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MOSFET
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El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en ingls Metal-oxide-semiconductor
Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms
utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de unin bipolar
fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados
en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B).
Sin embargo, el sustrato generalmente est conectado internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden
encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el material de la compuerta, que antes era
metlico, ahora se construye con una capa de silicio policristalino. El aluminio fue el material por excelencia de la
compuerta hasta mediados de 1970, cuando el silicio policristalino comenz a dominar el mercado gracias a su
capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las compuertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad, dada la
dificultad de incrementar la velocidad de operacin de los transistores sin utilizar componentes metlicos en la compuerta.
De manera similar, el 'xido' utilizado como aislante en la compuerta tambin se ha reemplazado por otros materiales con
el propsito de obtener canales fuertes con la aplicacin de tensiones ms pequeas.

Estructura del MOSFET donde se

muestran los terminales de compuerta
(G), sustrato (B), surtidor (S) y
drenador (D). La compuerta est
separada del cuerpo por medio de una
capa de aislante (blanco).

Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es un trmino
relacionado que es equivalente a un MOSFET. El trmino IGFET es ms inclusivo, ya que muchos transistores
MOSFET utilizan una compuerta que no es metlica, y un aislante de compuerta que no es un xido. Otro dispositivo
relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (Metal-insulatorsemiconductor field-effect transistor).

ndice
1 Historia
2 Smbolos de circuito
3 Funcionamiento
3.1 Estructura metal-xido-semiconductor
3.2 Estructura MOSFET y formacin del canal
3.3 Modos de operacin
3.3.1 Corte
3.3.2 Regin lineal u hmica
3.3.3 Saturacin o activa
3.4 Efectos de segundo orden
4 Aplicaciones
5 Ventajas con respecto a transistores bipolares
6 Escalamiento del MOSFET
6.1 Razones para el escalamiento del MOSFET
6.2 Dificultades en la reduccin de tamao del MOSFET
7 Enlaces externos
8 Referencias

Dos MOSFETs de potencia con

encapsulado TO-263 de montaje
superficial. Cuando operan como
interruptores, cada uno de estos
componentes puede mantener una
tensin de bloqueo de 120 voltios en
el estado apagado, y pueden conducir
una corriente continua de 30
amperios.

Historia
El principio bsico de operacin de este tipo de transistor fue patentado por primera vez por el austrohngaro Julius Edgar Lilienfeld en 1925. Debido a los
requerimientos de carcter tecnolgico para la fabricacin de la intercara lisa y libre de defectos entre el sustrato dopado y aislante, este tipo de dispositivos no se
logr fabricar hasta dcadas ms tarde, pero los fundamentos tericos estaban contenidos en la patente original. Veinticinco aos despus, cuando la Bell
Telephone Company intent patentar el transistor de unin, encontraron que Lilienfeld tena registrada a su nombre una patente que estaba escrita de una forma
que inclua todos los tipos de transistores posibles. Los Laboratorios Bell lograron llegar a un acuerdo con Lilienfeld, quien todava viva en esa poca (no se sabe
si le pagaron por los derechos de la patente o no).[cita requerida] Fue en ese momento cuando los Laboratorios Bell crearon el transistor de unin bipolar, o
simplemente transistor de unin, y el diseo de Lilienfeld's fue conservado con el nombre de transistor de efecto de campo.[cita requerida]
En 1959, Dawon Kahng y Martin M. (John) Atalla en los Laboratorios Bell inventaron el transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET)
como un avance y mejora sobre el diseo del transistor FET patentado.1 Con una operacin y estructura completamente distintas al transistor bipolar de unin,2 el
transistor MOSFET fue creado al colocar una capa aislante en la superficie de un semiconductor y luego colocando un electrodo metlico de compuerta sobre el
aislante. Se utiliza silicio cristalino para el semiconductor base, y una capa de dixido de silicio creada a travs de oxidacin trmica, que se utiliza como aislante. El
MOSFET de silicio no generaba trampas de electrones localizados entre la interfaz, entre el silicio y la capa de xido nativo, y por este motivo se vea libre de la
dispersin y el bloqueo de portadores que limitaba el desempeo de los transistores de efecto de campo anteriores. Despus del desarrollo de cuartos limpios para
reducir los niveles de contaminacin, y del desarrollo de la fotolitografa3 as como del proceso planar que permite construir circuitos en muy pocos pasos, el
sistema Si-SiO2 obtuvo gran importancia debido a su bajo costo de produccin por cada circuito, y la facilidad de integracin. Adicionalmente, el mtodo de
acoplar dos MOSFET complementarios (de canal N y canal P) en un interruptor de estado alto/bajo, conocido como CMOS, implic que los circuitos digitales
disiparan una cantidad muy baja de potencia, excepto cuando son conmutados. Por estos tres factores, los transistores MOSFET se han convertido en el
dispositivo utilizado ms ampliamente en la construccin de circuitos integrados.
http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET

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Smbolos de circuito
Existen distintos smbolos que se utilizan para representar el transistor MOSFET. El diseo bsico consiste en una lnea recta para dibujar el canal, con lneas que
salen del canal en ngulo recto y luego hacia afuera del dibujo de forma paralela al canal, para dibujar el surtidor y el drenador. En algunos casos, se utiliza una
lnea segmentada en tres partes para el canal del MOSFET de enriquecimiento, y una lnea slida para el canal del MOSFET de empobrecimiento. Otra lnea es
dibujada en forma paralela al canal para destacar la compuerta.
La conexin del sustrato, en los casos donde se muestra, se coloca en la parte central del canal con una flecha que indica si el transistor es PMOS o NMOS. La
flecha siempre apunta en la direccin P hacia N, de forma que un NMOS (Canal N en una tina P o sustrato P) tiene la flecha apuntando hacia adentro (desde el
sustrato hacia el canal). Si el sustrato est conectado internamente al surtidor (como generalmente ocurre en dispositivos discretos) se conecta con una lnea en el
dibujo entre el sustrato y el surtidor. Si el sustrato no se muestra en el dibujo (como generalmente ocurre en el caso de los diseos de circuitos integrados, debido a
que se utiliza un sustrato comn) se utiliza un smbolo de inversin para identificar los transistores PMOS, y de forma alternativa se puede utilizar una flecha en el
surtidor de forma similar a como se usa en los transistores bipolares (la flecha hacia afuera para un NMOS y hacia adentro para un PMOS).
En esta figura se tiene una comparacin entre los smbolos de los MOSFET de enriquecimiento y de empobrecimiento, junto con los smbolos para los JFET
(dibujados con el surtidor y el drenador ordenados de modo que las tensiones ms elevadas aparecen en la parte superior de la pgina).

Canal P

Canal N

JFET

MOSFET Enriq.

MOSFET Enriq. (sin sustrato)

MOSFET Empob.

Para aquellos smbolos en los que el terminal del sustrato se muestra, aqu se representa conectada internamente al surtidor. Esta es la configuracin tpica, pero no
significa que sea la nica configuracin importante. En general, el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales, y en los circuitos integrados muchos de los
MOSFET comparten una conexin comn entre el sustrato, que no est necesariamente conectada a los terminales del surtidor de todos los transistores.

Funcionamiento
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS.
Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el drenador y el surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la
compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una regin de inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que tena el
sustrato originalmente. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores
de carga en la regin correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentracin de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o
huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor
PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.
Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin
elctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga y una disminucin respectiva de la conductividad.4

Estructura metal-xido-semiconductor
Vase tambin: Estructura MOS

Una estructura metal-xido-semiconductor (MOS) tradicional se obtiene haciendo crecer una capa de dixido de silicio
(SiO2) sobre un sustrato de silicio, y luego depositando una capa de metal o silicio policristalino, siendo el segundo el
ms utilizado. Debido a que el dixido de silicio es un material dielctrico, esta estructura equivale a un condensador
plano, en donde uno de los electrodos ha sido reemplazado por un semiconductor.
Cuando se aplica un potencial a travs de la estructura MOS, se modifica la distribucin de cargas en el semiconductor.
Si consideramos un semiconductor de tipo p (con una densidad de aceptores NA), p es la densidad de huecos; p = NA
en el silicio intrnseco), una tensin positiva VGB aplicada entre la compuerta y el sustrato (ver figura) crea una regin de
Estructura Metal-xidosemiconductor construida con un
agotamiento debido a que los huecos cargados positivamente son repelidos de la interfaz entre el aislante de compuerta y
sustrato de silicio tipo p
el semiconductor. Esto deja expuesta una zona libre de portadores, que est constituida por los iones de los tomos
aceptores cargados negativamente (ver Dopaje (semiconductores)). Si VGB es lo suficientemente alto, una alta
concentracin de portadores de carga negativos formar una regin de inversin localizada en una franja delgada contigua a la interfaz entre el semiconductor y
el aislante. De manera distinta al MOSFET, en donde la zona de inversin ocasiona que los portadores de carga se establezcan rpidamente a travs del drenador
y el surtidor, en un condensador MOS los electrones se generan mucho ms lentamente mediante generacin trmica en los centros de generacin y recombinacin
de portadores que estn en la regin de agotamiento. De forma convencional, la tensin de compuerta a la cual la densidad volumtrica de electrones en la regin
de inversin es la misma que la densidad volumtrica de huecos en el sustrato se llama tensin de umbral.
Esta estructura con un sustrato de tipo p es la base de los transistores nMOSFET, los cuales requieren el dopado local de regiones de tipo n para el drenador y el
surtidor.

Estructura MOSFET y formacin del canal

http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET

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Un transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET) se basa en controlar la concentracin de

portadores de carga mediante un condensador MOS existente entre los electrodos del sustrato y la compuerta. La
compuerta est localizada encima del sustrato y aislada de todas las dems regiones del dispositivo por una capa de
dielctrico, que en el caso del MOSFET es un xido, como el dixido de silicio. Si se utilizan otros materiales
dielctricos que no sean xidos, el dispositivo es conocido como un transistor de efecto de campo metal-aislantesemiconductor (MISFET). Comparado con el condensador MOS, el MOSFET incluye dos terminales adicionales
(surtidor y drenador), cada uno conectado a regiones altamente dopadas que estn separadas por la regin del
sustrato. Estas regiones pueden ser de tipo p o n, pero deben ser ambas del mismo tipo, y del tipo opuesto al del
sustrato. El surtidor y el drenador (de forma distinta al sustrato) estn fuertemente dopadas y en la notacin se
indica con un signo '+' despus del tipo de dopado.
Si el MOSFET es de canal n (NMOS) entonces las regiones de dopado para el surtidor y el drenador son regiones
'n+' y el sustrato es una regin de tipo 'p'. Si el MOSFET es de canal p (PMOS) entonces las regiones de dopado
para el surtidor y el drenador son regiones 'p+' y el sustrato es una regin de tipo 'n'. El surtidor se denomina as
porque es la fuente de los portadores de carga (electrones en el canal n, huecos en el canal p) que fluyen a travs
del canal; de forma similar, el drenador es el punto en el cual los portadores de carga abandonan el canal.
La ocupacin de las bandas de energa en un semiconductor est determinada por la posicin del nivel de Fermi con
respecto a los bordes de las bandas de energa del semiconductor. Como se describe anteriormente, y como se
puede apreciar en la figura, cuando se aplica una tensin de compuerta suficiente, el borde de la banda de valencia
se aleja del nivel de Fermi, y los huecos presentes en el sustrato son repelidos de la compuerta. Cuando se polariza
todava ms la compuerta, el borde de la banda de conduccin se acerca al nivel de Fermi en la regin cercana a la
superficie del semiconductor, y esta regin se llena de electrones en una regin de inversin o un canal de tipo n
originado en la interfaz entre el sustrato tipo p y el xido. Este canal conductor se extiende entre el drenador y el
surtidor, y la corriente fluye a travs del dispositivo cuando se aplica un potencial entre el drenador y el surtidor. Al
aumentar la tensin en la compuerta, se incrementa la densidad de electrones en la regin de inversin y por lo tanto
se incrementa el flujo de corriente entre el drenador y el surtidor.

Formacin del canal en un MOSFET

NMOS: Superior: Una tensin de
compuerta dobla las bandas de energa, y
se agotan los huecos de la superficie
cercana a la compuerta (izquierda). La
carga que induce el doblamiento de bandas
se equilibra con una capa de cargas
negativas de iones aceptores (derecha).
Inferior: Una tensin todava mayor
aplicada en la compuerta agota los huecos,
y la banda de conduccin disminuye de
forma que se logra la conduccin a travs
del canal.

Para tensiones de compuerta inferiores a la tensin de umbral, el canal no tiene suficientes portadores de carga para formar la zona de inversin, y de esta forma
slo una pequea corriente de subumbral puede fluir entre el drenador y el surtidor.
Cuando se aplica una tensin negativa entre compuerta-surtidor (positiva entre surtidor-compuerta) se crea un canal de tipo p en una superficie del sustrato tipo n,
de forma anloga al canal n, pero con polaridades opuestas para las cargas y las tensiones. Cuando una tensin menos negativa que la tensin de umbral es
aplicada (una tensin negativa para el canal tipo p) el canal desaparece y slo puede fluir una pequea corriente de subumbral entre el drenador y el surtidor.

Modos de operacin
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de operacin, dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la
presente discusin se utiliza un modelo
algebraico que es vlido para las tecnologas bsicas antiguas, y se incluye aqu con fines didcticos. En los MOSFET
modernos se requieren modelos computacionales que exhiben un comportamiento mucho ms complejo.
Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:
Corte
Cuando VGS < Vth
donde Vth es la tensin de umbral del transistor
De acuerdo con el modelo bsico del transistor, en esta regin el dispositivo se encuentra apagado. No hay
conduccin entre el surtidor y el drenador, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto.
Un modelo ms exacto considera el efecto de la energa trmica descrita por la distribucin de Boltzmann para las
energas de los electrones, en donde se permite que los electrones con alta energa presentes en el surtidor
ingresen al canal y fluyan hacia el drenador. Esto ocasiona una corriente subumbral, que es una funcin
exponencial de la tensin entre compuerta-surtidor. La corriente subumbral sigue aproximadamente la siguiente
ecuacin:

donde ID0 es la corriente que existe cuando VGS = Vth,

VT = kT/q es el voltaje trmico,
n = 1 + CD/COX

NMOS en modo de corte. La regin

blanca indica que no existen
portadores libres en esta zona, debido
a que los electrones son repelidos del
canal.

donde CD es la capacidad de la regin de agotamiento, y

COX es la capacidad de la capa de xido.
Regin lineal u hmica
Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS Vth )
Al polarizarse la puerta con una tensin mayor que la tensin de umbral, se crea una regin de agotamiento en la regin que separa el surtidor y el drenador.
Si esta tensin crece lo suficiente, aparecern portadores minoritarios (huecos en PMOS, electrones en NMOS) en la regin de agotamiento, que darn
http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET

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lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre drenador y surtidor dar
lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de compuerta.
La corriente que entra por el drenador y sale por el surtidor es modelada por medio de la ecuacin:

donde
es la movilidad efectiva de los portadores de carga,
es la capacidad del xido por unidad de rea,
es el ancho de la compuerta,
es la longitud de la compuerta.
Saturacin o activa
Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS Vth )
Cuando la tensin entre drenador y surtidor supera cierto lmite, el canal de conduccin bajo la puerta sufre un
estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente que entra por el drenador y sale por el
surtidor no se interrumpe, ya que es debida al campo elctrico entre ambos, pero se hace independiente de la
diferencia de potencial entre ambos terminales.

NMOS en la regin lineal. Se forma

un canal de tipo n al lograr la
inversin del sustrato, y la corriente
fluye de drenador a surtidor.

En esta regin la corriente de drenador se modela con la siguiente ecuacin:

Efectos de segundo orden

Estas ecuaciones son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores MOSFET, pero no tienen en cuenta un
buen nmero de efectos de segundo orden, como por ejemplo:
Saturacin de velocidad: La relacin entre la tensin de puerta y la corriente de drenador no crece
cuadrticamente en transistores de canal corto.
Efecto cuerpo o efecto sustrato: La tensin entre fuente y sustrato modifica la tensin umbral que da lugar al canal
de conduccin.
Modulacin de longitud de canal.

NMOS en la regin de saturacin.

Al aplicar una tensin de drenador
ms alta, los electrones son atrados
con ms fuerza hacia el drenador y el
canal se deforma.

Aplicaciones
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios.
Vase Tecnologa CMOS.
Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:
Resistencia controlada por tensin.
Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Ventajas con respecto a transistores bipolares

La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados PMOS, NMOS y CMOS, debido a las siguientes ventajas de los transistores de efecto de
campo con respecto a los transistores bipolares:
Consumo en modo esttico muy bajo.
Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao.
Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del
orden de los nanoamperios.
Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.
La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.
Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.

Escalamiento del MOSFET

Las dimensiones ms importantes en un transistor MOSFET son la longitud del canal (L) y el ancho de la compuerta (W). En un proceso de fabricacin se pueden
ajustar estos dos parmetros para modificar el comportamiento elctrico del dispositivo. La longitud del canal (L) se utiliza adems para referirse a la tecnologa
con la cual fue fabricado el componente electrnico. De esta manera, un transistor fabricado con tecnologa de 45 nm es un transistor cuya longitud de canal es
igual a 45 nm.

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El MOSFET ha sido escalado continuamente para reducir su tamao por varias razones. El motivo principal es que se pueden poner ms transistores en una misma
rea superficial, aumentando la densidad de integracin y la potencia de clculo de los microprocesadores. Para tener una idea, los primeros transistores tenan
longitudes de canal de varios micrmetros, mientras que los dispositivos modernos utilizan tecnologas de apenas decenas de nanmetros. En un microprocesador
Core i7 de tercera generacin fabricado con tecnologa de 22 nm se tienen aproximadamente 1480 millones de transistores.5
Los trabajos de Richard Feynman y posteriormente de Robert H. Dennard sobre la teora de escalamiento fueron la clave para reconocer que la reduccin
continua del dispositivo era posible. Adicionalmente la industria microelectrnica ha tratado de mantener con vigencia la
ley de Moore, una tendencia que indica que la cantidad de transistores en un circuito integrado se duplica cada dos aos.
Para continuar con esta tendencia, Intel inici un proceso de produccin en donde la longitud de la compuerta es de
32 nm en el 2009 y contina reduciendo la escala en el 2011 con procesos de 22 nm. Por otro lado, la industria de
semiconductores mantiene un "roadmap", el ITRS,6 que marca las metas del desarrollo de la tecnologa MOSFET.

Razones para el escalamiento del MOSFET

Los MOSFET pequeos son deseables por varias razones. El motivo principal para reducir el tamao de los transistores
es que permite incluir cada vez ms dispositivos en la misma rea de un circuito integrado. Esto resulta en circuitos con la
Las dimensiones caractersticas de un
misma funcionalidad en reas ms pequeas, o bien circuitos con ms funcionalidades en la misma rea. Debido a que los
transistor MOSFET son la longitud de
costos de fabricacin para una oblea de semiconductor son relativamente estables, el costo por cada circuito integrado
canal (L) y el ancho de la compuerta
que se produce est relacionado principalmente al nmero de circuitos que se pueden producir por cada oblea. De esta
(W).
forma, los circuitos integrados pequeos permiten integrar ms circuitos por oblea, reduciendo el precio de cada circuito.
De hecho, a lo largo de las ltimas tres dcadas el nmero de transistores por cada circuito integrado se ha duplicado
cada dos o tres aos, cada vez que un nuevo nodo de tecnologa es introducido. Por ejemplo el nmero de MOSFETs en un microprocesador fabricado con una
tecnologa de 45 nm podra ser el doble que para un microprocesador fabricado con tecnologa de 65 nm. Esta duplicacin de la densidad de integracin de
transistores fue observada por Gordon Moore en 1965 y es conocida como la Ley de Moore.7
Tambin se espera que los transistores ms pequeos conmuten ms rpido. Por ejemplo,
un enfoque de escalamiento utilizado en el MOSFET requiere que todas las dimensiones
sean reducidas de forma proporcional. Las dimensiones principales de un transistor son la
longitud, el ancho, y el espesor de la capa de xido. Cada una de estas dimensiones se
escala con un factor de aproximadamente 0.7 por cada nodo. De esta forma, la resistencia
del canal del transistor no cambia con el escalamiento, mientras que la capacidad de la
compuerta se reduce por un factor de 0.7. De esta manera la constante de tiempo del
circuito RC tambin se escala con un factor de 0.7.
Las caractersticas anteriores han sido el caso tradicional para las tecnologas antiguas,
pero para los transistores MOSFET de las generaciones recientes, la reduccin de las
dimensiones del transistor no necesariamente implica que la velocidad de los circuitos se
incremente, debido a que el retardo debido a las interconexiones se vuelve cada vez ms
importante.

Dificultades en la reduccin de tamao del MOSFET

Tendencia de la longitud del canal y el ancho de compuerta en

transistores MOSFET fabricados por Intel, a partir de la tecnologa de
130 nm.

Histricamente, las dificultades de reducir el tamao del MOSFET se han asociado con el
proceso de fabricacin de los dispositivos semiconductores, la necesidad de utilizar tensiones cada vez ms bajas, y con bajo desempeo elctrico, requiriendo el
rediseo de los circuitos y la innovacin (los MOSFETs pequeos presentan mayor corriente de fuga, e impedancia de salida ms baja). Producir MOSFETs con
longitudes de canal mucho ms pequeas que un micrmetro es todo un reto, y las dificultades de la fabricacin de semiconductores son siempre un factor que
limita el avance de la tecnologa de circuitos integrados. En los aos recientes, el tamao reducido del MOSFET, ms all de las decenas de nanmetros, ha
creado diversos problemas operacionales.
Algunos de los factores que limitan el escalamiento del MOSFET son las siguientes:
Aumento de la corriente de subumbral
Aumento en las fugas compuerta-xido
Aumento en las fugas de las uniones surtidor-sustrato y drenador-sustrato
Reduccin de la resistencia de salida
Reduccin de la transconductancia
Capacitancia de interconexin
Produccin y disipacin de calor
Variaciones en el proceso de fabricacin
Retos en el modelado matemtico

Enlaces externos
Animacin 3D sobre el MOSFET (vdeo publicado con licencia Creative Commons) (http://www.youtube.com/watch?v=9JKj-wlEPMY)
Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre MOSFET.
Smbolos de transistores MOSFET (http://www.simbologia-electronica.com/simbolos_electronicos/simbolos_transistores_mosfet.htm)

Referencias
1. 1960 Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated: John Atalla and Dawon Kahng fabricate working transistors and demonstrate the first
successful MOS field-effect amplifier (U.S. Patent 3,102,230 filed in 1960, issued in 1963) (http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1960MOS.html).
http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET

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2. The Silicon Engine | 1948 Conception of the Junction Transistor (http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1948-conception.html). Computer
History Museum. 2007.
3. Computer History Museum The Silicon Engine | 1955 Photolithography Techniques Are Used to Make Silicon Devices
(http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1955-Photolithography.html)
4. Bakshi, U.A.; Godse, A.P. (2007). 8.2 The depletion mode MOSFET (http://books.google.com/books?id=ggpVToC2obIC). Electronic Circuits. Technical
Publications. ISBN 978-81-8431-284-3.
5. Intel Corporation. Moore's Law: Fun Facts (http://www.intel.com/content/www/us/en/history/history-moores-law-fun-facts-factsheet.html) (en ingls).
Consultado el 13 de noviembre de 2012.
6. International Technology Roadmap for Semiconductors (http://www.itrs.net).
7. 1965 "Moore's Law" Predicts the Future of Integrated Circuits (http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1965-Moore.html). Computer History
Museum.

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Categoras: Transistores Microelectrnica Dispositivos semiconductores
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