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Tese de Doutorado
Tese
apresentada
Faculdade
de
Ilha Solteira SP
Janeiro/2010
minha famlia.
Agradecimentos
Meus agradecimentos:
Resumo
A tcnica da impedncia eletromecnica (E/M) tem sido amplamente pesquisada para o
desenvolvimento de sistemas de SHM (Structural Health Monitoring monitoramento de
integridade estrutural) em diversas aplicaes. Embora existam muitos trabalhos que
indiquem a eficincia e a viabilidade dessa tcnica, alguns problemas prticos em aplicaes
reais ainda precisam ser investigados. A medio da impedncia eltrica, etapa bsica da
tcnica, geralmente realizada por instrumentos comerciais volumosos, pesados e de alto
custo, caractersticas proibitivas para muitas aplicaes. A seleo da faixa de frequncia em
que a impedncia deve ser medida para assegurar boa sensibilidade ao dano feita por
mtodos de tentativa e erro ou por metodologias que utilizam dados medidos em uma
quantidade considervel de testes. Alm disso, o dimensionamento dos transdutores feito
sem um embasamento terico, independentemente das caractersticas da estrutura monitorada.
Neste trabalho proposto um sistema de medio de impedncia eltrica rpido, verstil e de
baixo custo que substitui com eficincia os instrumentos comerciais. A partir de um circuito
eletromecnico equivalente, o efeito de carregamento do transdutor devido estrutura
monitorada foi analisado. A anlise do efeito de carregamento permite dimensionar
corretamente o transdutor de acordo com a estrutura monitorada e assegurar um bom
desempenho do sistema. O circuito eletromecnico tambm foi utilizado para determinar,
teoricamente, as faixas de frequncia em que o transdutor tem boa sensibilidade e auxiliar na
seleo da faixa de frequncia adequada para a deteco de danos estruturais. Todas as
metodologias propostas foram verificadas atravs de experimentos em estruturas de alumnio
e houve uma boa concordncia entre os resultados tericos e experimentais.
Palavras-chaves: SHM, transdutores piezeltricos, PZT, impedncia eletromecnica,
medio de impedncia, efeito de carregamento, seleo da faixa de frequncia.
Abstract
The electromechanical (E/M) impedance technique has been widely studied for the
development of Structural Health Monitoring (SHM) systems in various applications.
Although there are many studies indicating the effectiveness and feasibility of this technique,
some practical issues in real applications yet should be investigated. The electrical impedance
measurement, basic stage of the technique, is usually performed by bulky, heavy and
expensive instruments; these features are prohibitive for many applications. The selection of
the frequency range in which the electrical impedance must be measured to ensure good
sensitivity for damage detection is performed by trial and error methods or by methodologies
that use measured data in a considerable amount of tests. Furthermore, the design of the
transducer is done without theoretical basis, regardless the characteristics of the host structure.
In this work, a fast, versatile and low-cost electrical impedance measurement system was
developed; the proposed system successfully replaces the conventional instruments. From an
equivalent electromechanical circuit, the transducer loading effect due to the host structure
was analyzed. The analysis of the loading effect allows the correct design of the transducer
according to the host structure for ensure a good performance of the system. The
electromechanical circuit was also used to theoretically determine the frequency ranges in
which the transducer has good sensitivity and assist in the selection of the suitable frequency
range for structural damage detection. All proposed methodologies were validated by
experimental tests on aluminum structures and there was a good match between the
theoretical and practical results.
Keywords: SHM, piezoelectric transducers, PZT, electromechanical impedance, impedance
measurement, loading effect, frequency range selection.
Lista de Figuras
1.1.
1.2.
1.3.
Sistema de coordenadas utilizado para indicar o sentido de elongao e toro do material. .....19
1.4.
1.5.
1.6.
Exemplos de cermicas de PZT produzidas pela Piezo Systems. Imagens retiradas do site
http://www.piezo.com. .................................................................................................................25
1.7.
1.8.
2.1.
Circuito sugerido por Peairs, Park e Inman (2002, 2004) para a estimao da impedncia do
transdutor......................................................................................................................................31
2.2.
2.3.
2.4.
2.5.
2.6.
2.7.
2.8.
2.9.
2.10. Alteraes na resistncia do transdutor causadas por danos estruturais a uma distncia de 50,
200 e 400 mm do transdutor e detectadas com o mtodo proposto. ............................................46
3.1.
3.2.
3.3.
3.4.
3.5.
3.6.
Excurses na impedncia eltrica do transdutor que um mesmo grau de dano causa para
estruturas de diferentes tamanhos. ...............................................................................................62
3.7.
3.8.
3.9.
ndices RMSD obtidos usando-se (a) o valor absoluto, (b) a parte imaginria e (c) a parte real da
impedncia. ..................................................................................................................................67
3.10. ndices CCDM obtidos usando-se (a) o valor absoluto, (b) a parte imaginria e (c) a parte real da
impedncia. ..................................................................................................................................68
3.11. Estrutura 6, a cermica de PZT e os dois tipos de dano avaliados...............................................69
3.12. ndices (a) RMSD e (b) CCDM obtidos para a estrutura 6 com diferentes graus de dano. .........70
3.13. Variao do ndice RMSD em funo da relao Z S / ZT ............................................................70
3.14. Variao do ndice RMSD em funo da amplitude do sinal de excitao. ................................71
4.1.
4.2.
4.3.
4.4.
Lista de Tabelas
2.1. ndices RMSD para a barra com vrias condies de dano ...........................................................46
Uma dimenso
CAD
Conversor Analgico-Digital
CCDM
CDA
Conversor Digital-Analgico
DAQ
DSP
DFT
E/M
Eletromecnica
FPGA
FFT
FRF
GPIB
PC
PZT
RMSD
SHM
USB
Lista de Smbolos
SMBOLO
DESCRIO
UNIDADE
Deslocamento
Velocidade de onda
N / m
Rigidez
N / m
m / N
s
G
F, F
U
I
G
E, E
G
D, D
m
m/s
Adimensional
Fora e mdulo
Tenso eltrica
Corrente eltrica
V /m
C / m
Permissividade dieltrica
F /m
d m , d m
Constantes piezeltricas
m /V
ZE
ZTA
N s / m
ZT
N s / m
ZS
N s / m
Z n,h
Z n,d
RS
Resistor Srie
x(t)
x(n)
y(t)
y(n)
Frequncia
Hz
FS
Frequncia angular
Taxa de amostragem
S/s
Nmero de amostras
Adimensional
Amostra
Adimensional
Perodo de amostragem
rad / s
X[k]
Adimensional
Y[k]
Adimensional
SMBOLO
H[K]
DESCRIO
UNIDADE
Adimensional
Estimadores da FRF
Adimensional
Sxx , Syy
Autoespectro de potncia
Adimensional
Sxy , Syx
Adimensional
Cxy
Adimensional
Z in
CP
RP
Dimenso do transdutor
Espessura do transdutor
AS
AE
AT
C / m
Densidade de corrente
A / m
kg / m
kg / m
Carga eltrica
Nmero de onda
H1 , H 2 , H 3
C0
Sensibilidade do transdutor
C
rad / m
F
Np (Neper)
Adimensional
Sumrio
1 Introduo ............................................................................................................................ 14
1.1 Sistemas de SHM ............................................................................................................... 14
1.2 Fundamentos de Piezeletricidade ....................................................................................... 16
1.2.1 Deformao Mecnica e Tenso Mecnica ..................................................................... 16
1.2.2 O Efeito Piezeltrico........................................................................................................ 19
1.2.3 Materiais e Transdutores Piezeltricos ............................................................................ 22
1.3 Tcnica da Impedncia E/M ............................................................................................... 25
1.4 Contribuies deste Trabalho ............................................................................................. 29
2 Sistema de Medio de Impedncia ................................................................................... 31
2.1 Introduo ........................................................................................................................... 31
2.2 Metodologia Proposta ......................................................................................................... 33
2.3 Procedimento Experimental ............................................................................................... 42
2.4 Resultados e Discusso....................................................................................................... 43
2.4.1 Circuito RC ...................................................................................................................... 43
2.4.2 Transdutor de PZT ........................................................................................................... 44
2.5 Concluso ........................................................................................................................... 47
3 Efeito de Carregamento do Transdutor ............................................................................ 48
3.1 Introduo ........................................................................................................................... 48
3.2 Circuito Eletromecnico Equivalente Proposto.................................................................. 49
3.2.1 Anlise Terica ................................................................................................................ 50
3.2.2 Circuito Equivalente ........................................................................................................ 56
3.3 Anlise do Efeito de Carregamento do Transdutor Baseada no Modelo Proposto ............ 59
3.4 Procedimento Experimental ............................................................................................... 63
3.5 Resultados e Discusso....................................................................................................... 64
3.6 Concluso ........................................................................................................................... 71
4 Seleo da Faixa de Frequncia Para Sensibilidade tima do Transdutor................... 73
4.1 Introduo ........................................................................................................................... 73
4.2 Sensibilidade do Transdutor ............................................................................................... 74
4.3 Procedimento Experimental ............................................................................................... 78
4.4 Resultados e Discusso....................................................................................................... 79
4.5 Concluso ........................................................................................................................... 81
5 Consideraes Finais e Trabalhos Futuros ....................................................................... 83
Referncias .............................................................................................................................. 86
Apndice A .............................................................................................................................. 91
14
Captulo 1
Introduo
Neste captulo faz-se uma introduo sucinta aos sistemas de monitoramento de
integridade estrutural, tambm conhecidos como SHM (Structural Health Monitoring). Entre
as vrias tcnicas empregadas nesses sistemas, neste trabalho estudada a baseada na
impedncia eletromecnica (E/M), que se destaca por sua simplicidade e por utilizar
componentes de baixo custo, tais como os transdutores piezeltricos de PZT (Pb-Lead
Captulo 1. Introduo
15
Captulo 1. Introduo
16
Figura 1.1. Representao do alongamento de um barbante elstico utilizada para definir a deformao
mecnica, ou strain.
Captulo 1. Introduo
17
G
o ponto M de posio x e o ponto N de posio x + x considerada. Aps a fora F ser
aplicada em sua extremidade livre, o ponto M sofre um deslocamento u(x) e o ponto N tem
um deslocamento de u(x + x) , movendo-se para as posies M' e N' , respectivamente. A
deformao mecnica definida como o limite do alongamento relativo da poro MN de
comprimento inicial x no limite x 0 . Logo,
u(x + x) u(x) du
S = lim
= dx
x 0
x
(1.1)
1 u u j
Sij = i +
2 x j xi
(1.2)
F
Tij = lim i
Aj 0 A j
(1.3)
Captulo 1. Introduo
18
Figura 1.2. Ao de uma fora externa em um elemento diferencial de volume de um slido deformado.
(1.4)
Sij = sijklTkl
(1.5)
sendo sijkl [m/N] um tensor de quarta ordem que representa as constantes elsticas do
material, tambm conhecidas como constantes de compliance.
Como os tensores de tenso e deformao mecnica so simtricos, as seguintes
simplificaes podem ser feitas nos pares de ndices (ij) e (k l ): (11) 1, (22) 2, (33) 3,
(23) = (32) 4, (31) = (13) 5 e (12) = (21) 6. Logo, os tensores de tenso e
deformao tm o nmero de elementos reduzido de 9 para 6 e o tensor de compliance de 81
para 36, como segue
S = s T
para , = 1, 2, ..., 6.
(1.6)
Captulo 1. Introduo
19
Figura 1.3. Sistema de coordenadas utilizado para indicar o sentido de elongao e toro do material.
Captulo 1. Introduo
20
Figura 1.4. Representao de um capacitor plano de placas paralelas utilizado para determinar as relaes
constitutivas de um material piezeltrico.
S = s T
(1.6)
G
A diferena de potencial cria um campo eltrico Ek [V/m], para k = 1, 2, 3, e pode-se
obter
G
G
Dm = mk Ek
(1.7)
G
sendo Dm [C/m], para m = 1, 2, 3, o vetor de deslocamento eltrico e mk [F/m] o tensor de
T , H ,
T ,
Dm = d mH, T + mk
Ek + mmk
H k + pmT , H d
(1.8)
E , H ,
S = s
T + d Hm, Em + d Em, H m + E , H d
(1.9)
Captulo 1. Introduo
21
T
Dm = d m T + mk
Ek
(1.10)
E
S = s
T + d m Em
(1.11)
[ D] = [d ][T ] + [ T ][ E ]
(1.12)
[ S ] = [ s E ][T ] + [d ]T [ E ]
(1.13)
Captulo 1. Introduo
22
Figura 1.5. Processo de fabricao das cermicas piezeltricas atravs do (a) aquecimento em alta
temperatura, (b) da aplicao de um campo eltrico intenso e (c) orientao final dos dipolos. Figura adaptada
do catlogo Piezoelectric Ceramic Sensors (PIEZOTITE) da Murata Manufacturing.
Captulo 1. Introduo
23
s11
-s12
s
[ s E ] = 12
0
0
s12
s13
-s11
s13
s12
s33
s44
s44
0
0
0
[d ] = 0
0
0
d
31 d31 d33
2( s11 s12 )
(1.14)
0
0
(1.15)
0
d15
d15
0
0
11 0
[ ] = 0 11 0
0
0 33
(1.16)
a) Vibrao shear
D1 = d15T5 + 11E1
(1.17)
D2 = d15T4 + 11 E2
(1.18)
Captulo 1. Introduo
24
S 4 = s44T4 + d15 E2
(1.19)
S5 = s44T5 + d15 E3
(1.20)
(1.21)
(1.22)
(1.23)
c) Vibrao transversal
(1.24)
(1.25)
Como listado acima, h trs modos de vibrao, tanto para o efeito piezeltrico direto
como para o reverso. O modo longitudinal recebe esse nome porque a deformao mais
significativa na espessura do material e ocorre quando, no caso do efeito reverso, a
deformao produzida no material est na mesma direo do campo eltrico aplicado ou, no
caso do efeito direto, o deslocamento eltrico est na mesma direo da tenso mecnica. O
modo shear est relacionado com a toro do material em torno do eixo x ou y. Finalmente,
no modo transversal, a direo do campo eltrico ou deslocamento eltrico ortogonal
direo da tenso mecnica ou da deformao mecnica. Nota-se que no efeito piezeltrico
direto no possvel desassociar o modo longitudinal do modo transversal.
Geralmente, os transdutores piezeltricos utilizados na deteco de danos estruturais so
constitudos por pequenas placas delgadas de cermicas de PZT revestidas, em ambas as
faces, por um filme metlico que serve como eletrodo. Exemplos de transdutores desse tipo
Captulo 1. Introduo
25
Figura 1.6. Exemplos de cermicas de PZT produzidas pela Piezo Systems. Imagens retiradas do site
http://www.piezo.com.
Captulo 1. Introduo
26
Figura 1.7. Transdutor de PZT e a estrutura monitorada representados por um modelo eletromecnico do tipo
massa-mola.
E
U
1 T
Z ( )
Z E ( ) = =
d32x Yl xx
33
I
j a
Z ( ) + Z a ( )
(1.26)
Captulo 1. Introduo
27
Figura 1.8. Comparao entre as resistncias eltricas de um transdutor de PZT livre e colado na estrutura.
Com o transdutor colado na estrutura, sua impedncia eltrica (mdulo, parte real ou
parte imaginria) passa a apresentar picos correspondentes s frequncias naturais da
estrutura. So as alteraes nesses picos que devem ser analisadas para a identificao de um
possvel dano estrutural. A identificao do dano feita comparando-se a impedncia eltrica
do transdutor medida com a estrutura em uma condio inicial, considerada ntegra, com a
impedncia medida aps a estrutura ter sofrido um possvel dano. Essa comparao
realizada por meio de ndices de falha mtrica. Os ndices mais usados na literatura so o
desvio da raiz mdia quadrtica, RMSD (Root Mean Square Deviation), e a mtrica do desvio
do coeficiente de correlao, CCDM (Correlation Coefficient Deviation Metric).
O ndice RMSD baseado na norma euclidiana (GIURGIUTIU; ROGERS, 1998).
Captulo 1. Introduo
28
Algumas modificaes nesse ndice foram sugeridas por vrios pesquisadores, sendo um dos
mais utilizados calculado por
( Z n,d Z n,h )
Z n,h 2
RMSD =
(1.27)
sendo Z n,h a impedncia eltrica do transdutor com a estrutura ntegra e Z n,d a impedncia
aps a ocorrncia de um possvel dano, ambas medidas na frequncia n ; N o nmero total
de amostras.
J o ndice CCDM obtido por (MARQUI et al., 2008)
CCDM = 1
( Z n,h Z h )( Z n,d Z d )
n
( Z n,h Z h ) ( Z n,d Z d )
2
(1.28)
2
Zh =
Zd =
1
N
1
N
Z n,h
(1.29)
Z n,d
(1.30)
Em (1.27) a (1.30), Z n,h e Z n,d podem ser tanto o mdulo da impedncia eltrica do
transdutor como a parte real (resistncia) ou imaginria (reatncia). Embora alguns
pesquisadores recomendem o uso da parte real (BHALLA; NAIDU; SOH, 2003, SUN et al.,
1995), ainda no h um consenso na literatura de qual componente da impedncia mais
adequada. Os ndices RMSD e CCDM devem ser calculados em uma faixa de frequncia que
Captulo 1. Introduo
29
contenha as frequncias naturais da estrutura mais sensveis ao dano e garanta uma boa
repetitividade entre as medidas. Alm disso, as frequncias dessa faixa devem ser altas o
suficiente para que estas tenham um comprimento de onda menor do que o tamanho do dano
que se deseja detectar (STOKES; CLOUDS, 1993). Frequncias elevadas, entretanto, limitam
a regio de sensibilidade do transdutor (PARK et al., 2003), mas podem ser vantajosas para a
localizao de dano em sistemas que utilizam rede de transdutores.
Captulo 1. Introduo
30
31
Captulo 2
Sistema de Medio de Impedncia
Neste captulo sugerido um sistema de baixo custo, simples e preciso para a medio
da impedncia eltrica de transdutores de PZT em sistemas de SHM baseados na tcnica da
impedncia E/M. Para verificar a eficincia e preciso da nova metodologia, alguns
experimentos foram realizados e os resultados foram comparados com os obtidos usando um
analisador de impedncia comercial.
2.1 Introduo
Embora a tcnica da impedncia E/M seja simples e utilize transdutores de baixo custo e
compactos, a maioria das universidades e centros de pesquisa utiliza instrumentos comerciais
(tais como o HP4192A, HP4194A da Hewlett-Packard) para a medio da impedncia
eltrica. Apesar de serem precisos, esses instrumentos so pesados, volumosos, tm muitas
funes no necessrias para aplicaes em SHM e possuem um elevado custo, muitas vezes
proibitivo. Esses fatores certamente limitam o uso da tcnica em larga escala, como em
aplicaes industriais e em campo, ou por universidades com poucos recursos financeiros.
Muitos pesquisadores tm proposto novos sistemas para a medio da impedncia
eltrica em aplicaes em SHM. Um mtodo sugerido por Peairs, Park e Inman (2002, 2004)
utiliza um analisador de espectro e um circuito auxiliar simples e de baixo custo, como
apresentado na Figura 2.1. De acordo com os autores, se a resistncia R S considera
Figura 2.1. Circuito sugerido por Peairs, Park e Inman (2002, 2004) para a estimao da impedncia do
transdutor.
32
/V
,
pequena, a impedncia eltrica do transdutor dada aproximadamente por Z = R S V
i
o
o sinal de excitao e V
o sinal de resposta do transdutor. Para obter a impedncia
sendo V
i
o
33
34
discreta, respectivamente; da mesma forma, y(t) e y(n) representam as duas formas do sinal de
resposta do transdutor. O hardware do analisador de impedncia composto por um
dispositivo DAQ modelo USB-6211 de baixo custo da National Instruments, um resistor
simples e um PC. O software de controle e operao foi desenvolvido em LabVIEW. A
conexo entre o dispositivo e o PC feita atravs de uma porta USB (Universal Serial Bus),
proporcionando uma melhor versatilidade ao sistema.
O dispositivo DAQ multifuncional, isto , permite tanto a aquisio do sinal de
resposta y(t) atravs do CAD como tambm a gerao do sinal de excitao x(t) atravs do
CDA, ambos com resoluo de 16 bits. O CAD tem entrada diferencial que oferece uma boa
imunidade ao rudo e permite a aquisio de sinais de pequena amplitude. Isso evita o uso de
amplificadores no circuito auxiliar que podem limitar a largura de banda e afetar o
desempenho do sistema em altas frequncias.
A gerao do sinal de excitao feita por software e, alm de permitir a escolha entre
uma ampla variedade de sinais, evita que este precise ser reamostrado. Isso possvel porque
feita uma calibrao entre o padro do sinal gerado por software x(n) e o sinal x(t) que
realmente chega ao circuito auxiliar, que realizada como segue: antes de qualquer medio e
com todos os parmetros definidos, a sada do CDA e a entrada do CAD so conectadas e o
sinal de excitao amostrado uma nica vez e armazenado substituindo o padro gerado por
software. Esse procedimento reduz significativamente as discrepncias causadas pelo CDA.
Tambm, as discrepncias causadas pelo CAD em x(n) durante a calibrao e em y(n)
durante o processo normal de medio so compensadas durante o clculo da FRF, a qual
obtida pela diviso da DFT dos dois sinais.
Diversos sinais foram analisados: rudo branco uniforme, rudo branco gaussiano, rudo
pseudorrandmico peridico e chirp. Este ltimo ofereceu melhores resultados e todos os
resultados apresentados neste trabalho foram obtidos com ele. O sinal chirp faz uma varredura
desde uma frequncia inicial de baixo valor at uma frequncia final de valor mais alto, ou
vice-versa. A sequncia x[n] de um sinal chirp dada por
2
x[n] = A sen
F
S
( f f )
n 2 1 n + f1
2N
(2.1)
35
n2
x[nT ] = Asen
4N
(2.2)
N -1
X [k ] = x[n] e- j 2 kn / N
(2.3)
n =0
N -1
Y [k ] = y[n] e- j 2 kn / N
n =0
(2.4)
36
H [k ] =
Y [k ]
X [k ]
(2.5)
H 1[ k ] =
Sxy[k ]
Sxx[k ]
(2.6)
H 2 [k ] =
Syy[k ]
Syx[k ]
(2.7)
H 1[ k ] + H 2 [ k ]
2
(2.8)
H 3[k ] =
37
H 3 melhora os resultados das medies no caso de os dois sinais estarem contaminados por
rudo ou apresentarem flutuaes.
Testes experimentais no decorrer deste estudo indicaram que o clculo da FRF atravs
dos estimadores em (2.6) a (2.8) fornece resultados melhores do que a sua forma direta em
(2.5), mas no houve diferena significativa entre eles. O estimador H1 foi escolhido por ser
mais adequado aplicao, uma vez que o sinal de excitao x(n) no suscetvel ao rudo
porque gerado por software e todo o seu processamento feito diretamente na forma
discreta, no precisando ser reamostrado. evidente que a sua forma contnua x(t) pode sofrer
influncia de rudos, mas como a amplitude desse sinal relativamente elevada se comparada
ao sinal de resposta y(t), o impacto nos resultados desprezvel.
Para algumas aplicaes, a medio da impedncia realizando-se apenas um ciclo de
excitao/resposta pode no ser satisfatria. Assim, para obter uma FRF de alta qualidade
conveniente fazer uma mdia entre vrios ciclos de excitao/resposta. Neste caso, a FRF
mdia dada por
H [k ] =
Sxy[k ]
Sxx[k ]
(2.9)
(2.10)
(2.11)
sendo i, para i = 0, 1, 2, ..., m-1, o ciclo corrente (iterao) e m o nmero de ciclos desejados.
G
Para i=0, Sxy[k ](0) = Sxx[k ](0) = 0 . Os espectros de potncia em cada ciclo so dados por
(2.12)
38
(2.13)
C xy
1
=
N
N 1
Sxy[k ]
Sxx[k ] Syy[k ]
(2.14)
k =0
39
Z [k ] =
H [k ] RS ( r + Zin [k ])
(2.15)
+ j 2 kd f CP
Z in [k ] =
RP
(2.16)
40
gasto em cada iterao aproximadamente o mesmo tempo necessrio para a gerao do sinal
chirp definido anteriormente, ou seja, o produto NT. Logo, uma medio de impedncia com
m ciclos de excitao/resposta finalizada em mNT segundos. Apesar do nmero de amostras
ser relativamente elevado (65536), o tempo para computar a FFT muito pequeno (alguns
milissegundos) se comparado ao tempo de cada iterao e pode ser desprezado. Como pode
ser conferido na Seo 2.4, alm de reduzir o custo, a metodologia proposta permite a
medio de impedncia eltrica de forma muito rpida se comparada aos instrumentos
comerciais.
importante observar que no necessrio utilizar um filtro anti-aliasing no sistema de
medio, pois o sinal de excitao tem uma faixa de frequncia bem definida e o dispositivo
DAQ tem uma taxa de amostragem suficientemente alta se comparada s frequncias dos
principais rudos externos presentes em uma aplicao em SHM, que so as vibraes
mecnicas na faixa de udio. Entretanto, o uso de um filtro anti-aliasing pode ser necessrio
em aplicaes especficas ou para dispositivos DAQ com taxa de amostragem mais baixa.
41
42
Circuito RC srie.
Figura 2.6. Procedimento experimental para avaliao do sistema de medio. Medidas em milmetros.
43
clculo do ndice RMSD definido na Seo 1.3. Alm disso, a impedncia do transdutor foi
medida com o analisador de impedncia da HP e os resultados foram comparados com os
obtidos com o mtodo desenvolvido.
O dispositivo DAQ foi configurado de acordo os valores especificados na Seo 2.2 e
todas as medies foram realizadas sob uma temperatura em torno de 25 C.
Figura 2.7. Comparao entre os valores medidos e tericos da impedncia, resistncia e reatncia de um
circuito RC srie.
44
Figura 2.8. Impedncias do transdutor obtidas com o mtodo proposto e com o analisador HP 4192A e a
discrepncia entre as duas curvas. No detalhe, a ampliao indica a boa correlao entre as curvas.
45
determinadas frequncias. Essas variaes so causadas pela ressonncia que ocorre nas
frequncias naturais da estrutura. Para a deteco de danos estruturais, um analisador de
impedncia deve ser capaz de identificar com preciso as alteraes nas frequncias naturais.
Na Figura 2.9 apresentada somente a faixa de frequncia entre 35 e 45 kHz que permite uma
melhor comparao entre as medidas da impedncia, reatncia e resistncia obtidas com o
mtodo proposto e com o analisador comercial.
Figura 2.9. Comparao entre as curvas de impedncia, resistncia e reatncia do transdutor obtidas com o
mtodo proposto e com o analisador convencional em uma faixa estreita de frequncia.
Pode-se verificar que as formas das curvas obtidas com o mtodo proposto so muito
similares quelas obtidas com o analisador da HP. Tambm, como verificado na curva de
impedncia da Figura 2.8, os erros obtidos nas medidas da resistncia e da reatncia foram
pouco significativos, permanecendo abaixo de 5 %.
Na Figura 2.10 so apresentadas as medidas da resistncia eltrica do transdutor para a
barra na condio sem dano (baseline) e com as trs falhas a uma distncia de 50, 200 e 400
mm do transdutor, de acordo com o procedimento descrito na Seo 2.3. Dentro da faixa de
frequncia analisada, as frequncias naturais entre 35 e 42 kHz mostraram ser mais sensveis
ao dano e foram selecionadas. Os ndices RMSD entre o baseline e cada medida na condio
com dano foram calculados para essa faixa de frequncia.
46
Figura 2.10. Alteraes na resistncia do transdutor causadas por danos estruturais a uma distncia de 50, 200
e 400 mm do transdutor e detectadas com o mtodo proposto.
Tabela 2.1. ndices RMSD para a barra com vrias condies de dano
RMSD
Baseline*
0,0012
50
438,52
200
437,51
400
68,22
A configurao para esse ensaio foi a mesma para avaliar o circuito RC e a medio da
impedncia do conjunto transdutor-barra foi realizada com 50 ciclos de excitao/resposta
para compor a FRF mdia. O tempo total gasto para cada medio foi menos de quinze
segundos. Por outro lado, cada medio feita com o analisador de impedncia comercial na
mesma faixa e com mesmo passo de frequncia levou cerca de setenta minutos.
Evidentemente, o analisador HP 4192A um modelo antigo e existem outros instrumentos
mais rpidos no mercado. Entretanto, tais equipamentos tm um custo proibitivo para muitas
47
aplicaes.
2.5 Concluso
Neste captulo foi proposto um analisador de impedncia de baixo custo baseado na
plataforma LabVIEW que foi utilizado com sucesso nas demais etapas deste trabalho. Os
resultados mostram que o sistema proposto substitui com eficincia e a um custo mais baixo
os analisadores de impedncia comerciais utilizados pela maioria das universidades e centros
de pesquisa.
Embora neste trabalho tenha sido utilizado um dispositivo DAQ com taxa de
amostragem mxima de 250 kS/s, o que limita a medio de impedncia em at 125 kHz,
dispositivos com capacidade maior e ainda com custo reduzido podem ser utilizados para a
anlise de impedncia em frequncias mais altas sem a necessidade de alterar o software.
Espera-se que a nova metodologia possa auxiliar a pesquisa em sistemas de SHM
baseados na tcnica da impedncia E/M, bem como facilitar o acesso medio de
impedncia eltrica a partir de equipamentos mais simples.
48
Captulo 3
Efeito de Carregamento do Transdutor
As pesquisas sobre a tcnica da impedncia E/M, embora sejam vastas, so baseadas, na
maioria dos casos, em experimentos com estruturas simples, tais como barras estreitas e
delgadas de alumnio. Embora existam aplicaes em estruturas complexas, no h um estudo
conclusivo sobre a influncia da estrutura monitorada na sensibilidade do transdutor para
detectar danos. Neste captulo prope-se um circuito eletromecnico equivalente para analisar
o efeito de carregamento do transdutor que est relacionado com a dimenso da estrutura.
Foram realizados testes em estruturas com vrios tamanhos e os resultados indicam que o
efeito de carregamento reduz significativamente o desempenho do sistema para detectar
danos.
3.1 Introduo
Recentemente, muitos pesquisadores tm investigado como alguns problemas prticos
podem afetar o desempenho de um sistema de SHM baseado na impedncia E/M. Em (PARK
et al., 2006), foi sugerido um novo modelo eletromecnico para considerar a qualidade do
transdutor e o efeito da degradao da camada de cola entre o transdutor e a estrutura; uma
verso melhorada desse modelo foi proposta por Park et al. (2009). Os efeitos do
carregamento externo e da rigidez da estrutura foram analisados por Annamdas, Yang e Soh
(2007); os resultados indicaram que uma tenso mecnica aplicada na estrutura causa
alteraes na admitncia eltrica do transdutor e a susceptncia a componente mais sensvel
ao carregamento. Em (YANG; HU; LU, 2008), os autores analisaram a sensibilidade do
transdutor de PZT para detectar danos em estruturas de concreto; eles determinaram a regio
de sensibilidade do transdutor e concluram que a parte real da admitncia mais adequada do
que a parte imaginria para a deteco de danos e que a sensibilidade diminui medida que a
distncia do dano ao transdutor aumenta.
Um problema prtico que no tem sido considerado nas aplicaes da tcnica da
impedncia E/M o efeito de carregamento do transdutor de PZT devido ao meio de
49
propagao, isto , a estrutura monitorada. Esse efeito bem conhecido na literatura e tem
sido investigado, por exemplo, para transdutores piezeltricos carregados pelos seus suportes
e eletrodos ou por meios lquidos em que atuam (KOSSOFF, 1966, GOLL; AULD, 1975,
KENNY et al., 2006). Esses carregamentos so representados por impedncias em um circuito
eletromecnico equivalente.
O estudo apresentado neste captulo prope uma modificao em um circuito
eletromecnico equivalente para investigar o efeito de carregamento do transdutor de PZT
devido impedncia mecnica da estrutura, a qual proporcional rea de sua seo
transversal. Os resultados indicam que a sensibilidade do transdutor para detectar danos tem
uma significativa reduo quando a impedncia mecnica da estrutura monitorada se torna
elevada em relao impedncia mecnica do transdutor. A influncia do efeito de
carregamento sobre o desempenho do sistema foi confirmada para danos prximos e distantes
do transdutor e no depende da parte da impedncia eltrica utilizada para calcular os ndices
de falha mtrica.
Figura 3.1. Um transdutor de PZT colado em uma estrutura para a deteco de danos.
50
Na Figura 3.1, uma pastilha quadrada de cermica de PZT com lado A e espessura d
est colada em uma estrutura com rea de seo transversal AS e excitada por uma fonte de
tenso senoidal U = U m e jt atravs dos eletrodos superior e inferior, ambos com rea
superficial AE ; I a corrente resultante. Se a espessura da cermica muito pequena se
comparada espessura da estrutura, ento uma onda se propagando na estrutura com
velocidade va atinge o lado da cermica com coordenada xa e rea de seo transversal AT
causando a fora Fa . Da mesma forma, no lado com coordenada xb h uma fora Fb devido
a uma onda se propagando com velocidade vb . Na prxima seo, faz-se uma anlise terica
para determinar as relaes entre essas grandezas.
(3.1)
(3.2)
(3.3)
51
PZT expandem mais significativamente na direo x (1) e para uma suposio unidimensional
correto considerar T2 = S2 = 0. Consequentemente, as relaes constitutivas podem ser
simplificadas como
D3 = d31T1 + 33 E3
(3.4)
S1 = s11T1 + d31E3
(3.5)
A fonte de tenso eltrica faz com que aparea uma densidade de carga e nos
eletrodos e de acordo com a equao de Poisson
D3
= e
z
(3.6)
D3
Ie jt
= J (t ) =
AE
t
(3.7)
T1 em (3.5) e considerando-se a equao (1.2) da Seo 1.2.1 (para i=j), da qual a deformao
mecnica pode ser obtido a partir de um deslocamento u na direo de x, chega-se a
T1 =
d31
1 u x
D3
s11 x
s11 33
(3.8)
d31 D3
T1 1 u x
=
s11 33 t
t s11 x t
(3.9)
52
d31 Ie jt
T1 1 v
=
t s11 x
s11 33 AE
(3.10)
2v 1 2v
=
t 2 s11 x 2
(3.11)
(3.12)
k=
(3.13)
V=
1
s11 T
(3.14)
T1 =
d31 I
1
e jt dt
(m e jkx + n e jkx ) e jt dt
s11 x
s11 33 AE
(3.15)
T1 =
53
d31
k
I jt
e
(m e jkx n e jkx )e jt
j s11 33 AE
s11
(3.16)
ZTA =
k
s11
(3.17)
(apenas para
d31
s11 33
I
AE
(3.18)
As foras que agem em cada face do transdutor podem ser calculadas como
Fa = AT T1 ( xa )
(3.19)
Fb = AT T1 ( xb )
(3.20)
Fa = ZT (m e jkxa n e jkxa ) j
Fb = ZT (m e jkxb n e jkxb ) j
d31
AT
I
AE
(3.21)
d31
AT
I
AE
(3.22)
s11 33
s11 33
ZT = AT ZTA =
k
A
s11 T
(3.23)
54
T
s11
AT
(3.24)
va = v ( xa ) = m e jkxa + n e jkxa
(3.25)
vb = v ( xb ) = m e jkxb n e jkxb
(3.26)
va e jkxb + vb e jkxa
m=
2 jsen(k A)
(3.27)
va e jkxb + vb e jkxa
n=
2 jsen(k A)
(3.28)
va
vb
d31 AT
Fa = ZT
I
+
j
s11 33 AE
j tan(k A) jsen ( k A )
(3.29)
va
vb
d31 AT
Fb = ZT
I
+
j
s11 33 AE
jsen ( k A ) j tan(k A)
(3.30)
A intensidade de corrente I pode ser obtida a partir da carga eltrica Q dos eletrodos
55
I=
dQ
dt
(3.31)
Q = D3ds
(3.32)
D3 =
d31 u x
+ 33 E3
s11 x
(3.33)
Q = D3ds = 33 E3 AE +
S
d 31
A u ( xb ) u ( xa )
s11
(3.34)
E3 =
Um
d
(3.35)
C0 = 33
AE
d
(3.36)
Q = C0U m +
56
d31
A u ( xb ) u ( xa )
s11
(3.37)
I=
d
dQ
= jC0U m + 31 Aj u ( xb ) u ( xa )
dt
s11
(3.38)
va =
u ( xa ) = ju ( xa )
t
(3.39)
vb =
u ( xb ) = ju ( xb )
t
(3.40)
I = jC0U m
d31
A ( va + vb )
s11
(3.41)
Um =
d31
I
A ( va + vb ) +
jC0 s11
jC0
(3.42)
ZT
ZT
tan(k A) sen ( k A )
Fa
Z
ZT
T
F
j
=
sen ( k A ) tan(k A)
U
m
d
d31
31 A
A
C s
C
s
0
11
0
11
57
AT
s11 33 AE
va
d31 AT
vb
s11 33 AE
I
1
C0
d31
(3.43)
Figura 3.2. Transdutor de PZT representado como (a) um hexapolo e (b) circuito eletromecnico equivalente.
Considerando-se a identidade
1
1
kA
=
tan
tan(k A) sen ( k A )
2
(3.44)
Fa = j
d
ZT
kA
(va + vb ) + jZT tan va + 31 AU m
sen ( k A )
s11
2
(3.45)
Fb = j
58
d
ZT
kA
(va + vb ) + jZT tan vb + 31 AU m
sen ( k A )
s11
2
(3.46)
(3.47)
59
Z S = AS S v = AS
s
ss
(3.48)
s 1
Z
1
1
kA
+ S
ZE =
jZT 11 tan
jC0
2 sen ( k A ) j 2ZT
d31A 2
(3.49)
Z E ,min
s 1
1
1
kA
=
jZT 11 tan
jC0
2 sen ( k A )
d31A 2
(3.50)
60
Por outro lado, a impedncia eltrica mxima ocorre quando a rea de seo transversal
da estrutura monitorada muito grande e, consequentemente, de acordo com (3.48), faz com
que sua impedncia mecnica tambm seja elevada. Portanto, a impedncia eltrica mxima
pode ser encontrada fazendo-se Z S em (3.49)
Z E ,max = lim Z E =
Z S
1
jC0
(3.51)
Smbolo
s11
Grandeza
Valor
Elasticidade
16,1 1012 m2 / N
d31
Constante piezeltrica
-320 1012 m / V
Densidade de massa
7800 kg / m
Permissividade relativa
3800
Lado do transdutor
20 mm
d
C0
Espessura
0,267 mm
Capacitncia esttica
35 nF 10%
33 / 0
O smbolo
61
Figura 3.4. Variao da impedncia eltrica do transdutor para estruturas com diferentes impedncias
mecnicas.
62
Figura 3.5. Variao da impedncia eltrica do transdutor em funo da relao Z S / ZT para uma frequncia
de (a) 1 kHz, (b) 10 kHz e (c) 50 kHz.
Figura 3.6. Excurses na impedncia eltrica do transdutor que um mesmo grau de dano causa para estruturas
de diferentes tamanhos.
63
Estrutura
C x L x E (mm)
Z S / ZT
500 x 30 x 2
60
7,8
500 x 60 x 2
120
15,6
500 x 120 x 2
240
31,2
500 x 240 x 2
480
62,3
500 x 300 x 2
600
77,9
500 x 300 x 16
4800
623,3
64
65
Figura 3.7. Impedncias eltricas medidas para as estruturas 1 a 4 que possuem o mesmo comprimento e a
mesma espessura e diferentes larguras de 30 a 240 mm.
uma faixa mais larga de frequncia entre 5 kHz e 50 kHz, como ilustra a Figura 3.8. Como as
estruturas 5 e 6 tm a mesma rea superficial, os resultados confirmam que o efeito de
carregamento est relacionado, principalmente, com a rea de seo transversal da estrutura,
conforme sugere o clculo da impedncia mecnica em (3.48).
Figura 3.8. Impedncias eltricas medidas para as estruturas 5 e 6 que possuem o mesmo comprimento e a
mesma largura e diferentes espessuras de 2 e 16 mm.
66
67
Figura 3.9. ndices RMSD obtidos usando-se (a) o valor absoluto, (b) a parte imaginria e (c) a parte real da
impedncia.
possui mesma rea superficial, mas uma rea de seo transversal bem menor (600 mm),
foram consideravelmente maiores. Mais uma vez, esse resultado evidencia que o efeito de
carregamento est relacionado, principalmente, com a rea de seo transversal da estrutura e
sua impedncia mecnica.
Houve uma discrepncia entre os resultados obtidos para as estruturas 2 e 3. Embora a
estrutura 2 tenha uma rea de seo transversal menor, os ndices de falha mtrica,
principalmente o CCDM calculado com o valor absoluto ou com a parte imaginria da
impedncia, foram menores do que os obtidos para a estrutura 3. Provavelmente, essa
68
Figura 3.10. ndices CCDM obtidos usando-se (a) o valor absoluto, (b) a parte imaginria e (c) a parte real da
impedncia.
69
a qual demonstra que o mesmo grau de dano causa uma excurso muito menor na impedncia
eltrica para estruturas com relao Z S / ZT elevada. Alm disso, para essas estruturas, o
transdutor encontra-se carregado e a excurso na impedncia eltrica muito reduzida,
independentemente do grau de dano introduzido.
Para evidenciar a influncia do efeito de carregamento do transdutor no desempenho de
um sistema de SHM, o experimento com a estrutura 6 foi repetido introduzindo-se um alto
grau de dano. A pequena porca de parafuso foi substituda por um grande bloco de chumbo de
105 x 75 x 35 mm e 2,9 kg. A estrutura 6, a cermica de PZT e os dois tipos de dano so
apresentados na Figura 3.11.
Na Figura 3.12 so apresentados os ndices RMSD e CCDM obtidos para os dois tipos
de dano. De acordo com a Figura 3.12, embora a diferena entre os dois tipos de dano seja
considervel, os ndices foram similares para os dois casos. Isso ocorreu porque o transdutor
est carregado, isto , a estrutura 6 tem uma relao Z S / ZT elevada e a impedncia eltrica
70
Figura 3.12. ndices (a) RMSD e (b) CCDM obtidos para a estrutura 6 com diferentes graus de dano.
do transdutor est no seu limite superior. Nessa condio, a excurso na impedncia eltrica
reduzida e muito prxima para os dois tipos de dano, em conformidade com a anlise terica
apresentada na Figura 3.6.
No geral, os resultados indicam que a sensibilidade do transdutor para detectar danos
estruturais tem uma significativa reduo quando a impedncia mecnica da estrutura se torna
muito elevada se comparada impedncia mecnica do transdutor. A variao do ndice
RMSD calculado usando-se a parte real da impedncia para um dano a uma distncia de 1 cm
do transdutor em todas as estruturas apresentada na Figura 3.13.
Pela anlise da Figura 3.13, conclui-se que para um sistema de SHM baseado na
impedncia E/M ter um bom desempenho, a relao Z S / ZT deve ser a menor possvel. Para
estruturas com relao Z S / ZT elevada, os ndices de falha mtrica tendem a ser muito
71
baixos, aproximando-se dos ndices obtidos com a estrutura ntegra. Nessa situao, difcil
estabelecer um limiar e diagnosticar a estrutura como ntegra ou com dano. Portanto, h uma
reduo significativa na sensibilidade.
importante notar que a reduo na sensibilidade do transdutor no pode ser
compensada pelo aumento da tenso do sinal de excitao, pois de acordo com o modelo
desenvolvido, a impedncia eltrica no depende desse parmetro, como indica a equao
(3.49). Para confirmar essa hiptese, o ensaio com a estrutura 6 foi repetido usando-se um
sinal chirp de 10V, que o dobro da amplitude usada no primeiro teste. Os ndices obtidos
nos dois testes calculados usando-se a parte real da impedncia so apresentados na Figura
3.14.
3.6 Concluso
Neste captulo, o efeito de carregamento do transdutor de PZT foi analisado atravs de
um circuito eletromecnico equivalente baseado no modelo 1D de Mason. Foi verificado
72
73
Captulo 4
Seleo da Faixa de Frequncia Para
Sensibilidade tima do Transdutor
Neste captulo, o modelo eletromecnico desenvolvido no Captulo 3 utilizado para
analisar a sensibilidade do transdutor em funo da frequncia. Embora a melhor faixa de
frequncia para a deteco de danos dependa das caractersticas da estrutura e do dano, os
resultados experimentais indicam que a sensibilidade do transdutor uma importante
referncia na seleo da faixa mais adequada.
4.1 Introduo
A seleo da faixa de frequncia correta para o clculo dos ndices de falha mtrica
uma etapa importante em sistemas de SHM baseados na tcnica da impedncia E/M,
sobretudo em sistemas portteis e sem fio, como os mencionados na Seo 2.1. Nesses
sistemas, o hardware disponvel para o armazenamento e transmisso de dados limitado, no
sendo possvel o processamento de dados em uma ampla faixa de frequncia. Deve-se
escolher a faixa que oferea a melhor sensibilidade para a deteco do dano e uma boa
repetitividade entre as medidas.
Geralmente, a seleo da faixa de frequncia apropriada feita pelo mtodo de tentativa
e erro a partir de dados medidos na estrutura de interesse. Em (GYEKENYESI et al., 2005),
por exemplo, foram realizados testes em placas de alumnio de 100 x 100 x 1,5 mm e a faixa
de frequncia mais adequada de 20 a 40 kHz foi determinada procurando-se por regies de
frequncia que ofereciam boa repetitividade entre as medidas sob condies constantes, isto ,
com a estrutura ntegra.
Alguns pesquisadores tm proposto metodologias mais eficientes. Moura Junior e
Steffen Junior (2003) determinaram, por tentativa e erro, que a melhor faixa de frequncia
para uma barra flexvel de 15 a 33 kHz. A partir desse resultado, quarenta experimentos
foram realizados para encontrar subfaixas de frequncia mais adequadas atravs de um
mtodo baseado em superfcies de resposta. Em (PEAIRS; TARAZAGA; INMAN, 2007), a
74
s 1
Z
1
1
kA
ZE =
jZT 11 tan
+ S
jC0
2 sen ( k A ) j 2 ZT
d31A 2
(4.1)
75
Z E ,D
s 1
Z
1
1
kA
=
+ (1 + ) S
jZT 11 tan
jC0
j 2 ZT
2 sin ( k A )
d31A 2
(4.2)
= 100
Z E ,D - Z E
ZE
(4.3)
76
Figura 4.1. Sensibilidade do transdutor de PZT para detectar uma variao de 5 % na impedncia mecnica da
estrutura devido a um dano hipottico.
causada pelo efeito de carregamento do transdutor, o qual foi estudado no Captulo 3. Alm
disso, observa-se que em toda a faixa de frequncia h pontos de mximo e pontos de mnimo
locais. As frequncias de ocorrncia desses pontos podem ser determinadas graficamente ou
resolvendo-se a seguinte equao para a frequncia angular
Z E,D - Z E
=0
ZE
(4.4)
A expectativa de que a deteco de danos estruturais seja mais eficiente nas faixas de
frequncia prximas aos pontos de mximo e deficiente nas faixas em torno dos pontos de
mnimo.
H uma concentrao de pontos mximos globais na faixa de frequncia entre 0 e 50
kHz. Nessa faixa, a sensibilidade mxima e quase constante em funo da impedncia
mecnica da estrutura. Isso explica os bons resultados experimentais obtidos por Moura
Junior e Steffen Junior (2003), Gyekenyesi et al. (2005) em faixas de 15 kHz a 33 kHz e de
20 kHz a 40 kHz, respectivamente. Do mesmo modo, a melhor sensibilidade ao dano nos
resultados apresentados no Captulo 2 e no Captulo 3 deste estudo ocorreu nas faixas de
frequncia de 35 a 42 kHz e 15 a 40 kHz, respectivamente. Embora a sensibilidade seja maior
77
em frequncias abaixo de 50 kHz, essa faixa mais suscetvel a distrbios externos; alm
disso, frequncias mais altas permitem a deteco de danos menores. Portanto, conveniente
que faixas adequadas em torno de pontos de mximo locais em frequncias mais altas sejam
pesquisadas.
importante analisar a influncia da dimenso do dano nos pontos de mximo e de
mnimo. Na Figura. 4.2 apresentada a variao da sensibilidade considerando-se a
impedncia mecnica da estrutura constante ( Z S = 2ZT ) e assumindo-se danos de diferentes
tamanhos ( = 5%, 10%).
78
Estrutura
C x L x E (mm)
Z S / ZT
500 x 30 x 2
60
7,8
500 x 60 x 2
120
15,6
RMSDn =
( Z n,d Z n,h )
Z n,h 2
(4.5)
sendo Z n,h a impedncia eltrica do transdutor com a estrutura ntegra e Z n,d a impedncia
com o dano simulado com a porca, ambas medidas na frequncia n .
Esse ndice foi calculado utilizando-se a parte real da impedncia que, de acordo com os
79
experimentos anteriores, indicou ser a mais sensvel ao dano. Todas as medies foram feitas
com a estrutura na configurao livre-livre, isto , com os dois lados suspensos por elsticos e
a uma temperatura ambiente.
Figura 4.3. Comparao entre as curvas de sensibilidade terica dos transdutores e os ndices de falha mtrica
calculados a partir de resultados medidos para a (a) estrutura 1 e (b) estrutura 2 com um dano a 100 mm do
transdutor.
80
81
Figura 4.4. Comparao entre as curvas de sensibilidade terica dos transdutores e os ndices de falha mtrica
calculados a partir de resultados medidos para a (a) estrutura 1 e (b) estrutura 2 com um dano a 300 mm do
transdutor.
4.5 Concluso
A partir do modelo eletromecnico proposto no captulo anterior, a sensibilidade do
transdutor foi analisada como um parmetro na seleo da faixa de frequncia mais adequada
para a deteco de danos estruturais que, geralmente, escolhida pelo mtodo de tentativa e
erro ou por metodologias que utilizam dados medidos em uma quantidade considervel de
testes.
A metodologia apresentada neste captulo permite que as faixas que oferecem melhor
82
sensibilidade possam ser estimadas teoricamente, antes que o sistema seja instalado na
estrutura. Testes foram realizados em duas estruturas de alumnio e houve uma boa
correspondncia entre os resultados tericos e experimentais.
Portanto, embora a faixa de frequncia correta dependa das caractersticas especficas de
cada estrutura e do tipo de dano que se deseja detectar, a metodologia proposta pode ser um
importante auxlio na sua seleo.
83
Captulo 5
Consideraes Finais e Trabalhos Futuros
O objetivo deste trabalho foi analisar as principais caractersticas dos sistemas de SHM
baseados na tcnica da impedncia E/M, bem como explorar algumas de suas limitaes e
propor novas metodologias para contorn-las. Embora muitos estudos apontem que a tcnica
da impedncia seja eficiente e confivel, algumas consideraes em aplicaes prticas ainda
eram necessrias. As metodologias desenvolvidas neste trabalho contribuem com a soluo de
trs problemas prticos: (a) a medio da impedncia eltrica do transdutor; (b) a reduo do
desempenho do sistema para detectar danos em grandes estruturas devido ao efeito de
carregamento do transdutor; (c) a seleo da faixa de frequncia apropriada para a deteco de
danos estruturais.
O sistema de medio de impedncia eltrica proposto, embora seja baseado em
mtodos clssicos, apresentou excelentes resultados e substitui com eficincia os instrumentos
comerciais utilizados na tcnica da impedncia, tais como os analisadores HP4192 e HP4194
da Hewlett-Packard. Esses instrumentos, alm de ter um custo elevado, so pesados,
volumosos e lentos, o que dificulta a aplicao e o desenvolvimento da tcnica. A nova
metodologia baseada na plataforma LabVIEW e seu hardware composto apenas por um
DAQ e um resistor comum. Isso torna a sua montagem e aplicao extremamente simples.
Alm disso, o seu uso tambm possvel em outras aplicaes, uma vez que boa preciso foi
obtida em medies de impedncia com componentes gerais, como resistores e capacitores.
Nas pesquisas sobre a tcnica da impedncia E/M, a maioria dos experimentos
realizada em estruturas simples, tais como barras de alumnio estreitas e delgadas. Embora
existam aplicaes em estruturas complexas, ainda no h estudos conclusivos sobre a
influncia de grandes estruturas no desempenho do sistema em detectar danos. Os trabalhos
existentes avaliam apenas a sensibilidade do transdutor para detectar danos a diferentes
distncias em uma mesma estrutura ou a influncia de carregamentos externos na sua
impedncia eltrica. Neste estudo foi proposta uma modificao em um circuito
eletromecnico equivalente para analisar o efeito de carregamento do transdutor devido
estrutura monitorada. Foi demonstrado atravs de simulaes e resultados experimentais que a
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sensibilidade do transdutor de PZT para detectar danos est diretamente relacionada com a
impedncia mecnica da estrutura monitorada e, consequentemente, com sua rea de seo
transversal. O desempenho do sistema s satisfatrio se a impedncia mecnica da estrutura
no for muito maior que a impedncia mecnica do transdutor. A anlise do efeito de
carregamento pode ser fundamental para o correto dimensionamento do transdutor e para
assegurar um bom desempenho do sistema.
O modelo eletromecnico proposto tambm foi utilizado para desenvolver uma
metodologia para a seleo da faixa de frequncia mais apropriada em que a impedncia
eltrica deve ser medida e analisada. A correta seleo dessa faixa de frequncia importante
no apenas para obter uma boa sensibilidade na deteco de danos estruturais, mas tambm
para evitar a coleta, anlise e armazenamento de dados desnecessrios. Geralmente, a seleo
da faixa de frequncia feita pelo mtodo de tentativa e erro aps o sistema estar instalado na
estrutura. Algumas metodologias mais eficientes foram propostas por outros autores, mas
estas so baseadas em anlise estatstica a partir de dados medidos em uma quantidade
considervel de testes. A metodologia sugerida neste estudo permite que as faixas de
frequncia em que o transdutor apresenta boa sensibilidade para a deteco de danos sejam
determinadas analiticamente a partir das caractersticas do transdutor e da estrutura
monitorada. Os resultados experimentais indicam que a metodologia proposta pode ser um
importante auxlio na seleo da faixa mais adequada.
Como sugestes para trabalhos futuros, os seguintes tpicos podem ser explorados: (a)
avaliao das metodologias propostas em frequncias acima de 125 kHz; (b) anlise do efeito
piroeltrico; (c) sugesto e anlise de novos ndices de falha mtrica; (d) desenvolvimento de
um sistema de SHM integrado e autnomo.
Devido a uma limitao de hardware, as metodologias propostas foram avaliadas em
frequncias abaixo de 125 kHz. No desenvolvimento do circuito eletromecnico foi
considerado um modelo unidimensional e o fator de amortecimento foi desprezado, o que
pode prejudicar a aplicao dessas metodologias em frequncias mais altas. Portanto,
desejvel uma avaliao do circuito eletromecnico em frequncias mais elevadas e, se
necessrio, fazer adaptaes como o uso de um modelo bidimensional ou tridimensional e
considerar o fator de amortecimento.
No desenvolvimento deste trabalho, os efeitos trmicos e magnticos no foram
considerados na anlise dos transdutores de PZT. Embora seja seguro desprezar o efeito do
campo magntico, os materiais piezeltricos tambm so consideravelmente piroeltricos, isto
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Apndice A
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esta Pesquisa
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