FISICA DE SEMICONDUCTORES

TRABAJO COLABORATIVO N2

TUTOR: ANDRES FELIPE TARAZONA

ELABORADO POR:
ANDRES ALBERTO PAZOS
C.C: 7721298
YEISON FREDY CHALA
C.C: 7722559

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD

ESCUELA DE CIENCIAS BSICAS TECNOLOGA E INGENIERA
28 DE MAYO DE 2012
NEIVA

INTRODUCCION

En este trabajo se podr encontrar una breve historia de los transistores y los
diodos, nos podremos dar cuenta como estn conformados y que aplicaciones
tienen, como fueron creados y para qu sirven, y sus respectivos propsitos. Ser
posible entender sus aplicaciones y sus diferentes
El diodo entonces ha permitido la proteccin necesaria para los circuitos elctricos
de corrientes inversas y de sobre voltajes, ha servido de rectificador, controlador
de frecuencia, oscilador y otras aplicaciones las cuales se sealaran en este
trabajo, dependiendo bsicamente de la forma de su construccin y polarizacin.
Este trabajo se dirige entonces a realizar un estudio del comportamiento del diodo
en una de sus formas de polarizacin: la polarizacin directa. Pero centrndonos
en una descripcin desde el comportamiento fsico y dado el caso apoyados en
modelamientos matemticos.
Esperamos que nuestros aportes ayuden en la sustentacin de la importancia que
se ha ganado el diodo en el campo de la electrnica y que las explicaciones sean
lo suficientemente claras para entender el funcionamiento interno del diodo.

OBJETIVOS

Sealar las caractersticas propias de una polarizacin de diodo tipo directa.

Comparar la serie de elementos tiles para la construccin de diodos, sus
ventajas y posibles desventajas
Describir el proceso que afronta la corriente a nivel molecular en su paso
por un diodo polarizado de forma directa.
Enumerar la serie y tipos de diodos existentes

FSICA Y MATEMTICA DEL DIODO EN OPERACIN (POLARIZACIN

DIRECTA)

DEFINICIN
El diodo es un tubo o dispositivo semiconductor, diseado para que pase la
corriente solamente en una sola direccin (En mecnica suele ser comparada con
una valvular tipocheck). El diodo semiconductor es mucho ms comn que el
diodo de tubo en los circuitos electrnicos modernos. La figura a. ilustra la
construccin de un diodo semiconductor tpico; este est formado por material
semiconductor tipo N, por lo general silicio y material tipo P. Los electrones fluyen
hacia el material tipo N y hacia fuera de la terminal P. En la figura b. se ilustra el
smbolo esquemtico. La corriente positiva fluye en direccin de la flecha. En
cambio el movimiento de los electrones es contrario a la flecha. A la terminal
positiva de un diodo se le llama nodo, y a la terminal negativa ctodo.
Los diodos semiconductores se utilizan para muchos fines diferentes en la
electrnica. Pueden usarse como amplificadores, controladores de frecuencia,
osciladores, reguladores de voltaje, interruptores y mezcladores.
Los primeros tipos de diodos eran diseados en forma de tubo de vacio con
nicamente dos elementos: nodo y ctodo. Los tubos diodo se usaban
bsicamente para los mismos propsitos que los diodos semiconductores
modernos; sin embargo los tubos diodo receptores son obsoletos en los circuitos
modernos.

Los magnetrones y los despliegues de descargas de gas nen son ejemplos de

tubos diodo que se usan en la electrnica moderna.

CONSTRUCCIN
Antes de pasar a definir el diodo y su utilizacin en el campo de la electrnica, es
imprescindible aprender sus componentes. Conocemos a los semiconductores
como malos conductores de la corriente elctrica, precisamente por la dificultad a
dejarse arrebatar electrones en virtud de su enlace covalente. Pero, qu ocurre si
introducimos entre ellos impurezas en su constitucin colocando unos pocos
tomos extraos que tengan 5 electrones de valencia, o bien 3 electrones de
valencia? Podemos encontrar elementos de estas caractersticas, tales como el

Arsenio (As), el antimonio (Sb), el fsforo (P), los cueales tienen 5 electrones de
valencia. Y los de 3 electrones, tales como el Indio (In), el Galio (Ga) y el aluminio
(Al).
Cristal N: Introduciendo unos tomos de Arsenio sobre la estructura atmica del
germanio, lo cual se llama dopado, la estructura resultante queda del modo que el
tomo de Arsenio se integra dentro de la unin covalente de los tomos de
germanio, pero el electrn sobrante ahora no tiene cabida en el sistema, de modo
que queda como electrn libre. Si ahora aplicamos a uno y otro extremo del
material, se establecer una va de paso de los electrones desde el polo negativo
al positivo, de modo que el cristal se hace conductor. A este tipo de cristal se le
denomina conductor N, y al cristal que lo forma cristal N o de tipo N.
Cristal P: Podemos hacer otra combinacin que va a consistir en la introduccin de
la impureza a base de utilizar unos tomos que dispongan solamente de 3
electrones de valencia. Si dopamos el material con Indio, por ejemplo, y ste entra
a formar parte de la estructura del cristal , habr un tomo que tendr su rbita
exterior compartida solamente 7 electrones y ello provocar la inestabilidad del
conjunto, pero en ves de quedarse con un electrn ms, queda con alguna parte
del cristal hay un hueco que algn electrn ha de llenar. Ocurre que por la
naturaleza de los tomos, el tomo que tiene el hueco suele quedarse con el
electrn ms prximo que quede a su alcance, y que en ese caso el otro tomo se
quede sin electrn y a consecuencia de que esta situacin se efecta a gran
velocidad, se podra hablar de un hueco que est constantemente desplazndose
por todo el cristal. De esta manera el cristal resulta positivo (de tipo P) porque si le
aplicamos una fuente de alimentacin, se establecer una circulacin de huecos
del polo positivo al negativo, es decir, los electrones habrn encontrado la va de
los huecos para atravesar todo el cristal.
Cuando unimos un cristal P con un cristal N, estamos creado un elemento de
enorme importancia en la electrnica: el Diodo
En efecto: supongamos que tomamos una pieza de germanio y dopamos un
extremo del mismo con indio, creando unos huecos en las rbitas de sus
electrones exteriores. El extremo opuesto de esta pieza se dopa con Arsenio de
modo que se crea un exceso de electrones, as se forma la parte de cristal P y la
parte de cristal N. En la parte central se mantiene el material prcticamente puro,
de modo que se forme una zona que los electrnicos llaman zona de resistencia y
tambin zona agotada (zona Z). Aqu, en las inmediaciones de las zonas P y N los
huecos del germanio P han sido ocupados por los electrones libres del germanio
N, por lo que no existe en esta parte elementos portadores de carga. La zona Z,

por lo tanto, ofrece una elevada resistencia especfica, manteniendo el diodo en

reposo.
TIPOS DE DIODOS
Existen varios tipos diferentes de diodos semiconductores, cada uno diseado
para un propsito distinto. La aplicacin mas comn para un diodo es la
conversin de corriente alterna a corriente directa. La deteccin y rectificacin
usan la capacidad de un diodo para pasar corriente en una sola direccin.
Los diodos emisores de luz, llamados LED, producen luz visible cuando se
polarizan en sentido directo. Los diodos solares elctricos generan corriente
elctrica a partir de la luz visible. Los diodos zener se usan como reguladores y
limitadores de voltaje. Los diodos de Gunn y los diodos de tnel pueden
emplearse como osciladores de en frecuencias ultra altas y de microondas. Los
diodos de tipo varactor se usan para el ajuste de amplificadores. Un dispositivo
conocido como diodo PIN, el cual exige una capacitancia muy baja, se usa como
interruptor de alta velocidad en radiofrecuencias. Los diodos portadores de calor
se usan como mezcladores y multiplicadores de frecuencia. La multiplicacin de
frecuencia tambin se logra eficazmente usando un diodo de recuperacin de
paso. El diodo de tiempo de transito e impacto de avalancha o diodo IMPATT,
puede actuar como un dispositivo de amplificacin.
Es el ms sencillo de los dispositivos semiconductores pero desempea un papel
vital en los sistemas electrnicos, con sus caractersticas que se asemejan en
gran medida a las de un sencillo interruptor. Se encontrar en una amplia gama de
aplicaciones, que se extienden desde las simples hasta las sumamente complejas.
Aparte de los detalles de su construccin y caractersticas, los datos y grficas
muy importantes que se encontrarn en las hojas de especificaciones tambin se
estudiarn para asegurar el entendimiento de la terminologa empleada y para
poner de manifiesto la abundancia de informacin de la que por lo general se
dispone y que proviene de los fabricantes.

DIODO ZENER
En P.D. como el diodo rectificador
En P.I., si se supera cierta tensin (tensin Zener) conduce tambin.

El diodo zener es un tipo especial de diodo, que siempre se utiliza polarizado

inversamente.
Si el diodo zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo
rectificador comn.
Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus
terminales un voltaje constante.
Se analizar el diodo Zener, no como un elemento ideal, si no como un elemento
real y se debe tomar en cuenta que cuando ste se polariza en modo inverso si
existe una corriente que circula en sentido contrario a la flecha del diodo, pero de
muy poco valor.
Curva caracterstica del diodo Zener
Analizando la curva del diodo zener se ve que conforme se va aumentando
negativamente el voltaje aplicado al diodo, la corriente que pasa por el aumenta
muy poco.
Pero una vez que se llega a un determinado
voltaje, llamada voltaje o tensin de Zener
(Vz), el aumento del voltaje (siempre
negativamente) es muy pequeo, pudiendo
considerarse constante.
Para este voltaje, la corriente que atraviesa el
diodo zener, puede variar en un gran rango de valores. A esta regin se le llama la
zona operativa.
Un regulador con diodo zener ideal mantiene un voltaje predeterminado fijo a su
salida, sin importar las variaciones de voltaje en la fuente de alimentacin y/o las
variaciones de corriente en la carga.

DIODO LED. DIODO EMISOR DE LUZ. LIGHT-EMITTING DIODE

En P.D. conduce corriente y emite luz.
En P.I. no conduce corriente y no emite luz.

El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo comn, pero que
al ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz.
Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual
fueron construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre
otros.
Hay un tipo de recombinaciones que se llaman recombinaciones radiantes (aqu la
emisin de luz). La relacin entre las recombinaciones radiantes y el total de
recombinaciones depende del material semiconductor utilizado (GaAs, GaAsP,y
GaP)
Dependiendo del material de que est hecho el LED, ser la emisin de la longitud
de onda y por ende el color.

El LED tiene un voltaje de operacin que va de 1.5 V a 2.2 voltios

aproximadamente y la gama de corrientes que debe circular por l est entre los
10 y 20 miliamperios (mA) en los diodos de color rojo y de entre los 20 y 40
miliamperios (mA) para los otros LEDs.
Aplicaciones tiene el diodo LED. Se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales,
como indicadoras de cierta situacin especfica de funcionamiento.

 Se utilizan para desplegar contadores

Para indicar la polaridad de una fuente de alimentacin de corriente
contina.
Para indicar la actividad de una fuente de alimentacin de corriente alterna.
En dispositivos de alarma, etc.

DIODO RECTIFICADOR
En P.D. conduce corriente. En P.I. no conduce.

FOTODIODO
Opuesto al anterior. En P.I. absorbe luz detectada y conduce corriente

DIODO IDEAL

Antes de examinar la construccin y caractersticas de un dispositivo real,

consideremos primero un dispositivo ideal, para proporcionar una base
comparativa. El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que tiene el
smbolo y las caractersticas que se muestran en la figura 1a y 1b,
respectivamente.

(a)

(b)

Figura 1 Diodo ideal: (a) smbolo; (b) caracterstica.

En forma ideal, un diodo conducir corriente en la direccin definida por la flecha
en el smbolo y actuar como un circuito abierto para cualquier intento de
establecer corriente en la direccin opuesta. En esencia:
Las caractersticas de un diodo ideal son las de un interruptor que puede
conducir corriente en una sola direccin.
En la descripcin de los elementos que sigue, un aspecto muy importante es la
definicin de los smbolos literales, las polaridades de voltaje y las direcciones de
corriente. Si la polaridad del voltaje aplicado es consistente con la que se muestra
en la figura 1a, la parte de las caractersticas que se consideran en la figura 1b, se
encuentra a la derecha del eje vertical. Si se aplica un voltaje inverso, las
caractersticas a la izquierda son pertinentes. En el caso de que la corriente a
travs del diodo tenga la direccin que se indica en la figura 1a, la parte de las
caractersticas que se considerar se encuentra por encima del eje horizontal, en
tanto que invertir la direccin requerir el empleo de las caractersticas por debajo
del eje.
Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o
regin de operacin. Si consideramos la regin definida por la direccin de ID y la
polaridad de VD en la figura 1a (cuadrante superior derecho de la figura 1b),
encontraremos que el valor de la resistencia directa RF, de acuerdo a como se
define con la ley de Ohm es

(Corto circuito)

Donde VF es el voltaje de polarizacin directo a travs del diodo e IF es la

corriente en sentido directo a travs del diodo.
El diodo ideal, por consiguiente, es un corto circuito para la regin de
conduccin.
Si consideramos la regin del potencial aplicado negativamente (tercer cuadrante)
de la figura 1b,

(Circuito abierto)

Donde VR es el voltaje de polarizacin inverso a travs del diodo e IR es la

corriente inversa en el diodo.
El diodo ideal, en consecuencia, es un circuito abierto en la regin en la que
no hay conduccin.

En sntesis, se aplican las condiciones que se describen en la figura 2.

Figura 2 Estados (a) de conduccin y (b) de no conduccin del diodo ideal.

En general, es relativamente sencillo determinar si un diodo se encuentra en la

regin de conduccin o en la de no conduccin observando tan solo la direccin
de la corriente ID establecida por el voltaje aplicado. Para el flujo convencional
(opuesto al de los electrones), si la corriente resultante en el diodo tiene la misma
direccin que la de la flecha del mismo elemento, ste opera en la regin de
conduccin. Esto se representa en la figura 3a. Si la corriente resultante tiene la
direccin opuesta, como se muestra en la figura 3b, el circuito abierto equivalente
es el apropiado.

Figura 3 (a) Estado de conduccin y (b) de no conduccin del diodo ideal

determinados por la direccin de corriente de la red aplicada.
DIODO SEMICONDUCTOR
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales
deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o
Si.

Figura 4. Diodo semiconductor

REGIN DE AGOTAMIENTO

En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los
electrones y los huecos que estn en, o cerca de, la regin de "unin", se
combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como
mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de
iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de
Agotamiento por la ausencia de portadores.

Figura 5. Regin de agotamiento del diodo

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo:
No hay polarizacin (VD = 0 V).
Polarizacin directa (VD > 0 V).
Polarizacin inversa (VD < 0 V).
VD = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en
el material tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn
directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de
polarizacin aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier direccin es
cero para un diodo semiconductor.

I
+
E

Figura 6. Diodo en polarizacin directa.

La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material tipo

N y a los huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera
y reducir la anchura de la regin de agotamiento hasta desaparecerla cuando
VD
0.7 V para diodos de Silicio.
ID = Mayoritarios IS
Condicin de Polarizacin Inversa (VD < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de
iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N
aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el
potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos descubiertos
en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones inyectados por la
terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos.
El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P,
provocar que la regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer
una barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrn superar, esto
significa que la corriente ID del diodo ser cero.
Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la
regin de agotamiento no cambiar, creando por lo tanto la corriente IS.
La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se denomina
corriente de saturacin inversa, IS.

El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se
satura) en forma rpida y no cambia significativamente con el incremento en el
potencial de polarizacin inversa, hasta que al valor VZ o VPI, voltaje pico inverso.

I
+
E

Figura 7. Diodo en polarizacin inversa.

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar
en la regin Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal.
Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente
ms alto e intervalos de temperatura ms amplios que los diodos de germanio.

CURVA CARACTERSTICA (IDEAL, REAL Y APROXIMADA) DE UN DIODO.

La curva de un diodo semiconductor (o diodo real) se puede definir por la siguiente
ecuacin:

-------- K
-------TK = TC + 273 -----------------------------------------------

Ge
Si

Figura 8. Curva de un diodo de Ge vs diodo de Si.

Para un diodo de silicio la corriente de saturacin inversa IS aumentar cerca del
doble en magnitud por cada 10 C de incremento en la temperatura.
Debido a la forma que tiene la curva caracterstica del diodo, mostrada
anteriormente, y la forma compleja de la ecuacin, con frecuencia se utiliza un
modelo simplificado:

Figura 9. Curva simplificada del diodo

El modelo simplificado se puede utilizar siempre que la resistencia de la red y/o de

los dispositivos junto a los cuales se conectar el diodo sea mucho mayor que la
resistencia promedio del diodo rd, la cual se podra calcular como rd, en promedio,
la resistencia de un diodo de p
Red >> rd

CONCLUSION.

Se logro entender la funcin de los diodos y los transistores, sus

aplicaciones y tipos, adems se logro tener conocimiento de cmo fue
hecho los diodos y los transistores, y con qu motivo se crearon, se tiene
mejor entendimiento en sus respectivas aplicaciones.
Los componentes electrnicos han venido evolucionando a travs del
tiempo que cada da, ms pequeos y complejos son los circuitos
elctricos, esto se debe a que los componentes son elaborados con la
finalidad de realizar diversas tareas dentro del circuito en el caso de los
circuitos integrados su desarrollo ha revolucionado los campos de las
comunicaciones, la gestin de la informacin y la informtica.
Hemos observado que los diodos son elementos importantes en la
electrnica, que para su comprensin hay que estar al tanto de ciertos
conocimientos relativos a su funcionamiento y comportamiento.
Los diodos son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos
aspectos con el propsito de resolver algn problema.

REFERENCIAS

Gibilisco Stan; Sclater Neil Electronica diccionario enciclopdicoEd. Mc

Graw-Hill. Mexico 1994
http://www.areaelectronica.com/semiconductores-comunes/diodos.htm
(Consultado mayo 18/2010)
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/default.htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
http://es.scribd.com/doc/2521898/transistor?ref=nf