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Introduccin
Etapas en clase B y AB
El amplificador push-pull
Rendimiento de la etapa de salida en clase B
Etapas en clase AB
Reduccin de la distorsin de cruce mediante la realimentacin negativa
Circuitos con una sola fuente de alimentacin
REFERENCIAS
- A.R. Hambley: Electrnica, 2 ed., Prentice Hall, 2000; apartado 10.4
(consultar tambin el apartado 9.2: Un ejemplo con distorsin de cruce)
- A. Sedra, K.C. Smith: Circuitos Microelectrnicos, McGraw-Hill
5 ed. (2004): secciones 14.1, 14.3, 14.4, 14.5
4 ed. (1998): secciones 9.1, 9.3, 9.4, 9.5
- J. Pleite Guerra (y otros): Electrnica Analgica para Ingenieros, McGraw-Hill, 2009; captulo 17 (pgs. 207-214)
- A.P. Malvino, Principios de Electrnica, McGraw-Hill, 2000; captulo 12
1
1. Introduccin
Etapas en clase A: transistor de salida polarizado en zona activa
El transistor conduce sin aplicar seal al circuito (vg = 0): esta es la corriente de polarizacin ICQ
El transistor disipa potencia en continua
iC
ICp
ICQ
+ VCC
iC
vI
Vbias
0.6 V
iE
vO
iL
Ibias
- VCC
iC = ICQ + ICpsen(t)
Q
vg
RL
Cuestiones:
(1) En qu condiciones disipa el transistor Q la mxima potencia? Qu
valor tiene esta potencia?
(2) Cul es la mxima corriente que puede circular por Q?
(3) Cul es la mxima cada colector-emisor posible en Q?
2
2. Etapas en clase B y AB
Etapas en clase B: transistor de salida polarizado
con corriente DC cero (en la regin de corte)
iC
ICp
0
Para reproducir los semiciclos negativos se emplea otro transistor que tambin opera en clase B
+ VCC
Q1
vO
vg
Q2
RL
- VCC
Cuestin.Justificar que si las bases estn a tierra (vg = 0), entonces el nico estado posible para
los dos transistores es el de corte, siendo de 0 V las cadas base-emisor.
+ VCC
Q1
conduce
vO
vg
Q2
en corte
RL
- VCC
+ VCC
Semiciclo negativo (con vg < -0.5 V):
Q1 en corte - Q2 conduce
Q1
en corte
vO
vg
Q2
conduce
- VCC
RL
Q1 conduce
Q2 en corte
Q1 y Q2 en corte:
distorsin de cruce
Q1 en corte
Q2 conduce
Distorsin de cruce: la seal de salida se mantiene a 0 V en el cruce por cero de la seal de entrada, y ya no es una rplica
fiel de la seal de entrada.
Esto se debe a que mientras la tensin de entrada no alcanza un valor suficiente, los transistores se mantienen en corte.
El efecto es ms perceptible cuanto menor amplitud tenga la seal de entrada.
6
+ VCC
Q1
+
VBE1 vI
VCC VCE1sat
VEB2 +
-
vO
Q2
RL
1
1
vO = vI - VBE1
-0.5 V
+0.5 V
vI
- VCC
Suponemos que cuando Q1
(Q2) conduce, la tensin en el
diodo emisor es constante:
VBE1(VEB2)
1
1
vO = vI + VEB2
-VCC + VEC2sat
Fuente: A. Sedra, K.C. Smith, Circuitos Microelectrnicos, McGraw-Hill (2004)
Ejercicios.
(1) Representar la recta de carga correspondiente al transistor Q1. Suponer VCE1sat = 0 V.
Marcar la posicin del punto de trabajo sobre el sistema de ejes iC1-vCE1. Indicar tambin el valor de la pendiente.
Suponiendo que se produce la mxima excursin de seal, completar la grfica con las formas de onda de iC1 y vCE1.
(2) En los transistores de la etapa push-pull, cules son los mximos valores posibles de: (a) la corriente de pico de colector;
(b) la tensin entre colector y emisor?
+ VCC
iC1
Q1
vO
iC1
vg
Q2
ICp
RL
iC2
- VCC
T/2
3T/2
iC2
PS + = VCC IC 1avg ;
ICp
PS = VCC IC 2 avg
IC1avg = IC 2avg =
0
T/2
3T/2
2T t
ICp
(*) Matemticamente:
T
IC 1avg
1
1
= iC 1dt =
T0
T
T /2
Cp
sentdt =
I
1
( 1 )
ICp
[cos t ]T0 / 2 = Cp
T
ICp
ICp
ICp
T
cos
cos 0 = (cos cos 0 ) = ( 2 ) =
2
2
T = 2
VCC ICp
VCCVop
RL
RL
Vop2
V
PO
2RL
Rendimiento: =
=
= op Valor mximo para Vop = VCC: max = 0.785 (78.5 %)
V V
PS + + PS
4VCC
4
2 CC op
RL
PD
Potencia disipada por los transistores:
ICp ILp = Vop/RL
PD = PQ1 + PQ 2 = PS + + PS PO =
2VCCVop
RL
2
op
2RL
PDmax
PD max
= 50%
2V 2
= 2 CC
RL
= 78.5%
PD max
2VCC2
= 2
RL
PQ1max = PQ 2 max
VCC2
= 2
RL
2VCC
VCC
Vop
=
=
=
0
V
=
op
dVop dVop RL
2RL RL RL
5. Etapas en clase AB
Fuente: A.R. Hambley, Electrnica, 2 ed., Prentice Hall, 2000
+VCC
Vbias
Q1
vO
IC1 = IC 2 = IQ I S e
Vbias VT
vg
Q2
RL
Vbias
-VCC
Si aumenta la temperatura, las tensiones base-emisor caen en unos 2.5 mV/oC . Si las tensiones Vbias se mantienen constantes y aumenta la
temperatura, se puede producir un aumento de la corriente por los transistores. Mayor corriente implica mayor disipacin de potencia en los
transistores y a su vez un mayor incremento de la temperatura. Puede producirse un efecto de embalamiento trmico (thermal runaway) y
llegar a destruirse los transistores. Esto ltimo va a depender de la forma de eliminar el exceso de calor. Como veremos, para que no se
calienten excesivamente los transistores, stos deben montarse sobre disipadores.
Veremos despus que existen otras formas de polarizar los transistores. Tambin veremos que el rendimiento de este tipo de circuitos es en
la prctica inferior al de una etapa en clase B
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R1
Q1
D1
R2
RE
vO
R2
vg
RE
D2
RL
Q2
R1
- VCC
Fuente: A.R. Hambley, Electrnica, 2 ed., Prentice Hall, 2000
11
R1
VCC
Q1
CB
D1
D2
vi
RL
+
vo
--
Q2
R2
VCC
Datos:
Notas:
No se tiene en cuenta la potencia disipada por los diodos ni
por las resistencias R1 y R2.
Las corrientes inversas de saturacin de los diodos y de las
uniones base-emisor de los transistores se suponen iguales.
Consultar:
J. Pleite Guerra (y otros): Electrnica Analgica para Ingenieros,
McGraw-Hill, 2009; Problema 17.1 (pgs. 345-348)
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Amplificador en clase AB
RESOLUCIN
Representamos el circuito equivalente en continua. Suponiendo IBQ1 = IBQ2 = 0,
las corrientes por los diodos estarn determinadas por R1 y R2. Adems:
ID = IS (eVD VT 1); IE = I S (eVBE
VT
1)
Como las corrientes IS coinciden y VBE1 = VEB2 = VD1 = VD2 , las corrientes de
emisor de los transistores son iguales a las corrientes de los diodos.
De forma similar a como ocurra con el espejo de corriente.
ID
R1
IBQ1
(b) La mnima cada de tensin entre colector y emisor en los dos transistores
se produce cuando entran en saturacin
La cada de tensin mxima en Q1 se produce con Q1 en corte y cuando Q2
entra en saturacin:
+
VBE1 -
VCC
Q1
IE1
ID
IE2
D2
VEB2 +
-
RL
Q2
+
VO
--
VCC
IBQ2
ID
R2
13
0.752 8
R =
=
= 2.25W
2
2
2
L( ef ) L
ILp2 RL
(e) Cuando la tensin de entrada es positiva, la corriente por la carga la entrega principalmente Q1 (que acta como
seguidor por emisor). Como IC1p ILp, la potencia media entregada por la fuente +VCC ser:
PS + = VCC IC 1avg =
VCC ICp
VCC ILp
10 0.75
= 2.39W
Durante el semiciclo negativo, la corriente la suministra principalmente Q2 (transistor que acta ahora como seguidor).
Igual que antes:
PS = VCC IC 2 avg = 2.39W
Al despreciar la potencia disipada en los diodos y las resistencias R1-R2, tendremos:
PD = PQ1 + PQ2 = PS + + PS PL = 2 2.39 2.25 = 2.53W
PL
2.25
=
= 0.471 (47.1 %)
PS + + PS 2 2.39
14
+ VCC
Q1
+
vg
vO
A
-
Q2
RL
- VCC
+ VCC
Q1
+
vg
vO
Q2
- VCC
R1
RL
vg =
R
R2
v o v o = 1 + 1 vg
R1 + R2
R2
R2
16
2VCC
Q1
Q1
0 V (en DC)
vO
Q2
RL
Q2
vO
RL
- VCC
Si solo se utiliza una fuente de alimentacin, sta debe tener el doble de tensin para entregar la misma potencia a RL.
Para obtener seales con la mxima amplitud, la tensin de reposo en los emisores debe ser VCC (la mitad de la tensin
de alimentacin). La forma de onda en los emisores tiene un nivel de continua VCC, pudiendo variar la tensin en los
emisores entre 0 y 2VCC: la componente alterna tiene una amplitud VCC.
El condensador bloquea la componente continua y deja pasar la alterna. As puede conseguirse una seal de salida de
amplitud mxima (VCC ) y entregar a la carga una potencia mxima de valor:
VCC2
PO(max) =
2RL
17
+VCC
R1
Q1
vI
C1
D1
E
vO
C2
D2
vE
RL
VCC
Q2
vO
VCC/2
VCC/2
VCC/2
R2
Las expresiones obtenidas para la etapa push-pull con alimentacin doble (+VCC y -VCC) deben modificarse. Pero basta
PO max
VCC
VCC2
2
=
=
2RL
8RL
PQ1max = PQ 2 max
VCC
VCC2
2
= 2
= 2
RL
4 RL
18
+VCC
+VCC
R1
R1
Q1
+
vI
C1
D1
Q1
+
C2
D2
vO
RL
D1
D2
Q2
+
2VBE
Q2
R2
R2
Circuito de polarizacin:
Los diodos de compensacin establecen una tensin entre las entre las bases igual a 2VBE.
Si los diodos y los BJT tienen la misma corriente inversa de saturacin (IS), las corrientes por los diodos y las
corrientes de colector son iguales, como ocurra con los espejos de corriente.
R1 y R2 se eligen del mismo valor, R. Entonces la corriente por los diodos se expresa:
ID
PO max
MPP 2
8RL
PQ max
MPP 2
40RL
+ VCC
vO
PO max
PQ max
MPP
V
MP 2 MPP 2
=
=
=
2RL 2RL
2RL
8RL
2
CC
VCC
vO
RL
V2
MP 2 MPP 2 MPP 2
= 2CC = 2 = 2
RL RL 4 RL 40RL
- VCC
+VCC
VCC
; MPP = VCC
2
vO
PO max
VCC
MP 2 MPP 2
2
=
=
2RL
2RL
8RL
vO
VCC/2
RL
PQ max
VCC
V2
MPP 2
2
= 2 = CC2
4 RL 40RL
RL
20
+VCC
i1
Clculo de PS .Llamamos iCC a la corriente instantnea que entrega la fuente +VCC e ICC al valor
medio de esta corriente. De la misma forma:
i1 es la corriente instantnea que pasa por R1 e I1 su valor medio.
iC es la corriente instantnea de colector de Q1 e ICavg su valor medio.
iC
R1
B1
Q1
D1
vI
E +
vO
C2
C1
D2
B2
RL
Q2
R2
(*) R
(*)
iCC = i1 + iC
ICavg =
ICp
ICC = I1 + ICavg
; ICp =
Vop
; Vop =
VCC
2
ICavg =
RL
V 2VBE 12V 1.4V
I1 = CC
=
= 10.4mA
R1 + R2
1020
ICC = I1 + ICavg = 10.4mA + 239mA 249mA
VCC
12V
=
= 239mA
2RL 2 (8 )
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Ejemplo (cont.)
Clculo de PO .- Si la seal en la carga es de amplitud mxima:
PO max
VCC2 (12V )2
=
=
= 2.25W
8RL 8 8
max =
PO 2.25W
=
= 0.753
PS 2.99W
(75.3% )
Discusin.- El rendimiento mximo de esta etapa es algo inferior al mximo que una etapa en clase B puede alcanzar
idealmente (el 78.5 %). Parte de la potencia que entrega la fuente se disipa en los transistores y en el circuito de
polarizacin. Respecto a este ltimo, cuanto menores sean las resistencias, mayor valor tendr la corriente de reposo I1 y
ms se alejar el rendimiento del valor ideal.
Cuestin:
Si en el circuito anterior las corrientes de reposo de Q1 y Q2 se fijan al 5% de la mxima corriente por la carga, qu
valores deberan tener las resistencias R1 y R2? Cul sera entonces el rendimiento mximo?
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