CONFIGURACIN EN BASE COMN. La zona que ms nos interesa es la zona activa, por lo tanto a continuacin analizaremos esta zona. La zona p de base suele ser muy estrecha en la realidad, ms tarde veremos porque. En el siguiente dibujo no dibujamos WE y WC para no emborronar el dibujo.
Figura 105. Funcionamiento de la zona activa, configuracin BC.
El negativo de la pila V EE repele los electrones de la zona del emisor que cruzan la UE. Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona p de la base sin recombinarse. Debido a la pila puede que un electrn cruce la barrera de potencial de la UE. Despus ese electrn baja la barrera de potencial de la UC para salir por el colector.
Figura 106. Barrera de potencial.
Tapia Robledo Luis Ricardo
Fundamentos de ingeniera electrnica IIN 5C 12/ Febrero/ 2015
Esto es el efecto transistor de n a p, tiene que subir la barrera de potencial pero
luego es ms fcil porque tiene que bajar la barrera. De los electrones emitidos por el emisor, aproximadamente un 1 % se recombina en la base y un 99 % no se recombina y llega al colector, esto es el efecto transistor. La palabra colector viene de ah, el colector "Colecta" los electrones, los recoge, eso es el "Efecto transistor". La base es muy estrecha y adems est muy poco impurificada, esa es la razn de que la probabilidad de que un electrn se recombine sea muy pequea (por ejemplo el 1%). El emisor emite electrones, el colector los recoge, y la base es un dispositivo de control. El convenio que tenamos con el diodo era:
Figura 107. El Diodo
En el transistor tambin tomamos criterios, todas la corrientes entrantes, es como un nudo.
Figura 108. El Transistor.
EJEMPLO: IE = 100mA, se recombinan el 1 % y no se recombinan el 99 %. Por lo tanto: IB = 1mA y IC = 99mA. Los signos como siempre, si va a favor del electrn es negativo y si va en contra positivo.
Tapia Robledo Luis Ricardo
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En los problemas por comodidad se suele cambiar de direccin a I E para que sea positivo.
Figura 109. Convencin para las corrientes en el transistor.
Aqu debemos definir una cantidad llamada alfa y se describe con la letra griega, . En condiciones de DC, los niveles de I C e IE, estn relacionados de acuerdo a lo ya explicado. Y esta relacin est dada por la cantidad, . DC= Ic / Ie 1.5 Los valores de alfa estn entre 0,90 y 0,998. Alfa solamente define los portadores mayoritarios, entonces, la ecuacin 1.5 quedar as: Ic = Ie + ICBO 1.6 Si IE = 0mA. IC ser por lo tanto igual ICBO. Pero ICBO es una magnitud muy pequea. Por lo tanto, IC ser igual a IE.
Tapia Robledo Luis Ricardo
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CONFIGURACIN EN EMISOR COMN.
Esta configuracin es la ms utilizada. Como en la configuracin en Base solo analizaremos la zona activa.
Comn
Figura 110. Transistor en configuracin de Emisor Comn.
Como en el caso anterior solo el 1 % se recombina y el 99 % no se recombina. La direccin de IE la cambiamos como en la configuracin anterior.
Figura 111. Transistor
Ganancia de corriente cc:
A veces (casi siempre) se desprecia la I B, por ser muy pequea, en comparacin
con la IC.
Tapia Robledo Luis Ricardo
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CONFIGURACIN EN COLECTOR COMN.
Figura 112. Polarizacin de Emisor comn para un transistor PNP.
En la figura 112 vemos la ltima de las tres posibles configuraciones de un transistor con las direcciones de corriente y su notacin de voltaje correcto. El uso ms comn que a esta configuracin se le da, es de un circuito de acople de impedancias. En su entrada posee una impedancia muy alta y en su salida una impedancia muy baja. Si conectamos una resistencia R entre el emisor y tierra, con el colector tambin conectado a tierra, fcilmente podramoscomprender que es un circuito similar a la configuracin de emisor comn. Por lo tanto, no se requiere de un conjunto de caractersticas de colector comn para seleccionar los parmetros del circuito al momento de realizar un diseo. La curvas se grafican como I E en funcin de VCE para un rango de valores de IB.