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UNIVERSIDAD NACIONAL DEL ALTIPLANO

FACULTAD DE INGENIERIA MECANICA ELECTRICA, ELECTRONICA Y SISTEMAS
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

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INFORME FINAL DE EXPERIENCIA 02

MODULADOR AM

I.

INTRODUCCIN:

Se requiere menos potencia de la seal moduladora para lograr modulacin de alto

porcentaje. En las aplicaciones de gran potencia todos los amplificadores que siguen a la
etapa moduladora deben ser amplificadores lineales lo cuales extremadamente
ineficiente

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

0 GENERADOR DE FUNCIONES.
01 OSCILOSCOPIO.
01 MULTMETRO.
01 FUENTE DE ALIMENTACIN.
07 RESISTENCIAS: 100K (1u), 1K (1u), 4.7K (2u) ,150 ohm (1u) ,10K (1 u.),
6.8k (1u).
05 CAPACITOR. 4.7uF(1u), 10uF(1u),0.001uF(1u),22uF(1u),1uF(1u).
01 POTENCIOMETRO: 10K(2u),100K(1u).
III.RESULTADOS OBTENIDOS EN LA PRCTICA REALIZADA.
Se implement el siguiente circuito, un modulador balanceado con el circuito XR 2206
til para lograr una seal con mxima supresin de la portadora y doble banda lateral.

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En este circuito xr 2206 solo trabajamos con una seal modulada ya que el
circuito tiene un oscilador interno como portadora.
a) Modulacin al 100%.
La modulacin llega al 100% cuando el cambio mximo de amplitud de la forma de
voltaje de salida(v) es igual a la amplitud mxima del voltaje de la portadora no
modulada (v).
Em = Ec
Vmx.=4.40mV
Vmin. =0V
Potencimetro=66Khom.

Fig. n 1: modulacion am com xr 2206

b) Modulacin al 50%.
El cambio mximo de amplitud de la envolvente es igual a la mitad de la amplitud de la
onda modulada.

Em=Ec/2
Vmx.=4.40mV.
Vmin.=2.15mV.

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c) Modulacin al 0%
Em = m * Ec
Em = 0 * Ec
Em = 0
Ec = 0.5v
m=0

d) Sobre modulacin.
Es cuando excede del 100% causando recorte, perdida de informacin.
Seal tomada en paralelo a 3.9Khom.
Se tom en +0 y +12v. Con paralelo a 3.9Khom.

IV.

EXPLIQUE LO SIGUIENTE.

1. La seal modulada AM obtenida con este circuito integrado es ptima?

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En este circuito integrado tenemos la facilidad de trabajar con varias frecuencia ya que
nos facilita trabajar en cualquier frecuencia de nuestro demodulador escogido.

2. Cmo se calcula la potencia de las bandas laterales, superior e inferior?

En todo circuito elctrico, la potencia disipada es igual al cuadrado del voltaje dividido
entre la resistencia. As. El promedio de la potencia disipada en una carga, por una
portadora no modulada, es igual al cuadrado del voltaje rms de la portadora , dividido
entre la resistencia de carga. Esto se expresa con la siguiente ecuacin:
Pc

Ec 2
2R

Pc: Potencia de la portadora (watt).

Ec: Voltaje mximo de la portadora (v).
R: Resistencia de carga (ohm).
Las potencias d bandas laterales suoerior e inferior se determina con la siguiente
ecuacin.
Pbls Pbli

m 2 Ec 2
8R

Reemplazando con la primera formula se tiene:

Pbls Pbli

m 2 Pc
4

Pbls: Potencia de banda lateral superior.

Plsi: Potencia de banda lateral inferior.
a) La potencia de la portadora es afectada por la modulacin? Por qu?
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No, de acuerdo con el anlisis anterior, se puede ver que la potencia de la

portadora en la onda modulada es igual que en la onda no modulada. Por tanto,
es evidente que la potencia de la portadora no se afecte en el proceso de a
modulacin.

b) En el circuito integrado XR-2206, puede usarse como modulador AM?

El circuito integrado lineal Xr-2206 de modulador DSBFC de AM
tambin se puede usar para producir una onda de doble banda lateral con
portadora suprimida, tan slo ajustar la polarizacin de cd a +V/2 y limitar la
amplitud de a seal moduladora a +4Vp y 4Vp. Al pasar la seal moduladora
por sus ceros, la fase de la portadora sufre una variacin de fase d 180. Esta
propiedad tambin hace que el XR-2206 sea ideal como modulador por
desplazamiento de fase.
V. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES.
Un ejemplo de un modulador de AM de potencia intermedia es el modulador
AM de DSBFC simplificado que funciona de la siguiente manera:
Cuando la amplitud de la portadora es mayor que la barrera de potencial de la
unin base-emisor, Q1 se activa y pasa la corriente del colector. Cuando la
amplitud de la portadora baja de 0.7 V, Q1 se apaga y cesa la corriente del
colector. En consecuencia, Q1 cambia entre saturacin y corte controlado por la
seal portadora, la corriente del colector pasa durante menos de 180 o de cada
ciclo de portadora y se alcanza la operacin de clase C. Cada ciclo sucesivo de la
portadora enciende a Q1 durante un instante y deja pasar la corriente un tiempo
corto, produciendo una forma de onda que pasa a negativa en el colector. La
forma de onda de voltaje del colector se asemeja a una seal rectificada de
media onda.
Como Q1 trabaja en forma no lineal, la forma de onda del colector contiene las
dos frecuencias originales de entrada y sus frecuencias de suma y diferencia. Ya
que la forma de onda de salida tambin contiene las armnicas de orden superior
y los componentes de intermodulacin, antes de transmitirla se debe limitar se
ancho de banda.
VI. BIBLIOGRAFIA
Internet:
http://www.gte.us.es/~fbarrero/LIE/pra cticas/practica11.html
http://www.monografias.com/trabajos14/modulac-frecuencia/modulacfrecuencia.
shtml#FSK

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http://proton.ucting.udg.mx/expodec/a br99/e17/e_17.html
http://alek.pucp.edu.pe/Acom/labcom/guias/electronica/lab5.pdf

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