UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA

FACULTAD DE INGENIERIAS
INGENIERIA ELECTRICA

LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALOGICA I

ALUMNOS:
FECHA:

JONATHAN PEDREROS SANCHEZ

FRANCISCO ILLESCAS

Viernes, 26 de Junio del 2009

PRACTICA # 11

1. TEMA:
TRANSISTOR EN CONMUTACION
2. OBJETIVOS:
Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de los siguientes
circuitos de polarizacin:
1. Polarizacin con Divisor de Tensin.
2. Polarizacin con Resistencia en el Emisor.
3. Polarizacin para colector comn.
3. SUSTENTO TERICO.Transistor Bipolar BJT
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus
siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de
la corriente a travs de sus terminales. Los transistores bipolares se
usan generalmente en electrnica analgica. Tambin en algunas
aplicaciones de electrnica digital como la tecnologa TTL o BICMOS. Un
transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo
cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta
forma quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente

dopada, comportndose como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del
colector.
Colector, de extensin mucho mayor.

Smbolo:
PNP).

Tipos de transistores
Funcionamiento del Transistor:
En el Transistor, el emisor es el encargado de inyectar electrones en la
base, la cual se encarga de gobernar dichos electrones y mandarlos
finalmente al colector.
La fabricacin del transistor se realiza de forma que la base es la zona
ms pequea, despus el emisor, siendo el colector el ms grande en
tamao.
Recta de carga de un transistor:
Esta es la recta que refleja todos los posibles puntos de funcionamiento
que pueden darse para unos valores determinados de Rc y tensin de
alimentacin. Esta recta se debe de hacer sobre las curvas
caractersticas de un transistor, tomando como un punto P1 una
intensidad de colector que debe de ser por debajo de la mnima y como
un punto P2, una tensin de alimentacin.
Si nos situamos en un punto alto de esta recta estamos cerca de la
Intensidad mxima de colector, lo cual crea una situacin de saturacin.
Si nos situamos en un punto demasiado bajo de esta recta, estamos ms
cerca de la Vce mxima, con la cual se crea un situacin de Corte.
Punto de trabajo de un transistor:
Llamamos punto de trabajo a un punto de la recta de carga que
determine el valor de la tensin colector-emisor y de las corrientes de
colector y de base.
Regiones operativas del transistor:

--Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando: IC = IE = 0. En

este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando,
no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
--Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: I C = IE = I
mxima. En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector
o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector
veces ms grande. (Recordar que Ic = * Ib)
--Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de
saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin
intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector
(Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del
fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el
colector y emisor). Esta regin es la mas importante si lo que se
desea es utilizar el transistor como un amplificador.

Circuitos de Polarizacin del transistor:

La tarea de estos polarizadores no es otra que la de hacer que a las
distintas patas del transistor le lleguen diferentes tensiones, pero a
partir de una nica fuente de alimentacin, intentando, adems, hacer
que el parmetro sea lo ms estable posible, es decir, que no vare con
los diversos factores externos que pueden llegar a alterar al mismo. En
la figura podemos ver varias de las configuraciones para polarizar al
transistor:

A) Polarizacin con Divisor de Tensin.

B) Polarizacin con 1 Fuente.
C) Polarizacin con Realimentacin de Emisor.
D) Autopolarizacin.
4. DESARROLLO DE LA PRCTICA.POLARIZACION POR PARTIDOR DE TENSION.-

DATOS:
* +VCC =12V
* IC = 40mA
* HFE = 200
* Veq = 6V

-Clculos:
IB

IC
40mA

0.2mA
HFE
200

Veq
VCC

6v
0 .5
12v

RC

VCC VCE 12v 6v

150
IC
40mA

Req

R1 * R2
R1 *
R1 R2

Req
R1

Veq VBE

Req

IB

6 v 0 .7 v
26.5k
0.2mA

26.5k
53k R2
0.5

I B max

Veq
Req

6v
0.226mA
26.5k

I C max

VCC
12v

80mA
RC 150

VCE max VCC 12v

VBE max Veq 6v

-Mediciones:
VALORES MEDIDOS
12.02 V
6.1 V
0.72 V
40.6 mA
0.18 mA

+VCC
VCE
VBE
IC
IB

I CMAX

12.02
80.2mA
150

POLARIZACION POR PARTIDOR DE TENCION Y RE.-

R1
1k

R2
1k

V Rc
3v

300
Ic
10mA
I E RE

Rc
V RE

V RE IcRE
Q1
NPN

R3
1k

R4
1k

+ V1
12V

V RE
3v

300
Ic
10mA
Ic
10
Ib

* 10 0.555mA
180
RE

V VBE
Ib TH
RTH R
VTH VBE
Ib
V
V
R TH BE
Ib
Ib
V
V
TH BE R
Ib
Ib
V
0.7
TH
54k
0.555
0.555
1.79 55.259k

RTH R
RTH
RTH
RTH
RTH

R2
si VTH
R1 R2
R * R2
RTH 1
R1 R2
RTH

* Vcc

1.79 * R2 * Vcc
55.259k
R1 R2

si R1 1k
R2 1

21.588 R2
55.259k
1k R2

R2 1 21.588 R2 2.588 55.26k

R2 1.8k

POLARIZACION PARA COLECTOR COMUN.Vcc VCE I E R E

RE

R6
1k

Vcc VCE 12 6

600
IE
10

Ic
10
* 10
* 10 0.555mA

180
Vcc V RB V BE V RE
Ib

+ V4
12V

Q4
NPN

V RB Vcc V BE V RE
V RB 12 0.7 6 5.3v
Rb

R7
1k

+VCC
VCE
VBE
RE
RB
5. MATERIALES Y EQUIPOS.

Protoboard

V RB
5.3v

10k
Ib
0.55

VALORES MEDIDOS
12.05 V
0.69 V
0.72 V
7.15V
16.4mV

Resistencias
Transistores
Cable multpar
Multmetro
Fuente Dc

6. SIMULACIONES.Las simulaciones fueron realizadas en Circuitmaker:

Partidor de tensin:

R12
53k

11.15 V
DC V

2.916 V
DC V

R11
150

9.084 V
DC V
Q3
NPN
851.0mV
DC V
R10
53k

Partidor de tensin con RE:

+ V3
12V

R1
1k

5.017 V
DC V

5.789 V
DC V

R2
300

80.50mV
DC V
+ V1
12V

Q1
NPN
853.1mV
DC V

R3
1.8k

6.130 V
DC V

R4
300

Polarizacin colector comn:

R8
10k

1.580 V
DC V

2.425 V
DC V
+ V2
12V

Q2
NPN
845.6mV
DC V
R5
600

9.575 V
DC V

CONCLUSIONES.In all the polarizations we should have the following considerations; the
issuing union should be polarized directly and the union collector should
be polarized inversely.
For example, in a transistor NPN, we will have two batteries, one will
have connected to their positive pole the collector N of the transistor
and the other one will have connected to their negative pole the issuing

N of the transistor, being this way polarized the transistor, circulating

this way a current from the originator to the base and of this to the
collector, a small base Intensity also circulates, which is very small
compared with the collector intensity that can take in the almost
identical practice to the originator intensity, although the originator
intensity is similar to the collector intensity more the base intensity.
BIBLIOGRAFIA.

Boylestad, Robert L. y Nashelsky. Louis Electrnica: teora de

circuitos y dispositivos electrnicos, 8 ed.
Capitulo 5
POLARIZACION DEL TRANSISTOR.

http://www.unicrom.com/Transistor BJT.asp.