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DE DISPOSITIVOS
ELECTR
ELECTRNICOS
Antonio Hernndez
INTRODUCCIN
1.1. Conceptos de dispositivo electrnico y modelo
1.2. Modelos en pequea y gran seal
1.3. El electrn libre
1.4. La ecuacin de De Broglie
1
2
3
4
6
7
7
13
15
17
21
22
23
26
27
SEMICONDUCTORES EN EQUILIBRIO
4.1. Estadstica de partculas en los semiconductores
4.2. Expresiones generales para la concentracin de portadores
4.3. Concentracin intrnseca en semiconductores no degenerados
4.4. Impurezas
4.5. Algunas dependencias con la temperatura
31
31
34
35
38
42
SEMICONDUCTORES EN DESEQUILIBRIO
5.1. Inyeccin de portadores
5.2. Procesos de generacin y recombinacin
45
45
47
LA ECUACIN DE CONTINUIDAD
6.1. Arrastre de portadores
6.2. Difusin de portadores
6.3.Efectos de los campos elevados
6.4. La ecuacin de continuidad
6.5.-Inyeccin lateral en estado estacionario
6.6.-Portadores minoritarios en la superficie
6.7.-El experimento de Haynes-Schokley
55
55
59
62
63
65
67
68
1 INTRODUCCIN
Desde la invencin del transistor bipolar en los aos cuarenta la industria electrnica ha
venido exigiendo dispositivos semiconductores cada vez ms pequeos, ms rpidos y con
niveles de consumo menores.
Esta exigencia ha favorecido el desarrollo de tecnologas de fabricacin y modelos cada
vez ms sofisticados. De hecho, si en los aos sesenta las dimensiones mnimas de los
dispositivos eran de decenas de micras, a finales del siglo stas se han reducido hasta las
centsimas de micra, llegando incluso a la fabricacin de nanoestructuras en los albores del
siglo XXI. Tal es as que fenmenos cunticos que, al principio, resultaban despreciables no
lo son ya y los modelos deben incorporarlos.
En este texto no se tratar con detalle los fenmenos cunticos. Los modelos de los
dispositivos que se desarrollarn son modelos "clsicos" que no han perdido validez por
cuanto describen con suficiente aproximacin su funcionamiento. Es ms, es frecuente
incorporar los fenmenos cunticos a estos modelos mediante correcciones de segundo orden.
La presentacin de los conceptos fundamentales de la teora de los dispositivos
electrnicos se realizar en varios captulos. En primer lugar se definen los slidos cristalinos
indicando algunas de sus caractersticas. Hecho esto, se expondr la manera en que se
distribuye la energa en los materiales semiconductores para, posteriormente, iniciar la
exposicin de resultados cuantitativos en situaciones de equilibrio, mediante conceptos y
resultados derivados de la mecnica estadstica. Despus se analizarn las situaciones de no
equilibrio y finalmente, tras indicar cules son los mecanismos por los que las partculas
cargadas en los semiconductores se ponen en movimiento, se deduce una ecuacin clsica
fundamental en la fsica de semiconductores: la ecuacin de continuidad, que sintetiza los
resultados obtenidos en los temas anteriores.
Este primer captulo, sin embargo, se dedica a definir o recordar algunos conceptos
bsicos para el estudio de las propiedades de los dispositivos electrnicos basados en
semiconductores.
1.1. Conceptos de dispositivo electrnico y modelo.
Si bien los conceptos de dispositivo electrnico y modelo de funcionamiento son conocidos,
resulta conveniente dedicar unas lneas a precisar el significado de los mismos.
As, un dispositivo electrnico es una entidad fsica que soporta campos elctricos y
magnticos en la que tiene lugar la conduccin por partculas cargadas.
Por su parte, un dispositivo semiconductor es aquel dispositivo electrnico en el que la
conduccin se realiza a travs de un medio semiconductor, en las entrefases de medios
semiconductores, o en las entrefases de medios semiconductores y otros medios.
Modelo es la descripcin elctrica de una entidad fsica mediante un elemento idealizado
o mediante la interconexin de elementos idealizados. Es decir los modelos son circuitos
electrnicos que reproducen el funcionamiento de un dispositivo.
Estas definiciones se aclaran con ayuda de las figuras 1.1 y 1.2. La primera muestra la
estructura de capas de un dispositivo electrnico, un transistor MOS. La segunda muestra el
smbolo de circuito correspondiente as como la curva caracterstica del dispositivo
ID=F(V1,V2). Claramente el nivel conceptual asociado al modelo es ms abstracto que el
corriente al dispositivo electrnico que se halla ms prximo a la estructura fsica que lo
sustenta.
F
Q
Q
F(V1,V2) F(V1 ,V2 )
V1
V
1
F V ...
2
V
2
Q
F
Q
Q
id F(V1,V2) F(V1 ,V2 ) ; g1
;
V
1
F
g2
; v1 V1 ; v2 V2
V2 Q
donde g1 y g2 dependen del punto de operacin Q pues es en este punto en el evalan las
derivadas. Por otro lado, si ID representa una corriente y las V1 y V2 son tensiones g1 y g2 se
miden en -1. Si en la ecuacin {1.1} se desprecian todos los trminos de orden superior al
primero y se incorporan los cambios indicados en {1.2} su expresin queda de la forma
id g1 v1 g2 v2
que representa un modelo lineal llamado modelo en pequea seal porque su validez no es
universal como en los modelos en gran seal, es slo vlido en un entorno del punto de
operacin. Este modelo en pequea seal se asocia al esquemtico de la figura 1.3.
Concluimos que a partir de un modelo en gran seal es posible obtener el correspondiente
en pequea seal si se fija el punto de operacin.
F 0 F
p2
2mn
1
m v2
2 n
px py pz
{1.1}
2mn
esta ecuacin es la relacin que liga a las componentes del momento con la energa del
electrn que, alternativamente, puede expresarse mediante la siguiente
2
px py pz
2mnET
u
px 1
u
py 2
u
pz 3
donde los vectores u1, u2, u3 son los unitarios en las direcciones y sentidos positivos de los
ejes Opx, Opy, Opz, respectivamente.
Volviendo a la ecuacin {1.1} y aplicando el operador definido a la energa total,
es decir, a partir de la expresin de la energa en trminos del momento lineal es posible
p E T
1
pu pu pu
mn x 1 y 2 z 3
v x u1 v y u2 v z u3
calcular la velocidad del electrn sin ms que calcular el gradiente de dicha energa en el
espacio de momentos.
Para analizar los efectos de la aplicacin del gradiente dos veces se simplifica el estudio
al caso unidimensional,
ET
d 2E
1
T
mn
2
mn
dp
d 2ET
p2
2mn
dp 2
esto es, la masa del electrn se obtiene como la inversa de la segunda derivada de su energa
total. En tres dimensiones aplicar del gradiente dos veces conduce a
2
ET
2
px
2E
T
p p E T
py px
2ET
pz px
2ET
px py px pz
2ET
2ET
2
py pz
py
2ET
2ET
2
pz py
pz
compacta como
mij
2ET
2ET
pi pj
mn 1 0
0
1
0
0 mn
1
0
0
m
n
y que se puede denominar tensor de masas. Para interpretar el significado de una masa inerte
expresada como una magnitud tensorial se partir del concepto de masa derivado de la
segunda ley de Newton. La masa es un invariante (si las velocidades son moderadas) que
aparece como la resistencia que oponen los cuerpos a cambiar su estado de movimiento
cuando sobre ellos acta una fuerza. Siendo una magnitud escalar se concluye que el cuerpo
sufre aceleracin en la misma direccin y sentido en que se aplica la fuerza causante. Esto
es as si existe isotropa. Puede ocurrir, sin embargo, que un objeto material responda de
distinta manera al actuar sobre l fuerzas de distinta direccin, acelerndose mas en unas
direcciones que en otras para fuerzas aplicadas de igual mdulo. En esas situaciones no es
suficiente un escalar para representar la inercia del cuerpo, se necesita una magnitud capaz
de dar cuenta de las distintas direcciones del espacio y sus combinaciones. Es en estos casos
de anisotropa del material cuando se recurre a magnitudes tensoriales. La situacin se puede
asemejar al siguiente ejemplo, se desea lijar un trozo de madera veteada, es claro que si la
lija se pasa segn la direccin de las vetas ser ms fcil el lijado que si se desplaza
perpendicularmente. Este caso es fcilmente explicable sabiendo que las fuerzas de
rozamiento son menores en la direccin longitudinal a las vetas que en la transversal. Pero
5
si no se pudiesen percibir las vetas de la madera (se lija en un cuarto oscuro y se utiliza unos
guantes de modo que con el tacto tampoco es posible notarlas) se experimenta que en unas
direcciones la inercia del papel de lija es menor que en otras. La conclusin que obtiene el
observador (la persona que lija) es que la masa del papel de lija depende de la direccin en
que se aplique la fuerza. Esto es, se precisara una magnitud tensorial para describir el
fenmeno.
En el caso del electrn libre, dado que el espacio es istropo resultar que el tensor de
masas se reduce a un escalar de valor mn.
Por lo tanto el conocimiento de la energa de un electrn libre en trminos del momento
permite especificar el problema dinmico del mismo: se conocen la velocidad y la masa de
la partcula. Estos resultados, que en este ejemplo parecen complicar el problema, mostrarn
su potencia cuando se analicen electrones sometidos a la perturbacin de otras muchas
partculas situadas en su entorno.
1.4. La ecuacin de De Broglie.
Esta ecuacin, fundamental en la fsica moderna, relaciona el carcter ondulatorio y el
corpuscular de una partcula. Su expresin es
{1.9}
p
k
donde p representa el momento lineal de la partcula, es la constante de Planck reducida
=h/2=1,055 10-34 Js y k es el nmero de ondas asociado a la partcula en consideracin.
Con {1.9} podemos expresar los resultados del apartado anterior de la siguiente manera
2
ET
2mn
(kx ky kz ) ; v
k ET ; mij
2ET
ki kj
Los materiales semiconductores son slidos cristalinos, hecho que es analizado en el presente
tema por presentar interesantes implicaciones en el tratamiento fsico ulterior del mismo.
En particular los cristales son sustancias que poseen una estructura microscpica
peridica, por ello sus propiedades microscpicas tambin son peridicas. Tras la exposicin
de los conceptos bsicos de la fsica de slidos cristalinos, describiendo especialmente la
estructura atmica del diamante, que es la estructura bsica de los cristales de materiales
semiconductores, el tema finaliza con la enumeracin de algunas propiedades que exhiben
los materiales semiconductores. Estas propiedades caracterizan estos slidos pues son rasgos
que nos permiten clasificar un material, desconocido a priori, como un semiconductor.
2.1. Estructura cristalina.
Los tomos de un slido no ocupan posiciones fijas. Cada tomo vibra con una pequea
amplitud en torno a una posicin de equilibrio que s es estacionaria. El que las posiciones
de equilibrio permanezcan inmviles da al slido una estructura rgida y lo distingue de un
lquido o un gas, pues aunque en los fluidos los tomos tambin se muevan, la diferencia con
los slidos es que recorren grandes distancias, y por esto su estructura no es permanente.
La distribucin de las posiciones de equilibrio de los tomos define la estructura de un
slido. Los slidos se pueden agrupar en tres categoras: cristalinos, amorfos y policristalinos.
En los cristalinos, la posiciones de equilibrio de los tomos presentan un patrn geomtrico
que se repite sin que vare la composicin, dimensin u orientacin. En los slidos amorfos,
las posiciones de equilibrio no forman un patrn que se repita. Por su parte, un slido
policristalino est formado por un gran nmero de pequeos cristales, denominados
monocristales, que no estn ordenados entre s.
Los materiales semiconductores son slidos cristalinos. stos pueden definirse mediante
la asociacin de una base de tomos y una red cristalina. La red que es una idealizacin
geomtrica y como tal, no tiene entidad fsica. Una red cristalina es un conjunto de lugares
geomtricos (denominados puntos de red) dados por el vector,
{2.1}
m ,n ,p Z
mnp m a n b p c;
como se especifica, m, n, p son nmeros enteros arbitrarios y a, b, c son los llamados
vectores fundamentales de traslacin. Las longitudes de a, b, c se denominan constantes de
red.
La palabra "arbitrarios", utilizada en la definicin, implica que la red cristalina posee una
extensin infinita pues infinitos son el nmero de enteros que pueden elegirse. Por lo tanto
no contiene superficies que la limiten. Obviamente esto es una aproximacin al mundo real.
La base de tomos es un grupo de tomos o de especies qumicas ligados a cada punto
de la red o situados en cada paraleleppedo elemental que, al repetirse en el espacio, forma
el cristal.
Por ejemplo, considrese el caso en dos dimensiones mostrado en la figura 2.1. En ella
los vectores fundamentales de traslacin de la red son a=ax, b=ay, c=0; siendo ax y ay los
vectores unitarios en las direcciones OX y OY, respectivamente. Haciendo variar los valores
de los enteros m y n en la ecuacin {2.1} se rellena el plano con puntos de red. En particular
se destaca el punto de red para los valores m=2 y n=-3. Con todos los posibles valores de m
y n se rellena el espacio de puntos de red.
Si a esta red cristalina se asocia una base de tomos se habr definido un cristal. As si
A y B son dos tomos y se decide que en cada cuadrcula (celda) de la figura 2.1 se sita A
en la posicin (a/4, 3b/4) y B en la (a/2,0) se tiene que, en cada celda,la distribucin de
tomos es como la mostrada en la figura 2.2 y el cristal entero, obtenido por repeticin de
la anterior, ser como el representado en la figura 2.3.
Fig. 2.1.
Fig. 2.2.
Fig. 2.3.
Fig. 2.4.
Ntese como los puntos de red no necesariamente coinciden con la posicin de los tomos
A y B. La definicin del cristal que se ha realizado no es nica: se puede elegir otro par de
vectores fundamentales de traslacin y disposicin de la base de tomos que represente al
Se llama celda primitiva (o celda unidad) a aquella celda en cuyo interior slo se halla
un tomo. Lo son, por ejemplo, aquellas celdas que slo tengan tomos en sus vrtices (en
la red cbica simple cada vrtice aporta la octava parte de un tomo a la celda, con lo que
las fracciones correspondientes a los ocho vrtices del cubo corresponden a un tomo en el
interior), en sus caras (la mitad del tomo por cara) o en su interior. Con esta definicin se
garantiza la no existencia de una celda de menor volumen que sirva como bloque para
construir la estructura.
Un procedimiento general para obtener celdas primitivas lo constituye la llamada
construccin de Wigner-Seitz. sta permite construir la llamada celda primitiva de
Wigner-Seitz, que se define como aquella obtenida al aplicar la siguiente secuencia (figura
2.6),
1.- unir un punto de la red con todos los que lo rodean,
2.- dibujar las lneas o planos perpendiculares a aquellas uniones y que pasan por su
punto medio,
3.- el volumen mnimo que queda encerrado en esta figura es la celda primitiva de
Wigner-Seitz.
El silicio y el germanio cristalizan segn la red del diamante pues como en ella todos sus
tomos son iguales (en el diamante todos los tomos son de carbono). El arseniuro de galio
(GaAs) cristaliza segn la red de la blenda, una de las subredes fcc est constituida por
tomos de arsnico y la otra por tomos de galio. El parmetro de red del diamante es 3.56
, el del silicio 5.43 , el del germanio 5.66 , y el del arseniuro de galio 5.65 .
10
11
bc
ca
ab
; B 2
; C 2
vc
vc
vc
a C 0,
{2.2}
b B 2, b C 0,
c A 0, c B 0, c C 2.
La dimensin de los vectores de la red recproca es (longitud)-1 (de ah su nombre), y los
vectores de traslacin de esta nueva red estn dados por,
{2.3}
h, k,l Z
Ghkl h A k B l C;
El volumen de la celda unidad en la red recproca es,
VC A BC
a bc
Ntese cmo de las ecuaciones {2.2} se obtiene,
2
vc
Ghkl mnp 2 z ; z
es decir, cada vector de la red recproca es normal a un conjunto de planos en la red directa.
2.2. Estructura y propiedades de los semiconductores.
Algunos parmetros que permiten "detectar" si un material es o no un semiconductor son,
entre otros, el valor de la resistividad del material, su composicin y la variacin de la
conductividad con la temperatura.
En relacin con el valor de la resistividad del material medida a la temperatura ambiente,
puede establecerse aproximadamente que el material es un metal si su resistividad a
temperatura ambiente (Ta) se encuentra en el inetervalo [10-6,10-4] cm, el material es un
semiconductor si 10-4 < (Ta) 1010 cm y es un aislante si (Ta) > 1010 cm.
Atendiendo a su composicin, los materiales semiconductores pueden ser simples o
compuestos. Son semiconductores simples los formados por un solo tipo de elemento qumico
perteneciente al grupo IVA de la tabla peridica, entre ellos destaca el silicio (Si). Los
12
13
3 BANDAS DE ENERGA
2 2
2m
U(r)n(r)
En n(r)
{3.1}
en esta ecuacin los electrones se describen mediante su "funcin de onda" n(r), en esta
notacin el subndice indica el nivel energtico en el tomo aislado, U(r) representa a la
energa potencial del electrn y En su energa total. Para el tomo de hidrgeno la energa
potencial es de tipo coulombiano
q2
40 r
U(r)
{3.2}
Las soluciones de la ecuacin {3.1} con la energa potencial {3.2} existen si la energa
es de la forma
En
EB
n2
; n 1, 2, 3, ...
{3.3}
EB
{3.4}
40
m q2
0.529
E(k)
2m
U(r)k(r)
Ek k(r)
{3.4}
Las soluciones de esta ecuacin, como en el caso anterior del tomo de hidrgeno,
permiten no slo conocer la distribucin de la energa de los electrones, tambin la forma de
las funciones de onda de stas partculas en el seno del slido cristalino. Las funciones de
onda, en todo caso, satisfarn el teorema de Bloch que es uno de los teoremas bsicos de la
teora de bandas y que da la solucin de la ecuacin {3.4} para un slido cristalino. Establece
que si la energa potencial U(r) es peridica con la periodicidad de la red, las soluciones de
la ecuacin de Schrdinger son de la forma,
k(r)
e j k r un(k, r)
donde la solucin k(r) se denomina funcin de Bloch, un(k, r) es una funcin peridica con
la periodicidad de la red directa y n es el llamado ndice de banda.
Por otro lado, a partir del teorema de Bloch puede demostrarse que la energa Ek es
peridica en la red recproca, esto es,
donde Ghkl es un vector de traslacin de la red recproca (ecuacin {2.3}). Dada la
1
Aqu momento cristalino y nmero de ondas se manejan como sinnimos aunque estrictamente no lo sean. La
razn es que son proporcionales por la relacin de De Broglie.
17
Ek
Ek
Ghkl
18
Los diagramas de bandas E=E(k) del silicio y arseniuro de galio se representan en las
figuras 3.2. En ellas los ejes de abcisas son direcciones en el espacio recproco. Las cuatro
direcciones posibles del tipo [111] son equivalentes entre s como lo son las tres direcciones
del tipo [100]. Por eso, para representar la mxima informacin posible en el plano se toma
el semieje positivo segn la direccin [100] y el negativo segn la [111].
que desarrollada en serie de Taylor para el caso de las bandas de valencia, en un entorno del
centro de zona es aproximadamente,
E
20
EP(r) q () d
ET E0
EC(k) q () d
esta relacin admite la interpretacin siguiente por analoga con la expresin correspondiente
para los electrones libres: el primer sumando representa cierto valor de referencia, el segundo,
por analoga al caso del electrn libre representa cierta energa cintica del electrn en la
banda de energa correspondiente; ntese que este segundo trmino depende exclusivamente
del vector de onda k, por ltimo, el tercer sumando representa la influencia de la excitacin
exterior sobre la red, depende exclusivamente de la posicin en el espacio directo. Por lo
tanto, la excitacin externa modifica slo las bandas en el espacio directo. Es decir, las
bandas se curvarn paralelamente.
Es posible formular un principio de conservacin de la energa como sigue: "si ET es
constante, la variacin en la energa cintica es compensada por una variacin de signo
opuesto de la energa potencial".
Las conclusiones que de este principio se derivan son distintas segn se trate de bandas
llenas o parcialmente llenas. En el caso de bandas llenas la variacin de la energa cintica
de un electrn ha de ser compensada con una variacin, de signo opuesto, en la energa
cintica de otro electrn de la banda. De esta forma, en una banda llena no puede producirse
variacin global de la energa cintica y por tanto no cabe variacin alguna de la energa
21
una EG=5,4 eV, y en el silicio EG=1,12 eV. De modo que, al incrementar la temperatura, el
silicio contiene muchos ms electrones excitados trmicamente que el diamante ya que la
energa que han de salvar en la excitacin es casi cinco veces inferior en uno que en otro.
Los materiales cuya banda de energa es de la forma mostrada en la figura 3.4.a, o los que
la tienen como en la 3.4.b con la banda de conduccin parcialmente llena en el cero absoluto,
pueden conducir al someterlos a un campo elctrico. La razn es que ahora los electrones
pueden transitar con facilidad a estados vacantes de energas superiores que pueden alojar los
electrones que se encuentran bajo la influencia del campo elctrico. Es ms, a menores
temperaturas la conduccin es mayor porque, al disminuir las vibraciones trmicas, las
colisiones con otras partculas de la red tambin disminuyen y los electrones se pueden mover
ms libremente.
En la lnea de la discusin anterior y como resumen la figura 3.5 presenta
esquemticamente la manera en que se ocupan las bandas de energa a temperaturas
superiores a 0 K en los distintos materiales atendiendo a su conductividad.
23
distinguibles).
Fig. 3.6. Niveles de energa de los electrones en funcin del parmetro de red a 0K
24
Al aumentar la temperatura el radio medio de los tomos aumenta por efecto de las
vibraciones trmicas de la red. Esto equivale a un aumento del valor del parmetro de red (la
red cristalina se dilata). Por tanto, las predicciones cualitativas se realizan desplazando la
constante de red ligeramente hacia la derecha en la figura 3.6. La anchura de la banda
prohibida disminuye con lo que la conductividad aumenta y los materiales son mejores
conductores al aumentar la temperatura.
Tabla 3.1.
Material
EG(0)
(eV)
( 10-4)
(eV/K)
(K)
Ge
0,7437
4,774
235
Si
1,170
4,73
636
GaAs
1,519
5,405
204
Las curvas experimentales se pueden aproximar por rectas (indicadas en la figura) que se
ajustan muy bien a temperaturas prximas a la ambiente, la ecuacin de ajuste es,
25
T 2
T
EG(T) EG(0)
los valores de los parmetros EG(0), y para cada material se recogen en la tabla 3.1.
3.6. Masa efectiva.
La aceleracin que experimenta un electrn en un cristal entre dos interacciones es
dE(k)
d 1
1
k E(k)
k
dt
dt
{3.13}
dk
dk
2
1
1
k k E(k)
k E(k)
dt
dt
Por otro lado, con objeto de establecer la analoga con la segunda ley de Newton se iguala
la fuerza que experimenta una electrn en el slido cristalino con el producto de cierta masa
por su aceleracin,
a
dv
dt
dp
dt
dk
m a
dt
dk
dt
k2E(k)
k2E(k)
este parmetro, que es funcin del diagrama de bandas, Ek, se llama masa efectiva del
electrn en la banda correspondiente. Es una magnitud tensorial cuyos ndices varan con las
componentes del vector de onda. En un sistema de referencia arbitrario la cantidad,
mij
2E(k)
k k
i
j
este resultado expresa que si la banda est llena, todos los pares de estados k y -k estn
necesariamente llenos y el vector de onda total es cero. Adems, en una banda llena, cada
electrn cambia el valor de su vector de onda, k, con una velocidad dada por,
27
dk
dt
Los electrones no estn bloqueados cuando alcanzan el lmite de zona sino que son enviados
al lmite opuesto y comienzan de nuevo su movimiento.
Si la banda est llena salvo un electrn que falta, en el estado D por ejemplo, se puede
decir que hay un hueco en ese estado D. Las propiedades fsicas del hueco son aquellas de
la totalidad de los electrones en la banda. Esta frase es fundamental en la comprensin del
concepto de hueco.
La primera aplicacin es al vector de onda del hueco: si falta un electrn en el estado de
hueco de vector de onda kn, el vector de onda total del sistema es -kn ya que ocurre,
ki
kn
{3.14}
kn
esto es, el electrn que falta en D de la figura 3.8.B y la posicin del hueco se indica como
situado en kD, pero el verdadero vector de onda total del hueco es -kD, que es a su vez el
vector de onda del punto F si el hueco est en D.
La ecuacin del movimiento de un electrn en un cristal es,
dk n
dt
Fn
q vnB
dk n
dt
dt
Fn
q vnB
{3.16}
Es decir, el movimiento del hueco est descrito por la ecuacin del movimiento de una
carga positiva en un campo elctrico. Tambin es la de una carga positiva en un campo
magntico a condicin de que vp=vn.
La razn por la que el signo de dkp/dt es opuesto al de dkn/dt se aclara con ayuda de la
figura 3.8, el estado vacante se desplaza por DCB..., tal y como lo hacen los electrones
adyacentes, pero el electrn asociado al hueco se desplaza en sentido inverso, esto es,
FGH... en el espacio K. Aqu vn representa la velocidad que tendra el electrn que falta.
La velocidad vp del hueco se determina por el siguiente argumento: si un electrn falta
en el estado D la corriente elctrica transportada por la banda es la del electrn no apareado
en el estado F,
j
qv(f )
q v(f )
esta corriente puede ser considerada como de una carga positiva de velocidad -v(F). Dado que
-v(F) es igual a la velocidad v(D) del estado D, del que se extrajo el electrn, la corriente
28
vn
kE(k n)
E(k n)
Por ser las bandas simtricas (funciones pares en k), ocurre que E(k)=E(-k), se puede
interpretar la energa del hueco Ep como E(kp) ya que kp=-kn, con esto,
E(k n)
Ep(k p) Ep(k p)
E( k p)
E(k n)
luego la energa del hueco es de signo opuesto a la del electrn ausente, siendo necesaria ms
energa para separar un electrn de un estado de energa baja que de uno de energa elevada
en la banda. La expresin de la velocidad queda,
vp
k E(k n)
k E(k n)
Ep(k p)
k Ep(k p)
q vpB
dt
Fp
{3.22}
dv n
dt
q v nB
{3.23}
La masa efectiva del hueco se define a partir de una ecuacin de la misma forma pero
para una carga positiva,
29
mp
dv p
dt
q v pB
{3.24}
Dado que vp=vn y comparando las ecuaciones del movimiento {3.23} y {3.24},
dv
dt
v
dv
mp
dt
mn
vn
vp
mp
q v B
q v B
mn
mp
mn
luego la masa efectiva del hueco es la que correspondera al electrn ausente cambiada de
signo.
30
4 SEMICONDUCTORES EN EQUILIBRIO
f(E) dG
donde f(E) es la probabilidad de ocupacin de los estados cuya energa es del intervalo
[E,E+dE] y dG representa al nmero de estados por unidad de volumen con energa en el
intervalo referido.
Se llama funcin densidad de estados, g(E), al nmero de estados por unidad de volumen
y de intervalo energtico. As,
g(E)
dG
dE
AT
E0
{4.2}
)3 / 2 E EC 1 / 2
h2
donde mdc* es la llamada masa efectiva para la densidad de estados en la banda de
conduccin, cuyos valores para el Si y el GaAs son 1.08 me y 0.072 me, respectivamente;
h es la constante de Planck y EC es el nivel de conduccin.
La funcin densidad de estados prximos al mximo de las bandas de valencia es,
g(E)
4(
g(E)
4(
2 mdv
2
)3 / 2 EV E
1/ 2
{4.3}
h
donde mdv es la llamada masa efectiva para la densidad de estados en la banda de valencia,
cuyos valores para el Si y el GaAs son 0.55 me y 0.43 me, respectivamente; h es la
constante de Planck y EV es el nivel de valencia.
*
En las figuras 4.1 se puede observar la dependencia con la energa de cada una de estas
funciones de densidad de estados para los semiconductores ms utilizados.
32
1
{4.4}
E EF
1 e
kT
1, si E <EF; f (E )
0, si E >EF
es decir, todos los estados permitidos de energas E<EF estn ocupados y los de energas
E>EF se hallan vacos. As, en un metal, a T=0 K el nivel de Fermi se encontrar dentro de
la banda de conduccin (ya que conduce) mientras que en un semiconductor ocurre que
EV<EF<EC, esto es, el nivel de Fermi se ubica dentro de la banda prohibida.
E EF
f (E ) 1 e
kT
, si E <EF 3kT
{4.5}
E EF
f (E ) e
kT
, si E >EF 3kT
1 f(E)
{4.6}
EF E
1 e
kT
2m
4( n )
h2
E
C
3
2
E EC
1
2
E EF
1 e
kT
EV
dE ;
2m
4( p )
h2
E
Vm
3
2
EV E
1
2
EF E
1 e
dE
{4.7}
kT
donde se ha realizado un cambio de notacin para las masas efectivas de los electrones y los
huecos (mn=m*dc, mp=m*dv), y los valores de energa EC y EV representan los valores mximo
y mnimo posibles de la energa de las bandas de conduccin y de valencia respectivamente.
Estos valores pueden reemplazarse en la prctica por y - dado el valor despreciable de
la funcin densidad de probabilidad de electrones y huecos (distribucin de Fermi-Dirac,
ecuacin {4.4}) en la regin que se incluye en el intervalo de integracin.
M
34
El valor de las integrales de las ecuaciones {4.7} coincide con las reas bajo las curvas
en la figura 4.3 donde se representa el producto f(E)g(E) frente a la energa de los electrones.
El clculo se ha realizado para un "semiconductor intrnseco" (en l: n=p=ni) a temperatura
ambiente.
Con los siguientes cambios de variable,
E EC
n
kT
EV E
p
kT
EF EC
nF
kT
EV EF
pF
{4.8}
kT
2m kT 32
2
n
4 n
2
h 01 e
nF
2m kT 32
2
p
4 p
2
h 01 e
{4.9}
p
pF
2 x m dx
Fm(xo)
x x
01 e
y siendo NC y NV como las densidades equivalentes de estados para las bandas de conduccin
y de valencia, respectivamente, dadas por las ecuaciones
o
NC
2m kT 32
; N
n
2
V
2
h
2m kT 32
p
2
2
h
{4.10}
donde a temperatura ambiente los valores de NC y NV son tres rdenes de magnitud inferiores
a las densidades tpicas de tomos en slidos cristalinos. Las {4.9} se transforman en funcin
de la integral de Fermi de orden 1/2 y de las densidades equivalentes de estado en las,
la integral de Fermi no es una funcin que pueda expresarse de forma analtica. Los clculos
35
NC F 1 (
2
nF
NC F 1 (
EF EC
kT
) ;
NV F 1 (
2
pF
NV F 1 (
2
EV EF
kT
con ella requieren procedimientos numricos. Sin embargo, para ciertos semiconductores
(denominados no degenerados) se pueden aproximar por la funcin gamma de Euler ()
multiplicada por un factor exponencial en la posicin de los niveles de energa.
4.3. Concentracin intrnseca en semiconductores no degenerados.
A temperaturas distintas al cero absoluto, la agitacin trmica de los electrones provoca saltos
de los mismos desde la banda de valencia a la de conduccin dejando cierto nmero de
huecos en la banda de valencia igual al de electrones en la de conduccin. Un semiconductor
se dice intrnseco si contiene una muy pequea cantidad de tomos de impurezas comparada
con los electrones y huecos generados por la agitacin trmica.
En la banda de conduccin hay un gran nmero de estados permitidos. Sin embargo, para
semiconductores intrnsecos habr slo unos pocos electrones en la banda de conduccin y
por tanto, la probabilidad de que un electrn ocupe uno de estos estados es pequea. Hay
tambin un gran nmero de estados permitidos en la banda de valencia. Por contra, la mayor
parte estn ocupados por electrones. De modo que la probabilidad de que un electrn ocupe
uno de esos estados es prcticamente la unidad. Habr slo unos pocos estados vacantes, esto
es, huecos en la banda de valencia. Puede verse que el nivel de Fermi (EF) est situado en
las proximidades de la mitad de la banda prohibida. Aproximando la distribucin de
Fermi-Dirac por el valor propuesto en {4.5} (los semiconductores en los que es posible
realizar esta aproximacin se llaman semiconductores no degenerados) e introduciendo {4.2}
y {4.5} en {4.1} queda,
2mn
3
2
E E 2e
C
E EF
kT
)
dE
h2
E
y haciendo el cambio de variable propuesto en {4.8} se obtiene la integral expresada por,
4(
E EC n
2mnkT
4(
h2
La integral gamma de Euler se define por,
EF EC
) 2e
kT
x 2 e xdE
{4.11}
(a 1)
ae d
{4.12}
verificndose que,
3
( )
2
1 1
( )
2 2
n
36
NC e
kT
EF
{4.13}
NV e
EV
{4.14}
kT
p Ei
EC EV
EG
n p ni ni
2
{4.16}
NCNV e 2kT
donde EG=EC-EV.
La ecuacin n p=ni2 se denomina ley de accin de masas (l.a.m.). Esta ley es vlida para
semiconductores intrnsecos y los dopados (semiconductores extrnsecos) en equilibrio trmico
(el concepto de equilibrio trmico se entiende, en este contexto, como aquella situacin que
se alcanza cuando, en ausencia de excitacin exterior, una muestra de material semiconductor
se mantiene a temperatura constante durante "mucho" tiempo). En un semiconductor
extrnsico el incremento en la concentracin de un tipo de portador tiende a reducir la
concentracin del otro por un proceso llamado recombinacin; as, el producto de las
concentraciones de ambos tipos de portadores permanecer constante a cierta temperatura. aL
concentracin intrnseca se calcula imponiendo EF=Ei en una de las {4.13} o {4.14},
EC
ni
NC e
Ei
kT
Ei EV
NV e
kT
NC e
EC Ei Ei EF
EC Ei
EF Ei
EF Ei
kT
kT
kT
kT
NC e
ni e
Ei EF
; p ni e
kT
3/2 m
2k
{4.18}
1 / 2
2kT
3/2
2kT
2k 3 / 2
(mnmp) e T e
H T e
ni 2
2
h
G0
4.4. Impurezas.
En los cristales semiconductores reales existen defectos en las redes cristalinas que son
imposibles de evitar totalmente. De hecho, algunos de estos defectos, las impurezas donadoras
y las aceptoras, se introducen en el cristal de manera intencionada y controlada pues la
operacin de casi todos los dispositivos semiconductores se basa en la presencia de estas
impurezas.
Todos los defectos modifican el diagrama de bandas del semiconductor puro
introduciendo estados de energa permitidos adicionales. Estos estados de energa pueden
estar en el seno de la banda prohibida con lo que se hace posible la presencia de algunos
portadores con niveles de energa prohibidos en el semiconductor ideal.
Un semiconductor con impurezas introducidas de forma controlada se dice que est
dopado o que es extrnseco. Si no est dopado se llama intrnseco.
38
Si la impureza sustituye un tomo de los del cristal se dice que ocupa posicin substitucional. Otra
posibilidad es la posicin intersticial en la que la impureza se aloja entre los tomos sin sustituir a ninguno.
39
en su ltima capa, los cuales formarn enlaces con tres de los tomos de silicio que lo
rodean. El enlace insatisfecho arrancar uno de los electrones de un enlace cercano entre dos
tomos de silicio generando una ausencia de electrn que, a bajas temperaturas, se mantendr
en las proximidades de la impureza ionizada, pero si gana suficiente energa abandonar dicha
regin aportando su carga a la corriente de huecos. El modelo de bandas permite decir que
la introduccin de la impureza del grupo IIIA supone la aparicin de un nivel de energa
permitido en las proximidades del nivel de valencia (parte inferior de la figura 4.5.b). Si uno
de los electrones de valencia gana suficiente energa se producir la transicin de ste hacia
ese nivel y se crear un hueco en la banda de valencia. Es claro que el efecto de este tipo de
impurezas es la captura de un electrn, por eso se denominan impurezas aceptoras y al nivel
de energa introducido nivel aceptor, EA.
Los niveles de energa donadores introducidos por algunas impurezas en silicio se
muestran en la tabla 4.1. Estn dados desde el nivel de conduccin, es decir, X=EC-ED, donde
X es el dato indicado en la tabla en electrn-Volts.
Tabla 4.1. Niveles donadores introducidos por algunos elementos en el silicio.
Silicio
X (eV)
Sb
As
Ti
Pt
Au
0,039
0,045
0,054
0,21
0,25
0,77
0,82
0,83
0,16
0,51
Silicio
X (eV)
Al
Ga
In
Pd
Pt
Au
0,045
0,067
0,072
0,16
0,34
0,87
0,36
0,58
0,74
0,41
Los semiconductores dopados con impurezas donadoras son tipo n. Los dopados con
impurezas aceptoras son tipo p. Se llama semiconductores compensados a aquellos que
40
Tabla 4.3. Niveles donadores introducidos por algunos elementos en el arseniuro de galio.
GaAs
XD (eV)
Se
Sn
Te
Si
0,006
0,006
0,006
0,03
0,0058
0,00
6
0,4
0,75
Tabla 4.4. Niveles aceptores introducidos por algunos elementos en el arseniuro de galio.
GaAs
XA (eV)
Be
Mg
Zn
Cd
Si
Cu
Cr
0,028
0,028
0,031
0,035
0,035
0,026
0,44
0,24
0,79
1
[ND NA
2
(ND NA )2 4 ni
1
[NA ND
2
(NA ND)2 4 ni
{4.21}
Se ha indicado que si un electrn recibe suficiente energa puede transitar desde el nivel
donador hasta el de conduccin, o bien desde el nivel de valencia hasta el aceptor para
generar portadores libres. Surge la pregunta de la concentracin de impurezas que, bajo
determinadas condiciones, se hallan ionizadas, es decir: cuntas impurezas estn ionizadas
a cierta temperatura?. Para dar respuesta a esta pregunta se recurre a la estadstica.
41
El estado introducido por la impureza en la banda prohibida puede ser ocupado por un
solo electrn, pero ste puede tener cualquiera de los valores de espn posibles. Luego estos
estados presentan un nivel de degeneracin 2. La funcin de distribucin no es exactamente
la de Fermi-Dirac, sino,
f(E ) 1
E EF
1
exp(
)
2
kT
{4.23}
Una impureza donadora cuyo nivel donador sea ED estar ionizada si el estado que
introduce est vacante de electrn. Por lo tanto la concentracin de impurezas donadoras
ionizadas es,
ND
ND ND[1 f(ED)]
EF ED
)
kT
La concentracin de impurezas aceptoras ionizadas se evala teniendo presente que la
impureza estar ocupada por un electrn con energa EA,
1 2 exp(
NA
NA NA f(EA)
E E
1
exp( A F )
2
kT
Se suele despreciar la degeneracin del estado introducido por la impureza y utilizar la
estadstica de Fermi-Dirac en lugar de {4.23}. As,
1
ND
ND
1 exp(
EF ED
kT
NA
; NA
)
1 exp(
EA EF
kT
{4.26}
)
Por ejemplo, considrese una muestra de silicio dopada con 1016 tomos de fsforo por
centmetro cbico a la temperatura ambiente. Calcular el porcentaje de impurezas ionizadas.
En la tabla 4.1 se lee: ED-Ei=EC-0,045 eV. Al ser EC=0,56 eV, queda que la posicin del nivel
donador es ED-Ei=0,515 eV.
Para el clculo pedido se necesita, adems, conocer la posicin del nivel de Fermi. sta
se evaluar por un procedimiento iterativo. Se supone inicialmente que todas las impurezas
estn ionizadas, es decir n1016cm-3, luego,
EF Ei kTln(
ND
n
1016
) 0,0259ln(
) 0,354 eV
ni
1,45 1010
ND
1 exp(
1016
EF ED
kT
1 exp( 0,354
0,515
0,0259
9,98 1015cm
EF Ei 0,0259 ln(
+
15
9,98 1015
) 0,348 eV ND
1,45 1010
1016
1 exp(
0,348 0,515
0,0259
9,98 1015cm
-3
9,98 1015
100 99,8 %
ND
1016
la conclusin que se obtiene es que a temperatura ambiente prcticamente todas las impurezas
estn ionizadas y la hiptesis de partida es vlida. Este resultado es de aplicacin bastante
general en otras situaciones en las que los semiconductores se hallen operando a temperatura
cercana a la ambiente.
100
43
44
5 SEMICONDUCTORES EN DESEQUILIBRIO
Con la teora desarrollada hasta el momento en los temas anteriores no es posible hacer
predicciones acerca de la respuesta de los semiconductores en situaciones fuera del equilibrio
trmico; slo se puede evaluar el funcionamiento del material en equilibrio. Sin embargo,
todos los dispositivos electrnicos se encuentran excitados durante su operacin normal en
los circuitos, habitualmente por campos elctricos o por radiaciones luminosas. As es preciso
dar cuenta de este funcionamiento fuera del equilibrio.
El procedimiento a seguir consistir en establecer las hiptesis necesarias para reducir el
problema a una situacin lo suficientemente prxima al equilibrio. En este contexto juega un
papel esencial la llamada hiptesis de operacin en bajo nivel de inyeccin. Este concepto
se aborda en el apartado siguiente.
Ms adelante en el tema se estudia la aplicacin del principio general de tendencia al
estado de equilibrio en los semiconductores que inicialmente se hallan en desequilibrio y son
abandonados a s mismos. Estos procesos son la generacin y la recombinacin de portadores.
El tema finaliza analizando los efectos de los campos elevados sobre los semiconductores.
5.1. Inyeccin de portadores.
El equilibrio trmico se caracteriza porque en l se satisface la ley de accin de masas, que
se expresa por la relacin pn=ni2. Si en un semiconductor se introducen portadores de manera
que pnni2, ste se halla fuera del equilibrio. Si el proceso de introduccin de portadores hace
que pn>ni2 se est ante una inyeccin de portadores, y si es pn<ni2 el proceso se llama
extraccin de portadores. Existen varios mtodos de inyeccin de portadores como son la
excitacin ptica o la polarizacin directa de una unin pn.
La concentracin de portadores inyectados se denomina exceso de portadores, y se denota
por n o p, segn sean electrones o huecos. El cociente entre el mayor valor del exceso de
portadores y la concentracin de portadores mayoritarios correspondiente a la situacin de
n p
mx ,
nn0 nn0
donde el significado de la notacin utilizada es la siguiente: la cantidad XY representa el valor
de la magnitud X en un semiconductor tipo Y. El subndice 0 representa un valor de
equilibrio. As, nn0 es la concentracin de electrones en equilibrio de un semiconductor tipo
n, pn0 sera la concentracin de huecos en equilibrio de un semiconductor tipo n, nn y pp
representarn las concentraciones de mayoritarios, y np, pn las de minoritarios.
En un semiconductor tipo p la definicin de nivel de inyeccin es,
n p
mx ,
pp0 pp0
Hasta aqu se ha admitido que el exceso de electrones y de huecos pueden ser cantidades
distintas. En lo sucesivo se considerar que los procesos de inyeccin se producen por pares,
es decir, la inyeccin de un electrn conlleva la de un hueco, con esto n=p, y los niveles
de inyeccin en los semiconductores tipo n y tipo p sern, respectivamente,
n n
,
nn0 pp0
Suponiendo conocido el valor del exceso de portadores, la concentracin de los mismos
se puede evaluar aadiendo a las concentraciones de equilibrio el exceso. Por ejemplo en un
semiconductor tipo n las concentraciones de ambos tipos de portadores ser,
{5.1}
nn nn0 n; pn pn0 n
y para uno tipo p,
pp pp0 n; np np0 n
Si el nivel de inyeccin es despreciable frente a la unidad se dice que el semiconductor
en desequilibrio se encuentra sometido a un bajo nivel de inyeccin. Por contra, si el nivel
de inyeccin es apreciable se dice que el semiconductor se encuentra en alto nivel de
inyeccin.
As, si la inyeccin es en bajo nivel, de la primera de las ecuaciones {5.1} dividiendo por
la concentracin de mayoritarios en equilibrio,
nn
nn0
n
1 nn nn0
nn0
ni
nn0
1,45 105 cm
1012
10
1015
1017
102
15
10
que no es despreciable frente a la unidad y el nivel de inyeccin ser alto. En este caso
nn nn0 n 1015 1017 1017 cm 3 n
pn pn0 n 1,45 105 1017 1017 cm 3 n
las concentraciones de portadores mayoritarios y la de los minoritarios coinciden en la
prctica con el exceso de portadores y el semiconductor responder como si fuese intrnseco.
5.2. Procesos de generacin y recombinacin.
Si no se satisface la condicin de equilibrio trmico (pn=ni2) puede ocurrir que sea pn>ni2,
inyeccin de portadores, o alternativamente pn<ni2, extraccin de portadores. En cualquiera
de los dos casos, si un sistema se abandona a s mismo partiendo del no equilibrio se ponen
marcha procesos de retorno al equilibrio.
Si una excitacin externa produce una inyeccin de portadores, al desaparecer se inicia
el mecanismo llamado recombinacin y promover la desaparicin del exceso de minoritarios
mediante el aniquilamiento con portadores mayoritarios. La energa liberada por este
mecanismo puede ser emitida en forma de luz (emisin de fotones) o disipada en forma de
calor dependiendo de la naturaleza del proceso. En el primer caso, esto es si se emiten
fotones la recombinacin se dice que es radiativa. Si, por contra, la liberacin de energa se
produce en forma de calor la recombinacin se denomina no radiativa. Por otro lado, los
procesos de recombinacin pueden clasificarse atendiendo al tipo de banda, directa o indirecta
del semiconductor en que se producen, surge la recombinacin directa en el primer caso y
la recombinacin indirecta en el segundo.
47
{5.4}
G R GL Gth R
GL R Gth U
n
1/ nn0
1
nn0
n
p
p
p
pn pn0
p
{5.6}
50
1
E E
1 exp ( t F )
kT
en vth n ni e
kT
ep vth p ni e
kT
{5.8}
balance detallado establece que la variacin neta de electrones por unidad de volumen y de
tiempo en la banda de conduccin ser la diferencia entre los que llegan y los que la
abandonan por unidad de volumen y de tiempo
d nn
dt
GL (Ra Rb)
GL (Rc Rd)
{5.9}
Ei Et
Et Ei
p pn ni exp
n n exp
kT n n i
kT
Para hacer ms simple esta expresin se supondr que las secciones eficaces son iguales,
n=p=0, y que la inyeccin es en bajo nivel; con esto
pn pn0
r
1
; r
E E
cosh t i
pn0
kT
vth 0 Nt
2 ni
nn0
{5.10}
pn nn)
Et Ei
pn nn 2 ni cosh
kT
si adems es pnnn<<ni2, entonces, al ser las concentraciones de portadores tpicamente
mayores que la unidad (pn+nn)/ni2<<2nicosh[(Et-Ei)/kT], la expresin anterior se reduce a
donde se ha definido el parmetro tiempo de vida medio de generacin, g:
Las expresiones para las velocidades de recombinacin y de generacin son formalmente
52
vth 0 Nt ni
ni
g
Et Ei
2 cosh
kT
Et Ei
2 cosh
kT
g
vth 0 Nt
{5.11}
US
{5.12}
Ei Et
Et Ei
p pS ni exp
n n exp
kT n S i
kT
vth S NSt
Sr
1
Sg
54
Et Ei
cosh
pS
kT
vth S NSt
2 ni
nn0
Et Ei
2 cosh
kT
6 LA ECUACIN DE CONTINUIDAD
Los portadores de carga en los materiales semiconductores son electrones y huecos libres.
Rigurosamente hablando no estn libres ya que se hallan bajo la influencia del potencial
peridico de la red cristalina y sujetos a posibles colisiones con otros agentes (tomos de la
red cristalina, impurezas, otros electrones y huecos). Sin embargo, por un lado se tiene que
los efectos de este potencial en el movimiento de las partculas se ha introducido en la masa
efectiva, por otro lado, los efectos de las colisiones se pueden aislar del movimiento en los
intervalos de no colisin (desde este punto de vista consideraremos que las colisiones operan
como si fuesen fuerzas impulsivas), resultando que las partculas se mueven con gran libertad
en los intervalos de no colisin. Por ello se dir en lo sucesivo que tanto electrones como
huecos son partculas libres.
En este tema se dar una descripcin de las causas que ponen en movimiento a estas
partculas libres. Ambas, electrones y huecos, son partculas cargadas, por tanto sufren las
acciones de los campos electromagnticos y stos son capaces de incrementar su energa.
Adems, asociado al movimiento errtico de multitud de stas partculas aparece otro agente
causante del movimiento: la difusin.
6.1. Arrastre de portadores.
El arrastre de portadores est asociado a la presencia de campos elctricos, se puede
caracterizar mediante un parmetro llamado movilidad.
6.1.1 Movilidad
Sea un semiconductor tipo n con dopaje uniforme (ND=constante) y en equilibrio trmico.
Los electrones de conduccin en la banda de conduccin son como partculas libres (la
3
kT;
2
(vn o 107cm s 1)
Se define camino libre medio como la distancia promedio recorrida por el electrn entre
colisiones (valores del orden de 10-5 cm), y tiempo libre medio (c) como el tiempo promedio
transcurrido entre colisiones (1 ps).
Si se somete la muestra a un campo elctrico poco intenso los electrones sern acelerados
en la direccin del campo. En este caso se superponen el movimiento trmico y el debido al
campo, el movimiento resultante es un desplazamiento neto en la direccin del campo
elctrico (figura 6.1.b). La velocidad asociada al campo (velocidad de arrastre) se considera
en promedio uniforme por la accin de las colisiones. Se calcula mediante las siguientes
relaciones,
v n v n
F mna mn
c
F
qc
{6.2}
mn
qc
mn
vn
c,red
c,imp
1
L
1
I
6.1.2. Resistividad
La fuerza a la que estn sometidos los electrones del diagrama de la figura 6.2 en
presencia de un campo elctrico se calcula por,
F
r Epot
r EC(r)
r Ei(r)
1
E
q r i
{6.1}
r
Ei
esta ecuacin relaciona la energa potencial del electrn con el potencial electrosttico
asociado al campo externo.
Los electrones en la banda de conduccin se movern hacia la derecha. La separacin del
fondo de la banda de conduccin indica una ganancia de energa cintica (que se pierde toda
o en parte tras una colisin). El transporte de portadores bajo la accin de un campo externo
aplicado implica la aparicin de una corriente llamada de arrastre.
Sea una muestra de material semiconductor tipo n con una concentracin de electrones
de valor n cm-3 (figura 6.3). Al aplicar un campo elctrico externo se producir conduccin
por arrastre de portadores. La densidad de corriente asociada ser la suma de los productos
de las cargas de los electrones por su velocidad,
Jn
In
qv i
qnv n qnn
{6.2}
i 0
1
q nn pp
58
1
; p
qnn
1
qpp
{6.3}
v xB z
donde RH
Jp
Bz RH JpBz
qp
1
se denomina coeficiente de Hall.
qp
1
qn
El efecto Hall evidencia la existencia de huecos como una partcula de carga positiva que
se halla en el seno de un material semiconductor. La medida de la tensin de Hall permite
el clculo de la concentracin de portadores en un semiconductor que en general es distinta
a la de impurezas as como del tipo de portador,
p
1
qRH
JpBz
q
I/A Bz
IBzW
q VH/W
qVHA
59
1 n( l)l
2 c
1
n( l)vth
2
1
n(l)vth
2
1
v n( l) n(l)
2 th
1
dn
vthn(0) l
2
dx
dn
n(0) l
dx
vthl
dn
qf ( q) Dn
dx
dn
dn
Dn
dx
dx
J n qDnrn(r)
{6.4}
Jp
{6.5}
qDnn 0
EF Ei(r)
kT
n
n
Dn n
n n
Ei(r)
kT
, queda,
Dn 1
E
n kT i
{6.8}
{6.9}
Dp
kT
q
q Dn n ; J p qp p
q Dp p
61
As, todas las deducciones realizadas hasta el momento no son vlidas si los campos
superan cierto valor crtico que deber fijarse experimentalmente. Por esto se ha venido
asumiendo que los campos son bajos en los anlisis hasta ahora presentados.
Otro aspecto a considerar cuando los campos son elevados es el proceso de avalancha,
consistente en la generacin de pares electrn-hueco provocada por colisiones de electrones
energticos excitados por un campo elctrico. El proceso se refleja en la figura 6.7. En ella,
el electrn a se acelera por causa del campo (mostrado en la figura) y gana energa cintica
alejndose del nivel de conduccin. Si la ganancia es suficiente, colisiona con la red
rompiendo un enlace con la consiguiente generacin de un par electrn hueco (b)y
disminucin de la energa cintica del electrn causante del impacto. Tras el proceso b en el
material estn presentes dos electrones de conduccin (c y d), y un hueco (e). Los electrones
c y d podrn iniciar de nuevo la avalancha, as como el hueco que tambin ganar energa
cintica del campo provocando el proceso f que genera un nuevo hueco y un electrn (g). El
62
proceso se repite en cadena y el nmero de portadores generados puede ser muy importante.
Al romper enlaces en los tomos de la red este proceso de avalancha causa la ionizacin de
los tomos, por ello tambin se la llama ionizacin por impacto.
Para caracterizar la ionizacin por impacto se define el parmetro llamado razn de
ionizacin del electrn, n (para los huecos p), como el nmero de pares electrn-hueco
generados por un electrn en la unidad de distancia recorrida y la unidad de tiempo. Esta
cantidad puede ser medida experimentalmente. Con todo, la velocidad de generacin de pares
electrn-hueco por avalancha, GA, est dada por,
GA
1
J
q n n
p J p
63
Jn(x dx)
q
A G A dx R A dx
Jn
x
dx
con este resultado en la ecuacin anterior y teniendo en cuenta que G=Ge+Gth, donde Ge
representa la velocidad de generacin asociada a una causa exterior
n
t
1 Jn(x)
Ge U
q x
{6.6}
1 Jp(x)
Ge U
q x
{6.7}
64
pn
p n p
p
2pn
p n D p
Ge
x
x
x 2
pn pn0
p
n p n
n
2pn
n p D n
Ge
x
x
x 2
np np0
n
{6.8}
1
J Ge U
q n
1
J Ge U
q p
s
con las que se resuelven los problemas en tres dimensiones si se dispone de las condiciones
de contorno apropiadas.
6.5.-Inyeccin lateral en estado estacionario.
Como primera aplicacin de las ecuaciones de continuidad se considera el caso de un
semiconductor en el que se fuerza una inyeccin de portadores desde una de sus caras.
65
pn
1 Jp
Ge U 0
q x
q Dp
dpn
dx
pn pn0
Dp p
x / Lp
; Lp
Dp p
donde se ha definido el parmetro Lp, llamado longitud de difusin, que representa la distancia a la que el exceso de huecos se reduce en un factor e-1 respecto a su valor en el plano de
inyeccin. Lp es la distancia promedio que recorre el electrn antes de recombinarse.
W x
Lp
{6.9}
W
senh
Lp
si resulta que Lp>>W la recombinacin es despreciable pues los portadores no disponen de
pn(x) pn0 [pn(0) pn0]
66
q Dp
pn
x
q[pn(0) pn0 ]
Dp
Lp
senh
W
Lp
2pn
x
GL
pn pn0
p
d pn
dx
x 0
GL U
pn(x ) pn0 p GL
; S v N
lr
th p St
x / Lp
Fig. 6.13.
L
p
td
vd
la movilidad de los huecos puede calcularse a partir de la medida experimental del tiempo
de arrastre td. El exceso de portadores se difunde adems por la existencia de un gradiente
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en la concentracin de huecos.
La ecuacin de continuidad en instantes posteriores al pulso de luz se expresa por
pn
t
pn
Dp
2pn
pn pn0
x 2
cuya solucin es
pn(x,t) pn0
( x p t ) 2
4 Dpt
t
p
4Dpt
siendo N el nmero de huecos generados por unidad de rea en t=0.
Estas relaciones junto con las medidas experimentales permiten determinar los parmetros
referidos al inicio del punto.
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