Electronica de Potencia PDF

DISEO DE UN SISTEMA DE ALMACENAMIENTO DE ENERGA HBRIDO
BASADO EN BATERAS Y SUPERCONDENSADORES PARA SU

INTEGRACIN EN MICROREDES ELCTRICAS
AUTOR: Isaac Gil Mera
TUTOR: Sergio Vzquez Prez
CAPTULO 5. ELECTRNICA DE POTENCIA
Escuela Tcnica Superior de Ingenieros
70

1. INTRODUCCIN
En este captulo se documentar el diseo y dimensionamiento de los convertidores

DC/DC indicados con trazo discontinuo en la Figura 5.1, asociados al sistema de
almacenamiento hbrido estudiado. El cometido de estos equipos es permitir la integracin,
conexin y gestin de potencia entre la planta de aprovechamiento de energas renovables
con los almacenadores de energa estudiados.
Figura 5.1. Convertidores de potencia del sistema de almacenamiento
La potencia nominal del conjunto hbrido de almacenamiento es de 35kW. Por ello, segn la
topologa elegida para el sistema, cada convertidor debe dimensionarse en base a dicha
potencia nominal. Estos equipos deben permitir la consiguiente adaptacin de tensin entre
71

el bus de tensin dc al cual van conectados, y la tensin de almacenamiento, dada por las
especificaciones de diseo de los almacenadores de energa utilizados.
La electrnica de potencia del convertidor es la encargada de permitir el flujo bidireccional
de potencia desde la generacin y/o la demanda hasta los dispositivos de almacenamiento
de energa, gobernado por el conjunto hardware/software de control, estudiado en el
siguiente captulo.
Figura 5.2. Convertidor dc/dc elevador/reductor bidireccional
Como principio de un sistema de almacenamiento de energa, se pretende alcanzar un alto

rendimiento y eficiencia en la gestin de la energa. Por ello, se plantea la opcin de
implementacin de la tecnologa interleaving para convertidores dc/dc, con notables
mejoras en las prestaciones elctricas del convertidor de potencia, entre ellas, el
rendimiento elctrico. Esta tcnica consiste en el funcionamiento de N convertidores dc/dc
idnticos en paralelo, lo que supone un aumento de N veces el nmero de dispositivos
empleados en el equipo (semiconductores, bobinas, conductores) aunque una
disminucin en el tamao y precio de cada uno de ellos.
La justificacin del uso o no de dicha topologa, y en su caso, del nmero de ramas
incluidas, incluye la realizacin de un estudio econmico del equipo y el anlisis de las
mejoras de prestaciones del mismo. Ello supone tanto el clculo de la inversin inicial como
del ahorro energtico a largo plazo, dado el mejor rendimiento del convertidor. Otros
aspectos a analizar son el volumen, la robustez y la fiabilidad del sistema.
72

2. TECNOLOGA INTERLEAVING
La tecnologa interleaving o entrelazado consiste en la inclusin de N ramas en paralelo

que definen convertidores idnticos con seales de control sincronizadas a la misma
frecuencia pero desfasadas uniformemente a lo largo del perodo de conmutacin. El
desplazamiento de las fases de las corrientes de cada rama ocasiona que en las corrientes
de entrada y salida del circuito global se produzca una importante cancelacin de armnicos
a la frecuencia de conmutacin, con la consiguiente reduccin de las amplitudes de rizado
de estas corrientes y en la tensin de salida. [1]
Figura 5.3. Tecnologa Interleaving en convertidores dc/dc
La frecuencia de estos rizados de entrada y salida se ve multiplicada por N, por lo que, el

efecto interleaving permite cumplir las especificaciones de rizados con menores
capacidades de salida y menores valores de inductancia, para una frecuencia de
conmutacin dada. O, de otra manera, se podran cumplir especificaciones con mismos
valores de capacidad e inductancia para frecuencias de conmutacin menores, con las
ventajas que ello conlleva.
Aplicando esta estrategia, la conexin en paralelo de N convertidores construidos lo ms
idnticos posible permite distribuir la potencia nominal entre ellos distribuyndose tambin
las prdidas. La disminucin de los niveles de corriente en cada convertidor permite
seleccionar dispositivos semiconductores de menor potencia. Por la misma razn, el diseo
de los inductores tambin es ms favorable.
73

Siendo N el nmero de ramas o convertidores idnticos conectados en paralelo y f, la

frecuencia de conmutacin de los mismos, entre las ventajas de este tipo de tecnologa, se
encuentran:
o
Realizando interleaving con desfase de 2/N, la frecuencia del rizado de la

corriente de salida del sistema es fN, lo que permite disminuir el tamao de
los componentes del filtro de salida.
Para una frecuencia f del rizado de salida, la frecuencia de conmutacin de

cada mdulo individual puede ser reducida a f/N con la consiguiente
reduccin de las prdidas de conmutacin.
La amplitud del rizado de la corriente de salida se reduce en un factor de 1/N.
Las corrientes circulantes por cada rama se reduce en 1/N, por lo que los
dispositivos de conmutacin son menores y se reducen las prdidas por
conduccin.
74

3. TOPOLOGA Y ESPECIFICACIONES DE DISEO
La topologa utilizada para los dos equipos de potencia es la misma. Se ha optado por el
diseo de un convertidor dc/dc bidireccional compuesto por tres ramas de interleaving,
cada una con su propia inductancia de lnea, como se observa en la Figura 5.4.
El condensador conectado a la bornera de entrada corresponde al dc-link, que supone el
lado de alta tensin; y el condensador conectado a la salida, emulando al acumulador de
energa, el de baja tensin.
Figura 5.4. Convertidor de potencia dc/dc Interleaving
Las especificaciones de los convertidores vienen determinadas por la potencia de los

mismos, las tensiones de entrada y salida, las corrientes RMS y pico de entrada y salida, los
rizados de tensin y corriente admisibles, y la frecuencia de conmutacin de los
interruptores de potencia. Estas caractersticas provienen del sistema primario al cual se
conectan y a los elementos de almacenamiento seleccionados.
Aunque son similares, cada equipo posee distintas caractersticas tcnicas. En los
Apartados 3.1 y 3.2 se detallan las especificaciones de cada uno de los convertidores.
75

3.1. Sistema de Supercondensadores

En la Tabla 5.1, se muestran las especificaciones tcnicas del convertidor electrnico de
potencia asociado a la bancada de supercondensadores.
Parmetro
Valor
Potencia nominal en carga [PNOM]
35 kW
Potencia en sobrecarga de 10 segundos [PSOB]
120% PNOM
N de ramas de interleaving [N]
Tensin nominal de entrada [VI,NOM]
700 V
Rango de funcionamiento de tensin de entrada [VI]
650 - 750 V
Rango de funcionamiento de corriente de entrada [II]
50 A
Rango de funcionamiento de tensin de entrada [VO]
250 - 350 V
Rango de funcionamiento de corriente de salida [II]
140 A
Rizado mximo de corriente de salida [IO]
10% IO,NOM
Frecuencia de conmutacin de interruptores de potencia [fC]
10 kHz
Tabla 5.1. Especificaciones tcnicas del convertidor de potencia para Supercondensadores
Segn especificaciones, en la Figura 5.5 se observa el esquema elctrico simplificado del

equipo.
Figura 5.5. Esquema elctrico simplificado del convertidor de Supercondensadores
76

3.2. Sistema de Bateras

En la Tabla 5.2 se detallan las especificaciones tcnicas del equipo de potencia
correspondiente al sistema de bateras.
Parmetro
Valor
Potencia nominal en carga [PNOM]
35 kW
Potencia en sobrecarga de 10 segundos [PSOB]
120% PNOM
N de ramas de interleaving [N]
Tensin nominal de entrada [VI,NOM]
700 V
Rango de funcionamiento de tensin de entrada [VI]
650 - 750 V
Rango de funcionamiento de corriente de entrada [II]
50 A
Rango de funcionamiento de tensin de entrada [VO]
250 - 300 V
Rango de funcionamiento de corriente de salida [II]
140 A
Rizado mximo de corriente de salida [IO]
5% IO,NOM
Frecuencia de conmutacin de interruptores de potencia [fC]
10 kHz
Tabla 5.2. Especificaciones tcnicas del convertidor de potencia para Bateras
Segn especificaciones, en la Figura 5.6 se observa el esquema elctrico simplificado del

convertidor en cuestin.
Figura 5.6. Esquema elctrico simplificado del convertidor de Bateras
77

4. DISEO DEL CONVERTIDOR DE POTENCIA PARA SUPERCONDENSADORES
En este apartado se pretende realizar el diseo y dimensionamiento del convertidor de

potencia asociado al sistema de supercondensadores. En la Figura 5.7, se muestra el
esquema elctrico del equipo objeto de implementacin.
Figura 5.7. Esquema elctrico del convertidor de potencia para Supercondensadores
La funcin principal del equipo consiste en la transferencia bidireccional de potencia y

energa entre la entrada, conexin con el dc-link del sistema, y la salida, correspondiente al
lado de los acumuladores de energa.
En base a la Figura 5.7, las distintas partes que componen el equipo son:
o
Semiconductores de potencia: Consisten en seis transistores IGBTs con sus

respectivos diodos en antiparalelo. Se encuentran formando tres ramas, por
parejas, M1-M2, M3-M4, M5-M6. Son los dispositivos interruptores que
permiten la conmutacin de potencia.
Inductancias de rama: Marcadas como L1, L2 y L3, suponen las inductancias

de salida de cada una de las ramas. Forman parte del filtro de salida cuando el
convertidor funciona en modo reductor; o elemento de almacenamiento de
energa transitoria en el modo elevador de tensin. Son bobinas de ncleo de
aire, especficas para corriente continua y para usos en topologas con
corrientes conmutadas.
78

Condensadores snubber: Son dispositivos condensadores de respuesta en alta

frecuencia. Se encuentran en paralelo con los transistores de potencia, y son
los encargados del filtrado de las sobretensiones en bornes de estos
interruptores consecuencia de las conmutaciones.
Banco de condensadores: Consiste en una asociacin de condensadores

situada a la entrada del convertidor. Se muestra como C1 y su cometido es la
estabilizacin de la tensin continua de entrada, como imagen de la tensin
del dc-link al cual tiene conexin el equipo.
Resistencias de precarga: Son dispositivos resistivos de potencia que permiten

la precarga no controlada del banco de condensadores. sta es posible bien,
desde el lado del dc-link por medio de R1, o desde el lado del almacenamiento
de energa, a travs de R2.
Resistencias de descarga: Consisten en resistencias de potencia colocadas en

paralelo con los acumuladores de energa y su cometido es la descarga no
controlada de stos por motivos de inters. Se han indicado como R3, R4 y R5.
Aparamenta
de
maniobra:
Permiten
la
conexin
elctrica,
mediante
contactores, de las distintas partes del equipo bajo maniobra del sistema de
control, en funcin de las necesidades y/o protocolo de funcionamiento. Se
marcan como K1, K2, K3, K4 y K5.
o
Aparamenta de proteccin: Es la encargada de la proteccin del equipo frente a

sobrecorrientes y cortocircuitos. La componen los fusibles F1 y F2.
Sensores transductores: Permiten el conocimiento de medidas de parmetros

elctricos de distintas partes del convertidor. Indicados como LV1, LV2 y LV3
se observan los sensores de tensin; y como LA1, LA2, LA3 y LA4, los de
corriente.
79

A continuacin se realizar la seleccin y adecuacin de los distintos dispositivos y

componentes del modelo a implementar, los cuales son presentados:
o
Transistores de potencia
Controladores de disparo
Disipacin trmica y refrigeracin
Banco de condensadores de entrada
Filtro snubber
Resistencias de precarga
Resistencias de descarga
Aparamenta elctrica de proteccin
Aparamenta elctrica de maniobra
Sistema de cableado
80

4.1. Transistores de potencia

Los componentes del convertidor que permiten la conmutacin son los semiconductores de
potencia, sealados como M1, M2, M3, M4, M5 y M6 en el esquema de la Figura 5.8.
Existen varias familias o tecnologas de semiconductores utilizados para conmutaciones en
electrnica de potencia que permiten la apertura y cierre de forma controlada. Entre los ms
importantes se encuentran los transistores mosfets, bipolares, IGBTs y GTOs. Los criterios
de seleccin de los mismos se muestran en la Tabla 5.3.
Figura 5.8. Transistores de potencia
Parmetro
Valor
Tensin mxima de funcionamiento [VCE]
750 V
Corriente mxima de colector [IC]
50 A
Frecuencia de conmutacin [fC]
10 kHz
Tabla 5.3. Especificaciones de los semiconductores de potencia
Segn las especificaciones de diseo se ha elegido la tecnologa de IGBTs para los

semiconductores de potencia. Concretamente se ha seleccionado la familia SEMITRANS
de SEMIKRON [1]. Se han elegido IGBTs que soportan 1200V de tensin colector-emisor,
corrientes de colector mximas admisibles de 150-200A y 10kHz de frecuencia de
conmutacin. Comentar tambin que en un mismo encapsulado se encuentra la rama
completa formada por dos IGBTs. Dentro de la familia SEMITRANSTM existen subfamilias de
semiconductores, entre ellas, Fast IGBT 4, IGBT4, Trench y Ultrafast. Para cada una de
ellas se ha realizado un estudio trmico y el clculo de las prdidas totales en estos
dispositivos mediante la herramienta SEMISELTM [3] que proporciona el mismo fabricante.
81

En condiciones potencia nominal, tensin de entrada nominal y tensin de almacenamiento

mnima, los resultados obtenidos se muestran en la Tabla 5.4.
Prdidas totales
en Carga
Dispositivo
Prdidas totales
en Descarga
Corriente nominal
del dispositivo
Fast IGBT 4
SKM150GB12T4
653 W
655 W
150 A
SKM200GB12T4
552 W
548 W
200 A
SKM200GB12E4
604 W
602 W
200 A
SKM200GB126D
884 W
908 W
150 A
SKM300GB126D
780 W
801 W
200 A
IGBT 4
Trench
UltraFast
SKM200GB125D
538 W
596 W
150 A
SKM300GB125D
525 W
568 W
200 A
Tabla 5.4. Prdidas totales en los distintos dispositivos
Dado los resultados, con objeto de obtener un sistema lo ms robusto y eficiente posible, se
ha escogido el semiconductor SKM300GB125D [4]. Con ello se obtiene una gran holgura en
cuanto a corriente nominal de funcionamiento; y una mejora considerable en el rendimiento
del convertidor, dado que se ha elegido el que menores prdidas produce.
Figura 5.9. Transistor de potencia IGBT SKM300GB125D
82

4.2. Controladores de disparo

La conmutacin de los semiconductores es gobernada mediante un sistema de control. La
salida de un hardware de control convencional no es capaz de cumplir los requisitos de
niveles de corriente ni de inyeccin de carga suficientes para que conmuten correctamente
los IGBTs. Para este fin se usa el dispositivo denominado driver, el cual permite accionar
los interruptores. Adems ofrece otras ventajas como un aislamiento entre la parte de
control y la parte de potencia, y aviso y actuacin ante errores en el funcionamiento.
Para la seleccin del driver se ha usado una herramienta que facilita el fabricante
SEMIKRON [1] denominada DRIVERSELTM [5]. El acceso a la herramienta se realiza a
travs de la pgina web de SEMIKRON. Los parmetros que necesita la aplicacin para la
seleccin del driver se muestran en la Tabla 5.5, dados por las caractersticas del
semiconductor seleccionado.
Parmetro
Tensin mxima de funcionamiento
Familia del dispositivo
Dispositivo
Nmero de mdulos en paralelo
Valor
1200 V
SEMITRANS
SKM300GB125D
1
Frecuencia de conmutacin
10 kHz
Resistencia aplicada a la puerta
3 ohm
Tabla 5.5. Parmetros de seleccin para controlador de disparo
En el diseo, cada dispositivo ser disparado por su driver asociado, por ello se indica como
nmero de mdulos en paralelo el valor de 1. El valor de la resistencia aplicada a la puerta
del transistor de potencia se ha seleccionado por recomendacin de las hojas de
caractersticas del mismo, suministradas por el fabricante [4]. La frecuencia de conmutacin
viene establecida por especificaciones, en 10 kHz.
Los resultados arrojados por la aplicacin se adjuntan en el Anexo 1.
83

De entre los controladores recomendados por la herramienta, se ha seleccionado el driver

SKYPERTM 32 PROR [6], en conjunto con Evaluation Board 1 [7] de SEMIKRON para este
tipo de driver, mostrados en la Figura 5.10 y la Figura 5.11, respectivamente.
Figura 5.10. Driver SEMIKRON SKYPER
TM
32 PRO
Figura 5.11. Evaluation Board 1 SEMIKRON SKYPER
TM
32 PRO
84

4.3. Disipacin trmica y refrigeracin

En el mbito de la electrnica de potencia, los interruptores y los diodos toman cuatro
estados posibles dentro de un ciclo de trabajo: apertura, cierre, conmutacin durante la
apertura y conmutacin durante el cierre. En cualquiera de dichos estados se produce una
disipacin de calor que incrementa la temperatura de la unin entre el semiconductor y el
sustrato del mdulo. Debido a stas prdidas es necesaria la introduccin de un sistema de
refrigeracin.
Este sistema, junto con las condiciones de operacin de los semiconductores, debe
asegurar que la temperatura de la unin entre el semiconductor y el sustrato del mdulo no
supere el lmite de seguridad establecido por el fabricante, y as evitar la destruccin de los
dispositivos. La temperatura de funcionamiento mxima permitida de los semiconductores
seleccionados es, segn fabricante, de 150C.
Para justificar el diseo del sistema de disipacin de calor se ha realizado el clculo de las
prdidas en el convertidor. Este estudio se ha llevado a cabo mediante la herramienta de
simulacin SEMISELTM [3] proporcionada por el fabricante.
Se deben realizar dos estudios trmicos independientes. Por un lado, el correspondiente al
modo de funcionamiento del convertidor como reductor de tensin (Buck), y por otro, como
elevador (Boost).
Se ha especificado como tensin del convertidor del lado del dc-link, la tensin que genera
el peor caso, 750V, para la cual la corriente de entrada es mxima. La tensin del lado de
los almacenadores de energa puede encontrarse en el rango de 250 a 350V. Para el
estudio trmico se ha utilizado el valor de tensin que genera el peor caso. Las prdidas de
los semiconductores son mximas para la tensin de 250V. Se sabe que la potencia nominal
es de 35kW y que el convertidor posee tres ramas de interleaving. Por ltimo, comentar
que se ha supuesto una temperatura ambiente de 40C.
85

Los parmetros de entrada a la aplicacin se indican en la Tabla 5.6 para cada uno de los
casos. Los estudios contemplarn dos escenarios de funcionamiento, uno a potencia
nominal y otro ante una sobrecarga del 20%.
Valor
Parmetro
Buck
Boost
Tensin de entrada [VIN]
750 V
250 V
Corriente de entrada [IIN]
46.67 A
140 A
Tensin de salida [VOUT]
250 V
750 V
Corriente de salida [IOUT]
140 A
46.67 A
Corriente por rama [IRAMA]
46.67 A
15.56 A
40 C
40 C
Temperatura ambiente
Nmero de interruptores por disipador
Nmero de interruptores en paralelo
Tabla 5.6. Parmetros para el estudio trmico
A partir del estudio trmico se obtienen los valores de las prdidas del sistema. Ello se
muestra en la Tabla 5.7.
Parmetro
Prdidas por conduccin en transistores
Valor nominal
Valor sobrecarga
Buck
Boost
Buck
Boost
30 W
62 W
38 W
78 W
Prdidas por conmutacin en transistores
72 W
75 W
88 W
92 W
Prdidas totales en transistores
103 W
137 W
126 W
170 W
Prdidas por conduccin en diodos
38 W
19 W
46 W
24 W
Prdidas por conmutacin en diodos
43 W
43 W
51 W
51 W
Prdidas totales en diodos
81 W
63 W
97 W
74 W
Prdidas totales
551 W
601 W
669 W
733 W
Tabla 5.7. Resultados del estudio de prdidas
De acuerdo al sistema se ha elegido el siguiente disipador trmico en conjunto con el

ventilador que se indica, ambos del mismo fabricante que los semiconductores.
o
Disipador trmico de aluminio: SEMIKRON P16/300
Ventilador radial: SEMIKRON SKF16B-230-01
86

Elegido el sistema de disipacin de calor, las temperaturas de funcionamiento calculadas se

presentan en la Tabla 5.8.
Parmetro
Valor nominal
Valor sobrecarga
Buck
Boost
Buck
Boost
Temperatura del disipador trmico
57 C
59 C
58 C
60 C
Temperatura de la cpsula
64 C
66 C
66 C
69 C
Temperatura Transistores
72 C
77 C
76 C
82 C
Temperatura Diodos
79 C
78 C
84 C
82 C
Tabla 5.8. Resultados del estudio trmico
Se puede verificar que en ningn caso se alcanza la temperatura mxima de 150C en los
dispositivos semiconductores. Sabiendo que el conjunto disipador/ventilador inmediatamente
anterior no cumple estas especificaciones, se concluye que el sistema de disipacin y
refrigeracin es adecuado para su cometido.
Figura 5.12. Conjunto disipador/ventilador de SEMIKRON
Ambos estudios trmicos especficos se adjuntan en los Anexos 2 y 3 del presente

documento.
87

4.4. Inductancias de rama

Cada rama del convertidor dc/dc interleaving posee una bobina o inductancia. stas
forman parte del filtro de salida cuando el convertidor funciona en el modo reductor; o
elemento de almacenamiento de energa transitoria para el modo elevador de tensin. Estas
bobinas son de ncleo de aire, especficas para corriente continua y para usos en topologas
con corrientes conmutadas. En el esquema de la Figura 5.13 se indican como L1, L2 y L3.
Figura 5.13. Inductancias de rama
Las especificaciones de las bobinas vienen determinadas por el valor de la inductancia de

las mismas; las corrientes mxima y nominal; y el valor de amplitud y frecuencia del rizado
de corriente que deben ser capaces de soportar.
La inductancia de las mismas es calculada mediante el cumplimiento de la especificacin de
rizado de corriente a la salida del convertidor, cuando ste opera en condiciones nominales
de funcionamiento. En la Figura 5.14 se muestra una de las ramas y la forma de la corriente
que circula por la bobina de la misma.
IL
IL
V1
V2
DCuT
T
Figura 5.14. Una rama del convertidor y corriente por la bobina
88

El intervalo de tiempo en el que la corriente es ascendente es aquel en el cual est

conduciendo el transistor superior de la rama. Ello se expresa como DCuT, siendo DCu el
ciclo de trabajo de dicho transistor y T, el perodo de conmutacin en segundos. Operando
con la ecuacin que muestra el comportamiento de una bobina, se obtiene:
VL = V1 V2 = L
dI L
I
I L
L L = L
dt
t
DCu T
DCu = V2 /V1
V1 V2 = L
I L f C
V2 / V1
Por tanto, la expresin que muestra la inductancia necesaria en funcin de las tensiones del
convertidor y el rizado de corriente en la bobina es la siguiente:
L=
V 2 / V1 (V 1V 2 )
I L f C
Gracias a la tecnologa interleaving de N ramas, el rizado de la corriente de salida del

convertidor es la ensima parte del rizado existente en cada una de las ramas por separado.
Por tanto, la expresin quedara de la siguiente manera:
L=
V2 / V1 (V 1V2 )
N I O f C
En condiciones normales, la tensin V1 es igual a 700V; pero en condiciones excepcionales

podra alcanzar los lmites de 650V y 750V. Por otro lado, la tensin V2 vara entre 250V y
350V, funcin de la energa acumulada en los supercondensadores en cada momento.
La especificacin marca un rizado mximo de corriente de salida del convertidor del 10% de
la corriente nominal. Esta corriente depende del valor de la tensin de almacenamiento en
ese instante. Siendo X el porcentaje de rizado permitido respecto de la corriente nominal, se
tiene:
I O = X I O = X
PO
P
=X N
VO
V2
89

La expresin final que muestra la inductancia necesaria dadas las especificaciones de

tensiones y corrientes, quedara:
L=
V22 / V1 (V 1V2 )
N X PN f C
Mediante herramienta matemtica, en la Figura 5.15 se muestra grficamente la ecuacin

anterior para distintas tensiones de funcionamiento.
Figura 5.15. Valores de inductancia de diseo
A la vista de los resultados, el peor caso se obtiene para V1=750V y V2=350V, siendo
necesaria una bobina de aproximadamente 650uH para estar dentro de las especificaciones.
Se ha decidido sobredimensionar las bobinas con un valor de inductancia de 1000uH.
Para el valor de inductancia seleccionado y en funcin de las condiciones de funcionamiento
explicadas, en la Figura 5.16 se muestra el rizado de corriente y, en la Figura 5.17, el
porcentaje que supone el mismo respecto de la corriente nominal.
90

Figura 5.16. Rizado de corriente de salida para L=1000uH
Figura 5.17. Porcentaje de rizado de corriente de salida para L=1000uH
A la vista de la grfica se puede concluir que el rizado de corriente se encuentra dentro de

especificaciones en cualquier posible situacin de funcionamiento.
91

En la Tabla 5.9 se recogen, adems del valor de la inductancia calculada, los dems
parmetros de especificacin para las bobinas.
Parmetro
Inductancia nominal [L]
Valor
1000 uH
Corriente nominal de funcionamiento [IN]
46,7 A
Corriente de pico mxima [IPICO]
56 A
Rizado mximo de corriente [I]
18,6 A
Frecuencia de rizado de corriente [fC]
10 kHz
Tabla 5.9. Especificaciones para las inductancias de rama
La corriente nominal de funcionamiento viene marcada por la corriente necesaria para que el
convertidor entregue la potencia nominal. Esta corriente es mxima cuando la tensin en el
almacenamiento de los supercondensadores es mnima. Para esta tensin de 250V, la
corriente supone 140A. La corriente por cada rama ser la tercera parte, 46,7A.
El rizado de corriente por cada bobina es tres veces el rizado a la salida. Segn la Figura
5.16, en el peor caso el rizado es de 6,2A. Por tanto, el rizado de corriente por cada rama es
de 18,6A. La corriente de pico mxima es la suma de la mitad de este rizado y la corriente
nominal de funcionamiento, 56A.
Figura 5.18. Bobina de SMP
92

La bobina seleccionada es una inductancia para corriente dc de la marca SMP [14],

especfica para este tipo de convertidores con corrientes conmutadas. Las caractersticas de
la misma se presentan en la Tabla 5.10.
Parmetro
Valor
1000 uH
70 A
75 A
10 kHz
Resistencia serie equivalente del cobre [RCU]
10 mohm
Temperatura mxima de funcionamiento [TO]
100 C
Tensin efectiva de aislamiento [UP,EFF]
2500 V
Peso [P]
10 Kg
Tabla 5.10. Caractersticas tcnicas de la inductancia elegida de SMP
93

4.5. Banco de condensadores de entrada

Como ya se defini, la conexin entre el convertidor ac/dc de la fuente de energa renovable
y el inversor dc/ac se realiza mediante el bus denominado dc-link, al cual se conecta el
sistema de almacenamiento. De forma local, el convertidor de potencia asociado al sistema
de almacenamiento, en la conexin con el dc-link, posee un banco de condensadores para
asegurar estabilidad de tensin a la entrada, suponiendo una imagen de tensin del bus de
dc. Este banco de condensadores se ha indicado como C1 en el esquema de la Figura 5.19.
En esta seccin se dimensionar ste ltimo, sin tener en cuenta la capacidad del dc-link ni
la conexin con otro convertidor.
Figura 5.19. Banco de condensadores de entrada
El valor de la capacidad total se determina en base a las variaciones de tensin admisibles

en dicho bus dc ante cambios en las condiciones de funcionamiento (respuestas ante
escalones de carga, variaciones de generacin de potencia). Por ejemplo, ante un escaln
de incremento de la demanda de potencia, el bus dc tender a bajar su tensin, originando
un hueco con una amplitud de tensin y un tiempo de duracin. Ello depende de la
capacidad del banco y tambin, en gran parte, de la dinmica del control implementado. En
base a ello, se dimensiona la capacidad del bus.
El banco de condensadores debe ser capaz de suministrar la potencia nominal del sistema
durante el tiempo de respuesta del control implementado. Mediante simulaciones de
diversos controles propuestos se ha determinado un tiempo de respuesta de 1ms
aproximadamente. Debido a la incertidumbre del clculo y para un dimensionamiento del
lado de la seguridad, se tomarn 3ms, tiempo durante el cual, el banco de dc ser el
94

encargado de proporcionar la potencia nominal ms las prdidas del inversor, una potencia
de 32kW aproximadamente. La energa entregada responde a la siguiente expresin:
E = PN t = 32kW 3ms = 96 J
Sabiendo que la tensin nominal del bus es de 700V y que la profundidad mxima permitida
del hueco de tensin es de 50V, de la siguiente expresin se deduce el valor de la
capacidad del banco capacitivo:
E=
1
1
C V12 V22 = C 700 2 650 2 = 96 J
2
2
El clculo conduce a un valor de capacidad total del banco de 2850uF. Se tomar como
valor de especificacin 3000uF. Con este valor de condensadores y un algoritmo de control
genrico se ha simulado el hueco de tensin producido en el dc-link, en respuesta a un
escaln de potencia nominal del sistema, mostrado en la Figura 5.20.
Figura 5.20. Simulacin del hueco de tensin
Mediante software de simulacin se han determinado los parmetros necesarios para el

correcto dimensionamiento del banco de condensadores, para el valor de capacidad
95

anteriormente calculado. Se ha realizado a la potencia nominal del equipo. En la Figura 5.21

se muestra la tensin en el banco de dc y en la Figura 5.22, la forma que toma la corriente y
su correspondiente valor RMS.
Figura 5.21. Simulacin de tensin del bus de dc
Figura 5.22. Simulacin de corriente del bus de dc
96

Dado el anlisis de funcionamiento en simulacin, las especificaciones resultantes se

indican en la Tabla 5.11
Parmetro
Capacidad nominal [C]
Valor
3000 uF
Tensin mxima de funcionamiento [VMAX]
750 V
Rizado mximo de tensin [V]
<1V
Corriente eficaz [IRMS]
30 A
70 A
100 A
Frecuencia de rizados de tensin y corriente [fC]
10 kHz
Tabla 5.11. Especificaciones de banco de condensadores
Se han tomado condensadores del fabricante ARCOTRONICS [8] recomendados para este
tipo de aplicaciones. Son condensadores MKP de altas densidades de capacidad y altos
rizados de corrientes. Revisando el catlogo se ha elegido la asociacin en paralelo de 6
condensadores C44UQGQ6500F8SK [9]. Las caractersticas tcnicas de cada dispositivo se
muestran en la Tabla 5.12.
Parmetro
Valor
500 uF
1100 V

50 A
6000 A
Tabla 5.12. Caractersticas tcnicas del condensador C44UQGQ6500F8SK
Figura 5.23. Condensador de ARCOTRONICS
97

4.6. Filtro snubber

Debido a las inductancias parsitas de dispositivos, conexiones y cableado, durante las
conmutaciones de los dispositivos semiconductores, aparecen en bornes de los mismos
unas sobretensiones que perjudican en parte al funcionamiento del convertidor.
Estas sobretensiones son perjudiciales para los semiconductores, suponen prdidas de
potencia, producen ruido elctrico, etctera. Mediante la adicin de una red de Snubber
como filtro de conmutacin, las citadas sobretensiones son reducidas considerablemente.
Genricamente, los filtros snubber suelen ser redes RC aunque, dependiendo del diseo, se
pueden encontrar redes C exclusivamente. Los valores de estos componentes pasivos se
calculan mediante expresiones matemticas, en funcin de frecuencias de conmutacin,
resistividades, inductancias y capacidades del circuito, tensiones y corrientes de
funcionamiento, tiempos de respuesta, etctera.
En el presente diseo se ha colocado una red basada exclusivamente en un condensador
conectado en paralelo con el IGBT en conmutacin. Por tanto, se tienen seis dispositivos,
dos en cada rama, uno por cada semiconductor. En la Figura 5.24 se muestran con
conexin paralelo a los transistores de potencia M1, M2, M3, M4, M5 y M6.
Figura 5.24. Filtro snubber
Condensadores adecuados para este tipo de filtros son los MKP, de polipropileno. stos
tienen buena respuesta en alta frecuencia, adems de operar correctamente en un amplio
rango de temperaturas.
98

La seleccin de la capacidad de estos condensadores pasa por calcular o estimar las

inductancias parsitas de los dispositivos y elementos de conexin asociados a los
interruptores semiconductores. Este clculo complejo e inexacto. En principio se podran
conocer inductancias parsitas aproximadas de dispositivos, pero las asociadas a la
circuitera de conexin es muy dependiente del esquema mecnico y de otros muchos
factores. En [10] se referencia una nota de aplicacin proporcionada por SEMIKRON [1] en
el cual se documenta este clculo.
Por ello, la estrategia a seguir consiste en la colocacin de condensadores con una
capacidad tpica en estos equipos. Tras la construccin, durante la puesta en
funcionamiento del convertidor, se realizarn pruebas experimentales con distintas
capacidades de filtro. Segn los resultados obtenidos se ajustar la red a la capacidad
ptima.
El componente utilizado es del fabricante VISHAY [11]. Se trata de un condensador de
polipropileno MKP de hasta 1000V.
Figura 5.25. Condensadores MKP Vishay
Se partir en un primer diseo con la capacidad de 100nF. Tras pruebas, se ajustar el valor
de capacidad segn resultados experimentales.
99

4.7. Resistencias de precarga

El hardware del convertidor de potencia debe incluir los elementos necesarios para permitir
una precarga no controlada del banco de condensadores del mismo. Esto interesa o es
necesario en puestas en marcha o en ciertas maniobras de funcionamiento. La precarga de
los condensadores se realiza a travs de resistencias de precarga, desde las dos posibles
Almacenador
-
R5
R4
R3
DC-Link
K5
fuentes, la de entrada o por medio del sistema de almacenamiento.
Figura 5.26. Resistencias de precarga
En el esquema elctrico de la Figura 5.26 se muestran como R1 y R2. El primer dispositivo

permite la precarga del bus desde la fuente de entrada; y el segundo, desde la bancada de
supercondensadores, a travs de los diodos de los semiconductores de potencia.
A continuacin se dimensionarn en cuanto al valor resistivo y a la potencia que son
capaces de evacuar. Ello se realizar en base a la tensin y tiempo de precarga, y a
potencias de disipacin. Este tiempo pretendido ser del orden de segundos, no ms de
10s, para realizar una precarga del banco hasta el 95% de su tensin nominal.
La ecuacin de carga del condensador a travs de una resistencia responde a la siguiente
expresin:
Vt = V f (1 e
RC
Vt corresponde a la tensin del dispositivo en el instante t; Vf, a la tensin de entrada; t, al

tiempo; R, a la resistencia de precarga; y C, a la capacidad del condensador. La capacidad
del banco es de 3000F. Se ha tomado como tiempo de precarga unos 4 segundos. Como
100

puede observarse, el clculo es independiente del valor de tensin Vf, si se refiere el fondo
de precarga como porcentaje de la tensin de entrada.
Vt = 0,95 V f = V f (1 e
0,95 = 1 e
RC
t RC
El clculo, por tanto, es el mismo para ambas resistencias, independientemente de la

tensin, quedando de la siguiente manera:
0,95 = 1 e
R0 , 003
R = 445
Se ha decidido tomar como valor resistivo para ambas resistencias de precarga el de 470
ohmios. En la Figura 5.27 se muestran las grficas obtenidas en la precarga a travs de R1
y, en la Figura 5.28, las correspondientes a la precarga mediante R2.
Figura 5.27. Precarga de condensadores mediante R1=470
Como se puede observar en las mencionadas figuras, la tensin de condensadores alcanza

el 95% de la tensin de la fuente de precarga en menos 4 segundos aproximadamente. El
banco queda cargado completamente en aproximadamente 7 segundos.
101

Figura 5.28. Precarga de condensadores mediante R2=470
Se han elegido resistencias de potencia de aluminio del fabricante TYCO ELECTRONICS

[15], en concreto la resistencia HSC100-470R-J [16]. La potencia nominal de la misma es de
100W si funcionan en conjunto con un disipador; si no es as, es de 50W.
Figura 5.29. Resistencias Tyco Electronics HSC
102

Estas resistencias, segn fabricante, permiten sobrecargas acotadas de potencia. En la

Figura 5.30 se muestra el grfico que indica el factor en el que puede verse multiplicada la
potencia de disipacin del dispositivo en funcin de la duracin de la sobrecarga. En la
Figura 5.31 se muestran los valores de sobrecarga en las resistencias R1 y R2. Como se
puede comprobar, el funcionamiento de las mismas est dentro de los lmites marcados por
el fabricante.
Figura 5.30. Sobrecarga admisible en resistencias Tyco HSC
Figura 5.31. Sobrecarga en resistencias de precarga
103

4.8. Resistencias de descarga

En el diseo del presente convertidor de potencia se ha incluido un banco de resistencias de
descarga para el sistema de almacenamiento de energa. Ello permite una descarga forzada
del sistema de supercondensadores, ya sea de manera automtica, comandada por el
sistema de control; o de manera manual, gobernada por el operario. Estas resistencias
vienen indicadas como R3, R4 y R5 en el esquema elctrico presentado en la Figura 5.32.
Figura 5.32. Resistencias de descarga
Esto ofrece la posibilidad de descargar los supercondensadores hasta niveles requeridos

por algn motivo de inters, o incluso, llevarlos a la descarga total.
Esto resulta muy til como actuacin ante un posible funcionamiento anmalo del sistema,
en el cual podra existir una sobrecarga del sistema de almacenamiento y sea inevitable el
tener que descargarlo hasta valores normales de funcionamiento.
A continuacin se dimensionarn en cuanto al valor resistivo y a la potencia que son
capaces de evacuar. Ello se realizar en base a las tensiones y tiempos de descarga, y a
potencias de disipacin.
La ecuacin de descarga del condensador a travs de una resistencia responde a la
siguiente expresin:
Vt = V f e
RC
Vt corresponde a la tensin del dispositivo en el instante t; Vf, a la tensin de entrada; t, al

tiempo; R, a la resistencia de precarga; y C, a la capacidad del condensador.
104

La capacidad total de la bancada de supercondensadores es de 21F. Dicho banco debe ser

descargado desde su tensin nominal hasta el 2% de la misma en 30 minutos.
Vt = 0,02 V f = V f e
0,02 = e
0,02 = e
1800
R21
RC
t RC
R = 22,91
Por tanto, sabiendo que el banco de descarga lo forman tres resistencias en paralelo, el
valor resistivo de cada una de ellas debe ser de 68,73 ohmios.
Se ha decidido tomar como valor resistivo el de 68 ohmios para cada una de las tres
resistencias. En la Figura 5.33 se muestran las grficas obtenidas de descarga total desde la
tensin mxima de supercondensadores.
Figura 5.33. Descarga de supercondensadores mediante 3xR=68
Como se observa en la mencionada figura, el banco de condensadores queda

prcticamente descargado en aproximadamente 30 minutos, desde el valor nominal hasta
tensin nula.
105

Se han elegido resistencias de potencia del fabricante TECNOMEGA [17] en concreto el

modelo TSK60.550-15R [18]. La potencia mxima de disipacin de las mismas es de
1800W. Como se muestra en la Figura 5.33, cada resistencia deber disipar hasta 1800W
como mximo, estando dentro de los lmites del fabricante.
Figura 5.34. Resistencia de potencia Tecnomega
106

4.9. Aparamenta elctrica de proteccin

El equipo posee la adecuada aparamenta elctrica de proteccin para garantizar la
desconexin del convertidor en caso de un posible funcionamiento anmalo. La aparamenta
utilizada es capaz de cortar sobrecorrientes por sobrecarga y por cortocircuito. Por un lado
protege a la instalacin, y por otro y ms importante, al personal humano. Los dispositivos
que la componen son fusibles para corriente continua. En el esquema de la Figura 5.35
pueden observarse como F1 y F2.
Figura 5.35. Aparamenta elctrica de proteccin
La potencia del equipo es de 35kW estando dimensionado para trabajar con una sobrecarga
del 20%. La presente aparamenta de proteccin debe permitir el flujo de las corrientes
resultantes de la misma. La intensidad de diseo para cada uno de los fusibles se tomar
como la corriente nominal mayorada en un 40%. En la Tabla 5.13 se recoge el clculo.
Dispositivo
INOM
IDISEO
F1
50 ADC
70 ADC
F2
140 ADC
196 ADC
Tabla 5.13. Dimensionamiento de fusibles de proteccin
Los dispositivos seleccionados para la implementacin se indican a continuacin:

o
F1: SEMIKRON FUSE30 30146087 [IN=80A/UN=660V] [19]
107

Segn el presente diseo, el convertidor de potencia queda protegido por encima del 140%
de la potencia nominal del mismo a travs de la aparamenta seleccionada.
La proteccin desde el 100% hasta el 140% de la potencia nominal del equipo se realizar a
travs del software de control, tenindose en cuenta la posibilidad del funcionamiento de
sobrecarga.
108

4.10. Aparamenta elctrica de maniobra

El equipo dispone de aparamenta de apertura y cierre que permite las maniobras oportunas
en cada uno de los modos de funcionamiento (parada general, precargas, descargas,
funcionamiento normal, etc.).
Figura 5.36. Aparamenta elctrica de maniobra
Los dispositivos que la componen son contactores para corriente continua. En la Figura 5.36
se muestra el esquema, indicndose como K1, K2, K3, K4 y K5.
Debido a que el equipo debe ser capaz de funcionar ante una sobrecarga del 20%, los
contactores K2 y K4 se dimensionarn para corrientes de sobrecarga. Los restantes sern
dimensionados para la intensidad nominal correspondiente.
En la Tabla 5.14 se indica el clculo para los contactores K2 y K4.
Dispositivo
INOM
IDISEO
K2
50 ADC
60 ADC
K4
50 ADC
60 ADC
Tabla 5.14. Dimensionamiento de contactores de maniobra K2 y K4
Las intensidades de diseo para los dispositivos K1 y K3 son dependientes del

dimensionamiento de las resistencias de precarga asociadas, realizado en el Apartado 4.7.
Por tanto, las corrientes mximas a soportar son 1.5A y 0.8A, respectivamente.
109

Por otro lado, el dimensionamiento del contactor K5 viene determinado por el valor resistivo
de la red de descarga. Segn el Apartado 4.8, la corriente mxima circulante ser de 16A.
En la Tabla 5.15 se muestra el dimensionamiento de estos dispositivos.
Dispositivo
Inom
Idiseo
K1
1.5 ADC
1.5 ADC
K3
0.8 ADC
0.8 ADC
K5
16 ADC
16 ADC
Tabla 5.15. Dimensionamiento de contactores de maniobra K1, K3 y K5
Los dispositivos seleccionados para la implementacin del aparamenta elctrica de

proteccin se indican a continuacin:
o
K1: SIEMENS SIRIUS SC 3RF23-10 [IN=10A] [20]
110

4.11. Sistema de cableado

En este apartado se dimensionarn los conductores que componen el cableado del equipo.
Ello se realizar en cuanto a seccin y naturaleza del aislamiento de los mismos.
En el presente convertidor existen cuatro tipos de cableados, los cuales se indicarn en
distintos esquemas. En la Figura 5.37, Figura 5.38, Figura 5.39 y Figura 5.40, se localizan
los cuatro tipos de conexiones mencionados.
Figura 5.37. Sistema de cableado TIPO 1
111

La corriente mxima que debe ser capaz de soportar cada uno de los tipos de conductores
se adjunta en la Tabla 5.16. Se ha sobredimensionado un 20% estas corrientes para el
clculo de la intensidad de diseo, con redondeo de la cifra a la unidad siguiente.
Conductor
Corriente nominal
Corriente de diseo
TIPO 1
60 A
72 A
TIPO 2
168 A
202 A
TIPO 3
2A
3A
TIPO 4
16 A
20 A
Tabla 5.16. Corrientes del sistema de cableado
Siguiendo el Reglamento Electrotcnico de Baja Tensin (REBT) se han dimensionados los

conductores de la forma que indica la Tabla 5.16.
Conductor
Seccin
TIPO 1
10 mm
TIPO 2
50 mm
TIPO 3
1.5 mm
TIPO 4
6 mm
Aislamiento
Imax REBT
XLPE
76 A
XLPE
250 A
PVC
21 A
PVC
44 A
Tabla 5.17. Dimensionamiento del sistema de cableado
Como se observa, se ha indicado la seccin elegida para cada uno de los tipos de cableado
y la naturaleza del aislante de los mismos. En la ltima columna se indica el valor de la
corriente mxima admisible por el correspondiente conductor, dada su seccin y
aislamiento, segn el REBT.
112

5. DISEO DEL CONVERTIDOR DE POTENCIA PARA BATERAS
En este apartado se realiza el diseo y dimensionamiento del convertidor de potencia

asociado a la bancada de bateras. Dado que ello se realiza de manera similar a como se
hizo con el convertidor para supercondensadores, se obviarn explicaciones detalladas y, en
ocasiones, se harn referencias a este anterior dimensionamiento. En la Figura 5.41, se
muestra el esquema elctrico del sistema.
Figura 5.41. Esquema elctrico del convertidor de potencia para bateras
En base al esquema, las distintas partes que componen el equipo son:

o
Semiconductores de potencia: Transistores IGBTs con sus respectivos diodos

en antiparalelo, indicados como M1-M2, M3-M4, M5-M6.
Inductancias de rama: Marcadas como L1, L2 y L3, suponen las inductancias

de salida de cada una de las ramas.
Condensadores snubber: Condensadores de respuesta en alta frecuencia para

filtro de conmutacin en semiconductores de potencia.
Banco de condensadores: Asociacin de condensadores de entrada del

convertidor, mostrado como C1.
Resistencias de precarga: Dispositivos de potencia, R1 y R2 que permiten la

precarga no controlada del banco de condensadores.
Aparamenta de maniobra: Contactores para maniobra elctrica. Se marcan

como K1, K2, K3 y K4.
113

Aparamenta de proteccin: Encargada de la proteccin del equipo frente a

sobrecorrientes y cortocircuitos, compuesta por los fusibles F1 y F2.
Sensores transductores: Permiten la medicin de parmetros elctricos de

distintas partes del convertidor, a travs de los sensores de tensin LV1, LV2 y
LV3, y los de corriente LA1, LA2, LA3 y LA4.
Como puede observarse, el presente convertidor lo componen las mismas partes que el
anterior, con la salvedad de que ste no posee el sistema de descarga.
A continuacin se seleccionarn los correspondientes dispositivos y elementos de conexin
para el diseo del convertidor para la bancada de bateras, los cuales son presentados:
o
Transistores de potencia
Controladores de disparo
Disipacin trmica y refrigeracin
Inductancias de rama
Banco de condensadores de entrada
Filtro snubber
Resistencias de precarga
Aparamenta elctrica de proteccin
Aparamenta elctrica de maniobra
Sistema de cableado
114

5.1. Transistores de potencia

Los semiconductores de potencia del presente convertidor se indican en el esquema de la
Figura 5.42, como M1, M2, M3, M4, M5 y M6.
Figura 5.42. Transistores de potencia
Los criterios de seleccin de los mismos se ha realizado de la misma manera como se hizo
para los transistores del convertidor asociado a la bancada de supercondensadores. Se ha
elegido la tecnologa de IGBTs para los semiconductores de potencia. Concretamente se ha
seleccionado la familia SEMITRANS de SEMIKRON [1].
Tras el estudio trmico realizado se ha escogido el semiconductor SKM300GB125D [4].
Corresponden a IGBTs capaces de soportar 1200V de tensin colector-emisor, corrientes de
colector de 150-200A y 10kHz como frecuencia de conmutacin. Un mismo encapsulado
compone la rama completa, formada por dos IGBTs.
115

5.2. Controladores de disparo

Los controladores de disparo de los semiconductores de potencia se han seleccionado
mediante la herramienta DRIVERSELTM [5] de SEMIKRON, como ya se realiz para el
convertidor asociado a supercondensadores. Los parmetros introducidos en la aplicacin
se muestran en la Tabla 5.18, dados por las caractersticas del semiconductor seleccionado.
Parmetro
Tensin mxima de funcionamiento
Familia del dispositivo
Dispositivo
Nmero de mdulos en paralelo
Valor
1200 V
SEMITRANS
SKM300GB125D
1
Frecuencia de conmutacin
10 kHz
Resistencia aplicada a la puerta
3 ohm
Tabla 5.18. Parmetros de seleccin para el controlador de disparos
Dado que los parmetros son los mismos para este convertidor, el driver elegido es el
mismo que aqul. Concretamente se ha seleccionado el driver SKYPERTM 32 PROR [6], en
conjunto con Evaluation Board 1 [7] de SEMIKRON.
116

5.3. Disipacin trmica y refrigeracin

El sistema de evacuacin de las prdidas por calor de los dispositivos semiconductores se
ha dimensionado de la misma manera que como se hizo para el convertidor anterior. Se han
realizado los clculos mediante la herramienta de simulacin SEMISELTM [3] proporcionada
por el fabricante, uno para el funcionamiento del equipo en modo reductor de tensin (Buck)
y otro como elevador de tensin (Boost). Los parmetros de entrada a la aplicacin se
indican en la Tabla 5.19 para cada uno de los casos.
Parmetro
Valor
Buck
Boost
Tensin de entrada [VIN]
750 V
250 V
Corriente de entrada [IIN]
46.67 A
140 A
Tensin de salida [VOUT]
250 V
750 V
Corriente de salida [IOUT]
140 A
46.67 A
Corriente por rama [IRAMA]
46.67 A
15.56 A
40 C
40 C
Temperatura ambiente
Nmero de interruptores por disipador
Nmero de interruptores en paralelo
Tabla 5.19. Parmetros para el estudio trmico
De la misma manera que en el convertidor asociado a supercondensadores, se han elegido

los siguientes dispositivos:
o
Disipador trmico de aluminio: SEMIKRON P16/300
Ventilador radial: SEMIKRON SKF16B-230-01
117

El estudio trmico asociado entrega los resultados que se presentan en la Tabla 5.20.
Parmetro
Prdidas por conduccin en transistores
Valor nominal
Valor sobrecarga
Buck
Boost
Buck
Boost
30 W
62 W
38 W
78 W
Prdidas por conmutacin en transistores
72 W
75 W
88 W
92 W
Prdidas totales en transistores
103 W
137 W
126 W
170 W
Prdidas por conduccin en diodos
38 W
19 W
46 W
24 W
Prdidas por conmutacin en diodos
43 W
43 W
51 W
51 W
Prdidas totales en diodos
81 W
63 W
97 W
74 W
Prdidas totales
551 W
601 W
669 W
733 W
Temperatura del disipador trmico
57 C
59 C
58 C
60 C
Temperatura de la cpsula
64 C
66 C
66 C
69 C
Temperatura Transistores
72 C
77 C
76 C
82 C
Temperatura Diodos
79 C
78 C
84 C
82 C
Tabla 5.20. Resultados del estudio trmico
118

5.4. Inductancias de rama

En el esquema de la Figura 5.43 se indican las inductancias de rama como L1, L2 y L3,
pertenecientes al convertidor dc/dc interleaving. Son bobinas de ncleo de aire, especficas
para corriente continua y para usos en topologas con corrientes conmutadas.
Figura 5.43. Inductancias de rama
El clculo de la inductancia necesaria se realiza mediante el cumplimiento de la

especificacin de rizado de corriente a la salida del convertidor, cuando ste opera en
condiciones nominales de funcionamiento.
Mediante el desarrollo matemtico explicado en el anterior diseo del convertidor para
supercondensadores se obtiene la expresin:
L=
V2 / V1 (V 1V2 )
N I O f C
El rango de tensin de V1 es de entre 650V y 750V. Y por otro lado, la tensin V2 vara entre
250V y 300V, funcin del estado de acumulacin energtica del banco de bateras.
La especificacin marca un rizado mximo de corriente de salida del convertidor del 5% de
la corriente nominal, indicada como X.
I O = X I O = X
PO
P
=X N
VO
V2
119

En la Figura 5.44 se muestra grficamente la ecuacin final resultante:
V22 / V1 (V 1V2 )
L=
N X PN f C
Figura 5.44. Valores de inductancia de diseo
A la vista de los resultados, el peor caso se obtiene para V1=750V y V2=300V, siendo
necesaria una bobina de 1050uH para cubrir especificaciones. Se ha decidido
sobredimensionar las bobinas con un valor de inductancia de 1500uH.
En la Figura 5.45 y Figura 5.46 se muestra el rizado de corriente resultante.
120

Figura 5.45. Rizado de corriente de salida para L=1500uH
Figura 5.46. Porcentaje de rizado de corriente de salida para L=1500uH
A la vista de la grfica se puede concluir que el rizado de corriente se encuentra dentro de

especificaciones en cualquier posible situacin de funcionamiento.
121

En la Tabla 5.21 se recogen, adems de la inductancia calculada, los dems parmetros de

especificacin para las bobinas.
Parmetro
Valor
1500 uH
46,7 A
52,7 A
12 A
10 kHz
Tabla 5.21. Especificaciones para las inductancias de rama
La bobina seleccionada es una inductancia para corriente dc de la marca SMP [14],

especfica para este tipo de convertidores con corrientes conmutadas. Las caractersticas de
la misma se presentan en la Tabla 5.22.
Parmetro
Valor
1500 uH
70 A
75 A

Resistencia serie equivalente del cobre [RCU]
10 kHz
15 mohm
Temperatura mxima de funcionamiento [TO]
100 C
Tensin efectiva de aislamiento [UP,EFF]
2500 V
Peso [P]
15 Kg
Tabla 5.22. Caractersticas tcnicas de la inductancia elegida de SMP
122

5.5. Banco de condensadores de entrada

El dimensionamiento del banco de condensadores de entrada al convertidor, indicado como
C1 en el esquema de la Figura 5.47, se realizar sin tener en cuenta la capacidad del dc-link
ni la conexin con otro convertidor.
Figura 5.47. Banco de condensadores de entrada
El valor de la capacidad se ha determinado de la misma manera que se hizo para el anterior

equipo. Tomando un tiempo de respuesta del control implementado de 3ms y sabiendo que
la potencia a entregar durante el hueco es de 32kW, la energa a entregar por el banco
sigue la siguiente expresin:
E = PN t = 32kW 3ms = 96 J
Sabiendo que la tensin nominal del bus es de 700V y que la profundidad mxima permitida
del hueco de tensin es de 50V, quedara:
E=
1
1
C V12 V22 = C 700 2 650 2 = 96 J
2
2
El clculo conduce a un valor de capacidad total del banco de 2850uF. Se tomar como
valor de especificacin 3000uF.
Mediante herramienta de simulacin, como ya se explic, se han determinado los restantes
parmetros necesarios para el dimensionamiento del banco de condensadores. En la Tabla
5.23 se muestran las especificaciones del mismo.
123

Parmetro
Valor
3000 uF
750 V
Rizado mximo de tensin [V]
10 V
50 A
200 A
300 A
Frecuencia de rizados de tensin y corriente [fC]
10 kHz
Tabla 5.23. Especificaciones de banco de condensadores
Se han tomado condensadores de la marca ARCOTRONICS recomendados para este tipo

de aplicaciones. Son condensadores MKP de altas densidades de capacidad y altos rizados
de corrientes. Revisando el catlogo se ha elegido la asociacin en paralelo de 6
condensadores C44UQGQ6500F8SK. Las caractersticas tcnicas de cada condensador se
muestran en la Tabla 5.24.
Parmetro
Valor
500 uF
1100 V

50 A
6000 A
Tabla 5.24. Caractersticas tcnicas del condensador C44UQGQ6500F8SK
124

5.6. Filtro snubber

El filtro snubber seleccionado para la reduccin de las sobretensiones en dispositivos
semiconductores en conmutacin ha sido una red basada exclusivamente en un
condensador conectado en paralelo con el IGBT. Se tienen seis dispositivos, dos en cada
rama, uno por cada semiconductor. En la Figura 5.48 se muestran con conexin paralelo a
los transistores de potencia M1, M2, M3, M4, M5 y M6.
Figura 5.48. Filtro snubber
Se tratan de condensadores MKP, de polipropileno, con una buena respuesta en alta

frecuencia, adems de operar correctamente en un amplio rango de temperaturas.
Como se explic en el diseo del convertidor asociado a supercondensadores, la estrategia
a seguir consiste en la colocacin de condensadores con una capacidad tpica. Tras la
construccin, durante la puesta en funcionamiento del convertidor, se realizarn pruebas
experimentales con distintas capacidades de filtro. Segn los resultados obtenidos se
ajustar la red a la capacidad ptima.
El componente utilizado es de la marca VISHAY [11]. Se trata de un condensador de
polipropileno MKP de hasta 1000V. Se partir en un primer diseo con la capacidad de
100nF. Tras pruebas, se ajustar el valor de capacidad segn resultados experimentales.
125

5.7. Resistencias de precarga

La precarga de los condensadores de entrada del equipo se realiza a travs de resistencias
de precarga, desde las dos posibles fuentes, la de entrada o por medio del sistema de
DC-Link
Almacenador
almacenamiento, indicadas como R1 y R2 en el esquema de la Figura 5.49.
Figura 5.49. Resistencias de precarga
Tal y como se realiz en el diseo del equipo asociado a supercondensadores, el clculo de

los valores de las resistencias de precarga sigue las siguientes expresiones. Se ha tomado
como profundidad de precarga el 95% de la tensin de entrada, y 4 segundos como tiempo
de la misma.
Vt = V f (1 e
0,95 = 1 e
R0 , 003
RC
)
R = 445
Las resistencias de precarga sern de 470 ohmios. Se han elegido resistencias de potencia
de aluminio del fabricante TYCO ELECTRONICS [15], concretamente el dispositivo
HSC100-470R-J [16].
126

5.8. Aparamenta elctrica de proteccin

La aparamenta elctrica de proteccin incluida en el convertidor son fusibles para corriente
continua. En el esquema de la Figura 5.50 pueden observarse como F1 y F2. Estos
dispositivos son capaces de proteger ante sobrecorrientes por sobrecarga y por
cortocircuito.
Figura 5.50. Aparamenta elctrica de proteccin
Siguiendo la misma lnea de diseo explicada en el anterior equipo, en la Tabla 5.25 se

recoge el clculo de dimensionamiento de estos dispositivos.
Dispositivo
INOM
IDISEO
F1
50 ADC
70 ADC
F2
140 ADC
196 ADC
Tabla 5.25. Dimensionamiento de fusibles de proteccin
De la misma manera, los dispositivos seleccionados se indican a continuacin:

o
Segn el presente diseo, el convertidor de potencia queda protegido por encima del 140%
de la potencia nominal del mismo a travs de la aparamenta seleccionada.
127

La proteccin desde el 100% hasta el 140% de la potencia nominal del equipo se realizar a
travs del software de control, tenindose en cuenta la posibilidad del funcionamiento de
sobrecarga.
128

5.9. Aparamenta elctrica de maniobra

Los elementos de maniobra del equipo son contactores para corriente continua. En la Figura
5.16 se muestra el esquema, indicndose como K1, K2, K3 y K4. Siguiendo la misma lnea
de diseo explicada en el anterior equipo, en la Tabla 5.26 se recogen los clculos de
dimensionamiento para dichos dispositivos.
Figura 5.51. Aparamenta elctrica de maniobra
Dispositivo
INOM
IDISEO
K2
50 ADC
60 ADC
K4
50 ADC
60 ADC
K1
1.5 ADC
1.5 ADC
K3
0.8 ADC
0.8 ADC
Tabla 5.26. Dimensionamiento de contactores de maniobra
De la misma manera, los dispositivos seleccionados se indican a continuacin:

o
129

5.10. Sistema de cableado

En el presente convertidor existen tres tipos de cableados, los cuales se indicarn en
distintos esquemas. En la Figura 5.52, Figura 5.53 y Figura 5.54, se localizan los tres tipos
de conexiones mencionados.
130

La corriente mxima que debe ser capaz de soportar cada uno de los tipos de conductores
se adjunta en la Tabla 5.27. Se ha sobredimensionado un 20% estas corrientes para el
clculo de la intensidad de diseo, con redondeo de la cifra a la unidad siguiente.
Conductor
Corriente nominal
Corriente de diseo
TIPO 1
60 A
72 A
TIPO 2
168 A
202 A
TIPO 3
2A
3A
Tabla 5.27. Corrientes del sistema de cableado
Siguiendo el Reglamento Electrotcnico de Baja Tensin (REBT) se han dimensionados los

conductores de la forma que indica la Tabla 5.28.
Conductor
Seccin
Aislamiento
Imax REBT
TIPO 1
10 mm
XLPE
76 A
TIPO 2
50 mm
XLPE
250 A
TIPO 3
1.5 mm
PVC
21 A
Tabla 5.28.Dimensionamiento del sistema de cableado
Como se observa, se ha indicado la seccin elegida para cada uno de los tipos de cableado
y la naturaleza del aislante de los mismos. En la ltima columna se indica el valor de la
corriente mxima admisible por el correspondiente conductor, dada su seccin y
aislamiento, segn el REBT.
131

6. REFERENCIAS
[1]
Retegui, Rogelio Garcia; Benedetti, Mario; Petrocelli, Roberto; Wassinger, Nicolas;

Maestri, Sebastian, New Modulator for Multi-Phase Interleaved DC/DC Converters,
IEEE 2009.
[2]
SEMIKRON
http://www.semikron.com/
[3]
SEMIKRON SEMISELTM
http://semisel.semikron.com/DriverSelectTool.asp
[4]
SEMIKRON IGBT Ultrafast SKM300GB125D

http://www.semikron.com/internet/ds.jsp?file=365.html
[5]
SEMIKRON DRIVERSELTM
http://www.semikron.com/internet/index.jsp?sekId=347
[6]
SEMIKRON Driver SKYPER 32 PROR

http://www.semikron.com/internet/webcms/online/pdf/SKYPER_32PRO_R_rev04.pdf
[7]
SEMIKRON Evaluation Board 1 SKYPER 32 PROR

http://www.semikron.com/internet/webcms/online/pdf/Board_1_SKYPER_32PRO_rev
02.pdf
[8]
ARCOTRONICS GROUP
http://www.arcotronics.com/cms/index.php
[9]
ARCOTRONICS CAPACITORS C44U

http://www.arcotronics.de/produkte/power_electronics_capacitors/C44U_2007.pdf
[10] SEMIKRON Application Note. PeakVoltage_Snubber

http://www.semikron.com/internet/webcms/objects/pdf/AN7006_IGBT_PeakVoltage_Snubber.pdf
[11] VISHAY CAPACITORS
http://www.vishay.com/capacitors/
132

[12] SEMIKRON Heatsink SEMIKRON P16/300

http://www.semikron.com/internet/ds.jsp?file=657.html
[13] SEMIKRON Fan SKF16B-230-01
http://www.semikron.com/internet/webcms/objects/pdf/fans_radial.pdf
[14] SMP
http://www.smp.de
[15] TYCO ELECTRONICS
http://www.tycoelectronics.com
[16] TYCO ELECTRONICS Aluminium Housed Power Resistors [HSC]
http://www.tycoelectronics.com/prodimages/pdf/THS-1006.pdf
[17] TECNOMEGA
http://www.tecnomega.es
[18] TECNOMEGA Resistencias Bobinadas TSK
http://www.tecnomega.es/tsk.htm
[19] SEMIKRON FUSES 30
http://www.semikron.com/internet/webcms/objects/pdf/Fuses_30_33.pdf
[20] SIEMENS SIRIUS SC
http://www.automation.siemens.com/mcms/low-voltage/en/industrialcontrols/controls/solid-state-switching-devices/resistive-inductive-loads/solid-statecontactors/3rf23/Pages/default.aspx
133

CAPTULO 6. ELECTRNICA DE CONTROL
134

Electronica de Potencia PDF

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Electronica de Potencia PDF

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

DISEO DE UN SISTEMA DE ALMACENAMIENTO DE ENERGA HBRIDO

BASADO EN BATERAS Y SUPERCONDENSADORES PARA SU

CAPTULO 5. ELECTRNICA DE POTENCIA

Escuela Tcnica Superior de Ingenieros

DISEO DE UN SISTEMA DE ALMACENAMIENTO DE ENERGA HBRIDO

En este captulo se documentar el diseo y dimensionamiento de los convertidores

Figura 5.1. Convertidores de potencia del sistema de almacenamiento

Escuela Tcnica Superior de Ingenieros

DISEO DE UN SISTEMA DE ALMACENAMIENTO DE ENERGA HBRIDO

Figura 5.2. Convertidor dc/dc elevador/reductor bidireccional

Como principio de un sistema de almacenamiento de energa, se pretende alcanzar un alto

Escuela Tcnica Superior de Ingenieros

DISEO DE UN SISTEMA DE ALMACENAMIENTO DE ENERGA HBRIDO

La tecnologa interleaving o entrelazado consiste en la inclusin de N ramas en paralelo

Figura 5.3. Tecnologa Interleaving en convertidores dc/dc

La frecuencia de estos rizados de entrada y salida se ve multiplicada por N, por lo que, el

Escuela Tcnica Superior de Ingenieros

DISEO DE UN SISTEMA DE ALMACENAMIENTO DE ENERGA HBRIDO

Siendo N el nmero de ramas o convertidores idnticos conectados en paralelo y f, la

Realizando interleaving con desfase de 2/N, la frecuencia del rizado de la

Para una frecuencia f del rizado de salida, la frecuencia de conmutacin de

La amplitud del rizado de la corriente de salida se reduce en un factor de 1/N.

Escuela Tcnica Superior de Ingenieros

DISEO DE UN SISTEMA DE ALMACENAMIENTO DE ENERGA HBRIDO

3. TOPOLOGA Y ESPECIFICACIONES DE DISEO

Figura 5.4. Convertidor de potencia dc/dc Interleaving

Las especificaciones de los convertidores vienen determinadas por la potencia de los

Escuela Tcnica Superior de Ingenieros

DISEO DE UN SISTEMA DE ALMACENAMIENTO DE ENERGA HBRIDO

3.1. Sistema de Supercondensadores

Potencia nominal en carga [PNOM]

Potencia en sobrecarga de 10 segundos [PSOB]

N de ramas de interleaving [N]

Tensin nominal de entrada [VI,NOM]

Rango de funcionamiento de tensin de entrada [VI]

Rango de funcionamiento de corriente de entrada [II]

Rango de funcionamiento de tensin de entrada [VO]

Rango de funcionamiento de corriente de salida [II]

Rizado mximo de corriente de salida [IO]

Frecuencia de conmutacin de interruptores de potencia [fC]

Tabla 5.1. Especificaciones tcnicas del convertidor de potencia para Supercondensadores

Segn especificaciones, en la Figura 5.5 se observa el esquema elctrico simplificado del

Figura 5.5. Esquema elctrico simplificado del convertidor de Supercondensadores

Escuela Tcnica Superior de Ingenieros

DISEO DE UN SISTEMA DE ALMACENAMIENTO DE ENERGA HBRIDO

3.2. Sistema de Bateras

Potencia nominal en carga [PNOM]

Potencia en sobrecarga de 10 segundos [PSOB]

N de ramas de interleaving [N]

Tensin nominal de entrada [VI,NOM]

Rango de funcionamiento de tensin de entrada [VI]

Rango de funcionamiento de corriente de entrada [II]

Rango de funcionamiento de tensin de entrada [VO]

Rango de funcionamiento de corriente de salida [II]

Rizado mximo de corriente de salida [IO]

Frecuencia de conmutacin de interruptores de potencia [fC]

Tabla 5.2. Especificaciones tcnicas del convertidor de potencia para Bateras

Segn especificaciones, en la Figura 5.6 se observa el esquema elctrico simplificado del

Figura 5.6. Esquema elctrico simplificado del convertidor de Bateras

Escuela Tcnica Superior de Ingenieros

DISEO DE UN SISTEMA DE ALMACENAMIENTO DE ENERGA HBRIDO

4. DISEO DEL CONVERTIDOR DE POTENCIA PARA SUPERCONDENSADORES

En este apartado se pretende realizar el diseo y dimensionamiento del convertidor de