Capitulo 7

El IGBT
7.1 Smbolo y principio de funcionamiento
Qu es un IGBT?
El transistor bipolar de puerta aislada (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo
desarrollado a partir de la tecnologa de los transistores bipolares y los de efecto campo.

IGBT, hockey puck de Westcode mostrando celdas

Su aplicacin es principalmente para el control de velocidad de motores elctricos a travs de los
dispositivos llamados convertidores de potencia.
Dnde se les encuentra?
En los camiones se les encuentra en los Inversores (24 IGBTs) y Choppers (4 IGBTs) de los
930E-4.

Dispositivo IGBT con el mdulo de disparo y placa conectora de un camin 930-4

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El tipo de encapsulado que se encuentra en los camiones es similar a un bloque que en realidad
corresponde a varios IGBTs conectados en paralelo a dos barras.
Dos terminales Gate-Emitter (Puerta Emisor) se conectan al mdulo de disparo que se observa
en la foto de la izquierda mostrada arriba.
Todos los IGBTs del camin son iguales?
Si, la diferencia en los inversores y choppers es por la posicin en el circuito por lo que se
requiere una placa conectora distinta hacia las barras.

IGBT con el mdulo de disparo y placa conectora del segundo tipo

Cules son los terminales del IGBT?
Los terminales son designados tomando una combinacin de las designaciones de los transistores
bipolares y los de efecto campo.

Encapsulado de un IGBT simple y uno de sus smbolos

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El encapsulado de los IGBTs puede ser tambin del tipo Press Pack similar a los GTOs o
Tiristores de potencia.
Cmo es el funcionamiento de los IGBTs?
Los IGBTs se emplean como interruptores controlados es decir en corte o saturacin a
semejanza de los transistores bipolares.
Un circuito simple de aplicacin como el mostrado, permite apreciar la semejanza con la
conexin del transistor bipolar como interruptor, aunque el IGBT presenta caractersticas
peculiares que requieren considerarse en el mdulo de disparo.

IGBT controlando carga inductiva como interruptor

Se aprecian condensadores que representan capacidades como la del circuito GE, inevitable por
la estructura del dispositivo y la capacitancia GC llamada tambin capacitancia Miller de menor
efecto.
Cul es la funcin del diodo en paralelo con el IGBT?
Este diodo es denominado de regeneracin y es indispensable cuando los IGBTs operan con
carga inductiva.
Permiten la circulacin de corriente en sentido inverso al que normalmente permiten los IGBTs.
Este diodo suele venir integrado dentro del encapsulado del IGBT como es el caso de los
empleados en el camin 930E-4.

IGBT con diodo de regeneracin

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El voltaje inverso que percibe el IGBT es el del diodo de potencia en conduccin evitando su
deterioro.
Cmo est constituido internamente el IGBT?
Los IGBTs estn construidos con gran cantidad de chips conectados en paralelo, en la siguiente
figura se aprecian los diversos IGBTs y el diodo de potencia incorporado.

IGBT FZ800R33KF1 de EUPEC

Toda la estructura debe conectarse a un disipador de evitar el deterioro del dispositivo por exceso
de temperatura en las junturas.
Qu significa juntura?
Son las uniones de los diferentes materiales semiconductores. En el esquema de capas del IGBT
se observa que est constituido por materiales mas dopados que otros (n+, p+).
Este tipo de dopado como en los diodos de potencia permite al dispositivo soportar mayores
voltajes CE.

Estructura de capas y circuito equivalente del IGBT

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Cmo funciona el circuito equivalente?

La estructura representa el transistor MOSFET del circuito de gate que es gobernado por voltaje
y el transistor PNP del circuito CE con sus bajas prdidas en conduccin.
El transistor parsito representa una caracterstica parsita responsable de la condicin latching
(caracterstica de basculador o biestable) del IGBT.

IGBT de 3300V y 1200A

Cmo es un circuito de disparo para un IGBT?
El IGBT debe cesar de conducir al dejarse de aplicar voltaje positivo en el circuito de disparo.

Circuito de disparo del IGBT

Sin embargo se aplica un voltaje negativo al circuito de gate para mejorar la inmunidad del
IGBT a las variaciones rpidas de voltaje CE (dv/dt) producidas por ruido o perturbaciones de la
red y reducir las prdidas durante el apagado.
Para un funcionamiento eficiente debe alimentarse el circuito de gate con +15V para asegurar
una saturacin completa y una limitada corriente de cortocircuito.

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Es igual de complejo el circuito de disparo de un IGBT que el de un GTO?

No, es mucho ms simple y tiene las siguientes caractersticas:
a) Requiere menos energa por lo que la fuente de alimentacin es ms pequea. La
tecnologa MOSFET del IGBT no requiere mayor consumo de energa.
b) El mdulo de disparo tiene dos entradas: la de alimentacin y la fibra ptica con las
seales de control y feedback

Circuito del mdulo de disparo del IGBT, camin 930E-4

Los cables sealados con las flechas corresponden a la fibra ptica y a la conexin con el IGBT.

Modulo de disparo o fase, camin 930E-3

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7.2 Curva caracterstica

Qu nos indica la curva caracterstica del IGBT?
La curva es bastante parecida a la del transistor bipolar, recurdese que cuando se opera como
interruptor el IGBT oscila entre el estado de corte y saturacin.

Caracterstica de salida (IC VCE ) y de transferencia (IC VGE ) de un IGBT

Notamos que el IGBT tiene un limitado voltaje CE y que el modelo hbrido con diodo en
antiparalelo tiene un menor voltaje inverso.
Adems se observa tambin la relacin lineal entre corriente de colector y voltaje CE.
7.3 Caractersticas tcnicas
Cules son las caractersticas tcnicas del IGBT?
Si observamos las caractersticas bsicas para un IGBT comercial encontraremos que son solo
dos: el voltaje CE y la corriente colector.

Esquema de conexiones del IGBT BSM 100 GAL 120 DN2

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Caractersticas tcnicas bsicas de un IGBT

Tambin existen otras caractersticas importantes para la seleccin:
a) Maximun ratings
b) Static characteristics
c) AC characteristics
d) Switching characteristics
e) Free-wheel diode
f) Chopper diode
7.4 Prueba del IGBT
Cmo se prueba un IGBT del camin?
La prueba con un multimetro digital del IGBT del camin se hace con la escala de
semiconductores.

Prueba del IGBT con multimetro

No debe superarse los 20V aplicados entre CE, lo que es imposible con un DMM pero si con un
Meghmetro que no debe emplearse nunca.
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Si colocamos los terminales del DMM como se indican debern obtenerse los resultados de la
tabla.
COLECTOR
+ Positivo
-Negativo

EMISOR
-Negativo
+Positivo

RESULTADO
OL
0,3V-0,8V

Como distingo los terminales del IGBT?

Los terminales estn marcados sobre el mismo IGBT. La posicin de los terminales sobre la
placa conectora para los dos tipos de mdulo del camin son mostrados a continuacin.

Terminales emisor a los extremos, dos de colector al medio

Terminales emisor sobre la placa blanca y de colector en el extremo derecho

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Debe tomarse alguna precaucin con la medicin?

Si, debe evitarse hacer contacto con los dedos los terminales del IGBT pues cargas estticas
pueden daar la estructura del dispositivo.
En el caso del camin este problema desaparece estando sobre la estructura metlica del
vehculo, pero de todas maneras debe evitarse el contacto.
En taller deber emplearse alfombras y pulseras antiestticas para proceder a la manipulacin.

Advertencia de no tocar para el mdulo IGBT

Cul es la falla mas comn en los IGBTs?
La ms comn es el cruce de Colector-Emisor. En caso de que est abierto este circuito, no ser
posible detectarlo con multimetro.

Deficiencia de la prueba con multimetro

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Deber emplearse un mtodo que considere la desconexin de los circuitos de gate en

funcionamiento para comparar el resultado con el software.
Puede ocurrir que se cruce o abra el diodo de potencia regenerativo, estos casos son detectables
por el multimetro.
Es necesario emplear medios mas tcnicos para la evaluacin podra implementarse un circuito
donde se haga funcionar el dispositivo o emplear un probador especializado (ver Cap. 15).
Puede cambiarse solo el diodo de potencia que est en paralelo con el IGBT?
No, est integrado con el IGBT.
Por qu se observa un Led encendido cuando se retira uno de los cables de fibra ptica del
mdulo de disparo?
Al igual que con los mdulos de fase de los GTO, corresponde al feedback para indicar al
procesador el buen funcionamiento del mdulo de disparo del IGBT (solo debe colocarse la
chapa en ON).

Cable de alimentacin del mdulo de disparo, camin 930E-4

Puede retirarse el conector de alimentacin del mdulo de disparo cuando est
funcionando el camin?
Si el camin est detenido y el motor encendido puede desconectarse la alimentacin de los
circuitos que deseamos observar su funcionamiento y confrontar con el software lo que estamos
provocando.
El otro caso con el camin en marcha es atpico para una prueba.

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Cul es el futuro despus de los IGBTs?

La tecnologa IGBT fue patentada en 1982 por Hans Beck y Carl Wheatley con el nombre de
Power Mosfet with an Anode Region.
La segunda generacin de IGBTs ha mejorado los problemas de latching pasando en el ao
2000 a ser el dispositivo mas usado en aplicaciones de electrnica de potencia.

Modulos de fase del camin 930E-4

Aun se est desarrollando la tecnologa ICGT pues estos dispositivos son una mejora de los
GTOs y pueden soportar mayores tensiones inversas as como manejar grandes intensidades de
corriente. Tienen por puntos dbiles el circuito de disparo necesario y componentes adicionales
para su buen funcionamiento.
Pensamos que la tendencia ser definitivamente en direccin hacia los IGBT o el desarrollo de
nuevos materiales en busca del interruptor perfecto.

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