Historia del Transistor

En el ao 1942, los fsicos norteamericanos Bardeen, Brattain y Shockley

investigando con semiconductores, descubrieron el transistor. Debido a la gran
importancia de dicho descubrimiento, se les concedi en 1956 el Premio Nbel de
Fsica.
Exteriormente est formado por un caparazn o cpsula que puede tener diferentes
formas, del que salen tres patillas metlicas, o ms tcnicamente dicho, tres
electrodos o terminales y en algunos casos solamente dos ya que el tercer terminal lo
forman el recubrimiento metlico de la cpsula.
Internamente, el transistor es un componente semiconductor formado por un cristal
que contiene una regin P entre dos regiones N (transistor NPN), o una regin N
entre dos regiones P (transistor PNP).
Tipos de Transistores

Transistor de contacto puntual

Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base
de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de
cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el
colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de
ah el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su
da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las
puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a
su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unin bipolar

El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un
monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de
semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como

el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas,
dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de
aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al Indio(In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As)
o Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al
colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el
colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas
contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin
gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.

Transistor de efecto de campo [editar]

El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo
en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los
terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N
y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le
llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor
y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente
de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos
tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en
funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se

asla del canal mediante un dielctrico.

Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xidoSemiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal
semiconductor por una capa de xido.

Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la
de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz
incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede
trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).

Construccion del transistor

Editar 0 2
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de dos capas de
material tipo n y una de tipo p o dos capas de material tipo p y una de tipo n. El primero se
denomina transistor npn, en tanto que el ltimo recibe el nombre de transistor pnp. Ambos se
muestran en la figura con la polarizacin de cd adecuada. En el captulo encontraremos que la
polarizacin de cd es necesaria para establecer una regin de operacin apropiada para la
amplificacin de ca. Las capas exteriores del transistor son materiales semiconductores con
altos niveles de dopado, y que tienen anchos mucho mayores que los correspondientes al
material emparedado de tipo p o n. En los transistores que se muestran en la figura, la relacin
entre el ancho total y el de la capa central es de 0.150/0.001 = 150:1. El dopado de la capa
emparedada es tambin considerablemente menor que el de las capas exteriores (por lo
general de 10:1 o menos). Este menor nivel de dopado reduce la conductividad (incrementa la
resistencia) de este material al limitar el nmero de portadores "libres".
En la polarizacin que se muestra en la figura, las terminales se han indicado mediante letras
maysculas, E para el emisor, C para el colector y B para la base. Una justificacin respecto a
la eleccin de esta notacin se presentar cuando estudiemos la operacin bsica del
transistor. La abreviatura BJT (bipolar junction transistor = transistor de unin bipolar) se aplica
a menudo a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de que los
electrones y los huecos participan en el proceso de inyeccin en el material polarizado
opuestamente. Si slo uno de los portadores se emplea (electrn o hueco), se considera que el
dispositivo es unipolar.

2. Fabricacin de transistores
En la fabricacin de transistores, la tcnica planar (su nombre se debe
a que todas las
operaciones tienen lugar sobre el mismo plano del cristal que sirve de
soporte), se
basa en la utilizacin de una plaquita de silicio, tipo P o N, que
constituir el colector.
El proceso ser tal y como sigue:
- Por uno de los lados de la plaquita se deposita una capa de xido de
silicio,
practicndose mediante tcnicas fotoqumicas una abertura o
ventana.
- A travs de la abertura practicada, se difunde el material donador o
aceptor,
formndose la base del transistor.
- A continuacin, se procede a una nueva deposicin de xido de
silicio, sobre la
cual, mediante la misma tcnica (tcnica fotoqumica), se practica
una ventana menor
que la anterior, en la cual se difundir el emisor.

- Una vez completadas las operaciones de difusin (de base y

emisor), la ventana
practicada se recubre con una nueva capa de xido de silicio, sobre la
que se
practicarn nuevas ventanas para la colocacin de los contactos de
emisor y de base.
El colector se conecta a la parte inferior del cristal.
- Por ltimo, todo el conjunto se vuelve a recubrir con una capa de
xido de silicio,
que protege al dispositivo contra los agentes externos.
La figura, que a continuacin se muestra, ensea el proceso de
fabricacin de un
transistor planar hasta que se han formado el colector, la base y el
emisor.
3.1- Fabricacin de Transistores
Una vez preparada la oblea, el sustrato tipo p, se crece una capa epitaxial tipo n, tal
como se ve en la Figura 1. Esta capa forma las regiones de colector de los transistores.
Seguidamente se deposita una capa de oxido para cubrir la superficie. Ahora deben
aislarse entre s las regiones de ambos transistores. Para ello se forman tres ventanas en
el SiO2 mediante fotolitografa y corrosin. Se difunde una regin p+ en la capa
epitaxial expuesta hasta que alcance el sustrato. Este proceso establece una isla aislada
alrededor de cada transistor como se ve en la figura 3.1. El aislamiento elctrico se
consigue conectando el sustrato a la tensin ms negativa del circuito. Con esto se
garantiza que la unin pn entre los colectores y el sustrato permanezca con dolarizacin
inversa. Una vez completada la difusin de aislamiento se recubre nuevamente la oblea
con una capa de SiO2. Con una nueva mascara se forman las ventanas en las que se
difunden las bases de tipo p como se ve en la figura 3.1(d), quedando definidas las
regiones de las bases en la vista de la figura 3.1(e). Se recrece una capa de SiO2 para
cubrir la oblea despus de la difusin de la base. Con una tercera mascara y un proceso
de corrosin se elimina el SiO2 como preparacin para la difusin superficial de emisor
figura 3.1(f). Obsrvese que tambin se difunde una regin n+ en la regin de colector
de cada transistor. Aqu se hace el contacto en el aluminio del colector, y la zona n+
contribuye a formar un buen contacto hmico. Despus de la difusin de colector se
crece otra capa de SiO2 sobre la superficie de la oblea. El ultimo paso del proceso es la
mentalizacin. La capa de oxido se graba con una cuarta mascara para descubrir la
oblea all donde se deseen los contactos. Para recubrir toda la superficie se vaporiza
aluminio, cuyos sobrantes se eliminan qumicamente con una 6a mascara dejando los
contactos y las conexiones deseadas.
3.2- Capa Enterrada

La fabricacin del BJT indicada en la figura 3.1 casi siempre se modifica aadiendo un
nuevo paso al proceso como en la figura 3.2. Las dos regiones n+ conocidas como capa
enterrada, entre las capas n y p se depositan antes del crecimiento epitaxial. Recurdese
que con el smbolo n+ se designa una regin n con mayor concentracin de dopado que
otra designada simplemente como de tipo n. La utilizacin de las regiones n+ cumple dos
funciones: (1) mejora la formacin de la capa epitaxial; (2) la mayor densidad de
electrones en la capa n+ reduce la resistencia en serie entre la unin de colector y el
terminal del propio colector.
3.3- Fabricacin del TR pnp
Las resistencias de colector se logran utilizando un par de transistores pnp en
configuracin de fuente de corriente. Las dos clases de tales transistores mas
corrientemente empleados son el pnp lateral y el pnp vertical. En la figura 3.2 puede
apreciarse que la base, el colector y la regin aislada forman un transistor pnp parsito.
El termino lateral se refiere al hecho de que los tres elementos estn ubicados en un
plano horizontal contrariamente al plano vertical de los transistores npn. Anlogamente
un dispositivo pnp vertical parsito se forma por la base y el colector del transistor npn
y el sustrato del tipo p. Estas observaciones conducen a la fabricacin de los tipos de
transistores pnp empleados en circuitos integrados. El pnp lateral, cuya seccin
transversal es el de la figura 3.3 se forma implantando las regiones tipo p de emisor y de
colector al mismo tiempo que se fabrican las bases de dispositivos npn. Asimismo se
forman simultneamente el contacto n+ de base del transistor pnp y los emisores n+ del
BJT npn. As vemos que tanto los transistores npn como los pnp se fabrican segn las
mismas secuencias del proceso. Todo lo que se necesitan para el pnp son ventanas
adicionales en las mascaras. El transistor lateral pnp tiene un valor de F
considerablemente menor que el del npn. Esto es debido a que el emisor de tipo p no
puede inyectar portadores minoritarios en la base tipo n con la misma eficacia que lo
hace el emisor tipo n+ en la base tipo p de un BJT npn. Adems la mayor rea de la base
y el hecho de que algunos de los huecos inyectados migren hacia el sustrato hace que
disminuya el numero de huecos que llegan al colector. Por tanto los transistores pnp
laterales se emplean en circuitos con poca corriente de colector. El transistor pnp
vertical se emplea donde se requieran mayores corrientes y potencias. En la figura 3.4
esta representado este dispositivo y en ella se ve que tambin puede fabricarse
simultneamente y con los mismos procesos empleados para los transistores npn. Los
dos pasos simultneos son: (1) la fabricacin de las regiones p de emisor del transistor
pnp y las bases de los npn. y (2) la fabricacin de la regin n+ de base del sustrato pnp y
los emisores de los transistores npn.
El sustrato debe conectarse a la tensin ms negativa del circuito. Por tanto un transistor
pnp vertical solo se puede utilizar si su colector esta a una tensin negativa fijada. A esta
configuracin se le denomina seguidor de emisor y ser comentada mas adelante.
3.3.1- Transistor Parsito

Cuando se usa el transistor bsico como diodo aparece un transistor parsito cuyo
colector es el sustrato, la capa epitaxial es la base y la base tipo p es el emisor. En la
figura 3.5(a) se muestra el circuito equivalente de este transistor parsito. Aunque su
estructura hace que sea un dispositivo muy ineficaz.

Fabricacin de Transistores

Los transistores suelen construirse de Ge o de Si segn la tcnica

usada. Los transistores de aleacin prcticamente se usan slo con el
Ge, debido en gran parte a su temperatura de fusin mucho ms baja
que la del Si.
Transistores de aleacin

Por este procedimiento se puede realizar transistores PNP de Ge de

pequea y mediana potencia (hasta 150 W). Normalmente se parte de
discos de Ge monocristalino tipo N. Se coloca en un molde de grafito,
a la vez que se introducen dos bolitas del componente de la aleacin
que se quiere formar (para este caso In). La de mayor tamao se coloca
en la cara destinada al colector y la ms pequea para el emisor. El
conjunto se introduce en un horno con una atmsfera neutra o
ligeramente reductora y se realiza el proceso de vuelco. A una
temperatura de 600 C se forma una aleacin eutctica de In-Ge que
contiene el 24% de Ge, una vez girado el molde 90C. A continuacin
se gira dicho molde 180 C para la formacin del emisor. Los tiempos
de permanencia en cada fase determinan la profundidad de las uniones
base-emisor y base-colector.
Las aplicaciones ms importantes de estos transistores son para baja
frecuencia y conmutacin media de baja potencia, as como para usos
generales que no exijan rendimientos elevados.

Existe una variante para seales dbiles que son las de aleacin difusa.
Estos son bsicamente iguales a los de aleacin, pero haciendo que el
emisor forme en una aleacin de In como Ge tipo N fuertemente
dopado como muestra la figura de la izquierda. Esto es debido a que

entre las dos capas de conductividades diferentes, existe un campo

acelerado, disminuyendo el tiempo de trnsito.
Transistores por difusin. Tcnica Mesa

Sobre una oblea de Ge tipo P o Si tipo N, que constituye el colector, se

difunde arsnico o boro segn se trate de Ge o Si respectivamente. El
emisor se obtiene por difusin (a veces aleacin) de Indio para el Ge o
de Fsforo para el Si. Se metalizan las conexiones y se fijan los
terminales por termocompresin. Como se ha podido observar, se
obtienen transistores PNP de Ge y NPN de Si.
La tcnica mesa reduce las superficies de unin colector-base,
eliminando en gran parte la capacidad parsita asociada a esta unin
(ya que normalmente est polarizado en inversa). Tambin permite
obtener un reducido espesor de base, con lo que se llega a frecuencias
de corte de 500 Mhz. Adems de estas caractersticas, podemos resear
la elevada superficie de colector, con lo que sus aplicaciones se pueden
enfocar hacia transistores de Radiofrecuencia (RF) de potencia.
Algunos variantes ms perfeccionados con mtodos epitaxiales se usan
para VHF y en general para conmutacin rpida.
Transistores planares

El nombre de planar se debe a que la superficie de la pastilla

permanece plana, es decir, no presenta irregularidades geomtricas
como los transistores de aleacin, mesa, etc.
El proceso comienza por la obtencin de mscaras de una escala 500:1
aproximadamente, para luego reducirse a tamao natural mediante
fotolitografa. Estas mscaras van a determinar las zonas donde se han
de hacer las difusiones correspondientes a cada parte del transistor,
incluidas las metalizaciones. Hay que decir que las mscaras definitivas
que se aplicarn a las obleas de Si, estn constituidas por una
multiplicidad de mscaras elementales correspondientes a un solo
transistor. Es decir, que se fabrican unos 4000 transistores a la vez en la
misma oblea y a continuacin se separan para su encapsulacin.
El proceso de fabricacin se va a explicar respecto a un transistor
aislado, aunque como ya se ha dicho no sea fiel reflejo de la realidad.

Se parte de un disco de Si tipo N, poco dopado (alta resistividad). Se

procede a una oxidacin global en un horno a 1200 C. A continuacin
se recubre la cara superior con una resina fotosensible, para despus
colocarle la mscara correspondiente e iluminarla, generalmente con
luz actnica. Se ataca el disco mediante fluoruro amnico y fluorhdrico
para eliminar la resina polimerizada y el xido, donde se ha de hacer la
difusin a una temperatura de 1200 C y se realiza una difusin de B en
forma de vapor, obtenindose la base tipo P. Se introduce vapor de
agua en el horno y se forma nuevamente SiO 2 para proteger la zona
difundida. Para la formacin del emisor se procede de la misma forma
que para la base, con su mscara correspondiente y con una difusin
tipo N con Fsforo o Arsnico. La pureza de la oblea inicial es muy
importante, pues las dos difusiones posteriores (la de base tipo P y la de
emisor tipo N) tienen que contrarrestar las impurezas que hubiera,
disminuyendo por consiguiente la resistividad del material, y no se
puede admitir un emisor con una resistividad demasiado baja. Para
terminar, se procede a la metalizacin mediante la apertura de ventanas
de forma anloga a la formacin de la base y el emisor. Por ltimo, se
sueldan los terminales dummets de la base y el emisor por
termocompresin, mientras que el colector suele ir conectada a la
cpsula para obtener una mejor disipacin trmica.
Existe una variante de esta tcnica denominada planar-epitaxial. Esta se
diferencia de aquella en que se parte de una oblea de Si fuertemente
dopado (menos puro) llamado sustrato, sobre la cual se hace crecer una
capa epitaxial tipo N de elevada resistividad. A partir de aqu, el
proceso es idntico al planar. Con esta tcnica se obtiene la ventaja de
que la tensin inversa mxima que puede soportar la unin basecolector, es elevada gracias a la gran resistividad de la capa epitaxial,
pero permite, a diferencia de la tcnica planar, que la tensin de
saturacin sea pequea gracias a la baja resistividad del sustrato,
mejorando los tiempos de conmutacin y la potencia til respecto a los
planares. Las aplicaciones de los transistores planares, son
innumerables, como principales podemos citar transistores de seales
fuerte o de potencia y VHF para los planares-epitaxiales, as como para
conmutaciones rpidas.

Cuando se requieren transistores de potencia para alta frecuencia, se

suele aumentar la longitud de difusin del emisor adoptando
estructuras interdigitadas en forma de cruz o peines como puede
observarse en la figura de la derecha. Esto es debido a la elevada
concentracin de portadores sobre los bordes del emisor, por las
elevadas densidades de corriente que ha de soportar.
Los transistores de efecto campo, tambin se fabrican mediante la
tcnica planar-epitaxial, slo que mediante un proceso distinto.

APLICACIONES

2. AMPLIFICADORES MULTI-ETAPAS
En muchos casos, no es suficiente un solo circuito amplificador para un
requerimiento de tensin, corriente y potencia pedido, y por lo tanto, se hace
necesario colocar varios amplificadores en cascada. Esto es, que la salida de un
amplificador sirve para excitar al siguiente.

3 AMPLIFICADORES DE POTENCIA
En un sistema de amplificacin que entrega una cantidad considerable de
potencia, las ganancias de voltaje y corriente son importantes en el sistema pre
amplificador. En la etapa de salida se necesita una buena ganancia en Potencia.

4. AMPLIFICADORES DE VIDEO
El amplificador de acople RC tiene un ancho de banda aceptable. Sin embargo, el
desarrollo de algunos campos de la electrnica tales como sistemas de radar, y
televisin involucran la necesidad de amplificadores con ganancia relativamente
constante hasta algunos megaciclos.

5. AMPLIFICADORES SINTONIZADOS
En muchas aplicaciones, tales como receptores, transmisores, etc, se emplean
amplificadores de banda estrecha que utilizan circuitos resonantes. Tales
amplificadores se denominan amplificadores sintonizados.

13.- EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR.

14.- EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR.
La polarizacin de base es muy til en los circuitos digitales, la razn
es que, por
lo general, estos circuitos se disean para funcionar en las regiones
de saturacin y
corte. Por ello, se va a obtener a la salida una tensin prxima a la de
alimentacin
(valor alto de tensin) y tambin prxima a cero (valor bajo de
tensin). Dicho de otra
manera, no se emplea ningn punto Q que no est situado en la
regin de saturacin o
corte, por lo que la estabilidad de dicho punto pasa a un segundo
plano.