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SCR
1.- Introduccin
Definicin: El tiristor (SCR,
SCR Silicon Controlled
Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio),
es un dispositivo semiconductor biestable
formado por tres uniones PN con la
disposicin PNPN. Est formado por tres
terminales, llamados Anodo,
Anodo Ctodo y
Puerta.
Puerta El instante de conmutacin, puede
ser controlado con toda precisin actuando
sobre el terminal de puerta. Es un elemento
unidireccional, conmutador casi ideal,
rectificador y amplificador a la vez.
vez
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IA
a
0
VAK
a) VAK positiva.
positiva El dispositivo se comporta
como un circuito abierto.
b) VAK positiva.
positiva El elemento est en estado
de conduccin.
c) VAK negativa.
negativa El dispositivo equivale a un
circuito abierto.
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VDWM =
VDRM
VRRM
VT
IT
Intensidad de trabajo
IH
Intensidad de mantenimiento
IDRM
IRRM
IL
Intensidad de enganche
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.2.- Estructura
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I A IS1 IS3 IS e qv kt 1 IS
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I 2 IS2 2 I A 1 (I K )
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I 2 I A I K
y sustituyendo:
I A IS2 1I A 2 I A
de donde:
IS2
IA
1 1 2
El transistor formado por la capas P1N1P2 se
encuentra en bloqueo directo, por lo que se
coporta como un cto abierto, puesto que el
valor de IA es muy pequeo. Esto supone que
1 + 2 << 1 con lo que la expresin anterior
se reduce a:
I A IS2
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I C I E I CO
I B 1 I E I CO
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obtenemos
las
I B1 1 1 I A I CO1
I C2 2 I K I CO2
Finalmente obtenemos: (teniento en cuenta:
IB1 = IC2)
IK IA IG
2 I G I CO1 I CO2
IA
1 1 2
Cuando ( 1+ 2) se aproxima a 1, la
divisin tiende a , por lo que IA tiende a
aumentar
sin
lmite,
pasando
el
dispositivo al estado ON.
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VDRM
Tensin de pico repetitivo en bloqueo
directo. (Repetitive peak off-state voltage).
VDSM
Tensin de pico no repetitivo en
bloqueo directo. (Non -repetitive peak off state voltage).
VDWM
Tensin mxima directa en estado de
trabajo. (Crest working off - state voltage).
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VRRM
Tensin inversa de pico repetitivo.
(Repetitive peak reverse voltage).
VRSM
Tensin inversa de pico no repetitivo.
(Non - repetitive peak reverse voltage).
VRWM
Tensin inversa mxima de trabajo.
(Crest working reverse voltage).
VT
Tensin en extremos del tiristor en
estado de conduccin. (Forward on - state
voltage).
VD
Tensin en extremos del tiristor en
estado de bloqueo directo. (Continuous off state voltage).
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VR
Cada de tensin inversa en extremos
del tiristor. (Reverse off - state voltage).
VGT
Tensin de disparo de puerta. (Tensin de encendido). (Gate voltage to trigger).
VGNT
Tensin de puerta que no provoca el
disparo. (Non - triggering gate voltage).
VRGM
Tensin inversa de puerta mxima.
(Peak reverse gate voltage).
VBR
Tensin
voltage).
de
ruptura.
(Breakdown
IT(AV)
Corriente media. (Average on - state
current).
IT(RMS)
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Intensidad directa eficaz. (R.M.S.
on
state current).
ITSM
Corriente directa de pico no repetitiva.
(Peak one cycle surge on - state current).
ITRM
Corriente directa de pico repetitivo.
(Repetitive peak on - state current).
IRRM
Corriente inversa mxima repetitiva.
(Corriente inversa). (Reverse current).
IL
Corriente de enganche. (Latching
current).
IH
Corriente de mantenimiento. (Holding
current).
IDRM
Corriente directa en
bloqueo. (Off - state current).
estado
de
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IGT
Corriente de disparo de puerta. (Gate
current to trigger).
IGNT
Corriente de puerta que no provoca el
disparo. (Non-triggering gate current).
ITC
Corriente controlable de nodo.
(Controllable anode current). (Para el caso de
tiristores GTO).
I2 t
Valor lmite para proteccin contra
sobreintensidades.
(I2t
Limit
value).
Capacidad de soportar un exceso de
corriente durante un tiempo inferior a
medio ciclo.
ciclo Permite calcular el tipo de
proteccin. Debemos elegir un valor de I2t
para el fusible de forma que:
I t (fusible) I t (tiristor)
2
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PGAV
Potencia media disipable en la puerta.
(Average gate power dissipation).
PGM
Potencia de pico disipada en la puerta.
(Peak gate power dissipation).
Ptot
Potencia total disipada. (Full power
dissipation).
Tstg
Temperatura
de
almacenamiento.
(Storage temperature range).
Tj
Temperatura de la unin. (Juntion
temperature).
Rth j-mb ; Rj-c; R JC
Resistencia
trmica
unin
contenedor. (Thermal resistance, Junction to
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ambient).
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tgt; ton
Tiempo de paso a conduccin. (Gate controlled turn on time).
tq; toff
Tiempo de bloqueo,
commutated turn - off time).
(Circuit
di/dt
Valor mnimo de la pendiente de la
intensidad por debajo del cual no se
producen puntos calientes.
dv/dt
Valor mnimo de la pendiente de
tensin por debajo del cual no se produce el
cebado sin seal de puerta.
(dv/dt)C
Valor mnimo de la pendiente de
tensin por debajo del cual no se produce el
nuevo cebado del SCR cuando pasa de
conduccin a corte.
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Caractersticas:
(pequea seal de
puerta produce gran seal A K).
Fcil controlabilidad.
Caractersticas en funcin
de situaciones
pasadas (Memoria).
grandes poten-
cias.
Relativa rapidez.
Caractersticas estticas:
Las caractersticas estticas corresponden a
la regin nodo - ctodo y son los valores
mximos que colocan al elemento en en
lmite de sus posibilidades: VRWM, VDRM, VT,
ITAV, ITRMS, IFD, IR, Tj, IH.
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Caractersticas de control:
Determinan la naturaleza del cto de mando
que mejor responde a las condiciones de
disparo.
Para la regin puerta - ctodo los fabricantes
definen
entre
otras
las
siguientes
caractersticas: VGFM, VGRM, IGM, PGM, PGAV, VGT,
VGNT, IGT, IGNT
Entre los anteriores destacan:
VGT e IGT que determinan
V
condiciones
de
encendido
dispositivo semiconductor.
las
del
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PMAX V I
Para el punto A,
A tenemos:
PG(AV)
PGM
0.5
0.1
5
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Caractersticas dinmicas:
Tensiones Transitorias
Son valores de tensin que van
superpuestos a la seal sinusoidal de la
fuente de alimentacin.
alimentacin Son de escasa
duracin,
duracin pero de amplitud considerable.
considerable
Ejemplo 1:
Si tenemos una fuente de alimentacin de
220V de tensin eficaz, con picos de
tensin de, 220 2 311V
determinar las caractersticas mnimas de
disparo que debe reunir el tiristor.
Para disponer de un margen de seguridad del
50%, elegimos un tiristor que se dispare con
una tensin superior a 311V 1.5 = 470V.
Elegiramos un tiristor con un valor de VDRM >
470V y VDSM >>> VDRM
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Impulsos de Corriente
El fabricante proporciona curvas que dan la
cantidad de ciclos durante los que se pueden
tolerar determinados valores de corriente de
pico. El comienzo de la curva representa el
valor de pico de una corriente senoidal, para
la cual el semiciclo tiene una duracin de 10
ms. Cuanto mayor sea el valor del impulso
de corriente, menor ser la cantidad de
ciclos durante los cuales podr admitirse
este valor.
valor
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Angulo de Conduccin
La corriente y la tensin media de un tiristor
variarn en funcin del instante en el que
se produzca el disparo,
disparo es decir, todo va a
depender del ngulo de conduccin.
conduccin La
potencia entregada y la potencia consumida
por el dispositivo, tambin dependern de l:
cuanto mayor sea ste, mayor potencia
tendremos a la salida del tiristor
Ejemplo 2:
El cto de la figura representa un control
simple de potencia con carga resistiva,
calcular:
1.- Tensin de pico en la carga.
2.- Corriente de pico en la carga.
3.- Tensin media en la carga.
4.- Corriente media en la carga.
5.- Realizar un estudio mediante PsPice,
obteniendo las formas de onda para un
ngulo de conduccin = 60. Comprobar
que los apartados calculados en el
ejercicio, coinciden con las simulaciones.
Datos: Ve (RMS) = 120V f = 50Hz = 60
RL = 10
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1.2.3.4.-
Vp(carga)
RL
169.7
16.97V
10
169.7
Vmed
1 cos60 40.5V
2
I mx
I med
1 cos 4.051A
2
5.-
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Caractersticas de conmutacin:
Los tiristores necesitan un tiempo para pasar
de bloqueo a conduccin y viceversa.
viceversa Para
frecuencias inferiores a 400Hz podemos
ignorar estos efectos. En la mayoria de las
aplicaciones se requiere una conmutacin
ms rpida, por lo que ste tiempo debe
tenerse en cuenta.
A.- Tiempo de Encendido (tON)
El tiempo de encendido (paso de corte a
conduccin) tON, lo dividimos en dos partes:
A1.- Tiempo de retardo.
retardo (td)
A2.- Tiempo de subida.
subida (tr)
A1.- TIEMPO DE RETARDO O PRECONDICIONAMIENTO
Es el que trascurre desde que el flanco de
ataque de la corriente de puerta alcanza el
50% de su valor final, hasta que IA alcanza el
10% de su valor mximo para una
carga
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resistiva.
El
tiempo de retardo depende de la
corriente de mando, de la tensin nodo ctodo y de la temperatura (td disminuye si
estas magnitudes aumentan).
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B1.TIEMPO
INVERSA
DE
RECUPERACION
t off t rr t gr
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Caractersticas trmicas:
Dependiendo de las condiciones de trabajo
de un tiristor, ste disipa una cantidad de
energa que produce un aumento de la
temperatura en las uniones del semiconductor. Este aumento de la temperatura
provoca un aumento de la corriente de fugas,
que a su vez provoca un aumento de la
temperatura, creando un fenmeno de
acumulacin de calor que debe ser evitado.
Para ello se colocan disipadores de calor.
6.- Mtodos de disparo:
Para que se produzca el cebado de un tiristor,
la unin nodo - ctodo debe estar
polarizada en directo y la seal de mando
debe permanecer un tiempo suficientemente largo como para permitir que el tiristor
alcance un valor de corriente de nodo mayor
que IL, corriente necesaria para permitir que
el SCR comience a conducir.
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VFG
R
I FG
Debemos tener en cuenta tambin que
existe un nivel mnimo por debajo del cual
el disparo resulta inseguro.
inseguro
Ejemplo 3:
Dado un cto simple de control de potencia
que utiliza un tiristor como elemento de
control de una carga resistiva.
1.- Determinar el valor de Vcc, necesario
para producir el disparo del tiristor.
2.- Suponiendo que se abre el interruptor,
una vez disparado el tiristor, calcular el
valor mnimo de tensin (Ve) que provoca
el apagado del mismo.
Datos: VE = 300V; R = 500;
SCR: VH = 2V IH = 100mA
IG = 10mA
RL = 20;
VG = 0.75V
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1.2.-
Vcc VG R I G 5.75V
Ve VH
IL
14.94A
RL
Ve I H R L VH 4V
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Corte
Anular la tensin que tenemos aplicada
entre nodo y ctodo.
Incrementar la resistencia de carga
hasta que la corriente de nodo sea
inferior a la corriente de mantenimiento
(IH), o forzar a que IA < IH.
8.- Limitaciones del tiristor
Las ms importantes son debidas a:
8.1.- Frecuencia de funcionamiento.
8.2.- Pendiente de tensin (dV/dt).
8.3.- Pendiente de intensidad (dI/dt).
8.4.- Temperatura.
8.1.- Frecuencia de funcionamiento
No podemos superar ciertos valores de
frecuencia, que vendrn impuestos por la
propia duracin del proceso de apertura y
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cierre del dispositivo.
indeseado
del
tiristor,
anteriormente
bloqueado, en ausencia de seal de puerta.
Este fenmeno se debe a la capacidad
interna del tiristor que se carga con una
corriente i = C(dV/dt) la cual, si dV/dt es
grande, puede ser suficiente para provocar el
cebado.
Causas:
a.-) Alimentacion principal.
b.-) Los contactores existentes entre la
fuente de alimentacin y el equipo.
c.-) La conmutacin de otros tiristores
cercanos.
Efectos:
Si se aplica una elevada dV/dt al dispositivo,
se puede producir el disparo indeseado del
mismo, sin aplicar una seal en la puerta.
Este lmite lo podemos observar en la figura:
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Protecciones:
El diseo de las redes de proteccin
depender en una gran medida de los lmites
de los semiconductores, as como de los
fenmenos permanentes y transitorios a los
que estn sometidos.
Debemos
adoptar
soluciones
de
compromiso,
compromiso puesto que con la mejora de
la relacin dV/dt se tiende a producir un
aumento de la dificultad para producir el
cebado del dispositivo electrnico.
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VAK V 1 e
R AK
L
dVAK
R AK
(mx)
V
dt
L
Conforme aumentamos el valor de la inductancia, disminuimos el valor de
dVAK/dt.
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VS mx 311V
I C (0)
15.55A
RL
20
Como:
dV
IC C
dt
15.55A
C
0.311F
50V / s
311V
R
103.6 100
3A
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0.63 VDRM
dV
dt
min
siendo:
VDRM
=
=
Constante de tiempo
Tensin directa de pico
repetitivo.
C
RL
VAmx
R
I TSM I L K
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donde:
VAmx
IL
K
=
=
=
cuando
se
produce
la
descarga
instantnea del condensador al inicio de la
conduccin.
La misin de la resistencia calculada es
proteger al SCR
R min
VAmx
dI
C
dt
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V t VP senwt
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dV
dt
f
2 VAmx
El valor de dV/dt es el mximo valor en
estado de conduccin especificado por el
fabricante.
fabricante
Basndonos en la ecuacin de definicin de
la frecuencia de resonancia,
resonancia y una vez
conocido el valor de la frecuencia
1
2 L C
1
C
2
2 f L
L
R
C
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V
L
I A 1 e
R
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V
dI A
dt
mx
Ejemplo 5:
En la figura anterior se representaba un
circuito de proteccin del SCR contra
dI/dt. Con los datos siguientes, calcular el
valor de la inductancia L, para limitar la
corriente de nodo a un valor de 5 A/s.
Datos: VS = 300V; RL = 5
Solucin:
dI A VS
6 A
5 10
dt
L
s
L 60 H
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Ejemplo 6:
Supongamos que el tiristor est colocado
segn la figura. Calcular aplicando el
mtodo de la cte de tiempo el cto de
proteccin contra dV/dt y dI/dt.
Datos: VRMS = 208V; IL = 58A; R = 5;
SCR: VDSM = 500V; ITSM = 250A;dI/dt = 13.5
A/s; dV/dt = 50V/s
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0.63 VDSM
6.3s
dV
dt
min
El valor de C ser:
C 1.26 F
R
VAmx
RS
3.83
ITSM I L K
Vamos a comprobar el valor anterior con el
valor correspondiente a Rmin:
R min
VAmx
4.15
dI
C
dt
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VAmx
L
21.7 H
dI
dt
Ejercicio Propuesto 1:
Calcular, con los mismos datos del
ejemplo anterior, el circuito de proteccin
contra dV/dt y dI/dt. (Aplicar el mtodo de
la resonancia).
Realizar la simulacin del circuito
mediante PsPice representando las
formas de onda obtenidas.
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PAV
1 T
VAK I A dt Potencia de puerta.
T 0
PAV
1 t2
VAK I A dt
T t1
VAK V0 I A R
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af
I A(RMS)
I A(AV)
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Ejemplo 7:
Un SCR (BTY 91) con Rjc = 1.6C/W y con
Rcd = 0.2C/W, alimenta a una carga
resistiva de 10 a partir de una seal
alterna de 220VRMS. Si la conduccin del
SCR es completa ( = 0). Calcular el
disipador para una temperatura ambiente
de 40C utilizando la grfica representada
en la figura.
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I TAV
220 2
1 cos 10A
2 R
f = 1.6
Para un valor de ITAV = 10A f = 1.6
corta en un valor de 16.7W. Sustituyendo en
las ecuaciones los valores dados para el
tiristor del circuito:
Rjc = 16.7W;
Rd
Tj Ta
PAV
Rcd = 0.2W;
R jc R cd 3.29 C/W
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R d 3.29 C/W
Este clculo lo podemos hacer grficamente.
En primer lugar seguiremos los mismos
pasos que anteriormente para calcular la
potencia media; a partir de aqu llevaremos
una horizontal hacia la derecha de la figura
hasta cortar con la vertical que se levanta
desde los 40C que en los datos se expres
como valor de la temperatura ambiente.
Estas dos rectas se cortan en un punto que
se corresponde con una Rca = 3.35C/W.
Despejando de la siguiente expresin
podremos calcular el valor de la Rd:
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86/131
87/131
90/131
R0 = 5;
C = 5F
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92/131
VC VC e
t
R 0 C
E 1 e
t
R 0 C
tq
0 E e R 0 C E 1 e R 0 C
t q 0.693 R 0 C
Sustituyendo los valores del enunciado del
problema en la ecuacin anterior, tendremos:
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1
Lw
0
wC
95/131
1
2 LC
di 1
L idt v C (t 0) 0
dt C
i(t) VC
C
senwt
L
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v C (t) VC coswt
VC representa la carga inicial de C. T1 se
puede constituir como el tiristor principal,
mientras que T2 puede ser el auxiliar, cuyo
principal objetivo ser el de apoyar la
conmutacin del tiristor principal. De esta
forma, permitir que C se cargue de nuevo a
su tensin inicial, estando de nuevo en
condiciones de provocar la conmutacin de
T1 en el siguiente ciclo.
En los ctos de conmutacin forzada hay
que considerar que los condensadores
que participan en la conmutacin deben
ser cargados antes de que se recurra a
ellos para provocar el paso a corte del
tiristor. Una carga insuficiente resultar en
el fracaso del apagado del tiristor.
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Ejemplo 9:
En el circuito de la figura anterior, T1 entra
en conduccin en t = 0. Determinar:
a) TON del tiristor T1.
b) Tensin existente en C para t = TON.
c) Corriente de pico del cto.
d) Tensin en extremos de C si se supone
que en el tiristor se produce una caida de
tensin en conduccin de 0.8V.
e) Obtener con PsPice las formas de onda
de la intensidad circulante por el circuito,
as como la tensin en C y en L.
Datos: L = 100H. C = 10F. vC (0) = 100V.
IL (0) = 0A.
Solucin: TON = 0.1ms; vC = -100V; IMX =
31.62A; vC = -98.4V
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di 1
E R 0i L idt VC (t 0)
dt C
Derivando con
resolviendo:
ie
respecto
al
tiempo
A1cosw r t A 2senw r t
donde:
R0
2L
wr w
2
1
w
LC
i A 2e
senw r t
100/131
0 A 2e
TON
senw r TON
TON
wr
v C (t 0) VC
i1 (t 0) 0
101/131
E
VC
E
E
t E
senw 0 t
i1
e
cosw 0 t
R0
w 0R 0 w 0L w 0L
R0
di1
t
E VC senw 0 t
v 0 E L E e E VC cosw 0 t
dt
w0
Siendo:
2RC
1 1
w0
LC 2RC
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105/131
107/131
108/131
Es importante para el perfecto funcionamiento del cto que las cargas y descargas
de
C
se
lleven
a
efecto
sin
complicaciones.
Cuando el tiristor pase a corte, C deber
cargarse a la tensin de la bateria antes de
que se produzca el siguiente disparo. Para
conseguir sto, hay que tener en cuenta que
una vez que se provoca la conmutacin del
tiristor, la intensidad circulante por E, C, R0,
y L puede ser a) subamortiguada, b) con
amortiguamiento
crtico,
c)
sobreamortiguada.
sobreamortiguada A nosotros nos interesa
que sta decaiga con la mxima celeridad
posible, por lo que elegiremos el tercer caso.
El condensador se cargar, en un tiempo
mnimo, a una tensin E.
Para que el cto sea sobreamortiguado
deber verificarse:
L
R 0 2
C
110/131
L
R0 2
C
Si R0 aumenta de forma apreciada, entonces
la carga del condensador C ser
considerablemente lenta, lo cual afectar al
intervalo T-TON mnimo del convertidor, y en
definitiva a la frecuencia mxima de
operacin del mismo. Por otro lado si R0
disminuye en demasa se puede dar el caso
de que la intensidad en la carga sea, durante
todo el tiempo de conduccin, superior a la
intensidad oscilante proveniente de la
descarga de C, evitndose por tanto que sta
pueda igualar a la intensidad de carga y que
la conmutacin del tiristor se lleve a cabo.
En el funcionamiento del cto cabe destacar
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dos estados claramente diferenciados.
a) T1 en conduccin
En t = t0 el tiristor pasa a conducir, con lo que,
aparte de la malla de carga, se tiene otra
malla conformada por C-L-T. La ecuacin que
define a la misma, despre-ciando la cada de
tensin en el tiristor es la siguiente:
d i2C
0
2
dt
LC
La solucin de la ecuacin anterior es:
E
C
iC
senwt E
senwt
L
L
C
donde
1
w
LC
112/131
E
C
i T i1 0 I 0 i C E
senwt
R
L
La solucin de esta expresin tiene como
resultado TON = t2
L
arcsen C
R0
TON LC
b) T1 bloqueado
La malla a considerar ahora est configurada
por E, C, L y R0 la cual tiene como ecuacin:
2
i0
2
R 0 di 0 i 0
0
dt
L dt LC
La solucin de la ecuacin anterior,
considerando el cto sobreamortiguado es:
i0 e
R t
0
L
Ae
R 02
1
t
4L2 LC
Be
R 02
4L2 LC
Ejercicio Propuesto 2:
Realizar la simulacin del cto de la figura y
obtener las formas de onda correspondientes a la tensin en extremos del
tiristor y del condensador, as como las
intensidades por el tiristor, por la carga y
por el condensador.
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E
Io
RL
R C TON
El cto equivalente ser:
2E
iR
e
R
t
RC
0 t TON
v C E Ri R E 1 2e
t
RC
118/131
119/131
120/131
2E
i0
e
R0
t
R 0C
v C E 1 2e
R 0C
CR 0 T - TON
v T1 v C E 1 2e
R 0C
t q R 0 Cln2 0.69R 0 C
t q 0.69 C
I0
122/131
t off I 0
I0
C
1.45t off
0.69E
E
C
IP E
L
I T1(mx) I 0 I P
126/131
t off I 0
C
0.69 E
Ejercicio Propuesto 4:
Realizar la simulacin del cto de conmutacin por cto L C y tiristor auxiliar y
comprobar el funcionamiento comentado.
Obtener las formas de onda de la
intensidad en la puerta de cada uno de los
tiristores, as como la intensidad directa y
la tensin entre A K. Obtener la tensin
en extremos de C, la intensidad por C, por
R0 as como la tensin en la carga.128/131
129/131
130/131
fin
131/131