el cual se encuentran varias partculas, entre las ms
conocidas son los protones y neutrones. Fuera del ncleo, orbitando a su alrededor en diferentes
rbitas, se encuentran los electrones. Los tomos son elctricamente neutros ya que contienen
electrones (carga negativa, estables y con masa igual a 9,1110 -31kg) y protones (carga positiva,
partculas estables y masa igual a 1,6710-27 kg).
El nmero atmico depende del nmero de protones que contienen los tomos de un
elemento qumico. Este nmero determina el lugar que le corresponde al elemento en la tabla
peridica.
La cantidad de electrones, protones y neutrones que posee un tomo es la igual, por
ejemplo; el tomo de Carbn tiene 6 electrones, tambin posee 6 protones y 6 neutrones. A esto se
le llama Equilibrio Electrnico y se dice que entonces el tomo se encuentra en REPOSO.
Con el protn y el electrn, se intent construir todos los tomos conocidos, pero no pudo
ser as porque faltaban unas de las partculas elementales del ncleo que fue descubierto por J.
Chadwick en 1932 y que se llam neutrn. Esta partcula era de carga nula y su masa es
ligersimamente superior a la del protn (1,6748210 -27kg.).
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Los electrones describen trayectorias semicirculares o elpticas llamadas orbitales. Los
orbitales tienen capas de energa, por su sociedad con el ncleo, la cual les permite retener una
cantidad determinada de electrones. Mientras ms cerca se encuentra del ncleo, mayor energa
retentiva posee el orbital con lo que ejerce mayor fuerza sobre sus electrones. De modo contrario,
cuanto ms alejado se encuentre el orbital del ncleo, este es ms dbil y puede contener y retener
menor nmero de electrones.
En la distribucin electrnica de un tomo se consideran los orbitales y niveles de energa y
determina el nmero de electrones que posee cada orbital. El ltimo orbital o exterior recibe el
nombre de orbital de valencia. El orbital de valencia guarda el nmero valencia que significa la
cantidad de electrones extra que se pueden alojar en un tomo para su combinacin o bien, los
electrones que puede ceder.
Los tomos de diferentes sustancias se combinan entre s por medio de enlaces para formar
molculas, elementos, compuestos y sustancias; en s, toda la materia que nos rodea. Un enlace
qumico es el proceso fsico responsable de las interacciones atractivas entre tomos y molculas,
y que confiere estabilidad a los compuestos qumicos diatmicos y poliatmicos. En general, el
enlace qumico fuerte est asociado con la comparticin o transferencia de electrones entre los
tomos participantes. Los enlaces pueden ser inicos, covalentes y metlicos. Los tomos al
combinarse lo hacen compartiendo o completando en su orbital de valencia con 8 electrones, a
esto se le llama la ley de octeto.
Enlace inico.
En el enlace inico el electrn es transferido de un
tomo a otro. El tomo, en su orbital de valencia
tiene un lugar libre para un electrn o slo tiene uno.
Los enlaces inicos consisten en que un tomo
pierde y otro gana electrones. Al tomo que pierde
electrones se le llama ion positivo, debido a que en
su
estructura
contiene
ms
protones
(cargas
positivas) que electrones (cargas negativas). Al

tomo que gana el electrn se le llama ion negativo
debido a que contiene ms electrones que de
protones en su estructura.
EJEMPLO:
Un tomo de Sodio dona un electrn a un tomo de
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Cloro para formar los iones sodio y cloro.
Enlace covalente.
Cuando los tomos que forman un enlace comparten sus electrones con la finalidad de cumplir
con la regla de los ocho, se forma un enlace covalente. Los electrones son compartidos por los
dos ncleos o ms, de tal forma que cada tomo completa su orbital de valencia con 8 electrones
ya que son compartidos por pares.
En el enlace covalente, uno o ms electrones (frecuentemente un par de electrones) son llevados
al espacio entre los dos ncleos atmicos. Ah, los electrones son atrados a las cargas positivas
de ambos ncleos, en vez de slo su propio ncleo. Esto vence a la repulsin entre los dos
ncleos de los tomos, y esta atraccin tan grande mantiene a los dos ncleos en una
configuracin de equilibrio relativamente fija, aunque an vibrarn en la posicin de equilibrio. En
un enlace covalente polar, uno o ms electrones son compartidos inequitativamente entre dos
ncleos.
Enlace metlico.
Si los tomos enlazados son elementos metlicos entonces se realiza un enlace metlico. En este
enlace todos los electrones de valencia son de todos los tomos de tal forma que un electrn
pasa de un tomo a otro en cuestin de fracciones de segundo. Los electrones son compartidos
por los tomos, pero pueden moverse a travs del slido proporcionando conductividad trmica y
elctrica, brillo, maleabilidad y ductilidad
NIVELES DE ENERGA.
La Banda de Valencia es un nivel de energa en el que se realizan las combinaciones qumicas.
Los electrones situados en ella, pueden transferirse de un tomo a otro, formando iones que se
atraern debido a su diferente carga, o sern compartidos por varios tomos, formando molculas.
Atomo de Sodio (Na)
In Sodio (Na+)
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El tomo de Sodio (Na) tiene 11 electrones, 2 en la primera capa, 8 en la segunda y 1 en la
tercera, y el Cloro (Cl) tiene 17 electrones, 2 en la primera, 8 en la segunda y 7 en la tercera.
Debido a que todos los tomos tienden a tener 8 electrones en la ltima capa (regla del octeto): el
Sodio ceder 1 electrn al Cloro con lo que el primero se quedar con 8 electrones en su ahora
ltima capa, en cambio el Cloro aceptar ese electrn pasando su ltima capa de tener 7
electrones a 8
Atomo de Cloro (Cl)
In Cloruro (Cl-)
As pues, el tomo de Sodio que ha perdido un electrn se ha transformado en un in positivo: Na

-> Na+y el Cloro que lo ha ganado se transforma en un in negativo: Cl -> Cl-. Ambos se atraern y
formarn la molcula de Cloruro Sdico o Sal comn (Cl Na)
La Banda de conduccin es un nivel de energa en el cual los electrones estn an ms
desligados del ncleo, de tal forma que, en cierto modo, todos los electrones (pertenecientes a esa
banda) estn compartidos por todos los tomos del slido, y pueden desplazarse por este
formando una nube electrnica.
Cuando un electrn situado en la banda de valencia se le comunica exteriormente energa, bien
sea elctricamente, por temperatura, luz, tc. puede (al ganar energa) saltar a la banda de
conduccin, quedando en situacin de poder desplazarse por el slido.
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TEORA ATMICA ACTUAL.

Hasta 1897, se crea que los tomos eran la divisin ms pequea de
la materia, cuando J.J Thomson descubri el electrn mediante su
experimento con el tubo de rayos catdicos.1 El tubo de rayos
catdicos que us Thomson era un recipiente cerrado de vidrio, en el
cual los dos electrodos estaban separados por un vaco. Cuando se
aplica una diferencia de tensin a los electrodos, se generan rayos
catdicos, que crean un resplandor fosforescente cuando chocan con
el extremo opuesto del tubo de cristal. Mediante la experimentacin,
Thomson descubri que los rayos se desviaban al aplicar un campo
elctrico (adems de desviarse con los campos magnticos, cosa que

ya se saba). Afirm que estos rayos, ms que ondas, estaban
compuestos por partculas cargadas negativamente a las que llam
"corpsculos" (ms tarde, otros cientficos las rebautizaran como
electrones).
En 1918, Rutherford descubri la existencia del protn. Adems dedujo la existencia de un
ncleo atmico; en el cual se encontraban los protones y neutrones; y propuso el modelo planetario
del tomo.
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En 1932, James Chadwick expuso diversos elementos a radiacin elctricamente neutra y
dedujo que sta estaba compuesta por partculas elctricamente neutras con una masa similar a la
de un protn. Chadwick llam a estas partculas "neutrones".
La teora cuntica revolucion la fsica de comienzos del siglo
XX, cuando Max Planck y Albert Einstein postularon que se
emite o absorbe una leve cantidad de energa en cantidades
fijas llamadas cuantos. En 1913, Niels Bohr incorpor esta idea
a su modelo atmico, en el que los electrones slo podran
orbitar alrededor del ncleo en rbitas circulares determinadas,
con una energa y un momento angular fijos, y siendo
proporcionales las distancias del ncleo a los respectivos
niveles de energa. Segn este modelo, los tomos no podran
describir espirales hacia el ncleo porque no podran perder
energa de manera continua; en cambio, slo podran realizar
"saltos cunticos" instantneos entre los niveles fijos de
energa. Cuando esto ocurre, el tomo absorbe o emite luz a
una frecuencia proporcional a la diferencia de energa (y de ah
la absorcin y emisin de luz en los espectros discretos). Arnold
Sommerfeld ampli el tomo de Bohr en 1916 para incluir
rbitas elpticas, utilizando una cuantificacin de momento
generalizado.
El modelo de Bohr-Sommerfeld ad hoc era muy difcil de utilizar, pero a cambio haca increbles
predicciones de acuerdo con ciertas propiedades espectrales. Sin embargo, era incapaz de
explicar los tomos multielectrnicos, predecir la tasa de transicin o describir las estructuras finas
e hiperfinas.
Los
cinco
orbitales
atmicos de un tomo
de nen, separados y
ordenados
en
orden
creciente de energa. En
cada orbital caben como
mximo dos electrones,
que estn la mayor parte
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del tiempo en las zonas
delimitadas
por
las
"burbujas".
En el caso de los orbitales el nmero cuntico principal n est asociado a los diferentes
niveles de energa orbital permitidos o niveles cunticos; los valores que toma son 1, 2, 3, 4,... Para
n=1 se tiene el nivel de menor energa. Todos los estados con el mismo nmero cuntico principal
forman una capa (o nivel). Por razones histricas, estas capas electrnicas, tambin se denotan
como K, L, M, N,... El segundo nmero cuntico l corresponde al momento angular del estado.
Estos estados tienen la forma de armnicos esfricos, y por lo tanto se describen usando
polinomios de Legendre. Tambin por razones histricas a estas subcapas (o subniveles), se les
asigna una letra, que hace referencia al tipo de orbital que describe el estado electrnico (s, p, d,
f,...).Los valores que puede tomar l son: 0, 1, 2,..., (n-1), siendo n el nmero cuntico principal. El
tercer nmero cuntico, m, puede tomar los valores desde -l a l, y por lo tanto hay un total de 2l+1
estados degenerados posibles. Cada uno de stos puede ser ocupado por dos electrones con
espines opuestos, consecuencia de los dos posibles valores de la proyeccin sobre el eje z del
espn electrnico, ms, que puede tomar los valores +1/2 -1/2. Esto da un total de 2(2 l+1)
electrones en total (tal como se puede ver en la tabla siguiente).
Nmero cuntico Valores
n (principal)
1, 2, 3,...
l (orbital)
0,..., (n-1)
m (magntico)
ms (spin)
-l,...,
0,....,+l
(2l+1)
-1/2, +1/2
DISTRIBUCIN ELECTRNICA.
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El modelo atmico de Bohr realmente slo explica los
resultados
experimentales
obtenidos
con
tomos
de
hidrgeno. La distribucin de los electrones en los tomos se

conoce por medio de las radiaciones emitidas por los tomos
excitados, o sea por los tomos a los que se ha suministrado
energa, y que son caractersticas de cada uno de ellos. El
anlisis de estas radiaciones se realiza mediante un
espectroscopio.
La emisin de estas radiaciones pone de manifiesto la
existencia de niveles de energa o capas en los tomos.
Cuando un electrn en un estado excitado cae a un estado
ms bajo, la prdida de energa se emite en forma de luz.
De acuerdo con este nuevo modelo cortical, el nmero de electrones que existen en cada
capa o zona a una determinada distancia del ncleo. Hay que tener en cuenta que en cada capa
puede existir ms de una rbita. nicamente existe una sola rbita en la primera capa.
La capa ms interna se denomina capa K, y tiene capacidad mxima de dos electrones.
La segunda capa, llamada L, puede albergar ocho electrones y la tercera capa, llamada capa M,
contiene otros ocho electrones. Por elemplo, el tomo de potasio (Z=19) tiene 2 electrones en la
capa ms interna, 8 en la segunda, 8 en la tercera y un electrn adicional que comienza a ocupar
la cuarta capa. Esto se puede escribir del siguiente modo: K 2, 8, 8, 1.
La distribucin de capas en los electrones de un
tomo se conoce como estructura o configuracin
electrnica del elemento y se determina con la frmula:
Num de electrones = 2n2,
Donde n es el nmero cuntico principal y puede

tener valores de 1 al 7, pero la frmula slo se cumple
hasta n4 debido a que los orbitales O, P y Q SE
encuentran ms alejados del ncleo y por ello tienen
menos fuerza para retener a los electrones.
Nivel, valor de
n
n1
Letra
Nm. de
electrones
2
Subniveles de energa l
S (l=0)
P (l=1)
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D (l=2)
F (l=3)

1
n2
n3
n4
n5
n6
n7
L
M
N
O
P
Q
8
18
32
18
8
2
2
2
2
2
2
2
6
6
6
6
6
6
10
10
10
10
14
14
As, vemos que se puede utilizar el orden de energas de los orbitales para describir la
estructura electrnica de los tomos de los elementos. Un subnivel s se puede llenar con 1 2
electrones. El subnivel p puede contener de 1 a 6 electrones; el subnivel d de 1 a 10 electrones y el
subnivel f de 1 a 14 electrones. Ahora es posible describir la estructura electrnica de los tomos
estableciendo el subnivel o distribucin orbital de los electrones. Los electrones se colocan primero
en los subniveles de menor energa y cuando estos estn completamente ocupados, se usa el
siguiente subnivel de energa superior.
Regla del octeto

Para que un tomo sea estable debe tener todos sus orbitales llenos. Recordemos que la
Regla del octeto, justamente establece que el nivel electrnico se completa con 8 electrones,
excepto el Hidrgeno, que se completa con 2 electrones. Por ejemplo; el oxgeno tendr la
tendencia a ganar los 2 electrones que le faltan, por esto se combina con 2 tomos de hidrgenos
(en el caso del agua), que cada uno necesita 1 electrn (el cual recibe del oxgeno) y otorga a
dicho tomo 1 electrn cada uno. De este modo, cada hidrgeno complet el nivel 1 y el oxgeno
complet el nivel 2.
MATERIALES SEMICONDUCTORES.
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Un semiconductor es un elemento con propiedades
elctricas entre las de un conductor y un aislante. El prefijo
semi significa a la mitad. En general los materiales
semiconductores se caracterizan por tener cuatro electrones
de valencia (tetravalentes) y forman un patrn muy definido
que es peridico en la naturaleza (continuamente se repite el
mismo). A un patrn completo se le llama cristal y al arreglo
peridico de los tomos, red cristalina.
La estructura interna de los semiconductores est

constituida por enlaces covalentes que enlazan a los tomos
de una forma tal que se amarran por parejas de tal forma que
un tomo comparte sus cuatro tomos de valencia con cuatro
tomos vecinos, haciendo que la estructura sea fuerte y
ordenada.
En tales condiciones, cada tomo completa su orbital externo con 8 electrones, provocando
que todos los electrones de valencia estn amarrados por un enlace covalente, generando as una
estabilidad qumica.
El electrn tendr ms energa mientras ms distante se encuentre del ncleo. Cualquier
electrn que haya dejado su tomo tiene un estado de energa an mayor.
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En estado natural y a temperatura baja, los cristales semiconductores tienen una alta
resistencia elctrica. Esta alta resistencias elctrica es caracterstica de los cristales, pero cambia
al someterlos a altas temperaturas (tienen un coeficiente de temperatura negativo). Los materiales
semiconductores ms comunes en estado natural son: el Germanio (Ge) y el Silicio (Si).
Para el Ge y el Si el cristal tiene la estructura de diamante de tres dimensiones.
FUNCIONAMIENTO DEL DOPADO.

Las
caractersticas
de
los
materiales
semiconductores
pueden
ser
alteradas
significativamente por la adicin de ciertos tomos de impureza a un material semiconductor

relativamente puro. Estas impurezas, aunque slo hayan sido aadidas en proporciones de 1 en 10
millones, pueden alterar en forma suficiente la estructura de la banda y cambiar totalmente las
propiedades elctricas del material.
Un material semiconductor que haya sido sujeto de dopado se denomina material
extrnseco.
Existen dos tipos de materiales extrnsecos de gran importancia para la fabricacin de
dispositivos semiconductores: el tipo N y el tipo P.
Material tipo N.
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Se forma mediante la adicin de un nmero predeterminado
de tomos de impurezas al germanio o al silicio. El material tipo N
se crea a travs de la introduccin de elementos de impurezas que
poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el
Antimonio, Arsnico y Fsforo. A las impurezas contaminantes de
cinco se les llaman tomos donadores.
Para explicar lo que sucede dentro de los materiales semiconductores al ser dopados
daremos el ejemplo de un cristal semiconductor de Silicio contaminado con impurezas de Arsnico.
La contaminacin en cantidades controladas sobre el cristal de Silicio provoca lo siguiente: Al
agregar tomos de Arsnico a la estructura cristalina del Silicio, forman cuatro enlaces covalentes
con cuatro tomos de Silicio, quedando un quinto electrn del Arsnico sin enlace. Por tal razn
estos electrones reciben el nombre electrones libres (cargas negativas). Estos electrones sin
enlace son los responsables de la conduccin del material. A los tomos de Arsnico que se
encuentran en la estructura del cristal se les conoce como tomos donadores, los cuales estn
propensos a perder el electrn sin enlace y por tal motivo adquirirn una carga elctrica positiva.
As el material ha perdido su alta resistencia, pues ahora puede conducir la corriente elctrica
gracias a que ahora posee portadores de carga negativos (electrones libres).
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Aunque en la estructura de los cristales N existen bastantes portadores de carga conocidos
como electrones libres, el material es elctricamente neutro debido a que el nmero de protones
(cargas positivas) en el ncleo es igual al nmero de electrones (cargas negativas) existentes en la
estructura.
En ste material la conduccin de la electricidad se logra por los electrones liberados de
los enlaces covalentes.
Material tipo P.
El material tipo P se forma mediante el dopado del cristal puro
de Ge o Si con impurezas de tomos que poseen tres electrones
de valencia (trivalentes), tales sustancias son Boro, Galio e Indio.
A estas impurezas difundidas se les conoce como tomos
aceptores.
Para explicar qu sucede dentro de los materiales

semiconductores al ser dopados con impurezas trivalentes,
daremos el ejemplo de un cristal de Silicio contaminado con
tomos de indio.
La contaminacin en cantidades controladas de indio sobre el cristal de Silicio provoca lo

siguiente: Al agregar impurezas a la estructura cristalina del Silicio, cada tomo de indio formara
tres enlaces covalentes con tres tomos de Silicio vecinos; pero la estructura agrupar a cuatro de
sus tomos; quedando un enlace sin completarse. El enlace incompleto se llama hueco y posee
una carga elctrica positiva. ste enlace incompleto buscar completarse jalando a los electrones
de valencia de los enlaces prximos, atrayndolos y originando que el fenmeno y efecto del hueco
prevista en toda la estructura. A los tomos de Indio que se encuentran en la estructura del cristal
se les conoce como tomos aceptores, los cuales estn propensos a ganar un electrn de la
estructura y por tal motivo adquirirn una carga elctrica negativa. As el material ha perdido su alta
resistencia, pues ahora puede conducir la corriente elctrica gracias a que ahora posee portadores
de carga positivos (huecos).
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El material tipo P es elctricamente neutro, por las mismas razones que el cristal N. en los
materiales P el flujo de corriente elctrica se propaga por los huecos.
La teora de la estructura de la materia y la Teora atmica actual dan origen a la teora de los
semiconductores y d los dispositivos electrnicos en general. Desde esta ptica se encuentran dos
grupos de dispositivos electrnicos conocidos como:
Elementos pasivos y,
Elementos activos
Los elementos pasivos son; Resistores, Inductores, Capacitores y Transformadores. Los

citados elementos forman circuitos pasivos y activos. Estos componentes se utilizan para dar un
manejo moderado a las seales electrnicas en forma de acoplamiento adems de ser
imprescindibles en la polarizacin de dispositivos y circuitos activos.
Los elementos activos son los que se construyen a partir de los materiales
semiconductores extrnsecos y sustratos. Los semiconductores activos son los diodos
semiconductores, los transistores bipolares y de efecto de campo, los tiristores y los circuitos
integrados (CI) de varias funciones y tipos.
TRANSISTORES BIPOLARES.
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Los transistores son dispositivos electrnicos que comnmente se utilizan para amplificar
pequeas seales elctricas o como interruptor electrnico en sistemas de conmutacin.
La palabra transistor viene de los trminos resistencia y transferencia, debido a que este dispositivo
adopta un cambio entre sus resistencias de entrada y salida, adems de producirse una
transferencia entre estas.
El transistor es un dispositivo semiconductor formado por tres capas semiconductoras y dos
junturas PN, dos de sus capas son del mismo tipo de material y la tercera de material distinto.
Dado lo anterior, podemos tener un transistor que se construido por dos capas con material N y
una capa con material tipo P; o bien; un transistor con dos capas de material tipo P y una tipo N. Al
primero se le llama transistor NPN y al segundo transistor PNP.
En la estructura de los transistores encontramos que sus terminales y capas reciben el nombre de
emisor, colector y base.
El emisor; E; cristal mediano de la estructura que est fuertemente dopado. Su funcin es emitir los
portadores de carga (huecos o electrones)
La base; B; es el cristal ms delgado y est ligeramente dopada. Su funcin es controlar el flujo de
los portadores de carga.
El colector; C; es el cristal de mayores dimensionas y su nivel de dopaje es intermedio pero de
forma especial (tipo sustrato) de tal manera que puede conducir un flujo de corriente elctrica por
medio de sus portadores mayoritarios o minoritarios. Su funcin es captar los portadores de carga
emitidos por el emisor.
En la fabricacin de transistores BJT se emplean las tcnicas: Punto de contacto, Unin de
aleacin, crecimiento de la unin, Difusin (transistor de mesa epitaxial y planares).
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OPERACIN DEL TRANSISTOR.

En lo general, para que un transistor trabaje
correctamente se necesita:
Polarizar directamente la juntura de base

a emisor; JBE; con la batera VBB.
Polarizar inversamente la juntura de base

a colector; JBC; con la batera VCC.
Estructura interna de transistor bipolar
El nivel de tensin de la batera V CC sea mayor

(como mnimo del doble) que la batera VBB.
Lo anterior provocar una baja impedancia en el
circuito de JBE y una alta impedancia en el
circuito de JBC.
En estas condiciones; la regin de agotamiento
de la juntura JBE se adelgaza; permitiendo el
Polarizacin del transistor
paso de electrones, adems los portadores

mayoritarios (electrones del emisor cristal N)
sern empujados por el polo - de la batera V BE
hacia la base.
La base (cristal P) conducir algunos electrones procedentes del emisor; debido a que la base es
el cristal ms delgado y con de menor grado de impurificacin de la estructura; no podr conducir a
la mayora de esos electrones. As se genera una pequea corriente en la base; I B, del orden de los
microamperes. Entonces, habr una gran cantidad de electrones excedentes en el emisor listos
para ser transportados. Entonces la polarizacin inversa de la juntura J BC har la labor de
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transportar a los electrones libres excedentes en el emisor, llevndolos as hacia el polo + de la
batera B. Adems, el polo + de la batera V CC jalar a los electrones excedentes facilitando as su
paso a travs del colector.
El colector es el cristal de mayor tamao en la estructura y ha sido contaminado de manera
especial y por ello posee casi el mismo nmero de portadores mayoritarios que de minoritarios. Por
tal razn, el colector aunque es de material tipo N dispone con el nmero suficiente de portadores
minoritarios (huecos) para difundir (transportar) a los electrones libres del emisor, formando as la
corriente de colector; IC. De esta forma, la mayora de los portadores mayoritarios del emisor son
difundidos hacia el colector gracias a los portadores minoritarios.
Del 100 % de la corriente IE, casi
el 98 % fluye por el colector y el 2
% lo hace por la base.
Esto es; IE = IB + IC, donde, por ser
IB muy pequea; IE IC (
significa casi igual).
Los transistores PNP operan de
forma similar a los NPN, de tal
suerte que la explicacin anterior
es vlida para el PNP, pero
considerando un cambio en los
sentidos de las corrientes, las
polaridades de las bateras y los
tipos de portadores.
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GRFICAS DEL TRANSISTOR.

Al operar el transistor surgen diferentes arreglos para trabajarlo, los arreglos son circuitos que
corresponden a conexiones del las terminales del transistor. Los principales arreglos son llamados
configuraciones. Las configuraciones son tres: base comn, emisor comn y colector comn. En
cada configuracin encontramos dos conjuntos de caractersticas: de excitacin (de entrada) y de
salida. Estos conjuntos se estudian mediante grficas.
El conjunto de caractersticas de entrada emplea una grfica que relaciona la polarizacin de
entrada contra la corriente de entrada.
El conjunto de caractersticas de salida emplea

grficas que relacionan el voltaje de salida, la
corriente de entrada y la corriente de salida. A
estas curvas se les llama Familias de curvas
caractersticas. Este conjunto tiene tres regiones
de inters en el estudio de transistor: activa, de
corte y de saturacin.
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1
SIMBOLOS DEL TRANSISTOR

El smbolo de los transistores est hecho con el criterio convencional de la corriente, el cual indica
el flujo de corriente a travs de los huecos, la flecha indica la terminal del emisor. Este smbolo
aplica tanto a los transistores fabricados con Germanio como a los de Silicio.
A los transistores NPN y PNP se les conoce como transistores bipolares; BJT. La abreviacin BJT
significa transistor de unin bipolar que viene del ingls Bipolar Juntion Transistor. El trmino
bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin
hacia el material polarizado en forma opuesta, pero tambin que estos transistores poseen dos
junturas y que requieren de dos polarizaciones diferentes.
En general los transistores BJT de Ge se utilizan en sistemas amplificadores de audio frecuencia

(AF) debido a que su VT es de 0.3 V, mientras que los de Si se utilizan en sistemas de
amplificacin y procesamiento radiofrecuencias; AF; frecuencias medias y altas.
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1
Prctica 1: Localizacin de terminales del transistor con el multmetro.
Propsito de la prctica: El participante determina las terminales del transistor utilizando el
multmetro.
Descripcin de la prctica: En equipos de 5 personas los participantes encuentran las terminales
de los transistores a partir del manejo adecuado del multmetro y la interpretacin de sus lecturas.
Material utilizado:
1 transistor 2N3055
1 transistor MJU2955
1 transistor 2N2955
1 transistor 2N2222.
1 transistor 2N2219
1 transistor 2N1990
1 transistor 2N1992
1 transistor 2N464
1 transistor BC587
1 transistor BC548
1 transistor BC558
1 transistor BC337
1 transistor BD137
1 transistor BD138
Equipo y herramientas utilizados:
Multmetro.
Procedimiento.
En equipos de 5 personas determinar las terminales de diferentes transistores utilizando el
multimetro siguiendo los pasos:
1. Coloque el multmetro en
semiconductores/beep para probar diodos y
transistores.
2. Colocar las puntas de prueba en los bornes COM (-) y V/ (+) del multmetro.
3. A prueba y error encontrar la base.
a. La base es la terminal que da lectura con las otras dos cuando se polariza
directamente.
b. La base no da lectura cuando se polariza inversamente. Con las dems terminales.
4. Una vez localizada la base se determina el tipo de transistor, tomando en cuenta que la
base es el cristal de en medio de la estructura:
a. Si la base da lectura con la terminal roja del multmetro, entonces es un transistor
NPN.
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1
b. Si la base da lectura con la terminal negra del multmetro, entonces es un
transistor PNP.
5. Posteriormente se determina la terminal emisor, ser la terminal que da mayor lectura con
la base
a. Las lecturas en este caso van desde 0.400 hasta el 0.900, para transistores en
buen estado.
6. Luego se determina la terminal colector, esta es la que da menor lectura o resistencia con
la base:
a. La lectura puede ser muy cercana con respecto a la del emisor, slo que es
ligeramente ms pequea.
b. Esto es vlido para los multmetros digitales ya que con los analgicos no es
posible determinar cul es la menor lectura.
7. Finalmente se mide del emisor al colector, incluso intercambiando las puntas del
multmetro entre estas terminales. De los anterior hay que tener en cuenta lo siguiente:
a. De emisor a colector el instrumento debe marcar infinito o una lectura elevada.
b. De colector a emisor el instrumento debe marcar infinito o una lectura elevada
c. Lo anterior indica que el transistor se encuentra en buen estado.
d. En caso de encontrar una lectura baja, incluso continuidad, el transistor est en
corto circuito.
8. Repetir los pasos anteriores para los transistores listados en la lista de materiales.
9. En una tabla poner las terminales y el tipo de transistor, abarcando todos los transistores
enlistados.
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1
POLARIZACIN DEL TRANSISTOR.

Los transistores pueden emplearse como amplificadores de voltaje o corriente, o bien como
interruptores electrnicos, pero para que realicen cualquier trabajo primero se requiere polarizarlos,
esto es, encender el transistor mediante valores de resistencias y fuentes de alimentacin, llevarlo
a que funcione en alguna de estas tres formas:
Operacin en la regin activa o de operacin.
Operacin en la regin de corte.
Operacin en la regin de saturacin.
La regin activa se obtiene cuando: La unin J BC se polariza inversamente, la unin J BE se polariza
directamente. La regin activa se utiliza cuando el transistor trabaja como amplificador lineal.
La regin de corte, dado que no se cumplen los niveles de polarizacin, el transistor no ha
encendido y por lo tanto no trabaja. Se obtiene cuando: se polariza inversamente la unin JBE, se
polariza inversamente la unin JBC.
En la regin de saturacin el transistor tiene demasiado nivel de corriente tanto a la a entrada como
a la salida, se obtiene cuando: se polariza directamente la unin JBE, se polariza directamente la
unin JBC.
Cuando el transistor se hace trabajar desde la regin de corte hasta saturacin y viceversa, se dice
que trabaja en conmutacin y entonces el transistor opera como un interruptor.
EL funcionamiento del transistor en cualquiera de estas tres formas se comprende mejor si se
representan mediante una grfica. En la grfica de curvas de operacin del transistor se emplean
dos fuentes de alimentacin variables, (VBB y VCC) cada curva indica cmo vara la corriente del
colector (IC) cuando varia de la misma forma el voltaje entre el colector y el emisor (VCE) para un
valor de corriente de base (IB) constante.
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1
Si en el circuito con fuentes variables ilustrado anteriormente, se ajusta V BB, se tendr entonces
circulando la IB que se mantendr constante. Ahora si la fuente VCC se lleva hasta cero, entonces el
valor de IC=0 y VCE=0, pero si VCC se va incrementando gradualmente, VCE crecer e IC aumentar
tambin, esto ltimo se ilustra entre los puntos A y B de la primera de la grfica, cuando V CE
alcanza un valor de 0.7 V aproximadamente, la unin J BC se polariza inversamente y entonces I C
alcanza su valor mximo. En este momento I C permanecer constante mientras VCE sigue
creciendo.
Utilizando valores diferentes para IB se pueden obtener curvas distintas para un mismo transistor,
como se muestra en la segunda grfica.
Regin de corte. Cuando la IB = 0 las dos uniones del transistor se encuentran polarizadas
inversamente entonces se dice que el transistor est en corte. En la grfica de curvas de
operacin esta condicin se ubica debajo de la lnea de I B = 0.
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1
Regin de saturacin. Es cuando la IB se incrementa provocando que IC aumente tambin y el

valor de VCE se produce debido a que el voltaje en la RC aumenta al aumentar la corriente IC.
Cuando la unin JBC se polariza directamente, la IC ya no puede seguir creciendo aunque siga
aumentando la IB. En la grfica esta regin se ubica justo abajo y a la izquierda de la rodilla o
curva de cada lnea, esto es, justo antes de que la corriente de colector llegue a su valor mximo.
Corriente IB y voltaje VCE mximos. Estos parmetros se observan en la grfica, el primero como
una lnea horizontal en el punto ms elevado que puede tener la IB y el segundo como una lnea
vertical que indica el valor mximo de VCE que puede aplicarse al transistor.
Regin de operacin. Es el rea entra las regiones de corte y saturacin y las lneas IB y VCE
mximos. Todos los valores comprendidos en sta regin son los que se les pueden aplicar al
transistor operando normalmente como amplificador (de voltaje o corriente) o como interruptor
electrnico. Si se le aplican valores que estn fuera de la regin de operacin, el transistor no
funcionar adecuadamente o llegar a daarse.
Una configuracin normalmente empleada para la polarizacin del transistor es la siguiente:
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1
Al observar la disposicin de los componentes de la configuracin anterior, se obtiene una serie de
parmetros que es necesario tener en cuenta al estudiar las caractersticas de los transistores
como son:
Beta (). Es la ganancia de corriente que tiene el transistor, esto es, el factor de
amplificacin de la corriente de base (IB) que se obtiene en el colector (IC) del transistor, se
obtiene mediante:
IC
Los valores tpicos de van de 20 a 200, debido a que la IB es
IB
muy pequea en comparacin con IC.

Alfa (). Es la relacin existente entre la I C y la IE, su expresin matemtica es la siguiente:
IC
Comnmente los valores de van de 0.95 a 0.99, esto es muy cercano a 1
IE
debido a que la IE es casi igual a IC.

VBE (voltaje de base a emisor). Este voltaje comnmente de 0.7 V para el transistor de Si y
de 0.3 V para el de Ge.
VRB (voltaje en la resistencia de base). VRB = VBB VBE, o bien VRB = IB RB.
VRC (voltaje en la resistencia de colector). VRC = IC RC.
VCE (voltaje de colector a emisor). VCE = VCC - ICRC.
VCB (voltaje de colector a base). VCB = VCE VBE.
Prctica 2: Circuito de polarizacin del transistor.

Propsito de la prctica: El participante lleva a cabo la prueba del circuito de polarizacin del
transistor para verificar la operacin del mismo.
Descripcin de la prctica: En equipos de 5 personas los participantes realizan la polarizacin del
transistor a partir de un circuito bsico y llevan a cabo mediciones de parmetros elctricos
correspondientes para su verificacin.
Material utilizado:
1 Resistencia de 4.7K a W,
1 Resistencia de 1 K a W
1 Resistencia de 100 a 2W
1 transistor BD139
2 fuentes de alimentacin variables.
1 generador de seales.
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1
1 osciloscopio.
2 sondas de prueba.
1 multimetro.
Procedimiento.
RB = 4.7K a W
RC = 100 a 2W
VBB = 0 20V variable.
VCC = 7.5V
Q1 = BD139
1.
2.
3.
4.
Armar el circuito de la figura de polarizacin del transistor, en protoboard, en equipo..

Encender las fuentes de alimentacin.
Medir los parmetros de voltaje y corriente.
Anotar los valores de las mediciones obtenidas.
5. Aplicar; con el generador,
una
seal de 1V p.p de 1KHz al

circuito, por la izquierda de RB.
6. Medir con el osciloscopio y las
puntas de prueba la seal en la
base y en el colector.
7. Anotar los resultados obtenidos y
la informacin en una tabla.
8. Proporcionar sus conclusiones
personales y por equipo.
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1
CONFIGURACIONES DEL AMPLIFICADOR.

Para trabajar el transistor existen tres formas bsicas llamadas configuraciones, estas son:
En la configuracin base comn, la base es comn tanto a al entrada como a la salida de seal.
Adems la base es la terminal que tiene el potencial ms cercano a tierra. Los amplificadores base
comn tienen su entrada de seal en la terminal del Emisor y la salida se toma por la terminal
Colector. El conjunto de las caractersticas de entrada relaciona la corriente de entrada; I E.
Configuracin emisor comn. La configuracin del transistor ms comnmente usada es emisor

comn. En el emisor comn encontramos que la terminal de emisor es comn tanto a la entrada
como a la salida.
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1
En estas curvas se observa que el voltaje de conduccin del transistor; V T; aparece comienza en
0.7 V cuando es de Silicio (VT = 0.3 V para el Germanio).
Otro parmetro notable del emisor comn es el factor beta () que se denomina comnmente
factor de amplificacin de corriente directa en emisor comn.
Configuracin colector comn
La configuracin de colector comn se utiliza en propsitos de acoplamiento para de impedancia,
debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida,
contrariamente a las de las otras configuraciones.
En el colector comn, el colector es comn tanto a la entrada como a la salida de seal. La entrada
se toma de la terminal de la base y el colector (a tierra), y la salida se toma del emisor y el colector.
Debido a que la carga de salida se toma del emisor, a esta configuracin se le conoce con el
nombre se seguidor de emisor.
En resumen, comparando las caractersticas de estas configuraciones tenemos:

PARMETRO
BASE COMN
EMISOR COMN
COLECTOR
Impedancia de entrada; ZIN

Impedancia de salida; ZOUT
Ganancia de corriente; AI
Ganancia de voltaje; AV
Ganancia de potencia; AP
Seales de E y S en fase
Baja: 10 a 100
Muy alta: 50 K a 1 M
Ninguna, AI 1
Si, AV entre 50 y 300
Poca
Si
Baja
Alta (20 k aprx)
Si, AI 100
Si, AV elevada
Media
No, desfasa 180.
COMN
Alta
Muy baja
SI, AI << 100
Ninguna, AV 1
Elevada
Si
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1
En general, las configuraciones o clases de amplificadores se clasifican de acuerdo con la forma de

onda de la corriente del colector que resulta cuando se aplica una seal de entrada.
Clase A. El transistor conduce durante todo el ciclo de la seal de entrada. Amplifica los
360 de la seal de entrada.
Clase B. El transistor conduce slo la mitad del ciclo de la onda de entrada. Amplifica 180
de la seal de entrada.
Clase A-B. Implica la polarizacin del transistor a una corriente de CD diferente de cero,
mucho ms pequea que la pico de la seal de onda sinusoidal. Como consecuencia el
transistor conduce un intervalo ligeramente mayor de medio ciclo. Amplifica poco ms de
180 pero mucho menos que 360 de la seal de entrada.
Clase C. El transistor conduce un intervalo ms corto que el de un medio ciclo. El ngulo de
conduccin es menor que 180. El resultado es una corriente pulsante. Este circuito amplifica
ms de 90 y menos que 180de seal de entrada. Para obtener un voltaje sinusoidal de
salida, esta corriente se hace pasar por un circuito LC paralelo, sintonizado a la frecuencia
de la sinusoidal de entrada.
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1
EL AMPLIFICADOR COMPLETO.
Existen varios circuitos de polarizacin para la configuracin emisor comn, estos son:
Polarizacin fija de la base.
Polarizacin de CD con resistencia de emisor.
Polarizacin independiente de beta, por divisor de voltaje.

En los dos primeros circuitos de polarizacin los
valores de la corriente y el voltaje del colector
dependen de la ganancia de corriente () del
transistor. Pero es sensible con la temperatura y
adems el valor nominal de beta no esta bien
definido, por estas rezones e ms deseable un
circuito que sea independiente de beta.
La polarizacin por divisor de voltaje es el arreglo
ms comnmente utilizado, se realiza mediante un
divisor de voltaje formado por RB1 y RB2. Este
circuito de polarizacin es estable ya que la IE es
independiente de beta.
A continuacin se presenta una tabla con las polarizaciones mencionadas.
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1
Pgina 34

1
PRINCIPIO DE AMPLIFICACIN
En esencia, la accin bsica de amplificacin se produce mediante la transferencia de una
corriente I desde un circuito de baja resistencia a otro de alta resistencia. Es decir, en el transistor,
una corriente de entrada que pasa por un circuito de baja resistencia y luego avanza a otro de alta
resistencia obtiene una ganancia en la salida. La ganancia en los amplificadores emisor comn es
tanto de corriente como de voltaje.
La intensin de polarizar al transistor es alcanzar cierta condicin de corriente y voltaje, llamado
punto de operacin (punto Q), se brinda alguna atencin a la seleccin de ste punto en la
caracterstica del dispositivo. Para lo cual es necesario fijarse una recta de carga en la que
podamos ubicar el punto Q.
En el lugar que se elija fijar punto Q se busca que el transistor amplifique sin llegar a acortar la
seal o deteriorar la vida del dispositivo.
Un
circuito
de
operacin
puede
disearse para fijar la operacin del

dispositivo dentro de la regin de
operacin, considerando adems que
sern amplificadas seales pequeas.
La recta de carga de CD es una lnea
que en un extremo tiene como eje el
valor de VCC, y por el otro extremo el
valor de la IC mxima. La lnea de carga
trazada depende slo de la alimentacin
VCC y de os valores de RC y RE.
El punto Q de un circuito se puede
encontrar mediante los mtodos de
anlisis
grfico
de
anlisis
aproximado.
La pendiente de la lnea de carga
depende nicamente de los valores de
RC y RE.
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1
El punto de operacin se obtiene grficamente como el punto de interseccin de la lnea de carga

de CD y la curva de la IB del transistor. La corriente de colector de operacin ICQ se lee a partir del
punto de operacin. El valor de la IB se calcula por separado del circuito.
MEDICIONES DE SEALES DE ENTRADA Y SALIDA.
Para determinar la ganancia de voltaje (AV) del amplificador en emisor comn se utiliza la frmula
AV
Vsai
RC
AV
Vent tambin
rE . Donde
rE
26mV
IE
, el resultado ser en .
Dado lo anterior es necesario medir el valor de las seales de entrada y de salida en el

osciloscopio para poder ejecutar los clculos.
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1
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1
Prctica 3: Armado de un amplificador.

Propsito de la prctica: El participante lleva a cabo el armado y prueba de un circuito
amplificador transistorizado.
Descripcin de la prctica: En equipos de 5 personas los participantes realizan el armado y
prueba de un amplificador de pequea seal transistorizado, aplicndole seale de entrada.
Material utilizado:
1 fuente de alimentacin de 24V.
1 generador de seales.
1 osciloscopio.
2 sondas de prueba.
1 multimetro.
Procedimiento.
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
Armar el circuito amplificador de la figura, en protoboard.

Encender la fuente de alimentacin.
Aplicar; con el generador, una seal de 1V p.p de 1KHz al circuito, por la izquierda de RB.
Medir con el osciloscopio y las puntas de prueba la seal en entrada y de salida.
Anotar los resultados obtenidos y la informacin en una tabla.
Proporcionar sus conclusiones personales y por equipo.
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1
OPERACIN CORRECTA DEL AMPLIFICADOR.

La operacin correcta del amplificador consiste en aplicar los niveles de voltaje de alimentacin
correctos as como la seal de entrada adecuada a la capacidad del amplificador.
Esto es, bajo ciertas condiciones de polarizacin del transistor, la seal puede sufrir distorsiones
(recortes) en sus semiciclos positivos y negativos.
Debido a que los valores de voltaje y de resistencias llevan al punto Q al corte o a la saturacin.
Cuando se cortan ambos picos, es que el transistor ha sido llevado hacia saturacin y hacia corte
por una seal excesivamente grande en la entrada.
Cuando solo se limita el pico positivo, el transistor se encuentra polarizado cerca de la zona de
corte.
Pgina 39

1
Cuando se corta el pico negativo, el transistor se est excitando cerca de la saturacin.
EL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) COMO INTERRUPTOR.

Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch, la corriente de base debe tener un valor
para lograr que el transistor entre en corte y otro para que entre en saturacin.
Un transistor en corte tiene una corriente de colector (IC) mnima (prcticamente igual a cero)
y un voltaje colector emisor V CE mximo (casi igual al voltaje de alimentacin). Ver la zona
amarilla en el grfico.
Un transistor en saturacin tiene una corriente de colector (I C) mxima y un voltaje colector
emisor (VCE) casi nulo (cero voltios). Ver zona en verde en el grfico.
Para lograr que el transistor entre en corte, el valor de la corriente
de base debe ser bajo o mejor an, cero.
Para lograr que el transistor entre en saturacin, el valor de la
corriente de base debe calcularse dependiendo de la carga que
se est operando entre encendido y apagado (funcionamiento de
interruptor).
Si se conoce cul es la corriente que necesita la carga para
activarse (se supone un bombillo o foco), se tiene el valor de
corriente que habr de conducir el transistor cuando este en
saturacin y con el valor de la fuente de alimentacin del circuito,
se puede obtener la recta de carga. Ver grfico anterior.
Esta recta de carga confirma que para que el transistor funcione en saturacin, Ic debe ser mximo
y VCE mnimo y para que est en corte, IC debe ser el mnimo y VCE el mximo.
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1
Funcionamiento de un transistor como interruptor
Para que un transistor funcione como un interruptor abierto o cerrado es necesario que circule o no
circule corriente entre el colector y el emisor. En ambos casos se intercalan dos resistencias que
tienen como misin limitar la cantidad de corriente que circula por la base y el colector, y que se
llaman:
RB: resistencia de base.
RC: resistencia de carga.
Como interruptor abierto (zona de corte).
Como interruptor cerrado (zona activa).

Zona de corte
Si RB es muy grande, IB = 0 -> no deja pasar corriente entre colector
y emisor. No circula corriente por la base.
El transistor se comporta como circuito abierto.
Zona activa.
Si RB disminuye, Ib aumenta y permite pasar corriente entre colector
y emisor.
La relacin que existe entre la intensidad del colector y la intensidad
de la base es: Ic = IB
: ganancia de corriente, su valor es aproximadamente 100.
Zona de saturacin
Si aumentamos progresivamente el valor de intensidad en la base,
llega un momento en el que la intensidad del colector no sigue
aumentando. El transistor se comporta entonces como un interruptor
cerrado.
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El
transistor
se
comporta
como
un
interruptor cerrado.
Prctica 4: Armado del transistor como interruptor.

Propsito de la prctica: El participante arma y prueba el transistor como interruptor
Descripcin de la prctica: En equipos de 5 personas los participantes realizan el armado y
prueba de un amplificador de pequea seal transistorizado, aplicndole seale de entrada.
Material utilizado:
1 transistor BC547
1 push botn normalmente abierto,
1 resistor de 330 a W. = RB
1 resistor de 1 K. a de W = RC o Carga
1 resistor de 830 a de W
1 LED
1 fuente de alimentacin de 12V.
1 multimetro.
Procedimiento.
1. Armar el circuito amplificador de la figura, en
2.
3.
4.
5.
6.
7.
protoboard.
Encender la fuente de alimentacin.
Accione el interruptor.
Explica lo que sucede al accionar el interruptor.
Conectar un LED con resistencia limitadora del
colector a tierra
8. Proporcionar sus conclusiones personales y por
equipo.
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MANUAL DE ELECTRNICA ANALGICA
3 TIRISTORES
INTRODUCCION:
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de
potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se
operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor.
Para muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son interruptores o conmutadores
ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.
CARACTERISTICAS DE LOS TIRISTORES:
Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres
uniones pn tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra el smbolo del tiristor
y una seccin recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3
tienen polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una
pequea corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin
de bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la corriente fuga corriente de estado
inactivo ID. Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande la
unin J2 polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y
el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya
tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones
que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en
estado de conduccin o activado.
ELABORADOR POR ING. VCTOR MANUEL GALLEGOS PUGA Pgina 43

Fig. 1 Smbolo del tiristor y tres uniones pn
La cada de voltaje se deber a la cada ohmica de las cuatro capas y ser pequea, por lo
comn 1V. En el estado activo, la corriente del nodo est limitada por una impedancia o una
resistencia externa, RL, tal y como se muestra en la fig. 2.
La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche
IL, a fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo
contrario, al reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de
bloqueo. La corriente de enganche, IL, es la corriente del nodo mnima requerida para mantener
el tiristor en estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha
retirado la seal de la compuerta. En la fig. 2b aparece una grfica caracterstica v-i comn de un
tiristor.
Fig.2 Circuito Tiristor y caracterstica v-i
Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay
control sobre el dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una
capa de agotamiento de vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la
corriente directa del nodo por debajo de un nivel conocido como corriente de mantenimiento IH ,
se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin J2 debida al nmero reducido de
portadores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del
orden de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche, IL. Esto significa que IL>IH .
La corriente de mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en

estado de rgimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de
enganche.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J2 tiene
polarizacin directa, pero las uniones J1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos
diodos conectados en serie con un voltaje inverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado de
bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente de fuga inversa IR, fluir
a travs del dispositivo.
MODELO DE TIRISTOR DE DOS TRANSITORES.
La accin regenerativa o de enganche de vida a la retroalimentacin directa se puede
demostrar mediante un modelo de tiristor de dos transistores. Un tiristor se puede considerar como
dos transistores complementarios, un transistor PNP, Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se
demuestra en la figura 3.
La corriente del colector IC de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del
emisor IE y la corriente de fuga de la unin colector-base ICBO, como
Ic =
IE + ICBO..(1)
La ganancia de corriente de base comn se define como =IC/IE. Para el transistor Q1 la

corriente del emisor es la corriente del nodo IA, y la corriente del colector IC1 se puede
determinar a partir de la ecuacin (1):
IC1 =
1 IA + ICBO1(2)
a) Estructura bsica
b) Circuito equivalente
Fig. 3 Modelo de tiristor de dos terminales.
Donde alfa1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. En

forma similar para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es:
IC2 =
Donde
2IK + ICBO2(3)
2 es la ganancia de corriente y ICBO2 es la corriente de fuga correspondiente a
Q2. Al combinar IC1 e IC2, obtenemos:

IA = IC1 + IC2 =
1IA + ICBO1 +
2IK + ICBO2.(4)
Pero para una corriente d compuerta igual AIG, IK=IA+IG resolviendo la ecuacin anterior
en funcin de IA obtenemos:
IA =
2 IG + ICBO1 + ICBO2.(5)
1-( 1+
2)
ACTIVACION DEL TIRISTOR

Un tiristor se activa incrementndola corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo
mediante una de las siguientes formas.
TERMICA.
Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero de
pares electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har
que
1y
2 aumenten. Debido a la accin regenerativa ( 1+ 2) puede tender a la unidad y el
tiristor pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general
se evita.
LUZ. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares
electrn-hueco pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo
que esta llegue a los discos de silicio.
ALTO VOLTAJE. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura
directo VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este
tipo de activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.
dv/dt.
Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga
de las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de
carga puede daar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los
fabricantes especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores.
CORRIENTE DE COMPUERTA.
Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de
una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las
terminales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el
voltaje de bloqueo directo, tal y como aparece en la fig.4
Fig.4 Efectos de la corriente de compuerta sobre el voltaje de bloqueo directo.
CIRCUITOS CON SCR
Figura 3.5 Determinacin del punto de funcionamiento del tiristor

en el cebado (caractersticas de puerta).
La derivada de la corriente IG ha de ser del orden de varios amperes por segundo a fin de
reducir al mnimo el tiempo de respuesta (figura 3.5). Esto es importante cuando la carga tiene una
componente capacitiva o una red RG en paralelo al tiristor o triac. Vamos a examinar ahora un
ejemplo de clculo:
Supongamos que se trata de cebar un tiristor BTY79 a partir de una fuente de tensin
continua de 6V (figura 3.6) y la potencia media mxima de puerta que no debemos sobrepasar es
PGAV = O.5W, lo que corresponde a los valores mnimos tomados en la curva V O = ZV e lO = 7mA
Recordamos que:
Potencia de pico en punta (PGFS)
Potencia media disipable de puerta(PGAV)
Figura 3.6 a) Circuito de cebado (disparo) en cc,.

b) Especificaciones mximas y tolerancias aplicables en el caso de cebado en cc.
El valor mnimo que debe tener la tensin del generador (V s) ser:

VS (MIN) = RS (MAX). lO + VO
= (2+2.7) .0,075 + 2 4.2V
El valor mximo de VS corresponder a PGAV = O.5W; grficamente vemos que la
impedancia mxima de puerta del tiristor es R G(MAX) = 32; por lo tanto, si RG(MAX) RS(MIN),
tendremos:
Es decir, igualando esta expresin a PGAV(MAX) del tiristor (0.05W):
Por lo tanto, la fuente de 6V es suficiente por el funcionamiento del circuito.

Disparo en Corriente Alterna
Para el cebado en corriente alterna el circuito bsico es el de la figura 3.7.
Figura 3.7. Circuito de cebado (disparo) en corriente alterna.
La excursin inversa de la tensin de puerta debe permanecer inferior al valor mximo

admisible, lo que explica la utilizacin del diodo de proteccin D.
La potencia mxima de pico PPOFS (MAX) puede aumentarse a condicin de no
sobrepasar la potencia media de puerta. El valor de v s (MIN) es entonces igual al calculado
anteriormente en C.C. El valor de V s (MAX) ser:
La relacin cclica efectiva para el cebado ser:

Potencia media por periodo 100%
Potencia de pico
Esto es:
La potencia media por periodo (puesto que una de las semiondas est bloqueada) es igual
a la que se obtendra con impulsos rectangulares de una duracin igual a un cuarto de periodo y
una amplitud VS.
Ejemplo de clculo:
La tensin V s (MIN) ser igual a la encontrada anteriormente en C.C.
Y la potencia de pico mximo PGFS ser:
Es decir, cuatro veces superior que P GAV (,5W), lo que Corresponde a una relacin cclica
de 25%.
TIPOS DE TIRISTORES.
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere
de un tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la
compuerta cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el
tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de
compuerta.

Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin,
en general los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras:
1. Tiristores de control de fase (SCR).
2. Tiristores de conmutacin rpida (SCR).
3. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).
4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
5. Tiristores de conduccin inversa (RTC).
6. Tiristores de induccin esttica (SITH).
7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
9. Tiristores controlados por MOS (MCT)
En esta practica fue necesario adems de utilizar tiristores, la utilizacin de un tipo especial
de estos como lo es un UJT adems de un PUT por lo que se definen ambos a continuacin:

TRANSISTOR MONOUNION (UJT).
El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en
los SCR. En la fig.5 se muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales,
conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las
caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el
rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C
a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto. La
constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo
que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a
travs de RB1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho
menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de
conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga.
El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar el
SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est
dado por:
T = 1/f = RC ln 1/1-n
Fig.5 Circuito bsico de disparo de un UJT
FUNCIONAMIENTO DEL UJT

Oscilador de relajacin con UJT
En la Figura 4.2 se representa un circuito tpico de oscilador de relajacin con UJT. y en el
que la. resistencia R2 cumple la funcin de estabilizar trmicamente al transistor. La Grfica 4.1
muestra las formas de onda de salida de este circuito.
Al conectar la alimentacin, el condensador C se empieza a cargar a travs de R 1 + P con

una velocidad determinada por la constante de tiempo de estos elementos segn la expresin
Vc = VBB(1 -e-t/t)
Transcurrido un tiempo determinado t S, la tensin Vc ser igual al valor de pico del UJT,
con lo que ste se cebar, dando lugar a una corriente de emisor y provocando la descarga de C a
travs de R3: en la salida Vo2 aparece un pulso de tensin.
Figura 4.2 Oscilador de relajacin con UJT
Grafica 4.1 Formas de onda del circuito de la figura 4.2.
De la expresin anterior de carga del condensador se puede obtener el tiempo que tarda C
en alcanzar la tensin Vp mediante
Si lo que se pretende es disear un circuito para que el flanco de subida del diente de
sierra dure un tiempo ts determinado, bastar fijar el valor de uno de los componentes
(normalmente C) para obtener el otro en funcin de l, mediante la expresin

Ahora bien, conforme se descarga C, el valor de IE pasa por debajo del valor Iv pasando el
UJT, por tanto, al estado de bloqueo e inicindose con ello un nuevo ciclo. El tiempo t b durante el
cual se descarga C se obtiene de la expresin de descarga de un condensador a travs de una
resistencia, es decir, de
pero Vc haba alcanzado la tensin Vp y se descargar hasta la tensin de valle del UJT,
modificndose por tanto la expresin anterior a la forma
por otra parte, la tensin Vv corresponde al codo de un diodo polarizado en directo y,

admitiendo que este valor sea de 0,7 V, entonces
luego, siendo t = R3 C y despejando tb se obtiene
Si se desea calcular el valor de R 3 (aunque normalmente se hace lo suficientemente bajo

como para despreciar el tiempo de descarga de C) para que t b tenga un valor prefijado, bastar
despejarla de la ecuacin anterior, as
Considerando que el periodo T de la onda de salida es la suma de t s y tb y que este ltimo

suele ser despreciable frente a ts, se obtiene la frecuencia de oscilacin del circuito
despreciando los 0,7 V se puede hacer Vp VBB para sustituirlo en la expresin de t s y

aplicando las propiedades de los logaritmos, nos queda
ecuacin que nos da, con bastante aproximacin, la frecuencia de oscilacin del circuito.
Por ltimo, aadir que la resistencia R 1 en serie con P es necesaria, porque la recta de
carga del conjunto ha de cortar obligatoriamente a la grfica del UJT en tres puntos para que ste
bascule, siendo el lmite superior de P el correspondiente a una intensidad superior a la Ip del UJT,
para que tenga lugar el paso del estado de bloqueo al estado conductor.
TRANSISTOR MONOUNION PROGRAMABLE. (PUT)

El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que aparece en la fig.7.
Un PUT se puede utilizar como un oscilador de relajacin, tal y como se muestra en la fig.7b. El
voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin mediante el divisor resistivo del voltaje
R1 y R2, y determina el voltaje de punto de pico Vp. En el caso del UJT, Vp est fijo para un
dispositivo por el voltaje de alimentacin de cd, pero en un PUT puede variar al modificar al
modificar el valor del divisor resistivo R! y R2. Si el voltaje del nodo VA es menor que el voltaje de
compuerta VG, le dispositivo se conservar en su estado inactivo, pero si el voltaje de nodo
excede al de compuerta en una cada de voltaje de diodo VD, se alcanzar el punto de pico y el
dispositivo se activar. La corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la
impedancia equivalente en la compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentacin en cd
Vs. N general Rk est limitado a un valor por debajo de 100 Ohms.
R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. El periodo de oscilacin T est dado en
forma aproximada por:
T = 1/f = RC lnVs/Vs-Vp = RC ln (1+R2/R1)
Fig.7 Circuito de disparo para un PUT.
TRIAC:
El TRIAC (triode AC conductor) es un semiconductor capaz de bloquear tensin y conducir
corriente en ambos sentidos entre los terminales principales T1 y T2. Su estructura bsica y
smbolo aparecen en la fig.8. Es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de
bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva UT2-T1 --- iT2 es igual a la
del cuadrante III. Tiene unas fugas en bloqueo y una cada de tensin en conduccin prcticamente
iguales a las de un tiristor y el hecho de que entre en conduccin, si se supera la tensin de ruptura
en cualquier sentido, lo hace inmune a destruccin por sobretensin.
Fig.8 TRIAC: Estructura y smbolo.
CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN TRIAC:

Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo, con
una conexin de compuerta comn, como se muestra en la fig.9
Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales
como nodo y ctodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, se activar al
aplicar una seal negativa a la compuerta, entre la compuerta y la terminal MT1.
No es necesario que esten presentes ambas polaridades en las seales de la compuerta y
un TRIAC puede ser activado con una sola seal positiva o negativa de compuerta. En la prctica,
la sensibilidad vara de un cuadrante a otro, el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I
(voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta
negativos).
Fig.9 Circuito equivalente de un TRIAC

MODOS DE FUNCIONAMIENTO DE UN TRIAC:
El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la
aplicacin entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una
facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuacin se vern los
fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles.
Modo I + :
Terminal T2 positiva con respecto a T1.

Intensidad de puerta entrante.
Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la
metalizacin del terminal del ctodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la P2.
La corriente de puerta circula internamente hasta T1 , en parte por la unin P2N2 y en
parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2 que es
favorecida en el rea prxima a la puerta por la cada de tensin que produce en P2 la circulacin
lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin
P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella inicindose la conduccin.
Modo I - : Terminal T2 positivo respecto a T1.
Intensidad de puerta saliente.
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la

estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de
ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la
unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la
estructura principal que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la
estructura auxiliar, entrando en conduccin.
Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1.
Intensidad de puerta entrante.
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin
la estructura P2N1P1N4.

La inyeccin de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los que
alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin, hacindose ms
conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de la unin P2N1
prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que
alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la entrada
en conduccin.
Modo III - :
Terminal T2 negativo respecto a T1.

Intensidad de puerta saliente.
Tambin se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas

P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin
positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la
puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la
hacen pasar a conduccin.
Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I + y
III - los ms sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo ms difcil y debe
evitarse su empleo en lo posible.
El fabricante facilita datos de caractersticas elctricas el bloqueo, conduccin y de dispar
por puerta de forma similar a lo explicado para el tiristor.
Fig.10 Caractersticas V-I de un TRIAC
CIRCUITOS CON TRIAC

Variador Simple de Media Onda para Motores Universales
Este circuito (figura 5.4) notable por su sencillez es til para control de motores de escasa
potencia, con carga constante. Es particularmente eficiente para bajas velocidades ya que se
pueden obtener ngulos de conduccin de menos de 90 en los tiristores.
Figura 5.4. Variador

de velocidad de
media onda simple
sin regulacin.
Cuando se aplica la semionda positiva de red, el condensador CI comienza a cargarse a

travs de la red R1 - R2, del diodo D1. La tensin de Cl se transmite a la puerta del tiristor T4, que
entra en conduccin en cuanto se alcanza su umbral de disparo. En este momento queda aplicada
al motor el resto de la semionda de tensin de red.
Durante la semionda negativa se descarga C1 a travs de R1; R2 y R3 ya que el diodo
est bloqueado (lo mismo que el tiristor). El ajuste del ngulo de conduccin se hace mediante la
constante de tiempo R1 R2 C1. Cuando se introduce el mximo de resistencia en el circuito, el
ngulo y, por consiguiente, la velocidad del motor, son mnimos.
Puesto que el circuito no provee regulacin de velocidad, es necesario evitar que el motor
se embale en ausencia de carga; el tiristor no soportara fuertes sobrecargas que durasen ms de
pocos segundos.
APENDICE
A continuacin s da una descripcin d estos componentes y sus aplicaciones.
Elementos pasivos utilizados en circuitos electrnicos
RESISTORES.
El resistor es un dispositivo elctrico-electrnico que introduce
una resistencia elctrica especifica en un circuito parte de del
mismo. Consiste en un material formado por carbn y otros
elementos resistivos para disminuir u oponerse a la corriente que
pasa a travs de l. La corriente mxima en un resistor viene
condicionada por la mxima potencia que puede disipar su
cuerpo. Esta potencia se puede identificar visualmente a partir
del dimetro sin que sea necesaria otra indicacin. Los valores ms
comunes son 0,25 W, 0,5 W y 1 W.
RESISTIVIDAD.
Todas las sustancias se oponen en mayor o menor grado al paso de la corriente elctrica,
esta oposicin es a la que llamamos resistencia elctrica. Los materiales que son buenos
conductores poseen una resistencia elctrica muy baja, los aislantes tienen una resistencia muy
alta.

Se le llama resistividad al grado de dificultad
que
encuentran
los
electrones
en
sus
Material
desplazamientos. Se designa por la letra

griega rho minscula () y se expresa en
mm/m.
Su
valor
describe
el
comportamiento de un material frente al paso

de corriente elctrica. Un valor alto de
resistividad indica que el material es mal
conductor mientras que uno bajo indicar que
es un buen conductor. Matemticamente se
representa:
Siendo: R= Resistencia. = Resistividad,

[mm/m]. L = Longitud, [m]. S = Seccin de
la muestra [mm2]
Generalmente la resistividad de los metales
aumenta con la temperatura, mientras que la
resistividad
de
los
semiconductores
Resistividad (en 20 C25 C) (m)
Plata1
1,55 x 10-8
Cobre2
1,70 x 10-8
Oro3
2,22 x 10-8
Aluminio4
2,82 x 10-8
Wolframio5
5,65 x 10-8
Nquel6
6,40 x 10-8
Hierro7
8,90 x 10-8
Platino8
10,60 x 10-8
Estao9
11,50 x 10-8
Acero inoxidable 30110
72,00 x 10-8
Grafito11
60,00 x 10-8
disminuye. A continuacin se presenta la

Tabla
de
resistividades
de
algunos
materiales:
VALORES DE LOS RESISTORES.

Los fabricantes encapsulan resistores en valores resistivos especficos y de esa manera se
adquieren y comercializan.
Los valores se indican por medio de franjas de colores sobre el cuerpo del dispositivo, se
leen de izquierda a derecha. Son tres, cuatro o cinco rayas; la raya de tolerancia o precisin
(normalmente plateada o dorada) a la derecha y ltima,. El multiplicador y las otras indican las
cifras significativas del valor de la resistencia.

La lista de valores comerciales de los resistores es como sigue:
CDIGO DE COLORES PARA RESISTORES.

El valor de la resistencia elctrica se obtiene leyendo las cifras como un nmero de una,
dos o tres cifras; se multiplica por el multiplicador y se obtiene el resultado en Ohms (). El
coeficiente de temperatura nicamente se aplica en resistencias de alta precisin o tolerancia
menor del 1%.
Tabla de cdigo de colores para leer resistores.

Color de la
banda
1cifra
significativa
2cifra
significativa
Multiplicador Tolerancia
Coeficiente de
temperatura
Negro
Marrn
10
1%
100ppm/C
Rojo
100
2%
50ppm/C
Naranja
1 000
15ppm/C
Amarillo
10 000
4%
25ppm/C
Verde
100 000
0,5%
Azul
1 000 000
0,25%
10ppm/C
Violeta
0,1%
5ppm/C
Gris
Blanco
1ppm/C
Dorado
0,1
5%
Plateado
0,01
10%
Ninguno
20%
Como leer el valor de una resistencia.

En una resistencia tenemos generalmente 4 (Cuatro) lneas de colores, aunque podemos
encontrar algunas que contenga 5 lneas (4 de colores y 1 que indica tolerancia) vamos a tomar la
ms general las de 4 lneas, las primeras 3 y dejamos aparte la tolerancia que es plateada o
dorada.
La primera lnea representa el dgito de las unidades.
La segunda lnea representa el dgito de las decenas.
El nmero as formado se multiplica por la potencia de 10 expresada por la tercera lnea

(multiplicador).
Por ejemplo: Tenemos una resistencia con los colores verde, amarillo, rojo y dorado.
Registramos el valor de la primera lnea (verde): 5
Registramos el valor de la segunda lnea (amarillo): 4
Registramos el valor de la tercera lnea (rojo): X 100
Unimos los valores de las primeras dos lneas y multiplicamos por el valor de la tercera
54 X 100 = 5400 o 5,4 k y este es el valor de la resistencia expresada en Ohmios
Ejemplos.
Lectura: 1 cifra: rojo (2), 2 cifra: violeta (7), Multiplicador: verde
(100000), Tolerancia: plateado (10%)
Esta es la caracterizacin de una resistencia de 2.700.000

(2,7 M), con una tolerancia de 10%.
Lectura: 1 cifra: azul (6), 2 cifra: verde (5), 3 cifra: negro (0),
Multiplicador: dorado (10-1), Tolerancia: rojo (2%)
El valor de la resistencia de la figura 5 es de 65 y tolerancia

de 2% dado que:
DISIPACIN DE POTENCIA DE LOS RESISTORES.

Los
resistores
tienen
una
especificacin
elctrica referente a la potencia y a la

temperatura que tendrn que soportar para
desarrollar la disipacin de calor acorde. Esta
influye en el tamao del componente.
Los resistores ms pequeos; en su forma
comercial pueden ser de 1/8 y , de watt, los
medianos de , y 1 watt, los de mayor
tamao (de asbesto) 2, 5 y hasta 10 watts.
CLASIFICACIN DE LOS RESISTORES.

Las resistencias son componentes elctricos pasivos en los que la tensin instantnea aplicada es
proporcional a la intensidad de corriente que circula por ellos. Su unidad de medida es el ohmio
().
Se pueden dividir en tres grupos:
A. Resistencias lineales fijas: su valor de resistencia es constante y est predeterminado por el

fabricante.
B. Resistencias variables: su valor de resistencia puede variar dentro de unos lmites.

C. Resistencias no lineales: su valor de resistencia varia de forma no lineal dependiendo de
distintas magnitudes fsicas (temperatura, luminosidad, etc.).
Resistencias lineales fijas
Estos componentes de dos terminales presentan un valor nominal de resistencia constante
(determinado por el fabricante), y un comportamiento lineal. Las especificaciones tcnicas ms
importantes que podemos encontrar en las hojas de caractersticas del fabricante encontramos:
Resistencia nominal (Rn): es el valor hmico que se espera que tenga el componente.
Tolerancia: es el margen de valores que rodean a la resistencia nominal y en el que se
encuentra el valor real de la resistencia. Se expresa en tanto por ciento sobre el valor
nominal.
Los valores de resistencia nominal y tolerancia estn normalizados a travs de la norma UNE 20
531 79 de tal forma que disponemos de una gama de valores y sus correspondientes tolerancias
(series de valores normalizados y tolerancias para resistencias) a las que tenemos que acogernos
a la hora de elegir la resistencia necesitada.
Potencia nominal (Pn): es la potencia (en vatios) que la resistencia puede disipar sin
deteriorarse a la temperatura nominal de funcionamiento.

Tensin nominal (Vn): es la tensin continua que se corresponde con la resistencia y
potencia nominal.
Intensidad nominal (In): es la intensidad continua que se corresponde con la resistencia y
potencia nominal.
Tensin mxima de funcionamiento (Vmax): es la mxima tensin continua o alterna eficaz
que el dispositivo no puede sobrepasar de forma continua a la temperatura nominal de
funcionamiento.
Temperatura nominal (Tn): es la temperatura ambiente a la que se define la potencia
nominal.
Temperatura mxima de funcionamiento (Tmax): es la mxima temperatura ambiente en la

que el dispositivo puede trabajar sin deteriorarse. La disipacin de una resistencia
disminuye a medida que aumenta la temperatura ambiente en la que est trabajando.
Coeficiente de temperatura (Ct): es la variacin del valor de la resistencia con la
temperatura.
Coeficiente de tensin (Cv): es la variacin relativa del valor de la resistencia respecto al
cambio de tensin que la ha provocado.

Estabilidad, derivas: representa la variacin relativa del valor de la resistencia por motivos
operativos,
ambientales,
periodos
largos
de
funcionamiento,
por
el
propio
funcionamiento.
Ruido: se debe a seal (o seales) que acompaan a la seal de inters y que provoca
pequeas variaciones de tensin.
Clasificacin de resistencias lineales.

La clasificacin de estas resistencias se puede hacer en base a los materiales utilizados para su
construccin, bsicamente mezclas de carbn o grafitos y materiales o aleaciones metlicas.
Tambin se pueden distinguir distintos tipos atendiendo a caractersticas constructivas y
geomtricas. Una clasificacin sera la siguiente:
1. DE CARBN:
a. Aglomeradas.
b. De capa.
2. METLICAS:
a. De capa.
b. De pelcula.
c. Bobinadas.
Resistencias de carbn.
Es el tipo ms utilizado y el material base en su construccin es el carbn o grafito. Son de
pequeo tamao y baja disipacin de potencia. Segn el proceso de fabricacin y su constitucin
interna, podemos distinguir:

Resistencias aglomeradas. Tambin se conocen con el nombre de "composicin", debido a su
constitucin: una mezcla de carbn, materia aislante, y resina aglomerante. Variando el
porcentaje de estos componentes se obtienen los distintos valores de resistencias. Entre
sus caractersticas se puede destacar:
Robustez mecnica y elctrica (sobrecarga).

Bajos coeficientes de tensin y temperatura.
Elevado nivel de ruido.
Considerables derivas.
Resistencias de capa de carbn. En este tipo de resistencias, la fabricacin est basada en el

deposito de la composicin resistiva sobre un cuerpo tubular formado por materiales
vtreos cermicos. Como caractersticas ms importantes:
Elevado coeficiente de temperatura.

Soportan mal las sobrecargas.
Ruido y coeficiente de tensin prcticamente nulos.
Mayor precisin y menores derivas que las aglomeradas:
Resistencias metlicas.
Estas resistencias estn constituidas por metales, xidos y aleaciones metlicas como material
base. Segn el proceso de fabricacin y aplicacin a la que se destinan podemos distinguir:
Resistencias de capa metlica. Estn constituidas por un soporte que puede ser de pirex, vidrio,
cuarzo o porcelana, sobre el que se depositan capas por reduccin qumica; de xidos
metlicos o vaporizacin al vaco para metales o aleaciones metlicas. Los xidos ms
utilizados son de estao, antimonio e indio, como metales y aleaciones de oro, platino,
indio y paladio; dentro del grupo de metales preciosos. Estos componentes tienen una gran
estabilidad y precisin y un bajo nivel de ruido por lo que suelen ser utilizadas en
aplicaciones exigentes. Entre sus caractersticas ms importantes tenemos:
Rangos reducidos de potencia y tensin.

Estrechas tolerancias y elevada estabilidad.
Bajo coeficiente de temperatura y altas temperaturas de funcionamiento.
Reducido nivel de ruido.
Resistencias de pelcula metlica. La diferencia fundamental con las anteriores est en las tcnicas
de fabricacin utilizadas, mediante las cuales se han conseguido integrar redes de
resistencias. Los materiales base usados en su fabricacin y los cuerpos soporte son los
caractersticos de las resistencias metlicas, a excepcin de los xidos metlicos. Dentro
de este tipo tambin podemos diferenciar dos tipos: de pelcula delgada y de pelcula
gruesa, diferencindose en las caractersticas constructivas.

La principal ventaja de estas resistencias radica en su reducido tamao, y su disponibilidad de
redes de resistencias como componente integrado. A pesar de su reducido margen de potencia,
inferior a 1/2 W, las ventajas respecto a las resistencias discretas se pueden resumir en:
Coste menor para un mismo nmero de resistencias.

Reduccin del cableado, peso y espacio en el circuito.
Tolerancias ms ajustadas.
Caractersticas generales de las unidades integradas muy similares y valores nominales
prcticamente idnticos.
Posibilidad de obtencin de valores hmicos distintos en funcin de la configuracin interna
y el nmero de resistencias integradas.
Esta ltima posibilidad est ligada al tipo de encapsulado en que se presenta la red. En la prctica
los ms comunes que se nos presentan son:
Tipo SIL, disposicin de terminales en una lnea, usada tambin para algunos tipos de
conectores.
Tipo DIL, caracterstica de los encapsulados de circuitos integrados.
Resistencias bobinadas. En este tipo se emplean como soportes ncleos cermicos y vtreos, y
como materiales resistivos metales o aleaciones en forma de hilos o cintas de una
determinada resistividad, que son bobinados sobre los ncleos soporte.
Generalmente se suele hacer una subdivisin de este tipo en bobinadas de potencia y bobinadas
de precisin, segn la aplicacin a la que se destinan. Como caractersticas generales tenemos:
Gran disipacin de potencias y elevadas temperaturas de trabajo.

Elevada precisin, variacin con la temperatura y baja tensin de ruido.
Considerables efectos inductivos.
Construccin robusta.
Las resistencias bobinadas se pueden incluir en algunos de los modelos comerciales siguientes:
hilo descubierto, esmaltadas, vitrificadas, y aisladas.
Resistencias variables.
Estas resistencias pueden variar su valor dentro de unos lmites. Poseen un tercer terminal unido a
un contacto mvil que puede desplazarse sobre el elemento resistivo proporcionando variaciones
en el valor de la resistencia. Este tercer terminal puede tener un desplazamiento angular (giratorio)
o longitudinal (deslizante). Segn su funcin en el circuito estas resistencias se denominan:
a. Potencimetros: se aplican en circuitos donde la variacin de resistencia la efecta el

usuario desde el exterior (controles de audio, video, etc.).

b. Trimmers, o resistencias ajustables: se diferencian de las anteriores en que su ajuste es
definitivo en el circuito donde van aplicadas. Su acceso est limitado al personal tcnico
(controles de ganancia, polarizacin, etc.).
c. Restatos: son resistencias variables en las que uno de sus terminales extremos est
elctricamente anulado (al igual que el trimmer y potencimetro), estn diseados para
soportar grandes corrientes.
Caractersticas tcnicas:
Recorrido mecnico: es el desplazamiento que limitan los puntos de parada del cursor
(puntos extremos).
Recorrido elctrico: es la parte del desplazamiento que proporcionan cambios en el valor de
la resistencia. Suele coincidir con el recorrido mecnico.

Resistencia nominal (Rn): valor esperado de resistencia variable entre los lmites del
recorrido elctrico.
Resistencia residual de fin de pista (rf): resistencia comprendida entre el lmite superior del
recorrido elctrico del cursor y el contacto B (ver figura).

Resistencia residual de principio de pista (r d): valor de resistencia comprendida entre lmite
inferior del recorrido elctrico y el contacto A (ver figura).

Resistencia total (Rt): resistencia entre los terminales fijos A o A' y B, sin tener en cuenta la
conexin del cursor e incluyendo la tolerancia. Aunque a efectos prcticos se considera igual
al valor nominal (Rt=Rn).

Resistencia de contacto (rc): resistencia que presenta el cursor entre su terminal de conexin
externo y el punto de contacto interno (suele despreciarse, al igual que r d y rf).

Temperatura nominal de funcionamiento (Tn): es la temperatura ambiente a la cual se define
la disipacin nominal.
Temperatura mxima de funcionamiento (Tmax): mxima temperatura ambiente en la que
puede ser utilizada la resistencia.

Potencia nominal (Pn): mxima potencia que puede disipar el dispositivo en servicio continuo
y a la temperatura nominal de funcionamiento.

Tensin mxima de funcionamiento (Vmax): mxima tensin continua ( o alterna eficaz) que
se puede aplicar a la resistencia entre los terminales extremos en servicio continuo, a la
temperatura nominal de funcionamiento.
Resolucin: cantidad mnima de resistencia que se puede obtener entre el cursor y un

extremo al desplazar (o girar) el cursor. Suele expresarse en % en tensin, en resistencia, o
resolucin angular.
Leyes de variacin: es la caracterstica que particulariza la variacin de la resistencia
respecto al desplazamiento del cursor. Las ms comunes son la ley de variacin lineal, y la
logartmica (positiva y negativa):
Linealidad o conformidad: indica el grado de acercamiento a la ley de variacin terica que

caracteriza su comportamiento, y es la mxima variacin de resistencia real que se puede
producir respecto al valor total (nominal) de la resistencia.
Clasificacin de resistencias variables

Los materiales usados para la fabricacin de estas resistencias suelen ser los mismos que los
utilizados para las resistencias fijas, es decir, mezclas de carbn y grafito, metales y aleaciones
metlicas. La diferencia fundamental, a parte de las aplicaciones, est en los aspectos
constructivos. Tomando este criterio podemos hacer la siguiente clasificacin:
1. DE CAPA:
a. Carbn.
b. Metlica.
c. Cermet.
2. BOBINADAS:
a. Pequea disipacin.
b. Potencia.
c. Precisin.
Resistencias variables de capa de carbn. Estn constituidas por carbn coloidal (negro de humo),
mezclado en proporciones adecuadas con baquelita y plastificantes.
Entre las ms
comunes encontrarnos:
Potencimetros de carbn:
o Valores de resistencias entre 50 y 10M.
o Tolerancias del +/- 10% y +/- 20%.
o Potencias de hasta 2W.
o Formatos de desplazamiento giratorio y longitudinal, con encapsulado simple,
doble resistencia o con interruptor incorporado.
Trimmers de carbn:
o Valores usuales entre 100 y 2M hmios.

o
o
Potencia de 0,25W.
Pequeas dimensiones y bajo coste.
Capa metlica. Las capas de estos tipos de resistencias estn formadas en base a mezclas de
xidos de estao y antimonio0 depositadas sobre un soporte de vidrio generalmente. El
cursor, como en las de capa de carbn, suele ser de aleaciones de cobre y oro o plata,
tomando los terminales de salida en contactos metalizados practicados sobre la capa.
Bsicamente nos encontraremos con potencimetros. Sus caractersticas ms importantes
son:
Bajas tolerancias: +/- 5%, +/- 2%, +/- 1%.

Potencias desde 0,25W a 4W.
Muy bajo ruido de fondo.
Buena linealidad: 0,05%.
Capa tipo cermet. La capa est constituida por mezcla aglomerada de materiales vtreos y metales
nobles, depositada sobre un substrato de cermica. Las principales aplicaciones son para
ajustes con lo que nos vamos a encontrar fundamentalmente con trimmers. Sus
caractersticas principales son:
Valores desde 10 a 2M.

Potencias entre 0,5 y 2W.
Elevada precisin en modelos multivuelta.
Muy buena linealidad y resolucin.
Resistencias variables bobinadas pequea disipacin. La constitucin de este tipo de resistencias

es muy parecida a la de las resistencias bobinadas fijas. Suelen usar los mismos
materiales, aleaciones Ni-Cu para pequeos valores de resistencia, y Ni-Cr para valores
altos. Su principal aplicacin es la limitacin de corriente en circuitos serie, por lo que se
pueden denominar restatos, aunque la potencia que pueden aguantar no es muy elevada,
por lo que tambin los encontraremos en aplicaciones como potencimetros.
Caractersticas:
Valores desde 50 hasta 50K hmios.

Tolerancias entre +/-10% y +/-5%.
Potencia nominal entre 0,5 y 8W.
Ruido de fondo despreciable.
Bobinadas de potencia. Se pueden comparar a los modelos vitrificados de alta precisin de las
resistencias fijas, realmente se denominan restatos y son capaces de disipar elevadas
potencias aplicadas como limitadores de corriente. Entre sus caractersticas podemos
destacar:
Valores desde 1 a 2,5K en potencias de hasta 50W, hasta 5K en 100W y hasta 10K
en 250W.
Tolerancias del +/-10%, y +/-5%.
Potencias nominales entre 25W y 1KW.
Mxima temperatura de funcionamiento en torno a los 200C.
Bobinadas de precisin. En este tipo se usan aleaciones metlicas de pequea resistividad (AuAg) en lugar de aumentar el dimetro del hilo y as conseguir pequeos valores con
reducidas dimensiones. Por sus aplicaciones, a este tipo se les suele denominar trimmers
bobinados. Sus caractersticas principales:
Valores resistivos de 5 a 100K.

Tolerancias del +/-5% y +/-1%.
Disipacin de potencia de 0,75 a 1,5W.
Linealidad comprendida entre +/-1% y +/-0,15%.
Resolucin del orden de 0,001.
Modelos multivuelta y simples.
Resistencias no lineales.
Estas resistencias se caracterizan porque su valor hmico, que vara de forma no lineal, es funcin
de distintas magnitudes fsicas como puede ser la temperatura, tensin, luz, campos magnticos,
etc.. As estas resistencias estn consideradas como sensores. Entre las ms comunes podemos
destacar las siguientes:
Termistores o resistencias NTC y PTC. En ellas la resistencia es funcin de la temperatura.

Varistores o resistencias VDR. En ellas la resistencia es funcin de la tensin.
Fotoresistencias o resistencias LDR. En estas ltimas la resistencia es funcin de la luz.
Termistores. En estas resistencias, cuyo valor hmico cambia con la temperatura, adems de las
caractersticas tpicas en resistencias lineales fijas como valor nominal, potencia nominal,
tolerancia, etc., que son similares para los termistores, hemos de destacar otras:
Resistencia nominal: en estos componentes este parmetro se define para una
temperatura ambiente de 25C:

Autocalentamiento: este fenmeno produce cambios en el valor de la resistencia al pasar
una corriente elctrica a su travs. Hemos de tener en cuenta que tambin se puede
producir por una variacin en la temperatura ambiente.

Factor de disipacin trmica: es la potencia necesaria para elevar su temperatura en 1C.
Dentro de los termistores podemos destacar dos grupos: NTC y PTC.
Resistencias NTC. Esta resistencia se caracteriza por su disminucin del valor resistivo a medida
que aumenta la temperatura, por tanto presenta un coeficiente de temperatura negativo.
Entre sus caractersticas se pueden destacar: resistencia nominal de 10 ohmios a 2M, potencias
entre 1 microvatio y 35W, coeficiente de temperatura de -1 a -10% por C; y entre sus aplicaciones:
regulacin, compensacin y medidas de temperaturas, estabilizacin de tensin, alarmas, etc.
Resistencias PTC. Estas, s diferencia de las anteriores, tiene un coeficiente de temperatura
positivo, de forma que su resistencia aumentar como consecuencia del aumento de la
temperatura (aunque esto slo se da en un margen de temperaturas).
Varistores. Estos dispositivos (tambin llamados VDR) experimentan una disminucin en su valor
de resistencia a medida que aumenta la tensin aplicada en sus extremos. A diferencia de
lo que ocurre con las NTC y PTC la variacin se produce de una forma instantnea.
Las aplicaciones ms importantes de este componente se encuentran en: proteccin contra sobre
tensiones, regulacin de tensin y supresin de transitorios.
Fotoresistencias. Estas resistencias, tambin conocidas como LDR, se caracterizan por su
disminucin de resistencia a medida que aumenta la luz que incide sobre ellas. Las
principales aplicaciones de estos componentes: controles de iluminacin, control de
circuitos con rels, en alarmas, etc.
Prctica A: Lectura del valor hmico de resistores.

Propsito de la prctica: El participante determinar el valor de resistencia en diferentes
resistores, utilizando el cdigo de colores de los resistores.
Descripcin de la prctica: En equipos de 5 personas los participantes leern el valor resistivo de
diferentes resistores a partir del empleo del cdigo de colores.
Material utilizado:
Resistores de diferentes valores, desde hasta 1 W. (100, 330, 560, 1K, 1.5K,
2K, 3K, 3.3K, 4.7K, 5.1K, 6.8K, 7.5K, 8.2K, 9.1K, 10K, 15K, 18K, 22K, 27K
y 100K
Multmetro (digital o analgico)
Procedimiento.
1. En equipos cada participante escoge un resistor, al azar, lee su valor a partir del cdigo de
colores.

2. Otro de sus compaeros realiza la medicin del resistor para comprobar la eficacia de
lectura.
3. Anota en una tabla los valores ledos y medidos de cada resistor.
NUM. DE
VALOR LEIDO
VALOR MEDIDO
RESISTOR
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
4. Los participantes intercambian sus posiciones y terminan hasta haber completado 10
valores ledos
INDUCTORES.
Debido a que el campo magntico alrededor de un conductor es muy dbil, para aprovechar la
energa de dicho campo magntico se arrolla al alambre conductor y de esta forma se obtiene lo
que se conoce como inductor o bobina.
Al tener el alambre arrollado, se denomina excitacin magntica a la causa
que origina el campo magntico y el valor de la excitacin magntica (H)
est dada por
Donde: N: es la cantidad de espiras

l: longitud de la bobina
Si por una bobina circula una corriente elctrica se produce
un campo magntico el cual es el resultado de la suma de los
campos magnticos de cada espira y a este efecto se lo
denomina concatenacin.
A las lneas de campo magntico se las denomina flujo
magntico y se simboliza con .
Campo magntico de una bobina
Se denomina induccin magntica (B) a la cantidad de flujo

magntico por unidad de rea.
Smbolo
Donde: s es la seccin transversal de la bobina.
La relacin entre la excitacin magntica y la induccin magntica depende del material sobre el
cual se ha arrollado la bolina.
B=H
Donde: es una constante que depende del material y se denomina permeabilidad magntica.
Como la induccin magntica y la excitacin magntica estn vinculadas por la expresin anterior
reemplazando el valor de H obtenemos

Observemos que la inductancia es una constante que depende de la cantidad de espiras, de la
permeabilidad magntica del ncleo sobre el que se ha arrollado la bobina y de las dimensiones
geomtricas de la misma.
En la ltima expresin se observa que si la corriente es variable da lugar a un flujo magntico
variable y experimentalmente se ha comprobado que si esto ocurre se genera o induce sobre la
bobina una fuerza electromotriz (tensin) cuyo valor est dado por la ley de Faraday
La fuerza electromotriz inducida se comporta como un generador de tensin, el cual da lugar a la

circulacin de una corriente elctrica.
Si en la ltima expresin reemplazamos el valor del flujo obtenemos
El signo negativo indica que la fuerza electromotriz inducida se opone a la causa que la produce
(ley de Lenz)
Si en lugar de considerar a la fuerza electromotriz inducida deseramos expresar la cada de
tensin que se produce sobre una bobina solo hay que cambiar el signo de la expresin de
Faraday
La inductancia acumula energa en forma de campo magntico y su valor est dado por la
siguiente expresin:
WL=1/2 H2
INDUCTANCIA.
La bobina o inductor consiste en un alambre enrollado sobre un ncleo: que puede ser el aire; tiene
la facultad de almacenar la intensidad de corriente y producen un campo magntico.
El inductor se opone a los cambios de la intensidad de corriente que circula por
l, por lo que al ser conectado y luego desconectado a una fuente de
alimentacin de corriente continua, este intentar mantener su condicin
anterior. Cuando una bobina est conectada a una fuente de corriente alterna
causa un desfase entre el voltaje que se le aplica y la corriente que circula por
ella. En otras palabras: La bobina o inductor es un elemento que reacciona
contra los cambios en la corriente a travs de l, generando un voltaje que se
opone al voltaje aplicado y es proporcional al cambio de la corriente.

La propiedad de oponerse a los cambios de corriente autoinduciendo una fuerza electromotriz en
sentido opuesto (fuerza contraelectromotriz) se llama inductancia. La unidad de la inductancia es
el Henry; H; y se representa por la letra "L", es oposicin de la bobina al paso de la corriente y se
miden en Henry (H) y miliHenry (mH). El valor depende de:
El nmero de espiras que tenga la bobina (a ms vueltas mayor inductancia).
El dimetro de las espiras (a mayor dimetro, mayor inductancia).
La longitud del cable de que est hecha la bobina.
El tipo de material de que esta hecho el ncleo, si es que lo tiene.
Aplicaciones de una bobina.
1. En los sistemas de iluminacin con lmparas fluorescentes existe un elemento adicional

que acompaa al tubo y que comnmente se llama balastro
2. En las fuentes de alimentacin tambin se usan bobinas para filtrar componentes de

corriente alterna y solo obtener corriente continua en la salida
La bobina / inductor y la corriente continua (C.C.).
Al aplicar corriente continua a un inductor, ste se comporta como un corto circuito y dejar pasar
la corriente a travs de ella sin ninguna oposicin. Pero en la bobina s existe oposicin al paso de
la corriente, y esto sucede slo en el momento en que se hace la conexin a la fuente de voltaje y
dura por un tiempo muy pequeo (estado transitorio). En ese pequeo espacio de tiempo esta
variando desde 0 hasta su valor final de corriente continua (la corriente vara con el tiempo por un
espacio de tiempo muy pequeo).
REACTANCIA INDUCTIVA (XL).
La bobina / inductor y la corriente alterna (C.A.)
La bobina como la resistencia se opone al flujo de a corriente, pero a diferencia de esta, el valor
de esta oposicin se llama reactancia inductiva (XL) y se puede calcular con: la Ley de Ohm: XL =
V / I y por la frmula:
XL = 2 f L.
Donde: XL= reactancia en . V= en volts. I=Corriente en amperes. = 3.1416. f : frecuencia en

Hertz. L= inductancia en Henry.
Angulo de fase
En la bobina el voltaje adelanta a la corriente en 90. Las seales alternas tiene la caracterstica
de ser peridica, esto significa que esta se repite a espacios fijos de tiempo. Si dos seales
peridicas iguales estn en fase, sus valores mximos y mnimos coinciden.

Si una seal se atrasa respecto a otra a tal punto de que estas vuelven a coincidir en estos valores
(mximo y mnimo) se dice que el desfase fue de 360.
Desfases intermedios seran de 180 (las ondas estn desfasadas en la mitad de su perodo) y
desfase de 90 (las ondas estn desfasadas en la cuarta parte de su perodo).
Caractersticas de las bobinas:
1. Permeabilidad magntica (m). Es una caracterstica que tiene gran influencia sobre el
ncleo de las bobinas respecto del valor de la inductancia de las mismas. Los materiales
ferromagnticos son muy sensibles a los campos magnticos y producen unos valores
altos de inductancia, sin embargo otros materiales presentan menos sensibilidad a los
campos
magnticos.
El factor que determina la mayor o menor sensibilidad a esos campos magnticos se llama
permeabilidad magntica.
Cuando este factor es grande el valor de la inductancia tambin lo es.
2. Factor de calidad (Q). Relaciona la inductancia con el valor hmico del hilo de la bobina. La
bobina ser buena si la inductancia es mayor que el valor hmico debido al hilo de la
misma.
TIPOS DE BOBINAS
FIJAS
Con ncleo de El conductor se arrolla sobre un soporte hueco y
aire.
posteriormente se retira quedando con un

aspecto parecido al de un muelle. Se utiliza en
frecuencias elevadas.
Una variante de la bobina anterior se denomina
solenoide y difiere en el aislamiento de las
espiras y la presencia de un soporte que no
necesariamente tiene que ser cilndrico. Se
utiliza cuando se precisan muchas espiras.
Estas bobinas pueden tener tomas intermedias,
en este caso se pueden considerar como 2 o
ms bobinas arrolladas sobre un mismo soporte
y conectadas en serie. Igualmente se utilizan
para frecuencias elevadas
Bobina con
Existen bobinas de diversos tipos segn su

ncleo
ncleo y segn tipo de arrollamiento.
ferromagntico.
Su aplicacin principal es como filtro en un

circuito
electrnico,
denominndose
comnmente, choques
Bobina con
ncleo de
ferroxcube.
Bobina blindada.
Las bobinas blindadas pueden ser variables o

fijas, consisten encerrar la bobina dentro de una
cubierta metlica cilndrica o cuadrada, cuya
misin es limitar el flujo electromagntico creado
por la propia bobina y que puede afectar
negativamente a los componentes cercanos a la
Con
ncleo
slido.
misma.
Poseen valores de inductancia ms altos que
los anteriores debido a su nivel elevado de
permeabilidad magntica. El ncleo suele ser de
un material ferromagntico. Los ms usados
son la ferrita y el ferroxcube. Cuando se
manejan
potencias
considerables
las
frecuencias que se desean eliminar son bajas

se utilizan ncleos parecidos a los de los
transformadores (en fuentes de alimentacin
sobre todo). As nos encontraremos con las
configuraciones propias de estos ltimos. Las
secciones de los ncleos pueden tener forma de
Bobina
EI, M, UI y L.
Es un alambre aislado enrollado en forma de
electroimn.
hlice (bobina) o un nmero de espirales con un

paso acorde a las necesidades, por el que
circula una corriente elctrica. Cuando esto
sucede, se genera un campo magntico.
Bobina de ferrita
Las bobinas de nido de abeja se utilizan en los
de nido de abeja.
circuitos sintonizadores de aparatos de radio en

las gamas de onda media y larga. Gracias a la
forma del bobinado se consiguen altos valores
Bobinas
con
ncleo toroidal.
inductivos en un volumen mnimo.

Las bobinas de ncleo toroidal se caracterizan
por que el flujo generado no se dispersa hacia el
exterior ya que por su forma se crea un flujo
magntico cerrado, dotndolas de un gran
Bobina de ferrita.
rendimiento y precisin.
Las bobinas de ferrita arrolladas sobre ncleo
de
ferrita,
normalmente
cilndricos,
con
aplicaciones en radio es muy interesante desde

el punto de vista prctico ya que, permite
Bobinas de ferrita
emplear el conjunto como antena colocndola
para SMD.
directamente en el receptor.
Bobinas grabadas
Las bobinas grabadas sobre el cobre, en un
sobre el cobre.
circuito impreso tienen la ventaja de su mnimo

coste pero son difcilmente ajustables mediante
ncleo.
VARIABLES
Bobina variable.
Bobinas
Bobina ajustable.
inductancia.
Tambin se
que
varan
fabrican
su
el
valor
bobinas
de
su
ajustables.
Normalmente la variacin de inductancia se

produce por desplazamiento del ncleo.
Prctica B: Construccin de bobinas.

Propsito de la prctica: El participante construye bobinas de diversos valores a partir de
diferentes calibres de alambres magneto y dimetro de arrollamiento.
Descripcin de la prctica: En equipos de 5 personas los participantes construyen bobinas con
nlucleo de aire y/o de ferrita utilizando alambre magneto enrollado sobre diferentes moldes..
Material utilizado:
1m de alambre magneto calibre 22.
Objetos cilndricos de dimetros del0.5 cm, 1 cm y 1.5 cm.
Ncleos de ferrita o pulvimetal, de diversos dimetros (opcional).
Barniz transparente y aplicador.
1 navaja.
1 encendedor (opcional)
1 puente LCR (medidor de inductancia, capacitancia y resistencia).
Procedimiento.
1. En equipos cada participante, sobre un objeto cilndrico de 1 cm de dimetro enrollar 10
vueltas de alambre magneto calibre 22, dejando 1.5 cm por lado, para la conexin de la
bobina.
2. Retirar el objeto cilndrico y con la navaja o encendedor quitar el aislante de las puntas de
la bobina, para su conexin.
3. Aplicar barniz a el cuerpo de la bobina.
4. Medir el valor de la bobina con el puente LCR y anotarlo en la tabla.
BOBINA NUM.
1
VALOR MEDIDO
Ncleo de aire de 0.5
cm, 10 vueltas calibre
22
22
24
28
Ncleo de aire de 1 cm,
10 vueltas calibre 22
10
22
22
5. Repetir lo pasos anteriores hasta completas la tabla.
CAPACITORES Y CAPACIDAD.
Se denomina capacitor al dispositivo que es capaz de acumular cargas elctricas.
Bsicamente un capacitor est constituido por un conjunto de lminas metlicas paralelas
separadas por material aislante.
La acumulacin de cargas elctricas entre las lminas da lugar a una diferencia de
potencial o tensin sobre el capacitor y la relacin entre las cargas elctricas acumuladas y la
tensin sobre el capacitor es una constante denominada capacidad o capacitancia (C).
La capacitancia es proporcional a la carga e inversamente proporcional a la diferencia de
potencial:
C = Q / V, medida en Farad (F).
El farad es una unidad muy grande y por eso se utilizan submltiplos: Microfaradio 10 6
Faradio (F), Nanofaradio 10-9 Faradio (nF), Picofaradio 10-12 Faradio (pF).
La diferencia de potencial entre las placas del capacitor es igual a: V = E * d ya que
depende de la intensidad de campo elctrico y la distancia que separa las placas.

El valor de la capacitancia depende del tamao y la forma del capacitor. Podemos decir
que el capacitor acumula energa en forma de campo elctrico y su valor est dado por:
Wc: Energa acumulada

: Permeabilidad dielctrica del medio
: Campo elctrico
El campo elctrico es proporcional a la tensin entre las placas (lminas) e inversamente
proporcional a la distancia que las separa.

En su forma ms sencilla, un capacitor est formado por dos placas metlicas o armaduras
paralelas, de la misma superficie y encaradas, separadas por una lmina no conductora o
dielctrico. Al conectar una de las placas a un generador, sta se carga e induce una carga de
signo opuesto en la otra placa. Por su parte, teniendo una de las placas cargada negativamente
(Q-) y la otra positivamente (Q+) sus cargas son iguales y la carga neta del sistema es 0, sin
embargo, se dice que el capacitor se encuentra cargado con una carga Q.
Los capacitores pueden conducir corriente continua durante slo un instante (por lo cual
podemos decir que los capacitores, para las seales continuas, es como un cortocircuito), aunque
funcionan bien como conductores en circuitos de corriente alterna. Es por esta propiedad lo
convierte en dispositivos muy tiles cuando se debe impedir que la corriente continua entre a
determinada parte de un circuito elctrico, pero si queremos que pase la alterna.
Los capacitores se utilizan junto con las bobinas, formando circuitos en resonancia, en las
radios y otros equipos electrnicos. Adems, en los tendidos elctricos se utilizan grandes
capacitores para producir resonancia elctrica en el cable y permitir la transmisin de ms
potencia.
Adems son utilizados en: Ventiladores, motores de Aire Acondicionado, en Iluminacin,
Refrigeracin, Compresores, Bombas de Agua y Motores de Corriente Alterna, por la propiedad
antes explicada.
Los capacitores se fabrican en gran variedad de formas y se pueden mandar a hacer de
acuerdo a las necesidades de cada uno. El aire, la mica, la cermica, el papel, el aceite y el vaco
se usan como dielctricos, segn la utilidad que se pretenda dar al dispositivo. Pueden estar
encapsulados en baquelita con vlvula de seguridad, sellados, resistentes a la humedad, polvo,
aceite; con terminales para conector hembra y/o soldadura. Tambin existen los capacitores de
Marcha o Mantenimiento los cuales estn encapsulados en metal. Generalmente, todos los
Capacitores son secos, esto quiere decir que son fabricados con cintas de plstico metalizado,
autoregenerativos, encapsulados en plstico para mejor aislamiento elctrico, de alta estabilidad
trmica y resistente a la humedad.
El primer capacitor es la botella de Leyden, el cual es un capacitor simple en el que las dos
placas conductoras son finos revestimientos metlicos dentro y fuera del cristal de la botella, que a
su vez es el dielctrico. La magnitud que caracteriza a un capacitor es su capacidad, cantidad de
carga elctrica que puede almacenar a una diferencia de potencial determinado.
La botella de Leyden, uno de los capacitores ms simples, almacena una carga elctrica que
puede liberarse, o descargarse, juntando sus terminales, mediante una varilla conductora. La
primera botella de Leyden se fabric alrededor de 1745, y todava se utiliza en experimentos de
laboratorio.
TIPOS DE CAPACITORES.
CAPACITORES FIJOS.
Estos capacitores tienen una capacidad fija determinada por el fabricante y su valor no se
puede modificar. Sus caractersticas dependen principalmente del tipo de dielctrico utilizado, de tal
forma que los nombres de los diversos tipos se corresponden con los nombres del dielctrico
usado.
De esta forma podemos distinguir los siguientes tipos:
Cermicos.
Plstico.
Mica.
Electrolticos.
De doble capa elctrica.
Capacitores cermicos. El dielctrico utilizado por estos capacitores es la cermica, siendo el

material ms utilizado el dixido de titanio. Este material confiere al condensador grandes
inestabilidades por lo que en base al material se pueden diferenciar dos grupos:
Grupo I: caracterizados por una alta estabilidad, con un coeficiente de temperatura bien
definido
casi
constante.
Grupo II: su coeficiente de temperatura no est prcticamente definido y adems de presentar

caractersticas no lineales, su capacidad vara considerablemente con la temperatura, la
tensin y el tiempo de funcionamiento. Se caracterizan por su elevada permitividad.
Las altas constantes dielctricas caractersticas de las cermicas permiten amplias
posibilidades de diseo mecnico y elctrico.
Capacitores de plstico. Estos capacitores se caracterizan por las altas resistencias de aislamiento
y elevadas temperaturas de funcionamiento. Segn el proceso de fabricacin podemos diferenciar
entre los de tipo k y tipo MK, que se distinguen por el material de sus armaduras (metal en el
primer caso y metal vaporizado en el segundo).
Segn el dielctrico usado se pueden distinguir estos tipos comerciales:
KS: styroflex, constituidos por lminas de metal y poliestireno como dielctrico.
KP: formados por lminas de metal y dielctrico de polipropileno.
MKP: dielctrico de polipropileno y armaduras de metal vaporizado.
MKY: dielctrco de polipropileno de gran calidad y lminas de metal vaporizado.

MKT: lminas de metal vaporizado y dielctrico de teraftalato de polietileno (polister).
MKC: makrofol, metal vaporizado para las armaduras y policarbonato para el dielctrico.
Caractersticas tpicas de los capacitores de plstico:
TIPO CAPACIDAD
TOLERANCIA TENSION
TEMPERATURA
KS
2pF-330nF
+/-0,5% +/-5% 25V-630V
-55C-70C
KP
2pF-100nF
+/-1% +/-5%
-55C-85C
63V-630V
MKP 1,5nF-4700nF +/-5% +/-20% 0,25KV-40KV -40C-85C

MKY 100nF-1000nF +/-1% +/-5%
0,25KV-40KV -55C-85C
MKT 680pF-0,01mF +/-5% +/-20% 25V-630V
-55C-100C
MKC 1nF-1000Nf
-55C-100C
+/-5% +/-20% 25V-630V
Capacitores de mica. El dielctrico utilizado en este tipo de capacitores es la mica o silicato de

aluminio y potasio y se caracterizan por bajas prdidas, ancho rango de frecuencias y alta
estabilidad con la temperatura y el tiempo.
Capacitores electrolticos. En estos capacitores una de las armaduras es de metal mientras que la
otra est constituida por un conductor inico o electrolito. Presentan unos altos valores capacitivos
en relacin al tamao y en la mayora de los casos aparecen polarizados.
Podemos distinguir dos tipos:
Electrolticos de aluminio: la armadura metlica es de aluminio y el electrolito de

tetraborato armnico.
Electrolticos de tantalio: el dielctrico est constituido por xido de tantalio y nos

encontramos con mayores valores capacitivos que los anteriores para un mismo tamao.
Por otra parte las tensiones nominales que soportan son menores que los de aluminio y su
coste es algo ms elevado.
Capacitores de doble capa elctrica. Estos capacitores tambin se conocen como supercapacitores
o CAEV debido a la gran capacidad que tienen por unidad de volumen. Se diferencian de los
capacitores convencionales en que no usan dielctrico por lo que son muy delgados. Las
caractersticas elctricas de su aplicacin como fuente acumulada de energa son: altos valores
capacitivos para reducidos tamaos, corriente de fugas muy baja, alta resistencia serie, y
pequeos valores de tensin.
Capacitores variables

Estos capacitores presentan una capacidad que podemos variar entre ciertos lmites. Igual que
pasa con las resistencias podemos distinguir entre capacitores variables, su aplicacin conlleva la
variacin con cierta frecuencia (por ejemplo sintonizadores); y capacitores ajustables o trimmers,
que normalmente son ajustados una sola vez (aplicaciones de reparacin y puesta a punto).
La variacin de la capacidad se lleva a cabo mediante el desplazamiento mecnico entre las placas
enfrentadas. La relacin con que varan su capacidad respecto al ngulo de rotacin viene
determinada por la forma constructiva de las placas enfrentadas, obedeciendo a distintas leyes de
variacin, entre las que destacan la lineal, logartmica y cuadrtica corregida.
Identificacin de capacitores.
Para obtener las caractersticas de un capacitor vamos a disponer de un cdigo de colores, cuya
lectura vara segn el tipo de condensador, y un cdigo de marcas, particularizado en los mismos.
Primero determinaremos el tipo de condensador (fijo o variable) y el tipo concreto dentro de estos.
Las principales caractersticas que nos vamos a encontrar en los capacitores van a ser la
capacidad nominal, tolerancia, tensin y coeficiente de temperatura, aunque dependiendo de cada
tipo traern unas caractersticas u otras.
En cuanto a las letras para la tolerancia y la correspondencia nmero-color del cdigo de colores,
son lo mismo que para resistencias. Debemos destacar que la fuente ms fiable a la hora de la
identificacin son las caractersticas que nos proporciona el fabricante.
Capacitores cermicos tipo placa, grupo 1 y 2.
Capacitores cermicos tipo disco, grupo 1.

Capacitores cermicos tipo disco, grupo 2.
Existen capacitores cermicos en los que su valor est escrito a

partir nmeros y letras, los dos primeros nmeros indican las dos
primeras cifras a considerar, el tercer nmero indica el nmero de
ceros
que
hay
que
agregar
la
cantidad
anterior
posteriormente se divide la cantidad anterior entre 1000 000 para

obtener el valor en microfarads; uF.
Ejemplo:
Para el caso del capacitor de la figura: 102 Z: 1000/1000000 =
0.001 uF.
Capacitores cermicos tubulares.
Cdigo de marcas:

Capacitores de plstico.
Cdigo de colores
Cdigo de marcas.
Capacitores electrolticos.
Estos capacitores siempre indican la capacidad en microfaradios y la mxima tensin de
trabajo en voltios. Dependiendo del fabricante tambin pueden venir indicados otros parmetros
como la temperatura y la mxima frecuencia a la que pueden trabajar.

Tenemos que poner especial atencin en la identificacin de la polaridad. Las formas ms usuales
de indicacin por parte de los fabricantes son las siguientes:
Capacitores de tantalio.
Actualmente estos capacitores no usan el cdigo de colores (los ms antiguos, si). Con el
cdigo de marcas la capacidad se indica en microfaradios y la mxima tensin de trabajo en
voltios. El terminal positivo se indica con el signo +:
Prctica C: Lectura de valores de capacitores.

Propsito de la prctica: El participante determinar el valor la capacitancia de diferentes
capacitores, utilizando el cdigo de colores.
Descripcin de la prctica: En equipos de 5 personas los participantes leern el volor resistovo
de diferentes resistores a partir del empleo del cdigo de colores.
Material utilizado:
Capacitores de diferentes valores, a diferentes voltajes nominales. Cermicos: 0.001uF,
0.01uF, 0.1uF, 820pF, 0.047uf y 0.068uF. Polister: 0.68uF, 0.33uF, 0.22uF, 0.059uF y 0.082uF.
Electrolticos a 35V: 1uF, 10uF, 100uF, 2200uF
Procedimiento.
1. En equipos cada participante escoge un capacitor, al azar, y lee su valor, a partir del cdigo
de colores.
2. Anota en una tabla los valores ledos de cada resistor.
NUM. DE
VALOR

CAPACITOR
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
LEIDO
3. Los participantes terminan hasta haber completado 10 valores ledos

TRANSFORMADOR.
Se denomina transformador a una mquina elctrica que permite aumentar o disminuir la
tensin en un circuito elctrico de corriente alterna, manteniendo la frecuencia. La potencia que
ingresa al equipo, en el caso de un transformador ideal, esto es, sin prdidas, es igual a la que se
obtiene a la salida. Las mquinas reales presentan un pequeo porcentaje de prdidas,
dependiendo de su diseo, tamao, etc.
El transformador es un dispositivo que

convierte la energa elctrica alterna de un
cierto de nivel de voltaje, en energa alterna de
otro nivel de voltaje, por medio de la accin de
un campo magntico. Est constituido por dos o
ms bobinas de alambre, aisladas entre s
elctricamente
por
lo
general
arrolladas
alrededor de un mismo ncleo de material

ferromagntico. La nica conexin entre las
bobinas la constituye el flujo magntico comn
que se establece en el ncleo.
Los transformadores son dispositivos basados en el fenmeno de la induccin
electromagntica y estn constituidos, en su forma ms simple, por dos bobinas devanadas sobre
un ncleo cerrado de hierro dulce o hierro silicio. Las bobinas o devanados se denominan: primario
y secundario segn correspondan a la entrada o salida del sistema en cuestin, respectivamente.
Tambin existen transformadores con ms devanados; en este caso, puede existir un devanado
"terciario", de menor tensin que el secundario.
Si se aplica una fuerza electromotriz alterna

en el devanado primario, las variaciones de
intensidad y sentido de la corriente alterna
crearn
un
campo
magntico
variable
dependiendo de la frecuencia de la corriente.

Este campo magntico variable originar, por
Representacin esquemtica del transformador.
induccin electromagntica, la aparicin de una

fuerza
electromotriz
en los
extremos del
devanado secundario.
RELACIN DE TRANSFORMACIN.
La relacin de transformacin nos indica el aumento decremento que sufre el valor de
la tensin de salida con respecto a la tensin de entrada, esto quiere decir, por cada volt de
entrada cuntos volts hay en la salida del transformador.
La relacin entre la fuerza electromotriz inductora (Ep), la aplicada al devanado primario y la fuerza
electromotriz inducida (Es), la obtenida en el secundario, es directamente proporcional al nmero
de espiras de los devanados primario (Np) y secundario (Ns) .
La razn de la transformacin (m) del voltaje entre el bobinado primario y el bobinado

secundario depende de los nmeros de vueltas que tenga cada uno. Si el nmero de vueltas del
secundario es el triple del primario, en el secundario habr el triple de tensin.
Donde: (Vp) es la tensin en el d
entrada, (Vs) es la tensin en el deva
salida, (Ip) es la corriente en el dev
entrada, y (Is) es la corriente en

corriente de salida.

Esta particularidad se utiliza en la red de
transporte de energa elctrica: al poder efectuar
el transporte a altas tensiones y pequeas
intensidades, se disminuyen las prdidas por el
efecto Joule y se minimiza el costo de los
conductores.
As, si el nmero de espiras (vueltas) del
secundario es 100 veces mayor que el del
primario, al aplicar una tensin alterna de 230
voltios en el primario, se obtienen 23.000 voltios
en el secundario (una relacin 100 veces
superior, como lo es la relacin de espiras). A la
relacin entre el nmero de vueltas o espiras del
primario y las del secundario se le llama relacin
de vueltas del transformador o relacin de
transformacin.
Ahora bien, como la potencia de la elctrica
aplicada en el primario, en caso de un
transformador ideal, debe ser igual a la obtenida
en el secundario, el producto de la fuerza
electromotriz por la intensidad (potencia) debe
ser constante, con lo que en el caso del ejemplo,
si la intensidad circulante por el primario es de
10 amperios, la del secundario ser de solo 0,1
amperios (una centsima parte).
TIPOS DE TRANSFORMADORES
Segn sus aplicaciones
Transformador elevador/reductor de voltaje

Son empleados por empresas transportadoras elctricas en las subestaciones de la red de
transporte de energa elctrica, con el fin de disminuir las prdidas por efecto Joule. Debido a la
resistencia de los conductores, conviene transportar la energa elctrica a tensiones elevadas, lo
que origina la necesidad de reducir nuevamente dichas tensiones para adaptarlas a las de
utilizacin.
Transformadores elevadores
Este tipo de transformadores nos permiten, como su nombre lo dice elevar la tensin de salida con
respecto a la tensin de entrada. Esto quiere decir que la relacin de transformacin de estos
transformadores es menor a uno.
Transformadores variables
Tambin llamados "Variacs", toman una lnea de voltaje fijo (en la entrada) y proveen de voltaje de
salida variable ajustable, dentro de dos valores.
Transformador de aislamiento
Proporciona aislamiento galvnico entre el primario y el secundario, de manera que consigue una
alimentacin o seal "flotante". Suele tener una relacin 1:1. Se utiliza principalmente como medida
de proteccin, en equipos que trabajan directamente con la tensin de red. Tambin para acoplar
seales procedentes de sensores lejanos, en resistencias, en equipos de electromedicina y all
donde se necesitan tensiones flotantes entre s.
Transformador de alimentacin
Pueden tener una o varias bobinas secundarias y proporcionan las tensiones necesarias para el
funcionamiento del equipo. A veces incorporan fusibles que cortan su circuito primario cuando el
transformador alcanza una temperatura excesiva, evitando que ste se queme, con la emisin de
humos y gases que conlleva el riesgo de incendio. Estos fusibles no suelen ser reemplazables, de
modo que hay que sustituir todo el transformador.
Transformador trifsico
Tienen tres bobinados en su primario y tres en su secundario. Pueden adoptar forma de estrella (Y)
(con hilo de neutro o no) o delta () y las combinaciones entre ellas: -, -Y, Y- y Y-Y. Hay que
tener en cuenta que an con relaciones 1:1, al pasar de a Y o viceversa, las tensiones de fase
varan.

Transformador trifsico. Conexin estrella-tringulo.
Transformador de pulsos
Es un tipo especial de transformador con respuesta muy rpida (baja autoinduccin) destinado a
funcionar en rgimen de pulsos y adems de muy verstil utilidad en cuanto al control de tensin
220 V.
Transformador de lnea o flyback

Es un caso particular de transformador de pulsos. Se emplea en los televisores con TRC (CRT)
para generar la alta tensin y la corriente para las bobinas de deflexin horizontal. Adems suele
proporcionar otras tensiones para el tubo (foco, filamento, etc.). Adems de poseer una respuesta
en frecuencia ms alta que muchos transformadores, tiene la caracterstica de mantener diferentes
niveles de potencia de salida debido a sus diferentes arreglos entre sus bobinados secundarios.
Transformador con diodo dividido

Es un tipo de transformador de lnea que incorpora el diodo rectificador para proporcionar la
tensin continua de MAT directamente al tubo. Se llama diodo dividido porque est formado por
varios diodos ms pequeos repartidos por el bobinado y conectados en serie, de modo que cada
diodo slo tiene que soportar una tensin inversa relativamente baja. La salida del transformador
va directamente al nodo del tubo, sin diodo ni triplicador.
Transformador de impedancia
Este tipo de transformador se emplea para adaptar antenas y lneas de transmisin (tarjetas de
red, telfonos, etc.) y era imprescindible en los amplificadores de vlvulas para adaptar la alta
impedancia de los tubos a la baja de los altavoces. Si se coloca en el secundario una impedancia
de valor Z, y llamamos n a Ns/Np, como Is=-Ip/n y Es=Ep.n, la impedancia vista desde el
primario ser Ep/Ip = -Es/nIs = Z/n. As, hemos conseguido transformar una impedancia de
valor Z en otra de Z/n. Colocando el transformador al revs, lo que hacemos es elevar la
impedancia en un factor n.
Estabilizador de tensin
Es un tipo especial de transformador en el que el ncleo se satura cuando la tensin en el primario
excede su valor nominal. Entonces, las variaciones de tensin en el secundario quedan limitadas.
Tena una labor de proteccin de los equipos frente a fluctuaciones de la red. Este tipo de
transformador ha cado en desuso con el desarrollo de los reguladores de tensin electrnicos,
debido a su volumen, peso, precio y baja eficiencia energtica.
Transformador hbrido o bobina hbrida

Es un transformador que funciona como una hbrida. De aplicacin en los telfonos, tarjetas de red,
etc.
Balun
Es muy utilizado como balun para transformar lneas equilibradas en no equilibradas y viceversa.
La lnea se equilibra conectando a masa la toma intermedia del secundario del transformador.
Transformador electrnico
Est compuesto por un circuito electrnico que eleva la frecuencia de la corriente elctrica que
alimenta al transformador, de esta manera es posible reducir drsticamente su tamao. Tambin
pueden formar parte de circuitos ms complejos que mantienen la tensin de salida en un valor
prefijado sin importar la variacin en la entrada, llamados fuente conmutada.
Transformador de frecuencia variable

Son pequeos transformadores de ncleo de hierro, que funcionan en la banda de
audiofrecuencias. Se utilizan a menudo como dispositivos de acoplamiento en circuitos electrnicos
para comunicaciones, medidas y control.
Transformadores de medida
Entre los transformadores con fines especiales, los ms importantes son los transformadores de
medida para instalar instrumentos, contadores y rels protectores en circuitos de alta tensin o de
elevada corriente. Los transformadores de medida aslan los circuitos de medida o de rels,
permitiendo una mayor normalizacin en la construccin de contadores, instrumentos y rels.
Segn su construccin
Autotransformador
Artculo principal: Autotransformador
El primario y el secundario del transformador estn conectados en serie, constituyendo un
bobinado nico. Pesa menos y es ms barato que un transformador y por ello se emplea
habitualmente para convertir 220 V a 125 V y viceversa y en otras aplicaciones similares. Tiene el
inconveniente de no proporcionar aislamiento galvnico entre el primario y el secundario.
Transformador con ncleo toroidal

El bobinado consiste en un anillo, normalmente de compuestos artificiales de ferrita, sobre el que
se bobinan el primario y el secundario. Son ms voluminosos, pero el flujo magntico queda
confinado en el ncleo, teniendo flujos de dispersin muy reducidos y bajas prdidas por corrientes
de Foucault.
Pequeo transformador con ncleo toroidal.

Transformador de grano orientado
El ncleo est formado por una chapa de hierro de grano orientado, enrollada sobre s misma,
siempre en el mismo sentido, en lugar de las lminas de hierro dulce separadas habituales.
Presenta prdidas muy reducidas pero es caro. La chapa de hierro de grano orientado puede ser
tambin utilizada en transformadores orientados (chapa en E), reduciendo sus prdidas.
Transformador de grano orientado.

Transformador de ncleo de aire
En aplicaciones de alta frecuencia se emplean bobinados sobre un carrete sin ncleo o con un
pequeo cilindro de ferrita que se introduce ms o menos en el carrete, para ajustar su inductancia.
Transformador de ncleo envolvente

Estn provistos de ncleos de ferrita divididos en dos mitades que, como una concha, envuelven
los bobinados. Evitan los flujos de dispersin.
Transformador piezoelctrico
Para ciertas aplicaciones han aparecido en el mercado transformadores que no estn basados en
el flujo magntico para transportar la energa entre el primario y el secundario, sino que se emplean
vibraciones mecnicas en un cristal piezoelctrico. Tienen la ventaja de ser muy planos y funcionar
bien a frecuencias elevadas. Se usan en algunos convertidores de tensin para alimentar los
fluorescentes del backlight de ordenadores porttiles.
Prctica D: Prueba de transformadores.

Propsito de la prctica: El participante prueba la funcin y operacin de un transformador
reductor de voltaje.
Descripcin de la prctica: En equipos de 5 personas los participantes realizan mediciones de
valores y seales de un transformador reductor.
Material utilizado:
1 transformador de 12 V a 2A.
1 clavija y cordn de conexin.
1 Protoboard.
1 m de alambre calibre 22
1 Multimetro.
1 osciloscopio.
2 sondas de prueba.
Procedimiento.
1. Con el hmetro, medir las terminales del primario y secundario del transformador,
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
identificando la derivacin central.

Conectar la clavija y cordn al primario del transformador, apoyado en el protoboard.
Conectar una punta del osciloscopio al primario del transformador.
Conectar una punta del osciloscopio al secundario del transformador.
Conectar la clavija a la lnea de voltaje.
Medir el valor de las seales del primario y secundario, con el osciloscopio.
Medir el valor de las seales del primario y secundario, con el multimetro.
Anotar los resultados de los valores medidos.
Determinar la relacin de vueltas del primerio y secundario del transformador.
Desconectar la clavija.
Desarmar el circuito.
CIRCUITOS RL.
El circuito RL est formado por una bobina / inductor y una resistencia.
Cuando se cierra el interruptor S, los elementos R y L son recorridos por la
misma corriente. Esta corriente, que es variable (se llama transitoria hasta
llegar a su estado estable), crea un campo magntico. Este campo
magntico genera una corriente cuyo sentido est definido por la Ley de
Lenz.
La ley de Lenz establece que:
"La corriente inducida por un campo magntico en un conductor tendr un
sentido que se opone a la corriente que origin el campo magntico"
Es debido a esta oposicin, que la corriente no sigue

inmediatamente a su valor mximo, sino que sigue la siguiente
forma:
La duracin de la carga est definida por la constante de tiempo
. La bobina alcanza su mxima corriente cuando t (tiempo) = 5
x . En otras palabras, cuando han pasado el equivalente a 5
constantes de tiempo.
La ecuacin de la lnea de carga anterior tiene la siguiente

frmula:
IL(t) = IF x ( 1 - e -t / T)
Donde:
L(t) = corriente instantnea en la bobina o inductor.
IF = corriente mxima.
e = base de logaritmos naturales (aproximadamente =
2.73)
t = tiempo
T = constante de tiempo (L / R).
La forma de onda de la tensin y la corriente en el proceso de
carga y descarga en un inductor se muestran en la siguiente
figura:
En un circuito RL serie en corriente alterna, la corriente en el Resistor y el Inductor es igual.
La tensin en la bobina est en fase con la corriente pero el voltaje en la bobina esta adelantado a
la corriente que pasa por ella en 90.
El valor de la fuente de voltaje que alimenta este circuito est dado por las siguientes formulas:

Estos valores se expresan en forma de magnitud y ngulo. Ver el
diagrama fasorial de tensiones:
Ejemplo: 47 /30 que significa que tiene magnitud de 47 y ngulo
de 30 grados.
La impedancia Z sera la suma (suma fasiorial) de la resistencia y la reactancia inductiva y se

puede calcular con ayuda de la siguiente frmula:
Para obtener la magnitud de Z de dividen los valores de Vs e I

Para obtener el / de Z se resta el ngulo de la corriente, del ngulo del voltaje.
CONSTANTE DE TIEMPO DE LOS CIRCUITOS RL.

En general, los circuitos RL tienen un tiempo de carga o descarga de corriente del elemento
reactivo (inductor) el cual recibe el nombre de constante de tiempo; (tao).
Para el circuito RL la constante de tiempo se calcula:
La siguiente tabla muestra los valores (en porcentaje) de los circuitos RL:
# de constantes de
% de carga o
% de descarga
tiempo
crecimiento
o decrecimiento
63.2
36.8
86.5
13.5
95.0
5.0
98.2
1.8
99.3
0.7

Tambin se pueden utilizar las siguientes combinaciones:
T
Segundos
Megaohmios
Microhenrios
Microsegundos
Ohmios
Microhenrios
CIRUITOS RC.
Circuito RC serie en corriente alterna (C.A.)

En un circuito RC en serie la corriente (corriente alterna) que pasa por la resistor y por
el capacitor es la misma y el voltaje VS es igual a la suma fasorial del voltaje en el resistor (Vr)
y el voltaje en el capacitor (Vc).
Vs = Vr + Vc (suma fasorial)
Esto significa que cuando la corriente est en su punto ms alto (corriente
pico), ser as, tanto en el resistor como en el capacitor.
En el resistor, el voltaje y la corriente estn en fase (sus valores
mximos y mnimos coinciden en el tiempo). Pero el voltaje en
el capacitor no es as. Como el capacitor se opone a cambios
bruscos de voltaje, el voltaje en el capacitor est retrasado
con respecto a la corriente que pasa por l (el valor mximo
de voltaje en el capacitor sucede despus del valor mximo de
corriente en 90).
Estos 90 equivalen a de la longitud de onda dada por la
frecuencia de la corriente que est pasando por el circuito.
El voltaje total que alimenta el circuito RC en serie es igual a la
suma fasorial del voltaje en el resistor y el voltaje en
el capacitor.
Este voltaje tiene un ngulo de desfase (causado por el capacitor), sus valores se obtienen:
Valor del voltaje (magnitud):
Valor del ngulo:
Como se dijo antes:
La corriente adelanta al voltaje en un capacitor en 90.
La corriente y el voltaje estn en fase en un resistor.
Se presenta el diagrama fasorial y el tringulo de voltajes. De estos grficos de obtiene la

magnitud y ngulo de la fuente de alimentacin.
A la resistencia total del conjunto resistor-capacitor, se le llama impedancia (Z) (un nombre ms
generalizado) y Z es la suma fasorial (no una suma directa) de los valores del resistor y de la
reactancia del capacitor. La unidad de la impedancia es el "ohm". La impedancia (Z) se
obtiene con ayuda de la siguiente frmula:
Donde:
Vs: es la magnitud del voltaje.
1: es el ngulo del voltaje.
I: es la magnitud de la corriente.
2: es el ngulo de la corriente.
La impedancia Z se obtiene dividiendo Vs e I y el ngulo () de
Z se obtiene restando el ngulo de I del ngulo Vs.
El mismo tringulo de voltajes se puede utilizar si a cada valor
(voltajes) del tringulo lo dividimos por el valor de la
corriente (corriente es igual en todos los elementos en una
conexin
serie),
y as se
obtiene
el tringulo
de
impedancia.
CONSTANTE DE TIEMPO DE LOS CIRCUITOS RC.
Los circuitos RC (serie y paralelo) tienen un tiempo de carga o descarga de voltaje del elemento
reactivo (capacitor) el cual recibe el nombre de constante de tiempo; (tao).
Para el circuito RC la constante de tiempo se calcula:
La siguiente tabla muestra los valores (en porcentaje) de los circuitos RC:
# de constantes de
% de carga o
% de descarga
tiempo
crecimiento
o decrecimiento
63.2
36.8
86.5
13.5
95.0
5.0
98.2
1.8
99.3
0.7
Tambin se pueden utilizar las siguientes combinaciones:

T
Segundos
Megaohmios
Microfaradios
Microsegundos
Ohmios
Microfaradios
Microsegundos
Megaohmios
Picofaradios
Circuito RC en paralelo.
En un circuito RC en paralelo el valor de la tensin es el mismo en el condensador y en
la resistencia y la corriente (corriente alterna) que la fuente entrega al circuito se divide entre
la resistencia y el condensador.
IT = IR + IC
La corriente que pasa por la resistencia y la tensin que hay en ella estn en fase debido a que la
resistencia no causa desfase y la corriente en el capacitor est adelantada con respecto a la
tensin (voltaje), que es igual que decir que el voltaje est retrasado con respecto a la
corriente.
Como ya se sabe el capacitor se opone a cambios bruscos de tensin.
La magnitud de la corriente alterna total es igual a la suma de las corrientes por los dos elementos
y se obtiene con ayuda de las siguientes frmulas:
Magnitud
de
la
corriente
alterna
total:
Diagrama fasorial de corrientes:
Angulo de desfase:
La impedancia Z del circuito en paralelo es:
Z se obtiene dividiendo directamente V e I y el ngulo

() de Z se obtiene restando el ngulo de I del ngulo
V. Este ngulo
= Arctang (-Ic / Ir).
aparece en el grfico anterior y se
obtiene con la formula:

Circuitos RC en serie.
En el circuito siguiente, la parte a) se presenta un interruptor en la posicin A, de modo que la
batera puede cargar las placas del capacitor. Cuando el interruptor se cierra, el capacitor se
carga con la referencia de la constante de tiempo del circuito; = RC. La carga llega
gradualmente a su valor de equilibrio; q= CVO; en donde VO es la tensin de la batera. El
interruptor a la posicin B presenta la descarga del capacitor, debido a que el capacitor se
opone a los cambios de voltaje en la red.
La corriente inicial es Io y la carga inicial en el capacitor Q es cero. La corriente se aproxima

asintticamente a cero y la carga del capacitor tiende asintticamente a su valor final Qf.
Grafica para los valores = 10v, R= 2000 y C= 1 F
Donde la corriente inicial IO = Q/RC. Por lo tanto, se ve que la carga del capacitor y la corriente
decaen exponencialmente a una rapidez caracterizada por la constante de tiempo. = RC.
Carga y descarga de un condensador.
Cuando el circuito RC se conecta a un generador de

seales
cuadradas,
podemos
observar
osciloscopio el proceso de carga y descarga.
en
un
Como se ve en la figura, durante el primer semiperiodo

de la seal la fem tiene un valor constante e igual a V0.
El condensador se carga durante un tiempo P/2.
Prctica E: Constante de tiempo de un circuito RC.

Propsito de la prctica: El participante comprueba el valor de la constante de tiempo de los
circuitos RC en paralelo, utilizando diferentes valores de capacitores y resistores
Descripcin de la prctica: En equipos de 5 personas los participantes comprobarn el valor de
la constante de tiempo de diferentes circuitos RC en paralelo en CD y en RC en serie aplicndole
CA.
Material utilizado:
Resistores: Resistores de diferentes valores, desde hasta 1 W. (100, 330, 560,
1K, 1.5K, 2K, 3K, 3.3K, 4.7K, 5.1K, 6.8K, 7.5K, 8.2K, 9.1K, 10K, 15K, 18K,
22K, 27K y 100K
Capacitores de diferentes valores, a diferentes voltajes nominales. Cermicos: 0.001uF,
0.01uF, 0.1uF, 820pF, 0.047uf y 0.068uF. Polister: 0.68uF, 0.33uF, 0.22uF, 0.059uF y 0.082uF.
Electrolticos a 35V: 1uF, 10uF, 100uF, 2200uF.
Interruptor.
Fuente de alimentacin de 5 a 10V.
Osciloscopio.
Sonda de prueba.
Cronmetro, para medir dcimas de segundo.
Procedimiento.
1. En equipos cada participante arma un circuito RC en paralelo y le aplica un voltaje de 5 V o
10V.
2. Calcule el valor de la constante de tiempo, atendiendo a los valores de los componentes y

anota los resultados en la tabla siguiente:
Valor del
Valor del
resistor
capacitor.
calculada.
5 Tiempo
Tiempo de
total de carga /
carga / descarga
descarga de C
medido en el

circuito.
22k
22k
22k
22k
22k
100K
100K
100K
100K
100K
0.068uF
0.047uf
0.68uF
0.33uF
10uF
0.068uF
0.047uf
0.68uF
0.33uF
10uF
3. Dibujar el circuito con los valores.

4. Armar el circuito RC en paralelo y conectarle la punta del osciloscopio a las terminales del
capacitor.
5. Encender la fuente de alimentacin, cerrar el interruptor y esperar a que se cargue el
capacitor.
6. Monitorear en el osciloscopio el desplazamiento del cursor al cerrar el interruptor, dibujar el
7.
8.
9.
10.
efecto.
Conectar un LED en los bornes del capacitor y abrir el interruptor.
Con el cronmetro medir el tiempo en que tarda en apagarse el LED.
Comparar los tiempos medidos contra el valor de multiplicado por 5.
Repetir el procedimiento para las diferentes combinaciones indicadas en la tabla.
CIRCUITOS RLC.
En los circuitos RLC se acoplan resistencias, capacitores e inductores. Existe tambin un ngulo
de desfasaje entre las tensiones y corrientes (y entre las potencias), que incluso puede llegar a
hacerse cero. En caso de que las reactancias capacitivas e inductivas sean de distinto valor para
determinada
frecuencia,
tendremos
desfasajes.
Dependiendo de cul de las reactancias sea mayor podremos

afirmar si se trata de un circuito con caractersticas capacitivas
o inductivas y por lo tanto si la tensin adelanta a la corriente (y
con qu ngulo) o si la corriente adelanta a la tensin.
A continuacin detallamos los valores de un circuito RLC

simple en serie.
= Velocidad angular = 2f
Reactancia capacitiva
C = Capacidad
Xc = Reactancia capacitiva
Reactancia inductiva
= Velocidad angular = 2f
L = Inductancia
Xl = Impedancia inductiva
Impedancia total del
R = Resistencia
circuito RLC serie
Xl = Reactancia inductiva
Angulo de desfasaje entre
Xl = Reactancia inductiva
tensin y corriente
R = Resistencia
Corriente mxima
El mdulo de la corriente mxima que

circula por el circuito es igual al
mdulo de la tensin mxima sobre
el mdulo de la impedancia.

Corriente eficaz
Para ondas senoidales podemos

calcular la intensidad eficaz como:
En el resistor, el voltaje y la corriente estn en fase.; de tipo alterna senoidal. Adems, como el
argumento de la funcin seno es el mismo en ambos casos, la corriente I estar en fase con la
tensin:
En el inductor la corriente, la corriente se atrasa 90 con respecto al voltaje.

En el capacitor, el voltaje se atrasa 90 respecto de la corriente.
En un circuito RLC el atrasa de la corriente y el voltaje no queda en cero sino que debido a que la
corriente que circula por el circuito depende de la IMPEDANCIA (Z, pero el resultado si quedar
comprendido entre los valores de la capacitancia y la inductancia de estos dos valores extremos.
RESONANCIA EN CIRCUITOS SERIE RLC:

Como se comentaba ms arriba, existe un caso especial en un circuito serie RLC. ste se
produce cuando Xc=Xl y por lo tanto X=0. En un circuito de este tipo dicha circunstancia siempre
se podr dar y ello ocurre a una frecuencia muy determinada (recordemos la dependencia de Xc y
Xl respecto de la frecuencia f de la tensin de alimentacin). Cuando tal ocurre decimos que el
circuito est en resonancia, y la frecuencia para la que ello ocurre se llamar frecuencia de
resonancia. Cul ser el valor de dicha frecuencia? Igualando Xc y Xl podremos conocer su valor:

A la frecuencia de resonancia el circuito se comportar como resistivo puro, ya que los efectos
capacitivos e inductivos se anulan mutuamente.
Una representacin grfica del fenmeno de la resonancia es la siguiente:
Lo aqu representado es el valor del mdulo de la corriente que recorre el circuito segn
sea la frecuencia de la tensin de alimentacin. Si se calcula la frecuencia de resonancia se ver
que para los valores de la grfica sta es de 5033Hz, lo que corresponde con el mximo de la
curva de la grfica. Para frecuencia inferiores y superiores a la de resonancia el valor de la
corriente ser menor, lo cual es lgico ya que slo para la frecuencia de resonancia la resta de
reactancias ser cero. Para frecuencias inferiores a la de resonancia predomina la reactancia
capacitiva, siendo la inductiva la que predomina para frecuencias superiores a la de resonancia.
Los circuitos paralelo en corriente alterna:
Sea por ejemplo el siguiente circuito:

Cmo podemos tratar este tipo de circuitos? Pues depende de lo que queramos. Si lo que
nos interesa es el comportamiento de cada una de las "ramas" del circuito, decir que el anlisis es
anlogo a los ya efectuados hasta el momento. Cada una de estas ramas es, de forma
independiente de las dems, un circuito por s misma, del tipo que ya hemos tratado. Por otro lado,
si lo que nos interesa es el comportamiento del circuito como un todo, o sea, el comportamiento de
las partes comunes del circuito a cada rama, deberemos considerar que lo que se tiene es lo
siguiente:
La resonancia en los circuitos RLC paralelo:

Al igual que en los circuitos serie, tambin es posible hablar de resonancia en los circuitos
paralelo. La condicin de resonancia sigue siendo que Xc = Xl. Esto nos lleva en los circuitos en
paralelo a un comportamiento como el siguiente:
Esta es la grfica del mdulo de la corriente entregada por la fuente de tensin a un circuito
similar al del apartado anterior. Slo existe una diferencia, la inclusin en serie con el circuito de
una resistencia cuya misin es limitar la corriente cuando el circuito se encuentra funcionando
alejado
de
la
frecuencia
de
resonancia.

La expresin que proporciona la frecuencia de resonancia en un circuito paralelo RLC
puede llegar a ser bastante ms complicada que en el caso de su homlogo serie, pero si nos
restringimos a un circuito tan simple como el del apartado anterior ser la misma que la ya vista
para el caso serie, o sea:
MANEJO DE ELECTRNICA APLICANDO LA LEY D OHM.
Puesto que nosotros no podemos ver, tocar ni percibir la energa elctrica

como tal, debemos estudiarla con base .en sus efectos, mensurables por
medio de instrumentos que indican el grado de su accin.
Entender el comportamiento de la electricidad nos resulta fcil si ponemos atencin a la

figura 6, debido a que existe una gran semejanza entre su forma de actuar y las caractersticas de
los lquidos. Su flujo se parece al del agua, y de manera similar tiende a llenar cada espacio que
encuentre disponible. As como el agua puede ser bombeada para producir una corriente a travs
de una red de tuberas o caos, as tambin los electrones de un alambre pueden ser empujados
a travs de un circuito o red de conductores, por medio de una batera o un generador apropiado.
De manera similar a como el agua, por accin de la fuerza de gravedad, busca tener el mismo nivel
en toda la superficie del recipiente, as tambin los electrones tienden a alcanzar la misma
densidad a travs de un circuito, por accin de las repulsiones mutuas de sus cargas negativas.
UNIDAD DE CANTIDAD ELECTRICA

La unidad de cantidad de electricidad, o carga elctrica, es el Culombio.
Representa una cantidad definida de energa elctrica, del mismo modo en que un litro
representa una cantidad determinada de agua. Un culombio equivale, aproximadamente, a 6.28 X
1018 electrones libres.
Qumicamente hablando, un culombio es la cantidad de electricidad requerida para

ocasionar, en una solucin, la precipitacin de 0,00111800 gramos de plata metlica.
CORRIENTE
Cuando el agua corre a travs de un cao, tenemos lo que se llama un flujo o corriente de
agua. Del mismo modo, cuando la electricidad fluye a travs de un conductor o alambre, tenemos
una corriente de electricidad. El caudal de una corriente de agua puede ser indicado en litros por
segundo; la intensidad de una corriente elctrica se expresa en culombios por segundo. Se
denomina un Amperio a una corriente constante de un culombio por segundo, y su nombre fue
dado en honor al matemtico y cientfico francs Andrs Mara Ampere (1775-1836), quien ide la
electrodinmica e invent el electroimn y el telgrafo.
RESISTENCIA
Por experiencia sabemos lo difcil que resulta respirar cuando tenemos tapada una de las
dos fosas nasales, ya que nuestros pulmones deben aumentar la presin para lograr inhalar o
expulsar el volumen de aire que el organismo requiere. Similarmente, un cao ofrece una cierta
resistencia al paso del agua. Cuanto menor sea su dimetro, o mayor sea la longitud, ms grande
ser la resistencia al flujo.
Tambin los conductores elctricos presentan resistencia al paso de la corriente elctrica a

travs de ellos; cuanto ms reducido sea el calibre o seccin transversal, y ms largo el alambre,
mayor ser la resistencia. En estos dos aspectos, la resistencia de un cao de agua y la de un
conductor elctrico son similares. Una manera fcil de experimentar esto, es tratar de respirar a
travs de mangueras que tengan diferente largo y dimetro. indudablemente, la menor resistencia
al paso del aire la encontraremos en la manguera ms ancha y en la ms corta.
La resistencia elctrica, sin embargo, involucra tambin otras propiedades del conductor:
su temperatura y su material. Hemos explicado que, en el caso de los tomos de un buen
conductor, es fcil sacarles un electrn de sus orbitas de valencia, lo cual equivale a decir que se
requiere poca energa para hacerlo. De hecho, se requiere mayor energa para liberar un electrn
de un tomo aislante. Cuando se trata de los semiconductores, se requiere menos energa que en
el caso de los aislantes, pero ms que en el de los conductores.
Algunos materiales, como el carbn y las soluciones electrolticas, disminuyen su

resistencia elctrica a medida que la- temperatura aumenta. Otros, por el contrario, mejoran su
enlace molecular y aumentan la resistencia al subir la temperatura. En los circuitos electrnicos se
necesita a veces una de estas dos caractersticas, y para obtenerla se utiliza un dispositivo
denominado termistor. Cuando su resistencia aumenta con la temperatura, se dice que es de
coeficiente positivo. En caso contrario, su coeficiente ser negativo.
En los metales buenos conductores, tal como el cobre y el aluminio, es despreciable el

efecto de la temperatura sobre su resistencia.
En cuanto a la resistencia dependiente del material, esta se explica en razn de la mayor o

menor energa requerida para liberar los electrones externos de su banda u orbita. El cobre, por
ejemplo, debido a que tiene solamente un electrn de valencia, ubicado en la cuarta capa y lejos
de la atraccin del ncleo, es uno de los mejores conductores elctricos. Existen otros metales que
ofrecen menor resistencia, tal como el oro y la plata, pero su alto costo hace que se empleen
solamente en aplicaciones especiales. En los circuitos electrnicos se utiliza muy a menudo un
dispositivo llamado resistor, el cual se puede conseguir con valores definidos de resistencia
elctrica, con su magnitud especificada en el cuerpo por medio de bandas de color, o con
caracteres siguiendo un cdigo internacional. La unidad de resistencia elctrica se llama Ohmio, y
se expresa con el smbolo .
Un Ohmio es la resistencia que tiene un conductor cuando, al aplicar una tensin elctrica
de un Voltio entre sus extremos, se produce una corriente de un Amperio.
R = *l
A
VOLTAJE
Para ocasionar el flujo de agua a travs de una caera se necesita una determinada
presin, ya sea la suministrada por una bomba, o por la diferencia de niveles entre la superficie del
agua y el orificio de salida.
Como se puede ver en la figura 7, la presin que ejerce el lquido sobre la vlvula de salida
depende de la carga hidrosttica (es decir, la altura de la columna de agua), y se la expresa
generalmente en "metros de agua". De manera similar, se requiere una determinada presin
elctrica para enviar una corriente de electricidad a travs de un conductor. Esta presin elctrica
se denomina Fuerza Electromotriz (fem) o voltaje. La unidad correspondiente se llama Voltio en
honor del fsico italiano Alejandro Volta ( 1745-1827), inventor de la pila elctrica que lleva su
nombre.

Un Voltio es la presin requerida para causar una corriente de un culombio por segundo
(un Amperio) a travs de un conductor que ofrece una resistencia de un Ohmio.
Segn el ejemplo de la figura 6, debido a que el canal presenta resistencia al flujo, el agua
demora un poco en hacer el recorrido entre la salida del grifo y la boca del tubo de succin,
presentando, en consecuencia, diferencias de nivel entre dos puntos cualquiera, siendo mayor la
diferencia de alturas en el sitio de colocacin de la bomba.
A mayor diferencia entre los niveles superior e inferior, mayor ser la presin que empuja el
agua a travs del canal, aumentando as el volumen de galones por minuto. Si ponemos ms
canales en serie, se aumenta la resistencia y disminuye el nivel del agua en el punto de succin.
En la prctica, desde el punto de vista elctrico, se introducen ciertas resistencias a un circuito con
el fin de disminuir ("tumbar") el voltaje en un punto especfico.

En trminos elctricos, el bombeo de electrones de un extremo a otro de un circuito se
puede hacer de diversas maneras, ya sea utilizando una batera o un generador de corriente,
accionado por una cada de agua o por un molino de viento, etc. La diferencia de altura entre los
niveles del lquido del ejemplo anterior equivale a la diferencia de potencial (voltaje) entre dos
puntos cualquiera de un circuito o conductor elctrico. El voltaje ser mximo entre los dos
extremos, donde se tiene conectada la fuente de tensin elctrica (presin).
LA LEY DE OHM
Se conoce como Ley de Ohm a la relacin existente entre el voltaje (E), la resistencia ( R) y
la corriente (I) en un circuito elctrico, y debe su nombre al fsico alemn Georg Sima" Ohm (17891854)! quien fue el primero en establecer que la corriente en un circuito es directamente
proporcional al voltaje aplicado, e inversamente proporcional a la resistencia. Ello puede ser
expresado en la siguiente frmula, donde E corresponde a la inicial de "Electromotriz", para
referirse al voltaje o fuerza que hace mover los electrones a travs de un conductor o circuito:
Amperios de corriente =
Fuerza electromotriz (en voltios)

-----------------------------------------------------Resistencia (en ohmios)
Matemticamente se puede deducir que E = I * R (para conocer el voltaje basta con

multiplicar la corrienteI en amperios por la resistencia R en ohmios).
La resistencia, a su vez, se puede obtener dividiendo el voltaje por el valor de la corriente

en amperios, aplicando la frmula siguiente: R = E/I.
La ley de Ohm afirma que, dados dos circuitos sometidos a igual voltaje, la corriente ser
proporcionalmente mayor en aquel circuito que ofrezca menor resistencia. Dicha ley tambin
establece que, en circuitos de resistencias iguales, la corriente que por ellos fluye ser
directamente proporcional al voltaje aplicado. En otras palabras, una elevada resistencia o un
reducido voltaje determinan una corriente reducida. Por simple deduccin de la figura 6, al ampliar
el canal, o al elevar ms el nivel del agua en el lado del tanque, se aumenta el caudal del agua.
Desde el punto de vista elctrico, equivale a decir que la corriente (I) aumenta cuando se
disminuye la resistencia (R), o cuando se aumenta la diferencia de potencial elctrico (E, V).
VALOR RMS PARA EL VOLTAJE Y LA CORRIENTE.
Existen energa elctrica en forma constante (directa) y una forma variable cambiante en
su polaridad (alterna), Si se alimenta una misma resistencia se notara que el trabajo realizado por
esta es diferente, entonces el valor cuadrtico medio es la relacin de un voltaje de alterna
comparada con su equivalente de directa, que realizara el mismo trabajo.
A este valor se le conoce tambin como valor eficaz y puede ser ya sea del voltaje, de la
corriente o de la potencia de entrada o de salida de un aparato o equipo electrnico.
En resumen, las caractersticas del valor cuadrtico medio son:

Es la relacin entre un voltaje de CA. con el de CD.
Compara el trabajo realizado por la CA. con el cual es equivalente el de la CD.
Muestra que el trabajo desarrollado por la CA. es diferente al de CD.
El valor R. M. S. (Rood Middle Square) es una especificacin que se utiliza en diversos

sistemas y equipos electrnicos de audio, y comunicaciones, algunos de estas aplicaciones son:
En la potencia nominal de bocinas.
En la potencia real de amplificadores.
En niveles de potencia pico a pico de C. A.
La forma de calcular matemticamente el valor eficaz del voltaje y corriente es:

VALOR RMS
Debido a que
1
2
VALOR PICOPICO
VALOR PICO PICO
O VALO Re ficaz
2
2
0.707 este resultado da una constante con lo que la frmula queda:
VALOR RMS 0.707VALOR PICO PICO .

MEDICIONES DE VOLTAJE
Para la medicin de voltajes con el multmetro es necesario tomar las medidas de
seguridad del circuito a medir y las del taller o laboratorio de electrnica con el fin de cuidar el
instrumento, el circuito, las instalaciones y principalmente a nosotros mismos.
En general, los pasos para medir voltaje de C. D. con el multmetro son los siguientes:
Seleccionar el rango adecuado de voltaje C. D.
Colocar las puntas de prueba en los bornes COM (-) y V/ (+) del multmetro.
Poner las puntas de prueba sobre los extremos + y del componente a medir.
Tomar la lectura de la pantalla del instrumento.
Retirar las puntas de prueba del componente.
En la medicin de voltaje en C. A. con el multmetro se tiene:

Seleccionar el rango adecuado de voltaje c. a.
Colocar las puntas de prueba en los bornes COM (-) y V/ (+) del multmetro.
Poner las puntas de prueba sobre los extremos del componente a medir.
En esta medicin, al colocar el selector en Volts C. A. se esta eligiendo un rectificador de

voltaje que convierte la C. A. en C. D. obteniendo as la lectura en Valor eficaz del voltaje C. A.
medido.
MEDICIONES DE CORRIENTE
En la medicin de corriente en un circuito de C. D. con el multmetro se toman en cuenta el

procedimiento siguiente:
Seleccionar el rango adecuado de corriente de C. D.
Colocar las puntas de prueba en los bornes COM (-) y mA o 10 A (+) del multmetro.
Poner las puntas de prueba sobre los extremos + y del componente a medir.
El procedimiento para la medicin de corriente en los circuitos de C. A. con el multmetro es:

Seleccionar el rango adecuado de corriente de C. A.
Colocar las puntas de prueba en los bornes COM (-) y mA o 10 A (+) del multmetro.
Poner las puntas de prueba sobre los extremos del componente a medir.
En esta medicin, al colocar el selector en Amperes de C. A. se esta eligiendo un rectificador

que convierte la C. A. en C. D. obteniendo as la lectura en Valor eficaz de la Intensidad de
corriente de C. A. medida.
Prctica F: Medicin de parmetros en un circuito electrnico .

Propsito de la prctica: El participante comprueba los parmetros elctricos de voltaje y
corriente en un circuito electrnico, utilizando un multmetro y la ley de Ohm
Descripcin de la prctica: En equipos de 5 personas los participantes comprobarn el valor de
del voltaje y la corriente en un circuito electrnico.
Material utilizado:
Resistores: Resistores de 330 y 1K, desde hasta 1 W.
Interruptor.
Un LED (de cualquier color)
Fuente de alimentacin de 5 a 10V.
Procedimiento.
1. En equipos cada participante arma un circuito en el que se conecte el interruptor, el
2.
3.
4.
5.
6.
resistor de 330 y el LED conectados a una fuente de alimentacin de 5V

Calcule el valor de la corriente en el circuito utilizando la ley de Ohm.
Mida la corriente en el circuito anterior y antelo.
Repita los pasos anteriores para una resistencia de 1K
Dibujar el circuito con los valores.
Calcule el valor de la resistencia con el mismo LED pero para un voltaje de 7V
considerando que el valor mximo de corriente en el LED es de 20mA.
MANEJO DE COMPONENTES Y DISPOSITIVOS

ELECTRNICOS.
APLICAR COMPONENTES ESPECFICOS, UTILIZADOS EN
SISTEMAS ELECTRNICOS.
SIMBOLOGA ELECTRNICA.
En Electrnica se utilizan diferentes tipos de diagramas, principalmente los diagramas

de bloque y los diagramas esquemticos. En los diagramas esquemticos se muestran
las conexiones de los diferentes componentes en su forma de esqueleto. A continuacin
se muestra la simbologa electrnica que se utiliza en los diagramas esquemticos.
Resistencias
Resistencia smbolo general
Resistencia smbolo
general
Resistencia no reactiva
Resistencia no reactiva
Resistencia variable
Resistencia variable por

pasos o escalones
Resistencia variable
Resistencia adjustable
Resistencia adjustable
Impedancia
Potenciometro
Potenciometro de contacto
mvil
Potenciometro de ajuste
predeterminado
Variable por escalones
Variable de variacin continua
NTC
PTC
VDR
LDR
LDR
Elementos de calefaccin
Resistencia en derivacin
corriente y de tensin
Resistencia con toma de

corriente
Resistencia con tomas

fijas
Resistencia dependiente de
un campo magntico
Atenuador
Resistencia de proteccin
Resistencia de proteccin
Resistencia no quemable
Condensadores
Condensador no polarizado
Condensador no
polarizado
Condensador variable
Condensador adjustable
Condensador polarizado
sensible a la temperatura
sensible a la tensin
Condensador pasante
Condensador de estator
dividido
Condensador electroltico
multiple
Condensador con armadura a

masa
Condensador diferencial
Condensador con resistencia

intrnseca en serie
Condensador con
caracterizacin de la capa
exterior
Condensador variable de
doble armadura
Condensador con toma de

corriente
Diodos
Diodo rectificador
Diodo rectificador
Diodo rectificador
Diodo zener
Diodo zener
Diodo zener
Diodo zener
Diodo zener
Diodo varicap
Diodo varicap
Diodo varicap
Diodo Gunn Impatt
Diodo supresor de tensin
Diodo supresor de tension
Diodo de corriente constant
Diodo de recuperacin
instantanea Snap
Diodo tnel
Diodo tnel
Diodo rectificador tnel
Diodo Schottky
Diodo Pin
Diodo Pin
Fotodiodo
Diodo LED
Fotodiodo bidireccional NPN
Fotodiodo de dos
segmentos ctodo comn
PNP
Fotodiodo de dos segmentos

ctodo comn PNP
Diodo sensible a la
temperatura
Puente rectificador
Puente rectificador
Diodo de rotura bidireccional

PNP
Diodo de rotura
bidireccional NPN
Transistores
Transistor NPN
Transistor PNP
Transistor NPN con colector

unido a la cubierta
Transistor NPN tnel
UJT-n Uniunin
UJT-p Uniunin
Fototransistor NPN
Multiemisor NPN
De avalancha NPN
Transistor Schottky NPN
Transistor JFET canal N
Transistor JFET canal N
Transistor JFET canal P
Transistor JFET canal P
PUT uniunin programmable
Darlington NPN
Darlington NPN
Tristores
Tristor SCR Silicon controlled

rectifier
Tristor SCS Silicon

controlled switch
Diac
Diac
Triac
Tristor Schottky PNPN de

4 capas
Tristor Schottky PNPN de 4

capas
Tristor Schottky PNPN de

4 capas
Tristor de conduccin inversa,

puerta canal N controlado por
nodo
Tristor de conduccin
inversa, puerta canal P
controlado por ctodo
Tristor de desconexin puerta

canal N controlado por nodo
Tristor de desconexin
puerta control P
controlado por ctodo
SBS Silicon bilateral switch
SUS Silicon unilateral

switch
Trigger Diac
Transistores Mosfet
Tipo empobrecimiento 3
terminales
Tipo enpobrecimiento 3
terminales
terminales
Tipo enriquecimiento
sustrato unido al surtidor 3
terminales
Tipo enriquecimiento sustrato

unido al surtidor 3 terminales
Tipo enpobrecimiento
terminales
Tipo enpobrecimiento
terminales
Tipo enriquecimiento 4
terminales
terminales
terminales
terminales
terminales
terminales
puertas, 5 terminales
terminales
terminales
terminales
Fuente bibliogrfica: http://www.simbologia-electronica.com/
CABLES Y ALAMBRES.
Los aparatos elctricos a si como los componentes electrnicos tienen terminales
metlicas, estas funcionan para interconectar los diferentes componentes o para hacerles
llegar la energa a los aparatos y equipos. Se debe buscar que las conexiones sean lo
suficientemente firmes ya sea con un amarre efectivo, un ajuste de tornillo o con una
soldadura bien hecha.
Los conductores sirven como medio de conduccin de la corriente as como
tambin medio de unin de aparatos o componentes relativamente distantes; el conductor
idealmente no consume energa.Los cables y alambres son conductores elctricos que
interconectan diferentes dispositivos y componentes electrnicos adems de permitir el
flujo de seales y llevan los niveles de voltajes de alimentacin requeridas por los circuitos
y/o aparatos electrnicos.
Los alambres se caracterizan estar formados de un solo hilo conductor mientras

que los cables estn formados por varios hilos conductores. Los conductores son
considerados lneas de transmisin de corriente elctrica (electricidad) y/o de seales
electrnicas, como por ejemplo; el cable de a conexin de una antena hacia un transmisor
de radio. Los cables se pueden clasificar en cables conductores, coaxiales y pares
trenzados.
En los conductores elctricos se considera el calibre para determinar su capacidad
de conduccin y del nivel de tensin que pueden transportar. Para que nosotros podamos
determinar el calibre de un conductor podemos utilizar el Medidor de calibre de
conductores elctricos (gage).
UTILIDAD PRCTICA DE TIERRA FSICA, ANTENA Y FUENTES DE ALIMENTACIN.
La tierra; en primer lugar; es la referencia universal en la interpretacin de los voltajes

eclcticos, al definirse como referencia de cero volts sirve como blindaje a todo dispositivo
elctrico brindando seguridad en su manipulacin.
APLICACIONES: Los electrodos de TOTAL
GROUND se utilizan para la puesta a tierra
de:
Sites de cmputo
Plantas industriales
Sistemas de pararrayos
Racks de telecomunicaciones
Sistemas satelitales
Sistemas de radio frecuencia
Sistemas de control industrial
La antena es el dispositivo transductor que convierte energa elctrica circundante en

un circuito elctrico en energa electromagntica que se desplaza por el espacio libre, y
viceversa.
Batera; en trmino genrico; o tambin conocido como pila es el dispositivo que a

travs de una reaccin qumica produce un energa elctrica con un voltaje constante en
su vida til.
SENSORES (TRANSDUCTORES).
Micrfono es el transductor que convierte sonido (presin en el aire) en energa
elctrica. Clasificacin del micrfono:
A.
B.
C.
D.
E.
Micrfono dinmico: conocido tambin como micrfono de bobina

mvil, trabaja bajo principios magnticos.
Micrfono de cristal: Su funcin se apoya bajo el principio de material
piezoelctrico.
Micrfono de capacitor: Su funcin se apoya bajo principios
capacitivos.
Micrfono de carbn de una capsula: opera bajo el principio de
resistencia variable.
Micrfono de cinta: opera bajo principios magnticos.
Bocina es el transductor que convierte energa elctrica en sonido. Clasificacin de

bocinas:

A.
Bocina o altavoz de agudos: (TWEETER) Bocina de pequeo tamao

proyectado particularmente para la reproduccin de de altas frecuencias de audio
(arriba de 3500 Hz).
B.
Bocina o altavoz de graves: (WOOFER) Bocina de grandes
dimensiones que opera con bajas frecuencias (por debajo de 1000 Hz).
C.
Bocina o altavoz de rango medio: (SPEAKER MIDRANGE) Bocina
proyectado para operar en el rango de audio frecuencia comprendidas dentro del
rango medio (comprendido entre 1000 y 5000 Hz).
El cristal es un componente con un elemento piezoelctrico que su utilidad es de un

oscilador.
Cristal de cuarzo, aspecto fsico y smbolo.
Fotovoltaica, aspecto fsico y smbolo.
La foto-celda es un componente fotosensible generando un voltaje proporcional a la

luz incidente.
Tabla de utilidades prcticas de:

Cristal.
Contiene un elemento piezoelctrico
Foto-celda.
Dispositivo que produce una variacin

normalmente de cuarzo.
Al aplicarle un voltaje ste produce una
vibracin en el cristal.
Esta vibracin es proporcional al
tamao corte en el cristal.
Se utilizan para generar la frecuencia
de trabajo en microprocesadores y
microcontroladores, en PC`s, sistemas
de comunicaciones y en la
sincronizacin de datos.
Fotoconductiva, aspecto fsico y smbolo.
elctrica en respuesta a un cambio de

intensidad de luz.
Posee un componente fotosensible.
Se clasifican en: Fotovoltaicas o
Fotoconductivas.
Aplicaciones:
1. Deteccin de un objeto,
2. Grado de translucidez.
Las fotovoltaicas generan un voltaje
proporcional a la luz incidente en mV.
Las fotoconductivas producen un cambio
de resistencia con la luz; en k. A las
celdas fotoconductivas se les llama
fotorresistencias.
Aplicaciones:
a. Industriales en conteo y deteccin de piezas u
objetos.
b. Accin de seal para el control elctrico.
c. En codificadores para determinar la velocidad
en revoluciones por minuto del eje de un motor
elctrico.
d. La translucidez de una pieza metlica, de
plstico; o de otros materiales.
Fotodiodo. Dispositivo semiconductor de dos
Fototransistor. Dispositivo semiconductor de tres
terminales (nodo y ctodo) sensible a la luz.
terminales (emisor, base y colector) sensible a la
Este diodo vara su conduccin inversa al ser
luz. Su corriente de colector vara en funcin de la
afectado por la luz.
energa radiante que activa su rea fotosensible.

Adems puede amplificar.
Fotodiodo
Fototransistor
Disipador de calor es un dispositivo metlico sobre el cual se colocan los

rectificadores, transistores y tiristores de potencia media y alta. Su fin es dispersar y
eliminar el calor por la alta corriente elctrica que los citados elementos manejan. Es el
medio por el cual los componentes electrnicos pierden calor, generalmente estn hechos
de aluminio. Sirven tambin como plataforma para colocar los transistores de potencia.
Plug. Los plugs son elementos terminales de conductores que actan como
elemento de conexin por contacto.
Jacks. Los son elementos terminales de conductores que actan como elemento
de conexin por contacto.
Los plugs y jacks constituyen un juego de elementos en el cual el plug (clavija)

puede ser insertado en el jack para efectuar conexiones de circuitos. En muchos casos el
jack cuenta con diversos contactos de abertura y cierre, de tal forma que puede
desarrollar funciones de conmutacin al insertar o separar el plug. Un ejemplo de
aplicacin prctica de stos dispositivos es en las conexiones de las etapas de salida de
audio de un radiorreceptor en la conexin con audfonos o con una bocina, el plug puede
hacer la conexin/desconexin de un elemento u otro.

Interruptor (switch). El interruptor es un elemento mecnico que acta como elemento
de control para conectar o desconectar el flujo de energa elctrica. Un interruptor es un
dispositivo mecnico-elctrico usado para abrir o cerrar un circuito o parte de l. Otras
veces el interruptor es empleado como un selector de circuitos. En su versin ms
sencilla, el interruptor cuenta con una perilla plstica para su manejo manual, la cual
puede ser girada, deslizada, presionada o sometida algn otro movimiento mecnico,
permite la separacin o unin con de los contactos que forman que forman al interruptor.
Los tipos ms comunes en que se construyen los interruptores son: interruptor de un tipo
un polo,

ASPECTO FSICO LOS ACCESORIOS DE CONEXIN (PLUGS Y JAKS).
MANEJAR DISPOSITIVOS UTILIZADOS EN SISTEMAS

ELECTRNICOS.
Diodo es el elemento electrnico ms simple compuesto de dos capas de material
semiconductor y una unin PN, acta como un interruptor y forma parte esencial de los circuitos
rectificadores y detectores de audio. Existen varios tipos de diodos, algunos de estos son el
rectificador, el LED, el varistor, el diodo Zener.
Transistor es el elemento electrnico principal por excelencia trabaja como interruptor y

tambin como amplificador se pueden hacer innumerables circuitos a partir del transistor. Los
transistores por la potencia que desarrollan se clasifican en transistores de pequea seal o de
baja potencia, potencia media y de potencia. Tambin se construyen con diferentes tecnologas de
lo que deriva la existencia de los llamados Transistores Bipolares (BJT) y los transistores de efecto
de campo (FET, MOSFET y MESFET) adems existen una tecnologa que combina las dos
anteriores de los que da lugar A transistores BiFET. Tambin existe el transistor de heterojuntura
HMT Y HEMT
Tiristor es un elemento semiconductor que acta como interruptor y tiene como funcin
activar circuitos de control de grandes cantidades de energa (Electrnica de Potencia). Realimente
decir tiristor es referirse a una familia de dispositivos electrnicos construidos con cuatro capas
semiconductoras o ms, para funciones de Electrnica de Potencia que interactan con sistemas
de control elctrico y electrnico.
Caractersticas de los Tiristores.

Familia de componentes electrnicos de potencia.
Pueden activar cargas elctricas mediante una seal electrnica.
El tiristor ms popular es el SCR (rectificador controlado de silicio).
Otros dispositivos son el TRIAC (trodo de corriente alterna) y el DIAC (diodo de corriente
alterna), usados para encender y apagar electrnicamente lmparas de alumbrado, motores
elctricos, etc.
El UJT (transistor unijuntura) proporciona pulsos de disparo para activar SCR y TRIAC.
Los dispositivos tiristores se pueden clasificar en dispositivos de accionamiento de cargas y

en dispositivos de control de disparo. Los dispositivos de accionamiento de carga son el SCR y el
TRIAC.
El SCR trabaja en el 1er cuadrante de seal de CA y opera principalmente en circuitos de
control de carga para lmparas, motores de CD y cargadores de bateras.
El TRIAC trabaja en el 1er y 3er cuadrantes de la seal de CA y opera principalmente en
circuitos de control de velocidad de motores de CA, en el encendido y apagado de cargas
de CA y en general en circuitos elctricos bifsicos y trifsicos.
Los dispositivos de control de de disparo son el DIAC, UJT, PUT, SBS, SUS y el diodo de
cuatro capas.
El DIAC generalmente se utiliza para disparar al TRIAC ya que es un dispositivo que
dispara en el 1er y 3er cuadrante de la seal de CA. Cuando el TRIAC y el DIAC se
construyen en un mismo encapsulado reciben el nombre de QUADRAC.
El UJT es un dispositivo de tres terminales conocidas como emisor, base 1 y base 2 que
presenta como caracterstica principal, una resistencia negativa. El UJT entra al estado de
conduccin hasta que su emisor recibe un voltaje positivo determinado. El dispositivo se
utiliza en circuitos de tiempo, circuitos de disparo y osciladores de relajacin. Otro
dispositivo parecido al UJT es el PUT (Programmable Unijuntion Transistor = Transistor de
Unjuntura Programable) que tiene tres terminales; nodo, ctodo y compuerta; que se
comporta de manera muy parecida al UJT.
El SBS y el SCS son conocidos como dispositivos de transicin conductiva ya que son
disparadores mejorados. El SBS es llamado un interruptor bilateral de silicio y es comn en
los circuitos de disparo de bajo voltaje y su respuesta es mejorada, con respecto al DIAC.
Es utilizado en circuitos de disparo del TRIAC.

El SUS (interruptor unilateral de silicio) se utiliza en circuitos de control de disparo del
SCR, as como el diodo ShocKley o diodo de cuatro capas.
El diodo de cuatro capas tiene dos terminales; nodo y ctodo, est formado por cuatro
capas (NPNP). Este diodo se caracteriza por entrar en conduccin nicamente de ctodo a
nodo, necesita entre sus terminales un voltaje de entre 10 a 100 V, en donde el nodo
debe ser positivo y el ctodo negativo.
SCR.
A = NODO
K = KTODO.
G = COMPUERTA
MT1= MAIN TERMINAL 1
MT2 =MAIN TERMINAL 2
TRIAC.
UJT.
DIAC.
SBS.
Diodo de cuatro capas.
SUS.
PUT.
Aspecto fsico del SCR y el TRIAC.
Aspecto fsico de los tiristores de disparo.
DIODOS.
ESTRUCTURA DEL DIODO SEMICONDUCTOR.
Los diodos semiconductores constan
de dos materiales semiconductores
extrnsecos: tipo N y tipo P, unidos por
medio de una Unin o Juntura PN o
NP, por lo que reciben el nombre de
unin PN.
El funcionamiento del diodo ideal es un
componente que presenta resistencia
nula al paso de la corriente en un
determinado
sentido
resistencia
infinita en otro sentido.

V = 10V, R = 1K, D = diodo, i = 10 mA.
a.
Conduccin
del
diodo
en
sentido directo (diodo cerrado)

V = 10V, R = 1K, D = diodo, I = 0mA.
b) Conduccin del diodo en sentido
inverso (diodo abierto)
Un diodo es un dispositivo electrnico que permite el paso de la corriente elctrica en un solo
sentido, mientras bloquea el paso de la misma en el sentido contrario.
Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en
cada cristal, el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos
cristales, tanto el p como el n, son neutros.
Este conjunto sera del tipo N, ya que deja un electrn
libre, pues le sobra del enlace, con lo que el tomo se
convierte en un in positivo al mismo tiempo que
contribuye con la generacin de un electrn libre, a este
tomo lo representaremos:
En el caso del tipo P, dejara un hueco libre, con lo que el

tomo se convierte en un in negativo al mismo tiempo
que contribuye con la generacin de un hueco libre, a
este tomo lo representaremos:
Cuando se efecta esta unin, los electrones y los huecos

inmediatos a la unin se atraen, cruzan la unin y se
neutralizan.
Segn este proceso inicial, la zona N prxima a la unin ha perdido electrones y por tanto queda
cargada positivamente. Igualmente la zona P prxima a la unin ha perdido huecos, con lo que
queda cargada negativamente.
Al quedar la zona N prxima a la unin cargada positivamente, rechazar a los huecos de la zona
P que quieren atravesar la unin. Exactamente igual la zona P prxima a la unin impedir el paso
de los electrones provenientes de la zona N
Por tanto en la zona prxima a la unin aparece una diferencia de potencial llamada "Barrera de
potencial interna", que impide el paso de portadores mayoritarios a travs de la unin, no pudiendo
existir corriente.

Formacin de la zona de carga espacial. Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de
electrones del cristal N al P. Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a
ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga
espacial, de agotamiento, de deflexin, de vaciado. A medida que progresa el proceso de difusin,
la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos
lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la
zona N con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de
electrones y terminar detenindolos. Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una
diferencia de tensin entre las zonas P y N. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso
del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio. Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo,
que en un caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial
externa, se dice que no est polarizado. Al extremo P, se le denomina nodo, representndose por
la letra A, mientras que la zona N, el ctodo, se representa por la letra C (o K). Cuando se somete
al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser la
polarizacin directa o inversa.
Polarizacin directa. En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de

carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el
diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado
directamente, tenemos que conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo
negativo al ctodo. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial,

Polarizacin inversa. En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo
positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona
hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera. En esta situacin, el diodo no debera
conducir la corriente.
Portadores mayoritarios y minoritarios.

En el estado intrnseco, el nmero de electrones libres en Ge o Si se debe nicamente a los que
los electrones de valencia que han adquirido suficiente energa de las fuentes trmicas o lumnicas
que han podido romper la unin covalente, as como a las pocas impurezas que no pudieron
eliminarse. Las vacantes dejadas atrs en la estructura de uniones covalentes representan una
cantidad muy limitada de huecos.
En un material tipo N, el nmero de huecos no ha cambiado significativamente de su nivel
intrnseco. El resultado neto, por tanto, es que el nmero de electrones supera por mucho al
nmero de huecos. Por tal motivo, en los materiales tipo N, al electrn libre es el portador
mayoritario y el hueco es el portador minoritario. En los cristales tipo P, el hueco es el portador
mayoritario y el electrn libre es portador minoritario.
Cuando el quinto electrn de un tomo donador deja su tomo, tal tomo adquiere una carga
positiva neta; de ah el signo positivo en la representacin del in donador. De la misma manera el
signo negativo aparece en el in aceptor.
Los materiales tipo N y P representan los bloques de conduccin bsicos de los dispositivos
semiconductores. Tenemos que en el momento que son unidos los dos materiales, los electrones y
huecos en la regin de la unin se combinan, dando por resultado una falta de portadores en la
regin cercana a la unin.
CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO

Con la polarizacin directa los electrones portadores aumentan su velocidad y al chocar con los
tomos generan calor que har aumentar la temperatura del semiconductor. Este aumento activa la
conduccin en el diodo.
Caracterstica I/V de un diodo semiconductor

Vu
Vs
Vr
OA
AB
OC
Tensin umbral
Tensin de saturacin
Tensin de ruptura
Zona de baja polarizacin directa, pequea corriente
Zona de conduccin
Corriente inversa de saturacin
A partir de C, zona de avalancha
Prctica G: Circuitos de polarizacin directa e inversa para el diodo semiconductor.

Propsito de la prctica: El participante construye circuitos de polarizacin del diodo
semiconductor
Descripcin de la prctica: En equipos de 5 personas los participantes polarizan directa e
inversamente al diodo semiconductor, describiendo su funcionamiento.
Material utilizado:
1 protoboard.
2 diodos 1N4007 o 2 diodos 1N4148.
1 resistor de 1K a 1W.
1 multimetro para medir mA.
1 Fuente de alimentacin variable de 0 a 15V
1 osciloscopio.
1 sonda de prueba.
2 conectores caimn-caimn.
Procedimiento.
1. Armar el rectificador de polarizacin directa del diodo semiconductor, con una fuente
variable.
2.
3.
4.
5.
6.
Conectar la sonda de prueba del osciloscopio al ctodo del circuito.

Encender la fuente de alimentacin y llevar el voltaje desde 0 hasta 1V.
Al mismo tiempo observar la respuesta en el osciloscopio.
Medir la corriente sobre el ctodo del dispositivo.
Constatar que la corriente de de conduccin aparece cuando se rebasa el voltaje de
conduccin del diodo.

7. Armar el rectificador de polarizacin inversa del diodo semiconductor, con una fuente
variable.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
Conectar la sonda de prueba del osciloscopio al ctodo del circuito.

Encender la fuente de alimentacin y llevar el voltaje desde 0 hasta 15V.
Al mismo tiempo observar la respuesta en el osciloscopio.
Medir la corriente sobre el nodo del dispositivo.
Constatar que la corriente es muy baja en la polarizacin inversa del diodo.
Redactar sus conclusiones de lo desarrollado en la prctica.
Discutir las conclusiones a nivel de equipo y grupal.
CLASIFICACION DEL DIODO

A. Diodo Rectificador que funciona como interruptor en circuitos rectificadores
B. Diodo Zener que funciona como regulador de voltaje
C. Diodo Emisor de Luz (LED) que funciona como indicacin luminosa
D. Fotodiodos, diodos sensibles a cierto tipo de luz, se utilizan como receptores en sistemas
de control remoto.
E. Diodo varactor (varicap), utilizado en la sintona y seleccin de radiofrecuencias en TX y
RX.
Diodo Zener

El diodo Zener basa su funcionamiento en el efecto zener en el que la aplicacin de tensiones
inversas que originan, debido a la constitucin caracterstica de los mismos, fuertes campos
elctricos que causan la rotura de los enlaces entre los tomos dejando as electrones libres
capaces de establecer la conduccin.
Su caracterstica es tal que una
vez alcanzado el valor de su
tensin
inversa
nominal
superando la corriente a su travs

Smbolo
un determinado valor mnimo, la
del
tensin en las terminales del
Zener
diodo se mantiene constante e

independiente de la corriente que
circula por l.
Su
polarizacin
siempre
es
inversa, para lograr su efecto

Zener.
La curva caracterstica de un diodo
Zener, tericamente no se diferencia
mucho del diodo ideal; el diodo Zener
se utiliza para trabajar en la zona de
ruptura, ya que mantiene constante
la
tensin
entre
sus
terminales
(tensin Zener, Vz).
Tres son las caractersticas que diferencian a los diversos diodos Zener entre s:
Tensiones de polarizacin inversa, conocida como tensin zener.- Es la tensin que el

zener va a mantener constante.
Corriente mnima de funcionamiento.- Si la corriente a travs del zener es menor, no hay

seguridad en que el Zener mantenga constante la tensin en sus bornes.
Potencia mxima de disipacin. Puesto que la tensin es constante, nos indica el

mximo valor de la corriente que puede soportar el Zener.

Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la tensin en
sus terminales a un valor llamado tensin de Zener, pudiendo variar la corriente que lo atraviesa
entre el margen de valores comprendidos entre el valor mnimo de funcionamiento y el
correspondiente a la potencia de zener mxima que puede disipar. Si superamos el valor de esta
corriente el Zener se destruye.
Segn los smbolos de direccin de conduccin se comprenda junto con la polarizacin. Algunos
diodos se disean para aprovechar la tensin inversa de ruptura con una curva caracterstica
mostrada anteriormente. Esto se consigue bsicamente a travs del control de los dopados con
ellos se logran tensiones de ruptura de 1,8 V a 200 V y potencias mximas desde 0,5 W a 50 W.
Una aplicacin muy usual es la estabilizacin de tensin. Los parmetros comerciales son iguales
al diodo normal, Iz (mx) = corriente mxima en inversa. Hay que tener en cuenta que el fabricante
nos da los valores de Vz e Iz (mx) en valor absoluto.
Diodo emisor de luz.

El LED (Light-Emitting Diode: Diodo Emisor de Luz), es un dispositivo semiconductor que emite luz
incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unin PN en la cual circula
por l una corriente elctrica . Este fenmeno es una forma de electroluminiscencia, el LED es un
tipo especial de diodo que trabaja como un diodo comn, pero que al ser atravesado por la
corriente elctrica, emite luz . Este dispositivo semiconductor est comnmente encapsulado en
una cubierta de plstico de mayor resistencia que las de vidrioque usualmente se emplean en las
lmparas incandescentes. Aunque el plstico puede estar coloreado, es slo por razones estticas,
ya que ello no influye en el colorde la luz emitida. Usualmente un LED es una fuente de luz
compuesta con diferentes partes, razn por la cual el patrn de intensidad de la luz emitida puede
ser bastante complejo.
Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que atraviesa el
LED y evitar que este se pueda daar; para ello, hay que tener en cuenta que el voltaje de
operacin va desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que est relacionado con el material
de fabricacin y el color de la luz que emite) y la gama de intensidades que debe circular por l
vara segn su aplicacin. Los Valores tpicos de corriente directa de polarizacin de un LED estn
comprendidos entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en los diodos de color rojo y de entre los 20 y 40
miliamperios (mA) para los otros LED. Los diodos LED tienen enormes ventajas sobre las
lmparas indicadoras comunes, como su bajo consumo de energa, su mantenimiento casi nulo y
con una vida aproximada de 100,000 horas. Para la proteccin del LED en caso haya picos
inesperados que puedan daarlo. Se coloca en paralelo y en sentido opuesto un diodo de silicio
comn

En general, los LED suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que circula por
ellos, con lo cual, en su operacin de forma optimizada, se suele buscar un compromiso entre la
intensidad luminosa que producen (mayor cuanto ms grande es la intensidad que circula por ellos)
y la eficiencia (mayor cuanto menor es la intensidad que circula por ellos).
Composicin de los LED.

Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual fueron construidos.
Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre otros.
LED rojo: Formado por GaP consiste en una unin p-n obtenida por el mtodo de crecimiento
epitaxial del cristal en su fase lquida, en un substrato.
La fuente luminosa est formada por una capa de cristal p junto con un complejo de ZnO, cuya
mxima concentracin est limitada, por lo que su luminosidad se satura a altas densidades de
corriente. Este tipo de LED funciona con baja densidades de corriente ofreciendo una buena
luminosidad, utilizndose como dispositivo de visualizacin en equipos porttiles. El constituido por
GaAsP consiste en una capa p obtenida por difusin de Zn durante el crecimiento de un cristal n de
GaAsP, formado en un substrato de GaAs, por el mtodo de crecimiento epitaxial en fase gaseosa.
Actualmente se emplea los LED de GaAlAs debido a su mayor luminosidad.
El mximo de radiacin se halla en la longitud de onda 660 nm.
LED anaranjado y amarillo: Estn compuestos por GaAsP al igual que sus hermanos los rojos
pero en este caso para conseguir luz anaranjada y amarilla as como luz de longitud de onda ms
pequea, lo que hacemos es ampliar el ancho de la "banda prohibida" mediante el aumento de
fsforo en el semiconductor. Su fabricacin es la misma que se utiliza para los diodos rojos, por
crecimiento epitaxial del cristal en fase gaseosa, la formacin de la unin p-n se realiza por difusin
de Zn.
Como novedad importante en estos LED se mezcla el rea emisora con una trampa isoelectrnica
de nitrgeno con el fin de mejorar el rendimiento.

LED verde: El LED verde est compuesto por GaP. Se utiliza el mtodo de crecimiento epitaxial
del cristal en fase lquida para formar la unin p-n.
Al igual que los LED amarillos, tambin se
utiliza una trampa isoelectrnica de nitrgeno
para mejorar el rendimiento. Debido a que
este
tipo
de
probabilidadde
LED
posee
transicin
una
fotnica,
baja
es
importante mejorar la cristalinidad de la capa

n. La disminucin de impurezas a larga la
vida
de
los
portadores,
mejorando
la
cristalinidad.Su mxima emisin se consigue

Compuestos empleados en la construccin de
en la longitud de onda 555 nm
LED.
El funcionamiento fsico consiste en que, en los materiales semiconductores, un electrn al pasar
de la banda de conduccin a la de valencia, pierde energa; esta energa perdida se puede
manifestar en forma de un fotn desprendido, con una amplitud, una direccin y una fase aleatoria.
El que esa energa se manifieste en (calor por ejemplo) va a depender principalmente del tipo de
material semiconductor.
Cuando Al polarizar directamente un diodo LED
conseguimos que por la unin PN sean inyectados
huecos en el material tipo N y electrones en el
material tipo P; O sea los huecos de la zona p se
mueven hacia la zona n y los electrones de la zona
n hacia la zona p, producindose por consiguiente,
una inyeccin de portadores minoritarios.
Ambos desplazamientos de cargas constituyen la
corriente que circula por el diodo. Si los electrones
y huecos estn en la misma regin, pueden
recombinarse, es decir, los electrones pueden
pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un
nivel energtico superior a otro inferior ms estable

Diodo emisor de
luz
con
la
unin
polarizada en sentido directo

Cuando estos portadores se recombinan, se
produce la liberacin de una cantidad de
energa proporcional al salto de banda de
energa del material semiconductor. Una
parte de esta energa se libera en forma de
luz, mientras que la parte restante lo hace en
forma de calor, estando determinadas las
proporciones por la mezcla de los procesos
de recombinacin que se producen.
La energa contenida en un fotn de luz es
proporcional a su frecuencia, es decir, su
color. Cuanto mayor sea el salto de banda
de energa del material semiconductor que
forma
el
LED,
ms
elevada
ser
la
frecuencia de la luz emitida.

APLICACIONES DE LOS LED.
Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en mandos a distancia de
televisores, habindose generalizado su uso en otros electrodomsticos como equipos de aire
acondicionado, equipos de msica, etc. y en general para aplicaciones de control remoto, as como
en dispositivos detectores. Los LED se emplean con profusin en todo tipo de indicadores de
estado(encendido/apagado) en dispositivos de sealizacin (de trnsito, de emergencia, etc.) y en
paneles informativos. Tambin se emplean en el alumbrado de pantallas de cristal lquido de
telfonos mviles, calculadoras, agendas electrnicas, etc., as como en bicicletas y usos similares.
Existen adems impresoras LED.
Tambin se usan los LED en el mbito de la iluminacin (incluyendo la sealizacin de trfico) es
moderado y es previsible que se incremente en el futuro, ya que sus prestaciones son superiores a
las de la lmpara incandescente y la lmpara fluorescente, desde diversos puntos de vista. La
iluminacin con LED presenta indudables.
Se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como indicadoras de cierta situacin especfica de
funcionamiento y desplegar contadores.
Para indicar la polaridad de una fuente de alimentacin de corriente continua.
Para indicar la actividad de una fuente de alimentacin de corriente alterna.
En dispositivos de alarma.
Ventajas del LED.

Fiabilidad, mayor eficiencia energtica, mayor resistencia a las vibraciones, mejor visin ante
diversas circunstancias de iluminacin, menor disipacin de energa, menor riesgo para el medio
ambiente, capacidad para operar de forma intermitente de modo continuo, respuesta rpida, etc.
As mismo, con LED se pueden producir luces de diferentes colores con un rendimiento luminoso
elevado, a diferencia de muchas de las lmparas utilizadas hasta ahora, que tienen filtros para
lograr un efecto similar (lo que supone una reduccin de su eficiencia energtica). Todo ello pone
de manifiesto las numerosas ventajas que los LED ofrecen. Tambin se utilizan en la emisin de
seales de luz que se trasmiten a travs de fibra ptica.
Desventajas del LED.
Las desventajas del diodo LED son que su potenciade iluminacin es tan baja, que su luz es
invisible bajo una fuente de luz brillante y que su ngulo de visibilidad est entre los 30 y 60. Este
ltimo problema se corrige con cubiertas difusores de luz.
conexin de los LED.
Para conectar LED de modo que iluminen de forma continua, deben estar polarizados
directamente, es decir, con el polo positivo de la fuente de alimentacin conectada al nodo y el
polo negativo conectado al ctodo. Adems, la fuente de alimentacin debe suministrarle una
tensin o diferencia de potencial superior a su tensin umbral. Por otro lado, se debe garantizar
que la corriente que circula por ellos no excede los lmites admisibles (Esto se puede hacer de
forma sencilla con una resistencia R en serie con los LED). Unos circuitos sencillos que muestran
cmo polarizar directamente LED son los siguientes:
PRUEBAS OPERTIVAS AL DIODO.

Para determinar el estado de un diodo semiconductor utilizando el multimetro, se siguen los
siguientes pasos:
El multimetro se coloca en el rango de semiconductores/beep.

Se pone la punta positiva (roja) del multimetro en una terminal del diodo y la negativa
(negra) en la otra.
Si el instrumento da una lectura, entonces la punta roja indica el nodo del diodo, y la
negativa el Ctodo. Esto es debido a que el instrumento polariza directamente al diodo y lo
pone a conducir.
Se intercambian las terminales del instrumento con las del diodo, y la lectura del multimetro
ser elevada o marcando infinito. Esto es dado que el multimetro est polarizando
inversamente al diodo y lo pone en bloqueo.

En caso de que el diodo nos de lectura de conduccin en ambas combinaciones, entonces
se encuentra cruzado, hay que reemplazarlo.

En caso de que el diodo no de lectura de ninguna forma, entonces el diodo est abierto y
es necesario cambiarlo.
Los valores de conduccin ledos con el multimetro van desde 0.400 hasta 0.800, en los diferentes
diodos.
Prctica H: Pruebas operativas del diodo.

Propsito de la prctica: El participante determina el estado de operacin de diferentes diodos.
Descripcin de la prctica: En equipos de 5 personas los participantes realizan pruebas de
operacin del diodo semiconductor y otros diodos.
Material utilizado:
1 protoboard.
4 LEDs de diferentes colores.
1 diodo Zener de 5.1V o cercano.
1 varicap
1 multimetro.
Procedimiento.
15. Usando el multimetro, aplique el mtodo de pruebas operativas del diodo con un diodo
16.
17.
18.
19.
20.
21.
1N4007.
Repetir la operacin para un diodo LED de color blanco.
Repetir la operacin para un diodo LED de color rojo.
Repetir la operacin para un diodo LED de color verde.
Repetir la operacin para un diodo Zener de 5.1V o de cualquier otro valor.
Repetir la operacin para un diodo varicap.
Anotar los valores de conduccin y bloqueo para los diodos probados
Diodo
Conduccin
Bloqueo
22. Comparar los valores encontrados tras la aplicacin del mtodo de prueba.
23. Redactar sus conclusiones de lo desarrollado en la prctica.
24. Discutir las conclusiones a nivel de equipo y grupal.
EL DIODO COMO RECTIFICADOR.

Los diodos se utilizan, principalmente, en circuitos detectores de audio (en sistemas receptores de
AM) y en circuitos rectificadores, en fuentes de alimentacin. Otras aplicaciones de los diodos es
en circuitos limitadores de voltaje, multiplicadores, mezcladores y en compuertas lgicas.
En el caso de los circuitos rectificadores encontramos que pueden ser:
Monofsicos.
Trifsicos.
En el caso de los rectificadores monofsicos encontramos:
Rectificador de media onda.

Rectificador de onda completa.
o Con dos diodos.
o Con cuatro diodos (puente rectificador).
En trminos generales, si rectificar significa convertir, transformar, corregir o cambiar,

entonces un circuito rectificador recibe en su entrada un voltaje de CA y lo convierte o transforma
en corriente continua pulsante.
Rectificador de media onda.
El circuito rectificador de media onda consta de un transformador reductor de voltaje, y diodo
rectificador y una carga que aproveche el voltaje rectificado.
Operacin:
El transformador se encarga de reducir el voltaje de lnea a un valor menor; 48, 24 o 12V.
El diodo recibe el voltaje de CA reducido y se polariza directamente con los semiciclos
positivos, dejndolos pasar.
Cuando aparece el semiciclo negativo, este polariza inversamente al diodo con lo que lo
pone en modo de bloqueo, por tanto, el diodo evita el paso del semiciclo negativo.
La carga, a la vez que sirve para dar el retorno de la corriente de los semiciclos de
regreso al secundario del transformador, tambin deriva la aprovecha el voltaje
rectificado.
Este rectificador slo aprovecha la mitad del voltaje de lnea, pero los semiciclos
rectificados quedan separados un especio igual a un semiciclo. La calidad de seal es
mala para la etapa de filtrado, por lo que se dice que este circuito tiene una eficiencia
menor al 25 %.
En la entrada del circuito se tiene CA, en la salida se obtiene una seal de corriente
continua pulsante de 60Hz, pero slo aparecen lo semiciclos positivos debido a que los
semiciclos negativos fueron eliminados. Este rectificador elimina la mitad de la CA, esto
es, una parte negativa.

A continuacin se presenta el diagrama del rectificador de media onda y la forma de onda de los
voltajes de entrada y salida del mismo.
Rectificador de onda completa con dos diodos.

Este circuito consta de un transformador rector, dos diodos rectificadores y un resistor para cerrar
el circuito.
El funcionamiento del circuito rectificador de onda completa con dos diodos es le siguiente:
El transformador reduce el voltaje de lnea y utiliza la terminal llamada derivacin central
del secundario para tener el efecto de dos formas de onda CA, slo que invertidas, ya que
la derivacin central sirve de reflejo y de regreso de corriente.
Cuando entra el semiciclo positivo al transformador, este pone polarizacin positiva para el
nodo de D1 y al mismo tiempo polarizacin inversa para el nodo de D2, por el efecto de
la derivacin central. En conclusin, en el semiciclo positivo de la CA, conduce D1 mientras
que D2 se pone en modo de bloqueo.
Cuando llega el semiciclo negativo de la CA, el secundario del transformador pone
polarizacin inversa al nodo de D1 por lo que se pone en modo de bloqueo. Al mismo
tiempo, se pone polarizacin directa al nodo de D2 por lo que este conduce.
En
conclusin, en el semiciclo negativo de la CA, D2 conduce y D1 se pone en modo de

bloqueo.
El uso de la derivacin central trae por consecuencia que tan slo se aproveche la mitad
del voltaje del secundario por cada diodo, por lo que este rectificador trabaja a menos del
50 % d eficiencia.
El resultado del trabajo del sistema de dos diodos asociados con la derivacin central del
transformador, da por resultado una seal de corriente continua pulsante de 120Hz, ya que
los semiciclos negativos son convertidos en positivos por efecto de la derivacin central y
la posicin de D2.
El circuito rectificador es el siguiente:
Rectificador de onda completa con cuatro diodios (puente rectificador).

el circuito puente rectificador consta de un transformador, cuatro diodos y una elemento de carga.
El funcionamiento del circuito rectificador de onda completa con dos diodos es el siguiente:
Recorrido del semiciclo positivo.
o Cuando entra el semiciclo positivo de la CA al puente rectificador, lo hace por arriba
encontrando a D1 y D2, tomando a D2 por el nodo y a D1 por el ctodo, con lo que
D2 se polariza directamente y D1 inversamente. De esta forma D2 conduce y D1 se
o
pone en bloqueo.
Luego el semiciclo positivo encuentra a D4 y la carga, polarizando inversamente a D4
y siguiendo por la carga hasta llegar al punto donde toma a D3 y D1 por el nodo, slo
que D1 ya se encuentra previamente puesto en bloqueo, por lo que la corriente toma
paso por D3 para regresar por la parte de abajo del circuito.

Recorrido del semiciclo negativo.
o Cuando entra el semiciclo negativo de la CA al puente rectificador, lo hace por abajo
encontrando a D3 y D4, tomando a D4 por el nodo y a D3 por el ctodo, con lo que
D4 se polariza directamente y D3 inversamente. De esta forma D4 conduce y D3 se
o
pone en bloqueo.
Luego el semiciclo negativo encuentra a D1 y la carga, polarizando inversamente a D1
y siguiendo por la carga hasta llegar al punto donde toma a D3 y D1 por el nodo, slo
que D3 ya se encuentra previamente puesto en bloqueo, por lo que la corriente toma
paso por D1 para regresar por la parte de arriba del circuito.

El circuito puede utilizar la derivacin central o no. El uso de la derivacin central trae por
consecuencia que se tengan voltajes simtricos (voltajes positivos y negativos iguales en
magnitud). Si no se utiliza la derivacin central se aprovecha el total del voltaje del
secundario por lo que este rectificador tiene una eficiencia cercana al 100 %.
El resultado del trabajo del circuito con cuatro diodos da por resultado una seal de
corriente continua pulsante de 120Hz, ya que los semiciclos negativos son convertidos en
positivos por efecto del recorrido de la corriente por la carga, ya que en los dos recorridos
lo hace de arriba hacia abajo. Este rectificador transforma los semiciclos negativos en
positivos.
Prctica I: Prueba de circuitos rectificadores.

Propsito de la prctica: El participante determina el estado de operacin de diferentes diodos.
Descripcin de la prctica: En equipos de 5 personas los participantes realizan pruebas de
operacin del diodo semiconductor y otros diodos.
Material utilizado:
1 protoboard.
1 resistor de 1K a 1W.
1 Capacitor de 2200uF a 35V.
1 multimetro.
1 osciloscopio.
2 sondas de prueba.
2 conectores caimn-caimn.
Procedimiento.
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Armar el rectificador de media onda, en el protoboard.

Medir el voltaje de entrada y de salida del circuito, con el multmetro.
Medir el voltaje de entrada y de salida del circuito, con el osciloscopio.
Aorar lo resultados en una tabla.
Dibujar las formas de onda desplegadas en el osciloscopio.
Comparar los resultados obtenidos.

Rectificador
7.
8.
9.
10.
Entrada
Salida
Entrada
Salida
multimetro
multimetro
osciloscopio
osciloscopio
Repetir los pasos para el rectificador de onda completa con dos diodos.
Repetir los pasos para el rectificador de onda completa con cuatro diodos.
Redactar sus conclusiones de lo desarrollado en la prctica.
Discutir las conclusiones a nivel de equipo y grupal.

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