GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)

GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)

SFH 485 P

Area not flat

29
27

5.9
5.5

0.6
0.4

1.0
0.5
Chip position

GEX06306

fex06306

0.8
0.4

2.54 mm
spacing

1.8
1.2

Cathode
3.85
3.35
5.1
4.8

5.0
4.2

0.6
0.4

Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
Enge Toleranz: Chipoberflche/
Bauteiloberkante
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfnger
Sehr plane Oberflche
Gehusegleich mit SFH 217

Features
GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
Small tolerance: Chip surface to case
surface
Good spectral match to silicon
photodetectors
Plane surface
Same package as SFH 217

Anwendungen

Applications

Lichtschranken fr Gleich- und

Light-reflection switches for steady and

Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz

varying intensity (max. 500 kHz)

LWL

Fibre optic transmission

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Gehuse
Package

SFH 485 P

Q62703-Q516

5-mm-LED-Gehuse, plan, klares violettes EpoxyGieharz, Ltspiee im 2.54-mm-Raster (1/10),

Anodenkennzeichnung: krzerer Anschlu
5 mm LED package (T 1 3/4), plane violet-colored
transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing
2.54 mm (1/10), anode marking: short lead.

Semiconductor Group

1998-06-26

SFH 485 P

Grenzwerte (TA = 25 C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

Top; Tstg

55 ... + 100

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Tj

100

Sperrspannung
Reverse voltage

VR

Durchlastrom
Forward current

IF

100

mA

Stostrom, 10 s
Surge current

IFSM

2.5

Verlustleistung
Power dissipation

Ptot

200

mW

Wrmewiderstand, freie Beinchenlnge

max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm

RthJA

375

K/W

Bezeichnung
Description

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

Wellenlnge der Strahlung

Wavelength at peak emission
IF = 100 mA

peak

880

nm

Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax,

IF = 100 m A
Spectral bandwidth at 50 % of Imax

80

nm

Abstrahlwinkel
Half angle

40

Grad
deg.

Aktive Chipflche
Active chip area

0.16

mm2

Abmessungen der aktiven Chipflche

Dimension of the active chip area

LB
LW

0.4 0.4

mm

Abstand Chipoberflche bis

Gehusevorderseite
Distance chip front to case surface

0.5 ... 1

mm

Semiconductor Group

Kennwerte (TA = 25 C)
Characteristics

1998-06-26

SFH 485 P

Kennwerte (TA = 25 C)
Characteristics (contd)
Bezeichnung
Description

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von

90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50

tr, tf

0.6/0.5

Kapazitt
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz

Co

25

pF

VF

1.5 (< 1.8)

3.0 (< 3.8)

Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V

IR

0.01 ( 1)

Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms

25

mW

Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e,

TCI

0.5

%/K

Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA

Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA

TCV

mV/K

Temperaturkoeffizient von peak, IF = 100 mA

Temperature coefficient of peak, IF = 100 mA

TC

0.25

nm/K

Durchlaspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 s

IF = 100 mA

Temperature coefficient or Ie or e,
IF = 100 mA

Strahlstrke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr
Grouping at radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of = 0.01 sr
Bezeichnung
Description

Symbol

Werte
Values

Einheit
Unit

Strahlstrke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms

Ie

> 3.15

mW/sr

Strahlstrke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 s

Ie typ.

48

mW/sr

Semiconductor Group

1998-06-26

SFH 485 P

Relative spectral emission

Irel = f ()

Single pulse, tp = 20 s
OHR00877

100

e
e (100mA)

Max. permissible forward current

IF = f (TA)

F mA

10 1

100

60

10 0

75

40

10 -1

50

20

10 -2

25

10 -3

800

850

900

950 nm 1000

10 0

10 1

10 2

10 3 mA 10 4
F

Permissible pulse handling capability

IF = f (), TA = 25 C,
duty cycle D = parameter

Forward current, IF = f (VF)

Single pulse, tp = 20 s

OHR00886

10 4

OHR00881

10 1

mA

OHR00880

125

80

0
750

OHR00878

10 2

rel

Ie
= f (IF)
Ie 100 mA

Radiant intensity

20

40

60

80 C 100
T

Forward current versus lead length

between the package bottom and the
PC-board IF = f (I), TA = 25 C
OHR00949

120
mA

D = 0.005
0.01
0.02
0.05

10 0

F 100

10 3 0.1
0.2

80

10 -1

60
0.5
10 2

10

DC

40

-2

D=
10 -3

V
VF

tp
T

tp

T
10 1 -5
-4
-3
-2
10 10 10 10 10 -1 10 0

20

0
10 1 s 10 2
tp

10

15

20

25 mm 30

Radiation characteristics Irel = f ()

40

30

20

10

OHR01893

1.0

50
0.8
60

0.6

70

0.4

0.2

80

90

100

1.0

0.8

0.6

Semiconductor Group

0.4

20

40

60

80

100

120

1998-06-26