ELECTRNICA ANALGICA I

LABORATORIO No. 3
AMPLIFICADOR CON TRANSITOR EN EMISOR COMN
OBJETIVO:
Estudio de las caractersticas del amplificador en emisor comn.
FUNDAMENTO TEORICO:
Esta configuracin se caracteriza por amplificar tensin y corriente. En
frecuencias medias el desfasaje en la salida respecto a la entrada es 180.
En el siguiente esquema se observa esta configuracin:
VCC

R1

RC
+

C2

C1

1kHz

RL
R2

Vg

RE

CE

R1, R2, RC y RE fijan el punto de operacin en la zona activa directa.

C1 y C2 son condensadores de acoplo. Evitan que vare el punto de operacin
al conectar la seal de entrada y la carga, respectivamente. Adems, sus
reactancias deben ser pequeas de manera que puedan considerarse como
cortocircuitos en las frecuencias de operacin.
CE es la capacidad de bypass o desacoplo de emisor. Su misin es conectar,
para seal, el emisor a la referencia para evitar que disminuya la amplificacin.
Cuando el transistor funciona con pequea seal (vbe << V T), se comporta en
forma lineal y podemos representar al transistor como un cuadripolo y
analizarlo con este mtodo.
Como ejemplo, vemos un amplificador genrico representado por su esquema
simplificado con parmetros hbridos. Hallaremos las expresiones de:
a) La ganancia de tensin (Av)
b) La impedancia de entrada (Zi)
c) La impedancia de salida (Zo)

Rg

hi
+

+
RL

VL

Vg
hr V L

1 / ho

hf i
-

a) Obtencin de la ganancia de tensin: Av

Del circuito de entrada:

Vg

VL
Vg
hrVL

Rg

hi

Del circuito de salida:

VL

h f i RL //

1
ho

Reemplazando:
VL

hf

Vg

hrVL

Rg

RL //

hi

1
ho

Simplificando:
h f RL

VL
Vg

Av

Rg 1 ho RL hi
Dh hi ho h f hr

Donde:

RL Dh

Vg

b) Obtencin de la impedancia de entrada: Zi

Del circuito de entrada:

i Rg

hi

Vg

hr V L

Reemplazando VL:
i Rg

hi

Vg

hr

h f i RL //

1
ho

Finalmente:

Zi

Vg
i

Rg

hi

c) Obtencin de la impedancia de salida: Z o

Esquema para hallar Zo:

hr h f RL //

V
I

Vg 0

1
ho

Rg

hi

+
i

+
V
hr V

1 / ho
hf i
-

Tenemos:

hoV

Adems:

hrV
Rg hi

hf i

Reemplazando i:
I

hoV

hf

hrV
R g hi

Yo

1
Zo

ho

hr h f
Rg

hi

Estas expresiones son vlidas para cualquier configuracin del transistor

MATERIAL Y EQUIPO:
01 Transistor 2N2222 2N3904
02 Resistores de 1K, 0.5W
01 Resistor de 5.6K, 0.5W
01 Resistor de 10K, 0.5W
01 Resistor de 15K, 0.5W
01 Resistor de 91K, 0.5W
01 Resistor de 100K, 0.5W
02 Condensadores electrolticos de 10F, 16V
01 Condensador electroltico de 100F, 16V

01 Potencimetro de 1K
01 Osciloscopio
01 Generador de funciones
02 puntas de prueba
01 Multmetro
01 protoboard
Alambres de conexin

PROCEDIMIENTO:
1.- Ensamble el siguiente amplificador en emisor comn:

+ 12V

Ii
1K

5.6K

91K

10uF
2N3904 / 2N2222

10uF

+
1K

10K

+
Vi
-

Vg

15K

VL
-

1K

100uF

2.- Verifique las conexiones, ajuste la fuente 12VDC y conctela al circuito.

3.- Con el multmetro, mida la tensin DC en el colector (VC), emisor (VE) y
base (VB), respecto a la referencia. Desconecte la seal.
4.- Usando el osciloscopio, ponga la tensin del generador al mnimo y ajuste la
seal de entrada (Vi) 10mVpico, con frecuencia de 1KHz.
5.- Usando el osciloscopio, mida el voltaje de seal de salida, VL
Desconecte la resistencia de carga, RL, y mida nuevamente el voltaje de
seal de salida,
6.- Conecte nuevamente RL y mida la relacin de fase entre Vin y VL usando los
dos canales del osciloscopio.
7.- Vare la frecuencia del generador y llene la siguiente tabla, con:

Vin = 10mVpico
f (Hz) 100 500
VL
(Vpico)

1K

5K 10K 15K 20K 30K 40K 50K 70K 100K

INFORME FINAL:
CURVAS DEL TRANSISTOR
1.- Entregue las mediciones realizadas
comparativo.(trabajo de laboratorio)

del

circuito

en

un cuadro
(10 puntos)

2.- Haga las simulaciones del circuito empleando el simulador CIRCUIT

MAKER, MULTISIM, PROTEUS, ORCAD (todas en versin Libre) o similar.
(Trabajo de casa)
( 5 puntos.)
3.- Adjunte observaciones y conclusiones de la experiencia realizada. (5puntos)