Tema 4-Transparencias 2xpágina

TEMA 4: TRANSMISORES PTICOS
4 1 Introduccin y Conceptos bsicos

4.1
4.2 LEDs (Ligth Emitting Diodes)
4 3 Amplificadores pticos
4.3
4.4 Diodos Lser
4.5 Mdulos Transmisores
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-1
4.1 Introduccin y Conceptos bsicos

Tipo y requisitos
Interaccin radiacin materia en niveles
energticos
Interaccin radiacin-materia en
semiconductores
Introduccin
Seal Elctrica
de Entrada
Seal Elctrica
de Salida
Amplificador ptico
Fibra ptica
Transmisor
ptico
Receptor
ptico
Transmisor ptico: Convierte la seal elctrica en una seal ptica adecuada para
la transmisin. Incluye circuitos electrnicos (driver) y dispositivo emisor (LED o
LD) Los
LD).
L LDs
LD pueden
d estar
t modulados
d l d directamente,
di t
t a travs
t de
d variaciones
i i
de
d la
l
corriente, o externamente mediante un modulador ptico.
Amplificador ptico: Amplifica la intensidad de una seal ptica pretendiendo
mantener su forma temporal. Introduce ruido adicional.
Tipos de emisores y requisitos

Light Emitting
Diodes (LEDs)
Laser Diodes ((LDs))

Fabry-Perot (FP)
Distributed Feedback (DFB)
Distributed Bragg Reflector (DBR)
Vertical Cavity Surface Emitting
Laser (VCSEL)
Alta
Alt potencia
t i inyectada
i
t d en fibra
fib
Espectro de emisin estrecho
Modulacin directa hasta alta frecuencia (o modulacin
externa)
DWDM: longitud de onda estable
estable, sintonizable
CWDM, PON: bajo coste, operacin sin refrigeracin
(coolerless)
(coole
less)
Tendencia a la integracin: lser + modulador
Interaccin Radiacin-Materia
DESPUS
ANTES
E2
E2
ABSORCIN E = h = E2 E1
E1
E1
E2
E2
Fotn
Fotn
EMISIN ESPONTNEA
E1
E1
EMISIN ESTIMULADA
E2
E2
Se genera un fotn
S
f t igual
i
l all
incidente:
Misma frecuencia
Misma Fase
Misma
Mi
Di
Direccin
i
E1
E1
E = h = E2 E1
2 Fotnes idnticos
Inversin de poblacin
E2
N2
E1
N1
Poblacin normal
Equilibrio trmico
N 1 > N2
Energa
Consideramos
id
un medio
di en ell existe
i una poblacin
bl i totall de
d N tomos (o
( molculas,
l l o
posibles causas de niveles energticos) que pueden estar tan slo en dos niveles
energticos, y definimos como N1 y N2 al nmero de ellos en los niveles energticos
E1 y E2, respectivamente.
E2
N2
E1
N1
Inversin de poblacin
Fuera de equilibrio
N 1 < N2
ESTIMULADA NETA = ESTIMULADA ABSORCIN :

proporcional a: () (N2 - N1)
siendo () la densidad de radiacin (fotones)
Ganancia ptica
Consideramos una onda ptica de potencia P0 que se propaga en un medio. La
variacin de su potencia al propagarse puede describirse como:
P (x) = P0 exp (- x)
Coef. de absorcin (cm-1)
g>0
Coef.
C f de
d ganancia
i g=-
P0
g > 0 Amplificacin
g<0
MEDIO
g < 0 Atenuacin
x
g = 0 Transparencia
p
La ganancia es proporcional a la emisin estimulada neta: g (N2 -N1)

Con inversin de poblacin: N2 > N1 g > 0
En transparencia: N2 = N1 g = - = 0
En equilibrio: N2 < N1 g < 0
Bombeo con tres niveles

Transicin rpida
Energa
E3
E2
Nivel de bombeo
Nivel metaestable
Emisin Estimulada
Emisin espontnea
Absorcin
E1
Nivel de referencia
Poblacin N
Para conseguir inversin de poblacin es necesario hacer pasar continuamente tomos
(o elementos) del nivel bajo al nivel alto, mediante un bombeo, que puede ser ptico o
mediante
di t otros
t
mecanismos.
i
El sistema
it
es muy eficiente
fi i t sii dispone
di
d tres
de
t
niveles,
i l
siendo muy rpidas (probables) las transiciones del 3 al 2, y muy lentas (poco
probables), del 2 al 1. As, bombeando del 1 al 3, se producen transiciones rpidas del
3 al 2 donde se acumula la poblacin, dando lugar a inversin de poblacin. El nivel 2
se denomina metaestable.
SEMICONDUCTORES
Bandas de energa (valores o estados de energa donde
puede haber un electrn)
INTRNSECO
Banda de conduccin (BC), con ms energa y banda de
valencia
l i (BV) separadas
d por gap de
d energa
Semiconductor intrnseco: BV llena, BC vaca

Gap de Energa
p
se aaden otros tomos
Semiconductor dopado:
Electrones
Dopado N: aade electrones a la BC
Dopado P: quita electrones a la BV, genera
TIPO P
HUECOS
Banda de conduccin
Vaca
Banda de valencia
llena
Banda de conduccin
Vaca
TIPO N
Gap de Energa
Banda de conduccin
Electrones
Parcialmente llena
Huecos
Banda de valencia
Electrones
Parcialmente vaca
Gap de Energa
Electrones
Banda de valencia
llena
Interaccin Radiacin-materia: Semiconductor
ABSORCIN
EM. ESPONTNEA
Detectores
LEDs
Un fotn con energa

superior al gap provoca
una transicin
t
i i de
d un
electrn de la BV a la
BC, con lo que se genera
un electrn
l
y un hueco
h
libres.
Un electrn de la BC
pasa a la BV
recombinndose con
un hueco y dando
lugar a un fotn
espontneo
EM. ESTIMULADA
Amplificadores
Diodos Lser
Un fotn con energa superior al

ggap
p estimula la recombinacin
de un electrn en la BC con un
hueco de la BV y dando lugar a
un fotn estimulado idntico al
inicial
Bombeo mediante unin p-n

Vj
ZONA p
ZONA-p
ZONA-i
e-
ZONA-n
e-
BV
Electrones
Gap
e-
Huecos
Electrones
e-
Electrones
e-
BC
e-
V0
El papel de la unin pp-nn polarizada en directo es transferir electrones de la BV,

BV
dejando huecos, a la BC para que se recombinen emitiendo fotones. Los electrones
de la BV de la zona intrnseca (activa) son llevados por el campo externo a la zona
p su energa es aumentada por la fuente de tensin y circulan por la BC hacia la
p,
zona activa. En el caso de LEDs, se recombinan de forma espontnea, en el caso de
amplificadores y lseres se busca recombinacin estimulada.
4.2 LEDs
Principios de funcionamiento
Caracterstica Potencia-Corriente
Espectro de emisin
LED: Principios de funcionamiento
Vj
Estructura bsica:
Unin p-n de semiconductor de bandgap directo Polarizacin directa
Inyeccin de e - y h + Recombinacin de pares (e - -h + )
En la capa activa
Emisin
E i i espontnea
(Electrolu
(El
l miniscencia)
i i
i )
Ecuacin de balance
I (t )
qVact
q
N(t)
Vact
Rspon
Rnrad
La ecuacin de balance, o continuidad, describe la

dinmica de los portadores acumulados en la zona activa
del LED, suponiendo que el nmero de electrones es igual
al de huecos. La variacin de la densidad de portadores
por unidad de tiempo ser la diferencia entre la densidad
de electrones inyectados y la de portadores recombinados.
dN (t )
I (t )
I (t )
Rtot
( Rspon
Rnrad )
dt
qVact
qVact
Recombinacin
Recombinacin
Recombinacin
no-radiativa
total de pportadores
por em.
em espontnea
Inyeccin
portadores
Rtot
N (t )
N (t )
spon
spon
nr
nr

R spont
N (t )
R nr
dN (t ) I (t ) N (t )
dt
qVact
c
I(t): corriente inyectad en la regin activa (A)

q: carga del electrn (C)
Vact: Volumen de la regin activa
N(t): densidad de portadores en regin activa (cm-3)
Rtot; Rspon ; Rnrad : Tasa de recombinacin total,,
espontnea, no-radiativa (cm-3 s-1).
c : tiempo de vida de portadores
spont : tiempo de vida espontneo (o radiativo)
nr : tiempo de vida no-radiativo
Caractersticas Potencia-corriente (P-I)- I

dN (t )
I
N
0
q act c
qV
dt
Pint RsponVact h
int
spon
Pint
N=
I (A)
cI
qV
q act
Pint (W )
E
c h
spon
h
q
h
I
int
I
q
q
En estado estacionario, al alimentar el LED con corriente

contin a la densidad de portadores en la zona
continua,
ona activa
acti a es
proporcional a la corriente. La potencia ptica generada
internamente, Pint, es proporcional a la tasa de
recombinacin espontnea y por tanto a la corriente
inyectada.
Se define la eficiencia cuntica interna (o rendimiento

cuntico interno) int como la relacin entre el
nmero de fotones generados internamente y el
nmero de electrones inyectados.
y
Suele ser cercana al
100%.
Caractersticas Potencia-corriente (P-I)- II

h
h
Pout extr Pint extr int
I ext
I
q
q
Se define la eficiencia de extraccin como extrt como la relacin entre el nmero de fotones que se
extraen al exterior y el nmero de fotones generados internamente. En LEDs de comunicaciones es
muy baja, menor de 1%.
La eficiencia cuntica externa es relacin entre el nmero de fotones que se extraen al exterior y el
nmero de y el nmero de electrones inyectados, es baja en LEDs de comunicaciones pero alta en
LEDs de iluminacin.
60
P (W )
Output po
ower (W)
P-I Ideal
I ( A)
-1 5
P-I Real
50
C
25
40
6 5 C
30
20
10
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
C u rre n t (m A )
La curva P
P-II ideal es lineal, pero las reales a veces presentan curvatura debido a auto
autocalentamiento. Los LED tienen relativamente poca dependencia con la temperatura.
Las potencias tpicas en fibra para LED de comunicaciones son de -20 a -10 dBm
Espectros de emisin
, , peak 2 m
1, 45 k B T peak
k B T eV
Full Width Half Maximum (FWHM)

2
El ancho
h espectrall de
d emisin
i i d
de un LED
puede aproximarse mediante la frmula
adjunta
Power Inte
ensity (a.u.)
1.0
0.8
LED empleado
p
en el
Laboratorio
LED
0.6
0.4
0.2
0.0
1100
1200
1300
1400
1500
Wavelength (nm)
Los valores tpicos de (FWHM) estn entre 30 y 150 nm, aumentando para mayores
mayores longitudes de onda.
Resumen LEDs
Existen LEDs de comunicaciones con emisin en rojo, 1 ventana (820-850 nm) y 2
ventana (1300 nm), acoplados a fibras POF (rojo) o MM (1, 2 ventana).
Su empleo est en desuso excepto algunas aplicaciones dada su baja potencia, espectro
ancho y poca velocidad de modulacin en comparacin con lseres.
poco sensibles a la temperatura.
p
Son muyy robustos ((fiables)) y p
contacto n
sustrato
zona activa
Esquema de un LED de comunicaciones

de emisin superficial (SLED) tipo
Burrus, con acoplo a una fibra MM que
se acerca lo ms posible a la zona de
emisin.
contacto p
zona de emisin
de luz
Ejemplo de LED comercial
4.3 Amplificadores pticos

Aplicaciones en sistemas
Parmetros
P t
d
de amplificadores
lifi d
Amplificadores de fibra dopada
Ppump
Pin
Pout= GPin
Aplicaciones de los Amplificadores
a) (en lnea) Intercalado en la lnea

para alcanzar
l
mayores distancias
di t i de
d
transmisin
b) (Preamplificador)
(P
lifi d ) Aumenta
A
t la
l
sensibilidad del receptor.
c)) (Power
(P
B
Booster)) A
Aumenta lla
estabilidaddel emisor, porque este
genera menos potencia, y su
comportamiento es ms estable.
d) (LAN booster) Para aumentar la
seal antes de distribuirla en una
red.
Regeneradores vs. Amplificadores

Regenerador
Tx
Rx
Tx
Rx
Amplificador
Tx
Rx
El regenerador corrige atenuacin y dispersin, con mayor coste, especialmente en sistemas

WDM.
El amplificador slo corrige la atenuacin y el nmero de etapas est limitada por el ruido
introducido
Parmetros
Ganancia G(Pin) = Pout/Pin
Potencia de saturacin (G cae 3 dB respecto a la
ganancia mxima G0)
Ancho de banda ptico (medido en G a 3 dB)
Tiempo de respuesta
Figura de Ruido (NF, noise figure)
Ejemplo de espectro a la
entrada y salida de un
amplificador, donde se ve el
pico de emisin del lser
amplificado y la introduccin
de una seal ptica adicional
llamada
ASE
(Amplified
Spontaneous
p
Emission))
Output
Input
Saturacin de ganancia
25
20
G0 = 30 dB
Psat= - 3 dBm
Pout (dBm)
15
10
5
G0 = 30 dB
Psat= + 18 dBm
0
-5
-10
-15
-40
-20
20
Pin (dBm)
Pout G Pin
G
G0
GP
1 0 in
Psat
La ganancia se satura al ir
aumentando la p
potencia de
entrada. G0 suele llamarse
ganancia de pequea seal
Tipos de Amplificadores
- SOA (Semiconductor Optical Amplifier)
P bl
dde di
diafona
f entre
t canales
l
Problemas
- FOA (Fiber Optical Amplifier)
EDFA (E
(Erbium
bi
Doped
D
d Fib
Fiber A
Amplifier)
lifi )
Estandar actual, gran uso, solo 3 venta na.
PDFA (P
(Pras eo d ymium
i
Doped
D
d Fib
Fiber A
Amplifier)
lifi )
2 ventana, malas prestaciones
RAMAN
Protagonismo ascendente en el siglo XXI
Vlido para todas las longitudes de onda
Erbium Doped Fiber Amplifiers (EDFAs)

Acoplador
A
l d
WDM
Pin
s
Aislador
Laser de
bombeo
Filtro
Fibra
ptica
dopada
Salida
Pout
Aislador
P
Bombeo
residual
Basados en una fibra ptica, de longitud entre 10 y 30 m, dopada con tomos de Er (en una
proporcin del uno por mil, aprox.). Los iones Er3+ son el medio que proporciona ganancia
cuando
d se bombea
b b mediante
di t un lser
l de
d 0,98
0 98 o 1,48
1 48 m. El acoplador
l d combina
bi la
l seal
l con
el bombeo, y el filtro de salida elimina el bombeo residual.
Esquema de niveles
banda de bombeo
Cada a nivel inferior
Transicin d
de bombeo
banda metaestable
Em
misin
espontnea
Fotn de 980
nm
Fotn de
1480 nm
1550 nm
Absorcin
estiimulada
1550 nm
Em
misin
estiimulada
Tran
nsicim
de b
bombeo
Energga
1477 nm
1600 nm
1550 nm
banda de referencia
El esquema
q
de niveles del ion Er3+ muestra q
que la transicin p
principal
p ((6)) tiene lugar
g entre
una banda metaestable y la banda de referencia, con lo que puede amplificar un rango de
longitudes de onda tpicamente entre 30 y 40 nm. El bombeo (1) tiene lugar bien a 980
nm desde la referencia a la banda de bombeo, dando lugar luego a una transicin rpida (2),
o a 1480 nm usando las mayores energas de la banda metaestable.
Tambin se producen procesos de emisin espontnea (4) y de absorcin (5).
Ganancia y espectro de emisin espontnea amplificada (ASE)

G i off E
Gain
Er3+ in
i phospate
h
t glass
l
Amplified Spontaneous Emission
Pump
N1<< N2
N1>> N2
equilibrium
q
www.rp-photonics.com/
El espectro de ganancia depende del nivel de

bombeo; en equilibrio predomina la
absorcin,
b
i G < 0, y all bombear
b b
se alcanza
l
l
la
inversin de poblacin con lo que la
ganancia pasa a ser positiva.
Ni et al. Optics
Communications, 271, 377
(2007)
El espectro de ASE corresponde con el

espectro de ganancia, y es muy poco
uniforme; en aplicaciones WDM debe ser
ecualizado con componentes pasivos. La
banda central puede ser modificada con codopantes.
Relaciones entre potencias

Psignal out
h signal
photon
output rate
Psignal in
P
pump
h signal h pump
photon
input rate
Psignal out Psignal in
PCE
Power
Conversion
Eficiency
pump
P
signal pump
Psignal out Psignal in

Ppump
Psignal out
Ppump
pump
1
signal
La amplificacin es un proceso de conversin de fotones de mayor a

menor energa, por lo que desde el punto de vista de las potencias la
eficiencia ser menor que el cociente entre la frecuencia de seal y la
frecuencia de bombeo.
4.4 Diodos Lser
Introducin
Condicin umbral
Caractersticas Potencia-Corriente
Lseres monofrecuencia
Lseres sintonizables
CONCEPTO GENERAL DE LSER

LASER Light
LASER:
i ht Amplification
lifi ti b
by Stimulated
ti l t d Emission
i i off Radiation
di ti
Energa (bombeo):
ptico o inyeccin de corriente
BOMBEO
II > I
Iout
Medio con ganancia

(inversin de poblacin)
Realimentacin:
cavidad resonante (Fabry-Perot)
OSCILACIN LSER
MEDIO ACTIVO
g>0
realimentacin
VCC
VCC
Vin
Vout
Vin
Vout K Vin
Vout
Vout
K
Vin 1 K K F
KF
Diodo Lser: estructura bsica

Unin pp-n de semiconductor de g
gap
p directo p
polarizada en directa
Inyeccin de electrones y huecos
Emisin espontnea + emisin estimulada
Condiciones de ganancia ptica
Realimentacin dada por la cavidad: se almacenan fotones
Ganancia igual a prdidas: condicin umbral
Predomina la emisin estimulada
x
metal
contact
z
y
active
region
p- material
n- material
L
W
La figura
g
muestra un esquema
q
de un "chip"
p de
diodo lser de emisin lateral, con la zona activa
entre la zona p y la n.
El eje Z,
Z o longitudinal,
longitudinal es el de la cavidad
resonante y de la emisin de luz (longitud L)
El eje Y, o vertical, es el de la inyeccin de
corriente y es una gua de onda ptica pra
confinar la luz, con espesor activo d.
En el eje X, o lateral, la estructura es en
principio
i i i uniforme,
if
tan slo
l limitada
li i d por las
l
zonas de inyeccin de corriente (ancho W)
Absorcin o ganancia en un semiconductor

Cuando la zona activa no est
bombeada, la BV est llena y la
BC est vaca, por lo que al llegar
un fotn de energa mayor que el
gap, lo probable es que se
absorba
produciendo
una
transicin y generando un
electrn y un hueco. Es decir G <
0 y la luz se atena al propagarse.
P (z) = P0 exp (G z)
G>0
P0
G<0
S i
Semiconductor
d t
En cambio,
cambio si mediante la corriente que atraviesa la
unin p-n se generan electrones en la BC y huecos en la
BV, cuando llegue un fotn con energa algo mayor que
el gap ser ms probable un proceso de emisin
estimulada que de absorcin, producindose dos fotones
idnticos. Es decir G > 0 y la luz se amplifica al
propagarse.
Espectro de ganancia
20
Ga
ain (cm-1))
10
Peaak gain (ccm-1)
15
G peakk ( N ) a ( N N trans
)
t
Egap
Pump
5
0
-5
-10
-15
equilibrium
Carrier density (cm-3)

(1)
-20
1.10
Ntrans
1.15
1.20
1.25
Photon energy (eV)
1.30
Para energas de fotn < Egap, el semiconductor es

siempre
i
transparente, G ~ 0.
0 En
E equilibrio
ilib i (sin
(i
corriente en la unin p-n) es absorbente para
energas > Eggapp, G < 0. Al bombear mediante la
corriente hay un rango de energas en el que G > 0,
teniendo lugar amplificacin.
El mximo de la ganancia en
funcin de la densidad de
portadores presenta un
comportamiento casi lineal a
partir de Ntrans, la densidad de
portadores de transparencia.
Cavidad Fabry-Perot
Z
CURRENT
INJECTION
ACTIVE REGION
L
CLEAVED FACETS
R
E2
GAIN MEDIUM
E0
MIRRORS
Z=0
Z=L
(n 1) 2
R
0.3
(n 1) 2
Mediante el exfoliado (cleaving) de las

caras del semiconductor se forma una cavidad
Fabry-Perot
y
debido a la reflectividad q
que
causan el saltos de ndice entre el
semiconductor ( n 3-4) y el aire.
Al inyectar corriente se generan fotones en la
zona activa por emisin espontnea. Algunos
de ellos tienen la direccin del eje de la
cavidad (Z) y son amplificados por emisin
estimulada, formndose una onda estacionaria
en el interior de la cavidad, llamada emisin
espontnea
amplificada
lifi d (ASE).
(ASE)
Intensidad
ptica (u. a)
CONDICIN UMBRAL
G(N)
Gth
tot
N0
Cuando
C
d se aumenta la
l corriente
i
i
inyectada,
d
aumenta el nmero de portadores en la zona
activa y por tanto la ganancia. Para un
determinado valor de corriente (corriente
umbral) se alcanza la condicin umbral o
condicin de ida y vuelta,, qque es equivalente
q
a una condicin de oscilacin: un campo
ptico que se propaga en el interior una ida y
vuelta se debe mantener constante en mdulo
y en fase.
Matemticamente se puede expresar como:
Nth
MDULO :
Gth in
FASE :
2kL=2m
1 1
ln tot
L R
Gth(cm-1) : ganancia umbral

in(cm-1): coeficiente de prdidas internas
tot(cm-1): coeficiente de prdidas totales
Gain
Modos longitudinales (lser FP)

tot
cavity losses
longitudinal
modes
2kL 2 m
mc
m
neff 2 L
carrier
d i
density
0
Wavelength (m)
lasing mode
La separacin tpica entre modos longitudinales en

lseres FP es de 0,1
0 1 a 0,3
0 3 nm,
nm con lo que hay un gran
nmero de modos en la zona del espectro con
ganancia positiva, de anchura tpica 30 -40 nm.
Al ir aumentado la corriente inyectada,
inyectada tender a
lasear el modo ms cercano al mximo de ganancia,
pero como el mximo de ganancia no es abrupto
h b competencia
habr
i y saltos
l
aleatorios
l
i entre modos
d
(mode hopping)
c
neff 2 L
neff 2 L
2
neff 2 L
m>>1
0.6
0
-20
-40
-60
1270
1280
1290
1300
1310
WAVELENGHT (nm)
1320
OP
PTICAL POW
WER (a.u.)
OPTICAL PO
O
OWER (dBm
m)
Espectro de emisin (FP laser)

LOG. PLOT
LIN PLOT
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1290
1300
WAVELENGTH (nm)
Lseres FP: tambin llamados MLM (multilongitudinal mode)

Parmetros:
Longitud
L
it d de
d onda
d de
d pico:
i p
Ancho espectral: (definido por la anchura FWHM de la envolvente)
Valor tpico: 1- 3 nm
P
SMSR (Side Mode Supression Ratio): SMSR 10 log maini modd e
Pside mod e
Valor tpico: 3-20 dB
Ecuaciones de balance
dN (t )
I (t )
dt
qVact
Inyeccin
de portadores
dN ph (t )
dt
N (t )
v g G(N) N ph (t )
Recombinacin
estimulada
Recombinacin
espontnea y
no-rad.
N ph (t )
v g G(N)N ph (t )
Rsp
ph
Emisin
Emisin
espontnea
estimulada
Prdidas
de fotones
en el modo
laser
Em. estimulada
Prdidas
Portadores
Pout (t ) N phh (t )
Fotones
c : tiempo de vida de portadores ( ns)
ph : tiempo de vida del fotn ( ps)
N(t): densidad de portadores en regin activa (cm-3)
Nph(t): densidad de fotones en la cavidad (cm-3)
Npph(t)
Cavidad ptica
G(N):
G(N) C
Coeficiente
fi i t de
d ganancia
i (cm
( -11)
vg: velocidad de grupo
Prdidas
ph
Las ecuaciones de balance (rate equations) describen

aproximadamente la dinmica de los portadores y de los fotones
en un diodo lser.
La potencia ptica emitida es proporcional a la densidad de
fotones, por lo que las ecuaciones permiten calcular la potencia en
dinmica y en estacionario.
v g tot
La prdida de fotones
depende del coeficiente de
prdidas totales
Caractersticas P-I
dN
I
N
v g G(N) N ph (t ) 0
dt
qVact c
d ph
dN
dt
N ph v g G tot Rsp 0 N ph
G
tot
Rsp
Gth
v g tot G
Condicin umbral Gth tot (@ I th ; N th )

N0
Nth
Poutt 0 ; I I th
Pout slope ( I I th ); I I th
density
Nth
slope: eficiencia de la pendiente (W/A)

En estado estacionario las ecuaciones permiten definir la
corriente
i t umbral
b l como ell valor
l de
d corriente
i t en ell que la
l
ganancia tiende a igualar las prdidas, y a partir de esa
corriente predomina la emisin estimulada con lo que la
ganancia y la densidad de portadores permanecen
constantes.
output
0
Ith
I
Emisin simtrica/asimtrica
h
Ptot P1 P2 d
( I I th )
q
R1
d: eficiencia cuntica diferencial ((~ 90%),

),
corresponde al cociente entre el nmero de fotones
emitidos y el nmero de electrones inyectados por
encima de umbral
R2= R1
Simtrico: emite lo mismo
P1
P2
R 1 = R 2 P1 P2 ; slope-1,2
l
R1
1
h
d
2
q
R2<< R1
Asimtrico: emite mucho

P2
P1
HR
p ambas caras,, qque no estn

por
recubiertas (R 0,3)
AR
R 1 >> R 2 P2 >> P1 ; slope-2 d
h
q
ms por la cara con

recubrimiento anti-reflectante
(AR R 0,1
(AR,
0 1 ) que por la cara
con recubrimiento altamente
reflectante (HR, R 0,9)
Curvas P-I y dependencia con la temperatura

La corriente umbral tpica en LDs de
comunicaciones es 10 a 20 mA
La pendiente es muy alta (tpica 0.1-0.5
01 05
W/A en fibra) y la emisin muy lineal
La potencia tpica es 0-10 dBm
La
L corriente
i t umbral
b l tiene
ti
una gran
dependencia con la temperatura, que
puede aproximarse mediate:
0.10
15 C
Optical Po
O
ower (W)
25 C
0.08
35 C
45 C
55 C
0.06
65 C
75 C
0.04
0 02
0.02
0.00
0
0.2
0
2
Current (A)
04
0.4
I th T I th Tref e
T Tref
T0
T K
ddonde
d T se expresa en K y T0 es la
l temperatura
t
t
caracterstica
Lseres
Lseres de 11 ventana (GaAs): T0 > 120 K
Lseres de 2 y 3 ventana (InGaAsP): T0 ~ 50-70 K
Espectro de emisin: Lseres monofrecuencia
Power Intensity (dB))
DFB
laser
DFB
100
50 C
C
75
45
40
50
35
25
30
25
20
-25
1536
1537
1538
-10
VCSEL
VCSEL
-20
-30
-40
50
-50
-60
-70
15
-50
50
Power Intensity (dBm

m)
125
1539
1540
1541
-80
840 842 844 846 848 850 852 854
Wavelength (nm)
Wavelength (nm)
Tambin
T
bi llamados
ll
d SLM (single
( i l longitudinal
l i di l mode)
d )
Tipos: Distributed Feedback (DFB), Distributed Bragg Reflector (DBR),
Vertical Cavityy Surface Emittingg Laser ((VCSEL))
Seleccionan un nico modo de la cavidad
Ancho espectral muy pequeo (<< 0.01 nm)
SMSR (Side Mode Supression Ratio): 40 -50 dB
Emisin sintonizable por temperatura
LSERES DFB (Distributed Feedback)
+
grating
p-type
active
region
n type
n-type
Longitud de onda de Bragg:

= m B / 2 neff
La realimentacin ptica es proporcionaba por una red de difraccin interna,
con variacin pperidica del ndice. Dicha red ppermite la ppropagacin
p g
de un
nico modo a la longitud de onda de Bragg, o armnicos.
La tecnologa de fabricacin es compleja, lo que implica alto precio.
La mayor parte de los lseres de comunicaciones en 22 y 33 ventana son DFB
Lseres DBR (Distributed Bragg Reflector)

+
[Agrawal 04]
p-type
DBR
DBR
n-type
Prdidas
Sustituyen uno o ambos espejos por un

DBR, lo que de lugar a una reflectividad tot()
G()
dependiente de la longitud de onda.
Las
L prdidas
did totales
t t l dependen
d
d tambin
t bi
de la longitud de onda, con lo que la
condicin umbral se alcanzar para el
modo FP que coincida con la mxima
reflectividad de los espejos.
Suelen emplearse
p
en su versin
Ganancia
sintonizable.
tot()
G()
[Coldren 95]
LSERES DE CAVIDAD VERTICAL

Vertical Cavity Surface Emitting
Lasers (VCSELs)
Constan de dos DBRs, fabricados
alternando capas de dos semiconductores,
con alta reflectividad.
Pequeo volumen: menor ganancia,
menor Ith
Alta densidad (produccin)
Posibilidad de arrays
y 2D
Tecnologa compleja
Problemas trmicos
Muy comn en 1 ventana, comenzando
en 2 y 3 ventana
Bajo precio!
Funcionamiento de un Lser Sintonizable
[Coldren et al, JLT 23, 193

(2004)]
Un diodo
U
di d lser
l sintonizable
i t i bl puede
d constar
t de
d diferentes
dif
t tcnicas
t i
d sintona:
de
i t i)
el filtro de seleccin de modo sera la sintona gruesa y no continua, sino a
saltos, pues selecciona un modo del peine FP ii) una variacin de la fase
mediante
di
variacin
i i fina
fi del
d l ndice
di y iii) una variacin
i i de
d la
l longitud
l i d de
d la
l
cavidad. ii) y iii) dan lugar a una sintona fina y continua.
[Coldren et al, JLT 23, 193

(2004)]
Rango mximo de sintona: ancho del espectro de

ganancia (30-40 nm)
Lser DBR Multiseccin
seccin DBR: sintona de al

variar I3
seccin de
ganancia
seccin fase: sintona fina de

al variar I2
La seccin de ganancia proporciona ganancia al aumentar la corriente I1. La

seccin DBR selecciona un nico modo FP de la cavidad,, y variando la
corriente I2 se selecciona el modo (sintona gruesa) debido a la variacin en el
ndice de refraccin causada por la inyeccin de portadores, que modifica la
longitud de onda de Bragg. La seccin de fase da lugar a sintona fina con la
corriente I2 al variar el ndice de refraccin total y por tanto la posicin de cada
modo FP.
Este tipo de lseres es muy empleado actualmente en sistemas DWDM
Lser sintonizable de Cavidad Externa
[Coldren et al, JLT 23, 193 (2004)]
La cavidad lser est definida por una cara del chip (recubrimiento HR) y por
un espejo externo, por lo que otra cara debe estar con un recubrimiento AR. El
espejo externo es una red de difraccin que puede girarse para seleccionar qu
longitud
g
de onda es reflejada.
j
Estos lseres se emplean en equipos de instrumentacin, para caracterizacin de
sistemas y componentes, pero no en comunicaciones.
4.5
TRANSMISORES
Comparacin entre emisores
LED: respuesta dinmica
LD respuesta
LD:
t dinmica
di i
Mdulos Lser
Modulacin externa
Mdulos integrados
Comparacin entre emisores

LED
LD-FP
LD-DFB
DBRDBR
sintonizable
VCSEL
Potencia en
fib
fibra
Baja
j
Alta
Alta
Alta
Alta
Espectro
Ancho
Estrecho
Muy estrecho
Muy estrecho
Muy estrecho
Velocidad de
Modulacin
Baja-media
Alta
Alta-muy alta
CW (mod.
externa )
Alta-muy alta
Costo
j
Bajo
Medio
Alto
Muy
y alto
Bajo
j
Acoplo a fibra
MM
SM
SM
SM
MM
Ventanas (para
C.O.)
11, 22
22, 33
toda las bandas
bandas
CyL
1
1
Aplicaciones
Baja tasa
binaria -corta
corta
distancia.
En desuso.
Baja/media
tasa binaria baja/ media
distancia
En desuso.
Alta tasa
binaria y/o
larga distancia
WDM
DWDM
Alta tasa
binaria /corta
distancia
LED: Respuesta dinmica
c
Encendido P (t ) PON (1 e )
c
Apagado P (t ) PON ( e )
Tiempo de subida 10-90%

Tr ln 9 c 2, 2 c
1.5
i(t)//Ion
1
05
0.5
0
-0.5
15
1.5
P(t)//Pon
dN (t )
I (t )
N (t )
; P (t ) N (t )
c
dt
qVactivo
-2
10
10
t (ns)
0.5
0
-0.5
-2
tpico c 1-5 ns
4
t (ns)
LED: pequea seal

I (t ) I b I m e
j m t
I m I b pequea seal
N (t ) N b N m ( ) e j m t P (t ) Pb
Pm ( )
ext h m
H ( m )
e j m t
N m ( )Vact
Pm ( ) N m ( )
1
Pm (0)
N m (0) 1 j m c
spon
1.2
c= 1ns
1.0
0.8
H ( )
1
1 j c
H ( )
2
|H (w
w)|
f3dB~ 160 MHz
0.4
0.2
1
1 c
06
0.6
0.0
1.E+00
1
1 2 f c
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
Frequency (MHz)
Relacin entre potencias elctricas
H ( )
2
1
1
f 3 dB
2
2 c
Max. tasa binaria (comercial): 125 Mb/s

LD: Respuesta dinmica

Tiempo de retardo (o encendido) d: 0.2
0 2 - 0.5
0 5 ns
Oscilaciones de relajacin: 1-20 GHz
I ON
N th
I OFF
I ON I OFF
I ON I th
d c ln
PON
El encendido de un diodo
lser da lugar a una respuesta
temporal complicada. En
primer lugar hay un tiempo de
retardo d ( o encendido) hasta
que comienza la emisin de
potencia, que es el necesario
para que se acumulen los
portadores necesarios para
producir la ganancia umbral.
umbral
Luego se producen unas
oscilaciones, llamadas de
relajacin hasta que
relajacin,
q e se
alcanza el estado estacionario.
Para evitar el tiempo de retardo se aplica una seal moduladora

cuya corriente en OFF es aproximadamente la corriente umbral
Modulacin digital directa
12 5 Gbps
12,5
IOFF ITH
[Petermann 88]
ION I(Pmax.)
Relacin de extincin = 10 log( PON /POFF)
Modulacin en Frecuencia
[Consoli 11]
Cuando se modula un diodo lser en

intensidad se produce inevitablemente una
variacin adicional en la frecuencia ptica
instantnea. Ello es debido a que la variacin
interna del nmero de pportadores conlleva una
variacin del ndice y por tanto de la
frecuencia de emisin. Esta variacin de
frecuencia en un pulso se conoce como chirp.
chirp
Como consecuencia, el espectro de emisin
promedio se ensancha y se aumenta la
dispersin.
dispersin
Debido a este efecto se evita la modulacin
directa del lser para tasas binarias mayores de
2 5 o 10 Gb/s,
2,5
Gb/ y se emplea
l modulacin
d l i externa
[Villafranca 09]
Mdulos lser
Se emplea un aislador ptico a la salida para evitar la

realimentacin ptica, que puede desestabilizar la emisin
monofrecuencia.
Dispositivo
real
Mdulos DFB
Mdulos Transceiver: Ejemplos
Modulacin Externa
DATA
EXTERNAL
MODULATOR
DC SOURCE
SMF
LD
El empleo de modulacin externa se hace necesario:

i. En modulacin de intensidad (OOK) a altas tasas binarias ( > 2.5 o 10 Gbps),
debido al "chirp"
chirp del lser al ser modulado directamente.
directamente
ii. En todos los tipos de modulacin de fase.
Tipos
Electroptico (EOM): basado en la variacin del ndice de refraccin, y
por tanto en la fase, con la tensin aplicada en un cristal EO. Ejemplo:
Modulador Mach-Zehnder (LiNbO3).
) Modula en intensidad o fase.
fase
Electroabsorcin (EAM): basado en la variacin de la absorcin con la
tensin aplicada debida a los efectos Franz Keldysh (volumen) o Quantum
Confined Stark Effect (QCSE) en pozos cunticos. Integrable con el lser.
Modula en intensidad.
Modulador Mach-Zehnder (I)

cristal de LiNbO3
Estn basados en un material con efecto electroelectro

ptico, en el que el ndice depende de la tensin
aplicada, siendo el niobato de litio el ms empleado.
Se aplica una tensin cada rama del MZ que
provoca un desfasaje dado por: i(t) = Vi (t)/V
La funcin de transferencia en campo vale:
1
j [ (1 ( t ) 2 ( t ))]
Eout (t ) 1 j1 (t )
1
j2 ( t )
(e
e
) cos[ (1 (t ) 2 (t ))]e 2
Ein (t ) 2
2
Eout (t )
V (t )
exp(
p( j
)
Ein (t )
V
i) Empleo como modulador de fase pura: 1(t) = 2(t) = V(t)/V
Fuente: [Gnauck/Winzer 05]
En este caso, al aplicar una seal

NRZ de la amplitud apropiada la
fase se modula entre 0 y pasando
por fases intermedias (chirp). Se
aade despus
p
un tallador de
pulsos (pulse carver) RZ para
poder recuperar el reloj.
Modulador Mach-Zehnder (II)

ii) Empleo como modulador de intensidad o fase 0/: 1(t) = - 2(t) = V(t)/V
Eout (t )
V (t )
cos[[
]
Ein (t )
V
V (t )
2
Si se aade
d una tensin
i de
d polarizacin
l i i
en continua que lo coloque en el punto
OP (cuadratura) y se modula alrededor de
ese punto
p nto con amplitud
amplit d V se obtiene
modulacin de intensidad OOK
Pout (t )
V (t ) 1 1
V (t )
cos 2 [
] cos(
)
Pin (t )
V
2 2
2V
V (t )
2
Pero Si se aade una tensin de

polarizacin en continua que lo coloque
en el punto OP (mnimo de transmisin)
y se modula alrededor de ese punto con
amplitud 2V se obtiene modulacin
digital de fase PSK
Modulador Mach-Zehnder (III)

ii) Empleo como modulador de fase 0/:
Fuente: [Gnauck/Winzer 05]
En este caso, al aplicar una seal

NRZ de la amplitud apropiada la
fase se modula entre 0 y sin pasar
por fases intermedias, pero tiene un
mnimo de intensidad.
Otros formatos
Combinando moduladores MZ en
niobato
i b t de
d litio
liti (LN) con Planar
Pl
Lightwave Circuits PLC, se construyen
moduladores para
muchos otros
formatos incluyendo multiplexado en
formatos,
polarizacin.
Fuente: [Mino 12]

Moduladores de Electro-absorcin
[Ackerman 02]
Estn
E
t basados
b d en ell denominado
d
i d Quantum
Q t
C fi d Stark
Confined
St k effect,
ff t en ell que la
l
aplicacin de un campo elctrico a un semiconductor produce un cambio en el
valor de su energa de gap, con lo que pasa de ser tranpasrente a absorbente.
Sus ventajas son que tienen una respuesta temporal muy rpida y que pueden ser
integrados con el lser en un Photonic Integrated Circuit (PIC). Su
inconveniente es qque no ppuede emplearse
p
en modulacin de fase.
Lser Sintonizable Integrado von modulador EA
[Coldren et al, JLT 23, 193 (2004)]
Se muestra
S
t ell esquema de
d un lser
l
SG (sampled
(
l d grating)
i ) DBR,
DBR sintonizable,
i t i bl
integrado en el mismo chip con un amplificador de semiconductor y un
modulador de electro-absorcin (MQW: Multi-quantum well; Q waveguide: gua
de onda de Cuaternario)
Modulos sintonizables para DWDM

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TEMA 4: TRANSMISORES PTICOS

4 1 Introduccin y Conceptos bsicos

4.1 Introduccin y Conceptos bsicos

Tipos de emisores y requisitos

Laser Diodes ((LDs))

ESTIMULADA NETA = ESTIMULADA ABSORCIN :

La ganancia es proporcional a la emisin estimulada neta: g (N2 -N1)

Bombeo con tres niveles

Semiconductor intrnseco: BV llena, BC vaca

Interaccin Radiacin-materia: Semiconductor

Un fotn con energa

Un fotn con energa superior al

Bombeo mediante unin p-n

El papel de la unin pp-nn polarizada en directo es transferir electrones de la BV,

LED: Principios de funcionamiento

La ecuacin de balance, o continuidad, describe la

I(t): corriente inyectad en la regin activa (A)

Caractersticas Potencia-corriente (P-I)- I

En estado estacionario, al alimentar el LED con corriente

Se define la eficiencia cuntica interna (o rendimiento

Caractersticas Potencia-corriente (P-I)- II

Full Width Half Maximum (FWHM)

Esquema de un LED de comunicaciones

Ejemplo de LED comercial

4.3 Amplificadores pticos

Aplicaciones de los Amplificadores

a) (en lnea) Intercalado en la lnea

Regeneradores vs. Amplificadores

El regenerador corrige atenuacin y dispersin, con mayor coste, especialmente en sistemas

Erbium Doped Fiber Amplifiers (EDFAs)

Cada a nivel inferior

Ganancia y espectro de emisin espontnea amplificada (ASE)

Amplified Spontaneous Emission

El espectro de ganancia depende del nivel de

El espectro de ASE corresponde con el

Relaciones entre potencias

Psignal out Psignal in

Psignal out Psignal in

La amplificacin es un proceso de conversin de fotones de mayor a

4.4 Diodos Lser

CONCEPTO GENERAL DE LSER

Medio con ganancia

Diodo Lser: estructura bsica

Absorcin o ganancia en un semiconductor

Peaak gain (ccm-1)

Carrier density (cm-3)

Para energas de fotn < Egap, el semiconductor es

Mediante el exfoliado (cleaving) de las

Gth(cm-1) : ganancia umbral

Modos longitudinales (lser FP)

La separacin tpica entre modos longitudinales en

Espectro de emisin (FP laser)

Lseres FP: tambin llamados MLM (multilongitudinal mode)

Las ecuaciones de balance (rate equations) describen

Condicin umbral Gth tot (@ I th ; N th )

slope: eficiencia de la pendiente (W/A)

d: eficiencia cuntica diferencial ((~ 90%),

Simtrico: emite lo mismo

Asimtrico: emite mucho

p ambas caras,, qque no estn

R 1 >> R 2 P2 >> P1 ; slope-2 d

ms por la cara con

Curvas P-I y dependencia con la temperatura

Espectro de emisin: Lseres monofrecuencia