El transistor de efecto campo (Field-Efecto Transistor o FET, en ingls) es en realidad una

familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de

un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias
controladas por diferencia de potencial.

La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores
habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la regin activa o canal.
La regin activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de pelcula fina) es una pelcula
que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los
TFT es como pantallas de cristal lquido o LCD).

Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect
Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-InsulatorSemiconductor FET).

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La
puerta es la terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor). El transistor de
efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje
aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.

El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la
puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la
base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no
siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento
capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos.

As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son
tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva
en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente.
Los transistores de efecto de campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital,
y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

ndice [ocultar]
1 Historia
2 Tipo de transistores de efecto campo

3 Caractersticas
4 Enlaces externos
Historia[editar]
El transistor de efecto de campo fue patentado por Julius Edgar Lilienfeld en 1925 y por Oskar
Heil en 1934, pero los dispositivos semiconductores fueron desarrollados en la prctica mucho
despus, en 1947 en los Laboratorios Bell, cuando el efecto transistor pudo ser observado y
explicado. El equipo detrs de estos experimentos fue galardonado con el Premio Nobel de
Fsica. Desde 1953 se propuso su fabricacin por Van Nostrand (5 aos despus de los BJT).
Aunque su fabricacin no fue posible hasta mediados de los aos 80's ..

Tipo de transistores de efecto campo

Comparativa de las grficas de funcionamiento (curva de entrada o caracterstica I-V y curva de
salida) de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El
drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de
modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo
agotamiento. Los transistores de efecto de campo tambin son distinguidos por el mtodo de
aislamiento entre el canal y la puerta.

Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento entre el
canal y la puerta:

El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente

SiO2).
El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n
El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin PN del JFET con
una barrera Schottky.
En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET (heterostructure
FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo
del transistor.
Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son
comnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V.
Aun as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones
drenaje-fuente de 1 a 200V.

Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra rpida del
transistor.por eso tenemos lareferencia
Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando una puerta
fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales
. La caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o del silicio
policristalino.

Caractersticas:
Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).
No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
Hasta cierto punto es inmune a la radiacin.
Es menos ruidoso.
Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.

Aplicaciones de los Transistores

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:
Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)
Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia)
Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin
conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM)
Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)
Los transistores de unin (uno de los tipos ms bsicos) tienen 3 terminales llamados Base,
Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar
distribuidos de varias formas.
DIAGRAMAS DE ENCAPSULADOS DE TRANSISTORES

Diferencias entre el JFET y el BJT

BJT
Controlado por corriente de base.
Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones.
IC es una funcin de IB.
(beta factor de amplificacin)
Altas ganancias de corriente y voltaje.
Relacin lineal entre Ib e Ic.

JFET
Controlado por tensin entre puerta y fuente.
Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p) electrones (canal
n).
ID es una funcin de Vgs.
gm (factor de transconductancia).
Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los BJT.
Relacin cuadrtica entre Vgs e Id.