LABORATIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

El Transistor Bipolar NPN. Caractersticas Bsicas

I. OBJETIVOS:
1. Verificar las condiciones de un transistor bipolar NPN.
2. Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor bipolar NPN.
II. MARCO TEORICO:
Transistores.
El transistor se puede considerar como la unin de dos diodos, por lo que debe de
tener dos uniones PN o NP.
Un transistor tiene por tanto tres zonas de dopado, en un transistor NPN, por
ejemplo, existen tres zonas de dopado, diferenciadas entre s y con diferentes
cualidades. En un transistor NPN, la base es la zona P y las otras dos zonas N se
denominan colector y emisor y viceversa. El emisor y la base de un transistor es
como si fueran un diodo (una unin NP) y la base y el colector forman la otra unin
NP. A efectos prcticos, un transistor no funciona como la unin de dos diodos.

Los smbolos del transistor son los siguientes:

NPN

PNP

Funcionamiento del transistor.

Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a
la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.
La fabricacin del transistor se realiza de forma que la base es la zona ms
pequea, despus el emisor, siendo el colector el ms grande en tamao.
Polarizacin del transistor.

LABORATIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

Un transistor cuenta con dos uniones PN, por lo que necesita ser polarizado
correctamente. La unin emisor debe estar polarizada directamente y la unin
colector debe de estar polarizada inversamente.
Por ejemplo, en un transistor NPN, dispondremos de dos bateras, una tendr
conectado a su polo positivo el colector N del transistor y la otra tendr conectado a
su polo negativo el emisor N del transistor, quedando as polarizado el transistor,
circulando as una corriente del emisor a la base y de esta al colector, tambin
circula una pequea Intensidad de base, la cual es muy pequea comparada con la
intensidad de colector, que se puede tomar en la prctica casi idntica a la
intensidad de emisor, aunque la intensidad de emisor sea igual a la intensidad de
colector ms la intensidad de base.
Ie = Ic + Ib
Parmetros fundamentales de un transistor.
Para una pequea tensin de entrada, se obtiene una elevada tensin de salida.
Para una pequea corriente de entrada, se obtiene una elevada corriente de salida.
Para una pequea potencia de entrada, se obtiene una elevada potencia de salida.
Segn esto, se obtienen tres parmetros de un transistor:
Ganancia de corriente (hfe)
Ganancia de tensin (Av)
Ganancia de potencia (Ap)
Comprobacin de transistores.
La comprobacin de un transistor se realiza de la siguiente manera.
La base de un transistor se encuentra limitada por las dos uniones PN, por lo
cual, debe de comportarse como un diodo con el emisor, igualmente que con el
colector. Sabiendo esto, es fcil comprobar el estado de un transistor y saber cul
es la base, el colector y el emisor. Para saber si un transistor es PNP o NPN y cules
son sus patillas de Base, Colector y Emisor, actuaremos de la siguiente forma,
usaremos un medidor de resistencia, colocaremos la sonda roja en una de las
patillas y la negra en otra, si la resistencia es grande, puede que estemos midiendo

LABORATIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

entre Colector-Emisor o que estemos midiendo Base-Emisor/Colector en Polarizacin
Inversa, ahora bien, si la resistencia es pequea, estamos midiendo seguro entre
Base-Colector o Base-Emisor en polarizacin directa, con lo que ya sabemos que
una de las dos patillas es la base. Cambiamos una de las sondas a la otra patilla, si
la resistencia es grande, la patilla que ahora no est siendo medida es la base, si la
resistencia es baja, sabemos que la patilla con la que hemos realizado las dos
mediciones es la base y mirando el color de la sonda sabremos si es P o N, con lo
que ya sabemos si el transistor es PNP o NPN.
Para diferenciar el Colector del Emisor, el procedimiento es el siguiente,
medimos resistencia entre la base, ya diferenciada, y las otras dos patillas, el
resistencia Base-Colector es siempre menor que la resistencia Base-Emisor.
CASO PNP
Rce: Alta (ambos sentidos)
sentidos)
Rbe: Como diodo
Rbc: Como diodo

CASO NPN
Rce: Alta (ambos
Rbe: Como diodo
Rbc: Como diodo

Regiones operativas del transistor

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni

en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin
activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de
la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del
fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector
y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el
transistor como un amplificador de seal.

Regin inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento

en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo
inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles.
Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia
de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es
drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0,(Ic = Ie = 0)

LABORATIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje
de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada
de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib =0)

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

Corriente de Colector = corriente de emisor = corriente mxima
(Ic = Ie = Imx)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin
del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una
corriente de colector veces ms grande. (Recordar que Ic = * Ib)

III. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO

1. Un Multmetro.

LABORATIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

2. Un Miliampermetro.

3. Un Microampermetro.

4. Un Voltmetro de c.c.

LABORATIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

5. Transistor C829.

6. Un Osciloscopio.

7. Resistencias: Re=220 , Rc=1K, R1=56, R2=22k.

LABORATIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

8. Condensadores: Cb= 0.1F., Cc= 0.1F., Ce= 3.3F.

9. Una Fuente c.c variable.

10. Un Potencimetro de 1M.

LABORATIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

11. Cables Conectores (3 coaxiales ORC) Terminales.

LABORATIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

LABORATIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS