INTRODUCCIN

Una fuente ptica es un conversor electroptico que genera un nivel de

potencia ptica a unas longitudes de onda adecuadas existen dos tipos de
fuentes semiconductoras: LED: Diodo Emisor de Luz y LD: Diodo Lser.
Los cuales deben cumplir ciertos requisitos como lo son el Tamao y
configuracin ptimas para el acoplo de luz en la fibra, Relacin lineal entre
potencia emitida y corriente inyectada, Emitir luz a longitudes de onda
idneas para la fibra, Modulacin directa, Nivel suficiente de potencia, Baja
anchura espectral y por ultimo Caractersticas estables con la temperatura.
La eleccin de una u otra fuente depende de los parmetros necesarios
como: potencia, ancho de banda, tipo de modulacin
En un Diodo Emisor de Luz, Los electrones se agrupan en bandas: de
conduccin y de valencia. Estas bandas estn separadas por una zona
prohibida llamada gap. En la banda de conduccin los electrones pueden
moverse libremente; en la de valencia, los huecos creados por los electrones
se mueven libremente. Cuando un electrn de conduccin se recombina con
un hueco de valencia, se libera energa. Estas recombinaciones pueden ser:
Radiactivas es decir Se libera un fotn. Y No radiactivas: que libera calor.
En un LED, los fotones son generados espontneamente. Por tanto, no
tienen la direccin definida; esto hace que muchos fotones no se inyecten en
la fibra. Adems, la luz generada es incoherente, as que slo es posible la
modulacin directa o de amplitud.

Por otra parte el Diodo Lser es el acrnimo de amplificacin de luz por

emisin estimulada de radiacin. La emisin estimulada se produce cuando
el diodo semiconductor es bombeado con fotones. Al pasar un fotn por el
medio se genera otro fotn que tiene la misma frecuencia, fase y direccin
que el primero. La luz generada es coherente y est focalizada.
La emisin estimulada no es un fenmeno que se produzca en equilibrio. Por
eso hay que bombear el material con corriente elctrica. Para que los fotones
no se escapen del LD (excepto una cantidad que ir a la fibra) y puedan
estimular nuevos fotones, se utilizan caras reflectantes en los bordes del LD.
Para que haya emisin lser tienen que cumplirse dos condiciones: la
primera es la Condicin de ganancia: Tiene que haber, como mnimo, tantas
ganancias como prdidas y Condicin de fase: No se puede transmitir con
cualquier longitud de onda. Estos modos de transmisin dependen de las
dimensiones del LD.
La combinacin de estas dos condiciones determina los modos o longitudes
de onda con los que transmite un LD. Un lser puede ser: Monomodo: Slo
transmite en un modo o Multimodo que Transmite en ms de un modo.

FSICA DE LOS SEMICONDUCTORES

Los semiconductores constituyen son los materiales slidos clave en la
fabricacin de dispositivos electrnicos. Sus propiedades, los han convertido
en el elemento fundamental para el desarrollo de la informtica, los
electrodomsticos y las telecomunicaciones.
Los semiconductores constituyen son los materiales slidos clave en la
fabricacin de dispositivos electrnicos
MODELO DE LAS BANDAS DE ENERGA
El modelo de bandas permite explicar con una excelente aproximacin el
fenmeno de la conduccin elctrica en los slidos. Segn este modelo, la
materia est constituida por tomos, cuyos electrones se distribuyen en
bandas de energa. La banda ms externa con electrones es la banda de
valencia (Ev). Para que un electrn escape de la atraccin del ncleo, es
necesario que adquiera la energa suficiente (Eg) que le permita saltar a la
banda de conduccin (Ec). Por lo tanto: Eg = Ec Ev. El espacio intermedio
entre la banda de valencia y la de conduccin se denomina banda prohibida,
y representa valores de energa que no pueden tener los electrones.
BANDA DE ENERGA
Los niveles de energa de los electrones en los tomos de un cristal no
coinciden con los niveles de energa de los electrones para tomos aislados.
En un gas, por ejemplo, se pueden despreciar las interacciones de unos
tomos con otros y los niveles de energa no se ven modificados. Sin
embargo, en un cristal el campo elctrico producido por los electrones de los

tomos vecinos modifica los niveles energticos de los electrones de los

tomos de sus alrededores.
De este modo el cristal se transforma en un sistema electrnico que
obedece al principio de exclusin de Pauli, que imposibilita la existencia de
dos electrones en el mismo estado, transformndose los niveles discretos de
energa en bandas de energa donde la separacin entre niveles energticos
se hace muy pequea. La diferencia de energa mxima y mnima es variable
dependiendo de la distancia entre tomos y de su configuracin electrnica.
Dependiendo de la distancia interatmica y del nmero de electrones de
enlace entre otros factores, pueden formarse distintos conjuntos de bandas
que pueden estar llenas, vacas o separaciones entre bandas por zonas
prohibidas o bandas prohibidas, formndose as bandas de valencia, bandas
de conduccin y bandas prohibidas.

La banda de valencia (BV): est ocupada por los electrones de

valencia de los tomos, es decir, aquellos electrones que se encuentran
en la ltima capa o nivel energtico de los tomos. Los electrones de
valencia son los que forman los enlaces entre los tomos, pero no
intervienen en la conduccin elctrica.

La banda de conduccin (BC): est ocupada por los electrones libres,

es decir, aquellos que se han desligado de sus tomos y pueden moverse
fcilmente. Estos electrones son los responsables de conducir la corriente
elctrica.

Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una zona

denominada banda prohibida o gap, que separa ambas bandas y en la cual
no pueden encontrarse los electrones.

AISLANTES, CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORES

Segn el modelo de las bandas de energa, los slidos se clasifican en:
aislantes, metales y semiconductores.

En un buen aislante, la banda prohibida es muy ancha. Por lo tanto, es

necesario suministrar una gran cantidad de energa para que sus electrones
salten de la banda de valencia a la de conduccin y contribuyan as a la
conduccin de corriente elctrica.

En un buen metal, las bandas de conduccin y de valencia se solapan. Por lo

tanto, se necesita muy poca energa para mantener una conduccin de
corriente elctrica elevada.
Existen algunos slidos como el silicio y el germanio que tienen una
estructura de bandas semejante a la de los aislantes. Sin embargo, en ellos
la banda prohibida es estrecha, de modo que es posible excitar (por ejemplo,
por efecto trmico) los electrones con mayor energa de la banda de valencia
y transferirlos a la de conduccin.
Por lo tanto, en el caso de un semiconductor se puede hablar tanto de una
conduccin por los electrones en la banda de conduccin, como de
conduccin por los huecos que se generan en la banda valencia y que se
comportan como cargas positivas. El hecho de que su banda prohibida sea
estrecha (Eg 1eV) permite bombear electrones a la banda de conduccin
sin ms que elevar suficientemente la temperatura.
SEMICONDUCTORES INTRNSECOS
Un semiconductor intrnseco es un semiconductor puro cuya estructura
cristalina est formada exclusivamente por tomos del propio semiconductor,
sin que est incrustado en ella ningn tomo de otro material, es decir, no
contiene impurezas de ningn tipo. Cada tomo tiene 4 electrones de
valencia que comparte con cada uno de los tomos vecinos mediante la
formacin de enlaces covalentes. A continuacin se analiza el semiconductor
intrnseco en funcin de la temperatura (T):

A T = 0K, todos los electrones de la banda de valencia estn

formando enlaces covalentes entre los tomos, por lo que no existen

electrones libres en la banda de conduccin. El cristal se comporta

como un aislante perfecto.

Si T , se produce el movimiento aleatorio por agitacin trmica. No

obstante, este fenmeno todava no proporciona la suficiente energa
como para romper los enlaces covalentes y hacer que los electrones
salten de la banda de valencia a la de conduccin.

A T = 300K (temperatura ambiente), algunos electrones pueden,

absorbiendo la energa necesaria (1.12eV para el silicio y 0.67eV para
el germanio), romper los enlaces covalentes y saltar a la banda de
conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de
valencia (1). A este fenmeno se le denomina creacin de pares e --h+.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los
electrones pueden caer desde la banda de conduccin a un hueco en
la banda de valencia, liberando energa. A este fenmeno, se le
denomina recombinacin de pares e --h+. Adems, electrones ligados
de otros enlaces covalentes pueden saltar a los huecos que se
encuentran en los enlaces covalentes incompletos (2), sin que este
proceso contribuya a la recombinacin de pares e --h+.

Si T > 300K, aumenta el nmero de enlaces covalentes rotos y con

ello la concentracin de electrones libres y huecos.

Siendo n la concentracin de electrones y p la concentracin de huecos, se

cumple que:
ni = n = p con ni = f(T)

ni concentracin intrnseca del semiconductor.

Cuando T = 300K, se dice que el semiconductor se encuentra en equilibrio

termodinmico. En esta situacin, no existe movimiento neto de portadores,
por lo que la corriente total es nula.
r
r r
r
JTOTAL Jn Jp 0 Jn 0

r
Jp 0
y

un marco de referencia para el

El semiconductor
en equilibrioproporciona
estudio de fenmenos ms complejos que ocurren cuando el semiconductor
sale de dicho equilibrio, como el movimiento de portadores para la
conduccin de corriente.
Es importante destacar que un semiconductor intrnseco tiene carcter
bipolar, puesto que la conduccin de corriente puede provenir de dos tipos de
portadores o cargas mviles: electrones y huecos.

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS
Los semiconductores intrnsecos no presentan propiedades prcticas, por
esto se les aaden impurezas para alterar la probabilidad de ocupacin de
las bandas de energa, y por lo tanto, aumentar la conductividad de los
mismos.
Si a un semiconductor intrnseco se le aade un pequeo porcentaje de
impurezas, el semiconductor se denomina extrnseco y se dice que est
dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura
cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio o germanio.
Las impurezas utilizadas en un semiconductor extrnseco pueden ser:

Pentavalentes: impurezas con cinco electrones en la ltima capa. Son

impurezas pentavalentes: fsforo, arsnico, antimonio, etc.

Trivalentes: impurezas con tres electrones en la ltima capa. Son

impurezas trivalentes: aluminio, indio, galio, etc.
SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS DE TIPO N

En un cristal de silicio o de germanio dopado con impurezas pentavalentes,

al formarse la estructura cristalina, el quinto electrn no est ligado en ningn
enlace covalente, encontrndose, an sin estar libre, en un nivel energtico
superior a los cuatro restantes.

A continuacin, se analiza el un semiconductor extrnseco, dopado con N D

impurezas donadoras, en funcin de la temperatura (T):

A T = 0K, todos los electrones de la banda de valencia estn

formando enlaces covalentes entre los tomos. El quinto electrn de
las impurezas se encuentra ligado al tomo. No existen electrones
libres en la banda de conduccin. El cristal se comporta como un
aislante perfecto.

Si T , aparece el movimiento aleatorio por agitacin trmica. Este

fenmeno todava no proporciona la suficiente energa como para
romper los enlaces covalentes y hacer que los electrones salten de la
banda de valencia a la de conduccin; en cambio, s que proporciona
la energa suficiente como para arrancar el quinto electrn de algunas
impurezas, convirtindose en un electrn libre. Las impurezas
empiezan a ionizarse: ND+

A T = 300K (temperatura ambiente), todas las impurezas se

encuentra ionizadas: ND+ = ND. Adems, los electrones de los enlaces

covalentes pueden, absorbiendo la energa necesaria, romper dichos

enlaces y saltar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente
hueco en la banda de valencia (1). Se producen los fenmenos de
creacin y recombinacin de pares e --h+. Adems, electrones ligados
de otros enlaces covalentes pueden saltar a los huecos que se
encuentran en los enlaces covalentes incompletos.

Si T > 300K, al estar ionizadas todas las impurezas, slo aumenta el

nmero de enlaces covalentes rotos, y con ello la concentracin de
electrones libres y huecos. Por lo tanto, a altas temperaturas, el
semiconductor extrnseco se comporta como un semiconductor
intrnseco.

En resumen, se observa que adems de la formacin de pares e --h+, se

liberan tambin los electrones no enlazados, ya que la energa necesaria
para liberar el electrn excedente es del orden de la centsima parte de la
correspondiente a los electrones de los enlaces covalentes (0.01eV para el
germanio y 0.05eV para el silicio).
n concentracin de electrones libres ND+ + p
ND+ concentracin de impurezas ionizadas
p concentracin de huecos debido a la rotura de enlaces covalentes
As, en el semiconductor aparecer una mayor cantidad de electrones que de
huecos; por ello se dice que los electrones son los portadores mayoritarios
de la corriente y puesto que este excedente de electrones procede de las
impurezas pentavalentes, a stas se las llama donadoras, y el semiconductor
se caracteriza como de tipo N.

El cristal sigue siendo elctricamente neutro, ya que al desprenderse un

electrn de una impureza, sta se convierte en un in positivo. La
concentracin de iones negativos (N D+) no contribuye a llevar corriente
elctrica.
SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS DE TIPO P
En cambio, en un cristal de silicio o de germanio dopado con elementos
trivalentes las impurezas aportan un hueco (enlace covalente incompleto),
por lo que se las denomina impurezas aceptadoras, y el semiconductor se
caracteriza como de tipo P.
A continuacin, se analiza el comportamiento de un semiconductor
extrnseco, dopado con NA impurezas aceptadoras, en funcin de la
temperatura (T):

A T = 0K, todos los electrones de la banda de valencia estn

formando enlaces covalentes entre los tomos. No existen electrones
libres en la banda de conduccin. El hueco de las impurezas se
encuentra vaco. Aislante perfecto.

Si T , aparece el movimiento aleatorio por agitacin trmica. Este

fenmeno todava no proporciona la suficiente energa como para
romper los enlaces covalentes y hacer que los electrones salten de la
banda de valencia a la de conduccin; en cambio, s que proporciona
la energa suficiente como que electrones ligados de otros enlaces

covalentes se pasen a los enlaces covalentes incompletos de las

impurezas. Las impurezas empiezan a ionizarse: NA-

A T = 300K (Ta), todas las impurezas se encuentra ionizadas: N A- =

NA. Adems, los electrones de los enlaces covalentes pueden,
absorbiendo la energa de ionizacin, romper los enlaces covalentes y
saltar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en
la banda de valencia (1). Se producen los fenmenos de creacin y
recombinacin de pares e--h+. Adems, electrones ligados de otros
enlaces covalentes pueden saltar a los huecos que se encuentran en
los enlaces covalentes incompletos de los tomos afectados por el
proceso de creacin de pares e--h+.

Si T > 300K, al estar ionizadas todas las impurezas, slo aumenta el

nmero de enlaces covalentes rotos, y con ello la concentracin de
electrones libres y huecos. Por lo tanto, a altas temperaturas, el
semiconductor extrnseco se comporta como un semiconductor
intrnseco.

En

resumen, el hueco introducido por la impureza no es como el formado antes

con el salto de un electrn, sino que tiene un nivel energtico ligeramente

superior al de la banda de valencia (del orden de 0.01eV). En este caso, los

electrones ligados de otros enlaces covalentes saltarn a las vacantes con
facilidad dejando huecos en la banda de valencia en mayor nmero que
electrones en la banda de conduccin, de modo que ahora son los huecos
los portadores mayoritarios y los electrones los portadores minoritarios.
p concentracin de electrones libres NA- + n
NA- concentracin de impurezas ionizadas
n concentracin de electrones libres debido a la rotura de enlaces
covalentes
Al igual que en el caso anterior, el cristal sigue siendo elctricamente neutro,
ya que al incorporarse un electrn a la impureza, sta se convierte en un in
negativo. La concentracin de iones negativos (N A-) no contribuye a llevar
corriente elctrica.
DIODOS EMISORES DE LUZ
El LED es una fuente ptica que genera luz utilizando el principio de la
emisin espontnea. Generalmente los LEDs que emiten en el visible son
hechos de semiconductores de banda prohibida indirecta. Estos LEDs no son
usuales para uso en sistemas de comunicacin por fibra ptica. Para las
comunicaciones pticas se utilizan de dos tipos de estructuras, basadas en
como la luz es recolectada; LEDs del tipo Burrus, o LEDs de emisin
superficiales y LED por emisin lateral. El LED tipo Burrus tiene su salida en
la regin donde la luz tiene gran rea de salida. Este tipo de LED es en
general proyectado para acoplar su luz directamente en una fibra ptica. La
estructura del LED de emisin lateral es similar a la estructura del lser; el
rea activa esta entre dos materiales semiconductores de mayor banda
prohibida de energa, formando heterojunctiones y con mayores ndices de

refraccin.

Uno

modelo

matemtico

del

LED

para

analizar

suyo

funcionamiento puede ser obtenido a partir de las ecuaciones de tasa, que es

un modelo fenomenolgico (heurstica) del funcionamiento del dispositivo, o
sea:
La variacin de portadores de carga, N(t), en la regin de generacin de luz
de un LED es dada por la diferencia entre los portadores de carga,
introducidos por la corriente electrnica inyectada, I(t), en el LED, y los
portadores de carga perdidos por las recombinaciones radiactivas y
recombinaciones no radiactivas en esta regin. Matemticamente tense:
Donde N(t) es el nmero de portadores de carga en la regin de generacin
de luz, I(t) es la corriente electrnica inyectada, tr es el tiempo de vida de los
portadores de carga, debido las recombinaciones radiactivas espontneas
,y, tnr es el tiempo de vida de los portadores de carga, debido las
recombinaciones no radiactivas, q es la carga electrnica (1.60218x10-18 C),
y V es el volumen de la regin de generacin de luz. Generalmente, los
tiempos de recombinacin radiactiva y no radiactiva dependen de la
densidad de portadores de carga, N(t).

ESTRUCTURA DEL LED

1.- Extremo superior abovedado de la cpsula de resina epoxi, que hace

tambin funcin de lente convexa. La existencia de esta lente permite
concentrar el haz de luz que emite el chip y proyectarlo en una sola
direccin.
2.- Cpsula de resina epoxi protectora del chip.
3.- Chip o diodo semiconductor emisor de luz.
4.- Copa reflectora. En el interior de esta copa se aloja el chip emisor de luz.
5.- Base redonda de la cpsula de resina epoxi. Esta base posee una marca
plana situada junto a uno de los dos alambres de conexin del LED al circuito
externo, que sirve para identificar el terminal negativo () correspondiente al
ctodo del chip.
6.- Alambre terminal negativo () de conexin a un circuito elctrico o
electrnico externo. En un LED nuevo este terminal se identifica a simple
vista, porque siempre es ms corto que el terminal positivo.
7.- Alambre terminal positivo (+) correspondiente al nodo del
diodo, que se utiliza para conectarlo al circuito externo.

chip

del

8.- Alambre muy delgado de oro, conectado internamente con el terminal

positivo (+) y con el nodo del chip.

Existen dos tipos de estructura basados en la forma de colectar la luz que

emana de la regin activa:

LED de emisin superficial (BURRUS)

Tiene eficiencia cuntica mayor
Tamao comparable con el de la fibra
LED de emisin lateral
La intensidad de salida es mayor y el ancho del haz es menor
Medidas son de 10X300m
Ambos tipos pueden ser de uniones simples p-n o heteroestructuras

Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual
fueron construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre
otros.
LED rojo: Formado por GaP consiste en una unin p-n obtenida por
el mtodo de crecimiento epitaxial del cristal en su fase lquida, en un
substrato.
La fuente luminosa est formada por una capa de cristal p junto con un
complejo de ZnO, cuya mxima concentracin est limitada, por lo que su
luminosidad se satura a altas densidades de corriente. Este tipo de LED
funciona con baja densidades de corriente ofreciendo una buena
luminosidad, utilizndose como dispositivo de visualizacin en equipos
porttiles. El constituido por GaAsP consiste en una capa p obtenida por
difusin de Zn durante el crecimiento de un cristal n de GaAsP, formado en

un substrato de GaAs, por el mtodo de crecimiento epitaxial en fase

gaseosa.
Actualmente se emplea los LED de GaAlAs debido a su mayor luminosidad.
El mximo de radiacin se halla en la longitud de onda 660 nm.
LED anaranjado y amarillo: Estn compuestos por GaAsP al igual que sus
hermanos los rojos pero en este caso para conseguir luz anaranjada y
amarilla as como luz de longitud de onda ms pequea, lo que hacemos es
ampliar el ancho de la "banda prohibida" mediante el aumento de fsforo en
el semiconductor. Su fabricacin es la misma que se utiliza para los diodos
rojos, por crecimiento epitaxial del cristal en fase gaseosa, la formacin de la
unin p-n se realiza por difusin de Zn.
Como novedad importante en estos LED se mezcla el rea emisora con una
trampa isoelectrnica de nitrgeno con el fin de mejorar el rendimiento.
LED verde: El LED verde est compuesto por GaP. Se utiliza el mtodo de
crecimiento epitaxial del cristal en fase lquida para formar la unin p-n.
Al igual que los LED amarillos, tambin se utiliza una trampa isoelctrica de
nitrgeno para mejorar el rendimiento. Debido a que este tipo de LED posee
una baja probabilidad de transicin fotnica, es importante mejorar la
cristalinidad de la capa n. La disminucin de impurezas a larga la vida de los
portadores, mejorando la cristalinidad. Su mxima emisin se consigue en la
longitud de onda 555 nm.
MATERIALES PARA FUENTES DE LUZ
En corriente continua (CC), todos los diodos emiten cierta cantidad de
radiacin cuando los pares electrn-hueco se recombinan; es decir, cuando
los electrones caen desde la banda de conduccin (de mayor energa) a la
banda de valencia (de menor energa) emitiendo fotones en el proceso.
Indudablemente, por ende, su color depender de la altura de la banda

prohibida (diferencias de energa entre las bandas de conduccin y valencia),

es decir, de los materiales empleados. Los diodos convencionales, de silicio
o germanio, emiten radiacin infrarroja muy alejada del espectro visible. Sin
embargo, con materiales especiales pueden conseguirse longitudes de onda
visibles. Los leds e IRED (diodos infrarrojos), adems, tienen geometras
especiales para evitar que la radiacin emitida sea reabsorbida por el
material circundante del propio diodo, lo que sucede en los convencionales.
Compuestos empleados en la construccin de leds

Los primeros leds construidos fueron los diodos infrarrojos y de color rojo,
permitiendo el desarrollo tecnolgico posterior la construccin de diodos para
longitudes de onda cada vez menores. En particular, los diodos azules fueron
desarrollados a finales de los aos noventa por ShujiNakamura, aadindose
a los rojos y verdes desarrollados con anterioridad, lo que permiti por
combinacin de los mismos la obtencin de luz blanca. El diodo de
seleniuro de cinc puede emitir tambin luz blanca si se mezcla la luz azul que
emite con la roja y verde creada por fotoluminiscencia. La ms reciente
innovacin en el mbito de la tecnologa led son los leds ultravioleta, que se

han empleado con xito en la produccin de luz negra para iluminar

materiales fluorescentes. Tanto los leds azules como los ultravioletas son
caros respecto a los ms comunes (rojo, verde, amarillo e infrarrojo), siendo
por ello menos empleados en las aplicaciones comerciales.
Los leds comerciales tpicos estn diseados para potencias del orden de los
30 a 60 mW. En torno a 1999 se introdujeron en el mercado diodos capaces
de trabajar con potencias de 1 vatio para uso continuo; estos diodos tienen
matrices semiconductoras de dimensiones mucho mayores para poder
soportar tales potencias e incorporan aletas metlicas para disipar el calor
(vase conveccin) generado por el efecto Joule.
Hoy en da se estn desarrollando y empezando a comercializar leds con
prestaciones muy superiores a las de hace unos aos y con un futuro
prometedor en diversos campos, incluso en aplicaciones generales de
iluminacin. Como ejemplo, se puede destacar que NichiaCorporation ha
desarrollado leds de luz blanca con una eficiencia luminosa de 150 lm/W
utilizando para ello una corriente de polarizacin directa de 20 miliamperios
(mA). Esta eficiencia, comparada con otras fuentes de luz solamente en
trminos de rendimiento, es aproximadamente 1,7 veces superior a la de la
lmpara fluorescente con prestaciones de color altas (90 lm/W) y
aproximadamente 11,5 veces la de una lmpara incandescente (13 lm/W). Su
eficiencia es incluso ms alta que la de la lmpara de vapor de sodio de alta
presin (132 lm/W), que est considerada como una de las fuentes de luz
ms eficientes.
MATERIALES

Eg debe ser apto para generar luz a determinada longitud de onda.

Indice de refraccin y coeficiente de recombinacin

GaAs, GaP, InAs, Inp, elementos de la tabla peridica de los grupos III
yV

EFICIENCIA CUNTICA Y POTENCIA DE LOS LEDS

La eficiencia cuntica interna de un LED se define como la fraccin de pares
electrn-hueco que se recombinan emitiendo radiacin ptica. sta se
calcula mediante la expresin:

Donde R

y R son respectivamente las razones de recombinacin

nr

radiactivas y no-radiactivas. Esto puede expresarse en funcin del tiempo

total de recombinacin y el tiempo de recombinacin radiactiva de la forma:

Donde el tiempo total de recombinacin es:

La potencia interna generada en el LED en funcin de la corriente inyectada

al dispositivo (I) est dada por:

Donde q es la carga del electrn y es la longitud de emisin pico.

La eficiencia externa se calcula considerando que no todos los fotones
generados saldrn del dispositivo. Para esto se consideran los efectos de
reflexin en la superficie del LED (interfase). Esto se simplifica considerando
nicamente los fotones con ngulo de incidencia normal a la interfase con lo
que se utiliza el valor del coeficiente de transmisividad de Fresnel.
Considerando que el medio externo es aire (n=1), la eficiencia externa est
dada por:

Donde n es el ndice de refraccin del material semiconductor. De aqu, la

potencia de emisin del LED puede obtenerse mediante:

La sensibilidad o responsividad (responsivity) de un LED es la razn de

poder emitido (P) a corriente inyectada (I). Generalmente se expresa en
unidades de W/A, y cuando la longitud de onda se expresa en micrmetros
puede calcularse como:

La potencia de salida es proporcional a la corriente inyectada en un intervalo

limitado por la saturacin del dispositivo. El ancho espectral de la emisin (en
m) puede calcularse como:

Donde k T est dado en eV y la longitud de onda en m (1.24eV=1.99x10

B
19

J).
MODULACIN PTICA

La modulacin ptica puede ser directa, donde la fuente de luz es modulada

directamente por una inyeccin de corriente electrnica, proveniente del
circuito driver, o ella puede ser una modulacin externa, donde la luz es
primera generada por la fuente ptica y despus a travs de un modulador
externo es modulada. En este caso es posible, pero no usual, modular,
adems de la amplitud, la fase, la frecuencia o la polarizacin de la seal
ptica. La ventaja de la modulacin externa es la posibilidad de minimizar el
efecto de lo chirp de la seal ptica, caractersticos das seales pticas

moduladas directamente. Sin embargo, la mayora de los sistemas de

comunicacin por fibras pticas comercializados actualmente utiliza la
modulacin directa, debido a su simplicidad y bajo costo. Estos sistemas son
llamados de sistemas del tipo IM o sea, la potencia ptica emitida por la
fuente de luz (intensidad ptica) es modulada por la corriente electrnica
inyectada en la fuente ptica.
MODULACIN CON LED

La modulacin ptica puede ser directa, donde la fuente de luz es modulada

directamente por una inyeccin de corriente electrnica, proveniente del
circuito driver, o ella puede ser una modulacin externa, donde la luz es
primera generada por la fuente ptica y despus a travs de un modulador
externo es modulada. En este caso es posible, pero no usual, modular,
adems de la amplitud, la fase, la frecuencia o la polarizacin de la seal
ptica. La ventaja de la modulacin externa es la posibilidad de minimizar el
efecto de lo chirp de la seal ptica, caractersticos das seales pticas
moduladas directamente. Sin embargo, la mayora de los sistemas de
comunicacin por fibras pticas comercializados actualmente utiliza la
modulacin directa, debido a su simplicidad y bajo costo. Estos sistemas son
llamados de sistemas del tipo IM o sea, la potencia ptica emitida por la

fuente de luz (intensidad ptica) es modulada por la corriente electrnica

inyectada en la fuente ptica.
Un LED se comporta como n: un LED se comporta como un filtro paso bajo
de 1er orden

El parmetro modela la respuesta del LED

El resto del circuito del transmisor tambin influye en la respuesta
global

Capacidades parsitas (unin pn, cpsula, )

Resto de la electrnica.

La modulacin en pequea seal se caracteriza con f 3dB:

Disminuye la amplitud de la seal ptica al aumentar la
frecuencia mxima ancho de banda de modulacin f 3dB.

frecuencia

En gran seal se mide con los tiempos de subida t de subida t 10..90%

El filtro paso-bajo estropea los flancos (los suaviza), tiempos de subida
10..90%

Hay una relacin entre el comportamiento en pequea y gran seal:

CIRCUITO DE MODULACION LED

Esta aplicacin de amp-op es un amplificador sumador donde la seal de

entrada tiene una ganancia de -1, y el suministro de 12V se amplifica por -3/7
para proporcionar voltaje suficiente para encender el LED y llevarlo a su
rango lineal. El cambio en la salida de luz es entonces proporcional al voltaje
de la seal.

DIODO LSER
La modulacin ptica puede ser directa, donde la fuente de luz es modulada
directamente por una inyeccin de corriente electrnica, proveniente del
circuito driver, o ella puede ser una modulacin externa, donde la luz es
primera generada por la fuente ptica y despus a travs de un modulador
externo es modulada. Para que el nmero de fotones estimulados sea mayor
que el de los emitidos de forma espontnea, para que se compensen las
perdidas, y para que se incremente la pureza espectral, es necesario por un
lado tener una fuerte inversin de portadores, la que se logra con una
polarizacin directa de la unin, y por el otro una cavidad resonante, la cual
posibilita tener una trayectoria de retroalimentacin positiva facilitando que se
emitan ms fotones de forma estimulada y se seleccione ciertas longitudes
de onda haciendo ms angosto al espectro emitido.
La presencia de una inversin grande de portadores y las propiedades de la
cavidad resonante hacen que las caractersticas de salida (potencia ptica
como funcin de la corriente de polarizacin) tenga un umbral a partir del
cual se obtiene emisin estimulada, el cual es funcin de la temperatura.
Un diodo lser es diferente en este aspecto, ya que produce luz coherente lo
que significa que todas las ondas luminosas estn en fase entre s. La idea
bsica de un diodo lser consiste en usar una cmara resonante con espejos
que refuerza la emisin de ondas luminosas a la misma frecuencia y fase. A
causa de esta resonancia, un diodo lser produce un haz de luz estrecho que
es muy intenso, enfocado y puro.
El diodo lser tambin se conoce como lser semiconductor o tambin
conocidos como lseres de inyeccin, Estos diodos pueden producir luz
visible (roja, verde o azul) y luz invisible (infrarroja).Se usan en productos de
consumo y comunicaciones de banda ancha

FABRY PEROT.
Este diodo laser est constituido por dos espejos en los extremos de la gua,
constituyndose en una cavidad resonante en donde la luz es reflejada y
vuelta a reflejar entre los dos espejos a ambos lados del semiconductor,
presenta algo de inestabilidad en la potencia de salida y se utiliza para la
transmisin de datos en el retorno.

VCSEL (VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASER).

El lser emisor de superficie de cavidad vertical posee espejos resonadores
arriba y abajo de la capa activa, lo que produce que la luz resuene
perpendicular a la juntura y emerja a travs de un rea circular en la
superficie. Posee menor corriente de umbral a la cual se presenta el efecto
laser, adems consume poca potencia y tiene mayor tiempo de vida til. Se
usa comnmente con la fibra multimodo DFB (Distributed FeedBack Laser).
En el lser de retroalimentacin distribuida la red de difraccin se distribuye a
lo largo de todo el medio activo. La longitud de onda de la red determina la
longitud de onda emitida por el lser, en una lnea muy fina del espectro.
DBR (DIDTRIBUTED BRAGG REFLECTOR).
El reflector de Bragg distribuido, en este dispositivo la red de difraccin esta
fuera de la zona activa, en donde no circula corriente (parte pasiva de la
cavidad).
Los diodos DFB y DBR son utilizados en fibras monomodo y son sensibles a
variaciones de temperatura.

PROCESO DE EMISIN.
El proceso de generacin de luz es similar al del LED. Las diferencias
radican en el volumen de generacin, ms pequeo en los diodos laser, y en
una alta concentracin de portadores inyectados. Se consigue as una
ganancia ptica alta y un espectro muy estrecho que da lugar a luz
coherente. La pastilla lser suele tener una longitud de 300mm, con dos
caras cuidadosamente cortadas en ambos extremos a modo de espejos. El
origen de la misin de fotones es la recombinacin directa electrn-hueco en
la capa activa.
Lser se

utiliza

generalmente

en

sistemas

de

comunicacin

con:

Potencias pticas de salida alta.

Fibras monomodo o multimodo.

Alta velocidad mxima de modulacin y grandes capacidades de

transmisin.

Gran longitud, donde se requiere alta potencia y baja dispersin en la

fibra.

TEORA DE FUNCIONAMIENTO
Un diodo lser est formado por dopaje una capa muy delgada sobre la
superficie de una oblea de cristal. El cristal est dopado para producir una
regin de tipo n y una regin de tipo p, una encima de la otra, lo que resulta
en una unin pn o diodo.
Los diodos lser forman un subconjunto de la clasificacin ms grande de
semiconductores diodos de unin pn. Polarizacin directa elctrico a travs
del diodo lser provoca que las dos especies de portador de carga - huecos y

electrones - a ser "inyectadas" desde lados opuestos de la unin pn hacia la

regin de agotamiento. Los agujeros se inyectan desde el p-dopado, y
electrones de la n-dopado de semiconductores. Debido a la utilizacin de
inyeccin de carga en la alimentacin de la mayora de los lseres de diodo,
esta clase de lseres se denomina a veces "Lseres de inyeccin", o "diodo
lser

de

inyeccin".

semiconductores,

Como

tambin

lseres

pueden

ser

de

diodos
clasificados

son

dispositivos

como

lseres

semiconductores. De cualquier designacin que distingue los lseres de

diodo de lser de estado slido.
Otro mtodo de suministrar energa a algunos lseres de diodo es el uso de
bombeo ptico. Los lseres semiconductores de bombeo ptico utilizan un
chip de semiconductores III-V como los medios de ganancia, y otro lser
como la fuente de la bomba. OPSL ofrecen varias ventajas sobre las ILD, en
particular en la seleccin de longitud de onda y la falta de interferencia de
estructuras de electrodos internos.
Cuando un electrn y un agujero estn presentes en la misma regin,
pueden recombinarse o "aniquilar" con el resultado de la emisin espontnea
- es decir, el electrn puede volver a ocupar el estado de energa del agujero,
emitiendo un fotn con una energa igual a la diferencia entre el electrn y el
agujero estados involucrados. La emisin espontnea da el diodo lser por
debajo del umbral de accin lser propiedades similares a un LED. La
emisin espontnea es necesaria para iniciar la oscilacin de lser, pero es
una de las varias fuentes de ineficiencia una vez que el lser es oscilante.
La diferencia entre el lser semiconductor emisor de fotones y diodos
semiconductores convencionales de unin de fotones emisores de luz se
encuentra en el uso de un tipo diferente de semiconductores, uno cuyo fsica
y la estructura atmica confiere la posibilidad de emisin de fotones. Estos
semiconductores emisores de fotones son los llamados semiconductores de
banda prohibida "directos". Las propiedades de silicio y germanio, que son

semiconductores de un solo elemento, tienen bandas prohibidas que no se

alinean de la manera necesaria para permitir la emisin de fotones y no se
consideran "directos". Otros materiales, los llamados semiconductores
compuestos, tienen estructuras cristalinas prcticamente idnticas como el
silicio o el germanio pero utilizan arreglos alternos de dos especies atmicas
diferentes en un tablero de ajedrez-como para romper la simetra. La
transicin entre los materiales en el modelo de alternancia crea la propiedad
crtica "banda prohibida directa". El arseniuro de galio, fosfuro de indio,
antimoniuro de galio, nitruro de galio y son todos los ejemplos de materiales
semiconductores compuestos que pueden ser utilizados para crear diodos de
unin que emiten luz.
En la ausencia de las condiciones de emisin estimulada, electrones y
agujeros pueden coexistir en la proximidad el uno al otro, sin recombinacin,
durante un tiempo determinado, denominado el "tiempo de vida del estado
superior" o "tiempo de recombinacin", antes de que se recombinan. A
continuacin, un fotn cercano con energa igual a la energa de
recombinacin puede causar recombinacin por emisin estimulada. Esto
genera otro fotn de la misma frecuencia, viajando en la misma direccin,
con la misma polarizacin y fase que el primer fotn. Esto significa que la
emisin estimulada provoca aumento en una onda ptica en la regin de la
inyeccin, y la ganancia aumenta a medida que el nmero de electrones y
los huecos inyectados a travs de los aumentos de unin. Los procesos de
emisin espontnea y estimulada son mucho ms eficientes en los
semiconductores de banda prohibida directa que en semiconductores de
banda prohibida indirecta, por lo que el silicio no es un material comn para
los diodos lser.
Al igual que en otros lseres, la regin de ganancia est rodeado con una
cavidad ptica para formar un lser. En la forma ms simple de diodo lser,
una gua de ondas ptica se hizo en que la superficie de cristal, de tal

manera que la luz se limita a una lnea relativamente estrecha. Los dos
extremos del cristal se escinden para formar bordes perfectamente lisas,
paralelas, formando un resonador de Fabry-Prot. Los fotones emitidos en un
modo de la gua de ondas viajarn a lo largo de la gua de ondas y se refleja
varias veces de cada lado frontal antes de que sean emitidos. Como una
onda de luz pasa a travs de la cavidad, que es amplificada por emisin
estimulada, pero tambin la luz se pierde debido a la absorcin y la reflexin
por incompleta de las facetas finales. Por ltimo, si hay ms de amplificacin
de la prdida, el diodo comienza a "laser".
Algunas propiedades importantes de los diodos lser estn determinadas por
la geometra de la cavidad ptica. En general, en la direccin vertical, la luz
est contenida en una capa muy delgada, y la estructura soporta slo un
nico modo ptico en la direccin perpendicular a las capas. En la direccin
transversal, si la gua de ondas se ampla en comparacin con la longitud de
onda de la luz, a continuacin, la gua de ondas puede soportar mltiples
modos pticos transversales, y el lser es conocido como "multimodo". Estos
lseres transversalmente multi-modo son adecuados en los casos en que se
necesita una cantidad muy grande de energa, pero no un pequeo haz de
difraccin limitada, por ejemplo en la impresin, la activacin de los
productos qumicos, o de bombeo de otros tipos de lseres.
En aplicaciones donde se necesita un pequeo haz enfocado, la gua de
ondas debe hacerse estrecho, del orden de la longitud de onda ptica. De
esta manera, slo un modo transversal se apoya y se termina con un haz de
difraccin limitada. Tales dispositivos de modo espacial individuales se
utilizan para el almacenamiento ptico, punteros lser, y la fibra ptica. Tenga
en cuenta que este tipo de lser puede todava soportar mltiples modos
longitudinales, y por lo tanto puede lasear en mltiples longitudes de onda
simultneamente.

La longitud de onda emitida es una funcin de la banda prohibida del

semiconductor y los modos de la cavidad ptica. En general, la ganancia
mxima se producir para fotones con energa ligeramente por encima de la
energa de intervalo de banda, y los modos ms cercanos al pico de
ganancia se laser ms fuertemente. Si el diodo se acciona con suficiente
fuerza, los modos secundarios adicionales tambin pueden laser. Algunos
diodos lser, tales como los lseres ms visibles, funcione a una sola
longitud de onda, longitud de onda, pero que es inestable y cambia debido a
las fluctuaciones en la corriente o la temperatura.
Debido a la difraccin, el haz diverge rpidamente despus de abandonar el
chip, tpicamente a 30 grados por 10 grados verticalmente lateralmente. Una
lente debe ser utilizado con el fin de formar un haz colimado como la
producida por un puntero lser. Si se requiere un haz circular, se utilizan
lentes cilndricas y otra ptica. Para los lseres de modo espacial nico,
usando las lentes simtricas, el haz colimado termina siendo de forma
elptica, debido a la diferencia en las divergencias verticales y laterales. Esto
es fcilmente observable con un puntero lser rojo.
MODOS DE UN DIODO LASER
Un lser puede ser clasificado como operar en modo continuo o pulsado,
dependiendo de si la salida de potencia es esencialmente continua en el
tiempo o si su salida toma la forma de pulsos de luz en una o en otra escala
de tiempo. Por supuesto, incluso un lser cuya salida es normalmente
continua se puede girar intencionalmente dentro y fuera a una tasa con el fin
de crear pulsos de luz. Cuando la velocidad de modulacin es en escalas de
tiempo mucho ms lento que el tiempo de vida cavidad y el perodo de
tiempo durante el cual la energa se puede almacenar en el mecanismo de
accin lser o medio de bombeo, a continuacin, todava se clasifica como
un "modulada" o "pulsada" lser de onda continua. La mayora de los diodos
lser utilizados en los sistemas de comunicacin caen en esa categora.

OPERACIN DE ONDA CONTINUA

Algunas aplicaciones de los lseres dependen de un haz cuya potencia de
salida es constante en el tiempo. Tal un lser se conoce como onda continua.
Se pueden hacer muchos tipos de lser para operar en el modo de onda
continua para satisfacer este tipo de aplicacin. Muchos de estos lseres en
realidad laser en varios modos longitudinales al mismo tiempo, y tiempos
entre las frecuencias ligeramente diferentes pticas de las oscilaciones, de
hecho, producir variaciones de amplitud en escalas de tiempo ms cortas
que el tiempo de ida y vuelta, tpicamente de unos pocos nanosegundos o
menos. En la mayora de los casos, estos lseres son todava llaman "onda
continua" como su potencia de salida es estable cuando se promedian sobre
cualquier periodo de tiempo ms largos, con las variaciones de energa de
muy alta frecuencia que tienen poco o ningn impacto en la aplicacin
prevista.
Para el funcionamiento de onda continua que se requiere para la inversin de
poblacin del medio de ganancia que ser repuesto continuamente por una
fuente de bombeo constante. En algunos medios de accin lser es
imposible. En algunos otros lseres que requerira de bombeo del lser a un
nivel muy alto de potencia continua que sera poco prctico o destruir el lser
mediante la produccin de calor excesivo. Estos lseres no se pueden
ejecutar en modo CW.

OPERACIN PULSADA
Operacin de pulsado de los lseres se refiere a cualquier lser no
clasificados como onda continua, de modo que la potencia ptica aparece en
pulsos de una cierta duracin en algn tasa de repeticin. Esto abarca una

amplia gama de tecnologas que aborden un nmero de diferentes

motivaciones. Algunos lseres son pulsadas simplemente porque no se
pueden ejecutar en el modo continuo.
En otros casos, la aplicacin requiere la produccin de impulsos que tienen
una energa tan grande como sea posible. Puesto que la energa del pulso es
igual a la potencia media dividida por la tasa de repeticin, este objetivo a
veces puede ser satisfecha mediante la reduccin de la tasa de impulsos de
modo que ms energa puede ser construida en entre pulsos. En la ablacin
con lser, por ejemplo, un pequeo volumen de material en la superficie de
una pieza de trabajo se puede evaporar si se calienta en un tiempo muy
corto, mientras que el suministro de la energa gradualmente permitira el
calor para ser absorbido en la mayor parte de la pieza, nunca alcanzar una
temperatura suficientemente alta en un punto particular.
Otras aplicaciones se basan en la potencia de cresta del impulso,
especialmente con el fin de obtener efectos pticos no lineales. Para un
pulso de energa dada, esto requiere la creacin de pulsos de duracin ms
breve posible la utilizacin de tcnicas como el Q-switching.
El ancho de banda ptica de un pulso no puede ser ms estrecho que el
recproco de la anchura del impulso. En el caso de pulsos extremadamente
cortos, que implica la accin lser en un ancho de banda considerable, muy
al contrario de los anchos de banda muy estrechos tpicos de los lseres de
CW. El medio de emisin lser en algunos lseres de colorante y los lseres
de estado slido vibrnicas produce ganancia ptica en un amplio ancho de
banda, lo que hace posible un lser que puede as generar pulsos de luz
de tan slo unos pocos femtosegundos.
En un lser de Q-conmutado, se permite la inversin de poblacin para
construir mediante la introduccin de la prdida en el interior del resonador
que excede la ganancia del medio, lo que tambin puede ser descrito como

una reduccin del factor de calidad o "Q" de la cavidad. Entonces, despus

de la energa de bombeo almacenada en el medio de lser se ha acercado al
nivel mximo posible, el mecanismo de prdida introducido se elimina
rpidamente, permitiendo que la accin lser para comenzar que obtiene
rpidamente la energa almacenada en el medio de ganancia. Esto se
traduce en un impulso corto que la incorporacin de la energa, y por lo tanto
una alta energa mxima.
Un lser de modo bloqueado es capaz de emitir pulsos extremadamente
cortos, del orden de decenas de picosegundos reduce a menos de 10
femtosegundos. Estos pulsos se repetir en el tiempo de ida y vuelta, es
decir, el tiempo que la luz tarda en completar un viaje de ida y vuelta entre
los espejos que componen el resonador. Debido al lmite de Fourier, un pulso
de tal longitud temporal corto tiene un espectro extendido sobre un ancho de
banda considerable. Por lo tanto un medio de dicha ganancia debe tener un
ancho de banda de ganancia suficientemente amplia para amplificar esas
frecuencias. Un ejemplo de un material adecuado es de titanio dopado,
crecido artificialmente zafiro que tiene un ancho de banda de ganancia muy
amplia y por lo tanto puede producir pulsos de slo unos pocos
femtosegundos duracin.
Tales lseres en modo bloqueado son una herramienta ms verstil para
procesos que ocurren en escalas de tiempo extremadamente cortos
investigacin, para maximizar el efecto de la no linealidad en materiales
pticos debido a la gran potencia de pico, y en aplicaciones de ablacin. Una
vez ms, debido a la duracin extremadamente corta del impulso, tal lser
producir impulsos que alcanzan una potencia extremadamente alta pico.
CONDICIONES DE DISPARO
Otro mtodo de lograr la operacin de lser pulsado es para bombear el
material lser con una fuente que es en s mismo pulsada, ya sea a travs de
la carga electrnica en el caso de lmparas de flash, u otro lser que ya est

pulsado. Pulsos de bombeo se utiliz histricamente con lseres de

colorante en el tiempo de vida de poblacin invertida de una molcula de
colorante era tan corto que se necesita una energa, bomba rpida alta.
La manera de superar este problema fue para cargar condensadores
grandes que luego se cambiaron a descargar a travs de lmparas de
destellos, la produccin de un flash intensa. Pulsos de bombeo tambin se
requiere para lser de tres niveles en los que el nivel de energa ms bajo se
convierte rpidamente en altamente poblada evitar una mayor accin lser
hasta que esos tomos se relajan al estado fundamental. Estos lseres,
como el lser excimer y el lser de vapor de cobre, no se pueden utilizar en
el modo CW.
ECUACIONES DE EMISIN
Para el anlisis del funcionamiento del lser hay que partir de las ecuaciones
de emisin (en este caso, particularizadas para el caso de lseres
monomodo), que son la solucin a las ecuaciones de Maxwell para el caso
del lser:

Donde P y N representan la cantidad o nmero de fotones y portadores en la

cavidad respectivamente, tp es el tiempo de vida de los fotones, tn el tiempo
de recombinacin de los portadores, Resp es la tasa de emisin espontnea
y G es la tasa de emisin estimulada o ganancia ptica de la cavidad.
La definicin o el valor de cada uno de los parmetros que determinan el
funcionamiento del lser es:

LA CANTIDAD DE FOTONES viene dada en funcin del campo elctrico:

Donde e0 es la permitividad del medio material, m es el ndice del

modo, mg es ndice de los portadores inducidos y w es la energa de un
fotn.

EL NMERO DE PORTADORES en la zona activa se define como:

Donde n es

la

densidad

de

portadores

es

prcticamente

constante, V=Lwd es el volumen de la cavidad siendo L la longitud, w el

ancho y del grosor de la misma.

LA GANANCIA PTICA se halla a partir de:

donde G es el factor de confinamiento, vg es la velocidad de grupo de

finida como vg= c/mg y g es una ganancia de la cavidad cuyo valor es: g
= sg ( n - n0 ) , donde sg es el coeficiente de ganancia diferencial, n0 la
densidad de portadores requerida para alcanzar el nivel de transparencia
y n la densidad de portadores. Como no se va a trabajar con densidad de
portadores por unidad de volumen, sino con nmero de portadores, se
desarrolla un poco esta definicin para llegar a otra expresin que convenga
mejor: G = GN (N-N0).

EL TIEMPO DE VIDA DE LOS FOTONES:

Donde ae son las prdidas en los espejos, aint otras prdidas intrnseca de la
cavidad.

EL TIEMPO QUE TARDAN EN RECOMBINARSE LOS PORTADORES es:

LA TASA DE EMISIN ESPONTNEA, viene dada por:

Donde todo lo contenido dentro del corchete se conoce como factor de

inversin de la poblacin y Ef es la energa de separacin entre los niveles de
Fermi.
Si a [1] y [2] se le aade la ecuacin de emisin de la fase, se tiene el
sistema de ecuaciones de emisin de lseres monomodo completo.

EFICIENCIA CUNTICA
La Eficiencia cuntica es una cantidad definida para un dispositivo
fotosensible como la pelcula fotogrfica o un CCD como el porcentaje de
fotones que chocan con la superficie fotorreactiva que producir un par
electrn-hueco. Es una medida precisa de la sensibilidad del dispositivo. A
menudo se mide sobre un rango de diferentes longitudes de onda para
caracterizar la eficiencia del dispositivo a cada energa. La pelcula
fotogrfica tiene tpicamente una eficiencia cuntica de menos del 10%,
mientras los CCDs pueden tener una eficiencia cuntica sobre 90% en
algunas longitudes de onda.
FRECUENCIA DE RESONANCIA
Se denomina frecuencia de resonancia a aquella frecuencia caracterstica de
un cuerpo o un sistema que alcanza el grado mximo de oscilacin.
Todo cuerpo o sistema tiene una, o varias, frecuencias caractersticas.
Cuando un sistema es excitado a una de sus frecuencias caractersticas, su
vibracin es la mxima posible. El aumento de vibracin se produce porque a
estas frecuencias el sistema entra en resonancia.
La eficiencia de Acople es la medida de la cantidad de potencia ptica
emitida desde una fuente que puede ser acoplada con una Fibra ptica

= PF / PS
Pf= Potencia Acoplada a la Fibra
Ps= Potencia Emitida desde la Fuente de Luz
La eficiencia de Acople depende del tipo de fibra conectada a la fuente y del
proceso de acople (lentes u otro complemento).

ESTRUCTURA Y PATRONES DE RADIACIN

El modo transversal de un frente de onda electromagntica es el perfil del

campo electromagntico en un plano perpendicular (transversal) a la
direccin de propagacin del rayo. Modos transversales ocurren en las ondas
de radio y microondas confinadas en una gua de ondas, como tambin la luz
confinada en una fibra ptica y en el resonador ptico de un lser.
Los modos transversales son debidos a las condiciones de frontera
impuestas por la gua de ondas. Por ejemplo una onda de radio que se
propaga a lo largo de una gua hueca de paredes metlicas tendr como
consecuencia que las componentes del campo elctrico paralelas a la
direccin de propagacin (eje de la gua) se anulen, y por tanto el perfil
transversal del campo elctrico estar restringido a aquellas ondas cuya
longitud de onda encaje entre las paredes conductoras. Por esta razn, los
modos soportados son cuantizados y pueden hallarse mediante la solucin
de las ecuaciones de Maxwell para las condiciones de frontera adecuadas.

LASER MONOMODO
Las comunicaciones led se producen principalmente a partir de GaAsp o
GaAs. Debido a que los ledesGaAsp operan a una mayor longitud de onda
que los ledesGaAs (1,3 micrmetros contra 0,81-0,87 m), su espectro de
salida es ms ancho en un factor de alrededor de 1,7 veces. El ancho de
amplio espectro de los ledes causa una alta dispersin en la fibra, lo que
limita considerablemente su producto tasa de bits-distancia (medida comn
de utilidad). Los ledes son adecuados principalmente para aplicaciones de
red de rea local con velocidades de 10 a 100 Mbit/s, y distancias de
transmisin de unos pocos kilmetros. Los leds se han desarrollado para
usar varios pozos cunticos para emitir luz en diferentes longitudes de onda
en un amplio espectro, y actualmente estn en uso en redes de rea local de
multiplexado por divisin de longitud de onda.
Un lser semiconductor transmite luz a travs de la emisin estimulada en
vez de emisin espontnea, lo que da como resultado una alta potencia de
salida (~100 mW), as como otros beneficios de la luz coherente. La salida
del lser es relativamente direccional, lo que permite un acoplamiento de alta
eficiencia (~50%) en fibras monomodo. La anchura espectral estrecha
permite altas tasas de transferencia de bits, ya que reduce el efecto de
dispersin cromtica. Los lseres semiconductores pueden ser modulados
directamente a altas frecuencias, debido a la recombinacin de tiempo corto.
A menudo, los diodos lser se modulan directamente, que es la salida de luz
controlada por una corriente aplicada directamente al dispositivo. Para tasas
de datos muy altas o enlaces de muy larga distancia, una fuente de lser
puede ser de onda continua y la luz modulada por un dispositivo externo
como un modulador de electro absorcin
MODULACIN DE DIODOS LSER
MODULACIN

La respuesta general a los distintos mtodos de modulacin depende de

factores intrnsecos y extrnsecos del lser. Los lmites extrnsecos son
varios. Una restriccin importante es el sobrecalentamiento del lser debido
a las altas corrientes de polarizacin del lser. Estas altas corrientes son
necesarias para poder hacer funcionar el lser a altas velocidades. El
sobrecalentamiento produce un deterioro de los parmetros del dispositivo
como la ganancia, corriente umbral, etc.
Otro aspecto importante en la polarizacin de lseres a alta potencia es la
degeneracin "catastrfica" que se produce si se daan los espejos. Esto
destruye el lser al estropearse los espejos de la cavidad. Por tanto el lser
tiene un lmite superior de inyeccin, hasta el cual puede operar con
seguridad y por encima del cual se destruye el lser.
Un ltimo lmite extrnseco del lser que limita la velocidad de ste es debido
a los elementos parsitos extrnsecos del diodo lser. El lser debe ser
diseado con cuidado para que la resistencia, capacidad e inductancia no
limiten la respuesta del dispositivo. Los lmites intrnsecos de modulacin son
debidos al diseo de la cavidad, arrastre y difusin de los portadores que
limitan la velocidad de la modulacin de pequea seal.

MODULACIN DE GRAN SEAL

En este tipo de modulacin el lser es puesto a ON y a OFF, es decir, la
corriente pasa de estar por encima del valor umbral a estar por debajo del
valor umbral. Este tipo de modulacin se puede utilizar para interconexiones
pticas o para algunas aplicaciones lgicas. La respuesta del lser es
bastante lenta con esta modulacin (~10ns). La modulacin de gran seal no
se utiliza para comunicaciones pticas debido a la respuesta tan lenta y

debido a la anchura espectral de la salida. De hecho la respuesta en gran

seal de un lser.
MODULACIN DE PEQUEA SEAL
En modulacin de pequea seal el lser est polarizado en un punto por
encima del valor umbral y se le aplica una pequea seal ac. Este mtodo
presenta la mayor respuesta en frecuencia pudindose alcanzar anchos de
banda de hasta 50GHz.
MODULACIN DE CDIGO DE PULSOS
Esta tcnica de modulacin es la ms utilizada en las comunicaciones
pticas actuales. Es un hbrido entre la modulacin de gran seal y la de
pequea seal. El lser est polarizado por encima de su valor umbral y se le
aplican pulsos de corriente (o tensin) de forma que la corriente va de un
valor superior a otro inferior pero siempre, incluso en el estado bajo, por
encima del valor umbral. Con este tipo de modulacin se alcanzan anchos de
banda de hasta 10GHz.
EFECTOS DE LA TEMPERATURA
Como en el LED la dependencia de la temperatura de la emisin de un lser
es de suma importancia. Tal y como hemos visto en una seccin anterior,
para aplicaciones de muy alta velocidad necesitamos altas corrientes de
inyeccin lo cual puede producir un calentamiento del dispositivo an con
buena refrigeracin. Los factores de mayor importancia en el estudio de la
dependencia con la temperatura son; i) efecto de la temperatura sobre la
corriente umbral y la intensidad ptica y ii) efecto de la temperatura sobre la
frecuencia de emisin.

DEPENDENCIA DE LA CORRIENTE UMBRAL CON LA TEMPERATURA

Conforme aumenta la temperatura del lser, su corriente umbral tambin
aumenta y para un nivel de inyeccin determinado, la salida de fotones cae.
Se debe a dos razones principalmente:

El incremento de temperatura causa que puedan existir electrones y

huecos con energas mayores. En consecuencia, una mayor fraccin
de la carga inyectada podr cruzar la regin activa y entrar en el
recubrimiento o regin de los contactos. Esta corriente de prdidas ya
la vimos para el LED. La corriente de prdidas depende del diseo del
lser y se puede minimizar utilizando una regin activa ms ancha o
una estructura con variacin gradual del ndice en el caso de lseres
de pozo cuntico.

A mayor temperatura hay ms electrones y huecos con energas

superiores al valor energtico umbral necesario para que se produzca
la recombinacin de Auger. Esto, junto junto con el incremento en la
densidad de portadores umbral hace que la recombinacin de Auger
crezca exponencialmente con la temperatura. Los procesos de Auger
son especialmente importantes en materiales de estrecha banda
prohibida.

EFECTO AUGER:
La ya mencionada recombinacin de Auger da lugar a calor en vez de a
fotones por lo que una fraccin de la corriente no estar disponible para la
creacin fotones y, en consecuencia, habr que aumentar el nivel de
inyeccin para alcanzar la misma densidad de fotones. Adems se produce

un aumento del factor de amortiguamiento de la resonancia reduciendo el

ancho de banda.

DEPENDENCIA CON LA TEMPERATURA DE LA FRECUENCIA DE

EMISIN
Para la mayora de las aplicaciones es deseable que la frecuencia de
emisin permanezca estable. Pero en realidad si cambia la temperatura
cambia la frecuencia de emisin del lser. Hay dos efectos que controlan
esta variacin de la frecuencia:

La variacin de la banda prohibida hace desplazarse el espectro de

ganancia completo a energas menores conforme aumenta la
temperatura. Esta variacin de la banda prohibida es del orden de
0,5meV/K en la mayora de los semiconductores. Esto hace variar al
espectro de ganancia en 3 o 4 por K si no hay efectos adicionales
como se muestra en la siguiente figura (a). Sin embargo, en el lser la
emisin no depende slo de la posicin del pico de ganancia si no
tambin del modo Fabry-Perot ms cercano a este pico de ganancia.
Esto nos conduce al segundo efecto.

Conforme vara la temperatura, la expansin trmica de la cavidad

lser y la variacin del ndice de refraccin altera la posicin de los
modos resonantes .Los modos resonantes vienen dados por (q es un
entero)

Donde q es la longitud de onda en el material y q0 la longitud de onda en

el vaco. Si la longitud efectiva de la cavidad aumenta con la temperatura, la
posicin de los modos se desplazar con respecto al espectro de ganancia
que a su vez se est desplazando debido a la temperatura.

Modulacin de la intensidad del lser

El comportamiento de un diodo lser bajo modulacin directa, cuando se
tiene por objetivo obtener una modulacin de la potencia ptica a la salida
del lser.
Cuando se habla de modulacin de un lser existen distintas estrategias, la
ms sencilla es la relativa a la modulacin de la amplitud de la potencia
ptica de salida mediante la variacin de la corriente de alimentacin del
lser. sta se produce cuando se varan la corriente de polarizacin del lser
entre dos valores , siempre sobre un nivel de corriente de
polarizacin medio. Esta variacin se traduce de forma directa en dos niveles
de potencia a la salida del lser . La variacin de la corriente de
polarizacin presentar una determinada frecuencia, cuando sta est por
debajo de un determinado valor puede trabajarse sin grandes penalizaciones
(aunque la tasa de transmisin es baja); sin embargo, cuando se trabaja a
ms alta frecuencia, deben contemplarse otros fenmenos interferentes que
penalizan y limitan la transmisin.

Para realizar un estudio formal de la modulacin directa de la potencia de un

diodo lser, se debe partir de las ecuaciones de ritmo. Planteando la
ecuacin de ritmo de emisin de fotones

donde la ganancia normalizada se denota como = , donde es la

tasa de emisin estimulada, el tiempo de vida del fotn, la tasa de
emisin espontnea, y el factor multiplicativo total de emisin espontnea,
S es la evolucin temporal de la emisin de fotones.
Considerando por otro lado el ritmo de recombinacin expandido en torno a
una densidad de portadores umbral .

Puede darse una expresin para la ecuacin ritmo de densidad de cargas en

torno al punto de polarizacin instantneo tal como sigue a continuacin

expresin en la cual se ha denotado I como la corriente instantnea, la

corriente umbral de conduccin lser, el tiempo de vida del portador y V el
volumen de la regin activa del diodo lser. Con el fin de contemplar efectos
no lineales en la expresin de la ganancia (importante para tratar conceptos
de Chirp y de modulacin en frecuencia), se plantea la siguiente expresin

donde es la ganancia lineal, es el factor de compresin de ganancia

respecto a la potencia ptica por cara de emisin, s el coeficiente de
compresin de ganancia respecto al nmero de fotones, P la potencia ptica
por cara del lser. Se muestra entonces como existe una dependencia en las

expresiones de ritmo del lser con factores lineales y no lineales, algunos de

estos factores conforman la respuesta AM y FM de lser, con lo que ser
necesario caracterizarlos para entender el comportamiento del lser cuando
es modulado directamente.
Transitorio en la conmutacin
Cuando se realiza una transicin entre el nivel bajo y el nivel alto de corriente
de polarizacin, la potencia ptica a la salida del lser no vara
automticamente, sino que se produce un transitorio. Este transitorio tendr
mayor o menor repercusin segn se establezca el nivel bajo de corriente.
Este transitorio se produce debido a la aplicacin de un pulso corriente al
lser, se produce un incremento brusco de la densidad de portadores que
excede el nivel umbral, esto provoca un incremento rpido de fotones que
sobrepasa el valor estacionario de la salida. Este incremento brusco de
fotones por encima del nivel medio provoca una disminucin de la densidad
de portadores por debajo del nivel umbral, que a su vez provoca una
disminucin abrupta de la densidad de fotones. Este comportamiento se va
repitiendo cada vez con menor varianza sobre el nivel estacionario, de
manera que para un determinado tiempo termina convergiendo a ste. Este
efecto variar segn dnde se establezca el nivel bajo y alto de corriente,
dando para cada uno de estos un tiempo de establecimiento diferente. Esto
puede entenderse fcilmente si se considera que cuando el nivel bajo de
corriente se sita por debajo del nivel umbral, el lser estar conmutando
entre una zona de conduccin lser y una zona de no conduccin lser; de
manera que la inversin de poblacin de portadores ser ms brusca y lenta
que no cuando el nivel bajo de corriente est siempre por encima del nivel de
corriente umbral, de modo que el lser siempre se encuentra trabajando en

la regin de conduccin lser. Las expresiones para ambos casos se

muestran a continuacin:

donde es la frecuencia de resonancia del lser. Que a su vez puede ser

descrita de la siguiente manera

LINEALIDAD DE LA FUENTE DE LUZ

El transmisor de fibra ptica es un dispositivo hbrido electro-ptico.
Convierte seales elctricas en pticas y enva las seales pticas a una
fibra ptica. Un transmisor de fibra ptica consiste de un circuito de interfaz,
un circuito controlador de la fuente, y una fuente ptica. El circuito interfaz
acepta la seal elctrica entrante, y la procesa para que sea compatible con
el circuito controlador de la fuente. La intensidad del circuito controlador de la
fuente modula la fuente ptica variando su propia corriente.
La seal ptica se junta, se acopla a la fibra ptica a travs de la interfaz de
salida del transmisor. Hay dos tipos de diodos de juntura de emisin de luz
que se usan como fuente ptica del transmisor.
Esta el diodo emisor de luz (LED, acrnimo ingls de Light-EmittingDiode), y
el diodo lser (LD). Los LED son ms simples y generan luz incoherente, y
de potencia baja. Los LD son ms complejos y generan luz coherente, y de
potencia alta.
El grfico ilustra la potencia de salida ptica, P, de cada uno de estos
dispositivos en funcin de la corriente elctrica de entrada I, del circuito de
modulacin. En la figura se ve que el LED tiene una caracterstica P-I

relativamente lineal, mientras que el LD tiene una caracterstica no lineal o

efecto umbral. El LD tambin tiene una propensin a tener pliegues donde la
energa disminuye con el aumento del ancho de banda.

CONCLUSIN
Los semiconductores son los materiales slidos clave en la fabricacin de
dispositivos electrnicos, el modelo de bandas de energa permite explicar
con una excelente aproximacin el fenmeno de la conduccin elctrica en
los slidos, segn este modelo, la materia est constituida por tomos, cuyos
electrones se distribuyen en bandas de energa. Segn el modelo de las
bandas de energa, los slidos se clasifican en: aislantes, metales y
semiconductores.
Por otra parte Un semiconductor intrnseco es un semiconductor puro cuya
estructura cristalina est formada exclusivamente por tomos del propio
semiconductor, sin que est incrustado en ella ningn tomo de otro material,
los semiconductores intrnsecos no presentan propiedades prcticas, por
esto se les aaden impurezas para alterar la probabilidad de ocupacin de
las bandas de energa, y por lo tanto, aumentar la conductividad de los
mismos. Si a un semiconductor intrnseco se le aade un pequeo
porcentaje de impurezas, el semiconductor se denomina extrnseco y se dice
que est dopado. Cuando en el semiconductor aparece una mayor cantidad
de electrones que de huecos; se dice que los electrones son los portadores
mayoritarios de la corriente y puesto que este excedente de electrones
procede de las impurezas pentavalentes, a stas se las llama donadoras, y el
semiconductor se caracteriza como de tipo N.

En cambio, en un cristal de silicio o de germanio dopado con elementos

trivalentes las impurezas aportan un hueco (enlace covalente incompleto),
por lo que se las denomina impurezas aceptadoras, y el semiconductor se
caracteriza como de tipo P.
El LED es una fuente ptica que genera luz utilizando el principio de la
emisin espontnea, es ampliamente utilizado en la electrnica y es
importante conocer su funcionamiento y el por qu su color varia, para tomar
en cuenta todas las variables del componente para el diseo, los parmetros
que caracterizan el funcionamiento de un LED y que sirven de base para la
eleccin del modelo ms adecuado para la aplicacin concreta a que se le va
a destinar. La eficiencia cuntica interna de un LED se define como la
fraccin de pares electrn-hueco que se recombinan emitiendo radiacin
optica. La modulacin ptica puede ser directa, donde la fuente de luz es
modulada directamente por una inyeccin de corriente electrnica,
proveniente del circuito driver, o ella puede ser una modulacin externa,
donde la luz es primera generada por la fuente ptica y despus a travs de
un modulador externo es modulada.
La modulacin ptica puede ser directa, donde la fuente de luz es modulada
directamente por una inyeccin de corriente electrnica, proveniente del
circuito driver, o ella puede ser una modulacin externa, donde la luz es
primera generada por la fuente ptica y despus a travs de un modulador
externo es modulada
El proceso de generacin de luz es similar al del LED. Las diferencias
radican en el volumen de generacin, ms pequeo en los diodos laser, y en
una alta concentracin de portadores inyectados. Se consigue as una
ganancia ptica alta y un espectro muy estrecho que da lugar a luz
coherente. Un lser puede ser clasificado como operar en modo continuo o
pulsado, dependiendo de si la salida de potencia es esencialmente continua
en el tiempo o si su salida toma la forma de pulsos de luz en una o en otra

escala de tiempo. lograr la operacin de lser pulsado es para bombear el

material lser con una fuente que es en s mismo pulsada, ya sea a travs de
la carga electrnica en el caso de lmparas de flash, u otro lser que ya est
pulsado
Se denomina frecuencia de resonancia a aquella frecuencia caracterstica de
un cuerpo o un sistema que alcanza el grado mximo de oscilacin.
Para el anlisis del funcionamiento del lser hay que partir de las ecuaciones
de emisin (en este caso, particularizadas para el caso de lseres
monomodo), que son la solucin a las ecuaciones de Maxwell
As mismo el modo transversal de un frente de onda electromagntica es el
perfil del campo electromagntico en un plano perpendicular (transversal) a
la direccin de propagacin del rayo. Modos transversales ocurren en las
ondas de radio y microondas confinadas en una gua de ondas, como
tambin la luz confinada en una fibra ptica y en el resonador ptico de un
lser, los modos soportados son cuantizados y pueden hallarse mediante la
solucin de las ecuaciones de Maxwell para las condiciones de frontera
adecuadas. Una fibra monomodo es una fibra ptica en la que slo se
propaga un modo de luz. Se logra reduciendo el dimetro del ncleo de la
fibra hasta un tamao (8,3 a 10 micrones) que slo permite un modo de
propagacin. Su transmisin es paralela al eje de la fibra. A diferencia de las
fibras multimodo, las fibras monomodo permiten alcanzar grandes distancias
(hasta 400 km mximo, mediante un lser de alta intensidad) y transmitir
elevadas tasas de informacin (decenas de Gbit/s).
La respuesta general a los distintos mtodos de modulacin depende de
factores intrnsecos y extrnsecos del lser. Los lmites extrnsecos son
varios, el lser debe ser diseado con cuidado para que la resistencia,
capacidad e inductancia no limiten la respuesta del dispositivo. Los lmites
intrnsecos de modulacin son debidos al diseo de la cavidad, arrastre y
difusin de los portadores que limitan la velocidad de la modulacin de

pequea seal. Como en el LED la dependencia de la temperatura de la

emisin de un lser es de suma importancia. Tal y como hemos visto en una
seccin anterior, para aplicaciones de muy alta velocidad necesitamos altas
corrientes de inyeccin lo cual puede producir un calentamiento del
dispositivo an con buena refrigeracin. Los factores de mayor importancia
en el estudio de la dependencia con la temperatura son; i) efecto de la
temperatura sobre la corriente umbral y la intensidad ptica y ii) efecto de la
temperatura sobre la frecuencia de emisin.
Ya para culminar se define el transmisor de fibra ptica como un dispositivo
hbrido electro-ptico. Convierte seales elctricas en pticas y enva las
seales pticas a una fibra ptica. Un transmisor de fibra ptica consiste de
un circuito de interfaz, un circuito controlador de la fuente, y una fuente
ptica. El circuito interfaz acepta la seal elctrica entrante, y la procesa para
que sea compatible con el circuito controlador de la fuente. La intensidad del
circuito controlador de la fuente modula la fuente ptica variando su propia
corriente. La seal ptica se junta, se acopla a la fibra ptica a travs de la
interfaz de salida del transmisor, los LED son ms simples y generan luz
incoherente, y de potencia baja. Los LD(laser) son ms complejos y generan
luz coherente, y de potencia alta.

REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS

http://www.monografias.com/trabajos60/diodo-led/diodo
led.shtml#xestled#ixzz3GoYnBu3E
http://centrodeartigo.com/articulos-noticias-consejos/article_141987.html
file:///C:/Documents%20and%20Settings/kattiuskka/Mis
%20documentos/Comunicacion%20Optica/Proyecto_Final_de_Carrera.pdf