LABORATORIO DE CIRCUITOS ELCTRONICOS I

UNIVERSIDAD
NACIONAL
MAYOR DE SAN MARCOS
(Universidad del Per, Decana De
Amrica)

CURSO

: LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I

TEMA

:TRANSISTOR JFETc

PROFESOR

: Ing. ALFREDO MEDINA CALDERON

ALUMNO

SALINAS HUAMAN ,JERSON

12190199

INFORME TRANSISTOR JFET

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELCTRONICOS I

TURNO

: MAANA

Ciudad Universitaria, noviembre del 2014

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRICONICOS I

I.

TEMA: TRANSISTORJFETc

II.

OBJETIVO:

2.1.-Analizar y estudiar el comportamiento del TRANSISTORJFETc .

III.

MATERIALES:

3.1.-Multmetro digital
3.2.- Fuente DC.
3.3.- Resistencias.
3.4.- TRANSISTOR JFETc
3.5.- Protoboard

IV.

FUNDAMENTO TERICO

- TRANSISTORJFETc:

El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de campo de

juntura o unin) es un dispositivo electrnico, esto es, un circuito que, segn unos valores
elctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser
transistores de efecto decampo elctrico, estos valores de entrada son las tensiones
elctricas, en concreto la tensin entre los terminales S (fuente) y G (puerta), V GS. Segn
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este valor, la salida del transistor presentar una curva caracterstica que se simplifica
definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin.
Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est formado por una pastilla
de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan dos patillas de salida (drenador y
fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos
terminales conectados entre s (puerta). Al aplicar una tensin positiva VGS entre puerta y
fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones
(corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusin. Cuando esta VGS sobrepasa un
valor determinado, las zonas de exclusin se extienden hasta tal punto que el paso de
electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de
VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las V GS y Vp son
negativas, cortndose la corriente para tensiones menores que Vp.
As, segn el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para tensiones
negativas mayores que Vp (puesto que Vp es tambin negativa) y una zona de corte para
tensiones menores que Vp. Los distintos valores de la ID en funcin de la VGS vienen dados
por una grfica o ecuacin denominada ecuacin de entrada.
En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dar una salida en el
circuito que viene definida por la propia ID y la tensin entre el drenador y la fuente VDS. A
la grfica o ecuacin que relaciona ests dos variables se le denomina ecuacin de salida,
y en ella es donde se distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa: hmica y
saturacin.
TERMINALES:
- Fuente o Surtidor(S).
- Drenaje o Drenador(D).
- Puerta (G)

VGS 0
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- Se crea zona de deplexin (ausencia de carga)

- VGS es directa.
-A medida que VGS aumenta, lo hace tambin la zona de deplexin.
- VDS <Vp NJFET =pequea resistencia ESTADO DE CONDUCCIN.
- VDS =Vp las dos zonas de deplexin se unen o dejan crecer ( I D I DSS )

VDS fija, var iandoVGS

- A medida que VGS se hace ms negativa (diodo G-S: inversamente) aumento de zona de
deplexin estrechamiento del canal de las proximidades de S resistencia del anal aumenta
Id disminuye.
- Si VGS se hace menos negativa disminuye zona de deplexin ensanchamiento del canal
resistencia del canal disminuye Id aumenta.

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V.

TABLA DE VALORES :
VGS

VRD

VID

VDS

0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.5
-1.8
-2.2

8.72
7.22
5.63
4.18
3.14
2.24
1.20

8.72
7.22
5.63
4.18
3.14
2.24
1.24

3.23
4.74
6.32
7.79
8.83
9.73
10.78

VI. Bibliografa:
- http://www.uhu.es/adoracion.hermoso/Documentos/transistor-fet.pdf
- http://commons.wikimedia.org/wiki/File:JFET_n-channel.svg
Apuntes de Laboratorio de Circuitos Electrnicos
- http://www.apuntesdeelectronica.com/analogica/amplificadorestransistorizados.htm
- http://es.wikipedia.org/wiki/JFET

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