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Profesor:
Comisin:
5 B
Turno:
Noche
Campus:
Centro
Ao:
2009
Alumnos:
Arostegui, Federico
Bayer, Karina
Del Pino, Juan
Farias, Diego
Introduccin
El diodo esta formado bsicamente por una juntura de semiconductores
extrnsecos N (electrones como portadores mayoritarios) y P (huecos como
portadores mayoritarios). La caracterstica de esta juntura es dejar pasar
corriente en un solo sentido (al sobrepasar su tensin umbral) y oponerse al
paso en sentido inverso.
Existen dos formas de polarizar al diodo, en Directa y en Inversa. La
polarizacin directa se da cuando el positivo de la fuente se conecta con la zona
P del diodo, y la parte negativa de la fuente a la zona N. Cuando la tensin
aplicada al diodo supera la tensin de umbral (aproximadamente 0,7 V para el Si
y 0,3 V para el Ge) el diodo conduce la corriente elctrica.
La polarizacin inversa se da cuando el positivo de la fuente se conecta
con la zona N del diodo, y la parte negativa de la fuente a al zona P. En esta
polarizacin el diodo no conduce corriente elctrica.
Prctica
Elementos Utilizados
Multmetro (2).
Protoboard.
Resistencia de 2K (nosotros usamos una de 2,2K).
Fuente de Corriente Continua.
Diodos 1N4007 (nosotros usamos un 1N4004). Diodos para su verificacin.
0,2
0,4
0,8
1,2
1,6
2,0
2,4
2,8
3,2
3,6
4,0
4,4
4,8
I (mA)
V
(Volt)
0
0
0,0008
0,232
0,0104
0,35
0,0959
0,454
0,29
0,507
0,48
0,532
0,655
0,547
0,811
0,558
0,984
0,567
1,155
0,576
1,338
0,584
1,496
0,589
1,692
0,595
1,871
0,6
6
6
-6
8
8
-8,07
10
10
-10,04
12
12
-12,08
14
14
-14,08