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Medicin y Anlisis
de circuitos
Electrnicos
DIODO SEMICONDUCTOR
Est compuesto por una unin semiconductora tipo PN, y posee dos terminales:
-
Smbolo esquemtico:
Es posible demostrar mediante el empleo de la fsica del estado slido que las
caractersticas generales de conduccin para un diodo semiconductor se pueden definir
con la siguiente ecuacin, tanto para la condiciones de polarizacin directa como para la
de tipo inversa:
1.ID =
n VVT
IS e
1 (A)
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IS = ISO = IA = Corriente Inversa de saturacin (A).
e = Nmero Euler.
n = Constante emprica o factor exponencial de idealidad (n para Si = 1; n para Ge =2)
V = Voltaje los extremos del diodo.
Vt =Tensin equivalente de T.
T
Vt=
; Si T =300K VT 26 (mV).
11600
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RESISTENCIA ESTTICA DEL DIODO:
La aplicacin de un voltaje continuo a un circuito que contiene un diodo
semiconductor tendr por resultado un punto de operacin sobre la curva caracterstica
que no vara con el tiempo. La resistencia del diodo en el punto de operacin puede
encontrarse fcilmente localizando primero los valores correspondientes de VD y de ID ,
y aplicando posteriormente la siguiente ecuacin:
RD =
VD
ID
( )
Ejemplo:
RD =
VD
ID
0,7 (V )
= 23.3( )
30(mA)
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Para un caso de polarizacin inversa, se tiene:
RD =
VD
ID
10(V )
= 1(M )
10(A)
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Si se dibuja una lnea recta tangente a la curva sobre el punto Q como se muestra
en la siguiente figura, se definir un cambio particular en el voltaje y en la corriente que
se puede utilizar para determinar la resistencia dinmica para esta regin de las
caractersticas del diodo:
rd =
V
()
I
Mientras mayor sea la pendiente, menor ser el valor de V para el mismo cambio
en I y menor ser la resistencia. La resistencia dinmica para la regin de crecimiento
vertical de la caracterstica es por lo tanto muy pequea, mientras que es mucho mayor
para niveles bajos de corriente. Por lo tanto, y en general, mientras menor sea el punto
de operacin Q (corriente ms pequea o voltaje ms pequeo) mayor ser la resistencia
dinmica.
A partir de la ecuacin de corriente para un diodo, y aplicando reglas de clculo
superior, se obtiene que la resistencia dinmica se puede determinar directamente con
la siguiente expresin, sin disponer de los datos de la curva caracterstica:
rd =
26(mV )
( )
ID
10
Circuito equivalente:
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VT = VR + VD
VT = (IT R) + VD
VT VD = IT R
IT =
(VT VD )
(A)
R
Para el caso del diodo con diodo con resistencia esttica o interna 0, el anlisis es el
siguiente:
Circuito equivalente:
VT = VR + VD
VT = (I R) + I + RINT
VT = I(R + RINT )
IT =
VT VD
(A)
(R + RINT )
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Ejemplo:
Para un circuito a T ambiente, con un diodo de Si, una resistencia de 2,2 (K), y
un valor de fuente de alimentacin de 10 (V), determine el valor de IT. Considere la
resistencia interna RD = 0.
Solucin:
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POLARIZACIN INVERSA:
Circuito equivalente: