LABORATORIO N2: EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA BJT POLARIZACION

Y COMO AMPLIFICADOR DE SEAL ALTERNA

2.-Cuestionario Previo:
2.1 Dibuje el esquema del transistor. En configuracin emisor comn.

V1
12 V
XMM2

R2
12k

R1
5.6k

XMM1

Q1
XMM3
2SC945
R3
2.2k

R4
1k

2.2 Defina a que se llama el B.

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones
capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y
el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean
inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La
ganancia de corriente emisor comn est representada por
o por hfe. Esto es
aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la
base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100.

2.3 Defina el concepto de Punto de Operacin.

El punto de corte de la recta de carga con la exponencial es la solucin, el punto Q,

tambin llamado "punto de trabajo" o "punto de funcionamiento". Este punto Q se controla
variando VS y RS.
Al punto de corte con el eje X se le llama "Corte" y al punto de corte con el eje Y se le
llama "Saturacin".
2.4 Defina el concepto de Recta de Carga.
La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la corriente y
la tensin del diodo. Las rectas de carga son especialmente tiles para los transistores,
por lo que ms adelante se dar una explicacin ms detallada acerca de ellas.
Hasta ahora hemos visto las 2 primeras, la tercera forma de analizarlos es de forma
grfica, esto es calculando su recta de carga.

Si de la ecuacin de la malla, despejamos la intensidad tenemos la ecuacin de una recta,

que en forma de grfica sera:

A esa recta se le llama "recta de carga" y tiene una pendiente negativa.

El punto de corte de la recta de carga con la exponencial es la solucin, el punto Q,
tambin llamado "punto de trabajo" o "punto de funcionamiento". Este punto Q se controla
variando VS y RS.
Al punto de corte con el eje X se le llama "Corte" y al punto de corte con el eje Y se le
llama "Saturacin".
2.5 Por qu polarizamos el transistor?
Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario polarizarlo correctamente.
Para ellos se debe cumplir que:
- La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y
- La juntura COLECTOR BASE este polarizado inversamente.

2.6 En qu condiciones se puede usar un transistor como amplificador?

Cuando el transistor esta polarizado en su emisor comn y trabaja en zona activa.
2.7 Que es el valor 0.7V?
El 0.7V es la cada de tensin del diodo del emisor.
2.8 Investigue cuales son las especificaciones tcnicas de los transistores,
indicando las ms importantes.
Nmero de Parte: 2SC945
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MXIMAS
Disipacin total del dispositivo (Pc): 0.25
Tensin colector-base (Ucb): 50
Tensin colector-emisor (Uce): 40
Tensin emisor-base (Ueb): 5
Corriente del colector DC mxima (Ic): 0.1
Temperatura operativa mxima (Tj), C: 125
CARACTERSTICAS ELCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia ancho de banda (ft): 125
Capacitancia de salida (Cc), pF:
Ganancia de corriente continua (hfe): 75
Empaquetado / Estuche: TO92
2.9 Indicar las conclusiones de la polarizacin del transistor
La corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente del emisor. La corriente
de base es mucho ms pequea, generalmente menor que el 5% de la corriente de
emisor.
La razn de la corriente de colector a la corriente de base se llama ganancia de corriente,
y se le denota por CD o bien por hFE.
Cuando el transistor se usa como amplificador, el transistor opera en la regin activa.
Cuando se usa en circuitos digitales, el transistor usualmente opera en las regiones de
saturacin y/o corte.

3.- Laboratorio de Polarizacin del Transistor:

3.1Arme el circuito y determine los valores del cuadro:
V1
12 V
XMM2

R2
12k

R1
5.6k

XMM1

Q1
XMM3
2SC945
R3
2.2k

VCG
VBG
VEG
VCE
IC
IE
IB
B

R4
1k

Prctico
5.137 V
1.848 V
1.232 V
3.905 V
1.227 mA
1.232 mA
6.217 uA
197.36

Terico
5.122 V
1.932 V
1.232 V
3.89 V
1.21 mA
1.231 mA
6.18 uA
197

Hallando tensiones en el circuito:

Hallando corrientes en el circuito:

Hallamos tericamente los datos:

Si consideramos B=197
Tenemos en la malla de base:
Ib(Rbb) + 0.7V + Ie.Re=Vbb
Ib(1.8k)+0.7V+Ie(1000)=1.848V
Ib=(1.848V 0.7V)/(1.85k+1000(197+1))
Ib=6.18 uA
Ic=Ib(197)
Ic=1.21 mA
En la malla de colector:
Rc.Ic + Vce + Re.Ie=12 V
Vce=12-(5.6k)(1.287mA)-(1000)(1.232mA)
Vce=3.89 V
Ve=1000(1.232)
Ve=1.232 V
Luego:
Vc=3.89+1.232
Vc=5.122 V
Ahora:
Vb=0.7 V + 1.232 V
Vb=1.932 V

4. El transistor como amplificador de seales:

4.1 Arme el circuito, calibre el generador de seales sinusoidales con una Frecuencia de
1KH y una tensin pico a pico de 0.1 V
XSC1
V1
12 V

Ext T rig
+
_
B

A
+

R2
12k

R1
5.6k
C2
Q1

C1
XFG1

1F

1F

2SC945
R3
2.2k

4.2 Con el osciloscopio medir los valores de:

- Vo de salida del amplificador
-El desfase de Vo versus V1
-Determinar la ganancia Vo/V1

R4
1k

4.3 Instalar un condensador en desacoplo en paralelo con el resistor de emisor de 1

uF , luego determinar la Ganancia Vo/V1

XSC1
V1
12 V

Ext Trig
+
_
B

A
+

R2
12k

R1
5.6k
C2
Q1

C1
XFG1

1F

1F

2SC945
R3
2.2k

R4
1k

C3
1F