Universidad Autnoma Del Carmen

Des ingeniera y tecnologa

DAIT

Alumno: Francisco Javier Alejo Chan

Matricula: 090024

Carrera: Ingeniera Mecatrnica

Materia: Dispositivos elctricos

Profesor: Dr. Manuel May Alarcn

HORARIO DE CLASES:
Lunes-Mircoles 11:00 am - 1:00 pm

03/09/14

Introduccin
En este resumen tratara de explicar los materiales con que son fabricados los
diodos y como es que estos materiales funcionan, adems de sus caractersticas
atmicas. Tambin incluir el diodo semiconductor y como acta internamente, as
como la corriente y voltaje.

1.5 Material tipo p y tipo n

Un material extrnseco es un material semiconductor que se ha sujetado a un
proceso de dopaje.
Material tipo n
El material tipo n se crea al introducir elementos impuros que cuentan con cinco
electrones de valencia (pentavalentes) como es el caso del antimonio, el arsnico
o el fsforo.
El electrn sobrante, que tiene un enlace dbil con su tomo (el antimonio), se
encuentra relativamente libre para moverse dentro del material tipo n recin
formado.
Las impurezas difundidas que cuentan con cinco electrones de valencia se
denominan tomos donores.

Es importante distinguir que aunque se ha establecido un gran nmero de

portadores libres en el material de tipo n, ste permanece con carga elctrica
neutral.
A temperatura ambiente, existir un nmero mayor de portadores (electrones) en
el nivel de conduccin por lo que la conductividad del material se incrementar de
forma significativa.
A temperatura ambiente en un material intrnseco como el Si existe cerca de un
electrn libre por cada 10^12 tomos (1 a 10^9 para el caso del Ge).

Material tipo p
El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de
silicio con tomos de impureza que cuenten con tres electrones de valencia. Los
elementos que se utilizan de forma ms frecuente para este propsito son: el boro,
el galio y el indio.

La vacante resultante se llama hueco y se representa por medio de un crculo

pequeo o de un signo positivo que se debe a la ausencia de una carga negativa.
Las impurezas difundidas que cuentan con tres electrones de valencia se
denominan tomos aceptores.
El material resultante de tipo p es elctricamente neutro.

En un material de tipo n (figura 1.13a) el electrn se denomina portador

mayoritario y el hueco, portador minoritario.
Para el material tipo p, el nmero de huecos sobrepasa por mucho al nmero de
electrones como se muestra en la figura 1.13b. Por lo tanto:
En un material de tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electrn es el
portador minoritario.
Cuando el quinto electrn de un tomo donor abandona a su tomo, el tomo
restante adquiere una carga neta positiva.

1.6 Diodo semiconductor

En el momento en que los dos materiales se unan, los electrones y los huecos
en la regin de unin se combinarn, y como consecuencia se originar una
carencia de portadores en la regin cercana a la unin.
Esta regin de iones positivos y negativos descubiertos se denomina regin de
agotamiento debido a la disminucin de portadores en ella.
La aplicacin de un voltaje a travs de sus terminales ofrece tres posibilidades: sin
polarizacin (VD=0V), polarizacin directa(VD>0V), y polarizacin inversa
(VD<0V).

Sin aplicacin de polarizacin (VD=0V)

En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga en
cualquier direccin para un diodo semiconductor es cero.

Situacin de polarizacin inversa (VD < 0V)

Si se aplica un potencial externo de V volts a travs de la unin p-n de tal forma
que la terminal positiva se conecta al material tipo n y la terminal negativa al
material tipo p, el nmero de iones descubiertos positivos en la regin de
agotamiento del material tipo n se incrementar debido al gran nmero de
electrones libres atrados por el potencial positivo del voltaje aplicado.
El efecto neto ser, por lo tanto, un crecimiento del rea de agotamiento, con lo
cual tambin se establecer una barrera que detendr el paso de los portadores
mayoritarios, lo que da como resultado una reduccin a cero del flujo.

La corriente que se forma bajo una situacin de polarizacin inversa se denomina

corriente de saturacin inversa y se representa por Is
El trmino saturacin proviene del hecho de que alcanza rpidamente su mximo
nivel y de que no cambia de forma importante con incrementos del potencial de
polarizacin inversa.

Situacin de polarizacin directa

Se establece una situacin de polarizacin directa o de encendido cuando se
aplica un potencial positivo a un material tipo p y un potencial negativo a un
material tipo.

Un diodo semiconductor se encuentra en polarizacin directa cuando se establece

una asociacin tipo p con positivo y tipo n con negativo.

Caractersticas del diodo semiconductor

Es importante prestar atencin al cambio en la escala del eje vertical y el

horizontal.
Para valores positivos de ID la escala se encuentra en miliamperes y la escala
bajo el eje en microamperes (o posiblemente en nanoamperes). Para el caso de
VD, la escala para los valores positivos se encuentra en dcimos de volt y para los
valores negativos en decenas del mismo.
Regin Zener

Cuando la corriente se incrementa a un ritmo muy rpido con una direccin

opuesta a la que tiene la regin de voltaje positivo. El potencial de polarizacin
inversa que provoca este cambio dramtico de las caractersticas del diodo se
denomina potencial Zener y se le asignael smbolo VZ.
A pesar de que el mecanismo de ruptura Zener contribuye de manera importante
slo a bajos niveles de VZ, este cambio severo en la caracterstica en cualquier
nivel se denomina regin Zener
El potencial mximo de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de ingresar
en la regin
Zener se denomina voltaje pico inverso o como voltaje PRV.
Comparacin entre el silicio y el germanio
Los niveles de PIV para el caso del silicio se encuentran cercanos a 1000 V,
mientras que el valor mximo para el caso del germanio se encuentra alrededor de
400 V. El silicio puede utilizarse para aplicaciones en las cuales la temperatura
puede elevarse hasta 200C (400F), mientras que el germanio posee un nivel
mximo mucho menor (100C).

El potencial en el que inicia este crecimiento de la curva se denomina

comnmente como potencial de conduccin, de umbral o de disparo.

Efectos de la temperatura
La magnitud de la corriente de saturacin inversa Is se incrementar en una
proporcin doble por cada incremento de 10C en la temperatura.
Para el silicio, los valores tpicos de Is son mucho menores que para el germanio a
niveles de corriente y de potencia similares. Incluso a temperaturas altas, los
niveles de Is para los diodos de silicio, no llegan a alcanzar los elevados niveles
obtenidos del germanio, lo cual es una razn muy importante por la cual los
dispositivos de silicio disfrutan de un mayor nivel de desarrollo y de utilizacin en
el diseo. Fundamentalmente, a cualquier temperatura, se obtiene un equivalente
mejor de circuito abierto para la regin de polarizacin inversa mediante el silicio
en lugar del germanio.

Conclusin
La fabricacin del diodo utiliza dos tipos de materiales n y p respectivo, donde
cada material uno positivo y el otro negativo son puesto en contacto formando as
al diodo. Adems el diodo una vez hecho tiene diferente reaccin al conectarlo
directo, indirecto o no aplicarle voltaje. Cuando es directo acta como un Switch
cerrado y cuando es indirecto se comporta por abierto. Cuando no se aplica voltaje
obviamente el voltaje del diodo ser 0. De igual manera los materiales ms usados
para la fabricacin del diodo son el silicio y germanio cada uno con sus
propiedades un poco diferentes pero muy tiles debido a que pueden ser dopados
mejor que otros materiales.