25/10/2014

Transistor de unin bipolar - Wikipedia, la enciclopedia libre

Transistor de unin bipolar

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El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o
sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la
corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a
que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran
utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes,
entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Transistor de unin
bipolar.

Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se

usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en
algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa
TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN
en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy
estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor
de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del
colector.
Colector, de extensin mucho mayor.

Diagrama de Transistor NPN

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin

base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga
emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de
portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte,
estado de saturacin y estado de actividad.

ndice
1 Estructura
2 Funcionamiento
2.1 Control de tensin, carga y corriente
2.2 El Alfa y Beta del transistor
3 Tipos de Transistor de Unin Bipolar
3.1 NPN
3.2 Ejemplo Prctico de NPN
3.3 PNP
4 Regiones operativas del transistor
5 Historia
6 Teora y Modelos Matemticos
6.1 Anlisis en continua
6.1.1 El modelo Ebers-Moll
6.2 Modelo en pequea seal

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar

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6.2 Modelo en pequea seal

6.2.1 Parmetros h
7 Referencias
8 Vase tambin
9 Enlaces externos

Estructura
Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones
semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la
base y la regin del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo
P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor
est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o
colector (C), segn corresponda.
La
base
est
fsicamente
localizada entre el
emisor y el colector
y est compuesta de
material
semiconductor
Corte transversal simplificado de un
ligeramente dopado
transistor de unin bipolar NPN. Donde se
y de alta resistividad.
puede apreciar como la unin base-colector
El colector rodea la
es mucho ms amplia que la base-emisor.
regin del emisor,
haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la
regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho
hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo
simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de
funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna
del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el
emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran
obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra
es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente
dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran
tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est
polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado
es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados
por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la
mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es
debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la
operacin en modo activo y modo inverso.

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Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que
circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para
amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente
controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas
por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT modernos estn
compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares de
heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta
velocidad.

Funcionamiento
En una configuracin normal, la unin base-emisor se
polariza en directa y la unin base-colector en inversa.1
Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del
emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base
y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los
portadores que llegaron son impulsados por el campo
elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos
con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica,
la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin
base-colector est polarizada en inversa. En un transistor
NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada
Caracterstica idealizada de un transistor
en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores
bipolar.
generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la
regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones
excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base,
desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est
dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan
difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del
semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin
base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.

Control de tensin, carga y corriente

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de
corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensincorriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin
PN (es decir, un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente veces la
corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la tensin base-emisor es

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aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No

obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de
modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.

El Alfa y Beta del transistor

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones capaces de cruzar la
base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base
pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que huecos
desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor comn est representada por F o por
hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base
en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de
corriente base comn, F . La ganancia de corriente base comn es aproximadamente la ganancia de
corriente desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano
a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las
siguientes relaciones (para un transistor NPN):

F =

F =

F =

B
F

1 F

F =

F
F + 1

Tipos de Transistor de Unin Bipolar

NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los
cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga
mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La
mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN,
debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad
de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores
corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material
dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en
configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del
colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del
emisor y apunta en la direccin en la que la corriente
convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.
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El smbolo de un transistor NPN.

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Ejemplo Prctico de NPN

Transistor NPN

En la imagen, se tiene un transistor de NPN cuyo punto Q de funcionamiento en continua es

desconocido. Se debe calcular dicho punto Q y calcularlo en la RCE.
1 Paso:
Ib = (Vbb - 0,7)/Rb

Reemplazando los datos:

Ib = (5V - 0,7)/500 = 0,0086 mA

2 Paso:
Ic = .Ib = 100 * 0,0086 = 0,8 mA

3 Paso:
Vce = Vcc - Rc.Ic = 12 - 0,8 * 2 = 10,4 V

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En este grfico se muestra el

resultado obtenido, con Vcc/Rc
indicando el 6 mA en la recta de la
Intensidad, y Vce indicando la
Tensin necesaria para polarizar al
transistor

PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas
mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son
PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P.
Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a
masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de
alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una
pequea corriente circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y
apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula
cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

Regiones operativas del transistor

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones
operativas, definidas principalmente por la forma en que son
polarizados:

El smbolo de un transistor PNP.

Regin activa en cuanto a la polaridad:

corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector= Ib
Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en
una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende
principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante)
y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms
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importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.

Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar
entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor
intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia
de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al
presente en modo activo.
Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del
circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un circuito abierto, ya
que la corriente que lo atraviesa es cero.
Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
corriente de colector corriente de emisor = corriente maxima, (Ic Ie = Imax)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las
resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta
cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por debajo del valor
umbral VCE,sat. Cuando el transistor esta en saturacin, la relacin lineal de amplificacin Ic=Ib
(y por ende, la relacin Ie=(+1)Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se comporta como un cable, ya que la
diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero.
Como se puede ver, la regin activa es til para la electrnica analgica (especialmente til para
amplificacin de seal) y las regiones de corte y saturacin, para la electrnica digital, representando el
estado lgico alto y bajo, respectivamente.

Historia
El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en la Bell
Telephone Company por John Bardeen y Walter Brattain bajo la
direccin de William Shockley. La versin de unin, inventada por
Shockley en 1948, fue durante tres dcadas el dispositivo favorito en
diseo de circuitos discretos e integrados. Hoy en da, el uso de BJT
ha declinado en favor de la tecnologa CMOS para el diseo de
circuitos digitales integrados.

Teora y Modelos Matemticos

Anlisis en continua
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Replica del primer transistor.

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El modelo Ebers-Moll
Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operacin normal son determinadas por:
V
BE

I E = I ES (e

V
T

1)

V
BE

I C = T I ES (e

V
T

1)

La corriente interna de base es principalmente por difusin y

J p (Base) =

Modelo Ebers-Moll para

transistores NPN

V
EB

qDp p bo

[e

V
T

Dnde:
es la corriente de emisor.
Modelo Ebers-Moll para
es la corriente de colector.
transistores PNP
T es la ganancia de corriente directa en configuracin base
comn. (de 0.98 a 0.998)
15 a 1012
I ES es la corriente de saturacin inversa del diodo base-emisor (en el orden de 10
amperios)
VT es el voltaje trmico kT /q (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente 300 K).
VBE es la tensin base emisor.
W es el ancho de la base.
IE

IC

La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a que el valor de T es

muy cercano a 1,0. En el transistor de unin bipolar una pequea variacin de la corriente base-emisor
genera un gran cambio en la corriente colector-emisor. La relacin entre la corriente colector-emisor con
la base-emisor es llamada ganancia, o hFE. Un valor de de 100 es tpico para pequeos transistores
bipolares. En una configuracin tpica, una seal de corriente muy dbil circula a travs de la unin
base-emisor para controlar la corriente entre emisor-colector. est relacionada con a travs de las
siguientes relaciones:
T =

F =

F =

IC
IE
IC
IB
T
1 T

Eficiencia del emisor:

T =

F
F + 1

J p (Base)
JE

Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier regin del transistor estn
expresadas ms abajo. Estas ecuaciones estn basadas en el modelo de transporte de un transistor de
unin bipolar.

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C

S(

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1)

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i C = I S (e

iB =

IS

V
BE

V
BC

V
T

V
T

IS

V
BC
V
T

(e

1)

V
BE

(e

V
T

IS

1) +

V
BC

(e

V
T

1)

V
BE

i E = I S (e

V
T

V
BC

V
T

) +

IS

V
BE

(e

V
T

1)

Dnde:
es la corriente de colector.
iB es la corriente de base.
iE es la corriente de emisor.
F es la ganancia activa en emisor comn (de 20 a 500)
R es la ganancia inversa en emisor comn (de 0 a 20)
15 a 1012 amperios)
I S es la corriente de saturacin inversa (en el orden de 10
VT es el voltaje trmico kT /q (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente 300 K).
VBE es la tensin base-emisor.
VBC es la tensin base-colector.
iC

Modelo en pequea seal

Parmetros h
Otro modelo comnmente usado para analizar los circuitos BJT es
el modelo de parmetro h. Este modelo es un circuito equivalente a
un transistor de unin bipolar y permite un fcil anlisis del
comportamiento del circuito, y puede ser usado para desarrollar
modelos ms exactos. Como se muestra, el trmino "x" en el modelo
representa el terminal del BJT dependiendo de la topologa usada.
Para el modo emisor-comn los varios smbolos de la imagen toman
los valores especficos de:
x = 'e' debido a que es una configuracin emisor comn.
Terminal 1 = Base
Terminal 2 = Colector
Terminal 3 = Emisor
iin = Corriente de Base (ib)
io = Corriente de Colector (ic)
Vin = Tensin Base-Emisor (VBE)
Vo = Tensin Colector-Emisor (VCE)

Modelo de parmetro h
generalizado para un BJT NPN.
Reemplazar x con e, b o c para
las topologas EC, BC y CC
respectivamente.

Y los parmetros h estn dados por:

hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del emisor re).
hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IBVBE del transistor en el valor de VCE.
Es usualmente un valor muy pequeo y es generalmente despreciado (se considera cero).
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hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es generalmente referido
como hFE o como la ganancia de corriente continua (DC) en las hojas de datos.
hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este trmino es usualmente especificado
como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a impedancia.
Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende representan que las condiciones
de anlisis del circuito son con corrientes alternas. Para condiciones de corriente continua estos
subndices son expresados en maysculas. Para la topologa emisor comn, un aproximado del modelo
de parmetro h es comnmente utilizado ya que simplifica el anlisis del circuito. Por esto los
parmetros hoe y hre son ignorados (son tomados como infinito y cero, respectivamente). Tambin debe
notarse que el modelo de parmetro h es slo aplicable al anlisis de seales dbiles de bajas
frecuencias. Para anlisis de seales de altas frecuencias este modelo no es utilizado debido a que ignora
las capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas frecuencias.

Referencias
1. Transistor de unin bipolar (http://books.google.com/books?id=VjewlougrLcC&pg=PA189) en Google
Libros.

Vase tambin
Wikilibros alberga un libro o manual sobre Electrnica.
Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre Transistor de unin bipolar.
Transistor
Transistor Uniunin (UJT)
Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

Enlaces externos
Curvas
caractersticas
del
transistor
(http://www.stand.ac.uk/~www_pa/Scots_Guide/info/comp/active/BiPolar/bpcur.html)
Cmo funcionan los transistores? (http://amasci.com/amateur/transis.html) por William Beaty (en
ingls) (en espaol) (http://otro-geek-mas.blogspot.com/2008/08/indice-de-artculos-traducidos-debill.html)
Lnea
del
tiempo
histrica
de
los
transistores
(http://semiconductormuseum.com/HistoricTransistorTimeline_Index.htm) (en ingls)
Obtenido de http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Transistor_de_unin_bipolar&oldid=77537740
Categoras: Transistores Dispositivos semiconductores
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