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UNIVERSIDADE TECNOLGICA FEDERAL DO PARAN

DEPARTAMENTO ACADMICO DE ELETROTCNICA


CURSO DE ENGENHARIA INDUSTRIAL ELTRICA

Disciplina de Eletrnica de Potncia ET66B


Aula 3
Prof. Amauri Assef
amauriassef@utfpr.edu.br
UTFPR Campus Curitiba
Prof. Amauri Assef

Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA




Principais caractersticas



um dispositivo no-controlado (comuta espontaneamente)


Conduz quando diretamente polarizado e bloqueia quando i<0


Possui uma queda de tenso intrnseca quando em conduo




VF ~ 1V (forward voltage)

No so facilmente operados em paralelo, devido aos seus


coeficientes trmicos de conduo serem negativos


VAC > 0

Quanto maior temperatura menor a queda direta

Pode conduzir reversamente durante um tempo trr (tempo de


recuperao reversa - especificado pelo fabricante)

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Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA




Caractersticas estticas (tenso-corrente):


Circuito equivalente do diodo

Ideal

Pc = V( TO )iDmed + rT I Def

Real

Regio de avalanche
(curto-circuito)
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Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA




Exerccio:
Calcular a corrente IF , a tenso VF , e a potncia no diodo
D polarizado diretamente por uma fonte de tenso
contnua de 50V, em srie com um resistor de 100.
Considerar rT = 15m e V(TO) = 0,7V:

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Caractersticas dinmicas (considera-se D real):


Tempo de recuperao reversa - trr
 Bastante significativo em aplicaes de chaveamento em alta
velocidade  provocam substncias perdas e sobrecorrentes
 O diodo real no passa, em um nico instante, do estado de
conduo para o de no-conduo (comutao abrupta)
 Nesse momento uma corrente reversa flui por um breve perodo,
e o diodo continua conduzindo devido aos portadores
minoritrios que permanecem na juno pn e no material
semicondutor propriamente dito
 Os portadores minoritrios requerem um certo tempo para
recombinar com as cargas opostas e ser neutralizados



C  Capacitncia de recuperao do diodo (da juno)


Qrr  carga armazenada em C durante conduo

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Inicialmente S bloqueado


S fechado  corrente IL
transferida de D para S



Malha L e D circuito IL em roda livre

Comutao  diodo bloqueia


IL = iS + iF (constante)

S fechado  corrente iF


Velocidade de decrescimento
depende:

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Com iF=0







Ocorre a descarga de C
iD torna-se negativa, at que Qrr
seja toda removida
IRM representa o pico da corrente
de recuperao do diodo

Qrr = 0  diodo bloqueado


A taxa de variao de corrente,
associada indutncia parasita
srie provoca sobretenso
negativa em D durante bloqueio
(pode ser destrutiva)


Utilizar snubber RC srie em


paralelo com o diodo

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Formas de onda:

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Concluso: o tempo de recuperao reversa (trr) e a carga


armazenada na juno (Qrr) esto relacionadas
diretamente com as perdas de comutao

Equaes:




diF/dt  estabelecido pelo projetista (depende do circuito)


Qrr dado do fabricante  quanto menor, mais rpido o diodo

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Exerccio:
O tempo de recuperao de um diodo trr=3 s e a taxa
de decaimento da corrente do diodo di/dt=30A/s.
Determinar (a) a carga armazenada Qrr e (b) a corrente
reversa mxima de pico IRM.

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Entrada em conduo do diodo:


Circuito para o estudo da entrada em conduo do diodo e
formas de onda durante a comutao (entrada em
conduo)

Atraso de entrada
em conduo

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trf: tempo de entrada em conduo




VFP: tenso de pico na entrada em conduo




Pode variar entre 0,1 a 1,5 s


Pode alcanar valores prximo de 40V

Diodos rpidos reduzem trf e VFP

O atraso e a sobretenso so devidos variao da resistncia


do diodo durante entrada em conduo
Em conversores comutados pela linha, as perdas de comutao
podem ser desconsideradas
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Classificao quanto ao tempo de recuperao:




Diodos lentos (standard-recovery)  trr > 1 s




Diodos rpido (fast-recovery) trr < 200 ns




Line frequency diodes operao em baixa frequncia, geralmente menor


que 1 kHz
Soft-recovery Variao de corrente suavizada para evitar picos de tenso

Diodos ultra-rpidos (ultrafast-recovery)  trr < 70 ns





Aplicao em fontes chaveadas


Pode-se reduzir o circuito snubber de proteo

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Demais valores nominais:




Corrente direta mdia mxima IF(avg)max




Corrente mxima de surto - IFSM




a corrente mxima que o diodo pode aguentar com segurana quando


polarizado diretamente

a corrente mxima que o diodo pode suportar durante um transitrio


fortuito ou diante de um defeito do circuito

Protees




Sobretenso
Sobrecorrente
Transitrios circuito snubber

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Exemplo: 1N4007 (standard)

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Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA




Exemplo: MUR460 (ultrafast)

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Diodos Schottky






Possuem uma baixa queda de tenso de conduo, tipicamente de 0,3V


Baixo tempo de recuperao  baixa perdas por conduo
Circuitos Snubbers menores e menos dissipativos
Aplicao em fontes de baixa tenso, nas quais as quedas sobre os
retificadores so significativas
Desvantagem: baixa tenso direta e inversa suportvel

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Eletrnica de Potncia RETIFICADORES A DIODO





Retificador Monofsico Meia Onda a Diodo


1) Carga Resistiva Pura

 Onde: v ( t ) = V m sen ( t ) = 2V o sen ( t


Sendo: Vo = valor eficaz da tenso de alimentao

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Formas de onda para carga R(pura):

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Eletrnica de Potncia RETIFICADORES A DIODO




Tenso mdia na carga:

V Lmed =

1
2

V Lmed =

V med

2V 0 sen ( t )d t

1
=
T

t0 +T

f ( t )dt

t0

2V 0

= 0 ,45 V 0

Corrente mdia na carga:


I Lmed

1
=
2

I Lmed =
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2V 0
sen ( t )d t
R

V Lmed
0 ,45 V 0
=
R
R
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Eletrnica de Potncia RETIFICADORES A DIODO




Corrente de pico no diodo:


I Dp =

Tenso de pico inversa do diodo:


V Dp =

I Lef =

2V 0
R

2V 0

Corrente eficaz no diodo

2 0

2V 0
sen 2 ( t )d t =
R

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1
T

V rms =

2V 0
2 R 2

t0 +T

2
[
f
(
t
)
]
dt

t0

V0
V0

= 0 ,707
=
R
2R
2
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Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA




Exerccios:
1) Seja o retificador de meia onda alimentando carga
resistiva pura com Vo=120V (valor eficaz) e R=50.
Calcular: (a) tenso mdia na carga , (b) corrente
mdia na carga, (c) corrente eficaz na carga e (d)
potncia transferida ao resistor R. Desenhar os grficos
de VL, IL e VD indicando os valores mximos e mnimos.
2) Considerando rT = 12m e V(TO) = 0,85V, calcular a
potncia de conduo do diodo:

Pc = V( TO )iDmed + rT I Def
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Eletrnica de Potncia - Reviso


 Referncias bibliogrficas:
BARBI, Ivo. Eletrnica de Potncia; 6 Edio, UFSC, 2006
MUHAMMAD, Rashid Eletrnica de Potncia; Editora: Makron Books,
1999
ERICKSON, Robert W.; MAKSIMOVIC, Dragan. Fundamentals of power
electronics. New York: Kluwer Academic, 2001
AHMED, Ashfaq. Eletrnica de Potncia; Editora: Prentice Hall, 1a
edio, 2000
Materiais de aula do Prof. Leandro Michels UDESC

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