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SEMICONDUCTORES:

REGION

DE

CARGA

ESPACIAL

DOBLAMIENTO DE BANDAS.
Los semiconductores msicos y nanopartculas estn hechos del mismo
material, sin embargo las caractersticas que distingue a estos ltimos es el
tamao de las nanopartculas que la conforman. Mientras que los
semiconductores msicos estn constituidos por partculas muy grandes
(sub-micromtricas), los semiconductores nanopartculas estn formados
por partculas con tamao extremadamente pequeo (nanomtrico)
En partculas, los efectos provocados por partculas de tamao cuntico (220 nm tpicamente) en semiconductores nanopartculas son de importancia
fundamental ya que les confiere propiedades fisicoqumicas muy especiales.
Por ejemplo, su estabilidad termodinmica a pesar de ser materiales que
poseen reas superficiales extremadamente grandes. En consecuencia, las
propiedades electrnicas de la interfaces formadas por semiconductores
nanopartculado y el medio electroltico, difieren marcadamente de aquellas
exhibidas por interfaces que involucran semiconductores msicos.
Cuando un semiconductor msico tipo "n" es puesto en contacto con un
medio electroltico, generalmente acuoso, los bordes de banda (band gap)
sufren un desplazamiento de posicin. Esto se debe a que las diferencias de
energa existentes entre los niveles de Fermi del semiconductor y del medio
electroltico provocan que los portadores de carga minoritarios (huecos) en
el semiconductor sean desplazados hacia la superficie y, simultneamente,
los acarreadores de carga mayoritarios (electrones) son desplazados hacia
el interior del material. Este proceso de separacin de carga termina cuando
termina cuando la diferencia energtica entre ambos niveles de Fermi se
vuelve nula, establecindose un nuevo estado de equilibrio caracterizado
por una regin de carga espacial formada en la zona de contacto del
semiconductor con el electrolito.
Esta capa de carga espacial est asociada a un campo elctrico generado
como funcin de la diferencia de potencial entre la superficie y el interior del

material. Como resultado, se presenta el doblamiento de bandas muy cerca

de la superficie del semiconductor.
El escenario es muy diferente para un semiconductor formado por
partculas de tamao nanomtrico. Las diferencias en propiedades
electrnicas que existen entre semiconductores msicos y nanopartculados
puede ser descrita asumiendo que el potencial del lado del semiconductor se
distribuye homogneamente. El tratamiento matemtico para el estudio de
dicha distribucin de potencial ha sido reportado por Albery y Barlett, con
base en una linearizacin de la ecuacin de Poisson-Boltzmann. Sus
resultados indicaron que la diferencia de potencial entre el centro de una
partcula semiconductora (r=0) y una distancia r sigue la relacin:

[
Donde

] [

es la caida de potencial en la region de carga espacial w,

constante de Boltzmann,

es el radio de la partcula, r es una distancia

medida a partir del centro de la particula, T es la temperatura absoluta,

la carga fundamental y,

es la
es

es la longitud externa de Debye que depende no

solo de la densidad de dopantes ND sino tambien de la constante dielctrica

del semiconductor .

Figura 8. Formacin de la regin de carga espacial en partculas semiconductoras tipo "n"(A)

de tamao sub- micromtrico y, (B) de tamao nanomtrico, ambas en equilibrio con una
disolucin electroltica que contiene un par redox con nivel de Fermi denominado EF.
.

Dos casos lmite pueden ser obtenidos. Para partculas muy grandes
(semiconductores msicos), la cada de potencial dentro de cada una de
estas es expresada por la siguiente ecuacin:
[

Mientras que, para partculas extremadamente pequeas (semiconductor

nanopartculado) la expresin de la cada de potencial por partcula se
convierte en:
[

Donde se puede observar que la contribucin de la carga espacial ya no es

un parmetro significativo como en la ecuacin anterior.
De acuerdo con los conceptos descritos, para un semiconductor tipo "n" el
potencial de banda plana Efb es definido como idntico al valor del potencial
de banda de conduccin cuando la cada de potencial (cuando r0 es muy
pequeo) en la regin espacial es nula
= 0(mismo potencial en todos los

puntos), en otras palabras, cuando la regin de doblamiento de bandas no

existe.