Curso: Dispositivos Electronicos

Fecha: 02-09-2014
Sustentar las respuestas
1.- En un semiconductor extrnseco de tipo p la conduccin a bajas temperaturas se debe al
movimiento de:
a) Los electrones activados trmicamente.
b) Los huecos.
c) Los electrones y huecos.
d) No hay conduccin neta a bajas temperaturas.

2.- En un semiconductor intrnseco la conductividad est controlada por:

a) La movilidad y la temperatura.
b) La temperatura y la concentracin de dopante.
c) La temperatura, movilidad y la brecha o nivel prohibido, Eg.
d) La concentracin de dopante.
3.-Cual de los siguientes elementos permite obtener semiconductores de silicio tipo n,
donadores?
a) Fsforo, P.
b) Aluminio, Al.
c) Boro, B.
d) Germanio, Ge.
4.- En un semiconductor tipo n la conduccin a alta temperatura se debe a:
a) Electrones donadores.
b) Electrones donadores y electrones activados trmicamente.
c) Electrones donadores, huecos y electrones activados trmicamente.
d) Huecos y electrones activados trmicamente.
5. El campo elctrico acelera los electrones de un metal que estn situados en:
a) La banda de valencia.
b) La banda de conduccin.
c) Fuera del tomo.
d) Es independiente de la banda en la que estn situados.
6. La estructura electrnica de los semiconductores est formada por:
a) Dos bandas de energa con algunos estados superpuestos.
b) Dos bandas de energa, con electrones conductores en la de conduccin.
c) Bandas de valencia y conduccin, separadas por un intervalo prohibido de energa.
d) Bandas de valencia y conduccin coincidentes.
7. En los semiconductores, los agentes activos de conduccin son:
a) Los electrones de la banda de valencia.
b) Los huecos de la banda de valencia.
c) Los electrones de la banda de conduccin.

d) Electrones y huecos.
8. Un semiconductor que contiene elementos qumicos con la capa electrnica de valencia
diferente a la de los del semiconductor se denomina:
a) Extrnseco.
b) Intrnseco.
c) Dbilmente extrnseco.
d) No recibe ningn nombre especial.
9. Los parmetros que inciden en la conductividad de un semiconductor intrnseco son:
a) Temperatura, movilidad y diferencia energtica entre bandas.
b) Temperatura y movilidad.
c) Concentracin de portadores de carga libre.
d) Energa prohibida y concentracin de portadores de carga libre.
10. La concentracin de portadores de carga, en los semiconductores extrnsecos:
a) Disminuye en el rango de bajas temperaturas por actuar la agitacin trmica de la red
cristalina.
b) Disminuye a altas temperaturas al disminuir la movilidad.
c) Aumenta en el rango de bajas temperaturas por actuar los dopantes como promotores
del mecanismo conductor.
d) Ninguna es correcta ya que la concentracin de portadores de carga es independiente de la
temperatura en los extrnsecos.
11. La naturaleza del dopante incide en:
a) Aumento de la energa de la banda prohibida, disminuyendo la poblacin de portadores de
carga libre.
b) Disminucin de la energa de la banda de energa prohibida, aumentando la
concentracin de portadores libres.
c) El valor de la energa de ionizacin y por tanto en una mayor aptitud para suministrar
portadores de carga libre.
d) El mecanismo de conduccin, intrnseco o extrnseco.
12. La diferencia entre la estructura electrnica de un metal y un semiconductor radica en:
a) La diferencia de poblacin electrnica en la banda de conduccin.
b) La inexistencia de una banda de energa prohibida en el metal separando las bandas de
valencia y conduccin.
c) Un mayor valor de la energa prohibida en el semiconductor que en el metal.
d) La inexistencia de banda de valencia en los metales.
13.- Los electrones se ordenan en los slidos cristalinos metlicos en:
a) Orbitales atmicos de baja energa.
b) Bandas continuas de energa.
c) Orbitales atmicos separados.
d) Bandas de estados de energa muy prximos.