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ELECTRNICA APLICADA
UNIDAD I

Componentes bsicos electrnicos

Introduccin:
En los ltimos aos la investigacin de la fsica del estado slido de
la materia, ha provisto a los cientficos de los conocimientos necesarios para
producir nuevos dispositivos electrnicos, los semiconductores que ocupan hoy
da un lugar de prominencia en el mundo de la electrnica.
Componentes prcticamente desconocidos hace treinta aos,
surgen hoy, desplazando a las vlvulas de vaco (tubos) de funciones que hasta
hace poco se crean de su exclusiva propiedad.
Para el estudio y comprensin de los fenmenos que ocurren en
dispositivos semiconductores, es necesario conocer algunos detalles del mundo
atmico, como por ejemplo:
Su estructura
Propiedades de las partculas que lo Integran

El ATOMO
Modelo atmico de BOHN

PROTONES:
POSEEN CARGA
ELCTRICA
POSITIVA (+)

NEUTRONES: NO
POSEEN CARGA, SON
ELCTRICAMENTE
NEUTROS

NUCLEO

O P
Fig.1

ELECTRONES: POSEEN
CARGA ELECTRICA
NEGATIVA (-), GIRAN
ALREDEDOR DEL NUCLEO

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El componente fundamental de la materia, es decir, de todo lo que nos

rodea, es el tomo que se le asigna una estructura como lo indica la Fig. (1),
compuesto de un ncleo, el que contiene partculas llamadas:
-

Protones: Carga elctrica positiva (+) de masa mayor que el

neutrn.
Neutrones: Sin carga elctrica, menor masa y ms inestable
Alrededor del ncleo giran partculas llamadas electrones, de
carga elctrica negativa (-), constituyen el elemento
fundamental de la electricidad.

Propiedades del tomo

1) Los protones que poseen carga elctrica positiva de igual magnitud que la
del electrn, son aproximadamente 1800 veces ms pesado.
2) Un tomo normal, el nmero de electrones que giran alrededor del ncleo,
es igual al nmero de protones, y por ello se dice que un tomo es
elctricamente neutro.
3) Debido al movimiento de rotacin de los electrones alrededor del ncleo a,
acta sobre l una fuerza centrfuga que trata de alejarlos del ncleo. Esta
fuerza se equilibra con la fuerza de atraccin del ncleo lo que mantiene al
electrn en una rbita estable.(Fig. 2)
v

Fn

Fc
-

NUCLEO

Fig. 2
4) Todo lo que nos rodea, es decir, todos los materiales que forman nuestro
mundo diario, estn formados por aproximadamente 100 sustancias bsicas
o elementos.
Ejemplo:
H , Ca , N , O , K , Cl , Cu, Na, etc
2

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O bien una combinacin de dos o ms elementos bsicos

Ejemplo:
Agua, Sal, Acero, Bronce, etc.
5) Cada elemento bsico posee una cantidad diferente de electrones girando
alrededor del ncleo, en diferentes rbitas que se designan con las letras:
K, L, M, N, O, P, Q
La rbita ms cercana al ncleo es la capa K; y la mas alejada del ncleo se
designa con la letra Q.
La ltima capa u orbital de un tomo se denomina capa de valencia.
Un tomo que posee en su ltima capa un nmero mximo de 8 e -, este
elemento se comporta como un aislador.
Ejemplo:
Gases Nobles como el Nen, Argn,. Kriptn, etc.
Aquellos tomos que poseen 1, 2 o 3 electrones en el ltimo orbital son
buenos conductores.
Ejemplo:
Oro, Plata, Cobre, etc.
Los tomos que poseen 4 electrones en su ultimo orbital se denominan semi
conductores.
Ejemplo:
Germanio, Silicio, etc.
6) Los electrones ubicados en la ltima capa, son los que determinan las
propiedades qumicas y elctricas de un elemento y se denominan
electrones de valencia y la capa que los contiene capa de valencia.
7) Sobre la capa de valencia existen niveles vacantes en las que se denominan
niveles de excitacin.

Banda de valencia: Es la zona en que los electrones se

encuentran semilibres.
3

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Banda de conduccin: Es la zona donde los electrones se

encuentran con la suficiente energa como para moverse
libremente en una estructura cristalina.
Banda prohibida: Zona cerrada al paso libre de los electrones
entre las bandas de conduccin y de valencia.

EXCITACIN)
E
CONDUCCION
N
E
R
G
I
A

(NIVELES

DE

BANDA

DE

BANDA PROHIBIDA
(NIVELES DE VALENCIA)
BANDA DE VALENCIA

Fig. 3
Para que los electrones de la banda de valencia puedan servir como portadores
deben pasar a la banda de conduccin, ello implica entregarles una cierta
cantidad de energa, que puede tener la forma de calor, luz, radiaciones, etc. La
magnitud de dicha energa es igual a la altura de la banda prohibida. Se mide
en eV. (1 eV = 1,6 1019 Joules)

BANDA DE CODUCCION

BANDA DE VALENCIA

Fig. 4

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Conductores: El cobre es un buen conductor elctrico, la razn es evidente si

se tiene en cuenta su estructura atmica. El ncleo o centro del tomo contiene
29 protones (cargas positivas). Cuando un tomo de cobre tiene una carga
neutra, 29 electrones (cargas negativas) se disponen alrededor del ncleo, los
electrones en distintos orbitales, llamados capas o niveles de energa
tomo de cobre (Cu)
Z = 29

Protones
(29)

e=e=8

Neutrone
s
(29)

e=2

e=8

e=18

e=1

Fig. 5
La parte interna: En la electrnica, lo nico que importa es el orbital exterior,
el cual se denomina orbital de valencia. Es este orbital exterior el que
determina las propiedades elctricas del tomo.
Electrn libre: Como el electrn de valencia es atrado muy dbilmente por la
parte interna del tomo, una fuerza externa puede arrancar fcilmente este
electrn, al que se conoce como electrn libre y por eso mismo, el cobre es un
buen conductor. Incluso la tensin o fuerza mas dbil puede hacer que los
electrones libres de un conductor se muevan de un tomo al siguiente.
Los mejores conductores son: El Oro, la Plata, el Cobre, el Eridio, etc.

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tomo de cobre (Cu)

(Fig. 6)

Diagrama

de

la
parte interna
de un tomo
de cobre
1

+1

Ejercicio: Supongamos que una fuerza exterior arranca el electrn de valencia

de un tomo de cobre.
Cul es la carga resultante del tomo de cobre?
Y si un electrn exterior entra en la orbital de valencia, cual es la carga
resultante del tomo de cobre de la figura anterior (Fig. 6)?
Solucin:
Cuando un electrn de valencia se va, la carga resultante del tomo es de
+1. Si un tomo neutro pierde uno o mas electrones se convierte en un
tomo cargado positivamente, que recibe el nombre de Ion positivo.
Cuando un electrn exterior entra dentro del orbital de valencia, la carga
resultante del tomo es igual a 1. Si un tomo tiene un electrn extra en
la orbital de valencia, llamamos al tomo que cargado negativamente,
Ion negativo.

Semiconductores: Los mejores conductores (Plata, Cobre, Oro) tienen un

electrn de valencia mientras que los mejores aislantes poseen ocho electrones
de valencia. Un semiconductor es un elemento con propiedades elctricas entre
las de un conductor y las de un aislante (Germanio Silicio)

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Ejemplo:
tomo de Silicio
Z = 14

+4

Fig.7
Un tomo de Silicio tiene 14 protones y 14 electrones. En el primer orbital
posee 2 electrones y el segundo 8 electrones. Los 4 electrones restantes se
encuentran en el orbital de valencia, como lo indica la figura 5, la parte interna
tiene una carga resultante de + 4 porque contiene 14 protones en el ncleo y
10 electrones en los dos primeros orbitales.
Los 4 electrones de valencia nos indica que el silicio es un semiconductor.
Ejercicio:
Cul es la carga resultante del tomo de silicio si pierde uno de los electrones
de valencia?
Y si gana un electrn extra en el orbital de valencia?
Solucin:
Si pierde un electrn de valencia, se convierte en un Ion positivo, con
carga +1.
Si el tomo de silicio gana un electrn de valencia extra, se transforma en
un Ion negativo 1.

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Cristales de silicio: Cuando los tomos de silicio se combinan para formar un

slido, lo hacen en una estructura ordenada llamada cristal. Cada tomo de
silicio (Si) comparte sus electrones de valencia con los tomos de silicio vecinos
de tal manera que suman 8 electrones en el orbital de valencia.

Fig.8 a
Un tomo de cristal tiene 4 electrones

Fig.8 b
Enlaces covalentes

Enlaces covalentes: Cada tomo vecino comparte un electrn con el tomo

central, de esta forma el tomo central parece tener cuatro electrones
adicionales, sumando un total de ocho electrones en su orbital de valencia. En
realidad, los electrones dejan de pertenecer a un solo tomo, ya que cada
tomo central y sus vecinos comparten electrones y as sucesivamente dentro
de la estructura cristalina.
Saturacin de valencia: Cada tomo en un cristal de silicio tiene ocho
electrones en su orbital de valencia. Estos ocho electrones producen una
estabilidad qumica que da como resultado un cuerpo compacto de material de
silicio. Nadie esta seguro porqu el orbital exterior de todos los elementos tiene
una predisposicin a tener ocho electrones. Cuando no existen ocho electrones
de forma natural en un elemento este tiende a combinarse y compartir
electrones con otros tomos vecinos con el fin de obtener ocho electrones en el
orbital exterior, estableciendo con ello una estructura compacta.
Establecimos como ley:

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Saturacin de valencia: n
=8
Dicho de otro modo, el orbital de valencia no puede soportar mas de ocho
electrones. Un cristal de silicio es casi un aislante perfecto a temperatura
ambiente
(aprox. 25 C )
Semiconductores Intrnsecos: Un semiconductor intrnseco es un
semiconductor puro. Un cristal de Si o Ge es un semiconductor intrnseco si
cada tomo del cristal es un tomo de la misma especie. A temperatura
ambiente, un cristal puro de Si o Ge se comporta mas o menos como un
aislante ya que tiene solamente unos cuantos electrones libres y sus huecos
correspondientes, producidos por la energa trmica que posee dicho cristal.
Dos tipos de semiconductores extrnsecos: Un semiconductor se puede
dopar para que tenga un exceso de electrones libres o un exceso de huecos.
Debido a ello existen dos tipos de semiconductores dopados.
Semiconductor extrnseco del tipo N: Al silicio o germanio que ha sido
dopado con una impureza pentavalente se llama semiconductor extrnseco tipo
N, donde N hace referencia a negativo. En un semiconductor extrnseco del tipo
N como los electrones superan a los huecos reciben estos el nombre de
portadores mayoritarios, mientras que los huecos reciben el nombre de
portadores minoritarios.(Fig. 9)

Si

Electrn

Si

A
s

Si

Si

Fig. 9
Dador de electrones, queda cargado negativamente

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Semiconductor extrnseco del tipo P: El silicio o germanio que ha sido

dopado con impurezas trivalentes se llama semiconductor extrnseco tipo P,
donde P hace referencia a positivo. Como el numero de huecos supera a los
electrones libres, los huecos reciben el nombre de portadores mayoritarios y los
electrones se les denomina portadores minoritarios.(Fig. 10 )

Si

Si

A
l

Si

Si

Hueco o espacio

Fig. 10
Receptor de electrones, queda cargado positivamente

Caractersticas de la unin pn: (El diodo no polarizado) Por si mismo un

cristal semiconductor del tipo P o N tiene la misma utilidad que una resistencia
de carbn; Pero ocurre algo nuevo cuando un fabricante dopa un cristal de la
forma que una parte sea tipo P y la otra sea tipo N. La separacin o frontera
fsica de esta se llama unin pn. La unin pn tiene propiedades tan tiles que
ha propiciado toda clase de inventos, entre los que se encuentran los diodos,
transistores y circuitos integrados.(Fig.11)
Comprender la unin pn permite entender toda clase de dispositivos
fabricados con
semiconductores.

10

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Zona de contacto (unin)

Fig. 11
En el cristal pn se va a producir una difusin de portadores mayoritarios
en ambas zonas. Los electrones de la zona N pasaran a la zona p y los huecos
de la zona P pasaran a la zona n cruzando la unin. Esta difusin de produce
debido a que los electrones tienden a llenar los huecos adyacentes a la unin,
dejando a su vez una zona de huecos en la posicin original, la difusin se
manifiesta en los lados adyacentes de la frontera y se denomina zona de
transicin.(Fig. 12)
Zona de transicin o deplexin

Fig. 12
Debido al proceso de difusin, se produce una concentracin de cargas
opuestas a ambos lados de la unin, cargas negativas en la zona P y cargas

11

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positivas en la zona N, siendo cerca de la unin, mayor la concentracin de

cargas opuestas.
Por la concentracin de cargas opuestas se genera un campo elctrico y
una diferencia de potencial que se conoce como barrera de potencial.
La barrera de potencial detiene el proceso de difusin de portadores. La
carga negativa concentrada rechazar a los electrones que intenten pasar, los
cuales no tendrn la suficiente energa para saltar la barrera.(Fig. 13)
El campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de
potencial llamada barrera de potencial. La barrera de potencial es del orden de
los (mV) y depender de los valores de temperatura y de la naturaleza del
cristal.
La barrera de potencial es aproximadamente de 0,3 V para diodos de
Germanio y de 0,7 V para diodos de Silicio.
Fig. 13

N
-

Polarizacin directa: Se ve una fuente de corriente continua conectada a un

diodo. El terminal negativo de la fuente esta conectado al material tipo n y el
terminal positivo al material tipo p. Esta conexin se llama polarizacin directa.
En este caso existe una inyeccin de portadores mayoritarios por la diferencia
de potencial aplicada, con lo cual se reduce la barrera de potencial y se
produce la conduccin. (flujo de electrones) (Fig. 14)

12

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Fig. 14

La barrera de potencial disminuye

Polarizacin inversa: Si se invierte la polaridad de la fuente de continua,
entonces el diodo quedara polarizado en inversa. Al revs de la situacin
anterior, los portadores mayoritarios son atrados por el potencial contrario
aplicado en sus extremos, lo cual hace que aumente la barrera de potencial;
por lo tanto, los electrones no tendrn la suficiente energa para atravesar la
barrera y la corriente ser prcticamente nula. Esta conexin se denomina
polarizacin inversa.(Fig. 15)
Fig. 15

P
N

La barrera de potencial aumenta

13

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Los fenmenos anteriormente mencionados corresponden al

funcionamiento de un diodo de unin cuyo smbolo se muestra a
continuacin:(Fig. 16)

Fig. 16
La barrera de potencial y la temperatura: La temperatura de la unin es la
temperatura dentro del diodo, exactamente en la unin pn. La temperatura
ambiente es diferente, es la temperatura del aire fuera del diodo. Cuando el
diodo esta conduciendo, la temperatura de la unin es mas alta que la
temperatura ambiente a causa del calor creado en la recombinacin. La barrera
de potencial depende de la temperatura creada en la unin. Un incremento en
la temperatura de la unin crea mas electrones libres y huecos, que se
difunden en la zona de deplexion. Esta se estrecha lo que significa que hay
menos barrera de potencial a temperaturas altas en la unin.
Matemticamente definimos:
V
La variacin de tensin por el cambio de temperatura.
T

Ahora podemos establecer una regla para estimar el cambio en la barrera de

potencial, como una derivacin:
V
(T

2 mV / C)

Con esto podemos calcular la barrera de potencial a cualquier temperatura de

la unin.
Ejercicio: Suponiendo una barrera de potencial es de 0,7 V a una temperatura
de 25 C
Cul es la barrera de potencial en un diodo de silicio cuando la
temperatura de la unin es de 100 C?
Cul es la barrera de potencial en un diodo de silicio cuando la
temperatura de la unin es de 0 C?
Solucin:
Cuando la temperatura de la unin es de 100 C, el cambio en la barrera
de potencial es:

14

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V= (-2mV/C)T= (-2mV/C)(100 C 25 C) = 150 mV

Esto nos dice que la barrera de potencial decrece 150 mV desde su valor de
temperatura ambiente, por lo tanto:
VB =0,7 V 0,15 V =0,55 V

Cuando la temperatura de la unin es de 0 C, el cambio en la barrera de

potencial es:

V= (-2mV/C)T= (-2mV/C)(0 C 25 C) = 50 mV
Lo que quiere decir que la barrera de potencial crece 50 mV desde su valor a
temperatura ambiente, por lo tanto.
VB =0,7 V +0,05 V =0,75 V

Grfica de un diodo: Una resistencia es un dispositivo lineal ya que su grafica

de la corriente en funcin de su tensin es una lnea recta. Un diodo es
diferente, es un dispositivo no lineal ya que su grafica de trabajo no es una
recta. Esto se debe a su barrera de potencial, cuando la tensin del diodo es
menor al valor de la barrera de potencial la corriente de diodo es pequea; si la
tensin del diodo incrementa el valor por sobre el valor de la barrera de
potencial, la corriente de trabajo del diodo se incrementa rpidamente.(Fig. 17)
En la zona directa la tensin en la cual la corriente empieza a
incrementarse rapidamente se denomina tensin de umbral (V k) es igual al
valor de la barrera de potencial. Definimos la tensin de umbral del diodo de
silicio de la siguiente forma:

Vk = 0,7 V

15

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Fig. 17
I mA
Corriente directa
Voltaje de ruptura
Polarizacin
directa

KV

0,3
V

0,7

Corriente de fuga

Corriente inversa
Polarizacin
inversa
A
Nota: El diodo es un dispositivo no lineal, cuya corriente de trabajo quedar
solo limitada por la resistencia de carga. Si se polariza inverso, el diodo no
conduce. Existiendo una pequea corriente de fuga del orden de los microamperes. Si el voltaje inverso supera el valor especificado por el fabricante, el
diodo se deteriora seriamente.
Para tensiones mayores que la tensin de umbral, la corriente crece
rpidamente, al aumento pequeo de tensin, el diodo origina un alto
incremento de corriente, esto se debe a que una vez superado el valor de la
barrera de potencial, solamente se opone al flujo de la corriente la resistencia
de las zonas p y n.
La suma de las resistencias ohmicas se le llama resistencia interna del
diodo y se define mediante la siguiente formula:

16

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Rb = RP + RN
Los diodos tienen diversas aplicaciones, entre las que se destacan:
a) Rectificadores: La funcin del rectificador es transformar la corriente
alterna en continua, la mayora de los dispositivos electrnicos,
televisores, equipos estereos y computadores necesitan de una corriente
continua. Dentro de las fuentes de potencia hay circuitos que permiten
que la corriente fluya en un solo sentido, estos son los llamados
rectificadores, que estudiaremos a continuacin:
Rectificadores de media onda: El siguiente circuito nos muestra un
rectificador de media onda (Fig. 18).
Fig. 18

RL

C.A

Grficos
V

VRMS

VPEAK

Voltaje alterno
t

1
Ciclos
( H Z )(
)
T
seg

T = Periodo
T

17

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VRL

Voltaje rectificado
+

+
0,3 0,7 V
t

ON

OFF

ON

id
Im

Ip

Corriente rectificada
t

El conductor no tiene
cada de tensin, el
diodo tiene una pequea
cada de tensin de 0,7
(V)
Donde:

Ip =
Vp =
Im =
Vm =
VRMS=
=
Vp

Corriente Peak
Voltaje efectivo o real
Corriente media
Voltaje medio o Vcc
Voltaje promedio o efectivo
Constante

2 Vrms

Vm

Vp

V
RL

18

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Ejercicio: Cules son las tensiones de pico en la carga y la tensin continua

en la carga?. El transformador tiene una relacin de espiras de 5:1. (Esto
significa que la tensin r.m.s. del secundario es un quinto de la tensin del
primario),VP=120 V.
Solucin:

V2

120V
24V
5

Y la tensin de pico en el secundario es:

Vp

24V
34V
0,707

Con un diodo ideal, la tensin de pico en la carga es:

Vp (out ) 34V

La tensin continua en la carga es:

Vdc

Vp 34V

10,8V

La tensin de pico en la carga es:

Vp(out ) 34V 0,7V 33,3V

La tensin continua en la carga es:

Vdc

Vp 33,3V

10,6V

Rectificador de onda completa: En este tipo de rectificadores la

corriente de carga rectificada circula durante ambas mitades de los ciclos,
a continuacin veremos un puente rectificador de onda completa:(Fig.19)

Fig. 19

19

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D4
D1
C.A
.
D2
D3

RL

Sistema rectificador
Transformador + diodos +
carga

GRAFICOS
V

Voltaje alterno

VD
Vdc
20

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Voltaje rectificado
t
D1-D3

D2-D4

Valor de continua o valor medio en un rectificador de onda completa, esta

seal tiene el doble de ciclos positivos, como lo visto en la grafica, por lo tanto
el valor del voltaje rectificado es (VD):

Vdc

2 Vp

El valor de la corriente media en rectificador de onda completa es:

Im

2 Ip

A la salida de un rectificador se obtiene una tensin continua pulsante,

para mejorar esta seal y dejarla lo ms cercano a una seal continua pura, se
utilizan los filtros.
Existen diferentes tipos de filtros, como son:

Filtros capacitivos (condensadores)

Filtros inductivos (bobinas)
Filtros inductivos - capacitivos, ambos o una mezcla de ambos.

Uno de los mas usados es el filtro capacitivo, que a continuacin daremos

a conocer brevemente:
El filtro de condensador en la entrada: Este filtro genera una tensin de
salida continua igual al valor de pico de la tensin rectificada. Este tipo de
filtros es muy usado en fuentes de alimentacin y alternadores.
La siguiente figura nos muestra la forma de conectar el condensador: (Fig.
20)

21

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C.A.
Fig. 20
En los filtros de onda completa el rizado de pico a pico se corta por la
mitad, como se observa en la figura.(Fig. 21 a-b) Cuando una tensin de onda
completa se aplica a un circuito RC, el condensador solo descarga la mitad del
tiempo. Por lo tanto, el rizado de pico a pico tiene la mitad de tamao que
tendra con un rectificador de media onda, la seal con el condensador mejora
notablemente. El funcionamiento del condensador consiste en lo siguiente:
Este se carga a travs de la tensin continua pulsante que entrega el
rectificador, (diodo abierto) una vez que el condensador almacena el valor
mximo de tensin comienza su descarga, hasta que nuevamente la tensin
continua pulsante alcanza el valor del condensador comenzando nuevamente
su descarga.

Fig. 21 a

22

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Seal rectificada
t
Fig. 21 b
Se puede calcular el voltaje de rizado de pico a pico de cualquier filtro con
condensador a la entrada:
Vr

I
fC

Donde:

Vr
I
f
C

=
=
=
=

Tensin de rizado pico a pico (V)

Corriente por la carga en continua (A)
Frecuencia de rizado (Hz)
Capacidad (F)

El diodo adems de rectificar, se puede utilizar como elemento de

proteccin como por ejemplo para asegurar el paso de corriente en un solo
sentido en un alternador o batera:(Fig. 22)
Fig. 22
Proteccin
Alternado
r
Batera

El diodo adems puede proteger de errores de polaridad.

Otros tipos de diodos
Diodo Zener: Es un diodo de fabricacin especial de silicio que se ha diseado
para que funcione en la zona de ruptura, llamado a veces diodo de avalancha,
el diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensin. Estos son

23

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circuitos que mantienen la tensin casi constante con independencia de que se

presenten grandes variaciones de la tensin en la red y la resistencia de carga.
A continuacin veremos su smbolo y grafica de trabajo: (Fig.23)

I (ma)
Polarizacin
directa
Zona de Ruptura
VZ max.
VZ nom.
VZ min.

V
Iz minimo

IZ nominal

IZ mximo

Polarizacin
indirecta
Fig. 23
Regulador zener: El diodo zener es un elemento estabilizador de tensin
(regulador de tensin) porque para pequeos mrgenes de variacin de
tensin, trabaja con variaciones importantes de corriente. Para asegurar que el
diodo zener trabaje como estabilizador de tensin se deben cumplir las
siguientes condiciones:

Este diodo debe ser alimentado por una corriente inversa no inferior a Iz.
Mnimo (Iz min.), dato entregado por el fabricante.
No se debe sobrepasar en ningn caso la corriente del zener mxima (Iz
max.) ya que puede producir daos en el componente.

24

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Ahora la potencia del zener se calcula por:

Pz Iz max . Vz

Por lo tanto:

Iz max

Pz
Vz

El Iz min. se calcula y es igual al 10% de Iz max.

Iztrabajo

Por lo tanto:

Iz max Iz min
2

Rs

+
Vz
Vs

Circuito bsico de regulacin

Fig. 24

Rs
+
FUENTE
RECTIFIC
ADORA
CON FILTRO CON
CONDENSADOR A
LA ENTRADA

+
Vs
Vz
_
_

25

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La fuente de alimentacin excitacin al regulador

Fig. 25
La corriente en la resistencia es:
Is

Vs Vz
Rs

Diodo Led (emisor de luz): En un LED con polarizacin directa los electrones
libres atraviesan la unin y caen en los huecos. Como caen de niveles
energticos altos a niveles bajos, emiten energa. En diodos normales esta
energa se disipa en forma de calor, pero un LED lo hace en forma de luz. Los
LED necesitan muy poca tensin, tienen una larga vida y conmutan mas rpido.
Su smbolo es:

Fig. 26
El diodo LED posee el mismo funcionamiento que el diodo comn, sin
embargo cuando se produce la difusin de portadores mayoritarios a travs de
la unin, estos entregan energa en forma de luz.
Estos elementos necesitan de un voltaje de polarizacin de entre 1,5 a 2
(V) y una corriente de trabajo entre 15 a 20 (mA) y pueden ser de color rojo,
verde, amarillo, naranjo, etc. Este tipo de diodo se construye con materiales
semiconductores semitransparentes a la energa luminosa, como por ejemplo
de Arsnico y Galio.
Rs
+

FUENTE DE
ALIMENTACION

Vs
-

VD

26

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Fig. 27
Is

Vs VD
Rs

Fotodiodos: (Receptor de luz), este componente recibe luz con lo cual los
electrones Libres tienen la energa suficiente para poder traspasar la unin y
conducir. Cuanto mayor intensidad de luz incida sobre la unin, mayor ser la
corriente inversa en el diodo. Un foto diodo es un diodo cuya sensibilidad a la
luz es mxima. Se debe polarizar en forma inversa y en los fotodiodos tpicos la
corriente inversa es del orden de decenas de microamperios.
Se pueden utilizar para captar seales en sensores pticos o medir velocidades
angulares en motores.
Su smbolo es:

Fig. 28

Fig. 29
La luz incidente incrementa la corriente inversa en el fotodiodo

27

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Transistores: En 1951 William Schockley invento el primer transistor de unin,

un dispositivo semiconductor que permite amplificar seales electrnicas tales
como seales de radio y de televisin. El transistor ha llevado a crear muchas
otras invenciones basadas en semiconductores, incluyendo el circuito integrado
(CI), un pequeo dispositivo que contiene miles de transistores miniaturizados.
Existen dos familias de transistores:

Transistores unipolares
Transistores bipolares

Esta clasificacin se basa en el tipo de portadores de carga (electrones y

huecos) que intervienen en su proceso de conduccin.
Transistor bipolar: El transistor tiene tres zonas de dopaje, como se
muestra en la siguiente figura (Fig. 30). La zona inferior se denomina
emisor, la zona central base y la zona superior es el colector.
JCB

JBE

N P
N

JCB

TRANSISTOR NPN

JBE

P N
P

TRANSISTOR PNP

Fig. 30

Los smbolos son:

+
VCB
COLECTOR

COLECTOR

VCB

BASE

BASE

VCE

VBE

EMISOR

VCE

VBE

EMISOR

28

INACAP
WWW.INACAP.CL

TRANSITOR NPN

TRANSISTOR PNP
Fig. 31

Este componente es de estructura simple y debe cumplir con ciertos

requisitos de dopado y de dimensiones caractersticas que hacen que el
dispositivo no se comporte simplemente como dos diodos.
Su funcin es que el emisor emite captadores de carga, el colector los
recoge y la base controla el paso de esos portadores de cargas.
El emisor esta fuertemente dopado. Por otro lado, la base esta
ligeramente dopada. El nivel de dopado del colector es intermedio, entre los
dos anteriores. Fsicamente el colector es la zona mas grande de las tres.
Modo de funcionamiento:
Unin
BE

Unin
BC

Modos de
funcionamiento

Directa

Directa

Saturacin

Inversa

Inversa

Corte

Directa

Inversa

Activa

INTERRUPTOR

Operacin normal de un transistor:

JBE = DIRECTA
JCB = INVERSA

Principio de funcionamiento del transistor: En la Fig. 32 se muestra el

funcionamiento de un transistor NPN en zona activa:
MATERIAL N
EMISOR

MATERIAL P
BASE

MATERIAL N
COLECTOR

29

INACAP
WWW.INACAP.CL

Altamente Impurificado
Impurificado

Medianamente

Ie
Ic
Hueco

Electrn

IB
Re

Rc

Vcc

Fig. 32

Vcc

Los datos de inicio, para explicar la Fig. 32 son los siguientes:

Emisor: Muy contaminado. (muchos portadores mayoritarios, electrones)
Base: Poco contaminado (pocos portadores mayoritarios, huecos) estrecho
tamao.
Colector: Medianamente contaminado de tamao amplio.
Con la polarizacin directa de la unin base emisor, muchos electrones
del emisor irn a la base a recombinarse con los huecos de la base y viceversa.
Aqu se encuentran con la primera dificultad y es que la base est poco
impurificada (dopada) y existen pocos huecos para que se puedan recombinar,
los que lo logran forman una pequea corriente denominada corriente de
base.
Los electrones llegados del emisor y no recombinados saturan a la base
(tamao estrecho) lo que produce una corriente de difusin entre base y
colector. Como esta unin est polarizada en forma inversa, los electrones son
extrados por el campo elctrico. Por lo tanto la unin base colector rene los
portadores que emite la unin base emisor comportndose como un generador
de corriente entre emisor y colector. Aproximadamente solo un 5% de la
corriente emitida va a la base y un 95% al colector.
30

INACAP
WWW.INACAP.CL

En resumen, el emisor emite portadores, el colector los recoge y la base

controla el paso de esos portadores de carga.
La poca corriente de base es controlada por la tensin base - emisor.
Configuraciones de un transistor: Estas configuraciones dependen del
terminal que se elija comn a la entrada y a la salida del transistor:
Emisor comn

Base comn

Colector comn

E
E

B
B
V0

Vi

V0

Vi

VI
E

Fig. 33
Donde:

Vi = Voltaje de entrada
Vo = Voltaje de salida

Relaciones de corriente en un transistor: Recurdese que la ley de la

corrientes de Kirchhoff. Establece que la suma de todas las corrientes que
ingresan a un nudo o unin es igual a la suma de todas las corrientes que salen
de ese nudo:
I E IC I B

Ahora la relacin se conoce como la ganancia de corriente de un transistor

porque una pequea corriente de base produce una corriente mucho mayor de
colector:

IC
IB

Ejercicio: Un transistor tiene una corriente de colector de 10 mA y una

corriente de base de 40 A. Cual es la ganancia de corriente del transistor?

31

INACAP
WWW.INACAP.CL

Solucin:

10mA
250
40 A

Funciones principales de un transistor: En lo que respecta al automvil se

destaca la importancia del transistor en la utilizacin como rele y amplificador.

Como rele: Para que funcione de esta forma basta con polarizar la base del
transistor, a travs de una dbil tensin o polarizacin para conseguir el paso
de una alta corriente entre emisor y colector. La gran ventaja en este caso con
respecto a un rele mecnico, es que el transistor no posee contactos ni resortes
o mecanismos que se deterioren con el tiempo producto de los movimientos la
temperatura y que fcilmente pierden sus cualidades iniciales.
Basado en ste principio, el transistor tiene un amplio campo de
aplicacin en el automvil y un ejemplo de ello es la Fig.34 que nos muestra un
sistema de encendido transistorizado:

P
C
R
B

T
E
A

32

INACAP
WWW.INACAP.CL

Fig. 34
Funcionamiento: La corriente principal proviene de la batera (A) y pasa al
transistor (T), si los contactos del ruptor (platinos) se encuentran abiertos, por
lo cual se produce una interrupcin en el paso de la corriente de base, de modo
que el transistor queda bloqueado. Cuando los contactos (P) se unen, polarizan
a masa (corriente negativa), la base del transistor y entonces ste se vuelve
conductor, dando paso a la corriente al primario de la bobina de encendido (B).
El primario de la bobina se alimenta y cuando se produzca la nueva separacin
de los contactos, el transistor se bloquea y se induce una corriente de alta
tensin en el arrollamiento secundario de la bobina, lo que produce la chispa en
la buja.
En el caso de la figura dibujada se observa que el transistor trabaja como
un rele, porque una pequea corriente de base permite el paso de una corriente
mayor entre emisor y colector.
Como Amplificador: stos se utilizan cuando se trata de recibir seales
procedentes de sensores o captadores, las cuales trabajan con seales muy
bajas. Para que stas seales puedan ser incorporadas a dispositivos
electrnicos tales como cajas de encendido, microprocesadores de las unidades
electrnicas de control de inyeccin de gasolina, deben ser amplificadas.
En resumen un amplificador ese un dispositivo por medio de el cual una
dbil corriente producida por una fuente hace provocar una fuerte corriente en
la salida.
La siguiente Figura (Fig. 35) nos muestra un ejemplo simplificado de cmo
un transistor puede realizar las funciones de un amplificador.
La entrada amplificada que proviene de la base del transistor y circula
entre emisor y colector y que puede llegar a ser 100 veces superior. Si se desea
amplificar aun mas se puede aplicar una segunda etapa amplificadora que
puede llegar a ser 10.000 veces aumentada la seal de salida:

33

INACAP
WWW.INACAP.CL

R3

R1
C2

C1

R4

R2

+
Fig. 35
Existen variadas construcciones de transistores, los estudiados con
anterioridad se denominan transistores bipolares. Existen otra familia
denominada transistores unipolares o por efecto de campo (FET), es un
dispositivo de estado slido en el que el campo elctrico controla el flujo de los
portadores en un canal de conduccin.
Al igual que los bipolares los unipolares se utilizan como reles,
amplificadores e interruptores controlados.
A continuacin se realiza una clasificacin general de tipos de
transistores:
ENRIQUECIMIENT
O

CANAL
N
CANAL P

DISPOSITIVO
DE FUERZA
INSTALADA
MOSFET

TRANSISTORES
DE EFECTO DE
CAMPO

DEFLEXIN
EMPOBRECIMIENT
O

CANAL
N
34

INACAP
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CANAL P

MESFET
DISPOSITIVO
DE PUERTA DE
UNION
CANAL
N
CANAL P

TRANSISTORES
IFET

TRANSISTORES
BIPOLARES

Fig. 36
Tiristores: Son dispositivos semiconductores que tienen tres terminales
(conectores), una corriente dbil en una de sus terminales (compuerta) permite
que una corriente mucho mayor fluya a travs de los otros dos conductores. La
corriente controlada est encendida o apagada; estos no amplifican seales
como los transistores, sino que actan como interruptores de estado slido.
Existen dos familias:
Rectificador controlado de Silicio (S.C.R.): ste es similar a un
transistor bipolar con una cuarta capa, como lo muestra el dibujo
siguiente (configuracin interna)
ANODO
SIMBOLO

ANODO
CATODO

N
P
35

INACAP
WWW.INACAP.CL

COMPUERTA
(GATE)
CATODO

COMPUERTA
Fig. 37

Funcionamiento de un SCR: Si el nodo se hace ms positivo que el ctodo

en un tiristor, las uniones externas (dos) se polarizan, sin embargo la unin P-N
del centro se polariza de forma inversa y la corriente no puede fluir. Una
corriente pequea en la compuerta polariza la unin P-N del centro permitiendo
que una corriente mucho mayor fluya a travs del dispositivo.
Alta corriente de
salida

RL

P
N

R
P

Pequea corriente de
control
Fig. 38

36

INACAP
WWW.INACAP.CL

La ampolleta solo funciona cuando el interruptor se cierra y circula una

pequea corriente, que es limitada por esta resistencia,(R).

La grfica siguiente nos muestra el comportamiento de un SCR, para

profundizar el funcionamiento del SCR es conveniente observar su curva
caracterstica:
I

POLARIZACION
DIRECTA

(C) IH
A
V(+)
VX

VBO

POLARIZACION
INDIRECTA

Fig. 39
37

INACAP
WWW.INACAP.CL

De acuerdo a la grfica y observando se ve que existe una caracterstica

de bloqueo en el momento que pasa la corriente (polarizacin directa), que
viene presentado por la letra A, aqu existe un crecimiento de la tensin directa
sin que el SCR permita el paso de la corriente; pero cuando este alcanza un
punto determinado conocido con el nombre de tensin de operacin (VBo), el
tiristor SCR permite el paso de la corriente representado por la letra B, con una
lnea ascendente.
Cuando la corriente directa desciende su valor bajo el punto C, llamado o
conocido como corriente de mantenimiento o de retencin (IH), el SCR se
bloquea y por consiguiente deja de conducir.
En el sentido inverso el SCR se comporta como un diodo normal.
La forma ms efectiva para apagar un SCR es reducir la corriente de
nodo bajo el valor de (IH) o bajar el voltaje bajo el valor (VX), la primera con
una resistencia y la segunda con una fuente variable.
A continuacin se muestra un diagrama en bloque de un circuito SCR:

SCR
K

DISPOSITIVO
DE
CONTROL

R
CIRCUITO
DE
CONTROL

CA

Vi

Fig. 40

38

INACAP
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Valores tpicos:

2N4441
Posee una corriente de mantenimiento
Una corriente de disparo de
:
Una tensin de bloqueo directa de
:
Una tensin de disparo tpica de
:

:
10 mA
50 V
0.75 V

6 mA

Estos valores indican que la fuente que alimenta al SCR tiene que ser
capaz de suministrar al menos 10 mA a 0,75 V. para que el SCR se mantenga
cerrado. Con respecto a la corriente de mantenimiento, si disminuye a menos
de 6 mA el SCR se convertir en un circuito abierto.
La tensin de bloqueo de 50 V, nos indica que a menos de este valor el SCR no
puede cerrarse y la nica forma de hacerlo sera aplicando un pulso a la
compuerta.
Triacs: Este dispositivo es equivalente a 2 SCR conectados en paralelo en
oposicin como lo muestran las siguientes figuras:
SCR

mt2

mt1
SCR
Compuerta (gate)

N
N

N
39

INACAP
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mt1

mt2

Smbolo:
Compuerta
mt2

mt1
Fig. 41

Estos dispositivos trabajan de forma bilateral tanto en el semiciclo

positivo como en el semiciclo negativo y pueden controlar tanto motores como
otros dispositivos elctricos.
UNIDAD II

Fundamentos de electrnica integrada

Carga y descarga de condensadores:

1. Se tiene un circuito con un conmutador que varia su posicin de a
b
2. Se asume un condensador totalmente descargado
R
a
b
C

VO

3. t1 = Tiempo inicial en que el switch se conecta al punto a

4. Al conectar el circuito la corriente es mxima y posteriormente
decrece
5. El voltaje en el condensador comienza desde cero hasta que
iguala el voltaje de la fuente
6. Cuando el voltaje del condensador se iguala al voltaje de la
fuente, el voltaje en la resistencia se hace cero
7. En t2 se cambia al conectar a la posicin b
40

INACAP
WWW.INACAP.CL

Grficos de comportamiento:
4,6

Tiempo

de

carga

de

un

condensador
VO
t1

t2

VR
VC

Tiempo de carga y descarga de un condensador:

T = 4,6
=RC
= Constante de tiempo, tiempo que demora el condensador en cargarse a un
63% de su valor mximo, se mide en segundos.

41

INACAP
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Ejemplo: Cunto demora un condensador de100 F en cargarse y que esta

conectado a una resistencia de 10 K?
10 K

100 F
12 V

T = 4,6RC
T = 4,61010310010-6
T = 4,6 Seg
Se puede observar prcticamente de dos formas:

Colocar un ampermetro en serie y observar el momento donde la

corriente deja de circular. (segn el grafico cuando la corriente deja de
circular, es porque el condensador ya se cargo)
Se puede colocar un voltmetro en paralelo con la resistencia y observar
cuando el voltaje llegue a cero.
Al hacerlo de esa forma se observara que jams llegara a cero, pues
siempre habr una pequea corriente de fuga que pasa por el
voltmetro.
Es recomendable hacerlo con un ampermetro y mas aun con un
ampermetro anlogo.

Conclusin:
Podemos controlar el tiempo de carga y descarga de un condensador
controlando el valor de resistencia y capacidad del condensador.

42

INACAP
WWW.INACAP.CL

INTEGRADO 555
8

/3 VCC

5
1

/3 VCC

5K

+
B

+
A
5K

5K

FF
FS

Control
Q

3
Es un integrado que posee ocho conexiones, las cuales son:
43

INACAP
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1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.

Tierra
Entrada de trigger (Seal de inicio o disparo)
Salida
Reset
Control de voltaje
Entrada de umbral
Descarga
Vcc (Voltaje de entrada)

La tres resistencias en serie son un divisor de tensin donde el Vcc se

divide en tres partes iguales: 1/3 Vcc; 2/3 Vcc; 3/3 Vcc.
Se establecen estos voltajes como voltajes de referencia, para los
comparadores A y B.
FF RS es un elemento que se denomina Flip - Flop.
El flip-flop para que pueda depender de la seal entregada por los
comparadores, debe recibir del reset un voltaje de seal alto (sobre 1
Volt).
El transistor, trabaja como un conmutador y su base esta controlado por
la salida del flip flop (el flip flop controla la corriente de base).
La salida del integrado va precedida de un amplificador que tiene las
caractersticas de inversor.
Esto es:
Si llega un nivel bajo al amplificador, sale un nivel alto.
Si llega un nivel alto al amplificador, sale un nivel bajo.

Funcionamiento:
Cuando la seal de trigger cae bajo 1/3Vcc la salida del comparador A ser
alta. Esto provoca que la salida Q del flip flop sea baja cortando la
corriente de base del transistor de descarga.
La salida del integrado ser alta debido a la accin del inversor (se fija un
1 lgico)
Cuando la seal de entrada de umbral supera 2/3Vcc, la salida del
comparador B se pone alta. La salida Q del flip flop ahora es alta
permitiendo que el transistor de descarga se active.
La salida del integrado ser baja por la accin del inversor (cero lgico).
La accin del comparador B es borrar la salida del temporizador
OPERACION DEL TIMER 555 COMO MONOESTABLE
Trigger
de

Seal de disparo o

44

INACAP
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partida

/3Vcc
2

/3Vcc

Umbral 0
VCC
Salida 0

T
T=1,1RC

Funcionamiento:
Cuando la seal que pasa por trigger baja de 1/3 Vcc, el condensador
comienza su proceso de carga puesto que el transistor interno esta con
su base desenergizada. Salida alta.
El condensador esta conectado al pin 6 (umbral) y cuando este alcanza
un valor de 2/3 Vcc, internamente se activa el comparador B, se descarga
el condensador y la salida del timer es cero.
El tiempo en que la salida es alta depende del tiempo de carga del
condensador.
T = 1,1RC
Conexin:
Trigger

VCC
R

8
7
6

Salida

5
1

0,01f

Posee una sola posicin estable en la salida y es cero (0 Volts)

OPERACIN DEL TIMER 555 COMO ASTABLE (BIESTABLE)

Posee 2 estados de estabilidad.

El objetivo es determinar los tiempos de cada estado de estabilidad en
funcin de la carga y descarga de un condensador.
El ejemplo de un 555 como astable es el funcionamiento de un reloj.
45

INACAP
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2

/3Vcc

Tensin
del
condensador

/3Vcc

t1
Tensin
de
salida

t
t2

CONEXIN:

VCC
RA

SALIDA

3
7

RB
0,01f

6
1

El funcionamiento interno del integrado sigue siendo el mismo, lo que

cambia son las conexiones externas.
La conexin de trigger y umbral estn unidas y dependen solo del voltaje
y del condensador.
Cuando el condensador se esta cargando y llega a un voltaje 2/3 Vcc, la
salida del integrado se hace cero, la base del transistor interno se
energiza y el condensador se descarga a travs de RB por el pin 7.
Una vez que el voltaje del condensador llegue a 1/3 Vcc, se activa el
comparador A pues la seal de trigger baja de 1/3 Vcc. La base del
transistor se desenergiza por lo que el condensador ahora comienza a
cargarse pero a travs de las resistencias RA y RB.
En este caso la salida del integrado es Vcc.

Clculos de tiempo de carga y descarga:

46

INACAP
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t1= Tiempo de carga del condensador por medio de RA y RB.

t2= Tiempo de descarga del condensador a travs de RB.

t1 0,693 R A RB C
t 2 0,693 RB C

T t1 t 2 0,693 R A 2 RB C
f

1
1,44

T R A 2 RB C

CICLO DE TRABAJO D(%)

Cuociente entre el tiempo durante el cual la salida esta en nivel alto
(t1) y el periodo (T)
D

UNIDAD III

R A RB
R A 2 RB

Fundamentos de la electrnica digital

Existen dos familias que trabajan dentro de los circuitos integrados, dos
tecnologas ampliamente utilizadas:
TTL: Corresponde a la familia 7400, fue introducida por la Texas
Instruments en el ao 1964. Estos circuitos han ido evolucionando,
conduciendo a nuevas subfamilias las cuales estn disponibles en la
National Semiconductor.
-

Lgica
Lgica
Lgica
Lgica
Lgica
Lgica

TTL
TTL
TTL
TTL
TTL
TTL

standard
baja potencia
Schohky
Schohky baja potencia
Schohky avanzada
Schohky avanzada baja potencia

7404
74L04
74504
74L504
74A504
74AL04

47

INACAP
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Las caractersticas de tensin en todas las subfamilias TTL son las mismas
(Vcc +5V), sin embargo cambian sus caractersticas de velocidad y de potencia.
Las marcas en los circuitos integrados TTL varan segn el fabricante, a
continuacin se muestra una figura de ejemplo:

Logotipo de
fabrica

DM 7408 N

CI: Circuito Integrado

Fig. 42

DM 74 08

Cdigo del
Fabricante para
Encapsulado de doble lnea
Funcin del
CI
Familia
TTL
Cdigo del
fabricante

48

INACAP
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Una caracterstica importante de las entradas TTL es que si no se

conectan (flotante), el dispositivo asume un nivel alto designado con un 1.
Circuitos integrados CMOS (Metal xido complementario): Fue
introducido por la RCA en el ao 1968, su popularidad deriva a que tienen
un extremado bajo consumo de potencia, alta inmunidad al ruido y
pueden funcionar con una fuente econmica no regulada.
Los fabricantes producen 3 familias de circuitos integrados CMOS, que
incluyen la antigua serie o familia 4000, la familia 74C00 y la familia
74HC00.
A continuacin se muestra un ejemplo para un cdigo usado para un
CMOS:

CD 4028 B E
Cdigo del fabricante
Disp. plstico
Funcin del
dispositivo
Cdigo del
Fabricante para CMOS digital
Los fabricantes sugieren que al trabajar con dispositivos CMOS, se
consideren los siguientes datos; para evitar daos provenientes de descargas
estticas y tensiones transitorias, se debe seguir el siguiente procedimiento:
1) Almacenar los circuitos integrados CMOS en espumas
conductoras especiales.
2) Desconectar la alimentacin cuando se vayan a quitar los CI o se
cambien las conexiones en un circuito impreso.
3) Asegurar que las seales de entrada no excedan la tensiones de
la fuente de alimentacin.
4) Desconectar las seales de entrada antes de desconectar la
alimentacin del circuito

49

INACAP
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5) Conectar todas las entradas no utilizadas al polo positivo o tierra

de la fuente de alimentacin
6) No manipular el dispositivo, slo usando los elementos
correspondientes (guantes)

Circuitos integrados digitales

(Compuertas lgicas)
La compuerta lgica es un elemento bsico en los sistemas digitales. Las
compuertas lgicas operan con nmeros binarios.
Todos los volts usados en las compuertas sern altos o bajos.
Un alto volt significara un 1 binario y un bajo vot significara un 0 binario.
No importa lo complicado que sean los circuitos integrados digitales todos
ellos estn hechos a partir de bloques de construccin sencillos, llamados
compuertas. Todos los sistemas digitales se construyen a partir de tres
compuertas lgicas bsicas, que son:
1. La compuerta AND
2. La compuerta OR
3. La compuerta NOT

1.- Compuerta AND: La compuerta AND llamada Todo o nada en los

esquemas se muestran su smbolo y el circuito AND usando conmutadores:
A

B
A
0
0
1
1

S
B
0
1
0
1

S
0
0
0
1

50

INACAP
WWW.INACAP.CL

La expresin Booleana que define una compuerta o condicin AND, es la

siguiente:
S A B

2.- Compuerta OR: La compuerta OR llamada Cualquiera a todo en los

esquemas se muestran su smbolo y el circuito OR usando conmutadores:
A

B
A

A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

S
0
1
1
1

La expresin Booleana que define una compuerta o condicin lgica OR, es la

siguiente:
S A B

3.- Compuerta NOT: La compuerta NOT se conoce tambin como un inversor.

La compuerta NOT tiene solamente una entrada y una salida, en los esquemas
se muestran su smbolo y el circuito NOT usando conmutadores:

51

INACAP
WWW.INACAP.CL

A
A
0
1

S
1
0

La expresin Booleana que define una compuerta o condicin lgica NOT es la

siguiente:
A A

Las leyes que condicionan una compuerta lgica NOT son las que se definen:
0 1

Si A = 1, entonces A 0
Si A = 0, entonces A 1

Combinaciones de compuertas:
A

B
S

LA EXPRESIN BOOLEANA ES:

S A B AB

TABLA DE VERDAD
A

52

INACAP
WWW.INACAP.CL

0
0
1
1

0
1
0
1

1
1
0
0

A
B
C
S

LA EXPRESIN BOOLEANA
S A BC ABC

LA TABLA DE VERDAD
A
0
0
0
0
1
1
1
1

B
0
0
1
1
0
0
1
1

C
0
1
0
1
0
1
0
1

S
0
0
0
1
0
0
1
0

Dada las siguientes expresiones Booleanas:

S ABC ABC ABC

S A BC AB C ABC
S A BC AB ABC AB C

53

INACAP
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Realizar:

Los circuitos lgicos combinacionales

La tabla de verdad

Otras compuertas lgicas: Se pueden hacer otras cuatro compuertas lgicas

a partir de las fundamentales y son:
a)
b)
c)
d)

Compuerta
Compuerta
Compuerta
Compuerta

NAND
NOR
OR EXCLUSIVA
NOR EXCLUSIVA

a) Compuerta NAND: Esta se puede alterar a travs de una compuerta AND y

una compuerta NOT, como se ve en el esquema:

NAND
El smbolo de la compuerta NAND es:

A
S
B
Su expresin Booleana es:
S A B

Su tabla de verdad es:

A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

S
1
1
1
0
54

INACAP
WWW.INACAP.CL

b) Compuerta NOR: Dicha compuerta se obtiene a travs de una

compuerta OR y una compuerta NOT, como se ve en la siguiente figura:

NOR
El smbolo de la compuerta NOR es:

A
S
B

Su expresin Booleana es:

S A B

Su tabla de verdad:

A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

S
1
0
0
0

55

INACAP
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Compuerta OR exclusiva:La compuerta OR exclusiva se conoce como la

compuerta alguno para no todos, el termino OR exclusivo se abrevia X OR.
La siguiente figura muestra el circuito lgico que realiza la funcin X OR:

A
B
S

Circuito lgico que realiza la funcin X OR

Su smbolo de la compuerta OR Exclusiva:
A
S
B

Su expresin Booleana es:

S A B

Su tabla de verdad:
A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

S
0
1
1
0

Compuerta NOR Exclusiva: Tambin se llama X NOR la compuerta NOR

produce la expresin A B . Al invertir esta, se forma la expresin Booleana:

56

INACAP
WWW.INACAP.CL

S A B

Correspondiente para dos entradas:

Su smbolo de la compuerta NOR exclusiva es:

Su expresin Booleana es:

S A B

Su tabla de verdad es:

A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

S
1
0
0
1

Las compuertas que se han nombrado se denominan circuitos lgicos ya

que toman decisiones lgicas, las compuertas tienen con frecuencia mas de dos
entradas; un aumento de ellas (N de entradas) implica un mayor poder de
toma de decisiones.

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Las compuertas se utilizan individualmente o conectadas para formar una

red.
Circuitos lgicos combinacionales: Estos responden a los datos que entran y
pueden ser
(0 1)

Circuitos lgicos secuenciales:

La salida de estos circuitos est determinado por el estado previo de la
entrada, es decir, los BIT
de datos, se mueven a travs de los circuitos, 8 canales
cuando reciben un pulso de reloj.
Flip-Flop RS

Los Flip-Flop por reloj

pulso de reloj entonces cambia su estado.

Los datos en S y R hasta que le llegue un

Existen otro tipo de Flip-Flop como son el Flip-Flop tipo D, el tipo T y el tipo
JK.

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Sistema lgico y secuencial: Un ejemplo de este sistema se muestra a

travs del siguiente diagrama en bloques:

PORTADOR
BCD

MODIFICADO
R
DE BCA
A7
SEGMENTOS

DISPLAY

Unidades Electrnicas de Control.

Estas tienen la funcin de ser el cerebro, para comandar los diferentes
elementos en el automvil. Estos elementos reciben informacin de sensores y
luego pueden calcular y elegir en el mnimo de tiempo, la decisin ms
conveniente.
Esquema del principio de mando de una unidad electrnica de control:
Todo aquello que deba controlarse en cuyo funcionamiento pueden producirse
alternativas puede ser regulado con gran facilidad por una unidad electrnica
de control.
El procedimiento externo se muestra a continuacin:
Captadores

- Regimen del motor

- Velocidad del
automvil
- Temperatura de
refrigeracin
- Sonda de
suspensin
- Carga del motor

Aceleracin
de frenado y
giro del
vehculo

Tratamiento
de la
informacin

UNIDAD
DE
CONTROL
LOGICO

Cursado de
rdenes

- Inyeccin de
gasolina
- Encendido
- Caja de
velocidades
- Suspensin

- Sealizacin de
control del
panel
- Climatizacin
- Alarmas
antirobo

Con el tiempo se pretende llegar a construir un automvil capaz de

conseguir una centralizacin total de las rdenes cursadas al automvil. Dentro

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del campo de la electrnica existen los dispositivos para lograr estos fines sin
mayores problemas.
La pregunta o inquietud que resalta es Cmo una mquina con
dispositivos electrnicos puede tomar decisiones?, la respuesta no es simple,
sin embargo se puede hacer una analoga con el pensamiento humano:
CEREBRO
ENTRADA

ANALISIS

ORDEN
CURSADA

Salida

MEMORIA

Memoria
Programa
almacenado

Orden
cursad
a

Entrada
Procesador

Control

De acuerdo a las figuras el sensor representa a los sentidos del hombre;

esta informacin la traspasa a una memoria la cual lleva incorporado un
programa previamente almacenado que le indica que acciones debe ejecutar
una vez enviada la seal elctrica del sensor. La unidad electrnica de control

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dispone de un nmero muy grande de elementos electrnicos y posee una

reaccin prcticamente instantnea.
La siguiente figura pertenece a una Unidad Electrnica Lgica para un
equipo de inyeccin de gasolina:

CIGUEAL

E
TEMPERATURA N
DEL
T
AIRE
R
A
CAUDAL DE
D
AIRE
A

ROM

RAM

UNIDAD ARITMETICA
LOGICA
(UAL)

D
TEMPERATURA E

O
S

BOMBA

D
E
O
R
D
T
N
E
S

D
A
APERTURA DE
LA
MARIPOSA

S
A
L
I
D
A

BOBINA
INYECTOR
E

Se observa que el sistema posee varios sensores cuyos datos pasan a la

unidad electrnica de control y dentro de ella a una unidad aritmtica lgica,
que en combinacin con dos memorias (ROM RAM) determinan la presin de
la bomba, en el momento de interrumpir el paso de la corriente por el primario
de la bobina (salto de la chispa entre los electrodos de la buja) y la fraccin de
tiempo en que han de permanecer abierto los inyectores.
La siguiente figura, nos muestra en forma detallada a travs de un
diagrama en bloques de una caja electrnica de una inyeccin a gasolina:

REGIMEN DE GIRO
IMPULSO DE
TENSION

C.I.

RELOJ

BUS

R
O
M

R
A
M

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SITUACIN DEL
CIGUEAL
IMPULSO DE
TENSION
CAUDAL DE AIRE
TENSION
C A
O N
ELECTROBOMBA
TEMPERATURA DEL
NA
AIRE
V L
TENSIN
E O
R G
TEMPERATURA DELT O
MOTOR
I
TENSION
D D
O I
SITUACIN DE
R G
CARGA
I
INYECTOR
TENSIN
T
A
RED DEL VEHICULO
L
TENSIN

MICROPROCESADOR
CPU

ALU

UNIDAD

ACUMULADOR
DE
CONTROL
BOBINA

ENTRADA

SALIDA

a) Conformacin de impulsos (C.I.): Acta para recibir los impulsos

de tensin de los rganos de informacin del encendido. Estos
impulsos son modificados en magnitud y en forma para dejarlos en
condiciones que puedan ser procesados por el microprocesador.
b) Convertidor anlogo digital (A/D): Es el encargado de recibir las
seales que se producen por variaciones de tensin y que
corresponden a las entregadas por los sensores.
c) Bus: Est formado por un conjunto de lneas de transmisin
permitiendo el acceso a todas las unidades que lo requieran y
puede ser unidireccionales o bidireccionales.
d) Microprocesadores (C.P.U): Es la unidad central de proceso,
contiene en su interior tres dispositivos fundamentales que son:
d.1.- Unidad aritmtica lgica (A.L.U.): Realiza operaciones
aritmticas y lgicas. Los programas y datos que se precisa
saber, los obtiene de la memoria: ROM mientras que los datos
que ha de procesar vienen de la memoria RAM.

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d.2.- Acumulador: Es la memoria intermedia que le permite a

la ALU guardar datos mientras trabaja con otros datos que est
procesando, es decir, es una unidad de espera.
d.3.- Unidad de control: Es el elemento activo que solicita
los datos, controla las entradas y las salidas y el desarrollo de
las operaciones.
e) Memoria ROM: Esta memoria mantiene grabados los programas
de fbrica y es una memoria de solo lectura la cual no puede
borrarse.
f) Memoria RAM: Es una memoria de acceso aleatorio en la que se
acumulan los datos de funcionamiento, Aqu estn almacenados los
datos proporcionados por los sensores hasta el momento en que
son requeridos por la CPU y pueden ser sobre grabados con nuevos
datos que reciben los sensores. Este trabajo se hace de forma
constante durante el funcionamiento del equipo y todo se borra al
desconectar la alimentacin.
Existen otros tipos de memorias programables como lo son la PROM que
es una ROM programable, la EPROM que tambin es una memoria
programable, sin embargo esta memoria posee una ventana de cuarzo en la
cual si se inyecta luz ultravioleta se borrar su programa.
CONCEPTOS BSICOS DE CONTROL.
Sistema de lazo abierto: Es aquel en que la entrada no tiene relacin con la
salida

Entrada

Procesamiento

Salida

Sistema de lazo cerrado: Es un sistema retroalimentado en que la salida

tiene relacin con la entrada.

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Entrad
a

Procesamiento

Salida

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UNIDAD V

Sistema de encendido electrnico

Funciones del sistema de encendido:

a) La generacin de un impulso de alta tensin (aprox. 30.000 V) por
conversin de la batera.
b) La distribucin de la alta tensin a las bujas de encendido.
c) La produccin de una chispa de encendido, en los electrodos de la buja
para inflamar la mezcla de combustible y aire.
d) Es funcin del sistema de encendido la interrupcin momentnea del
funcionamiento del motor, a voluntad del conductor.

Clasificacin:
a) Sistema de encendido por bobina
b) Sistema de encendido transistorizado (TSZ)

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c) Sistema de encendido por condensador de alta tensin (HKZ)

d) Sistema de encendido por magneto:

Encendido por magneto

Encendido por volante-dnamo-magneto
Encendido por condensador y magneto de alta tensin (MHKZ)

Aplicaciones:
1. TSZ
: Motores de alto nmero de revoluciones
2. HKZ
: Se utilizan cuando las bujas ofrecen resistencia
desfavorable por carbonilla, por ejemplo en motores de pistn
rotativo
3. MHKZ : Se utilizan en motores pequeos con alto nmero de
revoluciones ejemplo en motosierras.
Nomenclatura
T = Transistor
S = Sistema
Z = Zundung (encendido en alemn)
Sistema de encendido convencional SZ (con platino)
Esquema de conexiones:
15

4
M

15
30

1
B

D
_
Z
NOMENCLATURA:
30 : Polo positivo de la batera
M : Interruptor de marcha
D : Ruptor o platino

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15
4
Z
B

:
:
:
:

Arrollamiento primario
Arrollamiento secundario
Bujas
Distribuidor

Seales:
SEK.
2
A

4
3
5

6
PRIM.
a

100%

A
B
a
b
c
1
2
3
4
5
6

: Tiempo de apertura
: Tiempo de cierre
: Duracin de la chispa
: Tiempo de apertura
Tiempo de cierre
: Contactos abiertos
: Tensin de encendido
: Tensin de ignicin
: Aguja de encendido
: Lnea de tensin de ignicin
: Contactos cerrados

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En un motor (ciclo Otto) con sistema de encendido convencional, la buja

necesita de una tensin (voltaje) que est entre los 8000 Volts hasta los 15000
Volts (8 a 15 KV) para que se produzca la chispa.
Esa tensin depende de muchos factores como:

Desgaste de las bujas (apertura de los electrodos)

Resistencia de los cables de encendido
Resistencia del rotor del distribuidor
Distancia entre la salida de alta tensin del rotor y los
terminales de la tapa del distribuidor
Punto de encendido (tiempo del motor)
Compresin de los cilindros
Mezcla aire combustible
Temperatura del motor

NOTA: Existe entre la mayora de los mecnicos una cierta confusin en lo que
se refiere a la tensin generada por la bobina.
Muchos piensan que mientras ms potente es la bobina, mejor ser la
chispa (error).
En realidad no es la bobina la que manda la energa que quiere,
sino el sistema de encendido el que la solicita (necesita).
Esa solicitud de energa, llamada demanda de tensin de encendido,
depende de los tem mencionados anteriormente.
El sistema de encendido se compone de:
Batera
Llave de encendido, interruptor de encendido, chapa
de contacto
Bobina
Distribuidor
Cables de encendido
Bujas de encendido
Como sabemos la tensin de 12 Volts suministrada por la batera no es
suficiente para producir la chispa en la buja de encendido, por lo tanto esa
tensin debe ser aumentada hasta que alcance un valor suficiente para el
salto de la chispa entre los electrodos.
Ese aumento de la tensin se consigue a travs de la bobina de
encendido, la cual eleva la tensin por la autoinduccin que se genera en las
bobinas primaria y secundaria. Este recibe de la batera una baja tensin y la
transforma en alta tensin necesaria para la produccin de la chispa.

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BOBINA DE ENCENDIDO:
4
ARROLLAMIENTO
PRIMARIO
1

15

ARROLLAMIENTO
SECUNDARIO

NCLEO DE HIERRO

ARROLLAMIENTO PRIMARIO: Se haya dispuesto exteriormente para una buena

disipacin de calor

N de espiras de 150.......200 vueltas

Dimetro del alambre de 0,4 .....0,6 mm
Corriente de reposo, hasta 5 A

ARROLLAMIENTO SECUNDARIO:

N de espiras, aprox. 20.000 vueltas

Dimetro del alambre, de 0,06....0,08 mm
Voltaje sin carga 20 Kv.......35 Kv
1
N mximo
de chispas por minuto:
1
Bobina de 6 V = 13000
Bobina de 12 V = 18000
Relacin de transmisin Primario-Secundario
Bobina normal
1:100
Bobina de alto rendimiento
1:200
Temperatura de servicio, mximo 90 C

DISTRIBUIDOR DE ENCENDIDO
1

D
n

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Funcin y funcionamiento:
El distribuidor de encendido distribuye la tensin de encendido a los
distintos cilindros segn sea el orden de encendido. La alta tensin de
encendido se conduce al motor por medio del distribuidor desde el borne 4, por
medio de una escobilla de carbn rozante, salta a los contactos del distribuidor
y llega a las bujas por medio del cable de encendido.
El distribuidor se ventila para eliminar los xidos de nitrgeno y el ozono,
formado debido a las chispas.
El distribuidor lleva incorporado el ruptor (d), el regulador centrfugo (n) y
el regulador por vaco (p)
Orden de encendido:
-

Motor
o
o
Motor
o
Motor
o
o
o

en lnea 4 cilindros:
1-3-4-2
1-2-4-3
de 4 cilindros opuestos
1-4-3-2
de 6 cilindros en lnea
1-5-3-6-2-4
1-2-4-6-5-3
1-4-2-6-3-5

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Distancia entre rotor y los contactos del distribuidor

-

0,3 a 0,7 mm

N de RPM del rbol del distribuidor en:

-

Motor de 4 tiempos
Motor de 2 tiempos

n del cigeal
n del cigeal

Platinos y dispositivos de avance / Retraso del encendido (SZ)

Angulo de cierre

Abrir

Cerrar

Avance por fuerza centrifuga

PLATINOS:
La apertura de los contactos comienza cuando la leva toca la pieza de
fibra de la palanca del platino alojada aisladamente.
Cuando vara la separacin de los contactos se regula el punto de
encendido.
Ejemplo:
Un aumento de la distancia origina un encendido adelantado
Descripcin:
La apertura de los contactos va de
Tensin de contactos
:
Capa de tungsteno
:
Carga de corriente hasta
:

:
0.3 a 0.5 mm
4 a 6,5 N
0,5 a 0,8
mm
5 (A)

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ngulo de cierre:
Se define como el ngulo de giro de la leva mientras los contactos estn
cerrados. Una mayor separacin entre contactos produce un menor ngulo de
cierre y viceversa. Los contactos se ajustan mediante la medicin del ngulo de
cierre.
ngulo de cierre en platinos simples:

Motor de 4 cilindros 50 3 52% a 59%

Motor de 6 cilindros 40 3 62% a 71%

Variacin (avance) por fuerza centrfuga:

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Se define como la adaptacin del punto de encendido con respecto al N

de RPM del motor. Los contrapesos centrfugos se abren y hacen girar a la leva
rotativa en sentido de rotacin producindose un adelanto de encendido.
Regulacin por vaco (depresin):
Se define como la adaptacin del punto de encendido con respecto a la
carga del motor.
Carga parcial (I):
La depresin es mxima cuando la vlvula de mariposa est parcialmente
abierta. La placa porta platinos se gira en sentido contrario al de rotacin de la
leva; el encendido ha sido adelantado.
Sin carga (II):
La depresin es mxima cuando la vlvula de mariposa est cerrada,
variacin en sentido de retraso.
La velocidad del pistn aumenta con el nmero de RPM del motor, por lo
tanto es necesario un encendido adelantado, ya que de otro modo la presin de
combustin acta demasiado tarde.
El campo de variacin vara hasta aproximadamente 45 del cigeal.
En la zona de carga parcial es necesario el encendido adelantado, porque
la mezcla de combustible y aire abre mas lentamente.
El campo de variacin vara aprox. 20 del cigeal, mediante un
encendido retrasado, estando cerrada la vlvula de mariposa de aceleracin, se
disminuye la cantidad de gases txicos en los gases de escape al retener.
El retraso es de aprox. 10 del cigeal.
BUJAS DE ENCENDIDO:
La capacidad trmica de una buja de encendido viene dado por su valor
trmico (N comparativo, no es un valor de temperatura) cuanto ms alto sea el
valor trmico, tanto ms podr cargarse trmicamente la buja de encendido.
Los motores con alta temperatura de la cmara de combustin a plena
carga necesitan bujas de encendido de alto valor trmico.
Cuando las bujas de encendido tienen un grado trmico demasiado bajo,
se sobrecalientan los electrodos y el extremo del aislador y se produce
autoencendido por incandescencia.
Cuando el valor trmico de la buja es demasiado alto no se alcanza la
temperatura de auto limpieza y se ensucian las bujas.

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Encendido transistorizado (TZ): El encendido transistorizado, con bobinas y

contactos es muy apropiado para montaje, posteriormente en los sistemas
convencionales de encendido por bobinas (SZ). Como sistema original el
encendido por bobina transistorizado con mandos por contactos ya no se
instalan.
Encendido transistorizado con mando sin contacto: En este encendido en
vez del ruptor accionado por levas hay un generador de impulsos de
encendido, que activa el sistema electrnico por medio de impulsos de tensin
y de corriente generadas sin contacto produciendo as el impulso de encendido
de alta tensin. El generador de impulso esta colocado en el distribuidor del
encendido.
Generador de impulso de encendido, segn el principio de la
induccin: Este genera corriente alterna permanentemente excitado,
compuesto de rotor y estator. El numero de dientes corresponde al nmero de
cilindros del motor. La frecuencia y la amplitud de la tensin alterna generada
dependen del numero de R.P.M. del motor. Esta tensin alterna se transforma
en aparato conmutador y se utiliza para la variacin del punto de encendido.
Imn permanente
Entre hierro variable
Bobina de induccin con ncleo

T
E
N
S
I 0
O
N

TIEMPO

Rueda generadora de impulsos

Generador de impulsos de encendido, segn el principio Hall: Estos

generadores utilizan el efecto Hall es una capa de semiconductores, atravesada

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por la corriente se obtiene impulsos de tensin por medio de un campo

magntico, dependiendo del numero de revoluciones que el aparato
conmutador origina la conexin y desconexin de la corriente en el primario .

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