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En este tema se estudian los amplificadores del grupo 2.a, y en particular, los
amplificadores que entregan potencias de salida moderadas (1 W a 50W).
(efecto de freno elctrico). La utilizacin de una realimentacin negativa intensa con muestreo
de tensin en la salida y resta de tensiones en la entrada (la ms empleada en estos
amplificadores) hace que la resistencia de salida sea en la prctica inferior a 0.1 , al tiempo
que la de entrada suele ser elevada.
Un error muy extendido consiste en afirmar que "la impedancia de salida de un
amplificador de potencia debe ser igual (o conjugada si R L no es resistiva) a la impedancia de la
carga conectada". Esta condicin, que se deriva del teorema de Thvenin sobre la mxima
transferencia de potencia carece de sentido planteada de esta forma. Obviamente, para un
generador con una resistencia interna determinada, la carga que obtiene la mayor potencia
(siempre que el generador la soporte) es aquella de valor igual a la resistencia interna del
generador. Ahora bien, si se parte de un determinado valor de la resistencia de carga, a menor
resistencia interna del generador, mayor potencia entregada en la carga. Sin embargo, s tiene
sentido asignar un valor idneo de la carga, con el que se puede aprovechar el margen dinmico
de tensiones y corrientes que el amplificador es capaz de entregar.
La estructura tradicional de un amplificador de potencia responde al siguiente diagrama
de bloques. La cadena de amplificacin la constituyen diversas etapas que se agrupan en dos
bloques:
Amplificador de
tensin
Amplificador de
corriente
Vi
VL
1
IL
2
ZL
Vf
Diagrama de bloques de un amplificador de potencia de audio
+Vcc
E1
I1
VL
Vi
I2
RL
IL
E2
-Vcc
Estructura de una etapa de salida simtrica
El circuito se alimenta con una fuente simtrica. E1 y E2 representan elementos activos
amplificadores de corriente (p.ej. E1 un transistor PNP y E2 un transistor NPN, ambos en
configuracin seguidor de emisor). La carga se conecta entre el nodo de unin de E1 y E2, y
masa. El tringulo situado a la izquierda de los elementos activos representa el circuito que
controla la conduccin de E1 y E2 (driver).
Todos los circuitos que se basan en la estructura anterior se caracterizan porque la
corriente en la carga IL es la diferencia entre las corrientes que entregan los elementos activos,
siempre que I1 y I2 se definan con el sentido indicado en la figura.
IL = I1 -I 2
Si se realiza la aproximacin de considerar que los elementos activos pueden llegar a
comportarse como cortocircuitos en su estado de mxima conduccin, se tiene:
V Lmax = Vcc ;
V Lmin = -Vcc
V Lefmax = Vcc/ 2
V Lmax = Vcc
PLmax= Vcc 2 /R L
+Vcc
+Vcc
RB
T1
VL
Vi
RL
R E1
RA
IL
VL
IL
R E2
D1
T2
RL
D2
Vi
-Vcc
-Vcc
T4
T2
RC4
-Vcc
+Vcc
RG
+Vcc
T1
T1
RS1
RL
Vi
RA
RL
T3
RS2
T2
Vi
T2
-Vcc
-Vcc
Los transistores MOS presentan dos ventajas frente a los bipolares. En primer lugar, su
ganancia en corriente es elevada (tericamente infinita, aunque en la prctica limitada si se desea
una respuesta rpida). En segundo lugar presentan una conmutacin mucho ms rpida y limpia
(comportamiento resistivo) que los bipolares (extraccin de minoritarios).
Como principal desventaja cabe citar su falta de linealidad en la funcin de transferencia
ID = f(V GS ), lo que sin embargo no es importante cuando se utilizan como seguidores de fuente.
En el circuito de clase A-B se determina la corriente de reposo mediante la eleccin de
los valores de R S1 y R S2 y el ajuste de R A .
Todos los circuitos vistos hasta ahora se basan en la utilizacin de seguidores de tensin.
Este montaje es muy adecuado como amplificador de corriente, presenta una impedancia de
entrada elevada, una impedancia de salida reducida (incluso antes de cerrar el lazo externo de
realimentacin) y su ganancia en tensin prxima a la unidad garantiza una buena linealidad.
Aunque su ganancia de tensin es prxima a la unidad, la excursin de salida (V Lpp )
queda reducida con respecto al caso ideal (2Vcc) debido a las cadas de tensin en las uniones
base-emisor (bipolares) y entre puerta y fuente (MOS). Este efecto es especialmente importante
en el caso de los MOS de potencia, en donde la tensin puerta-fuente umbral suele estar en torno
a los 4V, y an se precisan valores mayores para obtener corrientes de drenador del orden de
amperios (p.ej. V GS = 8 V).
La solucin ms simple a este problema consiste en aumentar la tensin de alimentacin,
pero esto presenta dos problemas. Primero, el aumento de excursin se logra a cambio de una
mayor disipacin en los transistores. Segundo, si el bloque de ganancia en tensin se realiza con
un operacional, el aumento de la tensin de alimentacin est limitado por la tensin mxima
que ste pueda soportar (Vcc= 18 V para la mayora de los operacionales).
Para aumentar la excursin de salida puede recurrirse a la utilizacin del mtodo
Bootstrap (realimentacin positiva). Este mtodo consiste en alimentar el circuito de
polarizacin (driver) con una tensin V B superior a Vcc, obtenida a partir de la tensin de saida
VL.
La siguiente figura muestra un ejemplo prctico del circuito Bootstrap. El circuito
representado debe combinarse con el del amplificador darlington. En reposo, el condensador C B
se carga a una tensin prxima a Vcc. Cuando V L crece hacia Vcc, la tensin V B tambin crece.
Si V L se acerca a +Vcc (situacin en que se vera limitada la excursin), la tensin V B es mucho
5
mayor que Vcc, compensando las cadas de tensin en los transistores. Es posible utilizar un
circuito simtrico para la excursin negativa.
+Vcc
RB
R1
al colector
de T5
CB
de la salida VL
Otra solucin a esta situacin consiste en hacer que el bloque amplificador de corriente
sea capaz de conseguir tambin una cierta (aunque sea pequea) ganancia de tensin (aunque el
primer bloque siga siendo el encargado de la mayor parte de la ganancia de tensin del
conjunto). Para logralo, los transistores de salida se conectan en montaje de emisor comn (o
fuente comn).
+Vcc
R1
T1
RE1
+Vcc
RL
RA
CI
RE2
RI
T2
-Vcc
RF2
-Vcc
RF1
+Vcc
RB1
T1
CI
RL
RI
T2
RB2
-Vcc
RF1
RF2
+Vcc
+Vcc
R1
R1
T1
T1
R2
kVi
RL
RL
Vi
Vi
R3
-kVi
T2
T2
R4
R4
-Vcc
-Vcc
+Vcc
+Vcc
T3
RB1
T1
T1
T5
T3
RE5
RE3
RL
RL
Vi
Vi
RE6
RE4
T6
T4
T2
T4
T2
RB2
-Vcc
-Vcc
+Vcc2
+Vcc1
T3
RA
T1
T5
RD
RE5
RL
CD
D1
+Vcc1
CI
D2
RE6
Vi
T6
RI
RB
-Vcc1
RF1
T4
T2
-Vcc1
RF2
10
+Vcc
E1
I1
VL
Vi
RL
I2
IL
E2
-Vcc
Fig. 4.13.- Etapa de salida simtrica
El estudio se puede hacer bajo diferentes condiciones de seal. Se consideran dos casos
que corresponden a excitacin continua (equivale a onda cuadrada simtrica) y excitacin
sinusoidal.
EXCITACION CONTINUA:
CLASE A)
I Lmax
I1
I2
VL
-Vcc
+Vcc
Corrientes en clase A
V L = Vcc ; P L = P Lmax .
11
PD
PLmax
P D = P T - P L = P Lmax - P L
La figura de la derecha representa esta
relacin. Se observa que la mayor disipacin se
produce en reposo (con I1 = I2 = ILmax /2).
PL
PLmax
Relacin de potencias en clase A
CLASE B)
En un amplificador en clase B, la
corriente de reposo es nula. Adems se cumple:
I Lmax
IL > 0 I1 = IL ; I2 = 0
I1
I2
IL < 0 I1 = 0 ; I2 = -IL
La figura de la derecha muestra la
dependencia de I1 e I2 con IL .
I L
-I Lmax
I Lmax
Corrientes en clase B
12
0.25
PD
PLmax
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0.25
0.5
PL
1 PLmax
0.75
CLASE A-B)
I Lmax
, siendo Io la
I1
I2
2Io
-I Lmax
-2Io
clase B
I L
2Io
clase A
I Lmax
clase B
13
0.25
PD
PLmax
0.2
al eje de abscisas
Sin embargo, el
recta llega slo
con la curva de
0.15
k=.25
0.1
k=.1
0.05
P DB = P Lmax P L - P L
k=.04
0
PL
P
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 Lmax
Relacin de potencias en clase A-B
En el punto de interseccin (P L =
P LmaxA ) ambos valores de P D deben coincidir:
P DA = P DB Po= P Lmax P LmaxA P LmaxA = Po 2 / P Lmax = 4Vcc 2 Io 2 / (VccI Lmax )
Simplificando, y llamando k (relacin de reposo) al cociente 2Io / ILmax :
P LmaxA = 4Vcc Io 2 /ILmax = k2VccIo = kPo
La relacin entre la potencia mxima de las zonas de clase A y de clase B o global (en la
carga) es:
P LmaxA / P Lmax = k2VccIo / (VccILmax )= k2
y la relacin entre potencias disipadas:
P DmaxA = Po ; P DmaxB = P Lmax / 4
P DmaxA / P DmaxB = 4Po / P Lmax = 4Po / (P LmaxA / k2 )= 4k
Esta expresin indica que la potencia mxima disipada tiene lugar en la zona de clase B
mientras k < 0.25. Un valor de k= 0 representa el caso extremo en que el amplificador es clase B
(Po= 0). Si k= 1, el amplificador es un clase A.
En el diseo prctico de amplificadores en clase A-B es usual elegir un valor reducido de
Io, lo que restringe a un mnimo la zona de trabajo en clase A (k << 1).
La siguiente figura representa la curva obtenida mediante simulacin de un amplificador
en clase A-B prctico, para tres valores diferentes de Io. Las caractersticas de este amplificador
son:
P Lmax = 25 W (senoidal)
Vcc= 23 V
R L = 8 (resistiva)
ILmax = 2.5 A
PD (W)
18W
12
16W
ZONA DE
CLASE B
14W
12W
3
10
8
PD
10W
8W
6W
2
1
0
4.6W
10
20
30
40
50
PL (W)
0
0
PL
1.7W
I1
I2
I Lmax
I L
-I Lmax
clase B
I Lmax
clase A
clase B
EXCITACION SENOIDAL)
El estudio con excitacin sinusoidal es ms complejo en el caso de la clase A-B. Esto se
debe a que el comportamiento es lineal a tramos, y al variar con el tiempo el valor instantneo de
la tensin de salida, el funcionamiento atraviesa los diferentes tramos.
En vez de realizar un anlisis detallado, se presentan los resultados obtenidos por
simulacin de un circuito real.
Se recuerda que para una misma Vcc, la potencia mxima en la carga con seales
senoidales es la mitad de la que se obtiene con excitacin continua. El amplificador simulado es
el mismo que el utilizado para obtener las curvas con excitacin continua.
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La siguiente figura muestra las curvas de PD para tres corrientes de reposo diferentes:
1) Io= 36 mA
2) Io= 100 mA
3) Io= 255 mA
PD
14
3
12
10
2
8
6
1
4
2
PL
0
10
15
20
16
25