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FUNDAMENTO TEORICO
Polarizacin del transistor
1. Polarizacin fija
Recta de carga
Del circuito de arriba es fcil obtener la relacin entre la corriente de colector IC y la
tensin colector-emisor VCE del transistor, aplicando la ley de Kirchhoff resulta:
Esta expresin se conoce como ecuacin de la recta de carga. En ella VCC y RC son
constantes, y VCE e IC son variables. La interseccin entre esta recta de carga con la
curva caracterstica de salida del transistor determina el punto de reposo Q. Para
atrasar la recta en el plano
ICC =f (VCE) es suficiente con establecer los puntos de corte con los ejes de
coordenadas.
Cuando la corriente de colector es cero IC = 0, la tensin colector-emisor es igual al
potencial del generador VCE = VCC.
Por otro lado, cuando la tensin colector-emisor es igual a cero VCE = 0, la corriente de
colector vale el potencial del generador entre la resistencia de colector ICC = VCC/RC.
Sabemos que el transistor entre base-emisor se comporta como un diodo, as que la tensin
base-emisor para el silicio suele ser de 0.7 V, es decir:
VBE = 0.7
Entonces para un dado valor constante de la fuente de alimentacin VCC tenemos que la
corriente de base solo depende de RB y vale:
Sabemos tambin que existe una relacin entre las corrientes del transistor:
La ganancia de corriente del transistor para continua se conoce como o hFE, y no tiene
unidades ya que relaciona IC/IB.
RTH: la fuente de voltaje de reemplaza por un corto circuito equivalente como se indica
en la figura.
Sustituyendo IE = ( + 1)IB
Una vez que IB se conoce, las cantidades restantes de la red pueden establecerse de la
misma manera como fueron desarrolladas antes:
EXPERIMENTO
1. Circuito 1 : polarizacin fija
Materiales
-
Transistor 2N2222
R1
270K
370K
470K
500K
IC
8.818mA
6.599mA
5.27mA
4.95mA
VCE
3.183V
5.4V
6.73V
7.05V
IB
42uA
31uA
24uA
23uA
209.95
212.87
219.58
215.22
Transistor 2N2222
VCC
12V
R1
6.7K
8.2K
10K
12K
IB
9.33uA
7.55uA
5.9uA
4.88uA
IC
2.09mA
1.7mA
1.35mA
1.07mA
VCE
7.81V
8.6V
9.29V
9.84V
IE
224
225.17
228.8
219.26
Datasheet