Tese apresentada Pr-Reitoria de Ps-Graduao e Pesquisa do Instituto

Tecnolgico de Aeronutica, como parte dos requisitos para obteno do ttulo

de Doutor em Cincias no Programa de Ps-Graduao em Engenharia
Eletrnica e Computao, na rea de Microondas e Optoeletrnica.

Ricardo Augusto Tavares Santos

PROJETO DE FOTODETECTORES INFRAVERMELHOS A POOS

QUNTICOS UTILIZANDO O
MTODO DE MATRIZ DE TRANSFERNCIA
Tese aprovada em sua verso final pelos abaixo assinados:

Prof. Dr. Fbio Durante Pereira Alves

Orientador

Dr. Christian Giorgio Roberto Taranti

Co-orientador

Prof. Dr. Celso Massaki Hirata

Pr-Reitor de Ps-Graduao e Pesquisa
Campo Montenegro
So Jos dos Campos, SP Brasil
2009

Dados Internacionais de Catalogao-na-Publicao (CIP)

Diviso de Informao e Documentao
Santos, Ricardo Augusto Tavares
Projeto do Fotodetetores Infravermelhos a Poos Qunticos usando o Mtodo de Matriz de Transferncia /
Ricardo Augusto Tavares Santos.
So Jos dos Campos, 2009.
Nmero de folhas no formato 132f.
Tese de doutorado Curso de Engenharia Eletrnica e Computao rea de Microondas e Optoeletrnica
Instituto Tecnolgico de Aeronutica, ano. Orientadores: Prof. Dr. Fbio Durante Pereira Alves e Dr. Christian
Giorgio Roberto Taranti.
1. Detetores infravermelhos. 2. Poos qunticos. 3. Mtodo de matriz de transferncia. I. Comando-Geral de
Tecnologia Aeroespacial. Instituto Tecnolgico de Aeronutica. Diviso de Engenharia Eletrnica. II. Projeto do
Fotodetetores Infravermelhos a Poos Qunticos usando o Mtodo de Matriz de Transferncia.

REFERNCIA BIBLIOGRFICA
SANTOS, Ricardo Augusto Tavares. Projeto do Fotodetetores Infravermelhos a Poos Qunticos usando o
Mtodo de Matriz de Transferncia. 2009. 132 folhas. Tese de doutorado em Engenharia Eletrnica e
Computao Instituto Tecnolgico de Aeronutica, So Jos dos Campos.

CESSO DE DIREITOS
NOME DO AUTOR: Ricardo Augusto Tavares Santos
TTULO DO TRABALHO: Projeto do Fotodetetores Infravermelhos a Poos Qunticos usando o

Mtodo de Matriz de Transferncia.

TIPO DO TRABALHO/ANO: Tese de doutorado / 2009

concedida ao Instituto Tecnolgico de Aeronutica permisso para reproduzir cpias desta

tese e para emprestar ou vender cpias somente para propsitos acadmicos e cientficos. O
autor reserva outros direitos de publicao e nenhuma parte desta tese pode ser reproduzida
sem a sua autorizao (do autor).
________________________________

Ricardo Augusto Tavares Santos

Rua H9C, apt. 201 Campus do CTA
CEP 12228-612 So Jos dos Campos SP

PROJETO DE FOTODETECTORES INFRAVERMELHOS A POOS

QUNTICOS UTILIZANDO O MTODO DE MATRIZ DE
TRANSFERNCIA

Ricardo Augusto Tavares Santos

Composio da Banca Examinadora:

Prof. Dr. Alberto Jos de Faro Orlando

Presidente ITA

Prof. Dr. Fbio Durante Pereira Alves

Orientador ITA

Dr. Christian Giorgio Roberto Taranti

Co-orientador ITA

Prof. Dr. Marcelo Marques

Membro Interno ITA

Prof. Dr. Guilherme Matos Sipahi

Membro Externo USP (IFSC)

Dr. ngelo Pssaro

Membro Externo IEAv

ITA

DEDICATRIA

Este trabalho dedicado a minha famlia: Adriana, Lalati e Duzo. Sem vocs nada disso
seria possvel.

AGRADECIMENTOS
Este trabalho fruto da contribuio de diversas pessoas que foram importantes em
diferentes fases. De forma geral, agradeo a todos que, de alguma forma, forma contriburam
para esse trabalho. Porm, em especial:
A Deus pela oportunidade.
A minha famlia pelo apoio, pacincia e suporte incondicional.
Ao meu amigo e orientador Fbio Durante P. Alves. No tenho palavras altura.
Ao meu co-orientador Christian Giorgio R. Taranti pela parceria, noites viradas e
confiana.
Aos meus pais pelas orientaes no perodo.
Aos amigos do LabGE pela motivao, companheirismo e noites viradas.
A equipe do LabGE, Capites Olympio e Alexandre e Tcnico Felipe, pelo apoio
incondicional.

RESUMO
Essa tese apresenta uma metodologia para calcular os nveis confinados de energia e suas
respectivas funes de onda em estruturas de poos qunticos usando o mtodo de matriz de
transferncia (TMM). Este trabalho visa prover ferramentas para a estimao de absoro
devido a transies interbanda e intersubbanda em fotodetectores infravermelhos a poos
qunticos (QWIPs). O uso de fotodetectores desse tipo tem se intensificado nos ltimos anos,
principalmente em imageadores infravermelhos para identificao de alvos de interesse
militar e civil. So estudados os conceitos bsicos para o entendimento dos fenmenos
qunticos que envolvem a deteco por dispositivos desse tipo. Partindo de um Hamiltoniano
8x8 utilizado para o clculo da estrutura de bandas em materiais semicondutores, desenvolvese um modelo que representa a dinmica dos portadores nas bandas de valncia e de conduo
que permite o clculo dos nveis confinados (subbandas) e suas respectivas funes de onda.
Efeitos de no-parabolicidade, tenso/compresso e segregao de compostos so
considerados no modelo. A soluo numrica das equaes diferenciais envolvidas feita
utilizando-se o mtodo de matriz de transferncia, que adaptado para acomodar qualquer
perfil de potencial devido combinao de camadas de compostos semicondutores. Foram
desenvolvidos programas para realizar o clculo das variveis em discusso. Os resultados
obtidos demonstraram uma boa concordncia com aqueles reportados na literatura e com
medidas realizadas em laboratrio em dispositivos reais. A partir dos resultados, estuda-se o
efeito das incertezas nos parmetros dos materiais semicondutores no clculo em questo.
Erros que variam de 0.2 a 5%, dependendo da estrutura, permitem concluir que mtodo
desenvolvido pode ser utilizado no projeto de QWIPs com estruturas complexas.

ABSTRACT
This thesis presents a methodology to calculate the confined energy levels and their
respective wave functions in quantum wells structures using the transfer matrix method
(TMM). This work aims to provide tools to estimate the absorption from interband and
intersubbands transitions in quantum wells infrared photodetectors (QWIPs). The use of
QWIPs has intensified in the last few years mainly in infrared cameras used to recognize
military and civil targets. Basic concepts to understand the quantum phenomena involved in
photodetection are studied. Starting at an 8x8 Hamiltonian used to calculate the
semiconductor band structure, it was developed a model that represents the carriers dynamics
in the valence and conduction bands enabling the calculation of the confined energy levels
(subband) and its respective wave functions. The effects of non-parabolicity, strain, and
composites segregation are considered in the model. The numerical solutions from the
involved differential equations are obtained through the TMM, that is adapted to
accommodate any potential profile resulted from the semiconductor layer combinations. The
obtained results show good agreement with those reported in the literature and with
measurements of actual devices. By these results, the uncertainty in material parameters is
studied in calculation process. The errors varied between 0.2 and 5%, depending on the
structure. The results indicate that the developed method can be used to design QWIPs with
complex semiconductor structures.

LISTA DE ILUSTRAES
Figura 1: Heteroestruturas em QW: (a) juno dupla; (b) multi-juno (superlattice) (NAG,
2001). Ecb e Evb significam a energia referente ao fundo da banda de conduo e o topo da
banda de valncia respectivamente. ...................................................................................... 24
Figura 2: Perfil de potencial de mltiplos poos qunticos (ALVES, 2008). ......................... 26
Figura 3:Diagrama esquemtico da tcnica de pseudo-quantificao em um poo quadrado,
para clculo do coeficiente de absoro entre um estado confinado e estados no contnuo.
(ROSENCHER, 2002). ........................................................................................................ 36
Figura 4: Diagrama esquemtico do perfil de potencial de uma heteroestrutura onde V(x,y)
constante dentro de cada camada da estrutura, tornando os portadores livres no plano x-y (a), e
onde V(z) definido pelo band off-set dos materiais usados para comporem a heteroestrutura
causando confinamento dos portadores (ALVES, 2008). ...................................................... 42
Figura 5: (a) apresentao da relao das diferentes constantes de rede presentes na camada
crescida e substrato. (b) demonstrao de como os deslocamentos so gerados a partir do
descasamento das junes. (c) apresentao de como a camada crescida afetada pelo strain
gereado no plano x-y sem a ocorrncia de deslocamento. ..................................................... 48
Figura 6: Representao esquemtica do efeito do strain em materiais semicondutores de gap
direto, ao longo da direo (001). ......................................................................................... 53
Figura 7: Representao esquemtica de um poo quadrado com a respectiva descrio do
split off band. ....................................................................................................................... 56
Figura 8: Perfil de potencial de um poo simtrico modificado pela distribuio de cargas. .. 58
Figura 9: Perfil de potencial da Figura 7 sob efeito de um campo eltrico externo constante ao
longo da estrutura................................................................................................................. 59

Figura 10: Perfil de potencial arbitrrio (a); heteroestrutura com diferentes tipos de poos
qunticos (b). ....................................................................................................................... 61
Figura 13: Domnios para nova caracterizao da heteroestrutura a ser usada pela CTM. ..... 66
Figura 14: Heteroestrutura dividida e caracterizada para ser modelada por uma CTM. ......... 67
Figura 12: perfil de potencial dividido originalmente em domnios (a), perfil de potencial
dividido em poucas fatias (b), perfil de potencial dividido em muitas fatias (c), onde a linha
preta corresponde ao perfil de potencial original, linha vermelha corresponde a perfil de
potencial modificado pela TMM e as linhas azuis correspondem a nova diviso de domnios.
............................................................................................................................................ 70
Figura 15: diagrama da idia geral da metodologia implementada. ....................................... 74
Figura 16: metodologia de definio do perfil de potencial. .................................................. 75
Figura 17: potencial original (linha azul) com adio de campo eltrico externo e potencial
discretizado pelo TMM (linha vermelha).............................................................................. 76
Figura 18: metodologia de clculo dos nveis confinados e seus respectivas funes de onda.
............................................................................................................................................ 79
Figura 19: metodologia de clculo da responsividade. .......................................................... 80
Figura 20: poo de potencial de Psch-Teller (a) e o perfil modificado pelo TMM com a
utilizao de 150 fatias (b). .................................................................................................. 83
Figura 21: nveis confinados de energia e suas respectivas funes de onda de um poo
assimtrico descrito em (THOUSE, 2005) para a banda de conduo (a) e banda de valncia
buracos leves (b) .................................................................................................................. 85
Figura 22: comparao entre perfil de potencial original e perfil de potencial modificado pela
distribuio de cargas. .......................................................................................................... 86
Figura 23: diagrama esquemtico em 3D do dispositivo (a) e um corte vertical enfatizando a
configurao independente de readout (b). ........................................................................... 90

10

Figura 24: diagrama esquemtico do setup experimental usado para realizao de

espectroscopia de corrente (ALVES, 2008). ......................................................................... 91
Figura 24: comparao entre medidas realizadas no setup de espectroscopia de corrente e
predio feita pelo TMM na amostra A. (a) medida x versus simulao; (b) medida x
simulao normalizadas. .................................................................................................... 100
Figura 25: comparao entre medidas realizadas no setup de espectroscopia de corrente e
predio feita pelo TMM na amostra B. (a) medida x versus simulao; (b) medida x
simulao normalizadas. .................................................................................................... 101
Figura 26: comparao entre medidas realizadas no setup de espectroscopia de corrente e
predio feita pelo TMM na amostra C com tenso de 0,5V. (a) medida x versus simulao;
(b) medida x simulao normalizadas. ................................................................................ 102
Figura 27: comparao entre medidas realizadas no setup de espectroscopia de corrente e
predio feita pelo TMM na amostra C com tenso de 4V. (a) medida x versus simulao; (b)
medida x simulao normalizadas. ..................................................................................... 103
Figura 27: perfil da constante de rede ao longo da amostra C. ............................................ 110

11

LISTA DE TABELAS
Tabela 1: comparao de resultados entre as solues analticas do potencial de Posch-Teller e
as solues numricas geradas pelo TMM. ........................................................................... 83
Tabela 2: comparao entre resultados reportados na literatura e resultados obtidos na
aplicao do TMM. .............................................................................................................. 87
Tabela 3: comparao entre as medidas reportadas em (ANDERSSON, 1987) e (MILLER,
1981) e os resultados obtidos com a aplicao do TMM. ...................................................... 88
Tabela 4: parmetros usados na estimativa experimental da responsividade do dispositivo. .. 92
Tabela 5: comparao entre medidas e a predio feita pelo TMM. ...................................... 93
Tabela 6: valores de R em funo da temperatura de crescimento do composto. ................... 94
Tabela 7: comparao entre medidas e a predio feita pelo TMM com a correo da
segregao de In para a amostra B........................................................................................ 94
Tabela 8: comparao entre medida de fotoluminescncia e predio feita pelo TMM. ........ 96
Tabela 9: comparao entre medida de fotoluminescncia e predio feita pelo TMM com a
correo de segregao de In. ............................................................................................... 96
Tabela 10: comparao entre o valor do pico de responsividade medido e o simulado. ....... 104
Tabela 11: comparao da estimativa do band gap calculado e com erro de 3%. ............. 106
Tabela 12: comparao da estimativa da proporo usada no trabalho com outras possveis.
.......................................................................................................................................... 107
Tabela 13: comparao da estrutura de bandas calculada sem considerar e considerando o
strain. ................................................................................................................................. 109
Tabela 14: comparao de resultados comparando-se a insero da correo de composio de
Indio no poo devido a sua segregao na barreira e os resultados sem a presena da correo.
.......................................................................................................................................... 111
Tabela 15: comparao de resultados com variao da espessura da ML. ........................... 112

12

Tabela 16: comparao do valor do pico de responsividade dado o tempo de vida usado no
clculo. .............................................................................................................................. 114
Tabela 17: comparao do valor do pico de responsividade dada a variao do campo eltrico
aplicado ............................................................................................................................. 116

13

SUMRIO
DEDICATRIA ........................................................................................................................ 4
AGRADECIMENTOS................................................................................................................ 5
RESUMO ................................................................................................................................ 6
ABSTRACT .............................................................................................................................. 7
LISTA DE ILUSTRAES .......................................................................................................... 8
LISTA DE TABELAS................................................................................................................ 11
SUMRIO ............................................................................................................................ 13
I.

INTRODUO .............................................................................................................. 16
I.1. FOTODETECTORES INFRAVERMELHOS A POOS QUNTICOS ..................................................... 19
I.2. OBJETIVO E ORGANIZAO DO TRABALHO ............................................................................ 20

II.

ASPECTOS TERICOS ................................................................................................... 24

II.1.

HETEROESTRUTURAS .................................................................................................. 24

II.2.

TRANSIES ............................................................................................................. 26

II.2.1. Transies interbanda ...................................................................................... 28

II.2.2. Transies intersubbandas ............................................................................... 32
II.2.3. Transies entre estados confinados e o contnuo ............................................ 35
II.3.

MODELO FSICO-MATEMTICO...................................................................................... 36

II.4.

STRAIN.................................................................................................................... 46

II.4.1. Estruturas coerentes e incoerentes................................................................... 47

II.4.2. O Tensor de Strain em estruturas com descasamento de constantes de rede ... 50

14

II.4.3. Strain em poos qunticos ................................................................................ 52

II.5.

PERFIL DE POTENCIAL ................................................................................................. 55

II.5.1. Potencial devido ao band offset ........................................................................ 55

II.5.2. Potencial devido distribuio de cargas.......................................................... 57
II.5.3. Potencial devido ao campo eltrico aplicado .................................................... 58
II.6.

MTODO DA MATRIZ DE TRANSFERNCIA ........................................................................ 60

II.6.1. Formalismo do TMM ........................................................................................ 61

II.6.1.1. Matriz de transferncia completa (FTM) ................................................... 62
II.6.1.2. Matriz de transferncia associada (ATM) .................................................. 64
II.6.1.3. Matriz de transferncia de coeficientes (CTM) .......................................... 66
III. CLCULO DOS ESTADOS CONFINADOS E SUAS RESPECTIVAS FUNES DE ONDA ...... 69
III.1.

METODOLOGIA DE CLCULO ......................................................................................... 73

IV. RESULTADOS NUMRICOS ........................................................................................... 82

IV.1.

APLICAO DA METODOLOGIA EM POTENCIAIS COM SOLUO ANALTICA ................................ 82

IV.2.

APLICAO DA METODOLOGIA EM ESTRUTURAS REPORTADAS NA LITERATURA........................... 84

IV.3.

APLICAO EM ESTRUTURAS MEDIDAS PELA EQUIPE DO LABGE ............................................. 89

IV.3.1.

Montagem experimental de espectroscopia de corrente .............................. 91

IV.3.2.

Resultados .................................................................................................... 92

IV.4.

RESPONSIVIDADE ....................................................................................................... 97

IV.5.

ANLISE DE ERROS ................................................................................................... 105

IV.5.1.

Erro devido variao no band gap ............................................................ 105

IV.5.2.

Erro devido proporo usada no band offset split off rate........................ 107

IV.5.3.

Erro devido insero do strain .................................................................. 109

15

IV.5.4.

Erro devido segregao de Indio nas barreiras de potencial ..................... 110

IV.5.5.

Erro devido largura da camada atmica usada no clculo da segregao de

Indio

112

IV.5.6.

Erro devido estimativa do tempo de vida do eltron no clculo da

responsividade ........................................................................................................... 113

IV.5.7.
V.

Erro devido variao da tenso aplicada no dispositivo. ........................... 115

CONCLUSES ............................................................................................................. 117

V.1.

TRABALHOS FUTUROS ............................................................................................... 121

REFERNCIAS ..................................................................................................................... 123

APNDICE A - PROCEDIMENTO DE MUDANA DE BASE .................................................... 127
ASPECTOS TERICOS ............................................................................................................ 127
DETERMINAO DA MATRIZ DE TRANSFORMAO ....................................................................... 129

16

I. INTRODUO
Dispositivos a poos qunticos tm sido objeto de pesquisa ao longo das ltimas duas
dcadas. Alguns dispositivos se tornaram comercialmente atrativos e hoje em dia fazem parte
de modernos circuitos eletrnicos. Ultimamente, sistemas imageadores infravermelhos tm se
mostrado como um tipo de aplicao que pode aproveitar as potencialidades e caractersticas
que a deteco por fotodetectores infravermelhos a poos qunticos (QWIPs) pode prover
(SCHNEIDER, et al., 2007).
Aplicaes comerciais tais como avaliao no-destrutiva, validao de produtos,
controle de qualidade, anlise de assinatura de fontes e diagnsticos mdicos so exemplos de
nichos de mercado que tm a potencialidade de absorver sistemas imageadores utilizando
QWIPs. A ltima aplicao est recebendo uma ateno especial. Cmeras de QWIP tm sido
usadas para identificao de cncer de pele (basal cell carcinoma) devido a sua capacidade de
deteco altamente seletiva de determinados comprimentos de onda, tornando-se um tipo de
exame no-intrusivo de alta confiabilidade (BUZUG, 2006).
No caso de aplicaes militares, que so o foco desse trabalho, h uma demanda de
detectores com caractersticas especiais para serem usados em campos de batalha, em misses
que podem envolver reconhecimento de alvos ou imageamento de ambientes ou reas de
interesse. Cmeras de QWIP so muito atrativas para essa aplicao devido a suas
caractersticas de alta sensibilidade, alta seletividade e capacidade de deteco multiespectral
que permite deteco e identificao atravs do uso de imagens em alta resoluo (ALVES,
2008).
O Ministrio da Defesa Britnico (British Ministry of Defence) classificou uma cmera de
QWIPs produzida pela empresa francesa THALES (COSTARD, 2006) como um sistema de

17

componentes integrados inovativo para produzir imagens termais com boa qualidade e baixo
custo durante testes realizados na ltima guerra do Iraque (MINISTRY OF DEFENCE, 2006).
Um relato proveniente do Monterey Institute of Strategic Studies (RAUF, 2001) afirma que o
Ministrio da Defesa Canadense (Canadian Ministry of Defence) e o Departamento de Defesa
dos Estados Unidos (United States Department of Defense) esto considerando a
possibilidade de usar sistemas baseados em QWIPs para identificarem motores foguete de
msseis balsticos intercontinentais durante sua decolagem ou vo de cruzeiro atravs de uma
pesquisa de uma matriz de fotodetectores plana (Focal Plane Array) utilizando pixels grandes
de duas cores, infravermelho mdio (MWIR) e distante (LWIR), (Megapixel MWIR & LWIR
Focal Plane Array) e um 320x256 Pixel Dualband QWIP Focal Plane Array a ser produzida
pelo Jet Propulsion Lab (JPL) e financiada pela Agncia Americana de Defesa de Msseis
(American Missile Defense Agency) (GUNAPALA, 2006).
Apesar de j haver modernos sistemas imageadores que utilizam QWIPs, o projeto desses
dispositivos ainda o foco de muitos trabalhos publicados em recentes conferncias ao redor
do mundo. Em janeiro de 2009, durante a Quantum Structure Infrared Photodetector
Inernational Conference 2009 (QSIP2009), a principal conferncia mundial sobre o assunto,
12 artigos foram publicado a respeito do projeto de QWIPs. Em abril de 2009, o SPIE
Defense, Security and Sensing Simposium teve pela 35 vez consecutiva uma seo, que se
alongou durante os cinco dias de conferncia, dedicada a aplicaes e tecnologia de IR, onde,
novamente, 12 artigos foram dedicados ao projeto de QWIPs, incluindo um baseado no
trabalho que est sendo apresentado por esse documento (SANTOS, 2009). Todas estas
atividades evidenciam a importncia do tema desse trabalho.
O uso de dispositivos a base de QWIPs ainda controverso apesar de os investimentos
em pesquisa e desenvolvimento (P&D) se tornarem significativos nos Estados Unidos e
Frana. Alguns autores, como Rogalski, ainda so cticos quanto a empregabilidade e custo

18

de QWIPs. Seu argumento mais forte apoiado na baixa eficincia quntica devida a
problemas de acoplamento de luz quando esses dispositivos so comparados a detectores
convencionais de HgCdTe e InSb. Este trabalho, porm, inspirado nos resultados e
possibilidades apresentados pela THALES e pelo JPL e claramente expressa no livro de
Schneider e Liu (SCHNEIDER, et al., 2007):
After all, a natural question still arises concerning the motivation for
studying QWIPs, since technologies based on HgCdTe and InSb are well
developed for IR detection and imaging in the wavelength region about 3-14
m. What advantages do QWIPs provides? The first and foremost important
advantage relates to the availability of a mature material and processing
technology for QWIPs based on GaAs. QWIPs based on InP and Si have
also been investigated, but they are far from the mature. With the mature
technology, it is anticipated that the cost of an imaging device based on
QWIP would be substantially less than that based on HgSdTe or InSb, and
that a large volume production capability can be easily established. Other
advantages relate to the uniqueness and the flexibility of the QWIP
approach, e.g., in high speed and multicolor applications. It is necessary
and important compare QWIP with other established detectors such as
those based in HgCdTe and InSb. It is at least equally or even more
important to remind ourselves of the lemma of any new technology, best
described by the statement made by Kroemer: The principal applications of
any sufficiently new and innovative technology always have been and will
continue to be applications created by that technology.

19

I.1.

Fotodetectores Infravermelhos a Poos Qunticos

A denominao poo quntico vem de poo de potencial, o qual pode ser obtido quando

um material semicondutor crescido entre dois outros semicondutores (sanduichado) que

possuem um gap de energia maior, provocando a formao de nveis qunticos de energia,
que confinam portadores a duas dimenses. Nesse sentido, a radiao IR pode ser absorvida
causando excitao nos portadores, fazendo-os sarem do estado fundamental para um estado
superior. Quando a transio ocorre entre nveis quantizados dentro de uma mesma banda,
essa transio denominada intersubbanda; e quando acontece entre nveis quantizados entre
as bandas de valncia e conduo, denominada interbanda. Selecionando-se o material e
controlando sua composio e dimenses, o espectro de absoro pode ser predito ou
projetado com exatido.
Em 1969, L. Esaki e R. Tsu (ESAKI, 1970) iniciaram a investigao de uma idia de que
a variao peridica da composio ou da concentrao de impurezas em ligas ou materiais de
interesse introduzida durante o crescimento epitaxial desses materiais poderia criar um
potencial peridico ou uma superestrutura (superlattice) em um semicondutor. A estrutura
formada responsvel pela formao de subbandas de energia nas bandas de valncia e
conduo. Como consequncia, absores pticas entre subbandas so possveis em QW,
permitindo a utilizao de materiais com band gaps maiores que 1eV para deteco do
infravermelho distante (LWIR) (ALVES, 2008). Um novo modo de deteco IR utilizando
estados quantizados em poos qunticos foi proposto e previsto teoricamente por Coon e
Karunasiri em 1984 (COON, et al., 1984), e os resultados do primeiro QWIP funcionando
foram publicados por Levine et al em 1987 (LEVINE, 1987). Uma boa descrio acerca da
histria do desenvolvimento dos QWIPs apresentada em (NAG, 2001) e (ALVES, 2008).
Hoje em dia, muitos dos trabalhos publicados de QWIPs esto direcionados para Megapixel
FPAs.

20

Com o objetivo de dar continuidade ao trabalho que vem sendo conduzido entre o
Instituto Tecnolgico de Aeronutica, atravs do Laboratrio de Guerra Eletrnica (LabGE), e
a Naval Postgraduate School (NPS), atravs do Sensors Research Lab (SRL), foi verificada a
necessidade de se investigar diferentes maneiras de estimar as figuras de mrito de QWIPs,
especialmente sua resposta espectral. Este trabalho est focado nessa investigao.
Ao longo dos ltimos quatro anos, o trabalho de pesquisa em mtodos que possam ser
utilizados no projeto de QWIPs se desenvolveu e incorporou novos parceiros. Foram
estabelecidas parcerias com o Laboratrio de Novos Materiais Semicondutores do Instituto de
Fsica da USP (IFUSP), para o crescimento de amostras projetadas no LabGE, com o
Laboratrio de Fsica Computacional do Instituto de Fsica da USP So Carlo (IFSC) para o
estudo de Hamiltonianos e estrutura de bandas de semicondutores, com o Centro do
Componentes Semicondutores da UNICAMP para o processamento de amostras e, mais
recentemente, com o Instituto de Estudos Avanados para o desenvolvimento conjunto de
fotodetectores.

I.2.

Objetivo e organizao do trabalho

O objetivo dessa tese estabelecer uma metodologia para calcular os nveis confinados

de energia e suas respectivas funes de onda usando o mtodo de matriz de transferncia

(TMM) visando a estimao da resposta espectral de QWIPs onde ocorrem transies
interbanda e intersubbanda.
O TMM foi selecionado devido a sua habilidade de tratar estruturas com grande nmero
de camadas com diferentes materiais semicondutores. Esta tcnica permite uma descrio de
cada camada da estrutura por uma matriz que contm informaes acerca da funo de onda,
relacionando-a a especificidades do material, tais como, potencial, massa efetiva, momento

21

cristalino, etc. Segundo (CHOI, 1997), o TMM dos mtodos mais poderosos e versteis para
se obter o coeficiente de transmisso, a probabilidade de tunelamento, os estados eletrnicos e
as correspondentes funes de onda de uma estrutura com um perfil de potencial arbitrrio, tal
como uma heteroestrutura que possui vrias diferentes camadas. Atravs desse mtodo, as
funes de onda calculadas em diferentes camadas da estrutura podem ser casadas em cada
interface da estrutura do poo quntico (heterojuno) conectando camadas ou domnios
adjacentes.
Este trabalho est organizado como se segue.
O segundo captulo descreve alguns aspectos tericos necessrios para o entendimento do
trabalho como um todo. O captulo iniciado com a definio de heteroestrutura e sua
classificao. Aps, as transies interbanda e intersubbanda so discutidas. A partir da regra
de ouro de Fermi, os coeficientes de absoro entre estados confinados so deduzidos para
transies interbanda e intersubbanda. Para o modelamento das transies entre estados
confinados e o contnuo proposta uma tcnica de quantificao dos estados do contnuo,
onde esse domnio tratado como um poo de barreiras e largura consideradas infinitas.
O modelo fsico matemtico selecionado para ser usado no trabalho tambm
apresentado no Captulo II. O modelo usado uma adaptao de um Hamiltoniano
representado por uma matriz 8x8 que considera as bandas de valncia e conduo, assim
como os acoplamentos interbandas e intersubbandas. Este Hamiltoniano foi escolhido devido
a especificidades das estruturas a serem modeladas, onde uma srie de simplificaes pode ser
considerada para facilitar os clculos e diminuir o esforo computacional. Os efeitos causados
pelo strain na estrutura de bandas do semicondutor tambm adicionado ao Hamiltoniano.
Neste caso, antes da adio todo um desenvolvimento terico de sua origem e causa
realizado. Ainda dentro desse contexto, o potencial a ser considerado pelo modelo tratado
como sendo a adio de trs contribuies diferentes: o potencial devido ao band offset,

22

devido ao campo eltrico aplicado e devido a distribuio de cargas, que requer a soluo da
equao de Poisson de forma auto-consistente.
Por fim, o formalismo do TMM apresentado com o objetivo de se obter a matriz de
transferncia de coeficientes. Essa matriz a base de todo o trabalho, pois atravs de suas
caractersticas possvel modelar uma heteroestrutura ou um perfil de potencial arbitrrio e
calcular seus estados confinados e respectivas funes de onda.
A integrao da teoria discutida com o TMM apresentada no terceiro captulo. Essa
integrao permite que um meio ou domnio possa ser representado a partir de condies de
contorno pr-estabelecidas.
Ainda no segundo captulo, h a descrio de toda a metodologia desenvolvida que foi
dividida em trs etapas principais a saber: construo do perfil de potencial, clculo dos nveis
confinados de energia e suas respectivas funes de onda e predio da resposta espectral. Na
descrio do clculo dos nveis confinados, destacado a discretizao do perfil de potencial
em fatias de potencial constante.
O quarto captulo apresenta os resultados numricos obtidos com a utilizao do mtodo
desenvolvido. O mtodo aplicado em perfis de potencial com solues analticas para que
haja uma comparao de resultados e verificao das potencialidades do mtodo, onde o perfil
selecionado foi o poo de potencial de Psch-Teller. Em seguida, vrias estruturas descritas e
simuladas ou medidas reportadas na literatura so simuladas. Em ambos os caso, os resultados
so bastante satisfatrios. Esses resultados incentivaram a reproduo de resultados obtidos
em medidas de dispositivos reais caracterizados pela equipe do LabGE. Novamente os
resultados obtidos foram positivos.
O quarto captulo finalizado com uma anlise de erros. Esta anlise propicia uma viso
clara do impacto das incertezas nos valores dos principais parmetros utilizados nas

23

simulaes. So eles: o band gap, o band offset split off rate, o strain, a correo de band
offset devido a segregao de Indio, a espessura da camada atmica utilizada na correo de
band offset e o tempo de vida do portador no primeiro estado excitado.
O captulo conclusivo resume todo o trabalho feito, enfatizando os resultados e apontando
o trabalho que ainda precisa ser feito para dar prosseguimento a pesquisa relatada nesse
trabalho.

24

II. ASPECTOS TERICOS

O controle do fenmeno de fotodeteco requer a capacidade de modelar
matematicamente os efeitos qunticos causados pela interao entre estruturas semicondutoras
e campos eltricos aplicados a essas estruturas. Esta captulo apresenta os principais aspectos
tericos envolvendo a deteco do infravermelho (IR) por dispositivos a poos qunticos, bem
como o detalhamento do modelamento e tcnicas de clculo utilizados para estimar os
parmetros fsicos necessrios analise e projeto desses dispositivos.

II.1. Heteroestruturas
Heteroestruturas para uso em dispositivos de poos qunticos podem ser concebidas a
partir de trs diferentes maneiras: estruturas de juno simples, estruturas de juno dupla,
chamadas de poos qunticos (QW), e as estruturas de multi-juno. Estas estruturas so
apresentadas na Figura 1.

Figura 1: Heteroestruturas em QW: (a) juno dupla; (b) multi-juno (superlattice) (NAG,
2001). Ecb e Evb significam a energia referente ao fundo da banda de conduo e o topo da
banda de valncia respectivamente.

A Figura 1, traz tambm os perfis de potencial tpicos para cada tipo de heteroestrutura
em sua parte inferior. Na figura, Ec representa a energia no fundo da banda de conduo, Ev a
energia no topo da banda de valncia, b a camada referente barreira e w a camada referente
ao poo. importante notar que na estrutura descrita em (b), barreiras e poos possuem

25

espessuras bem prximas, enquanto que as descritas em (a), as barreiras so bem maiores que
os poos. Estas diferenas trazem conseqncias tais como o acoplamento dos nveis de
energia confinados na estrutura (b) e o desacoplamento dos mesmos em (a). Estas
conseqncias sero tratadas mais adiante.
Os estados eletrnicos em estruturas cristalinas so calculados assumindo que os
parmetros intrnsecos da liga constituinte e sua estrutura de bandas permanecem inalterados
para os compostos que esto sendo utilizados nas diversas camadas da estrutura, mesmo
quando as camadas desses compostos tm suas dimenses comparveis a sua constante de
rede em uma ou mais direes. Este problema ser abordado durante o clculo dos nveis
confinados de energia onde algumas camadas de material semicondutor podem possuir
espessuras da ordem de grandeza de uma dezena de Angstroms (). Os estados eletrnicos
so calculados atravs da soluo da equao de Schrdinger para um dado perfil de potencial
usando-se os parmetros intrnsecos de cada liga, alm das aplicaes da aproximao de
massa efetiva e as condies de contorno adequadas (NAG, 2001).
A associao de diferentes tipos de materiais semicondutores permite obter uma variada
combinao de perfis de potencial em funo do alinhamento de seus band gaps. No caso
desse trabalho, todos os perfis usados sero do Tipo I, segundo classificao encontrada em
(SINGH, 2003). Neste tipo de perfil, as bandas de valncia e conduo do material que tem o
menor band gap (potencial) esto totalmente inseridas no gap de energia do material de maior
potencial, conforme pode ser observado na Figura 2.
Em heteroestruturas do tipo QW, nveis quantizados de energia so permitidos dentro dos
poos, enquanto um espectro contnuo de energia possvel fora do poo. A Figura 2 mostra
o perfil de potencial de mltiplos poos qunticos (MQW), onde os potenciais das barreiras e
dos poos so representados por EgB e EgW, respectivamente. CBO e VBO representam o band
off-set das bandas de conduo e valncia, Ec e Ev representam os respectivos nveis

26

confinados de energia, z o eixo de crescimento do cristal e V(z) representa o perfil de

potencial, em funo de z.

Figura 2: Perfil de potencial de mltiplos poos qunticos (ALVES, 2008).

O comportamento dos portadores dentro da estrutura pode ser descrito pela Equao
de Schrdinger utilizando-se as condies de contorno aplicveis a esta estrutura. H tambm
a necessidade de se controlar outros parmetros, tais como densidade de estados, populao
de subbandas, taxa de transio, dentre outros, que sero discutidos ao longo do trabalho.

II.2. Transies
Em QW podem ocorrer diversos tipos de transio entre diferentes estados. Dentre
todas as possibilidades, dois tipos de transies causadas por uma perturbao
eletromagntica variante no tempo so do interesse desse trabalho: a transio interbanda, que
ocorre quando um eltron da banda de valncia pode ser excitado para a banda de conduo, e
a transio intersubbanda, em que um eltron pode ser excitado de uma subbanda para outra,

27

na banda de conduo. Em ambos os casos, podem ocorrer transies entre um estado

confinado e estados no contnuo (ALVES, 2008).

Inicialmente, pode-se afirmar que as funes de onda,  , para estados quantizados

podem ser representadas por (NAG, 2001)

 = 
      ,


 = 
 





 

 ,

(1)

onde 
 a funo envelope normalizada para os estados inicial e final, A a rea de
normalizao do plano x-y, kxy o vetor de onda no plano x-y (kx, ky), o vetor de posio

no plano x-y e   representa as funes de Bloch que representam a periodicidade da rede

cristalina.

A taxa de transio entre um estado inicial representado por E  para um estado

final representado por E  , devido a um potencial de interao Vp, pode ser calculado
atravs da regra do ouro de Fermi (Fermis Golden Rule), dada por (NAG, 2001)
   ! =

"#

"

%& %'( % )% * E E ,!,

(2)

Onde , a energia incidente do fton e a funo delta representa a conservao de energia.

O potencial de interao dentro da aproximao de dipolo pode ser representado por (ALVES,
2008):

:/"
2
'( = 1
9 <= ? @A ,
./ 25 67 ,8

(3)

onde q a carga do eltron, I o fluxo de ftons incidentes, c a velocidade da luz, nr o

ndice de refrao, a freqncia angular do fton incidente, <= o versor que define o

sentido do fluxo de ftons incidente e p forma vetorial do operador momento linear. Na

exponencial, o termo s representa o vetor de onda do fton incidente e r o vetor posio.

Como o momento do fton muito pequeno quando comparado ao momento do eltron, a

28

exponencial pode ser descartada. O braket denominado elemento de matriz do dipolo

eltrico e tem a forma:
& %'( % ) = &
   %'( %
    ).
:

(4)

A equao (2) pode ser reescrita, aps as devidas substituies, como

=

"#

onde D =

"

D " C %&
 %<= ?%
 )% * E E ,!,
:

FG

"IJ KL

:/"

(5)

e MNO o vetor de onda ao longo do plano x-y.

Considerando que a funo envelope varia lentamente na direo z quando comparada com a
funo de Bloch e que, para transies pticas, os estados inicial e final devem ter o mesmo

momento (M = M o que significa dizer que o momento do eltron deve ser conservado

durante a transio, essa imposio denominada regra de seleo k segundo classificao

adotada por (TAYLOR, 1991) e (NAG, 2001)), a matriz de elementos pode ser aproximada
por

P Q'( Q R =

SP Q'( Q RP

Q
R + P
Q'( Q
RP Q RU.

(6)

II.2.1. Transies interbanda

Conforme comentado anteriormente, neste caso as transies ocorrem entre as bandas de
valncia e de conduo.
Iniciando a anlise a partir da equao (6), segundo (NAG, 2001), a integral representada
pelo braket pode ser simplificada considerando-se que as funes de Bloch so ortogonais

quando aplicadas a diferentes bandas (   ), todo o segundo termo da equao (6)

torna-se zero. Assim, para este caso a equao (6) pode ser reescrita como:

29
P Q'( Q R = D P Q<= ?Q RP
Q
R.
:

(7)

Segundo (VURGAFTMAN, et al., 2001), a matriz de elementos do operador momento

linear entre as bandas de conduo e valncia pode ser expressa em termos de um simples
parmetro WX , originalmente definido por Kane (KANE, 1966) como
WX

Z
W.
[\|^N |_` [\|^N |_` = X 5
.5
Z
|[\|^N |_`|" =

WX  FI


(8)

onde [\|^N |_` o elemento de matriz do operador momento entre orbitais do tipo s (banda de

conduo) e orbitais do tipo p (banda de valncia) na direo x e m0 a massa do eltron em

seu estado fundamental. Em um dado material, seu valor reportado em unidades de energia
(eV) e calculado atravs de
b( =

"FI


WX " WX " =

|[\|^N |_`|" =

cd

"FI

FI


cd 
"FI

cd FI
"

(9)
.

O termo Ep e foi extensivamente estudado por vrios autores e seu valor varia entre 17 e 25
eV para a maioria dos compostos binrios da famlia III-V. Com a aproximao descrita pela
equao (8), a equao (7) pode ser reescrita como
P Q'( Q R = D P
Q
R 
:

cd FI :/"
"

(10)

Finalmente, realizando-se a substituio da equao (10) na equao (2), obtm-se

=

"#

D " QP
Q
RQ

" FI cd
"

*Sb b ,U.

(11)

A equao (11) descreve a taxa das transies entre as bandas de valncia e conduo,
respeitando-se a regra de seleo k. Como a funo de onda que ser usada nesta equao j
deve estar normalizada, o termo

se torna desnecessrio. Essa equao chave para o clculo

30

do coeficiente de absoro, o que permite a predio de figuras de mrito tais como eficincia
quntica e responsividade.
Para a obteno do coeficiente de absoro necessrio realizar a integrao de todas as
transies possveis ao longo de todos os possveis valores de k. Considerando-se que todos
os estados da banda de valncia esto ocupados e que os correspondentes estados da banda de
conduo esto desocupados (disponveis), possvel expressar a razo de transio como:
=

"#

D " QP
Q
RQ

" FI cd
"

e "# fghi b j1 fghL b l*Sb b ,Um" n,

C

(12)

onde "# representa a densidade de estados 2D conjunta envolvida nas transies e fghi b 
C

e j1 fghL b l representam, respectivamente, a probabilidade de Fermi-Dirac de se encontrar

um eltron na banda de valncia com energia Ei e um estado vazio na banda de conduo com
energia tambm Ei. Devido distncia entre as bandas e falta de portadores ionizados, podese assumir que: fghi b  = 1 e fghL Sb U = 0. Assim, obtm-se:
=

D " QP
Q
RQ

"#

" FI
C
S
b
(
 e * bf
"#
"

bZ ,Um M.
2

(13)

Usando-se a aproximao de massa efetiva, obtm-se que m " M = 2pM mM. Considerando-se o

topo da banda de valncia como sendo o nvel zero de energia, tem-se que b = br + bL +

  
"FG

e b = bi +

  
"FG

, onde os termos dependentes de k representam o deslocamento de

energia devido mudana no valor de k (as bandas de valncia e conduo so assumidas

parbolas com concavidades opostas), Eg o gap de energia, Ec o nvel de energia na banda
de conduo e Ev o nvel de energia na banda de valncia. Realizando as substituies
necessrias na equao (13) e tomando-se apenas a integral inserida na mesma, tem-se que:
e *Sb b ,U m " M = e * br + bL bi +

onde

FJ

  
"FJ

,! 2pM mM,

= F + F . A partir da propriedade fundamental da funo *, dada por

:

(14)

31
e u f t* t mt = f 0,
u

(15)

e rearranjando seus termos, obtm-se:

mt =

t = br + bL bi +

" 
"FJ

  
"FJ

,;

mM = F M mM 2M mM =


"FJ


mt.

(16)

Realizando-se as substituies necessrias na equao (14), obtm-se

e * t

"FJ


mt =

"FJ


w t,

(17)

onde H(x) uma funo de Heaviside. Dessa forma,

"FJ


w t  = f 0.

(18)

Como para f(0) tem-se que k=0, ento

"FJ


w t  =

"FJ


wSbf bZ ,U.

(19)

Realizando-se as ltimas substituies, pode-se chegar equao final da taxa de transio:

=

"# E

FG

"xI J KL

 = F "x
E

QP
Q
RQ

FJ FI cd

I J L K

" FI cd
"

"FJ

"# 

wSbf bZ ,U,

2QP
Q
RQ wSbf bZ ,U.
"

(20)

Finalmente, deve ser introduzido um fator de correo que impe uma regra de seleo
que torna transio em um poo quntico semelhante a que ocorre em um bulk material. O
fator de correo definido como \ yc , para o modo de propagao TE que considerado

nesse trabalho, e tem a forma matemtica (ROSENCHER, 2002) (ALVES, 2008)

yc
\zz
=
yc
\|z
=

Assim,

"
:

(21)

32
 = F "x
E

FJ FI cd

I J L K

\ yc 2QP
Q
RQ wSbf bZ ,U.
"

(22)

Como o coeficiente de absoro pode ser definido como a razo de transio por unidade
de volume dividido pelo fluxo incidente de ftons, ou seja,
~ = /2,


A expresso final para ~ dada por:

~ = F "x
E

\ yc | QP
Q
RQ wSbf bZ ,U.
L K

FJ FI cd
I J

(23)

"

(24)

II.2.2. Transies intersubbandas

As transies eletrnicas entre subbandas de uma mesma banda de um semicondutor
podem ocorrer em poos qunticos dopados. Transies dentro da banda de valncia
requerem dopagens do tipo p, enquanto que as transies dentro da banda de conduo
requerem dopagens do tipo n. Este trabalho est direcionado para as transies intersubbandas
dentro da banda de conduo devido alta absoro (ALVES, 2008), fazendo com que este
tipo de transio seja muito explorada em fotodetectores a poos qunticos (LEVINE, 1993).
Neste contexto, na equao (6), a integral representada pelo braket pode ser simplificada

considerando-se que as funes de onda (

) so ortogonais entre estados subseqentes ou

que possuem paridades diferentes (NAG, 2001). Dessa forma, o termo P
Q
R da

equao (6) igual a zero. O segundo termo da mesma equao tambm pode ser

simplificado assumindo-se que as funes de Bloch se superpem totalmente (wavefunction

overlap). Ou seja, o termo P Q R se torna igual a unidade. Dessa forma, para esse
caso, a equao (6) pode ser reescrita como:

P Q'( Q R = D P
Q<= ?Q
R.
:

(25)

33

Dado que a funo de onda s depende da direo z, somente a componente z do produto

escalar que descreve o potencial de interao aplicado funo de onda, resultando em
P Q'( Q R = D
=D

1
*
Z <=  &
 
)

*

1
*
Z8 &
 
),

*

(26)

onde o ngulo entre <= e o eixo z, que tambm pode ser definido com ngulo de incidncia

do fluxo de ftons. Substituindo-se a equao (26) na equao (2) obtm-se

=

"#

D " " %&

%

"

%
)% *Sb b ,U8 " .

(27)

Outra importante observao dependncia do ngulo de incidncia. Esse ngulo formado

entre o plano que contm as camadas de semicondutores e o sentido do fluxo de incidncia.
Ou seja, se a incidncia for paralela ao eixo de crescimento das camadas de semicondutores
(incidncia normal), no h transio, considerando-se uma onda plana tipo TE, o que
assumido para esse trabalho.
Esse fato tem grande impacto em dispositivos prticos, uma vez que a deteco de
incidncia normal fortemente desejvel. Tcnicas tais como, acoplamento em ngulo e
grades de difrao so necessrias para tornar tais dispositivos utilizveis.
Neste ponto necessrio incorporar no modelo a estatstica de ocupao de Fermi-Dirac
=

"#

"

D " " %&

% %
)% *Sb b ,U8 " mfgh b j1 fgh b l.

(28)

Devido a caractersticas de fotodetectores a poos qunticos, tais como nvel de dopantes e

distncia entre nveis inicial e final (>3KBT), possvel considerar todos os estados iniciais

ocupados e todos os estados finais desocupados. Assim, o produto fgh b j1 fgh Sb Ul = 1.

Ainda na equao, d significa a densidade de dopagem e o produto AL o volume

34

considerado. Um parmetro importante em transies intersubbanda definido como fora de

oscilador normalmente dado como (SCHNEIDER, et al., 2007)
f, =

"

FG K

%&
%

"

%
)% .

(29)

Para bandas assumidas perfeitamente parablicas a fora de oscilador segue a regra

(SIRTORI, 1994)
f, = 1.

(30)

Esta condio vlida para todos os estados iniciais i e soma se estende sobre todos os
estados finais f.
Finalmente, o coeficiente de absoro intersubbanda pode ser representado por:
~ = Fx

#E

G I J L K

%&
%

"

%
)% *Sb b ,U8 " .

(31)

Idealmente, a absoro intersubbanda ocorre em um nico comprimento de onda, porm,

na prtica, o coeficiente de absoro modificado por vrios fatores, tais como nouniformidade na largura do poo e colises entre eltrons, dentre outros (ALVES, 2008)
(SCHNEIDER, et al., 2007). Normalmente, o efeito de alargamento do coeficiente de
absoro representado pela substituio da funo delta por uma funo Lorentziana dada
por (LEVINE, 1993) (NAG, 2001)
, = "#
:




Sc c KU  !

(32)

onde o parmetro de alargamento, que igual a largura mxima meia altura da curva que
representa a absoro. Este parmetro normalmente determinado experimentalmente e seu
valor varia de 10 a 25 meV (ALVES, 2008).
Dessa forma a expresso final do coeficiente de absoro intrabanda dada por

35
~ = "F x

E 

G IJ L K

%&
%

"

%
)% 8 "




Sc c KU  !

(33)

Uma caracterstica marcante neste tipo de absoro um espectro estreito

(HOLMSTROM, 2008). Quando se deseja um espectro de absoro mais largo, necessrio
considerar as transies entre estados confinados e o contnuo.

II.2.3. Transies entre estados confinados e o contnuo

Este tipo de transio ocorre quando h apenas um ou mais nveis de energia confinado
em um poo quntico na banda de conduo, o que provoca a transio de um eltron
confinado para um estado de energia localizado no contnuo. A fora de oscilador desse tipo
de transio menor quando comparada a uma intersubbanda. Entretanto a existncia de um
contnuo de estados permite um alargamento na faixa de deteco.
Uma das maneiras de se modelar esse tipo de transio seria considerar os estados com
energia maiores que o topo da barreira de potencial, contnuo, como sendo nveis confinados
em um poo quntico com comprimento tendendo a infinito e cujas barreiras tambm tm
potencial infinito (ROSENCHER, 2002). A Figura 3 mostra um diagrama esquemtico dessa
estrutura. Na figura, Lw representa o comprimento do poo e Lc o comprimento do pseudopoo que modela o contnuo. Ao fazer Lc tender a infinito, os nveis de energia confinados
tendem a se aproximar, formando um contnuo de estados. Em (ROSENCHER, 2002)
proposta uma metodologia de clculo do coeficiente de absoro considerando que os nveis
de energia do pseudo-contnuo esto suficientemente agrupados para serem tratados como
densidade de estados. No trabalho desenvolvido nesta tese, prope-se quantizar um nmero
suficiente de estados do pseudo-contnuo e estimar o coeficiente de absoro de cada
transio individualmente. A interpolao entre os mximos de absoro, que ocorre quando a

36

paridade dos nveis inicial e final diferente, representa a resposta espectral de absoro da
estrutura. Esta proposta ser detalhada no captulo 4.

0.35
0.3
ENERGIA (eV)

0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0

0.5

1.5

2.5

EIXO DE CRESCIMENTO (ANGSTRONS)

3.5
-8
x 10

Figura 3:Diagrama esquemtico da tcnica de pseudo-quantificao em um poo quadrado, para

clculo do coeficiente de absoro entre um estado confinado e estados no contnuo.
(ROSENCHER, 2002).

II.3. Modelo fsico-matemtico

O comportamento dos portadores em uma estrutura qualquer pode ser descrito por
w(z)=E (z),

(34)

onde  representa a funo de onda e E a energia associada ao sistema, que o resultado da

aplicao do Hamiltoniano H em dada uma funo de onda. Considerando as especificidades

das estruturas de material semicondutor utilizadas em QWIPs e a complexidade da interao
entre os vrios parmetros envolvidos, utiliza-se como base para o modelo proposto nesse
trabalho, o Hamiltoniano 8x8 proposto por (BAHDER, 1990). Este modelo foi escolhido
porque permite calcular a estrutura de bandas a partir de um modelo completo que considera
as bandas de valncia e conduo e os termos que descrevem os acoplamentos interbandas e
intersubbandas. o Hamiltoniano de Bahder dado por:

37

+'

2  

3 + '

3 ' 

+ '

w=

3 '

2  

'

R*

S*

2  

'

R*

2 ' 

2 + '

+

2  
+

3
1 9
2

:
"

3 + ' 

2
1

:
"

2 '
3
1 9
2

:
"

2
1

3
1 9
2

2 ' 
 +
2
1

3
1 9
2

:
"

(35)

Na matriz da equao (35), deve-se destacar que os termos que esto na diagonal
principal representam os Hamiltonianos simplificados ou parciais para cada banda relativa a
eltrons, buracos pesados, buracos leves e spin-orbit split-off, enquanto que os termos fora da
diagonal principal so os termos que definem o acoplamento entre as bandas. O termo A

representa o Hamiltoniano da banda de conduo, a expresso + representa o

Hamiltoniano associado banda dos buracos leves, representa o Hamiltoniano

associado banda dos buracos pesados e Z representa o Hamiltoniano associado banda de

spin-orbit split-off. As expresses para cada termo so dadas por:

38
 = '
 + "F SMN" + MO" + M" U,


'=

=
1

5 M ,

5 SMN ZMO U

=Z

MN MO ,

M SMN + ZMO U,

= '
 + " : F SMN" + MO" + M" U,
= " "
:

FI

SMN" + MO" 2M" U,

" SMN"
"
FI

\ = 3

(36)

FI

MO" U 2Z MN MO ,

M SMN ZMO U,

= '
 " : F SMN" + MO" + M" U.
:

As constantes : , " , so os parmetros de Luttinger, '

 o termo que representa o

potencial total ao longo de toda a estrutura, a energia relacionada banda de spin-orbit

split-off , m* a massa efetiva do eltron e o termo B o parmetro de Kane definido como

parmetro de inverso de assimetria. Finalmente, b o parmetro que controla o

acoplamento entre as bandas de valncia e conduo e relacionado P0, que o parmetro

que define o acoplamento dessas bandas longe do ponto k=0 (VURGAFTMAN, et al.,
2001)(BAHDER, 1990). A relao entre Ep e P0 foi definida na equao (8). Todos os
parmetros descritos so dependentes de z, porm, toda a anlise ser realizada para um ponto

zi fixo da estrutura. As equaes (36) trazem uma adaptao ao modelo de Bahder proposta
pelo Prof. Ghilherme Sipahi do Laboratrio de Fsica Computacional do Instituto de Fsica de
So Carlos (IFSC) durante uma das reunies de intercmbio. O Hamiltoniano A passou a

39

estar descrito em funo da massa efetiva e os Hamiltonianos A, P e Z passam a incorporar o

potencial V(z).
Ainda na equao (35), os termos localizados fora da diagonal principal podem ser assim
definidos: U e V so termos que expressam o acoplamento entre as bandas de conduo e
valncia devido a dependncia desses termos em relao P0; W e T so termos de
acoplamentos entre as bandas que levam em considerao as assimetrias ao longo das bandas
devido a dependncia em relao ao termo B; R e S so os termos que representam
acoplamentos de 2 ordem entre as bandas de buracos leves e pesados e dessas bandas com a
banda de spin-orbit split-off, alm de definirem o formato da bandas relativas aos buracos
pesados e leves, levando-as a ter um formato no parablico longe do ponto .
Todo o modelo definido nos termos da base descrita pelas funes de Bloch, na qual a
banda de conduo possui estados do tipo s, enquanto que a banda de valncia possui estados
tipo p. A base definida pelas funes de Bloch bem descrita em (CHUANG, 1991),
(ANDREANI, 1987) e (LIU, 2007). O Apndice A do trabalho explicita a base utilizada no
procedimento de clculo e mostra como uma transformao de base pode ser realizada.
Embora esse modelo seja completo, devido a especificidades das estruturas a serem
modeladas, uma srie de simplificaes podem ser consideradas para facilitar os clculos e
diminuir o esforo computacional.
A primeira simplificao do modelo feita considerando o band gap do material
suficientemente grande para desacoplar as bandas de valncia e de conduo, conforme
sugesto de (ENDERLEIN, 1998). Ou seja, no h interferncia ou perturbao de uma banda
em outra. Dessa forma, os procedimentos de clculo dos nveis de energia das bandas so
realizados separadamente. A referncia (ENDERLEIN, 1998) explica que o modelo completo
de Kane usado em materiais com pequeno band gap direto na primeira zona de Brillouin
que tem como centro o ponto . O tratamento neste trabalho se limitar as transies relativas

40

aos nveis de energia restritos aos valores de k (vetor de onda) prximos ao ponto , que
definido como sendo o ponto no qual k=0 (HARRISON, 2006). Ao redor desse ponto, os
nveis de energia podem ser calculados dentro da primeira zona de Brillouin, implicando em
uma condio de alta simetria (HARRISON, 2006). Para materiais com grande band gap,
como GaAs e AlAs, o modelo de Kane pode ser substitudo pelo modelo de Luttinger-Kohn
(LK) que trata as bandas de conduo e valncia separadamente. Como P0 definido como o
parmetro que de acoplamento entre as bandas (VURGAFTMAN, et al., 2001), quando se
torna zero, as bandas so desacopladas. Dessa forma, a equao (35) passa a ter a forma
w=
A

R*

S*

R*

3
1 9
2

:
"

3
1 9
2

:
"

2
1

3
1 9
2

:
"

2
1

3
1 9
2

:
"

(37)

Assim, o Hamiltoniano a ser aplicado banda de conduo fica reduzido ao termo A, j

definido na equao (36):
w = "F SMN" + MO" + M" U + '
.


(38)

Seguindo-se o mesmo raciocnio, baseado na perturbao que uma banda causa em outra, a
banda de SO tambm pode ser desconsiderada. Como a distancia da banda de SO ,

41

aproximadamente, da mesma ordem de grandeza do gap do material, no faz sentido a

manuteno dessa banda no modelo. Assim, o Hamiltoniano a ser aplicado na banda de
valncia tem a forma

\
w =

\
+
0

0
+
\

.
\

(39)

Em seguida, uma segunda simplificao pode ser realizada. Considerando-se que a

equao (34) pode ser expandida em termos das trs possveis dimenses de uma
heteroestrutura, a mesma pode ser reescrita como
N + w
O + w
l t, ,
 = b t, ,
,
jw

(40)

N,O =  + ' t, ,
w
"F N,O

(41)

N,O , assim como w

, dado por
onde w


Sendo . o parmetro de massa efetiva.

Esta expanso permite que se observe mais facilmente o comportamento dos potenciais
devido ao band off-set a que os portadores esto submetidos em cada dimenso, conforme
apresentado na Figura 4.

42

x
V
y
z

V0

(growth direction)

(a)
y

x
V
y
z

V0

(growth direction)

(b)
Figura 4: Diagrama esquemtico do perfil de potencial de uma heteroestrutura onde V(x,y) constante dentro de
cada camada da estrutura, tornando os portadores livres no plano x-y (a), e onde V(z) definido pelo band off-set
dos materiais usados para comporem a heteroestrutura causando confinamento dos portadores (ALVES, 2008).

A Figura 4 mostra que o potencial V(x,y) pode ser considerado constante dentro de cada
camada da estrutura, tornando os portadores, eltrons ou buracos, livres no plano x-y,
enquanto que o potencial V(z) basicamente definido pelo band off-set dos materiais usados
(outras contribuies sero consideradas posteriormente), causando o confinamento eletrnico
na direo z. Ou seja, o eltron ou buraco exposto a um perfil de potencial modulado na
direo z e se comporta como uma partcula livre no plano x-y onde as dimenses so
assumidas infinitas. Dessa forma, o efeito do confinamento unidimensional do potencial ao
longo do eixo z remover um grau de liberdade do portador, restringindo seu momento de
trs para duas dimenses (HARRISON, 2006).

43
A energia total da partcula dentro de um poo de potencial dada por b = b + bNO ,

onde Ez (b ) so os nveis de energia dos estados discretos ao longo da dimenso z e Exy (b|| )

o contnuo de estados no plano x-y. Tomando  t como uma onda propagante padro

(standard travelling wave) e substituindo-a na equao (40), conforme sugerido por

(HARRISON, 2006), obtm-se
"F N    N = bN   N ;


 
"F

= bN .

(42)

Observa-se que a equao (42) pode ser definida como sendo a energia cintica de uma onda
propagante ao longo do eixo x. O mesmo procedimento usado para o eixo y. Ento,
considerando-se apenas o movimento no plano x-y da partcula em um potencial bidimensional constante com infinita extenso, tem-se que
 =

1   N O
  


(43)

Onde A a constante de normalizao da funo de onda e

b =

 Q Q
"F

(44)

Em resumo, enquanto que as solues da equao (40) ao longo do potencial modulado

no eixo z so estados discretos, as solues no plano x-y so um espectro contnuo de
energias.
Portanto, b representa a energia cintica da partcula e se torna um termo aditivo a

energia total. Em conseqncia, a energia de transio envolve apenas b , podendo-se

assumir que Exy=0 e kxy=0.

Essa concluso permite representar o Hamiltoniano aplicado banda de conduo igual a

44
w =

+ '
.


"F

(45)

Como o mesmo raciocnio aplicado na banda de valncia, os termos S e R so igualados a

zero. Assim, o Hamiltoniano aplicado banda de valncia se torna igual a

0
w =
0
0

0
+
0
0

0
0
+
0

A equao (46) pode ser reescrita na forma

onde, explicitamente tem-se

+
w =
0

w =
0
|

w = w
0

0
0

+ '
.

(46)

0 ,
w|

: 2" 
0
"FI
=

0
 

: + 2" 
0
"FI
=
+
0


(47)


"FI


"FI

: + 2" 
0

: 2" 

(48)

No caso da banda de valncia, o gap de energia b considerado positivo no sentido para

baixo: b = b. As solues para os autovalores e correspondentes autofunes do

Hamiltoniano superior, w , so as seguintes

b = ,

(49)

b = + ,

(50)

:
"
"
:zz
b

=
,
"zz

para buracos pesados, e

 =
:|z =
,

"

"|z
b
+ + 

para buracos leves. As funes de onda podem ser escritas, antes da normalizao, como

45

zz  = :zz  .7 Q1 + "zz  .7 Q2 = :zz  .7 ,

"zz

(51)

|z  = :|z  .7 Q1 + "|z  .7 Q2 = :|z  .7 .

"|z

(52)

para buracos pesados; e

para buracos leves. Expresses similares podem ser usadas para outras duas bases |3 e |4 do
Hamiltoniano inferior (CHUANG, 1991).

Rearranjando-se os termos de w definido pela equao (48), tem-se

wzz =

w|z =

 "

"

"

FI

M + '
; e

 "
FI

M + '
,

(53)

onde o termo kz foi reordenado para levar em conta a dependncia dos parmetros de
Luttinger em relao z (ALVES, 2008). A componente z do operador momento tambm
pode ser tratada como um operador que tem a forma
M = Z .

(54)

Da mesma forma, os parmetros de Luttinger podem ser substitudos por sua massas efetivas
usadas na direo cristalogrfica de interesse (001), direo z, (VURGAFTMAN, et al.,
2001):
:

 "
FI

 "
FI

;
(55)
.

Utilizando-se as equaes (54) e (55) possvel reescrever a equao (53) como

wzz =


" F

w|z =


"

+ '
; e

+ '
.


(56)
(57)

46

Analisando-se as equaes (56) e (57), verifica-se que a mesma corresponde a um caso

particular da equao de Schroedinger que utilizada para calcular os nveis de energia de
uma estrutura que est submetida a um dado potencial.
Na banda de conduo, o Hamiltoniano final dado pela equao (36), onde se refazendo
o procedimento descrito anteriormente, obtm-se
w =

"

+ '
.

(58)

Finalmente, pode ser dito que as equaes (56), (57) e (58) so o resultado de todo o
trabalho de simplificao matemtica feita no modelo completo descrito pela equao (36).
Nesse ponto, necessrio considerar os fatores que influenciam o perfil de potencial ao
qual os portadores so submetidos em estruturas de interesse.

II.4. Strain
O papel do strain nas propriedades eletrnicas e pticas dos materiais semicondutores
tem sido muito estudado nas ltimas dcadas. Este trabalho tem sido extremamente
importante no desenvolvimento do entendimento terico da estrutura de bandas de
semicondutores atravs da identificao de simetrias dos estados de energia envolvidos nas
transies pticas (SINGH, 2003).
Quando um semicondutor submetido a um tipo de strain, a estrutura cristalina fica
deformada resultando em deslocamento (shifts) e desdobramentos (splittings) dos nveis de
energia. O interesse desse trabalho est no strain provocado pelo descasamento da constante
de rede entre as camadas que compem uma heteroestrutura. Esse tipo de strain biaxial,
atuando no plano paralelo ao das camadas da estrutura (plano x-y) e provoca uma mudana
nos nveis das subbandas (WINCKLER, 2003).

47

Antes de tudo, necessrio entender que o strain provocado quando uma camada de
material semicondutor crescida sobre um substrato com uma espessura muito maior que a
do semicondutor, de tal forma que a constante de rede do substrato modifica a constante de
rede do material semicondutor, de forma que esta fica com uma dimenso prxima a do
primeiro. Utilizando essa considerao para o caso de heteroestruturas que formam perfis de
potencial com a formao de poos qunticos, quando a dimenso da barreira muito maior
que a dimenso da camada que forma o poo, h ocorrncia de strain dentro do poo.
Para que se possa estudar o efeito do strain nas propriedades eletrnicas dos
semicondutores que formam uma heteroestrutura, necessrio que primeiro se classifique as
estruturas que apresentam strain e, aps, estabelecer o tensor strain produzido pelo
crescimento epitaxial que o mtodo utilizado para a concepo de todas as estruturas
analisadas neste trabalho.
II.4.1. Estruturas coerentes e incoerentes
Considere-se o caso onde uma camada de semicondutor que tenha uma constante de rede
aL seja crescida sobre um substrato com constante de rede aS. Esta situao mostrada
esquematicamente na Figura 5.

48

Camada crescida
aL>aS
aL<aS

juno

Substrato
(a)

Estrutura Incoerente
z

n-1 junes: camada crescida

n+1 junes: camada crescida

n junes: camada crescida

n junes: camada crescida

(b)

Estrutura Coerente
z

(c)

Figura 5: (a) apresentao da relao das diferentes constantes de rede presentes na camada crescida e
substrato. (b) demonstrao de como os deslocamentos so gerados a partir do descasamento das junes. (c)
apresentao de como a camada crescida afetada pelo strain gerado no plano x-y sem a ocorrncia de
deslocamento.

O strain entre os dois materiais definido como (SINGH, 2003)

=

(59)

Se a constante de rede da camada crescida mantida como sendo aL, possvel

estabelecer que depois de cada

junes na interface entre a camada e o substrato, uma

49

juno da camada perdida ou adicionada, conforme mostrado na Figura 5-b. Estes defeitos
so denominados deslocamentos (dislocations). A presena desses deslocamentos impe uma
variao na energia do sistema, pois alguns tomos da camada crescida no possuem ligaes
qumicas com o substrato. Os deslocamentos caracterizam uma estrutura incoerente (SINGH,
2003).
A alternativa estrutura incoerente apresentada na Figura 5-c. Neste caso todos os
tomos presentes na interface entre a camada crescida e o substrato esto ligados pelo ajuste
da constante de rede no plano x-y da estrutura, considerando-se o eixo z como o eixo de
crescimento das camadas. O ajuste da constante de rede no plano x-y impe strain camada
crescida no eixo z e a estrutura passa a ter certa quantidade de energia decorrente do strain,
sendo denominada strain energy. A strain energy aumenta conforme a espessura da camada
crescida cresce (SINGH, 2003). Neste caso a estrutura denominada estrutura coerente e ser
tratada durante toda a tese.
Para pequenos descasamentos da constante de rede ( < 0,1), inicialmente, a camada a

ser crescida aumenta de tamanho em perfeito casamento com o substrato durante o

crescimento epitaxial, conforme mostrado na Figura 5-c. Porm, conforme comentado
anteriormente, a strain energy aumenta com o incremento da espessura da camada crescida, o

que pode, eventualmente, ser favorvel a criao de deslocamentos na camada crescida. Em

teorias simplistas, isso pode ocorrer na camada crescida em uma espessura denominada
espessura crtica, dc, que dada aproximadamente por (SINGH, 2003)

mL "||
.

(60)

Ou seja, para poos qunticos com espessura menor que a espessura crtica, no h
deslocamentos e o crescimento feito com casamento das constantes de rede. Para poos com
largura maior que a espessura crtica, a camada crescida tem uma seo em que o

50

deslocamento ocorre (esta seo surge prximo ao substrato) e, aps essa seo, o
semicondutor passa a no apresentar mais strain, passando a ter sua constante de rede original.

II.4.2. O Tensor de Strain em estruturas com descasamento de constantes de rede

Conforme comentado anteriormente, durante o crescimento epitaxial, tomado o cuidado
na seleo dos materiais de forma que os materiais crescidos no tenham constantes de rede
com uma diferena significativa, sendo desejvel que haja um casamento dessas constantes
(PEARSALL, 1990). Este tipo de cuidado resulta no crescimento de estruturas coerentes,
gerando um tipo de strain que bem modelado matematicamente. Alm disso, segundo Singh,
estruturas coerentes que so crescidas epitaxialmente apresentam uma intensidade de strain
considerada pequena.
No caso descrito acima, a constante de rede do material crescido forada a ter as
mesmas dimenses da constante de rede do substrato na direo perpendicular ao eixo de
crescimento (eixo z), ou seja, as dimenses das constantes de rede ficam iguais ou muito
prximas no plano x-y. A modificao da constante de rede do material crescido no plano x-y
altera a constate de rede no eixo de crescimento por um efeito denominado efeito Poisson. Se
a constante de rede forada a ser reduzida pelo substrato ou um strain compressivo
aplicado camada, a constante de rede no eixo z cresce. Inversamente, se a constante de rede
paralela (no plano x-y) forada a se expandir aplicando-se um strain de tenso, a constante
de rede perpendicular (no eixo z) , ento, diminuda. Esses dois casos so apresentados na
Figura 5-c e esse tipo de cristal coerentemente tensionado denominado pseudomrfico.
Para um crescimento camada-a-camada, a camada de semicondutor biaxialmente

tensionada no plano paralelo ao do substrato, plano x-y, por uma quantidade de strain e

uniaxialmente tensionado no eixo de crescimento por uma quantidade . Para um substrato

51

suficientemente espesso, o strain paralelo aplicado a camada determinado a partir das

constantes de rede do substrato e do material da camada crescida e explicitado por
(PEARSALL, 1990)
= 1 = .

(61)

Como no h strain aplicado na direo do eixo z, o tensor de strain perpendicular, ,

simplesmente proporcional ao strain paralelo atravs da razo de Poisson (PEARSALL, 1990)

= ,

(62)

onde a constante a razo de Poisson. Para uma rede cristalina cbica de face centrada
(FCC) no h incidncia de strain na direo (001) se o crescimento for na mesma direo.
Assim, segundo Singh, tm-se as seguintes relaes entre os tensores referentes a cada direo
na rede cristalina:
= " ;



NN = ;

NN = OO ;

"


(63)

NO = O = N = 0;

onde C11 e C12 so as constantes de stiffness do material.

Atravs dessa anlise, pode-se dizer que o strain biaxial imposto s estruturas crescidas
epitaxialmente na direo (001) pode ser representado uniaxialmente devido razo de
Poisson. Dessa forma, pode-se dizer tambm que a strain energy, comentada no item anterior,
fica condicionada ao eixo z, influenciando na localizao dos nveis confinados de energia em
heteroestruturas.

52

II.4.3. Strain em poos qunticos

Conforme as consideraes feitas anteriormente, todas as estruturas analisadas nesse
trabalho so crescidas epitaxialmente. Esse tipo de crescimento produz strain nas camadas que
so crescidas sobre o substrato ou sobre uma camada de semicondutor que muito mais
espessa que a camada do material que est sendo crescido. Em heteroestruturas como as que
sero estudadas, as camadas responsveis pela formao dos poos qunticos iro sofrer strain
j que so bem mais finas que as camadas que compem as barreiras, conforme ser
explicado nas prximas sees. Dessa forma, o strain fica confinado nas camadas que
compem os poos e representado matematicamente pelas equaes da seo anterior.
Uma vez que o tensor strain conhecido, pode-se iniciar a aplicao da Teoria do
Potencial de Deformao para se calcular os efeitos do strain nos vrios autoestados dentro da
zona de Brillouin. O Hamiltoniano que representa a perturbao devida ao strain pode ter seus
efeitos calculados de acordo com a teoria de perturbao de primeira ordem e tem a forma
w

=  


(64)

onde Dij o operador potencial de deformao, sendo que  so os elementos da matriz Dij,

e e so as funes bsicas usadas para um cristal no-perturbado (PEARSALL, 1990).

O potencial de deformao no calculado atravs de um mtodo ab initio, mas atravs
de resultados experimentais. Toda a teoria e desenvolvimento matemtico que envolve o
potencial deformao e o Hamiltoniano que o representa est descrita na referncia (SINGH,
2003).
De maneira geral pode-se dizer que o strain em uma estrutura coerente pode induzir dois
efeitos distintos na estrutura de bandas. O primeiro, que denominado potencial hidrosttico,
causa uma mudana no gap de energia do semicondutor, aumentando ou diminuindo o gap de

53

acordo com a relao das constantes de rede das barreiras e do poo. O segundo efeito, que

representado pela varivel , provoca a quebra de degenerescncia entre as bandas de buracos

leves e pesados. Ou seja, sem strain essas bandas so degeneradas (PEARSALL, 1990). Este
parmetro definido por (CHUANG, 1991)
= 1 +

D:"
.
D::

(65)

onde, b definido como um dos parmetros de deformao de Bir-Pikus. O potencial

hidrosttico dado pela expresso
*b 55: = SNN + OO + U.

(66)

Neste caso, o termo Dd=-av, onde av outro parmetro de deformao de Bir-Pikus.

O efeito do strain na estrutura de bandas das bandas de valncia e conduo ilustrado
pela Figura 6.

Figura 6: Representao esquemtica do efeito do strain em materiais semicondutores de gap

direto, ao longo da direo (001).

Na Figura 6 observa-se como o strain afeta a estrutura de bandas de uma camada de

semicondutor ao longo da direo (001) de crescimento em materiais de gap direto. Pode ser

54

observado que o topo da banda de valncia pode se aproximar ou afastar do fundo da banda
de conduo quando comparada a uma situao em que no h ocorrncia de strain. Quando
se observa o comportamento das bandas de buracos pesados (HH) e leves (LH), verifica-se
que o strain quebra a degenerescncia dessas bandas. Sob strain biaxial de compresso a
banda de buracos pesados est acima da banda de buracos leves, enquanto que sob strain
biaxial de tenso a banda de buracos leves se encontra acima da banda de buracos pesados.
Sob condies de strain a separao entre HH e LH pode chegar a 100 meV, o que evidencia a
necessidade de incorporar os efeitos de strain nos modelos das estruturas consideradas nesse
trabalho.
Os Hamiltonianos que representam o strain na banda de conduo e nas bandas de
buracos pesados e leves so, respectivamente, dados por (SINGH, 2003)
w = 2i

wzz
= 2i 

w|z
= 2i 

 

 


 




) ;

!+b

!b

(67)

 "


 "


! ;

(68)

! ,

(69)

onde a primeira parcela de cada equao representa o strain hidrosttico e a segunda parcela
representa a quebra de degenerescncia das subbandas de buracos pesados e leves.
Assim, substituindo-se as equaes (67), (68) e (69), respectivamente, nas equaes (56),
(57) e (58) obtm-se

wzz =

w =

w|z =

"

" F 


"

+ 2i

+ 2i 


 

+ 2i 


 



 + '
;

! + b

 




 "

! b



! + '
; e

 "


! + '
.

(70)
(71)
(72)

55

Nas equaes anteriores, observa-se que o Hamiltoniano, passa ser dividido em duas
partes, uma dependente dos vetores de onda (kz) e outra dependente dos componentes de
strain.
Finalmente, necessrio expandir o termo V(z) considerando os fatores que influenciram
o perfil de potencial.

II.5. Perfil de Potencial

De acordo com as equaes (56), (57) e (58), o potencial V(z) representa o perfil
energtico da estrutura e o resultado de quatro diferentes contribuies.
II.5.1. Potencial devido ao band offset
As heteroestruturas que se desejam modelar so construdas a partir da sobreposio de
vrias camadas de semicondutores com diferentes band gap para formao poos qunticos
com o objetivo de permitirem transies interbandas e intersubbandas. O band offset
definido como o desalinhamento entre os band gaps em camadas adjacentes de uma
heteroestrutura (VURGAFTMAN, et al., 2001). A porcentagem desse desalinhamento na
banda de conduo representada por CB e na banda de valncia VB. Por exemplo, para
composies de AlGaAs/GaAs sugerido um split off band offset rate de 65:35 por
(VURGAFTMAN, et al., 2001). Ou seja, nesta estrutura 65% do Eg considerado banda de
conduo e os outros 35% banda de valncia, como pode ser visto na Figura 7. Para cada
interesse existe uma proporo diferente que, dependendo dos materiais, apresenta elevados
nveis de incerteza, conforme detalhado por (VURGAFTMAN, et al., 2001).

56

Figura 7: Representao esquemtica de um poo quadrado com a respectiva descrio do split off band.

Para se estimar o gap de energia, em cada material semicondutor, pode ser utilizada a
equao de Varshini adotada nesse trabalho juntamente com os parmetros de cada material
fornecidos pela referncia (VURGAFTMAN, et al., 2001). A equao de Varshini dada por
d
br  = br5 y

y

(73)

onde Eg0 o band gap com a temperatura T = 0, e tmp e tmp so parmetros ajustveis de
Varshini que podem ser consultados em (VURGAFTMAN, et al., 2001).
Para facilitar o procedimento final de clculo, assume-se que o potencial dentro do poo,
seja ele na banda de valncia ou de conduo, como sendo zero e a altura da barreira de
potencial como sendo apenas a diferena entre os valores entre cada banda de cada material
considerando-se o band offset. Dessa forma, pode propor-se que o potencial devido ao band
offset para a banda de valncia pode ser representado por
' = * Sbr
 br U ,

(74)

onde br
 representa o band gap na posio z da estrutura e br representa o band gap do

poo. Similarmente, para a banda de conduo tem-se

57
' = * Sbr
 br U .

(75)

II.5.2. Potencial devido distribuio de cargas

Para um nmero significativo de transies intersubbandas ocorrer necessrio que se
propicie o aumento no nmero de portadores atravs de dopantes. Como o maior interesse
est nas transies intersubbandas que ocorrem na banda de conduo, as dopagens
consideradas nesse trabalho so do tipo n.
O potencial '
, originado a partir da densidade volumtrica de cargas e obtido

resolvendo-se a equao de Poisson que tem a forma

" ' = x ,


(76)

onde a permissividade do material. Todo o desenvolvimento dessa abordagem para a

soluo da equao de Poisson descrita em (HARRISON, 2006).
A expresso final que representa o potencial devido distribuio de cargas dada por
(ALVES, 2008)
'
 = e u u
u

j
  S  U l

"x

Z6

 m
,

(77)

onde Ni representa o nmero de total de eltrons por unidade de rea em cada subbanda, *

o incremento utilizado no eixo z, d(z) o perfil de densidade de dopantes e a funo sign

+1 f
0
dada por Z6
 =
e usada para garantir a neutralidade das cargas ao
1 f
< 0

longo da estrutura. Como na maioria dos casos a separao entre o estado fundamental e o
primeiro estado excitado maior que 3KBT, razovel assumir que todos os portadores
encontram-se no estado fundamental resultando em Ni=N. A Figura 8 mostra a influncia da

58

distribuio de cargas no potencial da banda de conduo da estrutura esquemtica da Figura

7 feita por dopantes tipo n.

Figura 8: Perfil de potencial de um poo simtrico modificado pela distribuio de cargas.

Deve ser ressaltado que o procedimento de clculo do potencial devido distribuio de

cargas requer o conhecimento das funes de onda associadas aos nveis de energia
confinados, conforme pode ser visto na equao (77). Dessa forma, h a necessidade de
utilizao de um clculo auto-consistente para a determinao desse potencial.
Um ltimo ponto deve ser ressaltado. Embora a temperatura tenha influncia na
quantidade de portadores ionizados que so envolvidos nas transies de interesse, este
trabalho assume que todos os portadores existentes so ionizados durante as transies.

II.5.3. Potencial devido ao campo eltrico aplicado

Em aplicaes prticas, QWIPs operam no modo fotocondutivo, o que demanda a
aplicao de um campo eltrico externo atravs de toda a estrutura para permitir a converso
da absoro de ftons em fotocorrente (ALVES, 2008). O potencial devido a aplicao de um
campo eltrico constante ao longo do eixo de crescimento dado por
' = -

5 ,

(78)

onde para um eltron q=-e para um buraco q=+e. A posio z0 representa a origem do campo
eletrico, normalmente escolhido para ser o centro do poo (HARRISON, 2006). O efeito de

59

um campo eltrico em uma heteroestrutura pode ser observado atravs de duas formas.
Inicialmente, ocorre uma pequena variao nos nveis de energia, causando um blue shift ou
red shift na resposta do QWIP. Esse fenmeno, denominado efeito Stark, explicado pela
teoria da perturbao e pode ocorrer em primeira ou segunda ordem dependendo da simetria
da estrutura. A variao do posicionamento do nvel de energia pode se tornar significativo
quando campos eltricos intensos so aplicados s estruturas, chegando at 3 meV de
variao, podendo, inclusive, causar a supresso do nvel confinado. Em segundo lugar, o
campo eltrico constante inclina o potencial, reduzindo a espessura das barreiras e facilitando
a extrao dos eltrons por tunelamento, consequentemente, aumentado a fotocorrente. A
Figura 9 mostra a estrutura da Figura 7 sob efeito de um campo eltrico constante.

Figura 9: Perfil de potencial da Figura 7 sob efeito de um campo eltrico externo constante ao

longo da estrutura.

Finalmente, V(z) para a banda de valncia dado por:

'
 = '
 + '
 + '
.
Similarmente, para banda de conduo tem-se que

(79)

60
'
 = '
 + '
 + '
.

(80)

Assim, substituindo-se as equaes (79) e (80), respectivamente, nas equaes (70), (71)
e (72) obtm-se as equaes

wzz =
w|z =

w =


" F

" F 


" F

+ 2i

 

+ 2i 

+ 2i 

 


 




 + '
 + '
 + '
;

!+b

! b

"


 "


! + '
 + '
 + '
;

! + '
 + '
 + '
;

(81)
(82)
(83)

Finalmente, os Hamiltonianos definidos pelas equaes (81), (82) e (83) sero aplicados na
equao (34) e utilizados para se calcular os nveis confinados de energia e suas respectivas
funes de onda.

II.6. Mtodo da Matriz de Transferncia

O mtodo da matriz de transferncia (TMM) um mtodo numrico geral que pode ser
usado em uma gama variada de problemas que envolvem a soluo de equaes diferenciais
de segunda ordem. Um exemplo de aplicao o calculo das caractersticas de propagao em
guias de ondas planas tratado na referncia (WALPITA, 1985). Outro exemplo o emprego
do TMM nas investigaes realizadas sobre a emisso espontnea em lasers DFB
(distributed-feedback laser) (MAKINO, 1988). Em (BRENNAN, 1987) o TMM usado em
conjunto com Airy functions para se calcular os nveis de energia de um variably spaced
superlattice energy filter (VSSEF). Estes exemplos demonstram a potencialidade e
multifuncionalidade do mtodo.
Conforme discutido na Introduo, este trabalho pretende empregar o TMM para modelar
qualquer perfil de potencial limitado por barreiras, seja ele um perfil de potencial arbitrrio ou
uma heteroestrutura conforme mostrado na Figura 10 pela linha na cor azul.

61

Figura 10: Perfil de potencial arbitrrio (a); heteroestrutura com diferentes tipos de poos qunticos (b).

A Figura 10 (a) mostra um perfil de potencial arbitrrio que pode ser calculado a partir de
uma funo ou concebido a partir de uma idealizao. A Figura 10 (b), apresenta um perfil de
potencial complexo que pode representar a banda de conduo ou de valncia de QWIPs,
onde cada camada de material composta por materiais diferentes

II.6.1. Formalismo do TMM

Considerando-se como um domnio de determinado material, onde domnio definido
como uma regio ou espao nos quais no h alteraes das suas propriedades intrnsecas,

tornando o meio homogneo, ~:

 assumido ser um vetor de dimenso N e que

62

representa as possveis solues do sistema de equaes diferenciais que descrevem o meio .

A notao ~:
 denota qualquer ponto z no meio .
A seguir, so definidos trs diferentes objetos.

II.6.1.1.

Matriz de transferncia completa (FTM)

A matriz de transferncia completa, representada por M, pode descrever globalmente uma

heteroestrutura ou um meio homogneo e tem a forma geral dada por (PREZ-ALVAREZ, et
al., 2004)

~:
5 
~:

= ~:
,
5 
,
~:

~:
5 

(84)

onde M uma matriz 2Nx2N que contem as propriedades do meio e relaciona diferentes

posies neste meio. ~:

5  a primeira derivada de ~:
5  que pode ser expandida por
:I 

O desenvolvimento matemtico de M iniciado apresentando-se duas igualdades

(PREZ-ALVAREZ, et al., 2004):
"

 = "
: ~:
 e
 = : ~:
,

(85)

que podem ser condensadas em

 = "
:
 ,

(86)

onde

 =
e o termo a definido por

~:

,
~:


~:


 =
~:


(87)

63
:
"
a = .
"

(88)

Como a FTM relaciona posies diferentes em um meio, o vetor , partir de agora, ser
definido por
.

Agrupando os vetores
, pode-se definir a matriz 2Nx2N
z = :



:,:

,:

=


:,:

,:


"


:,"


,"

:,"


,"


Rearranjando-se as expresses, obtm-se

"
 =

:,"


,"

.
:,"


,"


 = z  a ,

5  = z5  a,

(89)

(90)

a = z5  :
5 .

Com o resultado alcanado pela equao (90), a equao (84) pode ser reescrita como

 =
,
5 
5 ,

(91)

o que permite obter a forma final da matriz M:

,
5  = z z5  : .

(92)

A matriz M relaciona z e z0 como se estivesse integrando o sistema de equaes

diferenciais de maneira anloga a um problema de valor de z0 at z. Esta relao obtida
quando os valores dos vetores base e suas primeiras derivadas so conhecidos (PREZALVAREZ, et al., 2004). A referncia (PREZ-ALVAREZ, et al., 2004) destaca uma
propriedade da FTM que ser usada posteriormente:

64
Se z0<z1<z2 e e , so contnuos em z1, ento M admite a regra da cadeia:

" ,
5  =
" ,
: 
: ,
5 .

II.6.1.2.

(93)

Matriz de transferncia associada (ATM)

A matriz de transferncia associada denotada por ~:

,
5  e foi concebida para tratar os

casos em que no contnua ao longo meio (PREZ-ALVAREZ, et al., 2004). Para

tanto, ao invs de tratar os problemas em termos de vetores e suas derivadas, os problemas
so tratados em termos de vetores e a forma diferencial linear .

Iniciando a anlise da ATM, novamente, dois vetores so definidos:

 =

onde
 definido por




,
,
 =





+

.

(94)

(95)

B(z) e P(z) so funes arbitrrias tal que quando relaciona posies em um certo domnio

pode ser expressa por

~:
 = ~:
 ~:
 + ~:
 ~:
,

(96)

onde se percebe que o problema da continuidade de solucionado. Dessa maneira pode ser
estabelecido que (PREZ-ALVAREZ, et al., 2004)

~:

~:
5 

= ~:
,
5 
.
~:

~:
5 

(97)

Conseqentemente, a matriz da FTM pode ser substituda por

z = |:
 "


obtendo-se

"
| ,

(98)

65

 =
,
5 
5 ,
,
5  =

5  : ,

(99)

onde usando-se a regra da cadeia da FTM, que tambm pode ser aplicada a ATM j que esta
deriva da primeira, obtm-se

" ,
5  =
" ,
: 
: ,
5 .

(100)

Como FTM e ATM relacionam posies em um mesmo domnio, podem ser relacionadas
a partir de uma matriz de relao (RM), R(z), dada por (PREZ-ALVAREZ, et al., 2004)

 =

0
.



(101)

IN e 0N so a matriz identidade e a matriz nula, respectivamente, ambas de ordem N. Atravs

da manipulao da RM, algumas relaes so obtidas

 =
 z,

 =
 z,

 =

.

(102)

Novamente, atravs de manipulaes algbricas, possvel a obteno de uma relao entre T

e M atravs do uso da matriz R

,
5  =

,
5 
5  : .

(103)

Agora, importante notar que enquanto a regra da cadeia assegurada na equao (100),

na equao (93) no , porque, conforme sugerido por (PREZ-ALVAREZ, et al., 2004),

nem sempre contnua. Dessa forma, necessrio o uso de uma matriz de acoplamento que
assegure a continuidade de z a zn. A matriz de acoplamento, C, definida por (PREZ-

ALVAREZ, et al., 2004)

D
:  =
: + 0 :
: 0.
Assim, a FTM pode ser reescrita como

(104)

66

" ,
5  =
" ,
: + 0 D
: 
: 0,
5 ,

(105)

onde a continuidade passa a estar garantida. Este resultado leva a concluso de que
D
:  =
: + 0,
: 0.

II.6.1.3.

(106)

Matriz de transferncia de coeficientes (CTM)

Para fornecer uma melhor compreenso da matriz de coeficientes utiliza-se a ilustrao

da Figura 11.

Figura 11: Domnios para nova caracterizao da heteroestrutura a ser usada pela CTM.

A partir dos domnios da heteroestrutura definidos na Figura 11, pode-se propor que:
:
  |

 = (
,
) (
) |


7 ,
(:
) () |

7

(107)

Tal que, se contnua em zl e zr, tem-se que:

(:
7 ) () = (
7 ,
) (:
) (L);

(108)

() = n(, ) (),
onde
n(, ) = (:
7 ) : (
7 ,
) (:
).

(109)

A matriz K(R,L) representa a matriz de transferncia que relaciona os coeficientes do

domnio L aos do domnio R. Sua notao K(,). Atravs das notaes das matrizes de

67

transferncia discutidas at agora, possvel concluir que enquanto FTM e ATM relacionam
posies diferentes no mesmo domnio, a CTM relaciona diferentes domnios. A Figura 13 (a)
apresenta uma possvel diviso de uma heteroestrutura a ser modelada por uma CTM, onde os
domnios so divididos em fatias.

Figura 12: Heteroestrutura dividida e caracterizada para ser modelada por uma CTM.

Poder-se-ia dizer que as camadas da estrutura (barreiras e poo) esto divididas em fatias.
Com essa diviso e com a idia principal da matriz de transferncia estabelecida, pode-se
afirmar que atravs de uma CTM, os coeficientes que descrevem alguma caracterstica da
fatia 1 podem ser relacionados aos coeficientes da qualquer outra fatia em qualquer outro
domnio ou camada. Porm, necessrio destacar que isso s possvel se todos os domnios
forem descritos na mesma base fsica ou matemtica.
Finalmente, a matriz de coeficientes tendo Aj e Bj como coeficientes pode ser descrita
pela expresso a seguir
1

:

9 = n:, 1 9.
:

(110)

A matriz K, seguindo uma sugesto feita por (PREZ-ALVAREZ, et al., 2004) pode ser
expandida como
(:
): ( + 1:
)
n:, =
(:
): ( + 1:
)

(:
): ( + 1:
)
,
(:
): ( + 1:
)

(111)

68
onde (:
) uma funo vetorial que varia muito lentamente ao longo de z e que contm

as caractersticas intrnsecas do meio e : ( + 1:

) definida como uma funo escalar

que o coeficiente do j-simo termo da combinao linear de solues ao longo da estrutura

(PREZ-ALVAREZ, et al., 2004).
Aps o estudo da teoria envolvida nesse trabalho, pode-se descrever o mtodo
desenvolvido, onde o TMM usado para calcular os nveis confinados de energia e suas
respectivas funes de onda.

69

III. Clculo dos estados confinados e suas respectivas

funes de onda
Aps a discusso dos aspectos tericos necessrios para o desenvolvimento do trabalho,
importante que se entenda o procedimento de clculo dos nveis confinados de energia e a
construo das respectivas funes de onda nas bandas de valncia e de conduo. Para tanto,
esse captulo apresenta a descrio do procedimento de clculo.
Sabe-se que para um intervalo de uma estrutura cujo potencial constante, a funo de
onda resultante da soluo das equaes (56), (57) e (58) pode ser escrita para eltrons,
buracos pesados e leves, dentro do intervalo
: <
<
, como
 (
) =   
(
) +  
(
).

(112)

Os coeficientes Aj e Bj so determinados usando-se o fato de que  e F so contnuas

I

nas posies z=zj.

Pode-se aproveitar essa caracterstica para resolver problemas com potenciais no
constantes, tais como QWIPs com uma tenso aplicada, representando o perfil de potencial
por uma srie de fatias de potencial constante. Essa aproximao mostrada na Figura 13. A
preciso na representao do potencial ser tanto melhor quanto menor a espessura da fatia,
conforme pode ser observado comparando-se (b) e (c) na Figura 13.

70

Figura 13: perfil de potencial dividido originalmente em domnios (a), perfil de potencial dividido
em poucas fatias (b), perfil de potencial dividido em muitas fatias (c), onde a linha preta
corresponde ao perfil de potencial original, linha vermelha corresponde a perfil de potencial
modificado pela TMM e as linhas azuis correspondem a nova diviso de domnios.

Se a heteroestrutura dividia em N fatias, a equao (110) se torna

1



9 = n,5 1 5 9 ,

(113)

onde n,5 dado por (CHUANG, 1991) (SCHNEIDER, et al., 2007)

5 n:, = 5 "
:

S1 + ~ U 



S1 ~ U

onde : =
:
e ~ = 

buracos leves, . = (

FI

 " )

 F

.

 F





S1 ~ U 



S1 + ~ U





,

(114)

No caso de buracos pesados, . = (

FI

, e para

 " )

. Os termos da equao (114) apresentam relao de

correspondncia com os termos da equao (111) como se segue: a funo S1 + ~ U uma

funo vetorial dependente de z contendo as caractersticas do meio, representando cada fatia
ou camada da estrutura, e o termo da exponencial o termo que assegura o comportamento da
funo de onda ao longo de toda a heteroestrutura. kz pode ser estimado usando-se
(M (
))" =
para buracos pesados e


()


b ' (
),

(115)

71

(M (
))" =


()


b + ' (
),

(116)

para buracos leves. Para a banda de conduo, kz pode ser calculado pela expresso
(M (
))" =


 ()

b ' (
).

(117)

Para estados confinados dessa estrutura, onde E<V (V significando o topo da barreira), kz
se torna um nmero complexo quando calculado dentro das barreiras e um nmero real
quando calculado no poo (basta analisar as equaes (115) e (116)). Dessa forma, pode ser
dito que o comportamento da funo de onda que soluo da equao de Schrdinger para a
estrutura conhecido. Ou seja, a funo de onda assume um comportamento crescente na
barreira da esquerda, enquanto que na barreira da direita tem um comportamento decrescente.
De acordo com o formalismo do TMM, atravs da equao (113) pode-se calcular os
coeficientes Aj e Bj da soluo da soluo de Schroedinger (equao (112)) na ltima camada
da estrutura, a partir dos coeficientes A0 e B0 que so os coeficientes da soluo dessa equao
na primeira camada da mesma estrutura. Isso possvel atravs do uso da matriz de
coeficientes K, onde n = n, : n :, " n:,5 . Este raciocnio leva a inferncia de que,
para um estado confinado, os coeficientes A e B devem ser:

Na barreira da esquerda: A0=0 e B0= valor arbitrrio ou 1;

Na barreira da direita: AN= valor arbitrrio ou 1 e BN= 0;

de forma que o comportamento descrito da funo de onda seja garantido. Este pressuposto
leva a equao (113) a ser reescrita na forma

72


.11 .12 0
1 9 .
!=
0
.21 .22 5

(118)

Analisando-se a nova equao, verifica-se que a igualdade s possvel quando m22=0 para
solues no triviais. Como esta equao correlaciona os coeficientes da funo de onda que
associada a um nvel de energia confinado, pode-se concluir que ao se estabelecer esta
condio, encontra-se o nvel confinado. Da mesma forma, pode-se calcular kz, pois o mesmo
se relaciona ao nvel confinado atravs das equaes (112), (115), (116) e (117).
Ao modelar as estruturas assumindo barreiras espessas nos extremos, sabe-se que, para os
nveis confinados, as funes de onda tendem a zero medida que as barreiras tendem para
um comprimento infinito. Ao realizar o clculo, o truncamento numrico impe que as
funes de onda assumam valores iguais a zero nos limites de clculo. Esse fato conhecido
como hard wall e a estrutura, por exemplo um poo quadrado, se assemelha a apresentada na
Figura 3.
Quando a estrutura no est condicionada a um campo eltrico externo e o efeito da
distribuio de cargas desprezvel (estruturas no dopadas), o procedimento pode ser
aplicado diretamente s camadas da estrutura uma vez que as mesmas apresentam potencial
constante. O mesmo no acontece na presena de campo eltrico. Nesta situao, cada
camada deve ser dividida em fatias onde o potencial assumido constante e igual ao potencial
do primeiro ponto da fatia. A espessura de cada fatia deve ser proporcional ao campo
aplicado, ou seja, quanto maior o campo, mais fina a fatia deve ser.
A soluo de m22=0 resulta nos nveis de energia confinados. Para cada nvel, possvel
arbitrar um valor inicial para o coeficiente B0 e, sequencialmente, encontrar todos os outros
coeficientes Bn e An, construindo assim a funo de onda daquele nvel de energia. Esse
procedimento valido, uma vez que a funo de onda deve ser normalizada e isso pode ser
feito utilizando-se o fator:

73
=

(119)

O procedimento descrito permite que um potencial qualquer limitado por barreiras em

seus extremos, possa ser simulado dividindo-o em fatias de potencial constante. Assim,
necessrio que para cada potencial a ser representado pelo TMM, se encontre o valor timo de
largura da fatia para melhor se representar esse potencial. Essas possibilidades tornam o
TMM um mtodo bastante adequado para o clculo dos nveis de energia em heteroestruturas
complexas com ou sem aplicao de campo eltrico externo (bias).

III.1. Metodologia de clculo

Usando-se as formulaes apresentadas at agora, foi concebida uma metodologia para a
obteno dos estados confinados de energia e suas respectivas funes de onda, com o
objetivo de predizer a resposta espectral de um dispositivo real. A metodologia permite que
todos os conceitos e equacionamento desenvolvidos at agora sejam usados de maneira
integrada e lgica. Esta seo tem o objetivo de descrever a metodologia para que se possa
entender e discutir os resultados que sero apresentados posteriormente. Todos os clculos
foram realizados utilizando-se a ferramenta MATLAB.
A sequncia de clculo pode ser dividia em trs etapas principais que possuem
finalidades distintas:

Construo do perfil de potencial, levando-se em considerao todos os

parmetros dos materiais componentes, bem como os fenmenos fsicos
envolvidos;

Obteno dos nveis confinados de energia e respectivas funes de onda nas

bandas de valncia e conduo;

Predio da resposta espectral.

A Figura 14 fornece uma viso geral da metodologia em forma de diagrama.

74

Figura 14: diagrama da idia geral da metodologia implementada.

Conforme apresentado na Figura 14, o primeiro procedimento a ser realizado a

concepo do perfil de potencial atravs do clculo das grandezas fsicas envolvidas a partir
de parmetros de entrada que so: a composio molar de cada material, o band offset split off
rate, a temperatura, a concentrao de dopantes, a largura de cada camada da heteroestrutura e
a intensidade do campo eltrico aplicado. Esses parmetros so muito importantes porque
toda metodologia depende da correta definio dos mesmos.
A partir da definio dos parmetros de entrada o perfil de potencial montado com base
no clculo do gap de energia atravs da equao de Varshini e nos dados de cada composto
que so extrados de (VURGAFTMAN, et al., 2001). Com a definio do perfil de potencial,
so adicionadas as contribuies devido ao strain e tenso aplicada. A Figura 15 amplia a
idia fornecida na Figura 14, destacando a definio do perfil de potencial.

75

Figura 15: metodologia de definio do perfil de potencial.

Com o perfil de potencial definido, possvel realizar o clculo dos nveis de energia
confinados e suas respectivas funes de onda em ambas as bandas com a utilizao do
TMM. Para tanto necessrio que o perfil de potencial seja discretizado, ou seja, cada
camada de semicondutor da estrutura dividida em fatias que sero utilizadas pelo TMM.
Porm, deve ser destacado que, durante a discretizao, necessrio que as heterojunes
(interfaces entre dois materiais diferentes) sejam coincidentes com as interfaces de cada fatia
ao final de uma camada de semicondutor.
Para a definio da largura das fatias, duas situaes so consideradas. A primeira ocorre
quando no h campo eltrico externo aplicado. Neste caso, a fatia pode ter a mesma largura
da camada de semicondutor porque o potencial constante ao longo de toda a camada de
semicondutor. A segunda situao ocorre quando h campo eltrico externo aplicado. Neste
caso, ao contrrio do primeiro, o potencial no constante ao longo da camada de
semicondutor. Assim, cada camada dividida em fatias com potencial constante e igual ao do

76

primeiro ponto da fatia, de forma que quanto maior o nmero de fatias menor o erro em se
descrever o potencial. Quanto maior o campo eltrico aplicado, mais fatias so necessrias
para uma descrio ou simulao adequada do potencial original. A Figura 16 apresenta um
potencial de um poo degrau com campo eltrico aplicado dividido em fatias para aplicao
do TMM.

Figura 16: potencial original (linha azul) com adio de campo eltrico externo e potencial
discretizado pelo TMM (linha vermelha).

Como se pode observar na Figura 16, o perfil de potencial discretizado tem um perfil tipo
escada. Esta caracterstica traz uma versatilidade interessante aplicao do TMM, o que
permite sua aplicao em perfis de potencial arbitrrio, conforme ser discutido
posteriormente.
Para cada estrutura simulada o numero de fatias utilizadas na discretizao do potencial
variou de acordo com a necessidade. Para achar o numero adequado, inicia-se com um valor
fixo que aumentado observando-se a convergncia dos resultados. Dessa forma, verificou-se
que os melhores resultados obtidos em simulaes com aplicao de bias foram encontrados
com fatias que possuam 5 de espessura.
Uma das motivaes para a adoo dessa tcnica foi a dificuldade de se trabalhar com as
funes de Airy, que so solues para a equao de Schrdinger com potenciais lineares no
constantes (ALVES, 2008). As funes de Airy podem acrescentar um grau de dificuldade

77

relevante quando se executa um procedimento essencialmente numrico onde os argumentos

so muito pequenos ou muito grandes.
Os nveis de energia confinados so calculados com base na relao entre kz e E,
conforme descrito pelas equaes (115), (116) e (117). Neste procedimento a igualdade
m22=0 resolvida da seguinte forma: como, a princpio, os nveis de energia que se desejam
calcular esto dentro do conjunto de energias que vo do fundo do poo ao topo da barreira de
potencial, o valor de kz calculado variando-se do menor valor de energia contido no poo
(fundo do poo) ao maior valor de energia contido no poo (parede do poo ou barreira de
potencial). Conforme os valores de kz so calculados, deve-se utilizar as equaes (114) e
(118) em conjunto com as assunes feitas anteriormente para a obteno da condio
m22=0.
Com base nos valores de energia calculados e na hiptese de que os coeficientes da
funo de onda (WF) na primeira fatia devem ser A1=0 e B1=1, a funo de onda calculada.
Devido ao procedimento realizado e a erros numricos que ocorrem na definio do nvel
confinado de energia, necessrio realizar uma anlise do comportamento da funo de onda
no final da estrutura. Normalmente a WF no converge para zero no primeiro procedimento.
necessrio um procedimento de refinamento no nvel de energia calculado para que a
funo tenha um comportamento convergente. Esse ajuste feito da seguinte forma:
a. Verifica-se se a WF convergiu na ltima fatia;
b. Caso negativo, verificado se a divergncia foi positiva ou negativa;
c. Varia-se o valor do nvel de energia calculado at que a direo da divergncia tenha
sinal oposto ao obtido no primeiro passo;
d. Usa-se a tcnica da biseco para se chegar a um valor de energia que garanta a
convergncia.

78

Porm este procedimento, em alguns casos, no garante ainda a convergncia das funes
de onda, principalmente para estruturas onde existe bias superior a 1V. Dessa forma, o valor
do nvel de energia recalculado a partir de seu valor obtido anteriormente pela tcnica de
biseco. Para tanto, o mtodo de Newton usado para esse refinamento. Esse mtodo pode
ser representado por
t: = t5

(NI )

(NI)

(120)

onde os valores de f(x0) so dados pelos valores de m22 obtidos durante o procedimento. Na
primeira iterao do clculo, os valores de m22 so obtidos a partir do nvel calculado
anteriormente e, nas demais iteraes, a partir do nvel de energia calculado interao
anterior.
Se as estruturas no so dopadas, o clculo da resposta espectral j pode ser efetuado.
Porm se a estrutura for dopada, a contribuio devido distribuio de cargas deve ser
calculada e adicionada no perfil de potencial e os nveis de energia recalculados com base
nessa contribuio.
O potencial devido distribuio de cargas calculado resolvendo-se a equao de
Poisson de maneira auto-consistente. Durante a auto-consistncia, seu valor adicionado ao
potencial original e o nvel confinado de energia recalculado at que haja convergncia de
seu valor. O clculo do nvel confinado realizado da mesma maneira descrita anteriormente.
O procedimento de clculo autoconsistente est bem descrito em (ALVES, 2008) e
(HARRISON, 2006).
A idia geral do clculo dos nveis confinados e construo das respectivas WF est
explicitada na Figura 17.

79

DICRETIZAO
DO PERFIL DE
POTENCIAL

CLCULO DOS
NIVEIS CONFINADOS
DE ENERGIA

CONSTRUO DA
FUNO DE ONDA E
REFINAMENTO DO NVEL
DE ENERGIA
A1=0 e B1=1
CONSTRUO DO
PERFIL DE POTENCIAL

CONVERGNCIA

BISECO E NEWTON

NO
SIM
CLCULO DOS NVEIS
CONFINADOS DE
ENERGIA E FUNES
DE ONDA

PREDIO DA
RESPONSIVIDADE

DOPAGEM
NO
SIM

ADIO DO POTENCIAL
DEVIDO A DISTRIBUIO
DE CARGAS

CLCULO DO NVEL DE
ENERGIA E CONSTRUO
DA FUNO DE ONDA

BISECO E NEWTON

CONVERGNCIA
NO
SIM
RESPONSIVIDADE

Figura 17: metodologia de clculo dos nveis confinados e seus respectivas funes de onda.

Atravs da TMM possvel se calcular diretamente alguns fenmenos de transporte que

ocorrem na estrutura. Um deles o coeficiente de transmisso global ou coeficiente de
tunelamento global que um fator muito importante na determinao da responsividade do
dispositivo. Esse coeficiente depende diretamente o tempo de vida e o tempo de tunelamento

80

do eltron dentro do poo de potencial. Esse parmetro retirado diretamente do TMM usado
para o clculo do nvel confinado segundo sugesto de (SCHNEIDER, et al., 2007) e
calculado por
"

= |


 (c)|

(121)

onde n o nmero de camadas ou fatias utilizadas no TMM e a11 o primeiro elemento da

diagonal principal da matriz de transferncia K.
Finalmente, a responsividade pode ser estimada com base no band gap, nos nveis de
energia e nas funes de onda calculados. Nessa estimativa, o coeficiente de absoro
interbanda ou intersubbanda representado pelas equaes (24) e (33) so usados no modelo
dado pela equao (131). A Figura 18, assim como as anteriores, d uma idia geral desse
procedimento.

Figura 18: metodologia de clculo da responsividade.

importante destacar que: para simulaes de heteroestruturas com barreiras que

possuem uma largura de, pelo menos duas, vezes o valor da largura do poo de potencial,
pode-se considerar que os poos da estrutura so desacoplados. Isto acontece porque o valor

81

da funo de onda tende a zero no meio da barreira, significando que a probabilidade de um

portador ser encontrado l quase nula. Dessa forma, pode-se simular um poo da estrutura
isoladamente, sem prejuzo nos resultados da simulao. Porm, tambm possvel simular
estruturas com poos acoplados.
Aps a apresentao da idia e concepo geral da metodologia de clculo, podem-se
descrever os resultados obtidos com a sua aplicao. O prximo captulo apresenta os
resultados numricos alcanados com a aplicao do TMM atravs da metodologia descrita.

82

IV. Resultados numricos

Com o entendimento da metodologia de clculo implementada, necessrio que haja uma
verificao nos resultados obtidos pelo seu uso. Para tanto, esse captulo apresenta os
resultados obtidos na aplicao da metodologia em potenciais com solues analticas,
estruturas reportadas na literatura e na simulao de dispositivos reais projetados e medidos
pelo grupo de pesquisa em QWIPS do Laboratrio de Guerra Eletrnica do ITA (LabGE).
Durante a apresentao dos resultados so feitas anlises desses resultados e ao final do
captulo realizada uma analise do impacto de possveis erros cometidos durante a aplicao
da metodologia.

IV.1. Aplicao da metodologia em potenciais com soluo analtica

Esta seo o modelamento de um perfil de potencial arbitrrio que possui solues
analticas. Uma comparao de resultados quando o TMM aplicado a esse potencial
realizada para verificar as limitaes numricas do mtodo. O perfil de potencial escolhido foi
o poo de potencial de Psch-Teller, dado pela expresso (HARRISON, 2006)


( :)

' (
) = "F ~ " L ,

(122)

Onde o parmetro de largura e o parmetro de profundidade. As solues analticas para

este perfil so dadas por
b =

 
"F

( 1 6)" .

(123)

O perfil de potencial de Psch-Teller mostrado na Figura 19 (a), onde =0.05 e =2. O

perfil modificado pelo TMM, dividido em 150 fatias, apresentado na Figura 19 (b).

83

Figura 19: poo de potencial de Psch-Teller (a) e o perfil modificado pelo TMM com a
utilizao de 150 fatias (b).

A Tabela 1 mostra uma comparao entre as solues dadas pela equao (123) para os
dois primeiros nveis de energia confinados (n=1,2) e as solues numricas geradas pelo
TMM, para =0.05, diferentes e diferentes nmeros de fatias.
Tabela 1: comparao de resultados entre as solues analticas do potencial de Posch-Teller e as solues
numricas geradas pelo TMM.

Solues
Analticas

TMM 10
fatias

TMM 25
fatias

TMM 50
fatias

TMM 100
fatias

TMM 150
fatias

TMM 200
fatias

1,5

E1= -2.2

NC

E1= -1,4

E1= -2,2

E1= -2,2

E1= -2,2

E1= -2,2

E1= -8.9

NC

E1= -5,3

E1= -8,7

E1= -8,8

E1= -8,8

E1= -8,9

E2= -39,9

E2= -37,6

E2= -36,4

E2= -35,7

E2= -35,6

E1= -70,6

E1= -71,4

E1= -79,4

E1= -79,7

E1= -79,9

E2= -377,2

E2= -449,2

E2= -432,2

E2= -434

E1= -592,4

E1= -551,6

E1= -566

E1= -566,8

10

E2= -35,5
E1= -79,9
E2= -435,1
E1= -568,3

NC

NC

NC

Como pode ser visto na Tabela 1, possvel a obteno de solues iguais s solues
analticas. Verifica-se que quando o potencial tem um parmetro de profundidade pequeno,
poucas fatias so necessrias para uma boa simulao, o que no ocorre quando esse
parmetro grande. Neste caso, quanto mais fatias so utilizadas para simular o potencial,
mais as solues numricas se aproximam dos valores analticos. Esse um comportamento
esperado, j que quanto menor a largura da fatia, melhor a representao de perfil original.
Um fato comum a todas as simulaes feitas com 10 fatias foram as solues no confiveis

84

(NC) encontradas. Isto pode ser explicado porque esse nmero da fatias, ao simular o perfil
proposto, altera muito o original, tornando-se completamente diferente.
Pode ser verificado tambm, que o erro mximo relativo encontrado foi de 0.3% para
simulaes com 200 fatias e 0.7% para 150 fatias mesmo com fatores de profundidade altos.
Os resultados discutidos mostram que, para perfis de potencial com grande profundidade,
no caso estudado a profundidade mxima atingida ficou em torno de 500 meV, necessrio
um nmero grande de fatias simulando o potencial original para a obteno de resultados com
erros inferiores a 1%. J no caso dos poos com pequena profundidade, em torno de 100 meV,
a simulao pode ser feita com um nmero menor de fatias. Para este caso, os erros relativos
encontrados foram menores que 0.1% j com um nmero reduzido de fatias (50 fatias). Podese o potencial de Posch-Teller com um parmetro de profundidade grande a um perfil de
potencial sujeito a um forte campo eltrico e o perfil gerado por parmetro de profundidade
pequeno a um perfil de potencial sujeito a campo eltrico fraco. Assim, espera-se que quanto
maior o bias aplicado a um QWIP, mais fatias so necessrias para a obteno de uma soluo
que fornea resultados adequados.

IV.2. Aplicao

da metodologia em

estruturas

reportadas

na

literatura
Esse procedimento tem o objetivo de tentar reproduzir alguns resultados reportados na
literatura, para verificar se o mtodo adequado ao projeto de QWIPs. Em adio, alguns
parmetros numricos e de materiais podem ser ajustados para melhor adequarem as
simulaes em comparaes com medidas reais. Diferentes estruturas foram encontradas na
literatura e simuladas atravs do TMM. A Figura 20 mostra os nveis de energia confinados
na banda de conduo e na banda de valncia (buracos leves) e suas respectivas funes de

85

onda para um poo assimtrico estudado em (THOUSE, 2005) sem aplicao de campo
eltrico externo. A estrutura consiste de duas barreiras de GaAs (300 ) e um poo de duas
camadas compostas de In0.1Ga0.9As (40 ) e In0.3 Ga0.7As (40 ). As funes de onda foram
escalonadas por motivos visuais.

Figura 20: nveis confinados de energia e suas respectivas funes de onda de um poo assimtrico descrito
em (THOUSE, 2005) para a banda de conduo (a) e banda de valncia buracos leves (b)

Na referncia (THOUSE, 2005) foram reportados picos de responsividade entre 0,82 e 0,95
m para condies de 40 K e 0,8 V de tenso aplicada ao dispositivo. A simulao pelo TMM
obteve resultados entre 0,84 e 0,90 m nas mesmas condies descritas para as medidas. Este
resultado apresenta um erro de 2,4% no limite inferior e 5,2% no limite superior dos
comprimentos de onda medidos.
Nas referncias (ALVES, 2008) e (HUANG, 1993), foi estudada uma estrutura similar a
discutida anteriormente, porm com dopagem inserida no meio das barreiras. A estrutura
composta por duas barreiras, cada uma contendo trs camadas de Al0.44Ga0.56As com
comprimentos de 90, 95 e 90 . A camada central foi dopada com portadores tipo N em uma
concentrao de 1,8x1017 portadores/cm3. O poo quntico formado por uma camada de
Al0.18Ga0.82As com 90 de largura e uma camada de GaAs com 60 de largura. Esta
estrutura foi simulada atravs de diferentes mtodos em (ALVES, 2008) e (HUANG, 1993)
com um campo eltrico de 30 kV/cm e escolhida para se verificar a influncia da distribuio
de cargas no perfil de potencial ao longo da heteroestrutura. O resultado da simulao

86

apresentado pela Figura 21. Novamente, as funes de onda foram reescalonadas por motivos
visuais e inseridos em seus respectivos nveis de energia.

Figura 21: comparao entre perfil de potencial original e perfil de potencial modificado pela
distribuio de cargas.

O que se deseja nesta simulao verificar a diferena entre a incluso ou no da

contribuio do potencial devido distribuio de cargas e as funcionalidades da autoconsistncia para o clculo do potencial. Ao se analisar a Figura 21, verifica-se que houve
uma mudana significativa no potencial original aps a adio do potencial devido
distribuio de cargas, o que acarreta em mudanas na localizao dos nveis de energia.
Assim, esse potencial no pode ser desprezado quando h presena de dopantes na estrutura.
Em seguida, o mtodo usado para reproduzir outros resultados e medidas reportados na
literatura: (LEVINE, 1993), (PALTIEL, 2005), (TIDROW, 1997). A comparao de
resultados apresentada na Tabela 2, onde HH, LH, E e p representam, respectivamente, os
nveis confinados de energia para buracos pesados, buracos leves, eltrons e comprimento de
onda de pico. A composio das estruturas tambm apresentada na Tabela 2.

87

Tabela 2: Comparao entre resultados reportados na literatura e resultados obtidos na aplicao do TMM.
Referncia
Amostra

Resultado Ref.s

Resultados TMM

Composio
Largura Bar.

Composio
Larga Poo.

Densid.
Dopantes

Erro

(LEVINE, 1993)

p = 8.6 m

p = 8.71 m

Al0.26Ga0.74As

GaAs

Tipo N

1.3 %

500

50

0.42.1018 cm-3

Amostra E

(PALTIEL, 2005)
Amostra A

(TIDROW, 1997)

p1 = 772 nm

p1 = 767 nm

Al0.3Ga0.7As

GaAs

Tipo P

HH1-EC1

HH1-EC1

500

46

5.1012 cm-3

p = 9.4 m

p = 9.17 m

Al0.27Ga0.73As

GaAs

Tipo N

500

55

0.7.1018 cm-3

Amostra B

0.65 %

2.4 %

Analisando-se a Tabela 2, verifica-se que ao se comparar os comprimentos de onda de

pico, encontram-se erros menores que 2,5% em vrias situaes diferentes, seja o tipo de
dopagem ou sua concentrao. Os pequenos erros encontrados indicam que o mtodo est
bem ajustado para os parmetros de heteroestruturas que sejam compostas por AlGaAs/GaAs.
importante destacar que todos os poos qunticos simulados fazem parte de QWIPs
com diversas repeties em sua estrutura. Porm, desde que os poos sejam desacoplados,
podem ser simulados separadamente e independentemente.
Em seguida, a tcnica aplicada para a obteno comprimentos de onda provenientes da
fotoluminescncia realizada em algumas estruturas reportadas em (ANDERSSON, 1987) e
(MILLER, 1981). A primeira simulao feita duas vezes na amostra 1188 da referncia
(ANDERSSON, 1987), que composta por In0.175Ga0.825As 500 / GaAs 80 and 40 /
In0.175Ga0.825As 500. A segunda simulao feita usou o QWIP estudado em (MILLER,
1981), que composta por Al0.37Ga0.63As 6500 / GaAs 42 / Al0.37Ga0.63As 6500 . Os
resultados so comparados na Tabela 3.

88

Tabela 3: Comparao entre as medidas reportadas em (ANDERSSON, 1987) e (MILLER, 1981) e os

resultados obtidos com a aplicao do TMM.
Referncia

Medida

Resultado TMM

Erro

Temperatura

(ANDERSSON,

pHH1-E1 = 898 nm

pHH1-E1 = 949 nm

5.6 %

6K

pHH1-E1 = 867 nm

pHH1-E1 = 905 nm

4.4 %

6K

pHH1-E1 = 761 nm

pHH1-E1 = 753 nm

1%

2K

pLH1-E1 = 747 nm

pLH1-E1 = 738 nm

1.2 %

1987) Lw=80
Amostra 1188
(ANDERSSON,
1987) Lw=40
Amostra 1188
(MILLER, 1981)

A anlise da Tabela 3 mostra resultados com erros diferentes. Observando-se os

resultados das simulaes no QWIP que composto por AlGaAs/GaAs percebe-se que o erro
de, aproximadamente, 1% o que mostra, novamente, que o mtodo est bem ajustado para
esses compostos. Porm, ao se analisar os resultados das simulaes realizadas no QWIP
composto por InGaAs/GaAs, o erro passa para aproximadamente 5%. A mudana no valor do
erro relativo pode indicar duas opes:
1. Erro no mtodo. Essa opo pode ser descartada porque o TMM produziu erros entre
1 e 2% quando usado em estruturas compostas de AlGaAs/GaAs. Isto prova que o
mtodo eficiente, pois os erros gerados para calcular perfis arbitrrios foram muito
pequenos.
2. Erro nos parmetros usados para compostos que contm Indio. Esta parece ser a
hiptese mais provvel. O erro pode estar na segregao de Indio em barreiras de
AlGaAs, que no foi considerada at ento.

89

Esta fase mostrou apenas dois resultados em torno de 1 a 2% para estruturas que no
contm Indio. Quando os comprimentos de onda de pico so analisados, pode ser observado
um erro sistemtico para comprimentos de onda superiores (red shift) em associaes
diferentes de AlGaAs/GaAs. Esse resultado, se repetitivo sugere a adio de fatores de
correo empricos que podero aproximar os resultados e diminuir os erros.
Para compostos com Indio, os erros foram significativamente maiores. As incertezas dos
parmetros dos materiais que contm Indio so relativamente maiores. Alm disso, fato que,
segundo orientaes do Prof. Dr. Alain Andr Quivy, Chefe do Laboratrio de Novos
Materiais Semicondutores do IFUSP, especialista em crescimento de semicondutores, durante
o crescimento epitaxial de InGaAs ocorre segregao de Indio. Esse fato no foi considerado
no modelo at agora e pode estar contribuindo significativamente para o aumento do erro de
estimao.
A partir dos resultados apresentados e da anlise feita, pode-se concluir que os resultados
so suficientemente adequados para aplicao da metodologia na simulao de dispositivos
reais medidos em laboratrio.

IV.3. Aplicao em estruturas medidas pela equipe do LabGE

Finalmente, o mtodo usado para estimar o comprimento de onda de pico em medidas
de responsividades realizadas pela equipe do LabGE no SRL e reportadas em (ALVES, 2008)
e (ALVES, 2008).
O QWIP analisado composto por uma estrutura monoltica com trs diferentes
colunas de poos qunticos, cada uma responsvel em detectar uma banda diferente do
espectro IR. Um desenho esquemtico da estrutura do QWIP apresentada na Figura 22. A
primeira coluna de QWIP responsvel em detectar o infravermelho distante (LWIR)

90

(transio intersubbanda) e formado por uma repetio de 20 repeties de Al0.26Ga0.74As

(300 )/GaAs (52 )/ Al0.26Ga0.74As (300 ), onde o poo de GaAs dopado com Si
(portadores tipo N) com uma densidade de 5x1017 cm-3 (amostra A). O segundo QWIP
responsvel pela deteco do infravermelho mdio (MWIR) (transio intersubbanda) e
formado por 20 repeties de Al0.40Ga0.60As (300 )/GaAs (13 )/In0.15Ga0.85As (14 )
/GaAs (13 )/Al0.40 Ga0.60As (300 ) onde as trs camadas internas so dopadas com Si
(portadores tipo N) com uma densidade de 2x1018 cm-3 (amostra B). O terceiro QWIP
responsvel em detectar o infravermelho prximo (NWIR) (transies interbandas) e tambm
formado por 20 repeties no dopadas de GaAs (300 )/In0.25Ga0.75As (40
)/In0.10Ga0.90As (43 )/ GaAs (300 ) (amostra C). A responsividade do dispositivo foi
medida usando-se um setup de espectroscopia de corrente descrito em seguida.

Figura 22: diagrama esquemtico em 3D do dispositivo (a) e um corte vertical enfatizando a

configurao independente de readout (b).

91

IV.3.1. Montagem experimental de espectroscopia de corrente

Esta montagem foi idealizada para possibilitar medidas de responsividade no dispositivo
descrito nas trs bandas de interesse do IR. A Figura 23 apresenta o diagrama esquemtico do
setup experimental.

Figura 23: diagrama esquemtico do setup experimental usado para realizao de espectroscopia
de corrente (ALVES, 2008).

A radiao IR passa atravs do monocromador, onde modulada e dividida em dois

feixes iguais. O primeiro feixe dirigido a detector de referncia, com responsividade
conhecida, e a fotocorrente medida por um amplificador do tipo lock-in. Este procedimento
permite medir o fluxo de ftons no detector (FR) e, conseqentemente, estimar o fluxo de
eltrons que incide no detector em teste (FD), considerando-se a razo entre as reas dos
detectores (AD/AR), coeficiente de transmisso da janela do criostato (TW), coeficiente de
transmisso do substrato (TS) e o ngulo de acoplamento do feixe na face (cos (f)). O
segundo feixe direcionado para o QWIP que inserido em um criostato e conectado como
mostra a Figura 22. A luz acoplada em ngulo normal a face de 450, de acordo com a
equao:
h =

 
yy ( )
 

(124)

A fotocorrente gerada no QWIP medida por outro lock-in e, assim, a responsividade

estimada. Com o objetivo de se remover os efeitos proveniente do background, so realizadas

92

medidas com o obturador da fonte fechado antes e depois de cada medida real. O nvel mdio
da radiao de background retirado de toda a medida realizada. Todas as medidas foram
realizadas com tenso aplicada de 1V a uma temperatura de10 K. Os valores chaves do setup
esta listados na Tabela 4.
Tabela 4: parmetros usados na estimativa experimental da responsividade do dispositivo.

Detector de Referncia
AR

10 mm2

RR

1000 V/W (0.8 35 m)

QWIP

AD-NIR

0.4 mm2

AD-MWIR

0.8 mm2

AD-LWIR

1.2 mm2

TS
Tw (ZnSe)
f

0.68 (NIR LWIR)

0.6 (NIR) 0.73 (LWIR)
45

IV.3.2. Resultados
Aps a descrio do conjunto utilizado para a realizao das medidas, os resultados
obtidos em suas simulaes podem ser apresentados.
A Tabela 5 apresenta a comparao de resultados entre os comprimentos de onda de pico
relativos a mxima responsividade medida (ALVES, 2008) e a predio feita pelo TMM para
as mesmas condies.

93

Tabela 5: comparao entre medidas e a predio feita pelo TMM.

Referncia
Amostra A
Dopagem
tipo N
Amostra B
Dopagem
tipo N

Amostra C
No dopado

Medida

TMM

Erro

pE1-E2 = 8.5 m

pE1-E2 = 8.65 m

tenso=1 V

tenso=1V

pE1-E2 = 5.1 m

pE1-E2 = 5 m

tenso=1 V

tenso=1 V

pHH1-E1 = 930 nm

pHH1-E1 = 978 nm

5%

pHH2-E1 = 895 nm

pHH2-E1 = 933 nm

4,2 %

pHH1-E2 = 870 nm

pHH1-E2 = 888 nm

2%

pHH2-E2 = 840 nm

pHH2-E2 = 851 nm

1.3 %

pLH1-E1 = 910 nm

pLH1-E1 = 955 nm

5%

pLH1-E2 = 852 nm

pLH1-E2 = 870 nm

2.1 %

tenso= 1V

tenso= 1V

1.7 %

2%

A anlise da tabela permite a verificao de erros variando entre 1,3 e 5%. Os maiores
erros foram obtidos na amostra C, onda h duas camadas de compostos que contm Indio em
concentraes diferentes. O erro diminui na amostra B onde a h presena de Indio, porm em
menor quantidade, tornando esse erro compatvel com o apresentado pela amostra A, que no
possui Indio em sua composio. Alm disso, as amostras A e B so baseadas em transies
intersubbandas, enquanto que a C baseada em transies interbanda. Assim, pode-se supor
que, na presena de uma concentrao significativa de Indio, h uma maior segregao desse
material, causando um impacto grande no perfil de potencial da estrutura.
Para corrigir o problema, foi adotado um modelo de correo de perfil de potencial
sugerido (MARTINI, 2002). Segundo esse modelo, a conseqncia mais importante desse
fenmeno a modificao da concentrao nominal de In das camadas de InGaAs, o que
influencia o perfil de potencial e a estrutura eletrnica do dispositivo baseado nesse composto.
A correo feita atravs da seguinte equao:

94
t = t5 (1  ) ,

(125)

onde x0 e xn so as concentraes de In inicial e final respectivamente, n o nmero de

camadas crescidas do composto, que pode ser obtido levando-se em conta que cada camada
atmica crescida pode ter de 3 a 5 de largura (segundo orientaes do Prof. Alain), e R o
coeficiente de segregao que dependente da temperatura de crescimento do composto. Os
valores de R para algumas temperaturas tpicas de crescimento por MBE so apresentadas na
Tabela 6.
Tabela 6: valores de R em funo da temperatura de crescimento do composto.
Temperatura de
crescimento (oC)

520

0,84

500

0,81

480

0,79

460

0,72

Utilizando-se essa correo, as simulaes realizadas para a amostra B foram refeitas. Os

resultados so apresentados pela Tabela 7.
Tabela 7: comparao entre medidas e a predio feita pelo TMM com a correo
da segregao de In para a amostra B.
Referncia
Amostra B
Dopagem
tipo N

Amostra C
No dopado

Medida

TMM

Erro

pE1-E2 = 5.1 m

pE1-E2 = 5,24 m

tenso=1 V

tenso=1 V

pHH1-E1 = 930 nm

pHH1-E1 = 937 nm

< 1%

pHH2-E1 = 895 nm

pHH2-E1 = 903 nm

< 1%

pHH1-E2 = 870 nm

pHH1-E2 = 869 nm

< 1%

pHH2-E2 = 840 nm

pHH2-E2 = 839 nm

< 1%

pLH1-E1 = 910 nm

pLH1-E1 = 920 nm

1%

pLH1-E2 = 852 nm

pLH1-E2 = 854 nm

< 1%

tenso= 1V

tenso= 1V

2,7 %

95

Analisando-se a tabela, pode-se verificar que os erros relativos a amostra C foram

reduzidos. Esse resultado indica que a correo eficiente e necessria para simular
dispositivos baseados em transies interbandas. Para dispositivos baseados em transies
intersubbandas que possuam camadas que contenham In, essa correo insere um erro maior
que o obtido em simulaes sem o fator de correo. Isso acontece porque a altura da barreira
de potencial alterada significativamente, o que influencia diretamente o posicionamento dos
nveis de energia, pois pequenas variaes no seu posicionamento acarretam em grandes
variaes no comprimento de onda detectado. Essa discusso ser retomada posteriormente na
anlise de erros e seus impactos.
Uma outra comparao importante feita a comparao entre os resultados da predio
feita pelo TMM com o resultado obtido por medidas de fotoluminescncia feitas em amostras
muito parecidas com as descritas anteriormente, novamente com resultados que no
consideram a segregao e, posteriormente, com resultados que a consideram. As amostras
foram projetadas pela equipe do LabGE, crescidas atravs da tcnica de molecular beam
epitaxy (MBE) no Laboratrio de Novos Materiais Semicondutores do IFUSP e medidas no
mesmo laboratrio. O primeiro QWIP, responsvel por detector o infravermelho longo
(LWIR) (transies intersubbanda) formado por 20 repeties de poos qunticos formados
por Al0.25Ga0.75As (300 )/GaAs (52 )/ Al0.25 Ga0.75As (300 ) onde o poo de GaAs
dopado com Si 5x1017 cm-3 (amostra D). O segundo QWIP responsvel por detector o
infravermelho mdio (MWIR) (transies intersubbandas) formado por 20 perodos de
Al0.41Ga0.59As (300 )/GaAs (13 )/In0.15Ga0.85As (14 ) /GaAs (13 )/Al0.41 Ga0.59As (300
) onde as camadas de GaAs so dopadas com Si 2x1018 cm-3 (amostra E). O terceiro QWIP
responsvel por detector o infravermelho prximo (NWIR) (transies interbandas) formado
por 20 perodos de poos assimtricos no-dopados de GaAs (300 )/In0.25Ga0.75As (40

96

)/In0.15Ga0.80As (43 )/ GaAs (300 ) (amostra F). Os resultados so apresentados e

comparados na Tabela 8.
Tabela 8: comparao entre medida de fotoluminescncia e predio feita pelo TMM.
Amostra

Medida

TMM

Erro

Temperatura

pHH1-E1 = 775 nm

pHH1-E1 = 777 nm

0.25 %

77 K

pHH1-E1 = 779,2 nm

pHH1-E1 = 801 nm

2,7 %

77 K

pHH1-E1 = 942 nm

pHH1-E1 = 998 nm

5,5 %

77 K

O erro encontrado est de acordo com os obtidos anteriormente, inclusive ordem de

grandeza. Os comentrios sobre as possveis causas feitos anteriormente podem ser
considerados para esta comparao. Como se pode observar na Tabela 8, o erro aumenta
conforme houve incremento na concentrao de Indio e na espessura da camada
correspondente ao composto que apresenta o material. Dessa forma, a simulao foi refeita
inserindo-se a correo sugerida por (MARTINI, 2002) nas amostras E e F. Os resultados so
apresentados na Tabela 9. A amostra D no foi simulada porque no possui Indio em sua
composio.
Tabela 9: comparao entre medida de fotoluminescncia e predio feita pelo
TMM com a correo de segregao de In.
Amostra

Medida

TMM

Erro

Temperatura

pHH1-E1 = 779,2 nm

pHH1-E1 = 780 nm

1%

77 K

pHH1-E1 = 942 nm

pHH1-E1 = 951 nm

1%

77 K

Novamente, observa-se uma reduo relevante nos erros relativos apresentados pela
simulao, ratificando os comentrios j feitos anteriormente.

97

IV.4. Responsividade
Segundo (ROSENCHER, 2002), a responsividade uma medida que descreve o
desempenho do fotodetector, quantificando a corrente gerada por watt da potncia radiante
dos ftons incidentes no fotodetector. A responsividade expressa por
() =

Hd (g)
I

(126)

onde a fotocorrente (2( ) produzida pelo fluxo de ftons (5 ) pode ser escrita na forma
(DERENIAK, 1996)
2( = - KI  ,


(127)

onde  a eficincia quntica e G o ganho de fotocondutividade. Esses dois parmetros

podem ser descritos matematicamente, respectivamente, por
 2~ e

 =
: 

(128)

()

(129)

Como em dispositivos reais h necessidade da aplicao de um campo eltrico para seu

funcionamento, o caminho mdio livre, () , consideravelmente maior que o perodo dos
mltiplos poos qunticos (L). tornando o somatrio anterior igual a
 = |/"(g) .
!

(130)

Esta equao representa a razo entre o tempo de vida do portador excitado e o tempo de
trnsito.
A combinao das equaes (126) a (130) permite o clculo da responsividade terica de
um dispositivo atravs da expresso
E "(g)!

() = 2~ K

(131)

98
onde () a velocidade de deriva dada por (LEVINE, 1993)
() = # 1 +  !
$g
i%

:/"

(132)

onde # a mobilidade dos portadores, F o campo eltrico aplicado e vs a velocidade de

saturao. O tempo de vida do eltron ( ) expresso por (LEVINE, 1993)

=

"|

iy(")

(133)

onde & velocidade do eltron prximo ao primeiro estado excitado dada por
&=|

"#

(134)

e () probabilidade de tunelamento ou coeficiente de tunelamento extrado diretamente do

TMM e dado por
"

(&) = |F::| ,

(135)

onde n o nmero de fatias empregadas para discretizar o perfil de potencial original.

importante notar que a responsividade depende do coeficiente de absoro e da tenso

aplicada atravs da velocidade de deriva (). Dessa forma, aumentando-se a disponibilidade

de portadores (concentrao de dopantes), a fotocorrente tambm aumentar e, como
conseqncia direta, haver um incremento na responsividade. Portanto, espera-se que em
uma heteroestrutura formada pela juno de diversos poos, a responsividade total seja um
somatrio das responsividades individuais de cada poo. Porm, enquanto o ganho de
fotocondutividade inversamente proporcional ao nmero de poos (N), a eficincia quntica
diretamente proporcional a esse nmero. A responsividade, de maneira contrria a esse dois
parmetros, proporcional a produto G , sendo, portanto, insensvel ao nmero de poos.
Dessa forma, a simulao da responsividade em um poo representa toda a heteroestrutura
(XING, 1994).

99

Finalmente, as Figura 24, Figura 25, Figura 26 e Figura 27 apresentam uma comparao
entre medidas de responsividade e sua predio para as amostras A, B e C. Houve uma
alterao nos valores da tenso aplicada com objetivo de verificar a influncia desse
parmetro no deslocamento do pico de deteco. Na figura so apresentadas as comparaes
para tenses de 1,25 V para a amostra A e 2,25 V para a amostra B. Na amostra C, houve
duas medidas. A primeira com tenso de 0,5 V e a segunda com tenso de 4 V. Analisando-se
a figura, as diferenas entre medida e simulao so visualizadas com mais facilidade. A
comparao dos valores mximos de responsividade apresentada pela Tabela 10.

100

0.8

~0,5 m

Responsividade (A/W)

0.7
0.6

medida
simulao

0.5
0.4

~0,7 ps

0.3
0.2
0.1
0.0
-0.1
6

10

Comprimento de onda (mcrons)

Responsividade (normalizada)

(a)
~0,5 m

1.0

0.8

medida
simulao

0.6

0.4

0.2

0.0
6

10

Comprimento de onda (mcrons)

(b)
Figura 24: comparao entre medidas realizadas no setup de espectroscopia de corrente e
predio feita pelo TMM na amostra A. (a) medida x versus simulao; (b) medida x simulao
normalizadas.

101

0.7

~0,15 m
Responsividade (A/W)

0.6

medida
simulao

0.5
0.4

~1,8 ps

0.3
0.2
0.1
0.0
4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

Comprimento de onda (mcrons)

Responsividade (normalizada)

(a)
~0,15 m

1.0

medida
simulao

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0
4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

Comprimento de onda (mcrons)

(b)
Figura 25: comparao entre medidas realizadas no setup de espectroscopia de corrente e
predio feita pelo TMM na amostra B. (a) medida x versus simulao; (b) medida x simulao
normalizadas.

102

Responsividade (A/W)

2.0

5 nm
medida
simulao

1.5

~0,2 ps

1.0

0.5

0.0
780

800

820

840

860

880

900

920

940

960

980

Comprimento de onda (nm)

Responsividade (normalizada)

(a)

1.0

5 nm
medida
simulao

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0
780

800

820

840

860

880

900

920

940

960

980

Comprimento de onda (nm)

(b)
Figura 26: comparao entre medidas realizadas no setup de espectroscopia de corrente e
predio feita pelo TMM na amostra C com tenso de 0,5V. (a) medida x versus simulao; (b)
medida x simulao normalizadas.

103

1.4

Responsividade (A/W)

10 nm
medida
simulao

1.2
1.0

~0,1 ps
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-0.2
780

800

820

840

860

880

900

920

940

960

980

940

960

980

Comprimento de onda (nm)

Responsividade (normalizada)

(a)

10 nm

1.0

medida
simulao

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0
780

800

820

840

860

880

900

920

Comprimento de onda (nm)

(b)
Figura 27: comparao entre medidas realizadas no setup de espectroscopia de corrente e
predio feita pelo TMM na amostra C com tenso de 4V. (a) medida x versus simulao; (b)
medida x simulao normalizadas.

104

Tabela 10: comparao entre o valor do pico de responsividade medido e o simulado.

Amostra
A

Pico de responsividade
Medida
0,47 A/W

'(
Medida 8,4 m
TMM 8,9 m

TMM

0,71 A/W

Medida

0,64 A/W

TMM

0,36 A/W

TMM 4,9 m

Medida (0,5 V)

1,96 A/W

Medida 839 nm

TMM

1,84 A/W

TMM 846 nm

Medida (4 V)

1,25 A/W

Medida 931 nm

TMM

1,38 A/W

TMM 941 nm

Medida

5,1 m

Nas comparaes apresentadas pelas Figura 24 e Figura 25, verifica-se que houve uma
mudana no valor do erro relativo nas duas simulaes. Na primeira o erro aumentou para 2%
e na segunda simulao o erro aumentou para 3%. Essa variao no erro pode estar associada
a incertezas do modelo matemtico e a variao da tenso aplicada que altera a posio dos
nveis confinados. Conforme j citado anteriormente, os erros associados s simulaes
realizadas sero explorados posteriormente. Na simulao da amostra B no foi inserida a
correo devido segregao de Indio.
A Figura 26 e a Figura 27 apresentam os resultados das simulaes feitas na amostra C
com diferentes tenses com a finalidade de demonstrar a caracterstica de sintonizao da raia
espectral a ser detectada via bias. As simulaes demonstraram uma boa concordncia de
valores para o comprimento de onda de pico e de responsividade e reproduziram a
sintonizao da raia espectral, conforme esperado, embora a curva no esteja no formato
adequado. Os erros encontrados foram menores que 1%.
Pelas anlises feitas anteriormente, os bons resultados alcanados nas predies eram
esperados. Dessa forma, pode-se dizer que para compostos de AlGaAs/GaAs os erros
encontrados ficaram em torno de 1 a 2%. Nos compostos de InGaAs/GaAs, foram obtidos

105

erros de at 3% tanto nas transies envolvendo os estados fundamentais relativos a buracos

pesados e leves, quanto nas transies intersubbandas.
Os erros na aplicao da metodologia so esperados e se devem a sua complexidade.
Conforme descrito, a incerteza nos parmetros utilizados grande e podem causar grandes
diferenas no resultado final. Assim a tcnica proposta nesse trabalho pode ser usada no
projeto de fotodetectores, entretanto os resultados sugerem que alguns ciclos de projeto e
fabricao sejam feitos para ajustar os modelos.

IV.5. Anlise de erros

Esta seo apresenta uma discusso sobre o impacto das incertezas nos valores dos
principais parmetros utilizados nas simulaes.
Os parmetros selecionados para a anlise so: o band gap, o band offset split off rate, o
strain, a correo de band offset devido a segregao de Indio, a espessura da camada atmica
(ML) utilizada na correo do band offset e o tempo de vida do portador no primeiro estado
excitado do QW.

IV.5.1. Erro devido variao no band gap

Um erro de estimativa do band gap do semicondutor tem impacto profundo em toda a
metodologia, j que o band gap define a altura da barreira de potencial atravs do band offset
split off rate. A Tabela 11 apresenta uma comparao das medidas de fotoluminescncia
apresentadas anteriormente, variando-se o band gap.

106

Tabela 11: comparao da estimativa do band gap calculado e com erro de 3%.
Amostra

Band Gap

Medida

TMM

TMM

TMM-3%

(band gap +3%)

(band gap -3%)

777 nm

756 nm

800 nm

Erro 0,25%

Erro 2,5%

Erro 3,2%

780 nm

762 nm

803 nm

Erro 1%

Erro 2,3%

Erro 3,1%

960 nm

924 nm

978 nm

Erro 1%

Erro 1,8%

Erro 3,8%

(77 K)
D

1,507 eV

1,363 eV

1,211 eV

775 nm

779,2 nm

942 nm

A Tabela 11 mostra que um erro de 3% causa um erro proporcional de mesma

amplitude na estimao do comprimento de onda de pico em medidas de fotoluminescncia.
A ordem de grandeza do erro , de certa forma, esperada j que o primeiro nvel confinado
tende a ser estvel para pequenas modificaes na altura da barreira de potencial. Ou seja, o
erro provocado pela variao do band gap provoca um desvio proporcional na mesma ordem
de grandeza no comprimento de onda de pico em simulaes de medidas de
fotoluminescncia, porm em sentido contrrio. Se o band gap subestimado, o comprimento
de onda de pico aumenta enquanto que, se o band gap for super-estimado, o mesmo diminui.
O impacto da variao de band gap em transies intersubbanda deve ser avaliado junto
com a variao no alinhamento de band offset provocado pela variao de band gap. Esta
analise ser feita no prximo tpico.
O impacto da variao de band gap no alinhamento de band offset proporcional e da
mesma amplitude, pois tem-se que a altura da barreira de potencial dada por 0,65Eg na
banda de conduo e 0,35Eg na banda de valncia, seguindo a sugesto de proporo de
(VURGAFTMAN, et al., 2001), onde Eg=EgB-EgW.
Porm, deve ser destacado que, durante o trabalho, a estimativa do band gap gerado
pelas equaes de Varshini apresentaram bons resultados nas simulaes efetuadas. Com a
sua utilizao os erros mdios encontrados variaram de 2 a 3% em medidas de
responsividade, ficaram abaixo de 1% nas simulaes de fotoluminescncia e abaixo de 2%

107

na estimativa dos comprimentos de onda de pico de transies interbanda e intersubbanda.

Em outras palavras, para efeito desse trabalho essas equaes se mostraram adequadas e no
se considera que sejam a fonte de erro predominante.
Concluindo, o band gap pode alterar os resultados, mas as estimativas fornecidas pela
equao de Varshini para esse trabalho se mostraram adequadas, conforme relatos
encontrados na literatura (VURGAFTMAN, et al., 2001). A variao do band gap ocasiona
variaes de mesma amplitude na altura das barreiras de potencial para qualquer proporo
usada e no comprimento de onda pico em medidas de fotoluminescncia.

IV.5.2. Erro devido proporo usada no band offset split off rate
Conforme relatado ao longo do trabalho, a proporo usada para compostos de
AlGaAs/GaAs foi de 66:34 e para compostos de InGaAs/GaAs foi 62:38. Porm, essa
proporo difcil de ser estabelecida. Existe uma ampla variao de resultados reportados na
literatura. Idealmente deve-se executar um ciclo de fabricao e medidas para permitir o
ajuste desses parmetros ao modelo utilizado. A Tabela 12 mostra os resultados causados pela
insero de variao do alinhamento do band offset.
Tabela 12: comparao da estimativa da proporo usada no trabalho com outras possveis.
Amostra
(THOUSE, 2005)

Proporo
62:38 (usado)
60:40
66:34
66:34 (usado)
62:38
68:32
62:38 (usado)
60:40
66:34
62:38 e 66:34
(usado)
60:40 e 64:36
64:36 e 68:32
64:36 e 64:36

Tipo da transio
analisada / medida
HH1-EC1
950 nm
EC1-EC2
8,4 m
HH1-EC1
930 nm

EC1-EC2
5,08 m

Erro

1024 nm
1024 nm
1023 nm
8,9 m
9,6 m
8,6 m
978 nm
979 nm
978 nm
4,9 m

7%
7%
7%
5,9%
14%
2,3%
5,1%
5,2%
5,1%
3,5

5,1 m
4,7 m
4,8 m

<1%
7,4%
5,5%

108

Em estruturas formadas por trs materiais diferentes, necessrio o uso de duas

propores diferentes: uma para a primeira heterojuno e uma outra para a segunda
heterojuno, conforme pode ser visto na anlise da amostra C. As simulaes realizadas no
consideraram a correo devido segregao de Indio.
Analisando-se a Tabela 12, verifica-se que, quando transies interbandas so
analisadas, o erro permanece estvel com a variao da proporo usada. Isso acontece porque
a variao da altura da barreira de potencial feita na mesma ordem de grandeza tanto na
banda de conduo, quanto na banda de valncia. Tal procedimento no suficiente para
alterar de forma significativa o posicionamento dos estados fundamentais, embora haja
pequena mudana nos nveis. Assim, a variao se torna muito pequena quando comparada a
distncia entre os nveis de energia da banda de conduo e valncia.
Quando se analisa os efeitos provocados nos nveis de energia responsveis pelas
transies intersubbandas, o resultado diferente do citado anteriormente, com erros variando
de 2 a 7%. Ou seja, alteraes de 3% na altura da barreira de potencial tm impacto da
mesma ordem de grandeza na predio do comprimento de onda do pico para transies desse
tipo, porm em sentido inverso ao erro na proporo do alinhamento. Ou seja, se o
alinhamento super-estimado, o comprimento de onda diminui, caso contrrio o comprimento
de onda aumenta.
Conforme comentado anteriormente, erros de estimao do band gap podem gerar
variaes da altura da barreira de potencial que tem o comportamento semelhante ao
demonstrado com a variao da proporo de alinhamento usada.
Em concluso, erros no alinhamento do band offset no so significativos quando se
analisam as transies interbandas, porm so significativos e proporcionam erros da mesma
ordem de grandeza para comprimentos de onda de pico associados a uma transio

109

intersubbanda. A proporo deve ser ajustada pelo pesquisador de acordo com medidas em
amostras previamente crescidas em comparao com resultados obtidos pelas simulaes.

IV.5.3. Erro devido insero do strain

Conforme comentado no Captulo II, o strain adicionado ao Hamiltoniano, pois
modifica diretamente a estrutura de bandas do semicondutor quando considerado no modelo.
A Tabela 13 mostra a comparao dos resultados obtidos com e sem o strain no
Hamiltoniano.
Tabela 13: comparao da estrutura de bandas calculada sem considerar e considerando o strain.
Amostra

(THOUSE, 2005)

Estrutura de bandas sem

Estrutura de bandas

considerar o strain

considerando o strain

E1=0,078 eV

E1=0,078 eV

HH1=0,036 ev

HH1=0,036 eV

LH1=0,066 eV

LH1=0,066 eV

E1=0,064 eV

E1=0,064 eV

HH1=0,024 eV

HH1=0,024 eV

LH1=0,047 eV

LH1=0,047 eV

E1=0,071 eV

E1=0,071 eV

HH1=0,029 eV

HH1=0,029 eV

LH1=0,054 eV

LH1=0,054 eV

E1=0,182 eV

E1=0,182 eV

HH1=0,074 eV

HH1=0,074 eV

LH1=0,122 eV

LH1=0,122 eV

A anlise dos resultados da Tabela 13 mostra que strain calculado pelo modelo no
causou alteraes na estrutura de bandas. Isso aconteceu porque as constantes de rede dos
compostos das estruturas analisadas esto muito prximas, fazendo com o efeito do strain seja
quase inexistente. Porm com descasamentos significativos da constante de rede, ele deve ser
levado em considerao, pois pode alterar o posicionamento dos nveis de energia.

110

Para exemplificar a o exposto no pargrafo anterior, a Figura 28 apresenta o perfil da

constante de rede da amostra C.
5.67

x 10

-10

Constante de rede (m)

5.668

InGaAs

5.666
5.664
5.662
5.66

AlGaAs

5.658
5.656
5.654

GaAs

5.652
5.65
0

Eixo de crescimento (m)

x 10

-8

Figura 28: perfil da constante de rede ao longo da amostra C.

Como se pode observar na Figura 28, embora haja mudanas na constante de rede, as
diferenas so muito pequenas para causar impactos na estrutura de bandas.
Concluindo, o strain devido ao descasamento da constante de rede em heteroestruturas
pode ser desconsiderado para pequenas diferenas na constante de rede dos materiais como a
exemplificada na Figura 28. Porm, com descasamentos significativos, o strain poder ser
considerado, embora haja necessidade de uma anlise com amostras com essa caracterstica, o
que no foi feito nesse trabalho.

IV.5.4. Erro devido segregao de Indio nas barreiras de potencial

Como foi observado na demonstrao dos resultados obtidos, a correo do perfil de
potencial devido segregao de Indio faz diferena nos resultados simulados. Essas
diferenas so apresentadas na Tabela 14. Todas as simulaes foram feitas utilizando a
medida de 5 para a largura das camadas atmicas. Uma anlise do efeito da largura da
camada atmica no clculo da segregao apresentada na prxima seo.

111

Tabela 14: comparao de resultados comparando-se a insero da correo de composio de Indio no poo
devido a sua segregao na barreira e os resultados sem a presena da correo.
Amostra

TMM sem

Medida

HH1-E1

950 nm

1023 nm

7,6%

969 nm

2%

(THOUSE,

HH1-E2

870 nm

906 nm

4,1%

882 nm

1,3%

2005)

LH1-E1

930 nm

993 nm

6,8%

964 nm

3,5%

LH1-E2

850 nm

883 nm

3,8%

863 nm

1,5%

HH1-E1

930 nm

978 nm

5%

937 nm

< 1%

HH1-E2

895 nm

933 nm

4,2%

903 nm

< 1%

HH2-E1

870 nm

888 nm

2%

869 nm

< 1%

HH2-E2

840 nm

851 nm

1,3%

839 nm

< 1%

LH1-E1

910 nm

955 nm

5%

920 nm

1%

LH1-E2

852 nm

870 nm

2,1%

854 nm

< 1%

E1-E2

5,1 m

4,9 m

3,9%

5,43 m

6,5%

correo

Erro

TMM com

Transio

correo

Erro

A anlise da tabela mostra que a correo da concentrao de Indio no poo

significativa quando usada para transies intersubbandas. A reduo obtida no erro de
clculo foi grande, tornando os erros que eram de 5% menores que 1%. J, quando foi usada
para o clculo das transies intersubbandas, aumentou o erro existente. O aumento no erro
nas comparaes das transies intersubbandas no era esperado. O que se esperava eram
resultados como os encontrados para as transies interbandas. Provavelmente, os erros so
devidos falta de experincia em realizar procedimentos que envolvam essa correo para
transies intersubbandas e falta de ajuste nos parmetros do mtodo, j que a prioridade das
simulaes foi dada s transies interbandas.
Em concluso, a correo da concentrao da composio de Indio no poo altera de
maneira significativa o resultado para simulaes de transies intersubbandas e necessria
para a simulao de transies interbandas porque diminui bastante o erro encontrado. Em
outras palavras, deve ser usada para o clculo da responsividade em dispositivos baseados em
transies interbandas. O mesmo resultado e a mesma concluso eram esperados para as

112

transies intersubbandas, porm devem ser realizados mais procedimentos de simulao com
a finalidade de se adaptar os parmetros do mtodo a essa correo.

IV.5.5. Erro devido largura da camada atmica usada no clculo da segregao de

Indio
Conforme a apresentado pela equao (125) a correo da composio de Indio no
poo de potencial e que altera o perfil de potencial dependente da largura da camada
atmica crescida (ML). Tambm, segundo orientaes do Prof. Alain, a ML pode variar de 3
a 5 . Assim, o impacto da variao da ML deve ser avaliado. A Tabela 15 apresenta os
resultados decorrentes dessa variao.
Tabela 15: Comparao de resultados com variao da espessura da ML.
Amostra

Transio

Medida

LM=3

LM=4

LM=5

HH1-E1

950 nm

1004 nm

986 nm

969 nm

(THOUSE,

HH1-E2

870 nm

899 nm

890 nm

882 nm

2005)

LH1-E1

930 nm

977 nm

961 nm

964 nm

LH1-E2

850 nm

876 nm

870 nm

863 nm

HH1-E1

930 nm

966 nm

952 nm

937 nm

HH1-E2

895 nm

923 nm

914 nm

903 nm

HH2-E1

870 nm

884 nm

863 nm

869 nm

HH2-E2

840 nm

849 nm

831 nm

839 nm

LH1-E1

910 nm

945 nm

933 nm

920 nm

LH1-E2

852 nm

867 nm

847 nm

854 nm

Conforme apresentado na Tabela 15, a variao da espessura da ML resultou em

diferentes valores de comprimento de onda do pico para as diversas transies analisadas.
Verifica-se que o melhor resultado foi obtido com a espessura de 5 . Porm, em amostras
crescidas por outros mtodos que no o MBE, pode ser que os outros valores de ML se
adquem melhor. Portanto, realmente preciso checar todos os valores possveis de ML para
verificao de que espessura a ideal para a simulao.

113

Em concluso, para as amostras analisadas pelo mtodo desenvolvido a espessura da

ML a ser utilizada de 5.

IV.5.6. Erro devido estimativa do tempo de vida do eltron no clculo da

responsividade
A estimativa do tempo de vida do eltron nos estados fundamental e excitado de
heteroestruturas tem vrias abordagens. Dentre os diversos mtodos de estimao do tempo de
vida, o mtodo proposto por (LEVINE, 1993) e dado pela equao (133) foi selecionado para
ser usado nesse trabalho. Porm, vrios autores, entre eles (ROGALSKI, 2009), afirmam que
o tempo de vida mdio do eltron no primeiro estado excitado de um poo quntico, quando
h apenas dois estados confinados, varia de 0,1 a 1 ps. J (BUERLE, et al., 1988) afirma que
o tempo de vida nesse estado fica em torno de 5 ps.
Como j foi comentado anteriormente, o tempo de vida influencia diretamente a
predio da responsividade. Dessa forma, qualquer variao ou erro de estimativa causam
erros da mesma ordem de grandeza. A Tabela 16 mostra uma comparao do impacto causado
pela variao do tempo de vida na predio da responsividade de dispositivos medidos pela
equipe do LabGE. Nessas simulaes, todos os parmetros descritos anteriormente foram
fixados, mudando-se apenas os valores do tempo de vida do eltron inserido na aplicao da
equao que estima a responsividade.

114

Tabela 16: Comparao do valor do pico de responsividade dado o tempo de vida usado no clculo.
Amostra

Tempo de vida

Pico de responsividade

Medida

0,47 A/W

1 ps

0,71 A/W

0,5 ps

0,36 A/W

0,1 ps

0,071 A/W

Eq. (133)

0,0005 A/W

Ideal 0,7 ps

0,49 A/W

Medida

0,64 A/W

1 ps

0,36 A/W

0,5 ps

0,18 A/W

0,1 ps

0,036 A/W

Eq. (133)

0,0002 A/W

Ideal 1,8 ps

0,64 A/W

Medida

1,96 A/W

1 ps

6,2 A/W

0,5 ps

3,1 A/W

0,5 V

0,1 ps

0,62 A/W

Eq. (133)

6,8 A/W

Ideal 0,2 ps

1,92 A/W

Medida

1,24 A/W

1 ps

13,89 A/W

0,5 ps

6,9 A/W

4V

0,1 ps

1,39 A/W

Eq. (133)

3,48e-5 A/W

Ideal 0,1 ps

1,35 A/W

Como se pode observar na Tabela 16, a variao do pico de responsividade

diretamente proporcional variao do tempo de vida. O que tambm se nota que os valores
de responsividade calculados pela equao (133) so trs ordens de grandeza inferiores
queles calculados com tempo de vida de 1 ps. Essa discrepncia deve estar ocorrendo devido
ao coeficiente de tunelamento usado na equao (133). O fator de tunelamento est sendo
extrado diretamente do TMM seguindo uma sugesto de (SCHNEIDER, et al., 2007). O
resultado obtido leva a suposio de que esse fator est super-estimado.

115

A variao no tempo de vida causa um efeito proporcional na responsividade, ou seja,

reduzindo-se o tempo de vida pela metade, a responsividade cai pela metade. Ou seja, uma
vez estabelecido o tempo de vida ideal, qualquer mudana neste valor causa um impacto igual
na estimativa de responsividade. Este resultado indica que essa figura de mrito fortemente
dependente da estimativa do tempo de vida.
Concluindo, apesar de se ter um modelo que calcula o tempo de vida, seus resultados
no foram satisfatrios. A anlise desse fator destacou a forte dependncia da responsividade
pelo tempo de vida do eltron. Variaes no tempo de vida causam impacto proporcional
direto na responsividade.

IV.5.7. Erro devido variao da tenso aplicada no dispositivo.

A aplicao de um campo eltrico em dispositivo real pode ser analisada sob a variao
da responsividade em funo da mudana no campo eltrico aplicado.
Deve ser lembrado inicialmente que, se o campo eltrico aumentado de forma
contnua, ocorre uma supresso do primeiro estado excitado. Esta supresso do nvel
confinado por efeito de um campo eltrico aplicado estrutura conhecida como efeito Stark
(quantum confined Stark effect) (HARRISON, 2006).
A anlise da variao da tenso aplicada ao dispositivo feita com a variao desse
parmetro na equao que define a velocidade de deriva (equao (132)) dos eltrons
empregada na expresso que estima a responsividade (equao (131)). Todos os demais
parmetros so fixados. A Tabela 17 apresenta os resultados dessa variao.

116

Tabela 17: comparao do valor do pico de responsividade dada a variao do campo eltrico aplicado
Amostra

Campo

Pico de responsividade

Predio

0,71 A/W

Campo + 10%

0,71 A/W

Campo + 20%

0,71 A/W

Campo - 10%

0,71 A/W

Campo - 20%

0,71 A/W

Predio

0,36 A/W

Campo + 10%

0,36 A/W

Campo + 20%

0,36 A/W

Campo - 10%

0,36 A/W

Campo - 20%

0,36 A/W

A tabela mostra que ao se variar o campo eltrico aplicado ao dispositivo em at 20%,

no h variao na estimativa da responsividade porque essa alterao causa um impacto da
ordem de 10-4 na velocidade de deriva calculada. Essa variao na velocidade de deriva
muito pequena para alterar o valor estimado de responsividade.
O impacto mais significativo da variao do bias est na modulao da largura da
barreira de potencial, efeito esse que est inserido no modelo utilizado neste trabalho.
Em concluso, no h impacto significativo do erro nos valores do campo eltrico
aplicado utilizando apenas na equao (132) na estimativa de responsividade quando este
afeta apenas a velocidade de deriva.
Os resultados apresentados neste captulo demonstram que o mtodo desenvolvido pode
ser utilizado no projeto de fotodetectores infravermelhos a poos qunticos. As caractersticas
das estruturas simuladas so encontradas em dispositivos como QCL, QCD, HEMET,
VSELS, entre outros, assim acredita-se que, com pequenas adaptaes, este mtodo pode ser
aplicado em anlise e projetos de outros dispositivos formados por heteroestruturas de
material semicondutor.

117

V. Concluses
Os QWIPs tm sido estudados ao longo dos ltimos 25 anos com grande sucesso.
Dispositivos comerciais esto em operao em diversas reas de aplicao tais como
diagnstico de cncer de pele e identificao de alvos em campos de batalha reais. O mercado
para QWIPs tem crescido e a Pesquisa & Desenvolvimento tem seguido as demandas.
O interesse pela tecnologia de QWIPs tem se dado pelas caractersticas de alta
sensibilidade, alta seletividade e capacidade de deteco multiespectral que permite a
deteco e identificao de alvos de interesse atravs de sistemas com custos reduzidos.
Atualmente, h um grande interesse no desenvolvimento de Megapixel Multispectral
Focal Plane Array para aplicaes de interesse militar. Segundo Rogalski, esses dispositivos
tm grande apelo porque aliam as caractersticas citadas com uma baixa taxa de falso alarme,
so capazes de produzir imagens de alta resoluo e podem ser empregados em diversas
aplicaes como vigilncia area, aquisio e acompanhamento de alvos, imageamento
termal, auxlios a navegao e viso noturna, alm de poderem ser usados em sensoriamento
remoto e em astronomia.
Recentemente, o LabGE passou a estudar fotodetectores baseados em QWIPs atravs de
um parceria com o SRL. Esta parceria foi implementada em 2005 e permitiu demonstraes
de conceito de detectores multi-banda relatadas em diversas publicaes, uma tese de
doutorado e diversos intercmbios. Este trabalho mais um fruto dessa parceria e foi
orientado de forma a contribuir e aumentar o vnculo dessa parceria.
Durante os estudos realizados, considerando as demandas originadas pelos trabalhos
anteriores, foi verificada a necessidade de melhora dos mtodos de clculo dos nveis
confinados e suas respectivas funes de onda, de forma a acomodar a enorme variedade e

118

complexidade dos perfis de potencial encontrados em projetos de QWIPs. Dessa forma, foi
realizado um trabalho de pesquisa com o objetivo de estabelecer uma metodologia para
calcular os nveis confinados de energia e suas respectivas funes de onda usando o mtodo
de matriz de transferncia (TMM) visando a estimao da resposta espectral de QWIPs onde
ocorrem transies interbanda e intersubbanda.
Inicialmente foi realizada uma extensa pesquisa em Hamiltonianos que pudessem ser
empregados na descrio da estrutura de bandas de materiais semicondutores onde houvesse
uma descrio completa de todas as bandas de interesse e seus acoplamentos. Assim, foi
selecionado o Hamiltoniano 8x8 proposto por Bahder (BAHDER, 1990) que foi adaptado
pelo autor desta tese para se adequar as caractersticas do objeto a ser modelado. O processo
de adaptao considerou as caractersticas das heteroestruturas encontradas em QWIPs para
permitir a adaptao de alguns termos que descrevem as bandas e seus acoplamentos e a
incorporao das contribuies do strain, dos potenciais devido ao campo eltrico aplicado e
devido distribuio de cargas. O modelo tambm foi simplificado de forma a facilitar o
processo de clculo e diminuir esforo computacional. Ao final, obteve-se as equaes
diferenciais que descrevem as sub-bandas das bandas de conduo e valncia (buracos
pesados e leves) que so casos especiais da equao de Schrdinger.
A tcnica selecionada para implementao matemtica foi o TMM, o que permitiu a
modelagem de qualquer estrutura limitada por barreiras de potencial em situaes nos quais
haja ou no a aplicao de um campo eltrico externo. Essa tcnica foi escolhida pela
versatilidade em resolver estruturas multi-camadas. Para o uso do TMM, partiu-se de seu
formalismo geral e chegou-se a uma matriz de transferncia de coeficientes que permite
modelar qualquer perfil de potencial limitado por barreiras dividindo-o em fatias de potencial
constante. Dessa forma, pode-se utilizar a abordagem de ondas planas como soluo da

119

equao de Schrdinger para potenciais constantes, evitando a complexidade de clculos

impostas por potenciais no-constantes.
O resultado da integrao do Hamiltoniano com o TMM um mtodo que consegue
resolver as equaes com os parmetros que descrevem cada fatia, casando-a com a soluo
da prxima fatia atravs das condies de contorno estabelecidas em cada interface ou
heterojuno. Como conseqncia, os nveis de energia confinados e suas respectivas funes
de onda so calculados em estruturas compostas por camadas de diferentes materiais que
podem ter diferentes espessuras, sejam elas estruturas baseadas em transies interbandas ou
intersubbandas.
Para validao do mtodo, foram calculados perfis de potencial com solues analticas.
Obteve-se sucesso tanto na discretizao e simulao do potencial pelo TMM, quanto na
localizao dos nveis confinados. Os erros obtidos ficaram muito abaixo de 1%.
Sequencialmente, houve a simulao de resultados reportados na literatura, onde
estruturas

projetadas

estudadas

por

diversos

pesquisadores

baseadas

em

GaAs/AlGaAs/InGaAs foram simuladas com xito. Os erros obtidos nesta aplicao variou de
1 a 2% para estruturas de AlGaAs/GaAs e de 3 a 5% para estruturas de InGaAs/GaAs. Os
resultados reproduzidos englobaram comprimentos de onda do pico relativos a transies
interbandas e intersubbandas e localizao de nveis confinados nas bandas de conduo e
valncia.
A partir desses resultados pode-se realizar a estimativa da resposta espectral.
Finalmente, o mtodo foi aplicado para simular estruturas projetadas e extensivamente
medidas pelo LabGE no SRL. Estas estruturas so compostas de GaAs/AlGaAS/InGaAs com
respostas em trs diferentes bandas do espectro infravermelho. Novamente, os resultados
foram positivos, mas com alguns erros de at 5% para transies interbandas. Assim, foi
incorporada uma correo do perfil de potencial devido segregao de Indio durante o

120

crescimento epitaxial de compostos que levam esse elemento. A correo reduziu

significativamente o erro encontrado nas simulaes de compostos de InGaAs/GaAs.
Em simulaes realizadas com base em medidas de responsividade e fotoluminescncia
em dispositivos baseados em transies interbanda foram obtidos erros inferiores a 1%.
Para simulaes de dispositivos baseados em transies intersubbandas com medidas de
responsividade, foram obtidos erros variando de 2 a 3%.
Era esperado que os resultados das simulaes em estruturas baseadas em transies
intersubbandas tambm fossem melhorados com a insero da correo. Porm, no houve
melhora no resultado. Neste caso, a provvel causa a falta de ajuste nos parmetros usados
pelo mtodo, j que a prioridade foi dada s transies interbandas.
Pode-se dizer que os erros encontrados indicam divergncias dos modelos fsicos e dos
parmetros utilizados, uma vez que a TMM quando empregado para resolver potenciais com
soluo analtica apresentou erros negligenciveis.
Foi ento realizada uma analise do impacto da variao dos parmetros mais
importantes do modelo no erro obtido. Dessa anlise, percebeu-se que alguns parmetros so
de fundamental importncia e devem ser muito bem calculados, pois erros em sua estimativa
causam impacto proporcional na estimao da responsividade. So eles: band gap, segregao
de Indio e estimativa do tempo de vida do portador.
Outro feito importante foi utilizao de microcomputadores comerciais tipo PC, sem a
necessidade de uso de computao pesada.
Outro resultado importante est associado s novas parcerias estabelecidas durante o
trabalho, pois, logicamente, no se consegue bons resultados sem apoio de especialistas nas
reas afins ao trabalho. Foram incorporados ao grupo de pesquisa inicialmente formado pelo
LabGE e o SRL os seguintes laboratrios:

121

Laboratrio de Fsica Computacional do Instituto de Fsica de So Carlos, para o

desenvolvimento de novos Hamiltonianos e estudo das estruturas da banda e
parmetros de materiais semicondutores;
Laboratrio de Novos Materiais Semicondutores do IFUSP, para o crescimento e
medidas de amostras;
Universidade de Havana, para o estudo de fenmenos de transporte em
heteroestruturas com a utilizao do TMM.
Finalmente, aps a descrio do desenvolvimento do mtodo e dos resultados
apresentados, pode-se dizer que o objetivo do trabalho foi alcanado. Porm os resultados
devem ser melhorados e a pesquisa continuada.

V.1. Trabalhos futuros

Durante a execuo do trabalho foram feitas algumas simplificaes e assunes que
devem ser exploradas em trabalhos futuros. A seguir lista-se e comenta-se as sugestes para a
continuidade dessa trabalho:
Melhorar mtodo numrico para se determinar o nvel confinado atravs do TMM,
como obter m22=0 dentro de um conjunto de energias. H necessidade de estudo de
mtodos que trabalhem com funes que possuam derivada muito pequena em
situaes de cruzamento do zero dessas funes para uma identificao mais precisa
do zero.
Resolver o problema de convergncia da funo de onda em barreiras largas, h
necessidade de desenvolvimento de mtodos que possuam uma melhor resoluo, 32
ou 64 bits, para a definio do nvel confinado e convergncia da funo de onda em
simulaes com barreiras maiores que 250 e bias superior a, aproximadamente, 2 V.

122

Definir o parmetro de convergncia da auto-consistncia na definio do perfil

devido distribuio de cargas. Essa necessidade decorre da anterior, j que o clculo
no fornecia preciso suficiente para convergncia da funo de onda em alguns casos.
Automatizar a identificao dos nveis confinados de energia atravs de suas funes
de onda quando h bias na estrutura. No clculo com bias, h ocorrncia de poos
formados entre a hard wall, que uma condio do mtodo, e o perfil de potencial que
se

confundem

com

os

nveis

confinados.

Assim,

como

diferenci-los

automaticamente?
Desenvolver um mtodo experimental para a estimativa do tempo de vida do portador
em nveis confinados da banda de conduo;
Estudar e predizer fenmenos de transporte atravs do TMM para que possam ser
incorporados ao mtodo desenvolvido;
Estudar modelos de corrente de escuro e de detetividade de QWIPs para que sejam
incorporados ao mtodo desenvolvido; e
Realizar o crescimento e a caracterizao de amostras totalmente projetadas pelo
mtodo descrito e desenvolvido nesse trabalho.
Finalmente, importante destacar a contribuio desse trabalho. O mtodo proposto
capaz de simular qualquer perfil de potencial limitado por barreiras levando em considerao
os efeitos causados pelo strain, campo eltrico aplicado e distribuio de cargas, melhorando
resultados anteriores atravs da aplicao de um mtodo mais verstil e simples. Os resultados
encontrados indicam a grande potencialidade de utilizao desta tcnica para o projeto de
QWIPs empregados em diversas aplicaes.

123

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127

Apndice A - Procedimento de Mudana de Base

Em um espao Euclidiano, um vetor ) pode ser representado por seus componentes em

diferentes sistemas de coordenadas ou em diferentes bases. A transformao de uma base em

outra chamada de mudana de base. Durante a mudana de base, os componentes de ) em

uma dada base podem ser expressos em outra base por meio de uma matriz de transformao
(ZETTILI, 2001).

Este procedimento realizado a partir de uma transformao unitria a partir de uma

matriz U, que neste caso ser denominada matriz de transformao, pois este procedimento
apenas muda a forma de descrio de um sistema, sem alterar seus autovalores e suas
autofunes. (ZETTILI, 2001).

Aspectos Tericos
Vetores de estado e operadores da mecnica quntica tambm podem ser representados
em bases diferentes. Nesta seo ser demonstrado como transformar uma base que descreve
um operador em outra base. Isto , a partir do conhecimento dos componentes de kets, bras e
operadores descritos em uma base *|+ ,, pode-se determinar seus componentes

correspondentes em uma base diferente *|+ ,. Assumindo-se que *|+ , e *|+ , so duas
bases diferentes, o ket *|+ , pode ser expresso na em uma nova base *|+ , atravs da

equao (Zetilli)

. /

|+ = - |+F
+F | |+ = F |+F
F

Onde

(136)

128
|
F = [+F
+ `.

(137)

A matriz U dada por

F

[+: |+: `
= [+" |+: `
[+ |+: `

[+: |+" `
[+" |+" `
[+ |+" `

[+: |+ `
[+" |+ `.
[+ |+ `

(138)

A matriz de transformao U conecta duas bases que devem ser completas e ortonormais, por
isso:

= 20.

(139)

Q+ R = *F .
P+F Q

(140)

| `
Dessa forma, os componentes [+F
 de um vetor de estado | em uma nova base *|+ ,

pode ser expressa em termos dos componentes [+F |` de | em uma base antiga *|+ ,
como se segue (ZETTILI, 2001):

| `
| | `
2 -
[+F
 = [+F
2  = 1+F
|+ .+ |/ 23 = F [+ |`


(141)

Esta relao pode ser generalizada como

|/ =
| , ./ | = . |
.

(142)

Assim, considerando-se que a matriz de elementos de um operador seja dada em nova base

Q0 Q+ R
por F = P+F
 que pode ser expressa em termos da matriz de elementos de uma base

antiga dada por  = P+ Q0 Q+ R, tem-se que (Zetili)

2 -
F = 1+F
|+ .+ |/ 0 - |+ .+ |/ 2+ 3 = F  


Isto , sumarizando:

(143)

129
0
, 0 =
0 /
.
0 / =

(144)

Determinao da matriz de transformao

Em semicondutores com estrutura Zinc Blende, o que o caso para as estruturas de
interesse desse trabalho, a base de momento angular a mais usada para representao dos
autoestados e autoenergias do sistema. Esta base composta pelos autoestados do
Hamiltoniano spin-rbita, segundo sugesto do Prof. Guilherme Sipahi:

w

0 Z 0
Z 0 0

= 0 0 0
3 0 0 1
0 0
Z
1 Z 0

0
0 1
0
0 Z

1 Z 0
0 Z 0
Z 0 0
0 0 0

(145)

Este Hamiltoniano possui um estado quadridegenerado (relacionado ao momento

angular total ") com autovalor , e um estado bidegenerado (momento angular total ) com

autovalores

"

. Os autoestados, representados na base de orbitais p (x,y,z) possuem a seguinte

forma (Sipahi):
| 3 , 3 = 1 | _ + Z5
2 2
2

| 3 , 1 = Z 2|
+ | _ + Z5
2 2
6

| 3 , 1 = 1 2|
+ | _ Z5
2 2
6
| 3 , 3 = Z | _ Z5
2 2
2

| 1 , 1 = 1 |
+ | _ + Z5
2 2
3

(146)

130
| 1 , 1 = Z |
| _ Z5
2 2
3

Onde

3 3 1 1 1 1 3 3

w | , , | , , | , , | , 8 =
2 2 2 2 2 2 2 2
3
1 1 1 1
2
w | , , | , 8 =
2 2 2 2
3

(147)

Por serem autoestados de um operador observvel, esses vetores formam uma base completa e
ortonormal. Assim, as funes de onda so descritas em termos dos orbitais p para
descreverem a banda de valncia de um semicondutor, e permitindo assim uma melhor anlise
das interaes entre os estados presentes nessa banda.
Com a definio de uma base vlida, constri-se a matriz de transformao U a partir
dos coeficientes das funes de onda que compem a base. Dessa forma, cada linha da matriz
U da forma
 = : t , " ,
, 9 t , : , }
.

(148)

Antes da realizao da transformao necessrio verificar se uma condio satisfeita.

Assumindo que a base descrita pelos orbitais completa, a base de spins pode ser considerada
da mesma forma j que escrita em funo da primeira, assim a base de momento angular
formada por estados normalizados. Dessa forma a transformao descrita pela equao (139)
deve ser unitria. Alm disso, quando a matriz transformao usada no Hamiltoniano de
spin-rbita deve ser da forma

FF/;
w
= w
.

(149)

FF/;
Onde w
tem que ser uma matriz diagonal e o desdobramento entre as subbandas

de buracos leves e pesados e a subbanda com estados de split-off.

131

A matriz de transformao da base dos orbitais para a base de momento angular possui
ento a seguinte forma:
0
" "
"

0
0

: 
0
}
}
=
0
0
0
:
0
0


:

0


"
:

0
:

0
:

"


0
0
"

}
.
0

0


(150)

Assim, tem-se agora a matriz de transformao, a qual pode ser usada para encontrar a
representao, na base de momento angular, de operadores que estavam representados na base
de orbitais, como por exemplo, o Hamiltoniano k.p.

132

FOLHA DE REGISTRO DO DOCUMENTO

1.

CLASSIFICAO/TIPO

TD
5.

2.

DATA

3.

REGISTRO N

4.

17 de setembro de 2009 CTA/ITA/TD-021/2009

N DE PGINAS

128

TTULO E SUBTTULO:

Projeto de fotodetectores infravermelhos a poos qunticos utilizando o mtodo de matriz de

transferncia
6.

AUTOR:

Ricardo Augusto Tavares Santos

7.

INSTITUIO(ES)/RGO(S) INTERNO(S)/DIVISO(ES):

Instituto Tecnolgico de Aeronutica ITA

8.

PALAVRAS-CHAVE SUGERIDAS PELO AUTOR:

Infravermelho, detetor, poos qunticos, mtodo de matriz de transferncia, projeto

9.PALAVRAS-CHAVE RESULTANTES DE INDEXAO:

Detectores infravermelhos; Poos qunticos de semicondutores; Dispositivos de poos

qunticos; Matrizes de funo de transferncia; Fsica do estado slido; Engenharia
eletrnica
10.

X Nacional

APRESENTAO:

Internacional
ITA, So Jos dos Campos. Curso de Mestrado. Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eletrnica e
Computao. rea de Microondas e Optoeletrnica. Orientador: Fbio Durante Pereira Alves; coorientador: Christian Giorgio Roberto Taranti. Defesa em 14/09/2009. Publicada em 2009.
11.

RESUMO:

Essa tese apresenta uma metodologia para calcular os nveis confinados de energia e suas
respectivas funes de onda em estruturas de poos qunticos usando o mtodo de matriz de
transferncia (TMM). Este trabalho visa prover ferramentas para a estimao de absoro devido a
transies interbanda e intersubbanda em fotodetectores infravermelhos a poos qunticos (QWIPs).
O uso de fotodetectores desse tipo tem se intensificado nos ltimos anos, principalmente em
imageadores infravermelhos para identificao de alvos de interesse militar e civil. So estudados os
conceitos bsicos para o entendimento dos fenmenos qunticos que envolvem a deteco por
dispositivos desse tipo. Partindo de um Hamiltoniano 8x8 utilizado para o clculo da estrutura de
bandas em materiais semicondutores, desenvolve-se um modelo que representa a dinmica dos
portadores nas bandas de valncia e de conduo que permite o clculo dos nveis confinados
(subbandas) e suas respectivas funes de onda. Efeitos de no-parabolicidade, tenso/compresso e
segregao de compostos so considerados no modelo. A soluo numrica das equaes diferenciais
envolvidas feita utilizando-se o mtodo de matriz de transferncia, que adaptado para acomodar
qualquer perfil de potencial devido combinao de camadas de compostos semicondutores. Foram
desenvolvidos programas para realizar o clculo das variveis em discusso. Os resultados obtidos
demonstraram uma boa concordncia com aqueles reportados na literatura e com medidas realizadas
em laboratrio em dispositivos reais. A partir dos resultados, estuda-se o efeito das incertezas nos
parmetros dos materiais semicondutores no clculo em questo. Erros que variam de 0.2 a 5%,
dependendo da estrutura, permitem concluir que mtodo desenvolvido pode ser utilizado no projeto
de QWIPs com estruturas complexas.
12.

GRAU DE SIGILO:

(X ) OSTENSIVO

( ) RESERVADO

( ) CONFIDENCIAL

( ) SECRETO