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Practica #1 Polarizacin JFet

Pablo Andres Senz Arias, psaenza@est.ups.edu.ec
Universidad Politecnica Salesiana,Sede Cuenca
Laboratorio Analogica II

ResumenEste documento presenta un informe de presentacin por haber finalizado la practica de Laboratorio

gracias a que utilizamos la Ecuacin de Shockley como se

presenta en la ecuacin [1] en el cuadro1

Index TermsPolarizacin, Jfet, MosFet, Auto enseanza.


2
V GS
ID = IDSS 1
VP

O BJETIVOS
Disear, calcular e implementar las siguientes polarizaciones.
Autopolarizacin
Retroalimentacin
Polarizacin Fija
Partidor de tensin.
Realizar el circuito y la simulacin de la polarizacin de los
transistores mosfet.
Incremental.
Decremental.
Explique por que se puede quemar un transistor JFet y Mosfet.
I.

M ARCO T ERICO

Esta practica realizamos el diseo y armado de las diferentes

polarizaciones que puede ofrecer un semiconductor JFet. La
caracterstica que ofrecen estos transistores JFet es que pueden
controlar la corriente que circula por el D (Drenador) y S
(Fuente), mediante el voltaje entregado por VGS, como se
muestra en la figura1

(1)

En mi caso utilice un JFet motorola donde utilice un

circuito de polarizacin fija y obtuve las siguiente mediciones
mostradas en el cuadroI:
Cuadro I
VALORES OBTENIDOS DE LA CARACTERISTICA DEL JF ET
V. Medido
V. Medido

VG1=-1V
VG2=-1.5V

ID1=4.12mA
ID2=3.5mA

RD=560
RD=1k

Gracias a estas mediciones y utilizando la Ecuacin de

Shockley(mostrada en la ecuacin1) encontramos un valor
de IDSS=8.568mA y VP=-3,26V. Una vez obtenido estos
valores, procederemos a realizar los diseos de las diferentes
polarizaciones.
I-A.

Polarizacin Fija

Este circuito consiste en poner una fuente conectada directamente entre los terminales G y S, para comandar directamente
al JFet. Al no tener resistencia al S (Fuente) estos son un poco
inestables su punto de trabajo. Dicho todo esto, a continuacin
mostraremos el esquema del circuito de polarizacin fija que
se muestra en la figura2

Figura 1. JFet

Figura 2. Polarizacin Fija

Un transistor JFet tiene 2 parmetros que lo caracterizan al

trabajar. Tanto el IDSS como el VP son parmetros que nos
ayudaran mas adelante a realizar los clculos para el diseo
de los mismo. Tomando 2 pares de datos, como es el ID y
VGS con 2 resistencias diferentes conectadas en D (Drenador)
encontraremos el IDSS y VP de nuestro JFet. Esto es posible

Analizando una malla que se crea en el circuito podemos

resolver fcilmente RD y su valor de VGS. Un dato de diseo
entregado por el profesor de laboratorio de Analgica II indica
que desea que la corriente de ID=8mA, y un VDS trabajando
en la mitad de VDD, con este dato encontraremos fcilmente
las dems incgnitas.

V RD = V DD + V DS

RD =

ID RD = 12 6
RD =

5,89
8103

RD = 0,736k

6
8103

Analizando la otra malla nos queda que:

V GS = ID RS

RD = 0,75k
Ahora utilizando nuevamente la ecuacin1 encontraremos
VGS.
2

IDq = IDSS 1 VVGSq
P

2
GSq
8 103 = 8,568 1 + V3,26
V GSq = 0,109V

RS =

0,11
8103

RS = 13,75
I-C.

Polarizacin por Divisor de Tensin

Este tipo de circuito es considerado estable y muy fcil

de encontrar, si es que busca aplicaciones de este en foros de
electrnica. Del circuito que hablamos se muestra en la figura4

Este procedimiento realizaremos en cada uno de las siguiente polarizaciones.

I-B. Polarizacin
ce(Autopolarizacin)

con

resistencia

de

Sour-

Este circuito consiste en conectar el terminal G a tierra y

ahora colocar una resistencia en el S(Fuente), los datos como
IDSS y VP nos servir nuevamente para realizar los clculos.
En la figura3 muestra el esquema de Autopolarizacin.

Figura 4. Polarizacion por divisor de tension

Figura 3. Autopolarizacin

Teniendo los datos como son IDSS=8.568mA, VP=-3,26V,

VDD=12V,ID=8mA y conociendo que trabajamos con un VDS
por la mitad de VDD, remplazando los valores encontraremos
los dems valores utilizando la ecuacin1:

2
ID = IDSS 1 VVGS
P
q
ID
V GS
IDSS = 1 V P
q


ID
V GS = 1 IDSS
VP
V GS = 0,11V
Ahora bien, sumando todos los voltajes en una malla nos
queda que:
V RD = V DD V DS V RS

Volviendo al tema los datos impuestos en este divisor de

JFet son como IDSS=8.568mA dato que se va respetar en
cada uno de los diferente circuitos, VP=-3.26V, VDD=12V,
ID=8mA, ID=IS,R2=1M,VG=2V y por supuesto que la
IG=0A.
Despejando el valor de VGS nos queda:
q


ID
V GS = V P 1 IDSS
q


8103
V GS = 3,26 1 8,56810
3
V GS = 0,11V
Realizando la otra malla queda:
V DD = V R1 + V R2
V R1 = 12 2
V R1 = 10V
Conociendo ya el voltaje en la R1 podemos encontrar la
resistencia resultante:


10
R1 =
2
1106

R1 = 5M

V RD = 12 6 0,11

Encontrada las resistencia del partidos de tensin, ahora

encontraremos las RD y RS.

V RD = 5,89V

V G = V GS + V RS

Ahora encontrada el VDR y VGS, encontraremos la RD:

ID RS = 2 + 0,11

ID RD = 5,89

RS =

2,11
8103

RS = 0,264k
Encontrado RS, encontraremos en la otra malla la RD:
V RD = V DD V DS V RS
ID RD = 12 6 2,11
RD =

I-E.

Polarizacin con G a Tierra

Este es un caso especial en las diferentes tipos de polarizaciones y sin hablar del mas inestable ya que no contiene
resistencia en el S(Fuente) y esto provoca que su punto de
trabajo se mueva.
El esquema de este circuito se lo puede apreciar en la figura6

3,89
8103

RD = 0,486k

I-D.

Polarizacin con fuente doble

Este tipo de polarizacin, es donde utilizamos 2 fuentes

diferentes conectadas a resistencias en el D(Drenaje) y el
S(Fuente) y mandamos al G a tierra general. Del circuito del
que hablamos se encuentra en la figura5 donde lo armaremos
de 2 diferentes maneras para poder analizarlo.
Figura 6. Polarizacion con Gate a Tierra

El circuito debe ser diseado de la diferente manera

IDSS=8.568mA, VP=-3.6V, ID=8mA, VDS=6V, conociendo
que en este tipo de polarizaciones VGS=0V y VDD=12V.
Dado estos parmetros procederemos a calcular las diferentes componentes.
V RD = V DD V DS
ID RD = 12 6
RD =
Figura 5. Polarizacion con fuente doble

Teniendo en cuenta el esquema de este tipo de polarizacin,

entonces comenzaremos a calcular. Los datos impuestos son
IDSS=8.568mA, VP=-3.26V, VDD=10V, VSS=2V, ID=8mA,
VDD=2V
Teniendo los parmetros definidos entonces encontramos:
V GS = V SS V RS
ID RS = 2 + (0,11)
RS =

2,11
8103

RS = 0,264k

6
8103

RD = 0,75k
I-F.

Mosfet

I-F1. Mosfet empobrecimiento: El manejo de mosfet de

empobrecimiento es parecido al JFet, solamente que este ademas de trabajar con valores de VP negativos, trabaja tambin
con valores positivos. Esta caracterstica tiene muchas mas
aplicaciones en ciertas reas donde se podra aplicar. En este
caso utilizaremos para un circuitos propuesto cualquiera.
Los valores que tiene mi circuito son como el IDSS=8mA,
VP=-3V, ID=8mA, VDD=18V.
Dados estos parmetros, procederemos a desarrollar el siguiente circuito de la figura7:

En otra malla tenemos:

V RD = V DD V DS V RS + V SS
ID RD = 12 6 2,11
RD =

3,89
8103

RD = 0,486k
Ahora encontramos el valor de VGS:
q


ID
V GS = V P 1 IDSS
q


8103
V GS = 3,26 1 8,56810
3
V GS = 0,11V

Figura 7. mosfet empobrecimiento

q


ID
V GS = V P 1 IDSS



q
8103
V GS = 3 1 1010
3

II.

V GS = 0,32V

En esta seccin se presenta los materiales y herramientas

que se utilizaron en la practica, al cual se muestran en el
cuadroII a continuacin.

Ahora remplazando nos queda:

V GS = ID RS
RS =

0,32
8103

Cuadro II
D ESCRIPCION DE M ATERIALES Y H ERRAMIENTAS

RS = 0,04k
En una malla nos queda:

Descripcion
JFET
Resistencias
Alambre
Bananas
Pinzas
TOTAL

V RD = V DD V RS V DS
ID RD = 12 0,32 6
RD =

M ATERIALES Y H ERRAMIENTAS

5,68
8103

Cantidad
2
10
1
4
1
18

Precio
4$
2.30$
2$
20$
20$
48.30$

RD = 0,71k
Luego de analizar este tipo, veremos nuevamente otro tipo
de polarizacin que se llama Mosfet de enriquecimiento.
I-F2. Mosfet Enriquecimiento: Una de las caractersticas
de este tipo de mosfet se refiere a que son bastante diferentes
de los JFet y los Mosfet.
En este tipo utilizaremos los clculos tomando en cuenta
otro tipo de ecuaciones, como las que se mostraran a continuacin la ecuacin2:

ID = k (V GS V GS(T H))

(2)

Nuestro circuito tiene como datos ID(ENCENDIDO)=6mA,

VGS(ENCENDIDO)=8V, VGS(TH)=3V, el esquema de nuestro circuito se ve a continuacin en la figura

El precio aproximado a utilizar es muy elevado en esta

practica, se acerca a los 50 dolares aproximadamente. Es un
precio alto de pagar, pero para el conocimiento no hay limites,
ni se diga precios.

III.

D ESARROLLO

En este espacio tomaremos las medidas hechas en laboratorio y compararemos con cada una de los datos calculados en
el diseos de cada uno.

III-A.

Polarizacin fija

En cada una de las polarizaciones tuvimos inconvenientes,

tanto en encontrar resistencias exactas a las calculadas, es
por eso y muchos mas aspectos que nuestros datos calculados
nunca se van asemejar a la realidad.
A continuacin vamos a mostrar la tablaIII de datos donde
ponemos cada uno calculado con su respectivo medido.
Tabla 3

Figura 8. Mosfet enriquecimiento

Ahora comenzaremos el anlisis:

IG = 0A
V GS = 6V
Entonces:

Cuadro III
M EDIDO -C ALCULADO -F IJA

Medido
Calculado

ID
8.21mA
8mA

VDS
5.78V
6V

VGS
-110.3mV
-109mV

V RD = V DD V DS
RD =

6
8103

RD = 0,75k
Luego de haber analizado todos los tipos de polarizaciones
con JFet y Mosfet procederemos con las simulaciones,grficas
y conclusiones correspondiente.

Si notamos los datos se asemejan bastante, tenemos un

error promedio de 3 % bastante aceptable, esto se puede lograr
gracias a muchos parmetros a la hora de disear y armar. A
continuacin veremos la comparacin de otros datos.
En la simulacin los datos coinciden, como se puede
apreciar en la figura9

Figura 9. Simu-fijo
Figura 11. Simu-auto

Y su recta de carga de salida y de ingreso es:

Y su recta de carga de salida y de ingreso es:

Figura 10. Recta entrada-salida

Figura 12. Recta entrada-salida

III-B. Polarizacin
ce(Autopolarizacin)

con

resistencia

de

Sour-

Estableceremos nuevamente los datos medidos con los calculados y analizaremos, comprobaremos que pasa con cada
uno de ellos en este tipo de polarizacin, como se muestra en
la tablaIII.
Tabla 4

III-C.

Polarizacin por Divisor de Tensin

Como lo hemos hecho antes compararemos los datos

medido-calculados. A continuacin la tablaV.

Cuadro IV
M EDIDO -C ALCULADO -AUTOPOLARIZACION

Medido
Calculado

ID
8.26mA
8mA

VDS
5.85V
6V

VGS
-136.3mV
-0.11V

Cuadro V
M EDIDO -C ALCULADO -D IVISOR -T ENSION

Medido
Calculado

Si notamos los datos nuevamente se asemejan bastante,

tenemos un error promedio de 3.1 % considerado aceptable,
esto se puede lograr gracias a muchos parmetros a la hora de
disear y armar. A continuacin veremos la comparacin de
otros datos.
En la simualcion los datos coinciden, como se puede
apreciar en la figura11

ID
8.26mA
8mA

VDS
5.85V
6V

VGS
-136.2mV
-0.11V

Nuevamente no tenemos ningn error mucho mayor que los

valores medidos.
En la simulacin los datos coinciden, como se puede
apreciar en la figura13

Figura 15. Simu-doble-fuente

Figura 13. Simu-partidor

Y su recta de carga de salida y de ingreso es:

Y su recta de carga de salida y de ingreso es:

Figura 16. Recta ingreso-salida

Figura 14. Recta entrada-salida

III-E.
III-D.

Polarizacin con G a Tierra

Polarizacin con fuente doble

Como lo hemos hecho antes compararemos los datos

medido-calculados. A continuacin la tablaVI.

Cuadro VI
M EDIDO -C ALCULADO -F UENTE -D OBLE

Calculado
Medido

ID
5.88mA
8mA

VDS
8.01v
6V

VGS
2588.01mV
-0.11V

Este caso se dio una variacin mayor en comparacin a las

anteriores polarizaciones. Este es un circuito especial y como
veremos adelante, hay un tipo de polarizacin donde no tiene
resistencia en el S(Fuente), por lo tanto su punto de trabajo
va a estar variando.
En la simualcion los datos coinciden, como se puede
apreciar en la figura15

Analizaremos y compararemos nuestros clculos con nuestras mediciones.A continuacin la tablaVII

Cuadro VII
M EDIDO -C ALCULADO -F UENTE -G-T IERRA

Medida
Calculado

ID
8.7mA
8mA

VDS
5.26V
6V

VGS
0V
0V

Si vemos la corriente se desvi un poco de su objetivo, pero

los dems parmetros se mantuvieron estables.
Con esta ultima polarizacin, hemos hecho todo el anlisis
necesario para entender este componente como es le JFet y
Mosfet.
En la simulacin los datos coinciden, como se puede
apreciar en la figura17

Figura 17. Simu-G-Tierra

Y su recta de carga de salida y de ingreso es:

Figura 20. recta entrada-salida

III-F2. Mosfet enriquecimiento: El sistema simulado de

la figura21

Figura 21. mos-enri

Figura 18. Recta ingreso-salida

III-F.

No se pudo simular ya que no se encontrar los valores donde

se puede sustituir sus valores, para que el simulador trabaje
correctamente.
Y su recta de carga de salida y de ingreso es:

Mosfet

Ahora simularemos los Mosfet

III-F1. Mosfet empobrecimiento: El sistema simulado de
la figura19

Figura 22. Recta entrada-salida

III-G.
Figura 19. mos-empro

No se pudo simular ya que no se encontrar los valores donde

se puede sustituir sus valores, para que el simulador trabaje
correctamente.
Y su recta de carga de salida y de ingreso es:

Razones por las cuales un transistor JFet y Mosfet

Unas de las caractersticas por las cuales caracterizan a los

jfet a diferencia de los bjt , es que estos no manejan corriente,
por lo que una corriente elevada entrado por G(gate) creara
el rompimiento del mismo.
Una tensin elevada en D(drane) S(source) propiciamos
a que el dispositivo se dae. Tambin si invirtiramos la
polaridad del mismo.

IV.

A NLISIS

Como se vio a lo largo de todo este informe se detallaba en

cada uno todo lo necesario o dato extra para el entendimiento
mejor del mismo, aprendimos a manejar de mejor manera
el programa de multisim e desarrollar nuestra habilidades en
el programa de LYX, que a mi parecer es una herramienta
enorme para desarrollar los informes y no solo se queda hay,
sino para un montn de habilidades.
C ONCLUSIONES
In this repot contains any information about Jfet, Mosfet.
The LYX is a beautifull system for the student.The selflearning is the best way for being a engineer. The transistor
Jfet is used when the control the currents is with voltaje. if we
wants control the currents with voltaje negative and positive,
we used the Mosfet. Depend of the condition for know with
used.
The bad connection of a transistor jfet create the system
does not function properly.
R EFERENCIAS
[1] Electrnica teora de circuitos y dispositivos electrnicos,Robert L. Boylestad,Louis Nashelsk